WO2012038369A1 - Installation et traitment d'un objet, plus particulierement de la surface d'un objet en polymere - Google Patents

Installation et traitment d'un objet, plus particulierement de la surface d'un objet en polymere Download PDF

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WO2012038369A1
WO2012038369A1 PCT/EP2011/066193 EP2011066193W WO2012038369A1 WO 2012038369 A1 WO2012038369 A1 WO 2012038369A1 EP 2011066193 W EP2011066193 W EP 2011066193W WO 2012038369 A1 WO2012038369 A1 WO 2012038369A1
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vacuum
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evacuating
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PCT/EP2011/066193
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Frédéric Moret
Marc Brassier
Alexis Chenet
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Valeo Vision
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    • H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools

Definitions

  • Treatment plant for an object more particularly the surface of a polymer object.
  • the present invention relates to the field of the treatment of an object, more particularly to the treatment of the surface of a polymer object.
  • the ion bombardment means make it possible, in particular, to incorporate ions into the object in order to treat its surface, in particular to influence the mechanical properties of this surface (hardness, tribology, etc.).
  • the ionic bombardment means conventionally comprise, as those described in FR-A-2 899 242, ion generator means and ion applicator means.
  • the ion applicator usually comprises means selected for example from electrostatic ion beam shaping lenses, a diaphragm, a shutter, a collimator, an ion beam analyzer and a beam controller. ions.
  • the ion generator usually comprises means selected for example from an ionization chamber, an electron cyclotron resonance ion source, an ion accelerator and an ion separator.
  • FR-A-2,899,242 proposes to house all the ion bombardment means (ion generator and ion applicator) as well as the object to be treated in a vacuum chamber. Vacuum means are connected to this chamber. These vacuum means must allow to obtain a relatively high vacuum in the chamber, for example of the order of 10 "2 mbar to 10" 6 mbar.
  • the object of the invention is in particular to optimize the duration and the energy required to restore the chamber and the ion application means under appropriate vacuum conditions after each loading / unloading operation of this bedroom.
  • the subject of the invention is an apparatus for treating an object, of the type comprising:
  • ionic bombardment means for treating the object, comprising an ion generator and at least one ion applicator for emitting an ion beam,
  • the ion bombardment means being arranged outside the vacuum chamber, and the ion applicator being housed in the first chamber.
  • the selective communication means of the vacuum chamber and the first airlock selectively enable the vacuum chamber to be communicated with the first airlock or to isolate the vacuum chamber from the first airlock.
  • the airlock can be isolated from this chamber, so that it can remain under vacuum, while the chamber is returned to the atmosphere.
  • the ion bombardment means being arranged outside the vacuum chamber, the volume available in the chamber can be dedicated essentially to the housing of objects to be treated. According to other optional features of various embodiments, the installation according to the invention:
  • the ion applicator comprises means selected from electrostatic ion beam shaping lenses, a diaphragm, a shutter, a collimator, an ion beam analyzer and an ion beam controller;
  • the ion generator comprises means selected from an ionization chamber, an electron cyclotron resonance ion source, an ion accelerator and an ion separator;
  • the means for evacuating the chamber comprise a primary pumping assembly comprising a mechanical rotary pump in series with a Roots pump;
  • the means for evacuating the chamber comprise a secondary pumping assembly comprising at least one pump chosen from a diffusion pump and a turbomolecular pump;
  • the ion bombardment means comprise several ion applicators.
  • the ion bombardment means may also comprise means for adjusting the position of each applicator, means for adjusting the angle of the ion beam emitted by each applicator and means for controlling these means for adjusting the position and these angle adjustment means;
  • the installation includes:
  • PVD deposition means by vacuum cathode sputtering or by vacuum evaporation comprising:
  • means housed in the second airlock comprising in particular a sputtering target or a material to be evaporated with means for heating this material, and
  • injection means in the gas vacuum chamber in particular a gas intended for the creation of a plasma, for example argon, and / or a reactive gas, for example oxygen or nitrogen;
  • the installation includes: at least one electrode intended to be raised to a potential different from that of the object to be treated, and
  • the means for evacuating the chamber and the means for evacuating each airlock comprise common pumping means;
  • the installation comprises a planetary support rotatably mounted in the vacuum chamber around a virtual axis connected to this chamber, this planetary support preferably carrying several satellite supports of objects, each satellite support being rotatably mounted around a virtual axis linked to this planetary support;
  • the vacuum chamber called the ion bombardment chamber
  • the vacuum means of the ion bombardment chamber comprising indirect evacuation means connected to this ion bombardment chamber by the containing chamber and, preferably, means for direct evacuation of the ion bombardment chamber;
  • the installation includes:
  • At least one PVD deposit chamber housed in the chamber containing
  • a mobile support intended to carry the object to be treated, movable between a housing position of the object in the ion bombardment chamber and a housing position of the object in the PVD deposition chamber,
  • PVD deposition means by vacuum cathode sputtering or by vacuum evaporation comprising:
  • means housed in the second airlock comprising in particular a sputtering target or a material to be evaporated with means for heating this material, and
  • injection means in the gas vacuum chamber in particular a gas intended for the creation of a plasma, for example argon, and / or a reactive gas, for example oxygen or nitrogen;
  • the installation includes:
  • At least one PECVD deposit chamber housed in the containing chamber, the mobile support being also movable to a housing position of the object in the PECVD deposit chamber,
  • PECVD deposition means comprising:
  • At least one electrode intended to be raised to a potential different from that of the object to be treated
  • the installation includes:
  • the mobile support being also movable to a receiving / presenting position in the loading / unloading chamber
  • the installation comprises a support, mounted oscillating about at least one axis, preferably around two substantially perpendicular axes, carrying the ion applicator and at least part of the ion generator, so as to allow the forming an oscillating beam around at least one axis, preferably around two substantially perpendicular axes.
