WO2012107263A2 - Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements - Google Patents

Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements Download PDF

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WO2012107263A2
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silicone
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Markus Pindl
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Definitions

  • the present invention relates to an optoelectronic device, and a method for producing such a device.
  • Optoelectronic components have a semiconductor chip which can emit electromagnetic radiation.
  • the semiconductor chip can with a potting material
  • the potting material may include silicone. Silicone is generally soft. This is disadvantageous in the further processing of
  • Vacuum pipette in a placement machine a component with a soft silicone surface is difficult to grip.
  • An object of the invention is to provide an optoelectronic component and a method for producing such, in which the optoelectronic
  • Component is protected to the outside by a hard translucent cover.
  • Opto-electronic device with a semiconductor chip, which is arranged on a substrate.
  • the translucent cover covers at least the surface facing away from the substrate surface of the semiconductor chip.
  • the translucent cover has a greater hardness than silicone.
  • Translucent cover ensures that the optoelectronic device is largely protected from harmful gases or water, the vacuum pipette in
  • Translucent cover can tear when mounting the bonding wire without the silicone is damaged. The device is defective without this at the
  • Hardness is the mechanical resistance that a material opposes to the mechanical penetration of a harder specimen. The less deep the specimen penetrates into the material, the harder the material is. The above condition that the translucent cover is harder than silicone means, therefore, that the translucent cover provides the test specimen with greater mechanical resistance than silicone.
  • the hardness of elastomers such as silicone is rated on a different scale than the hardness of mineral
  • Silicone can be conceptually separated into soft and hard silicone.
  • Soft silicone has a durometer of about Shore 20 to about Shore 60, preferably between about Shore 40 and about Shore 50 on.
  • Hard silicone can have a Shore value of over 60.
  • the Shore hardness is a material characteristic for elastomers and plastics. These fabrics are elastic, so they are not permanently deformed.
  • the scale ranges from 0 Shore to 100 Shore. 0 shore means minimum hardness and 100 shore means maximum hardness.
  • the translucent cover is preferably
  • mineral origin ie from a largely inelastic solid.
  • glass is used.
  • the hardness test according to Mohs is used.
  • the hardness for glass is between 6 and 7, depending on the type of glass. The larger the Mohs value the more greater the hardness of the substance.
  • Talc has the Mohs value. 1 Diamond has a Mohs value of 10.
  • the modulus of elasticity of a substance can be compared directly, one can resort to the comparison of the hardness of solids on the comparison of the moduli of elasticity of these solids.
  • the greater the modulus of elasticity of a substance the greater the hardness of the substance in general.
  • the modulus of elasticity describes the
  • Modulus of elasticity is greater, the more resistance a material opposes its deformation.
  • a high elastic modulus material component e.g.
  • the unit of Young's modulus is Newton per square millimeter, N / mm 2 .
  • the elastic modulus of silicone is between 10 N / mm 2 and 100 N / mm 2 , depending on the type of silicone.
  • the elastic modulus of glass is between 50,000 N / mm 2 and 90,000 N / mm 2 , depending on the type of glass.
  • a substrate As a substrate, a printed circuit board, a
  • Metal core board or a ceramic serve.
  • the metal core board or a ceramic serve.
  • Gallium nitride GaN
  • the semiconductor chip has at least one active zone which emits electromagnetic radiation.
  • the active zones may have pn junctions, Double heterostructure, multiple quantum well structure (MQW), single quantum well structure (SQW).
  • Quantum well structure means: quantum wells (3-dim),
  • Semiconductor chip may be formed as a surface emitter, in particular as a so-called thin-film chip.
  • Thin-film chip for example, from the
  • Semiconductor chip extends at least partially into the cavity. This is particularly advantageous, since thereby the semiconductor chip is also at least partially protected on the side surfaces that are perpendicular to the substrate.
  • the cavity is filled with a gas, in particular an inert gas. It eliminates the risk of deleterious delamination between a potting material in the cavity and the semiconductor chip.
  • the cavity is fastened with a bonding material as an adhesive in the form of a cavity seal on the substrate.
  • a bonding material is silicone, epoxy or hybrids.
  • a hybrid silicone-epoxy or silicone-polyester can be used.
  • a shape is present between the translucent cover and the substrate
  • Connection material arranged as encapsulation such that the uncovered by the substrate surfaces of the
  • Semiconductor chips are surrounded by the connecting material. Forming the translucent cover a cavity, so also increases the mechanical stability of the
  • the optoelectronic component is less susceptible to the penetration of water or harmful gases in the
  • the bonding material comprises silicone.
  • Silicone is transparent and radiation-stable.
  • the connection material comprises soft silicone. Soft silicone has a high
  • Silicone from the Potting the semiconductor chip can be glazed on its surface. This creates a non-sticky surface. However, the glazed layer is only a few nanometers thick and therefore can easily break.
  • the translucent cover can be realized by a glass cover. This is advantageous for several reasons.
  • the glass cover is hard.
  • the glass cover is almost transparent to electromagnetic radiation in the visible spectral range. With a thickness of the glass of 100 ⁇ only a proportion of about 0.5% of the light emitted from the semiconductor chip light is absorbed in the glass. Since glass is stable to radiation, the high transmissivity remains even during prolonged operation of the
  • Glass is resistant to corrosion and aging. Glass has a low thermal
  • Expansion coefficient which is preferably of the order of the substrate, in particular the
  • Ceramic substrate lies. In the case of instrument glass, the thermal expansion coefficient is 4.5 x 1CT 6 K _1 . Ceramic can have a mean expansion coefficient of about 6 x 1CT 6 K _1 . The similarity of the
  • translucent cover and the substrate is advantageous because there is no curvature of the optoelectronic device at a temperature change.
  • the translucent cover on an anti-reflective layer consists of a combination of layers of S1O 2 and Al 2 O 3 .
  • the layers can by means of CVD or PVD on the translucent cover
  • the antireflective layer may be mounted on one side of the translucent cover or on both sides of the translucent cover. Antireflection layers are particularly advantageous since they reduce the proportion of electromagnetic radiation reflected back into the optoelectronic component
  • translucent cover have a thickness between about 30 ⁇ and about 100 ⁇ . This is advantageous because it only slightly increases the size of the optoelectronic component. In addition, the thickness of the plate is sufficient to ensure the necessary stability and impermeability to oxygen.
  • an imaging element in particular a lens
  • a lens may be arranged on the surface of the light-permeable cover facing away from the substrate. This is particularly advantageous since the light emitted by the semiconductor chip can be collected by the lens.
  • the lens can be made in one piece and monolithic with the translucent cover
  • Conversion layer be applied directly to the side facing away from the substrate surface of the semiconductor chip.
  • the conversion layer can be used as a converter-filled
  • Silicone platelets be formed.
  • the phosphor can be embedded in the silicone plate.
  • the plate may be a sintered ceramic plate be formed, in which the phosphor in the
  • Ceramic tile is embedded.
  • the phosphor particles have phosphorescent materials.
  • phosphorescent materials may include yttrium aluminum garnet or orthosilicates. The so-called
  • the surface of the translucent cover, in particular of glass can be roughened. By roughening, the proportion of radiation totally reflected at the interface of glass (refractive index: 1.5) to air (refractive index: 1) becomes
  • translucent cover Particularly advantageous is the spacer in a translucent cover without cavities. This ensures that the distance from substrate to translucent cover is homogeneous. In addition, eliminating the need to precisely align the substrate with the plurality without cavities
  • Process step of discloses the components of the cavities advantageous because the hard translucent cover is easier to saw than the combination of soft compound material and hard cover.
  • this comprises
  • Connecting material penetrates into the cavities.
  • an adhesive silicone can be used.
  • this comprises
  • Phosphor particles filled bonding material the unit of substrate and translucent cover about an axis which lies in the plane formed between the translucent cover and the substrate to
  • the phosphor particles can be sedimented onto the semiconductor chips.
  • the sedimentation of the phosphor particles takes place by the action of gravity and / or
  • the Sedimentation of the phosphor particles is advantageous, since thereby the unwanted lateral emission of
  • the form will be in front of
  • the optoelectronic components are separated. This can be done by cutting, laser cutting, water jet cutting or scribing and
  • Figures la, lb show embodiments of a
  • Figures lc, ld show embodiments of a
  • Figures 2a to 2j show embodiments of a
  • Optoelectronic device with a translucent cover in the form of a cavity in sectional view
  • Figure 3 shows a flow chart for simultaneous
  • Figures 4a, 5a, 6a show embodiments of translucent covers in plan view
  • Figures 4b, 5b, 5c, 6b show embodiments of translucent covers in
  • FIGS 7a, 7b, 8 show embodiments of
  • Figures 9b, 10b show embodiments of a
  • Figures 15, 16 show embodiments of a unit of substrate having a plurality of semiconductor chips and transparent
  • a translucent cover 106 in the form of a flat plate in sectional view.
  • a semiconductor chip 104 is arranged on a substrate 102.
  • the translucent cover 106 covers the surface of the semiconductor chip 104 facing away from the substrate 102.
  • a connecting material 110 is arranged between the substrate 102 and the translucent plate 106 as encapsulation 113.
  • the connection material 110 comprises silicone.
  • the translucent cover 106 has a greater hardness than silicone.
  • the translucent cover 106 may be a glass cover.
  • the translucent cover 106 may have a thickness between about 30 ⁇ and about 100 ⁇ .
  • Semiconductor chips 104 are contacted via a bonding wire 134 with a bonding pad 130 on the substrate 102.
  • the semiconductor chip 104 is electrically and mechanically connected to the substrate via the semiconductor chip contact layer 136.
  • the semiconductor chip 104 is referred to as
  • the semiconductor chip 104 may be a GaN compound semiconductor. ambient air
  • FIG. 1b shows a further exemplary embodiment of an optoelectronic component 100 having a
  • translucent cover 106 in the form of a flat plate in sectional view.
  • a flip-chip arrangement is shown. In a flip-chip arrangement is the
  • Radiating surface of the semiconductor chip 104 without contact.
  • the radiating surface is the interface facing the translucent cover 106.
  • Flip chip contacts 138 of the semiconductor chip 104 are realized on the side of the semiconductor chip 104, which is used for
  • Substrate 102 has. Therefore, the flip-chip technique avoids shading losses. On the substrate 102 are for the electrical connection of the
  • the mechanical connection of the semiconductor chip 104 to the substrate 102 is performed by
  • the translucent cover 106 and an imaging element 116 in a sectional view On the translucent cover 106 made of glass, an imaging element 116, in particular a lens made of glass, is arranged.