  • the gas intended for the creation of a plasma may be, for example, helium, neon, krypton, argon, xenon, dioxygen or dinitrogen, alone or as a mixture.
  • the invention also relates to the use of an installation according to the invention for the treatment of a polymer object.
  • the object may have an aesthetic function and form, for example, a mask or a hubcap for a vehicle light or searchlight.
  • the object may also have a mechanical function, for example forming a plate or a housing, in particular a plate or a housing for fire or vehicle headlight intended to carry optical, mechanical or electrical elements.
  • the object may have an optical function and form, for example, a reflector or a screen involved in the shaping of a light beam, in particular for vehicle light or headlamp.
  • the object may have a chemical function and form, for example a detector, in particular for a vehicle fire or searchlight.
  • the object may have an electrical function and form, for example an electrical insulator, especially for fire or vehicle headlamp.
  • the object may have a thermal function and form, for example a radiator, especially for vehicle light or projector.
  • FIGS. 1 to 3 are schematic views of an object processing installation, according to a first embodiment of the invention, this installation being shown respectively in three different operating configurations;
  • FIG. 4 is a schematic view of an apparatus for processing an object according to a second embodiment of the invention.
  • FIG. 5 is a schematic view of an apparatus for treating an object, according to a third embodiment of the invention.
  • FIG. 6 is a schematic view of an object processing installation, according to a fourth embodiment of the invention.
  • FIGS. 1 to 3 show an installation for treating an object, according to a first embodiment of the invention. This installation is designated by the general reference 10.
  • the installation 10 is intended more particularly to treat the surface of a polymer object for a motor vehicle, more particularly a lamp or a projector of this vehicle.
  • the object may have an aesthetic function and form, for example, a mask or a hubcap for a vehicle light or searchlight.
  • the object may also form a plate or a housing for a vehicle fire or searchlight intended to carry optical, mechanical or electrical elements.
  • the object may have an optical function and form, for example, a reflector or screen involved in the shaping of a light beam.
  • the installation 10 is intended to treat the surface of the object, in particular to perform thin film deposition and influence the mechanical properties of the surface of the object.
  • the installation 10 comprises a vacuum chamber 12 in which at least one object is intended to be placed.
  • This chamber 12 comprises a body 14 and a opening 16 to allow access to the interior of the chamber 12.
  • a planetary support 18 is rotatably mounted in the chamber 12 around a virtual axis XP connected to this chamber. Furthermore, the planetary support 18 carries several satellite supports 20, for example six in number, each intended to carry at least one object to be treated 22. Each satellite support 20 is rotatably mounted around a virtual axis XF linked to the planetary support 18.
  • the chamber 12 is capable of being evacuated by means 24 comprising a primary pumping assembly 26, making it possible to reach a vacuum of approximately 10 -2 mbar and, preferably, a secondary pumping assembly 28 , making it possible to reach a vacuum of between approximately 10 -2 mbar and 10 6 mbar.
  • the primary pumping assembly 26 comprises a rotary mechanical pump 30 connected in series with a Roots pump 32.
  • the mechanical rotary pump 30 makes it possible to reach a vacuum of approximately 10 -1 mbar. Vacuum then allows the priming of the Roots pump 32. The latter makes it possible to reach a vacuum of approximately 10 -2 mbar.
  • the set of secondary pump 28 includes a pump to achieve a vacuum of between 10 "2 and 10" 6 mbar approximately, e.g., a diffusion pump 34 .
  • the installation 10 also includes first 36 and second 38 locks.
  • First 40 and second 42 gates form means for selectively communicating the vacuum chamber 12 respectively with the first 36 and second 38 locks.
  • Each airlock 36, 38 is connected to means of evacuation.
  • the means for evacuating the chamber 12 and the means for evacuating each lock chamber 36, 38 comprise common pumping means, namely the pumping assemblies. primary 26 and secondary 28 described above.
  • FIGS. 1 to 3 show ducts C and valves V making it possible to selectively connect the chamber 12 and the lock chambers 36, 38 to the primary pumping assemblies 26 and selectively according to the desired treatment conditions. secondary 28.
  • the installation 10 comprises ion bombardment means 44 intended to process the objects 22 contained in the chamber 12.
  • These means 44 comprise an ion generator 46 and an ion applicator 48 intended to emit an ion beam.
  • the ion bombardment means 44 are arranged outside the chamber 12. More particularly, it will be noted that the ion applicator 48 is housed in the first chamber 36. In a conventional manner, the ion applicator 48 comprises means chosen from electrostatic lenses for shaping an ion beam, a diaphragm, a shutter for isolating the beam (in particular with a Faraday cage), a collimator , an ion beam analyzer and an ion beam controller. Generally, the ion applicator 48 is set to process the surface of an object 22 without requiring focusing of the emitted ion beam, that is to say using a large depth of field.
  • the ion bombardment means 44 may comprise several ion applicators 48, means for adjusting the position of each applicator 48, means for adjusting the angle of the ion beam emitted by each applicator 48, and means for controlling these position adjustment means and these angle adjustment means.
  • the position adjusting means and the angle adjusting means make it possible to deal quickly and efficiently with various shapes of surfaces of objects, in particular left-hand surfaces.
  • the control means of the position and angle adjustment means comprise for example software means called "PLC” in the English acronym for "Program Logic Controller”.
  • the ion generator 46 comprises, in a conventional manner, means selected from an ionization chamber, an electron cyclotron resonance ion source 50, an ion accelerator 52 and an ion separator.
  • the installation 10 also comprises means 54 of physical vapor deposition, called “PVD” in accordance with the acronym for "Physical Vapor Deposition”.
  • PVD physical vapor deposition
  • the PVD deposition means 54 are of a conventional type by vacuum cathodic sputtering or by evaporation under vacuum.
  • These deposition means 54 include means 56 housed in the second chamber 38 and conventional means 58 for injection into the vacuum chamber of a gas.
  • a PVD deposit makes it possible, for example, to produce on the surface of the objects 22 a very thin metal layer of thickness in particular between 50 and 100 nm.
  • the means 56 housed in the second chamber 38 comprise a conventional sputtering target. cathode.
  • the means 58 are capable of injecting a gas intended for the creation of a plasma, for example argon, and / or a reactive gas, for example oxygen or nitrogen.
  • the supports of the objects 22, more particularly the satellite supports 20, form anodes allowing the creation between these anodes and the cathode target 56 of an electric discharge of creation of the plasma.
  • the means 56 housed in the second chamber 38 comprise a material to be evaporated and means for heating this material.
  • the means 58 are capable of injecting a reactive gas, for example oxygen or nitrogen.
  • the installation 12 comprises means 60 for chemical vapor deposition, called CVD according to the acronym for "Chemical Vapor Deposition”.
  • the CVD deposition means 60 are of a conventional plasma-assisted type.
  • a plasma-assisted CVD deposit is usually referred to as PECVD according to the abbreviation for "Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition”.
  • PECVD deposition means 60 comprise at least one electrode 62, for example two electrodes 62 as represented in FIGS. 1 to 3, intended to be brought to a potential different from that of the objects to be treated.
  • the PECVD deposition means 60 comprise also conventional injection means 64 in the vacuum chamber 12 of gas for the creation of a plasma.
  • a PECVD deposit makes it possible, for example, to produce on the surface of the objects 22 a very thin protective layer with a thickness of in particular between 20 and 100 nm, for example made of polysiloxane material which is predominantly or wholly inorganic.
  • This protective layer may in particular cover a metal layer produced by a PVD deposit.
  • the electrodes of different potentials, generally opposite, allow the creation of an electric discharge of plasma formation.
  • the electric discharge is carried out in direct current or at medium or high frequency, for example radiofrequency or microwaves.
  • the installation 10 makes it possible to perform different treatments of the objects 22, namely an ion bombardment, a PVD deposit and a PECVD deposit in any order, or even simultaneously, without having to unload the objects 22 contained in the chamber. empty 12.
  • the ion bombardment means 44 arranged outside the chamber 12, do not encumber the interior of this chamber 12, which makes it possible to benefit from a relatively large volume for accommodating the objects 22 in this chamber. room 12.
  • the objects 22 are loaded into the vacuum chamber 12.
  • the door 40 is closed so as to isolate the first chamber 36 from the vacuum chamber 12.
  • a PVD deposit is made with injection of a reactive gas (reactive PVD).
  • a reactive gas reactive PVD
  • the reactive gas which reacts with the metal vapor or the metal oxide vapor is injected (for example the reactive gas nitrogen reacts to form nitrides or the reactive gas oxygen reacts to form oxides).