  • the lens 116 is disposed on the surface facing away from the substrate 102 of the translucent cover 106.
  • the lens 116 is plano-convex, ie curved outwards.
  • the lens 116 may be unitary and monolithic with the
  • translucent cover 106 may be formed. Of the Semiconductor chip 104 is cast in bonding material 110.
  • the refractive index of glass is about 1.5.
  • the bonding material 110 may be silicone having a refractive index between 1.4 and 1.6.
  • Electromagnetic radiation emitted from the semiconductor chip 104 becomes due to the similar
  • Placement process the optoelectronic device 100 are gripped laterally.
  • FIG. 1 d shows a further exemplary embodiment of an optoelectronic component 100 having a
  • the translucent cover 106 and a lens 116 in sectional view are translucent cover 106 and a lens 116 in sectional view.
  • the lens 116 shown is plano-convex.
  • the curved lens surface is adjacent to the
  • Figure 2a shows an embodiment of a
  • the translucent cover 106 in the form of a cavity 108 in sectional view.
  • the semiconductor chip 104 extends at least partially into the cavity 108.
  • the space between the transparent cover 106 and the substrate 102 is potted with the bonding material 110 silicone.
  • the translucent cover 106 is seated on the substrate 102.
  • a cavity seal 112 made of clear silicone is arranged between the cover 106 and the substrate 102. The cavity seal 112 prevents noxious gases from entering the cavity.
  • Cavity seal 112 made of clear silicone has a thickness between 3 ⁇ and 10 ⁇ on. Because of this little one
  • Substrate 102 are as similar thermal
  • glass as cover 106 and ceramic as substrate 102 are particularly suitable.
  • FIG. 2b shows a further exemplary embodiment of an optoelectronic component 100 with a
  • a conversion layer 118 is directly on the surface of the surface facing away from the substrate 102
  • the phosphor particles in the conversion layer 118 convert short wavelength
  • Connecting material 110 is clear as in FIG. 2a Silicone.
  • Connecting material 110 is clear as in FIG. 2a Silicone.
  • the translucent cover 106 a is on the translucent cover 106 a
  • Antireflection layer 114 applied.
  • FIG. 2 c shows a further exemplary embodiment of an optoelectronic component 100 with a
  • the translucent cover 106 in the form of a cavity 108 in sectional view.
  • the connecting material 110 as potting 113 has silicone with approximately homogeneously distributed phosphor particles 124 therein.
  • the thickness of the cavity seal 112 is between 30 ⁇ and 50 ⁇ and is limited by the size of the phosphor particles 124.
  • the exemplary embodiment in FIG. 2c corresponds to the exemplary embodiment in FIG. 2a.
  • FIG. 2 d shows a further exemplary embodiment of an optoelectronic component 100 with a
  • the translucent cover 106 in the form of a cavity 108 in sectional view.
  • the phosphor particles 124 are on the surface facing away from the substrate 102 of the
  • FIG. 2 e shows a further exemplary embodiment of an optoelectronic component 100 with a
  • translucent cover 106 in the form of a cavity 108 in sectional view.
  • the cavity is filled with a gas 115, in particular an inert gas.
  • FIG. 2f shows a further exemplary embodiment of an optoelectronic component 100 with a
  • the double-sided coating is advantageous because it increases the coupling-out efficiency compared to a coating that is only one-sided. Electromagnetic radiation emitted by the semiconductor chip 104 passes through the gas 115, the inner antireflective layer 114, the translucent cover 106, and the outer
  • FIG. 2 g shows a further exemplary embodiment of an optoelectronic component 100 with a
  • connection material 110 Silicone filled as potting material 113.
  • the connection material 110 also serves as
  • the cavity seal 112 is formed.
  • Part of the translucent cover 106 is an outwardly curved plano-convex lens 116.
  • the transition of the electromagnetic radiation from the curved surface of the glass lens 116 to the ambient air 111, the light beam is refracted.
  • the beam path may be influenced by choice of the radius of curvature of the lens 116 as desired.
  • FIG. 2 h shows a further exemplary embodiment of an optoelectronic component 100 with a
  • Plano-convex lens 116 separates compound material 110 silicone from the lens material glass. Because of the similarity of the refractive indices of silicone and glass of the
  • Beam path hardly affected at the refraction.
  • the device 100 terminates with a flat surface to the outside. This facilitates gripping during the placement process, e.g. by a
  • FIG. 2i shows a further exemplary embodiment of an optoelectronic component 100 with a
  • the translucent cover 106 in the form of a cavity 108 in sectional view.
  • the plano-convex lens 116 is curved outwardly.
  • the cavity is filled with an inert gas 115 and sealed gas-tight by the cavity seals 112 to the outside ambient air 111.
  • FIG. 2j shows a further exemplary embodiment of an optoelectronic component 100 having a
  • the translucent cover 106 in the form of a cavity 108 in sectional view.
  • the lens 116 is curved inwardly toward the cavity 108. Otherwise, the arrangement corresponds to that of Figure 2i. It is particularly advantageous that the electromagnetic radiation in the transition from the gas (Refractive index 1) 115 in the cavity in the lens 116 made of glass (refractive index 1.5) at the curved
  • Figure 3 shows a flow chart for simultaneous
  • step S1 a translucent cover 106 is provided.
  • a plane translucent cover 106 is provided in which a circumferential sealing seal 120 is provided at its outer edge.
  • Figure 4a shows a plan view of this
  • Translucent cover 106 Translucent cover 106.
  • Figure 4b shows a sectional view through this translucent cover 106.
  • the encircling sealing gasket 120 has a
  • Glue film made of soft silicone.
  • FIG. 5a shows a plan view of this translucent cover 106. Webs 122 are arranged between the cavities 108. The cavities 108 may by an etching step on an originally plan, translucent cover 106th homogeneous thickness can be generated.
  • Figures 5b and 5c show sectional views through this translucent cover 106.
  • Figure 5b shows a translucent cover 106 wherein on one side cavities 108 are inserted into the glass cover 106 and the other side is flat.
  • FIG. 5 c shows a translucent cover 106, wherein cavities 108 are introduced into the glass cover 106 on one side and lenses 116 are formed above the cavities 108 on the other side.
  • the lenses 116 can also be produced by an etching step from an originally planar, translucent cover 106 of homogeneous thickness.
  • a translucent cover 106 with cavities 108 is provided.
  • FIG. 6a shows a
  • Translucent cover 106 Translucent cover 106.
  • step S2 a bonding material 110 is applied to the translucent cover 106.
  • Cover 106 which can also be combined with each other.
  • the light-permeable cover 106 is filled with bonding material 110 as potting material 113.
  • the potting gasket 120 prevents the potting material 110 from leaking beyond the edge of the translucent cover 106.
  • FIG. 7 a shows a sectional view of the transparent silicone-filled transparent cover 106, which has no cavities 108.
  • Sub-variant 7b is used as a bonding material 110, the potting material 113 silicone, with
  • Phosphor particle 124 is filled.
  • Figure 7b shows a sectional view of the filled with silicone
  • the bonding material 110 is applied as a cavity seal 112 in the form of an adhesive to the webs 122 between the cavities 108.
  • Adhesives 112 are silicones, epoxies or hybrids. As a hybrid silicone-epoxy or silicone-polyester can be used. The adhesive 112 does not have to
  • the adhesive 112 may
  • FIG. 8 shows a sectional view of the transparent cover 106 provided with adhesive 112.
  • step S3 a substrate 102 is provided on which a plurality of semiconductor chips 104 is arranged.
  • a substrate 102 is provided on which a plurality of semiconductor chips 104 is arranged.
  • Substrate 102 with the plurality of semiconductor chips 104 Substrate 102 with the plurality of semiconductor chips 104.
  • a substrate 102 is provided on which the multiplicity of semiconductor chips 104 are regularly arranged.
  • Figure 9a shows a plan view of the Substrate 102 with the semiconductor chips 104.
  • Figure 9b shows a sectional view of the substrate 102 with the
  • variant S3B a substrate 102 is provided on which the multiplicity of semiconductor chips 104 are regularly arranged.
  • S3A is
  • FIG. 10 a shows a top view of the substrate 102 with the semiconductor chips 104, which are each covered by the conversion layer 118.
  • Figure 10b shows a sectional view of the substrate 102 with the
  • Conversion layer 118 may take the form of a
  • converter-filled platelets or by screen printing on the semiconductor chips 104 are applied.
  • step S4 the substrate 102 having the plurality of semiconductor chips 104 is connected to the translucent cover 106.
  • the semiconductor chips 104 to the translucent cover 106.
  • Cover 106 which faces the substrate 102, is flat, and thus has no cavities 108 in particular. This is advantageous since the alignment of the substrate 102 with the semiconductor chips 104 arranged thereon is omitted.
  • the Translucent cover 106 is filled with a potting 113 made of clear silicone as a bonding material 110.
  • a sealing seal 120 prevents lateral
  • the potting seal 120 also serves as a spacer, which ensures that the translucent cover 106 is arranged parallel to the substrate 102.
  • Figure 11 shows a sectional view of the unit of substrate 102 with the semiconductor chips 104 and the translucent cover 106.
  • FIG. 12 is a sectional view of the substrate 102 unit with FIGS.
  • the cavities 108 are separated by webs 122 from each other.
  • the webs 122 also serve as spacers between the substrate 102 and translucent cover 106.
  • the liquid interconnect material 110 serves as
  • the bonding material 110 silicone or epoxy is applied as an adhesive 112 only on the webs 122 and the peripheral edge of the translucent cover 106.
  • the cavities 108 remain free of
  • FIG. 13 shows a sectional view of the unit made of substrate 102 with the semiconductor chips 104 and the transparent cover 106.
  • the cavities 108 are separated from one another by webs 122.
  • S4D is a substrate 102 with the
  • the cavities 108 are with a
  • the bonding material 110 comprises silicone filled with phosphor particles 124.
  • Phosphor particles 124 may be homogeneous in the silicone
  • FIG. 14 shows a sectional view of the unit comprising substrate 102 with the semiconductor chips 104 and the translucent cover 106.
  • the cavities 108 are separated from one another by webs 122.
  • the cavities 108 are filled with silicone in the phosphor particle 124 are introduced.
  • cavity seals 112 are formed.
  • step S4D a
  • step S5 a layer of phosphor particles 124 is sedimented onto the surfaces of the semiconductor chips 104 facing away from the substrate 102.
  • the method step S5 is divided into two substeps S5.1 and S5.2, which are immediate
  • FIG. 15 shows a sectional view of the unit made of substrate 102 with the semiconductor chips 104 and the transparent cover 106.
  • the cavities 108 are completely filled with silicone as potting material 113, in which phosphor particles 124 are homogeneously distributed.
  • the phosphor particles 124 are sedimented. This can be due to the influence of
  • FIG. 16 shows a sectional view of the unit of substrate 102 with the semiconductor chips 104 and the translucent cover 106. The cavities 108 are completely covered with clear silicone
  • Potting material 113 filled. In direct contact with the surface of the semiconductor chips 104 facing away from the substrate 102 is a sedimented layer
  • step S4 or the step S5 is followed by a step S6.
  • step S6 the liquid
  • Bonding material 110 cured.
  • the curing takes place in the case of silicone as a bonding material 110 at about 150 ° C for a period of about 1 h.
  • substrate 102 and translucent cover 106 are secured together
  • Separation can be achieved by cutting, laser cutting,
  • Components 100 which have a cavity 108 whose side walls are perpendicular to the substrate 102.
  • Optoelectronic components 100 are shown in FIGS. 2a to 2j.