  • each step of ion bombardment, PVD deposition or PECVD deposition is carried out under vacuum conditions specific to this step.
  • the vacuum level in the chamber 12 is adapted by the primary and secondary pump assemblies 26 and 26.
  • the metal deposition steps are generally contaminating.
  • a decontamination of the chamber 12 is carried out between two treatment steps.
  • the invention makes it possible to carry out various steps of ion bombardment, PVD deposition and PECVD deposition by avoiding any contact objects 22 with the atmosphere between the processing steps and therefore any risk of exposure of the objects 22 to the dust of the atmosphere between the processing steps.
  • object processing sequences 22 will be given below, referring only to the essential steps.
  • the objects 22 are loaded into the vacuum chamber 12.
  • Objects 22 are made of a PVD deposit.
  • the objects 22 are loaded into the vacuum chamber 12.
  • Objects 22 are made of a PVD deposit.
  • an overcoat is produced by plasma-assisted PECVD.
  • the objects 22 are loaded into the vacuum chamber 12.
  • Objects 22 are made of a PVD deposit.
  • an overcoat is produced by plasma-assisted PECVD.
  • the objects 22 are loaded into the vacuum chamber 12.
  • Objects 22 are made of a PVD deposit.
  • an overcoat is produced by plasma-assisted PECVD deposition.
  • FIGS. 4 to 6 show an installation 10 according to respectively second to fourth embodiments of the invention.
  • elements similar to those of the preceding figures are designated by identical references.
  • the objects 22 are carried directly by the planetary support 18.
  • the secondary pumping assembly 28 comprises a turbomolecular pump 66, for example connected in parallel with the diffusion pump 34. the combination of these two pumps 34, 66 can be achieved more easily vacuum levels between 10 "2 and 10" 6 mbar approximately.
  • the vacuum chamber 12 is dedicated solely to ion bombardment, the PVD and PECVD deposits being made by other means which will be described below.
  • the vacuum chamber 12 will subsequently be called the ion-bombardment chamber 12.
  • the first gate 40 forms means for placing the ion-bombarding chamber in selective communication with one another and with the first chamber 36 in which the applicator is housed. ions 48.
  • the ion bombardment chamber 12 is contained in another vacuum chamber 68, said container.
  • the means 24 for evacuating the chamber 12 include, for example, the primary pumping assemblies 26 and secondary 28 similar to those of the second embodiment of the invention. These primary and secondary pumping assemblies 26 form means for indirectly evacuating the ion bombardment chamber 12 because they are intended to be connected to this ion bombardment chamber 12 via the containing chamber 68. Optionally, direct evacuation means of the ion bombardment chamber 12 may be provided.
  • the installation 10 according to the third embodiment of the invention comprises other vacuum chambers contained in the containing chamber 68.
  • the ion bombardment chamber 12 and the other vacuum chambers are distributed in a circle in the containing chamber 68.
  • a chamber 74 for loading / unloading objects for loading / unloading objects.
  • the installation 10 comprises also a movable support 76 intended to carry the objects 22, movable, for example around a virtual axis X connected to the containing chamber 68, between different positions for accommodating the objects 22 in the different chambers 12, 70, 72 and 74.
  • the various chambers 12, 70, 72 and 74 could be aligned, the mobile support 76 being in this case displaceable in translation.
  • the deposit chambers 70 PECVD, 72 with PVD deposition and loading / unloading 74 are each connected to vacuum means of these chambers comprising, for example, the primary pump 26 and secondary pump assemblies 28 performing an indirect evacuation of these elements. bedrooms.
  • the second chamber 38 is intended to communicate with the PVD deposit chamber 72.
  • the door 42 allows a selective communication of the PVD deposit chamber 72 with the second chamber 38.
  • the vacuum in the second chamber 38 is realized using means comprising, for example, the primary pump 26 and secondary 28 assemblies carrying out an indirect evacuation of the second chamber 38.
  • the vacuum in the second chamber 38 can be achieved using independent means.
  • the PVD deposition chamber 72 comprises conventional PVD deposition means by vacuum cathode sputtering comprising the sputtering target 56 housed in the second chamber 38.
  • the PVD deposition means also comprise the injection means 58 in the chamber 72 of gas for the creation of a plasma, for example argon.
  • Each PECVD deposit chamber 70 comprises the plasma-assisted PECVD deposition means comprising at least one electrode, for example the two electrodes 62, and the injection means 64 in the gas chamber 70 for the creation of a plasma.
  • the installation 10 according to the third embodiment of the invention makes it possible to process the objects 22 for example as follows.
  • the movable support 76 is in a position allowing the reception of the objects 22.
  • the objects 22 are then loaded on the support 76.
  • the support 76 is moved from one chamber to the other according to sequences which may vary.