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  • Led Device Packages (AREA)
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Abstract

Ein optoelektronisches Bauelement (100) weist ein Substrat (102) und eine lichtdurchlässige Abdeckung (106) auf. Auf dem Substrat (102) ist ein Halbleiterchip (104) angeordnet. Die lichtdurchlässige Abdeckung (106) überdeckt zumindest die vom Substrat (102) abgewandte Fläche des Halbleiterchips (104). Die lichtdurchlässige Abdeckung (106) weist eine größere Härte als Silikon auf.

Description

OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
BESCHREIBUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement, und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements.
Optoelektronische Bauelemente weisen einen Halbleiterchip auf, der elektromagnetische Strahlung emittieren kann. Der Halbleiterchip kann mit einem Vergussmaterial
vergossen sein, um den Halbleiterchip vor schädlichen Umwelteinflüssen, wie zum Beispiel Wasser oder
Sauerstoff, zu schützen. Das Vergussmaterial kann Silikon aufweisen. Silikon ist im Allgemeinen weich. Dies ist nachteilig bei der weiteren Verarbeitung der
optoelektronischen Bauelemente. So kann eine
Vakuumpipette in einem Bestückautomaten ein Bauteil mit weicher Silikonoberfläche nur schlecht greifen.
Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein optoelektronisches Bauelement sowie ein Verfahren zur Herstellung eines solchen anzugeben, bei dem das optoelektronische
Bauelement nach Außen durch eine harte lichtdurchlässige Abdeckung geschützt ist.
Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches
Bauelement gemäß dem unabhängigen Patentanspruch 1 und durch ein Verfahren zur Herstellung eines
optoelektronischen Bauelements gemäß dem unabhängigen Patentanspruch 13 gelöst. Weiterbildungen und vorteilhafte Ausgestaltungen des optoelektronischen Bauelements und des Verfahrens zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben. Beispielhafte Ausführungs formen
Verschiedene Ausführungs formen weisen ein
optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterchip auf, der auf einem Substrat angeordnet ist. Eine
lichtdurchlässige Abdeckung überdeckt zumindest die vom Substrat abgewandte Fläche des Halbleiterchips. Die lichtdurchlässige Abdeckung weist eine größere Härte auf als Silikon.
Dies ist besonders vorteilhaft, da die harte
lichtdurchlässige Abdeckung gewährleistet, dass das optoelektronische Bauelement weitgehend vor Schadgasen oder Wasser geschützt ist, die Vakuumpipette im
Bestückautomat das Bauelement gut greifen kann und das Bauelement bei der Weiterverarbeitung nicht beschädigt wird. Statt der lichtdurchlässigen harten Abdeckung einen relativ weicheren Silikonverguss zu verwenden ist aus folgendem Grund nachteilig. Silikon weist eine viel höhere Dehnungsgrenze als ein Bonddraht aus Gold auf, mit dem im Allgemeinen ein Halbleiterchip in einem
optoelektronischen Bauelement kontaktiert wird. Ohne den Schutz und die Stabilisierung der harten
lichtdurchlässigen Abdeckung kann beim Bestücken der Bonddraht reißen ohne dass das Silikon beschädigt wird. Das Bauelement ist defekt ohne dass dies bei der
optischen Kontrolle bemerkbar wäre. Härte ist der mechanische Widerstand, den ein Werkstoff der mechanischen Eindringung eines härteren Prüfkörpers entgegensetzt. Je weniger tief der Prüfkörper in den Werkstoff eindringt, desto härter ist der Werkstoff. Die obige Bedingung, dass die lichtdurchlässige Abdeckung härter als Silikon ist, bedeutet demnach, dass die lichtdurchlässige Abdeckung dem Prüfkörper einen größeren mechanischen Widerstand entgegensetzt als Silikon.
Die Härte von Elastomeren wie Silikon wird nach einer anderen Skala bewertet als die Härte mineralischer
Substanzen wie Glas. Bei Elastomere wird die Härte in Shore gemessen und bei mineralischen Substanzen wird die Härte in Mohs gemessen.
Silikon kann begrifflich in weiches und hartes Silikon getrennt werden. Weiches Silikon weist einen Härtegrad von etwa Shore 20 bis etwa Shore 60, vorzugsweise zwischen etwa Shore 40 und etwa Shore 50, auf. Hartes Silikon kann einen Shore-Wert von über 60 aufweisen. Die Shore-Härte ist ein Werkstoffkennwert für Elastomere und Kunststoffe. Diese Stoffe sind elastisch, sie werden also nicht dauerhaft deformiert. Die Skala reicht von 0 Shore bis 100 Shore. 0 Shore bedeutet minimale Härte und 100 Shore bedeutet maximale Härte.
Die lichtdurchlässige Abdeckung ist vorzugsweise
mineralischen Ursprungs, also aus einem weitgehend inelastischen Festkörper. Beispielsweise kommt Glas zum Einsatz. In der Mineralogie kommt die Härteprüfung nach Mohs zum Einsatz. Die Härte für Glas beträgt je nach Glasart zwischen 6 und 7. Je größer der Mohs-Wert desto größer die Härte der Substanz. Talk hat den Mohs-Wert 1 Diamant hat den Mohs-Wert 10.
Da Härteangaben in Mohs und in Shore nicht exakt
unmittelbar miteinander verglichen werden können, kann man für den Vergleich der Härte von festen Stoffen auf den Vergleich der Elastizitätsmodule dieser festen Stoffe zurückgreifen. Je größer der Elastizitätsmodul einer Substanz ist, desto größer ist im Allgemeinen die Härte der Substanz. Der Elastizitätsmodul beschreibt den
Zusammenhang zwischen Spannung und Dehnung bei der
Verformung eines festen Körpers. Der Betrag des
Elastizitätsmoduls ist umso größer, je mehr Widerstand ein Material seiner Verformung entgegensetzt. Ein Bauteil aus einem Material mit hohem Elastizitätsmodul, z.B.
Glas, ist also steif, ein Bauteil aus einem Material mit niedrigem Elastizitätsmodul, z.B. Silikon, ist
nachgiebig. Die Einheit des Elastizitätsmoduls ist Newton pro Quadratmillimeter, N/mm2. Der Elastizitätsmodul von Silikon beträgt je nach Art des Silikons zwischen 10 N/mm2 und 100 N/mm2. Der Elastizitätsmodul von Glas beträgt je nach Art des Glases zwischen 50000 N/mm2 und 90000 N/mm2.
Als Substrat kann ein printed circuit board, eine
Metallkernplatine oder eine Keramik dienen. In einer bevorzugten Aus führungs form basiert der
Halbleiterchip auf einem III-V-
Verbindungshalbleitermaterial , insbesondere auf
Galliumnitrid (GaN) . Der Halbleiterchip weist mindestens eine aktive Zone auf, die elektromagnetische Strahlung emittiert. Die aktiven Zonen können pn-Übergänge, Doppelheterostruktur , Mehrfach-Quantentopfstruktur (MQW) , Einfach-Quantentopfstruktur (SQW) sein.
Quantentopfstruktur bedeutet: Quantentöpfe (3-dim),
Quantendrähte (2-dim) und Quantenpunkte (1-dim) . In einer bevorzugten Aus führungs form kann der
Halbleiterchip als Oberflächenemitter, insbesondere als sogenannter Dünnfilmchip, ausgebildet sein. Der
Dünnfilmchip ist beispielsweise aus der
Offenlegungsschrift WO2005081319A1 bekannt. In einer bevorzugten Aus führungs form ist eine Kavität in der lichtdurchlässigen Abdeckung ausgebildet. Der
Halbleiterchip erstreckt sich zumindest teilweise in die Kavität hinein. Dies ist besonders vorteilhaft, da dadurch der Halbleiterchip auch an den Seitenflächen, die senkrecht auf das Substrat stehen, zumindest teilweise geschützt ist.
In einer bevorzugten Aus führungs form ist die Kavität mit einem Gas, insbesondere einem inerten Gas, gefüllt. Es entfällt die Gefahr einer schädlichen Delamination zwischen einem Vergussmaterial in der Kavität und dem Halbleiterchip .
In einer bevorzugten Aus führungs form ist die Kavität mit einem Verbindungsmaterial als Klebstoff in Form einer Kavitätsdichtung auf dem Substrat befestigt. Dies ist besonders vorteilhaft, da der Klebstoff die Kavität fest mit dem Substrat verbindet und diese dicht abschließt. Als Verbindungsmaterial eignet sich Silikon, Epoxid oder Hybride. Als Hybride können Silikon-Epoxy oder Silikon- Polyester eingesetzt werden. In einer bevorzugten Aus führungs form ist zwischen der lichtdurchlässigen Abdeckung und dem Substrat ein
Verbindungsmaterial als Verguss derart angeordnet, dass die vom Substrat nicht bedeckten Flächen des
Halbleiterchips vom Verbindungsmaterial umgeben sind. Bildet die lichtdurchlässige Abdeckung eine Kavität, so erhöht sich zudem die mechanische Stabilität des
optoelektronischen Bauelements, da die Seitenwände der Kavität die Kavität auf dem Substrat abstützen. Weiter wird durch die Kavität der Bereich des
Verbindungsmaterials, der freiliegt, minimiert. Das optoelektronische Bauelement ist weniger anfällig für das Eindringen von Wasser oder Schadgase in das
Verbindungsmaterial . Vorzugsweise weist das Verbindungsmaterial Silikon auf. Silikon ist transparent und strahlungsstabil. Besonders bevorzugt weist das Verbindungsmaterial weiches Silikon auf. Weiches Silikon weist eine hohe
Temperaturstabilität, eine hohe Strahlungsstabilität und eine hohe Reißdehnung auf wodurch die Gefahr von
Rissbildung im Silikon minimiert wird.
Ein Verguss aus hartem Silikon (Shore-Wert größer 60) ohne eine lichtdurchlässige, harte Abdeckung würde zwar auch die Verarbeitbarkeit des optoelektronischen
Bauelements erleichtern. Jedoch neigt hartes Silikon zur Rissbildung, was das optoelektronische Bauelement
zerstören kann.
Auch gegenüber folgenden Bauformen ist ein
optoelektronisches Bauelement mit einer harten
lichtdurchlässigen Abdeckung vorteilhaft. Silikon aus dem Verguss des Halbleiterchips kann an seiner Oberfläche verglast werden. Dadurch entsteht zwar eine unklebrige Oberfläche. Jedoch ist die verglaste Schicht nur einige Nanometer dick und kann deshalb leicht brechen.
Alternativ kann der Halbleiterchip in Form eines
Untervergusses vergossen werden. Es entsteht ein Menisku mit dem Vorteil, dass kaum klebriges Silikon an der
Oberfläche vorhanden ist. Jedoch haften nach wie vor Partikel, insbesondere Staubpartikel, an der
Silikonoberfläche .
Wie schon oben beschrieben kann in einer bevorzugten Aus führungs form die lichtdurchlässige Abdeckung durch eine Glasabdeckung realisiert werden. Dies ist aus mehreren Gründen vorteilhaft.
Die Glasabdeckung ist hart.
Die Glasabdeckung ist für elektromagnetische Strahlung im sichtbaren Spektralbereich nahezu transparent . Bei einer Dicke des Glases von 100 μπι wird nur ein Anteil von etwa 0,5% des vom Halbleiterchip emittierten Lichts im Glas absorbiert. Da Glas strahlungsstabil ist, bleibt die hohe Transmissivität auch bei langem Betrieb des
optoelektronischen Bauelements erhalten.
Glas ist undurchlässig für Gase. Es kann also
insbesondere kein schädlicher Sauerstoff über die vom Glas bedeckte Fläche in die Kavität eindringen.
Glas ist chemisch inert.
Glas ist korrosions- und alterungsstabil. Glas weist einen geringen thermischen
Ausdehnungskoeffizienten auf, der vorzugsweise in der Größenordnung des Substrats, insbesondere des
Keramiksubstrats, liegt. Im Falle von Geräteglas liegt der thermische Ausdehnungskoeffizient bei 4,5 x 1CT6 K_1. Keramik kann einen mittleren Ausdehnungskoeffizient von etwa 6 x 1CT6 K_1 aufweisen. Die Ähnlichkeit des
thermischen Ausdehnungskoeffizienten der
lichtdurchlässigen Abdeckung und des Substrats ist vorteilhaft, da sich bei einer Temperaturänderung keine Krümmung des optoelektronischen Bauelements ergibt.
Gekrümmte Flächen wären nicht mehr verarbeitbar.
Insbesondere das Greifen des optoelektronischen
Bauelements mit einer Vakuumpipette würde nicht mehr funktionieren.
Glas haftet gut an dem Verbindungsmaterial Silikon. Dies ist besonders vorteilhaft, da dadurch die Einheit aus Kavität, Halbleiterchip und Substrat besonders stabil ausgestaltet ist. Glas ist unklebrig. Dies ist vorteilhaft, da keine
Verunreinigungen am Glas anhaften und benachbarte
optoelektronische Bauelemente nicht aneinander kleben bleiben .
Glas kann auf einfache Weise als ebene Struktur
ausgebildet werde. Dies ist vorteilhaft für das Bestücken mit optoelektronischen Bauelementen.
In einer bevorzugten Aus führungs form weist die
lichtdurchlässige Abdeckung eine Antireflexschicht auf. Die Antireflexschicht besteht aus einer Kombination von Schichten aus S1O2 und AI2O3. Die Schichten können mittels CVD oder PVD auf die lichtdurchlässige Abdeckung
aufgedampft werden. Die Antireflexschicht kann auf einer Seite der lichtdurchlässigen Abdeckung oder auf beiden Seiten der lichtdurchlässigen Abdeckung angebracht sein. Antireflexschichten sind besonders vorteilhaft, da sie den Anteil der in das optoelektronische Bauelement zurückreflektierten elektromagnetischen Strahlung
verringern .
In einer bevorzugten Aus führungs form kann die
lichtdurchlässige Abdeckung eine Dicke zwischen etwa 30 μπι und etwa 100 μπι aufweisen. Dies ist vorteilhaft, da dadurch die Abmessung des optoelektronischen Bauelements nur geringfügig vergrößert wird. Zudem ist die Dicke der Platte ausreichend, um die notwendige Stabilität und die Dichtheit gegenüber Sauerstoff zu gewährleisten.
In einer bevorzugten Aus führungs form kann ein abbildendes Element, insbesondere eine Linse, auf der vom Substrat abgewandten Fläche der lichtdurchlässigen Abdeckung angeordnet sein. Dies ist besonders vorteilhaft, da durch die Linse das aus dem Halbleiterchip emittierte Licht gesammelt werden kann. Die Linse kann einstückig und monolithisch mit der lichtdurchlässigen Abdeckung
ausgebildet sein.
In einer bevorzugten Aus führungs form kann eine
Konversionsschicht unmittelbar auf die vom Substrat abgewandte Fläche des Halbleiterchips aufgebracht sein. Die Konversionsschicht kann als konvertergefülltes
Silikonplättchen ausgebildet sein. Der Leuchtstoff kann in das Silikonplättchen eingebettet sein. Alternativ kann das Plättchen als gesintertes Keramikplättchen ausgebildet sein, bei dem der Leuchtstoff in das
Keramikplättchen eingebettet ist. Die Leuchtstoffteilchen weisen phosphoreszente Materialien auf. Die
phosphoreszenten Materialien können Yttrium Aluminium Granat oder Orthosilikate aufweisen. Der sogenannte
Layertransfer ist exemplarisch in WO2010017831
beschrieben. Diese sogenannte chipnahe Konversion ist vorteilhaft, da die Konversion der elektromagnetischen Strahlung in einer Fokus-Ebene mit dem Chip erfolgt. In einer bevorzugten Aus führungs form kann die Oberfläche der lichtdurchlässigen Abdeckung, insbesondere aus Glas, aufgeraut sein. Durch das Aufrauen wird der Anteil der an der Grenzfläche von Glas (Brechungsindex: 1,5) zu Luft (Brechungsindex: 1) total reflektierten Strahlung
reduziert. Die Folge der Aufrauung ist eine erhöhte
Auskoppeleffizienz. Alternativ zum Aufrauen kann eine Pyramidenstruktur auf der Oberfläche der
lichtdurchlässigen Abdeckung angeordnet sein.
Verschiedene Aus führungs formen weisen ein Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von optoelektronischen
Bauelementen auf. Zunächst wird eine lichtdurchlässige Abdeckung bereitgestellt. Anschließend wird
Verbindungsmaterial auf die lichtdurchlässige Abdeckung aufgebracht. Anschließend wird ein Substrat
bereitgestellt auf dem eine Vielzahl von Halbleiterchips angeordnet ist. Anschließend wird das Substrat mit der Vielzahl von Halbleiterchips mit der lichtdurchlässigen Abdeckung verbunden. Dabei weisen die Halbleiterchips zur lichtdurchlässigen Abdeckung. Anschließend wird das Verbindungsmaterial ausgehärtet. Dieses Verfahren ist vorteilhaft, da mit obigen Prozessschritten gleichzeitig eine Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen
hergestellt werden kann.
In einer bevorzugten Aus führungs form weist die
lichtdurchlässige Abdeckung an ihrem äußeren Rand eine umlaufende Vergussdichtung auf. Dies ist vorteilhaft, da die Vergussdichtung ein Auslaufen des
Verbindungsmaterials über den Rand der lichtdurchlässigen Abdeckung verhindert. Zudem dient die umlaufende
Vergussdichtung als ein Abstandshalter für die
lichtdurchlässige Abdeckung. Besonders vorteilhaft ist der Abstandshalter bei einer lichtdurchlässigen Abdeckung ohne Kavitäten. Dadurch wird gewährleistet, dass der Abstand von Substrat zu lichtdurchlässiger Abdeckung homogen ist. Zudem entfällt ohne Kavitäten das genaue Ausrichten des Substrats mit der Vielzahl an
Halbleiterchips .
In einer bevorzugten Aus führungs form weist die
lichtdurchlässige Abdeckung eine Vielzahl von Kavitäten mit dazwischen liegenden Stegen auf. Dies ist
vorteilhaft, da die Stege auf das Substrat aufsetzen und dadurch ein definierter Abstand zwischen
lichtdurchlässiger Abdeckung und Substrat erreicht wird. Zudem sind beim optionalen abschließenden
Verfahrensschritt des Vereinzeins der Bauelemente die Kavitäten vorteilhaft, da die harte lichtdurchlässige Abdeckung leichter zu sägen ist als die Kombination aus weichem Verbindungsmaterial und harter Abdeckung.
In einer bevorzugten Aus führungs form umfasst das
Aufbringen von Verbindungsmaterial auf die
lichtdurchlässige Abdeckung das Aufbringen von Verbindungsmaterial als Klebstoff auf die Stege zwischen den Kavitäten. Dies ist vorteilhaft für Anordnungen bei denen die Halbleiterchips gasdicht in den Kavitäten eingeschlossen werden sollen, ohne dass
Verbindungsmaterial in die Kavitäten eindringt. Als Klebstoff kann Silikon zum Einsatz kommen.
In einer bevorzugten Aus führungs form umfasst das
Aufbringen von Verbindungsmaterial auf die
lichtdurchlässige Abdeckung das Füllen der
lichtdurchlässigen Abdeckung mit Verbindungsmaterial als Vergussmaterial. Dies ist vorteilhaft, da eine hohe Stabilität der Anordnung aus Abdeckung und Substrat mit der Vielzahl von Halbleiterchips erreicht wird.
In einer bevorzugten Aus führungs form wird nach dem
Verbinden des Substrats mit der lichtdurchlässigen
Abdeckung und vor dem Aushärten des mit
Leuchtstoffpartikeln gefüllten Verbindungsmaterials die Einheit aus Substrat und lichtdurchlässige Abdeckung um eine Achse, die in der zwischen der lichtdurchlässigen Abdeckung und dem Substrat gebildeten Ebene liegt, um
180° gedreht. Diese Drehung ist vorteilhaft, da nach dem Drehen der Einheit und vor dem Aushärten des mit
Leuchtstoffpartikeln gefüllten Verbindungsmaterials die Leuchtstoffpartikel auf die Halbleiterchips sedimentiert werden können. Das Sedimentieren der Leuchtstoffpartikel erfolgt durch Einwirkung der Schwerkraft und/oder