  • the support 76 is placed in a position allowing the objects 22 treated in the chamber 74 to be presented in order to allow the unloading of these objects.
  • the installation 10 comprises a support 78, mounted oscillating, using conventional means, around at least one axis, preferably around two substantially perpendicular axes X, Y, as shown in FIG. 6.
  • the support 78 carries the ion applicator 48 which comprises, for example, electrostatic lenses for shaping the ion beam and a shutter.
  • the support 78 also carries at least a portion of the ion generator 46, for example the source 50 (or an ionization chamber) and the accelerator 52.
  • the airlock 36 contains the applicator 48 as well as possibly the support 78 and the generator elements 46 carried by this support 78.
  • Oscillations of the support 78 around the X, Y axes allow the formation of an oscillating beam around two substantially perpendicular axes, that is to say the formation of an ion beam oscillation cone.
  • This oscillation cone makes it possible to treat a relatively large surface area of the object 22 housed in the chamber 12.

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Abstract

Cette installation de traitement d'un objet, par exemple un objet en polymère pour feu ou projecteur de véhicule automobile, comprend une chambre à vide (12), dans laquelle l'objet (22) est destiné à être placé, des moyens (24) de mise sous vide de la chambre (12), et des moyens (44) de bombardement ionique, destinés à traiter l'objet (22), comprenant un générateur (46) d'ions et au moins un applicateur (48) d'ions destiné à émettre un faisceau d'ions. Cette installation comprend de plus un premier sas (36), des moyens (40) de mise en communication sélective de la chambre à vide (12) et du premier sas (36), et des moyens (24) de mise sous vide de ce premier sas (36). Les moyens de bombardement ionique (44) sont agencés à l'extérieur de la chambre à vide (12). L'applicateur d'ions (48) est logé dans le premier sas (36).

Description

Installation de traitement d'un objet, plus particulièrement de la surface d'un objet en polymère.
La présente invention concerne le domaine du traitement d'un objet, plus particulièrement du traitement de la surface d'un objet en polymère.
On connaît déjà dans l'état de la technique, notamment d'après FR-A-2 899 242, une installation de traitement d'un objet comprenant des moyens de bombardement ionique destinés à traiter l'objet.
Les moyens de bombardement ionique permettent notamment d'incorporer des ions dans l'objet afin de traiter sa surface, notamment pour influencer les propriétés mécaniques de cette surface (dureté, tribologie, etc.).
Les moyens de bombardement ionique comprennent classiquement, comme ceux décrits dans FR-A-2 899 242, des moyens formant générateur d'ions et des moyens formant applicateur d'ions.
L'applicateur d'ions comprend habituellement des moyens choisis par exemple parmi des lentilles électrostatiques de mise en forme de faisceau d'ions, un diaphragme, un obturateur, un collimateur, un analyseur de faisceau d'ions et un contrôleur de faisceau d'ions.
Le générateur d'ions comprend habituellement des moyens choisis par exemple parmi une chambre d'ionisation, une source d'ions à résonance cyclotronique électronique, un accélérateur d'ions et un séparateur d'ions.
Le bombardement ionique est habituellement réalisé sous vide. Ainsi, FR-A- 2 899 242 propose de loger l'ensemble des moyens de bombardement ionique (générateur d'ions et applicateur d'ions) ainsi que l'objet à traiter dans une chambre à vide. Des moyens de mise sous vide sont raccordés à cette chambre. Ces moyens de mise sous vide doivent permettre d'obtenir un vide relativement poussé dans la chambre, par exemple de l'ordre de 10"2 mbar à 10"6 mbar.
Le traitement d'un grand nombre d'objets implique de réaliser de nombreuses opérations de chargement/déchargement de la chambre. Or, chaque opération de chargement/déchargement entraîne la mise à l'atmosphère de la chambre. Il faut donc recréer les conditions de vide appropriées dans la chambre et les moyens d'application d'ions après chaque mise en communication de cette chambre avec l'atmosphère.
L'invention a notamment pour but d'optimiser la durée et l'énergie nécessaire pour remettre la chambre et les moyens d'application d'ions dans des conditions de vide appropriées après chaque opération de chargement/déchargement de cette chambre.
A cet effet, l'invention a pour objet une installation de traitement d'un objet, du type comprenant :
- une chambre à vide, dans laquelle l'objet est destiné à être placé,
- des moyens de mise sous vide de la chambre, et
- des moyens de bombardement ionique, destinés à traiter l'objet, comprenant un générateur d'ions et au moins un applicateur d'ions destiné à émettre un faisceau d'ions,
caractérisée en ce qu'elle comprend de plus :
- un premier sas,
- des moyens de mise en communication sélective de la chambre à vide et du premier sas,
- des moyens de mise sous vide de ce premier sas,
les moyens de bombardement ionique étant agencés à l'extérieur de la chambre à vide, et l'applicateur d'ions étant logé dans le premier sas.