Zentrifugalkraft auf die Leuchtstoffpartikel. Vor allem ist es wichtig, dass das Verbindungsmaterial vor dem Härten sehr niederviskos ist. Dadurch kann erreicht werden, dass die Leuchtstoffpartikel in dem
Verbindungsmaterial rasch sedimentieren. Das Sedimentieren der Leuchtstoffpartikel ist vorteilhaft, da dadurch die unerwünschte seitliche Emission von
Primärlicht, insbesondere von blauem Licht, aus den
Halbleiterchips reduziert wird.
In einer bevorzugten Aus führungs form wird vor dem
Bereitstellen des Substrats mit einer Vielzahl von
Halbleiterchips bereits eine Konversionsschicht
unmittelbar auf die vom Substrat abgewandte Fläche der Halbleiterchips aufgebracht.
In einer bevorzugten Aus führungs form werden nach dem Aushärten des Verbindungsmaterials die optoelektronischen Bauelemente vereinzelt. Dies kann durch Trennschleifen, Lasertrennen, Wasserstrahlschneiden oder Ritzen und
Brechen realisiert werden.
KU RZ E B E S C H R E I B U N G D E R ZE I C H N U N G E N
Verschiedene Ausführungsbeispiele werden im Folgenden anhand der Zeichnungen näher erläutert. Gleiche,
gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren
dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne
Elemente zur besseren Darstellbarkeit und zum besseren Verständnis übertrieben groß oder verkleinert dargestellt sein .
Figuren la, lb zeigen Ausführungsbeispiele eines
optoelektronischen Bauelements mit einer lichtdurchlässigen Abdeckung in Form einer ebenen Platte in Schnittansicht;
Figuren lc, ld zeigen Ausführungsbeispiele eines
optoelektronischen Bauelements mit einer lichtdurchlässigen Abdeckung und einer Linse in Schnittansieht ;
Figuren 2a bis 2j zeigen Ausführungsbeispiele eines
optoelektronischen Bauelements mit einer lichtdurchlässigen Abdeckung in Form einer Kavität in Schnittansicht;
Figur 3 zeigt ein Ablaufdiagramm zum gleichzeitigen
Herstellen einer Vielzahl von
optoelektronischen Bauelementen; Figuren 4a, 5a, 6a zeigen Ausführungsbeispiele von lichtdurchlässigen Abdeckungen in Draufsicht;
Figuren 4b, 5b, 5c, 6b zeigen Ausführungsbeispiele von lichtdurchlässigen Abdeckungen in
Schnittansicht;
Figuren 7a, 7b, 8 zeigen Ausführungsbeispiele von
lichtdurchlässigen Abdeckungen mit
aufgebrachtem Verbindungsmaterial in Schnittansieht ; Figuren 9a, 10a zeigen Ausführungsbeispiele eines
Substrats mit einer Vielzahl von
Halbleiterchips in Draufsicht;
Figuren 9b, 10b zeigen Ausführungsbeispiele eines
Substrats mit einer Vielzahl von
Halbleiterchips in Schnittansicht;
Figuren 11, 12, 13, 14 zeigen Ausführungsbeispiele der
Einheit aus Substrat mit einer Vielzahl von Halbleiterchips und lichtdurchlässiger
Abdeckung in Schnittansicht; Figur 15, 16 zeigen Ausführungsbeispiele einer Einheit aus Substrat mit einer Vielzahl von Halbleiterchips und lichtdurchlässiger
Abdeckung in gedrehter Position in
Schnittansicht . AU S F Ü H R U N G S B E I S P I E L E
Figur la zeigt ein Ausführungsbeispiel eines
optoelektronischen Bauelements 100 mit einer
lichtdurchlässigen Abdeckung 106 in Form einer ebenen Platte in Schnittansicht. Auf einem Substrat 102 ist ein Halbleiterchip 104 angeordnet. Die lichtdurchlässige Abdeckung 106 überdeckt die vom Substrat 102 abgewandte Fläche des Halbleiterchips 104. Zwischen Substrat 102 und lichtdurchlässiger Platte 106 ist ein Verbindungsmaterial 110 als Verguss 113 angeordnet. Das Verbindungsmaterial
110 verbindet die lichtdurchlässige Abdeckung 106 mit dem Substrat 102 und schützt den vergossenen Halbleiterchip 104. Die vom Substrat 102 nicht bedeckten Flächen des Halbleiterchips 104 sind vom Verbindungsmaterial 110 umgeben. Das Verbindungsmaterial 110 weist Silikon auf. Die lichtdurchlässige Abdeckung 106 weist eine größere Härte als Silikon auf. Die lichtdurchlässige Abdeckung 106 kann eine Glasabdeckung sein. Die lichtdurchlässige Abdeckung 106 kann eine Dicke zwischen etwa 30 μπι und etwa 100 μπι aufweisen. Das Kontaktpad 132 des
Halbleiterchips 104 wird über einen Bonddraht 134 mit einem Bondpad 130 auf dem Substrat 102 kontaktiert. Zudem ist der Halbleiterchip 104 über die Halbleiterchip- Kontaktschicht 136 elektrisch und mechanisch mit dem Substrat verbunden. Der Halbleiterchip 104 ist als
Oberflächenemitter ausgebildet. Der Halbleiterchip 104 kann ein GaN-Verbindungshalbleiter sein. Umgebungsluft
111 umgibt das optoelektronische Bauelement 100. Figur lb zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 100 mit einer
lichtdurchlässigen Abdeckung 106 in Form einer ebenen Platte in Schnittansicht. Es ist eine Flipchip-Anordnung gezeigt. Bei einer Flipchip-Anordnung ist die
Abstrahlungsfläche des Halbleiterchips 104 kontaktfrei. Die Abstrahlungsfläche ist die Grenzfläche, die zur lichtdurchlässigen Abdeckung 106 zeigt. Beide
Flipchipkontakte 138 des Halbleiterchips 104 sind auf der Seite des Halbleiterchips 104 realisiert, die zum
Substrat 102 weist. Deshalb werden durch die Flipchip- Technik Verluste durch Abschattung vermieden. Auf dem Substrat 102 sind für die elektrische Anbindung des
Halbleiterchips 104 Flipchipkontaktschichten 140
vorgesehen. Die mechanische Anbindung des Halbleiterchips 104 an das Substrat 102 wird durch
Flipchipkontaktmaterial 142 realisiert.
Aus Gründen der Übersichtlichkeit sind in allen folgenden Figuren die elektrischen Kontakte und der Bonddraht weggelassen.
Figur lc zeigt ein Ausführungsbeispiel eines
optoelektronischen Bauelements 100 mit einer
lichtdurchlässigen Abdeckung 106 und einem abbildenden Element 116 in Schnittansicht. Auf der lichtdurchlässigen Abdeckung 106 aus Glas ist ein abbildendes Element 116, insbesondere eine Linse aus Glas, angeordnet. Die Linse 116 ist auf der vom Substrat 102 abgewandten Fläche der lichtdurchlässigen Abdeckung 106 angeordnet. Die Linse 116 ist plankonvex, also nach außen gekrümmt. Die Linse 116 kann einstückig und monolithisch mit der
lichtdurchlässigen Abdeckung 106 ausgebildet sein. Der Halbleiterchip 104 ist in Verbindungsmaterial 110 eingegossen. Der Brechungsindex von Glas liegt bei etwa 1,5. Das Verbindungsmaterial 110 kann Silikon mit einem Brechungsindex zwischen 1,4 und 1,6 sein.
Elektromagnetische Strahlung, die von dem Halbleiterchip 104 emittiert wird, wird wegen des ähnlichen
Brechungsindex von Silikon und Glas beim Übergang vom Verbindungsmaterial 110 Silikon zur lichtdurchlässigen Abdeckung 106 aus Glas kaum gebrochen und deshalb auch kaum in Ihrer Richtung verändert. Erst beim Übergang der elektromagnetischen Strahlung von der gekrümmten
Oberfläche der Linse 116 in die Umgebungsluft 111 mit Brechungsindex 1 erfolgt eine Brechung mit einer
signifikanten Richtungsänderung. Diese Wirkung auf den Strahlengang ist sehr vorteilhaft. Wegen der nach außen gekrümmten Oberfläche der Linse 116 muss beim
Bestückungsvorgang das optoelektronische Bauelement 100 seitlich gegriffen werden.
Figur ld zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 100 mit einer
lichtdurchlässigen Abdeckung 106 und einer Linse 116 in Schnittansicht. Die gezeigte Linse 116 ist plankonvex. Die gekrümmte Linsenfläche grenzt an das
Verbindungsmaterial 110 aus Silikon. Wegen der
Ähnlichkeit der Brechungsindices von Silikon und Glas ist die brechende Wirkung auf die elektromagnetische
Strahlung beim Übergang vom Verbindungsmaterial 110 zur Glaslinse 116 jedoch minimal. Vorteilhaft ist jedoch die plane Oberfläche beim Übergang der lichtdurchlässigen Abdeckung 106 zur Umgebungsluft 111. Die plane Oberfläche ermöglicht ein einfaches Greifen des optoelektronischen Bauelements 100 beim Bestücken.
Figur 2a zeigt ein Ausführungsbeispiel eines
optoelektronischen Bauelements 100 mit einer
lichtdurchlässigen Abdeckung 106 in Form einer Kavität 108 in Schnittansicht. Der Halbleiterchip 104 erstreckt sich zumindest teilweise in die Kavität 108. Der Raum zwischen der lichtdurchlässigen Abdeckung 106 und dem Substrat 102 ist mit dem Verbindungsmaterial 110 Silikon vergossen. Die lichtdurchlässige Abdeckung 106 sitzt auf dem Substrat 102 auf. Zwischen der Abdeckung 106 und dem Substrat 102 ist eine Kavitätsdichtung 112 aus klarem Silikon angeordnet. Die Kavitätsdichtung 112 verhindert, dass Schadgase in die Kavität eindringen. Die
Kavitätsdichtung 112 aus klarem Silikon weist eine Dicke zwischen 3 μπι und 10 μπι auf. Wegen dieses kleinen
Abstandes von lichtdurchlässiger Abdeckung 106 zu
Substrat 102 sind möglichst ähnliche thermische
Ausdehnungskoeffizienten beider Materialien wichtig.
Deshalb eignen sich Glas als Abdeckung 106 und Keramik als Substrat 102 besonders gut.
Figur 2b zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 100 mit einer
lichtdurchlässigen Abdeckung 106 in Form einer Kavität 108 in Schnittansicht. Zusätzlich zum Ausführungsbeispiel von Figur 2a ist eine Konversionsschicht 118 unmittelbar auf die vom Substrat 102 abgewandte Fläche des