Les moyens de communication sélective de la chambre à vide et du premier sas permettent sélectivement de mettre en communication la chambre à vide et le premier sas ou d'isoler la chambre à vide du premier sas.
Lors des opérations de chargement/déchargement de la chambre à vide, le sas pourra être isolé de cette chambre, si bien qu'il pourra rester sous vide, alors que la chambre est remise à l'atmosphère.
Lors d'une nouvelle opération de bombardement ionique, il suffira de recréer des conditions de vide appropriées dans la chambre, avant de remettre en communication cette chambre avec le sas qui aura conservé un niveau de vide proche de celui souhaité dans la chambre.
On arrive ainsi, lors des opérations de chargement/déchargement de la chambre à vide, à maintenir dans l'environnement immédiat de l'applicateur et de tout organe du générateur en communication de pression avec l'applicateur, un niveau de vide assez proche de celui souhaité dans la chambre pour traiter un objet. Ceci permet d'optimiser la durée et l'énergie nécessaire pour remettre la chambre et les moyens d'application d'ions dans des conditions de vide appropriées après chaque opération de chargement/déchargement de cette chambre.
Par ailleurs, les moyens de bombardement ionique étant agencés à l'extérieur de la chambre à vide, le volume disponible dans la chambre pourra être dédié essentiellement au logement d'objets à traiter. Suivant d'autres caractéristiques optionnelles de différents modes de réalisation l'installation selon l'invention :
- l'applicateur d'ions comprend des moyens choisis parmi des lentilles électrostatiques de mise en forme de faisceau d'ions, un diaphragme, un obturateur, un collimateur, un analyseur de faisceau d'ions et un contrôleur de faisceau d'ions ;
- le générateur d'ions comprend des moyens choisis parmi une chambre d'ionisation, une source d'ions à résonance cyclotronique électronique, un accélérateur d'ions et un séparateur d'ions ;
- les moyens de mise sous vide de la chambre comprennent un ensemble de pompage primaire comprenant une pompe mécanique rotative en série avec une pompe de Roots ;
- les moyens de mise sous vide de la chambre comprennent un ensemble de pompage secondaire comprenant au moins une pompe choisie parmi une pompe à diffusion et une pompe turbomoléculaire ;
- les moyens de bombardement ionique comprennent plusieurs applicateurs d'ions. Les moyens de bombardement ionique peuvent également comprendre des moyens de réglage de la position de chaque applicateur, des moyens de réglage de l'angle du faisceau d'ions émis par chaque applicateur et des moyens de pilotage de ces moyens de réglage de position et de ces moyens de réglage d'angle ;
- l'installation comprend :
- un second sas,
- des moyens de mise en communication sélective de la chambre à vide et du second sas,
- des moyens de mise sous vide de ce second sas, et
- des moyens de dépôt PVD par pulvérisation cathodique sous vide ou par évaporation sous vide comportant:
- des moyens logés dans le second sas, comprenant notamment une cible de pulvérisation cathodique ou un matériau à évaporer avec des moyens de chauffage de ce matériau, et
- des moyens d'injection dans la chambre à vide de gaz, notamment d'un gaz destiné à la création d'un plasma, par exemple de l'argon, et/ou d'un gaz réactif, par exemple de l'oxygène ou de l'azote ;
- l'installation comprend : - au moins une électrode destinée à être portée à un potentiel différent de celui de l'objet à traiter, et
- des moyens d'injection dans la chambre à vide de gaz destinés à la création d'un plasma ;
les moyens de mise sous vide de la chambre et les moyens de mise sous vide de chaque sas comprennent des moyens de pompage communs ;
l'installation comprend un support planétaire monté rotatif dans la chambre à vide autour d'un axe virtuel lié à cette chambre, ce support planétaire portant de préférence plusieurs supports satellites d'objets, chaque support satellite étant monté rotatif autour d'un axe virtuel lié à ce support planétaire ;
la chambre à vide, dite chambre à bombardement ionique, est logée dans une autre chambre à vide, dite contenante, les moyens de mise sous vide de la chambre à bombardement ionique comprenant des moyens de mise sous vide indirecte raccordés à cette chambre à bombardement ionique par la chambre contenante et, de préférence, des moyens de mise sous vide directe de la chambre à bombardement ionique ;
l'installation comprend :
- au moins une chambre à dépôt PVD, logée dans la chambre contenante,
- un support mobile, destiné à porter l'objet à traiter, déplaçable entre une position de logement de l'objet dans la chambre à bombardement ionique et une position de logement de l'objet dans la chambre à dépôt PVD,
- des moyens de mise sous vide de la chambre à dépôt PVD,
- un second sas,
- des moyens de mise en communication sélective de la chambre à dépôt PVD et du second sas,
- des moyens de mise sous vide de ce second sas, et
- des moyens de dépôt PVD par pulvérisation cathodique sous vide ou par évaporation sous vide comportant :
- des moyens logés dans le second sas, comprenant notamment une cible de pulvérisation cathodique ou un matériau à évaporer avec des moyens de chauffage de ce matériau, et
- des moyens d'injection dans la chambre à vide de gaz, notamment d'un gaz destiné à la création d'un plasma, par exemple de l'argon, et/ou d'un gaz réactif, par exemple de l'oxygène ou de l'azote ;
- l'installation comprend :
- au moins une chambre à dépôt PECVD, logée dans la chambre contenante, le support mobile étant déplaçable également jusqu'à une position de logement de l'objet dans la chambre à dépôt PECVD,
- des moyens de mise sous vide de la chambre à dépôt PECVD,
- des moyens de dépôt PECVD assisté par plasma comportant :
- au moins une électrode destinée à être portée à un potentiel différent de celui de l'objet à traiter, et
- des moyens d'injection dans la chambre à vide de gaz destinés à la création d'un plasma ;
- l'installation comprend :
- au moins une chambre de chargement/déchargement d'objet, logée dans la chambre contenante, le support mobile étant déplaçable également jusqu'à une position de réception/présentation dans la chambre de chargement/déchargement,
- des moyens de mise sous vide de la chambre de chargement/déchargement ;
- l'installation comprend un support, monté oscillant autour d'au moins un axe, de préférence autour de deux axes sensiblement perpendiculaires, portant l'applicateur d'ions et une partie au moins du générateur d'ions, de façon à permettre la formation d'un faisceau oscillant autour d'au moins un axe, de préférence autour de deux axes sensiblement perpendiculaires.
Dans l'invention, le gaz destiné à la création d'un plasma peut être par exemple l'hélium, le néon, le krypton, l'argon, le xénon, le dioxygène ou le diazote, seuls ou en mélange.
L'invention a également pour objet l'utilisation d'une installation selon l'invention pour le traitement d'un objet en polymère.
Différents types d'objets peuvent être traités selon l'invention. En particulier, l'objet peut avoir une fonction esthétique et former, par exemple, un masque ou un enjoliveur pour feu ou projecteur de véhicule. L'objet peut également avoir une fonction mécanique, par exemple former une platine ou un boîtier, notamment une platine ou un boîtier pour feu ou projecteur de véhicule destiné à porter des éléments optiques, mécaniques ou électriques. L'objet peut avoir une fonction optique et former, par exemple, un réflecteur ou un écran participant à la mise en forme d'un faisceau lumineux, notamment pour feu ou projecteur de véhicule. L'objet peut avoir une fonction chimique et former, par exemple un détecteur, notamment pour feu ou projecteur de véhicule. L'objet peut avoir une fonction électrique et former, par exemple un isolant électrique, notamment pour feu ou projecteur de véhicule. L'objet peut avoir une fonction thermique et former, par exemple un radiateur, notamment pour feu ou projecteur de véhicule.
L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple et faite au vu des dessins annexés dans lesquels :
- les figures 1 à 3 sont des vues schématiques d'une installation de traitement d'un objet, selon un premier mode de réalisation de l'invention, cette installation étant représentée respectivement dans trois configurations de fonctionnement différentes ;
- la figure 4 est une vue schématique d'une installation de traitement d'un objet selon un second mode de réalisation de l'invention ;
- la figure 5 est une vue schématique d'une installation de traitement d'un objet, selon un troisième mode de réalisation de l'invention ;
- la figure 6 est une vue schématique d'une installation de traitement d'un objet, selon un quatrième mode de réalisation de l'invention.
On a représenté sur les figures 1 à 3 une installation de traitement d'un objet, selon un premier mode de réalisation de l'invention. Cette installation est désignée par la référence générale 10.
L'installation 10 est destinée plus particulièrement à traiter la surface d'un objet en polymère pour un véhicule automobile, plus particulièrement un feu ou un projecteur de ce véhicule.
Différents types d'objets peuvent être traités. En particulier, l'objet peut avoir une fonction esthétique et former, par exemple, un masque ou un enjoliveur pour feu ou projecteur de véhicule. L'objet peut également former une platine ou un boîtier pour feu ou projecteur de véhicule destiné à porter des éléments optiques, mécaniques ou électriques. L'objet peut avoir une fonction optique et former, par exemple, un réflecteur ou un écran participant à la mise en forme d'un faisceau lumineux.
L'installation 10 est destinée à traiter la surface de l'objet, notamment pour y effectuer des dépôts de couches minces et influencer les propriétés mécaniques de la surface de l'objet.
L'installation 10 comprend une chambre à vide 12 dans laquelle au moins un objet est destiné à être placé. Cette chambre 12 comprend un corps 14 et un ouvrant 16 destiné à permettre l'accès à l'intérieur de la chambre 12.