Halbleiterchips 104 aufgebracht. Die Leuchtstoffpartikel in der Konversionsschicht 118 wandeln kurzwelliges
Primärlicht in längerwelliges Sekundärlicht. Das
Verbindungsmaterial 110 ist wie schon in Figur 2a klares Silikon. Zusätzlich zum Ausführungsbeispiel von Figur 2a ist auf der lichtdurchlässigen Abdeckung 106 eine
Antireflexschicht 114 aufgebracht.
Figur 2c zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 100 mit einer
lichtdurchlässigen Abdeckung 106 in Form einer Kavität 108 in Schnittansicht. Das Verbindungsmaterial 110 als Verguss 113 weist Silikon mit darin näherungsweise homogen verteilten Leuchtstoffpartikeln 124 auf. Die Dicke der Kavitätsdichtung 112 beträgt zwischen 30 μπι und 50 μπι und ist durch die Größe der Leuchtstoffpartikel 124 begrenzt. Im Übrigen entspricht das Ausführungsbeispiel in Figur 2c dem Ausführungsbeispiel in Figur 2a.
Figur 2d zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 100 mit einer
lichtdurchlässigen Abdeckung 106 in Form einer Kavität 108 in Schnittansicht. Die Leuchtstoffpartikel 124 sind auf der vom Substrat 102 abgewandten Fläche des
Halbleiterchips 104 sedimentiert . Dadurch kann die in den Leuchtstoffpartikeln 124 entstehende Wärme besonders gut an den Halbleiterchip 104 abgegeben werden. Die Dicke der Kavitätsdichtung 112 ist wie schon in Figur 2c durch die Größe der Leuchtstoffpartikel 124 begrenzt.
Figur 2e zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 100 mit einer
lichtdurchlässigen Abdeckung 106 in Form einer Kavität 108 in Schnittansicht. Die Kavität ist mit einem Gas 115, insbesondere einem inerten Gas, gefüllt. Die
Kavitätsdichtung 112 aus Silikon schließt die Kavität 108 gasdicht ab. Figur 2f zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 100 mit einer
lichtdurchlässigen Abdeckung 106 in Form einer Kavität 108 in Schnittansicht. Zusätzlich zum Ausführungsbeispiel in Figur 2e sind in Figur 2f zu beiden Seiten der
lichtdurchlässigen Abdeckung 106 Antireflexschichten 114 aufgebracht. Das beidseitige Beschichten ist vorteilhaft, da dadurch die Auskoppeleffizienz gegenüber einer nur einseitigen Beschichtung erhöht wird. Vom Halbleiterchip 104 emittierte elektromagnetische Strahlung durchquert das Gas 115, die innere Antireflexschicht 114, die lichtdurchlässige Abdeckung 106 und die äußere
Antireflexschicht 114. Anschließend tritt die
elektromagnetische Strahlung in die Umgebungsluft 111 aus .
Figur 2g zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 100 mit einer
lichtdurchlässigen Abdeckung 106 in Form einer Kavität 108 in Schnittansicht. Die Kavität 108 ist mit dem
Verbindungsmaterial 110 Silikon als Vergussmaterial 113 gefüllt. Das Verbindungsmaterial 110 dient auch als
Klebstoff 112 zwischen lichtdurchlässiger Abdeckung 106 und Substrat 102. Dabei wird die Kavitätsdichtung 112 gebildet. Bestandteil der lichtdurchlässigen Abdeckung 106 ist eine nach außen gekrümmte plankonvexe Linse 116. Beim Übergang der elektromagnetischen Strahlung von der gekrümmten Oberfläche der Glaslinse 116 zur Umgebungsluft 111 wird der Lichtstrahl gebrochen. Der Strahlengang kann durch Wahl des Krümmungsradius der Linse 116 nach Wunsch beeinflusst werden. Figur 2h zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 100 mit einer
lichtdurchlässigen Abdeckung 106 in Form einer Kavität 108 in Schnittansicht. Die Linse 116 erstreckt sich in die Kavität 108. Die gekrümmte Oberfläche der
plankonvexen Linse 116 trennt Verbindungsmaterial 110 Silikon vom Linsenmaterial Glas. Wegen der Ähnlichkeit der Brechungsindizes von Silikon und Glas wird der
Strahlengang bei der Brechung kaum beeinflusst.
Vorteilhafterweise schließt das Bauelement 100 mit einer planen Oberfläche nach außen ab. Dies erleichtert das Greifen beim Bestückvorgang, z.B. durch eine
Vakuumpipette .
Figur 2i zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 100 mit einer
lichtdurchlässigen Abdeckung 106 in Form einer Kavität 108 in Schnittansicht. Die plankonvexe Linse 116 ist nach außen gekrümmt. Die Kavität ist mit einem inerten Gas 115 gefüllt und durch die Kavitätsdichtungen 112 nach außen zur Umgebungsluft 111 gasdicht abgeschlossen. Beim
Übergang der elektromagnetischen Strahlung von der
Oberfläche der gekrümmten Glaslinse 116 zur Umgebungsluft 111 wird das Licht gebrochen und der Strahlengang
verändert . Figur 2j zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 100 mit einer
lichtdurchlässigen Abdeckung 106 in Form einer Kavität 108 in Schnittansicht. Die Linse 116 ist nach innen zur Kavität 108 gekrümmt. Ansonsten entspricht die Anordnung der von Figur 2i. Besonders vorteilhaft ist, dass die elektromagnetische Strahlung beim Übergang vom Gas (Brechungsindex 1) 115 in der Kavität in die Linse 116 aus Glas (Brechungsindex 1,5) an der gekrümmten
Oberfläche der Linse 116 gebrochen wird und gleichzeitig das optoelektronische Bauelement 100 nach außen hin durch eine plane Oberfläche abgeschlossen wird. Mit der
Anordnung aus Figur 2j kann also sowohl der Strahlengang eingestellt werden als auch eine einfaches Handling bei der Bestückung erreicht werden.
Figur 3 zeigt ein Ablaufdiagramm zum gleichzeitigen
Herstellen einer Vielzahl von optoelektronischen
Bauelementen .
Im Schritt Sl wird eine lichtdurchlässige Abdeckung 106 bereitgestellt. Es gibt mehrere Varianten der
lichtdurchlässigen Abdeckung 106 die auch untereinander kombinierbar sind.
In der Variante S1A wird eine plane lichtdurchlässige Abdeckung 106 bereitgestellt bei der an ihrem äußeren Rand eine umlaufende Vergussdichtung 120 vorgesehen ist. Figur 4a zeigt eine Draufsicht auf diese
lichtdurchlässige Abdeckung 106. Figur 4b zeigt eine Schnittansicht durch diese lichtdurchlässige Abdeckung 106. Die umlaufende Vergussdichtung 120 weist einen
Kleberfilm aus weichem Silikon auf.
In der Variante S1B wird eine lichtdurchlässige Abdeckung 106 mit Kavitäten 108 und einer umlaufenden
Vergussdichtung 120 bereitgestellt. Figur 5a zeigt eine Draufsicht auf diese lichtdurchlässige Abdeckung 106. Zwischen den Kavitäten 108 sind Stege 122 angeordnet. Die Kavitäten 108 können durch einen Ätzschritt an einer ursprünglich planen, lichtdurchlässigen Abdeckung 106 homogener Dicke erzeugt werden. Figuren 5b und 5c zeigen Schnittansichten durch diese lichtdurchlässige Abdeckung 106. Figur 5b zeigt eine lichtdurchlässige Abdeckung 106 wobei auf einer Seite Kavitäten 108 in das Glasabdeckung 106 eingebracht sind und die andere Seite plan ist. Figur 5c zeigt eine lichtdurchlässige Abdeckung 106 wobei auf einer Seite Kavitäten 108 in die Glasabdeckung 106 eingebracht sind und auf der anderen Seite Linsen 116 über den Kavitäten 108 ausgebildet sind. Auch die Linsen 116 können durch einen Ätzschritt aus einer ursprünglich planen, lichtdurchlässigen Abdeckung 106 homogener Dicke erzeugt werden.
In der Variante SIC wird eine lichtdurchlässige Abdeckung 106 mit Kavitäten 108 bereitgestellt. Zwischen den
Kavitäten 108 sind Stege 122 angeordnet. Es ist keine Vergussdichtung 120 vorgesehen. Figur 6a zeigt eine
Draufsicht auf diese lichtdurchlässige Abdeckung 106. Figur 6b zeigt eine Schnittansicht durch diese
lichtdurchlässige Abdeckung 106. Im Schritt S2 wird ein Verbindungsmaterial 110 auf die lichtdurchlässige Abdeckung 106 aufgebracht. Es gibt mehrere Varianten des Aufbringens des
Verbindungsmaterials 110 auf die lichtdurchlässige
Abdeckung 106, die auch untereinander kombinierbar sind. In der Variante S2A wird die lichtdurchlässigen Abdeckung 106 mit Verbindungsmaterial 110 als Vergussmaterial 113 gefüllt. Die Vergussdichtung 120 verhindert ein Auslaufen des Vergussmaterials 110 Silikon über den Rand der lichtdurchlässigen Abdeckung 106 hinaus. In der
Untervariante 7a wird als Verbindungsmaterial 110 klares Silikon verwendet. Figur 7a zeigt eine Schnittansicht der mit klarem Silikon gefüllten lichtdurchlässigen Abdeckung 106, die keine Kavitäten 108 aufweist. In der
Untervariante 7b wird als Verbindungsmaterial 110 das Vergussmaterial 113 Silikon verwendet, das mit
Leuchtstoffpartikel 124 gefüllt ist. Figur 7b zeigt eine Schnittansicht der mit Silikon gefüllten
lichtdurchlässigen Abdeckung 106, die Kavitäten 108 aufweist. Im Silikon sind Leuchtstoffpartikel 124
verteilt.
In der Variante S2B wird das Verbindungsmaterial 110 als Kavitätsdichtung 112 in Form eines Klebstoffes auf die Stege 122 zwischen den Kavitäten 108 aufgebracht. Zudem wird auch Klebstoff 112 an den Rändern der
lichtdurchlässigen Abdeckung 106 aufgebracht. Als
Klebstoff 112 eignen sich Silikone, Epoxid oder Hybride. Als Hybride können Silikon-Epoxy oder Silikon-Polyester eingesetzt werden. Der Klebstoff 112 muss nicht
strahlungsstabil sein, weshalb die Verwendung von
billigem Epoxid ausreicht. Der Klebstoff 112 kann
aufgerakelt werden. Figur 8 zeigt eine Schnittansicht der mit Klebstoff 112 versehenen lichtdurchlässigen Abdeckung 106.
Im Schritt S3 wird ein Substrat 102 bereitgestellt auf dem eine Vielzahl von Halbleiterchips 104 angeordnet ist. Es gibt mehrere Varianten für das Bereitstellen des
Substrats 102 mit der Vielzahl von Halbleiterchips 104.
In der Variante S3A wird ein Substrat 102 bereitgestellt auf dem die Vielzahl von Halbleiterchips 104 regelmäßig angeordnet ist. Figur 9a zeigt eine Draufsicht auf das Substrat 102 mit den Halbleiterchips 104. Figur 9b zeigt eine Schnittansicht des Substrats 102 mit den
Halbleiterchips 104.
In der Variante S3B wird ein Substrat 102 bereitgestellt auf dem die Vielzahl von Halbleiterchips 104 regelmäßig angeordnet ist. Im Gegensatz zur Variante S3A ist
unmittelbar auf der vom Substrat 102 abgewandten Fläche der Halbleiterchips 104 eine Konversionsschicht 118 aufgebracht. Figur 10a zeigt eine Draufsicht auf das Substrat 102 mit den Halbleiterchips 104, die jeweils von der Konversionsschicht 118 bedeckt sind. Figur 10b zeigt eine Schnittansicht des Substrats 102 mit den
Halbleiterchips 104, die jeweils von der
Konversionsschicht 118 bedeckt sind. Die
Konversionsschicht 118 kann in Form eines
konvertergefüllten Plättchens oder durch Siebdrucken auf die Halbleiterchips 104 aufgebracht werden.
Im Schritt S4 wird das Substrat 102 mit der Vielzahl von Halbleiterchips 104 mit der lichtdurchlässigen Abdeckung 106 verbunden. Hierbei weisen die Halbleiterchips 104 zur lichtdurchlässigen Abdeckung 106. Es gibt mehrere
Varianten für das Verbinden von Substrat 102 mit
lichtdurchlässiger Abdeckung 106.
In der Variante S4A wird das Substrat 102 mit den
Halbleiterchips 104 auf die lichtdurchlässige Abdeckung 106 aufgesetzt. Die Fläche der lichtdurchlässigen
Abdeckung 106, die zum Substrat 102 zeigt, ist plan, weist also insbesondere keine Kavitäten 108 auf. Dies ist vorteilhaft, da das Ausrichten des Substrats 102 mit den darauf angeordneten Halbleiterchips 104 entfällt. Die lichtdurchlässige Abdeckung 106 ist mit einem Verguss 113 aus klarem Silikon als Verbindungsmaterial 110 gefüllt. Eine Vergussdichtung 120 verhindert ein seitliches
Auslaufen des Silikons. Die Vergussdichtung 120 dient zudem als Abstandshalter, wodurch gewährleistet ist, dass die lichtdurchlässige Abdeckung 106 parallel zum Substrat 102 angeordnet wird. Figur 11 zeigt eine Schnittansicht der Einheit aus Substrat 102 mit den Halbleiterchips 104 und der lichtdurchlässigen Abdeckung 106. Die
Halbleiterchips 4 sind in das flüssige
Verbindungsmaterial 110 als Verguss 113 eingetaucht.
In der Variante S4B wird ein Substrat 102 mit der
Vielzahl an regelmäßig angeordneten Halbleiterchips 104 auf eine lichtdurchlässige Abdeckung 106 mit einer
Vielzahl an regelmäßig angeordneten Kavitäten 108 aufgesetzt. Die Kavitäten sind mit klarem Silikon als Vergussmaterial 113 gefüllt. Substrat 102 und
lichtdurchlässige Abdeckung 106 müssen so zueinander ausgerichtet werden, dass die Halbleiterchips 104 in die Kavitäten 108 ragen ohne die Seitenwände der Kavitäten 108 zu berühren. Bei einer lichtdurchlässigen Abdeckung 106 mit Kavitäten 108 kann auf die Vergussdichtung 120 aus Variante S4A verzichtet werden. Figur 12 zeigt eine Schnittansicht der Einheit aus Substrat 102 mit den
Halbleiterchips 104 und der lichtdurchlässigen Abdeckung 106. Die Kavitäten 108 sind durch Stege 122 von einander getrennt. Die Stege 122 dienen auch als Abstandshalter zwischen Substrat 102 und lichtdurchlässiger Abdeckung 106. Das flüssige Verbindungsmaterial 110 dient als
Verguss 113 und auch als Kavitätsdichtung 112. In der Variante S4C wird ein Substrat 102 mit der
Vielzahl an regelmäßig angeordneten Halbleiterchips 104 auf eine lichtdurchlässige Abdeckung 106 mit einer
Vielzahl an regelmäßig angeordneten Kavitäten 108
aufgesetzt. Das Verbindungsmaterial 110 Silikon oder Epoxid ist als Klebstoff 112 nur auf die Stege 122 und den umlaufenden Rand der lichtdurchlässigen Abdeckung 106 aufgebracht. Die Kavitäten 108 bleiben frei von
Verbindungsmaterial 110. Es bilden sich
Kavitätsdichtungen 112 aus, die die Kavitäten 108
gasdicht abschließen. Das Verbinden von Substrat 102 und lichtdurchlässiger Abdeckung 106 kann unter Vakuum oder in einer Schutzgasatmosphäre erfolgen. Figur 13 zeigt eine Schnittansicht der Einheit aus Substrat 102 mit den Halbleiterchips 104 und der lichtdurchlässigen Abdeckung 106. Die Kavitäten 108 sind durch Stege 122 von einander getrennt .
In der Variante S4D wird ein Substrat 102 mit der
Vielzahl an regelmäßig angeordneten Halbleiterchips 104 auf eine lichtdurchlässige Abdeckung 106 mit einer
Vielzahl an regelmäßig angeordneten Kavitäten 108
aufgesetzt. Die Kavitäten 108 sind mit einem
Verbindungsmaterial 110 als Vergussmaterial 113 gefüllt. Das Verbindungsmaterial 110 weist Silikon auf, das mit Leuchtstoffpartikel 124 gefüllt ist. Die
Leuchtstoffpartikel 124 können homogen im Silikon
verteilt sein. Figur 14 zeigt eine Schnittansicht der Einheit aus Substrat 102 mit den Halbleiterchips 104 und der lichtdurchlässigen Abdeckung 106. Die Kavitäten 108 sind durch Stege 122 von einander getrennt. Die Kavitäten 108 sind mit Silikon gefüllt, in das Leuchtstoffpartikel 124 eingebracht sind. Zudem sind Kavitätsdichtungen 112 ausgebildet .
Optional kann an Verfahrensschritt S4D ein
Verfahrensschritt S5 anschließen. Im Schritt S5 wird eine Schicht aus Leuchtstoffpartikel 124 auf die Flächen der Halbleiterchips 104 sedimentiert , die vom Substrat 102 weg weisen. Der Verfahrensschritt S5 gliedert sich in zwei Teilschritte S5.1 und S5.2, die unmittelbar
aufeinander folgen. Im Teilschritt S5.1 wird unmittelbar nach dem Verbinden von Substrat 102 und
lichtdurchlässiger Abdeckung 106 die Einheit aus Substrat 102 und lichtdurchlässiger Abdeckung 106 um eine Achse, die in der zwischen der lichtdurchlässigen Abdeckung 106 und dem Substrat 102 gebildeten Ebene liegt, um 180° gedreht. Figur 15 zeigt eine Schnittansicht der Einheit aus Substrat 102 mit den Halbleiterchips 104 und der lichtdurchlässigen Abdeckung 106. Die Kavitäten 108 sind vollständig mit Silikon als Vergussmaterial 113 gefüllt, in dem Leuchtstoffpartikel 124 homogen verteilt sind. Im Teilschritt S5.2 werden die Leuchtstoffpartikel 124 sedimentiert. Dies kann durch den Einfluss der
Schwerkraft und/oder einer Zentrifugalkraft auf die
Leuchtstoffpartikel 124 im flüssigen Verbindungsmaterial 110 Silikon erfolgen. Figur 16 zeigt eine Schnittansicht der Einheit aus Substrat 102 mit den Halbleiterchips 104 und der lichtdurchlässigen Abdeckung 106. Die Kavitäten 108 sind vollständig mit klarem Silikon als
Vergussmaterial 113 gefüllt. In unmittelbarem Kontakt zu der Fläche der Halbleiterchips 104 die von dem Substrat 102 weg weist ist eine sedimentierte Schicht aus
Leuchtstoffpartikel 124 angeordnet. Durch das bündige Abschließen der sedimentierten Konversionsschicht mit dem Halbleiterchip kann die unerwünschte seitliche Emission von Primärlicht, insbesondere blauem Licht, aus dem optoelektronischen Bauelement verhindert werden. An den Schritt S4 bzw. an den Schritt S5 schließt ein Schritt S6 an. Im Schritt S6 wird das flüssige
Verbindungsmaterial 110 ausgehärtet. Das Aushärten erfolgt im Falle von Silikon als Verbindungsmaterial 110 bei etwa 150°C während einer Dauer von etwa 1 h. Durch das Aushärten wird erreicht, dass Substrat 102 und lichtdurchlässige Abdeckung 106 fest miteinander
verbunden werden.
In einem optionalen Schritt S7 werden die
optoelektronischen Bauelemente 100 vereinzelt. Das
Vereinzeln kann durch Trennschleifen, Lasertrennen,
Wasserstrahlschneiden oder Ritzen und Brechen erfolgen. Bei lichtdurchlässigen Abdeckungen 106 mit Kavitäten 108 wird die ausgehärtete Einheit aus Substrat 102 und lichtdurchlässiger Abdeckung 106 mittig durch die Stege 122 zersägt. Dadurch entstehen optoelektronische
Bauelemente 100 die eine Kavität 108 aufweisen, deren Seitenwände senkrecht auf das Substrat 102 stehen.
Ausführungsbeispiele für die dabei entstandenen
optoelektronischen Bauelemente 100 sind in den Figuren 2a bis 2j dargestellt.
Bei lichtdurchlässigen Abdeckungen 106 ohne Kavitäten 108 sind geringere Anforderungen an die Genauigkeit des
Vereinzeins gestellt. Es muss nur gewährleistet sein, dass die Halbleiterchips 104 beim Vereinzeln nicht beschädigt werden. Ausführungsbeispiele für die dabei entstandenen optoelektronischen Bauelemente 100 sind in den Figuren la bis ld dargestellt.
Bezugs zeichenliste
100 optoelektronisches Bauelement
102 Substrat
104 Halbleiterchip 106 lichtdurchlässige Abdeckung
108 Kavität
110 Verbindungsmaterial
111 Umgebungsluft
112 Kavitätsdichtung / Klebstoff aus
Verbindungsmaterial 110
113 Verguss aus Verbindungsmaterial 110
114 Antireflexschicht
115 Gas in der Kavität
116 abbildendes Element, insbesondere Linse 118 Konversionsschicht
120 Vergussdichtung
122 Stege
124 Leuchtstoffpartikel
130 Bondpad (auf Substrat) 132 Kontaktpad (auf Halbleiterchip)
134 Bonddraht 136 Halbleiterchip-KontaktSchicht 138 Flipchipkontakte
140 Flipchipkontaktschichten 142 Flipchipkontaktmaterial

Claims

PAT E N TAN S P R Ü C H E
1. Optoelektronisches Bauelement (100) mit:
- einem Substrat (102),
- einem auf dem Substrat (102) angeordneten
Halbleiterchip (104) und
- einer lichtdurchlässigen Abdeckung (106),
wobei die lichtdurchlässige Abdeckung (106) zumindest die vom Substrat (102) abgewandte Fläche des
Halbleiterchips (104) überdeckt und
wobei die lichtdurchlässige Abdeckung (106) eine größere Härte als Silikon aufweist.
2. Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 1, wobei eine Kavität (108) in der lichtdurchlässigen Abdeckung (106) ausgebildet ist. 3. Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 2, wobei sich der Halbleiterchip (104) zumindest
teilweise in die Kavität (108) erstreckt.
4. Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 2 oder
3. wobei die Kavität (108) mit einem Gas (115), insbesondere Luft, gefüllt ist.
5. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei die Kavität (108) mit einem Verbindungsmaterial (110) als Klebstoff in Form einer Kavitätsdichtung (112) auf dem Substrat (102)
befestigt ist.
6. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorigen Ansprüche, wobei zwischen der lichtdurchlässigen Abdeckung (106) und dem Substrat (102) ein Verbindungsmaterial (110) als Verguss (113) derart angeordnet ist, dass die vom Substrat (102) nicht bedeckten Flächen des Halbleiterchips (104) vom Verbindungsmaterial (110; 113) umgeben sind.
7. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorigen Ansprüche, wobei das Verbindungsmaterial (110; 112; 113) Silikon aufweist.
8. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorigen Ansprüche, wobei die lichtdurchlässige
Abdeckung (106) eine Glasabdeckung ist.
9. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorigen Ansprüche, wobei die lichtdurchlässige
Abdeckung (106) eine Antireflexschicht (114) aufweist.
10. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorigen Ansprüche, wobei die lichtdurchlässige
Abdeckung (106) eine Dicke zwischen etwa 30 μπι und etwa 100 μπι aufweist.
11. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorigen Ansprüche, wobei ein abbildendes Element
(116), insbesondere eine Linse, auf der vom Substrat (102) abgewandten Fläche der lichtdurchlässigen
Abdeckung (106) angeordnet ist.
12. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorigen Ansprüche, wobei eine Konversionsschicht (118) unmittelbar auf die vom Substrat (102) abgewandte Fläche des Halbleiterchips (104) aufgebracht ist.
13. Verfahren zum Herstellen eines
optoelektronischen Bauelements (100) mit den folgenden Schritten :
- Bereitstellen einer lichtdurchlässigen Abdeckung (106) ;
- Aufbringen von Verbindungsmaterial (110; 112; 113) auf die lichtdurchlässige Abdeckung (106) ;
- Bereitstellen eines Substrats (102) auf dem eine Vielzahl von Halbleiterchips (104) angeordnet sind; - Verbinden des Substrats (102) mit der Vielzahl von
Halbleiterchips (104) mit der lichtdurchlässigen
Abdeckung (106), wobei die Halbleiterchips (104) zur lichtdurchlässigen Abdeckung (106) weisen;
- Aushärten des Verbindungsmaterials (110; 112; 113) . 14. Verfahren gemäß Patentanspruch 13, wobei die lichtdurchlässige Abdeckung (106) an ihrem äußeren Rand eine umlaufende Vergussdichtung (120) aufweist.
15. Verfahren gemäß einem der Patentansprüche 13 oder 14, wobei die lichtdurchlässige Abdeckung (106) eine Vielzahl von Kavitäten (108) mit dazwischen liegenden Stegen (122) aufweist.
16. Verfahren gemäß einem der Patentansprüche 13 bis 15, wobei das Aufbringen von Verbindungsmaterial (110; 112) auf die lichtdurchlässige Abdeckung (106) das Aufbringen von Verbindungsmaterial (110; 112) als
Klebstoff (112) auf die Stege (122) zwischen den
Kavitäten (108) umfasst.
17. Verfahren gemäß einem der Patentansprüche 13 bis 16, wobei das Aufbringen von Verbindungsmaterial (HO; 113) auf die lichtdurchlässige Abdeckung (106) das Füllen der lichtdurchlässigen Abdeckung (106) mit Verbindungsmaterial (110; 113) als Verguss (133) umfasst .
18. Verfahren gemäß einem der Patentansprüche 13 bis 17, wobei nach dem Verbinden des Substrats (102) mit der lichtdurchlässigen Abdeckung (106) und vor dem Aushärten des mit Leuchtstoffpartikeln (124) gefüllten Verbindungsmaterials (110; 113) als Verguss (113) die Einheit aus Substrat (102) und lichtdurchlässige
Abdeckung (106) um eine Achse, die in der zwischen der lichtdurchlässigen Abdeckung (106) und dem Substrat (102) gebildeten Ebene liegt, um 180° gedreht wird.
19. Verfahren gemäß Patentanspruch 18, wobei nach dem Drehen der Einheit aus Substrat (102) und
lichtdurchlässiger Abdeckung (106) und vor dem
Aushärten des mit Leuchtstoffpartikeln (124) gefüllten Verbindungsmaterials (110; 113) als Verguss (113) die Leuchtstoffpartikel (122) sedimentiert werden.
20. Verfahren gemäß einem der Patentansprüche 13 bis 19, wobei beim Bereitstellen des Substrats (102) mit einer Vielzahl von Halbleiterchips (104) bereits eine Konversionsschicht (118) unmittelbar auf die vom Substrat (102) abgewandte Fläche der Halbleiterchips (104) aufgebracht wird. 21. Verfahren gemäß einem der Patentansprüche 13 bis 20, wobei nach dem Aushärten des
Verbindungsmaterials (110; 112; 113) die
optoelektronischen Bauelemente (100) vereinzelt werden .
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DE102011003969.4A DE102011003969B4 (de) 2011-02-11 2011-02-11 Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

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DE (1) DE102011003969B4 (de)
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015142478A1 (en) * 2014-03-18 2015-09-24 GE Lighting Solutions, LLC Heavily phosphor loaded led package
US9590148B2 (en) 2014-03-18 2017-03-07 GE Lighting Solutions, LLC Encapsulant modification in heavily phosphor loaded LED packages for improved stability
WO2017055401A1 (de) * 2015-09-30 2017-04-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement mit einem licht emittierenden halbleiterchip

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012200327B4 (de) * 2012-01-11 2022-01-05 Osram Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102014217986A1 (de) * 2014-03-27 2015-10-01 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED Modul mit integrierter Sekundäroptik
TWI621810B (zh) * 2015-08-25 2018-04-21 鴻海精密工業股份有限公司 透鏡及具有該透鏡的發光裝置
DE102016113487A1 (de) * 2016-07-21 2018-01-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauteil
DE102017105235B4 (de) * 2017-03-13 2022-06-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bauelement mit Verstärkungsschicht und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
WO2019043844A1 (ja) * 2017-08-30 2019-03-07 日本碍子株式会社 光学部品及び透明封止部材
US10680147B2 (en) * 2017-11-24 2020-06-09 Osram Oled Gmbh Method of producing a lighting device
DE102018111637A1 (de) 2018-01-26 2019-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer halbleiterchip, verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement
CN110648981A (zh) * 2019-09-11 2020-01-03 王之奇 一种影像传感芯片封装结构及其封装方法
CN111640739B (zh) * 2020-05-29 2022-03-25 青岛歌尔智能传感器有限公司 光学传感器封装结构和电子设备
CN112928072B (zh) * 2021-01-29 2023-09-19 重庆两江卫星移动通信有限公司 一种氮化镓场效应晶体管抗辐照加固的封装器件
TWI809408B (zh) * 2021-06-01 2023-07-21 國立屏東科技大學 加熱輔助覆晶接合裝置
DE102021118354A1 (de) 2021-07-15 2023-01-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verkapselung von seitenemittierenden laserpackages mittels vacuum injection molding

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005081319A1 (de) 2004-02-20 2005-09-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement, vorrichtung mit einer mehrzahl optoelektronischer bauelemente und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
WO2010017831A1 (de) 2008-08-11 2010-02-18 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Konversions led

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5422115B2 (de) 1972-05-19 1979-08-04
DE19625622A1 (de) 1996-06-26 1998-01-02 Siemens Ag Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US6798133B1 (en) * 1999-09-09 2004-09-28 Siemens Aktiengesellschaft Glass cover and process for producing a glass cover
US6812503B2 (en) * 2001-11-29 2004-11-02 Highlink Technology Corporation Light-emitting device with improved reliability
US7224000B2 (en) 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
JP3992059B2 (ja) * 2005-11-21 2007-10-17 松下電工株式会社 発光装置の製造方法
WO2007080803A1 (ja) * 2006-01-16 2007-07-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 半導体発光装置
US8735920B2 (en) * 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
JP5103831B2 (ja) * 2006-08-29 2012-12-19 日亜化学工業株式会社 半導体の製造方法
US7889421B2 (en) * 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
DE102007018837A1 (de) 2007-03-26 2008-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenchips und Lumineszenzdiodenchip
JP5199623B2 (ja) * 2007-08-28 2013-05-15 パナソニック株式会社 発光装置
TW200910648A (en) * 2007-08-31 2009-03-01 Isotech Products Inc Forming process of resin lens of an LED component
DE102007043183A1 (de) 2007-09-11 2009-04-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102007046348A1 (de) 2007-09-27 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement mit Glasabdeckung und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102007059548A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Auskoppellinse für ein optoelektronisches Bauelement
DE102007046496B4 (de) 2007-09-28 2017-01-05 Osram Oled Gmbh Verfahren zur Herstellung einer mit zumindest einer Kavität versehenen Schutzverkapselung für zumindest ein elektronisches Bauteil
DE102008011153B4 (de) 2007-11-27 2023-02-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit mindestens zwei lichtemittierenden Halbleiterbauelementen
DE102008016457A1 (de) 2008-03-31 2009-10-01 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtvorrichtung
DE102008021436A1 (de) 2008-04-29 2010-05-20 Schott Ag Optik-Konverter-System für (W)LEDs
JP5648235B2 (ja) 2008-08-08 2015-01-07 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． Ｌｅｄ装置
US20100181582A1 (en) 2009-01-22 2010-07-22 Intematix Corporation Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of manufacture thereof
TW201115779A (en) * 2009-10-26 2011-05-01 Gio Optoelectronics Corp Light emitting apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005081319A1 (de) 2004-02-20 2005-09-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement, vorrichtung mit einer mehrzahl optoelektronischer bauelemente und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
WO2010017831A1 (de) 2008-08-11 2010-02-18 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Konversions led

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015142478A1 (en) * 2014-03-18 2015-09-24 GE Lighting Solutions, LLC Heavily phosphor loaded led package
US9590148B2 (en) 2014-03-18 2017-03-07 GE Lighting Solutions, LLC Encapsulant modification in heavily phosphor loaded LED packages for improved stability
US9680067B2 (en) 2014-03-18 2017-06-13 GE Lighting Solutions, LLC Heavily phosphor loaded LED packages having higher stability
EP4332196A3 (de) * 2014-03-18 2024-06-05 Current Lighting Solutions, LLC Hoch phosphorgeladenes led-gehäuse
WO2017055401A1 (de) * 2015-09-30 2017-04-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement mit einem licht emittierenden halbleiterchip

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