Dans le premier mode de réalisation de l'invention, un support planétaire 18 est monté rotatif dans la chambre 12 autour d'un axe virtuel XP lié à cette chambre. Par ailleurs, le support planétaire 18 porte plusieurs supports satellites 20, par exemple au nombre de six, destinés à porter chacun au moins un objet à traiter 22. Chaque support satellite 20 est monté rotatif autour d'un axe virtuel XF lié au support planétaire 18.
La chambre 12 est susceptible d'être mise sous vide à l'aide de moyens 24 comprenant un ensemble de pompage primaire 26, permettant d'atteindre un vide d'environ 10"2 mbar et, de préférence, un ensemble de pompage secondaire 28, permettant d'atteindre un vide compris entre 10"2 mbar et 10"6 mbar environ.
Dans l'exemple représenté, l'ensemble de pompage primaire 26 comprend une pompe mécanique rotative 30 montée en série avec une pompe de Roots 32. La pompe mécanique rotative 30 permet d'atteindre un vide d'environ 10"1 mbar. Ce niveau de vide permet alors l'amorçage de la pompe de Roots 32. Cette dernière permet d'atteindre un vide d'environ 10"2 mbar.
Par ailleurs, dans l'exemple représenté sur les figures 1 à 3, l'ensemble de pompage secondaire 28 comprend une pompe permettant d'atteindre un vide compris entre 10"2 et 10"6 mbar environ, par exemple une pompe à diffusion 34.
L'installation 10 comprend également des premier 36 et second 38 sas. Des première 40 et seconde 42 portes forment des moyens de mise en communication sélective de la chambre à vide 12 respectivement avec les premier 36 et second 38 sas. Chaque sas 36, 38 est relié à des moyens de mise sous vide.
De préférence, comme cela est représenté sur les figures 1 à 3, les moyens de mise sous vide de la chambre 12 et les moyens de mise sous vide de chaque sas 36, 38 comprennent des moyens de pompage communs, à savoir les ensembles de pompage primaire 26 et secondaire 28 décrits ci-dessus. Ainsi, on a représenté, sur les figures 1 à 3, des conduits C et des vannes V permettant de raccorder, de façon sélective selon les conditions de traitement souhaitées, la chambre 12 et les sas 36, 38 aux ensembles de pompage primaire 26 et secondaire 28.
L'installation 10 comprend des moyens 44 de bombardement ionique destinés à traiter les objets 22 contenus dans la chambre 12. Ces moyens 44 comprennent un générateur d'ions 46 et un applicateur d'ions 48 destiné à émettre un faisceau d'ions.
Les moyens 44 de bombardement ionique sont agencés à l'extérieur de la chambre 12. Plus particulièrement, on notera que l'applicateur d'ions 48 est logé dans le premier sas 36. De façon classique, l'applicateur d'ions 48 comprend des moyens choisis parmi des lentilles électrostatiques de mise en forme d'un faisceau d'ions, un diaphragme, un obturateur pour isoler le faisceau (notamment à cage de Faraday), un collimateur, un analyseur de faisceau d'ions et un contrôleur de faisceau d'ions. Généralement, l'applicateur d'ions 48 est réglé de façon à traiter la surface d'un objet 22 sans requérir de focalisation du faisceau d'ions émis, c'est à dire en utilisant une grande profondeur de champ.
En variante, les moyens 44 de bombardement ionique peuvent comprendre plusieurs applicateurs 48 d'ions, des moyens de réglage de la position de chaque applicateur 48, des moyens de réglage de l'angle du faisceau d'ions émis par chaque applicateur 48 et des moyens de pilotage de ces moyens de réglage de position et de ces moyens de réglage d'angle.
Les moyens de réglage de position et les moyens de réglage d'angle permettent de traiter rapidement et efficacement des formes variées de surfaces d'objets, notamment des surfaces gauches.
Les moyens de pilotage des moyens de réglage de position et d'angle comprennent par exemple des moyens logiciels appelés « PLC » conformément au sigle anglais pour « Programme Logic Controller ».
Par ailleurs, le générateur d'ions 46 comprend, de façon classique, des moyens choisis parmi une chambre d'ionisation, une source d'ions 50 à résonance cyclotronique électronique, un accélérateur d'ions 52 et un séparateur d'ions.
On notera que parmi les moyens énoncés ci-dessus susceptibles de constituer le générateur d'ions 46 et l'applicateur d'ions 48 tous ne sont pas indispensables selon les ions utilisés. Ainsi par exemple pour des ions obtenus à partir de gaz hélium on n'utilisera généralement ni de séparateur d'ions, ni d'analyseur de faisceau d'ions ni de contrôleur de faisceau d'ions.
L'installation 10 comprend encore des moyens 54 de dépôt physique en phase vapeur, appelés « PVD » conformément au sigle anglais pour « Physical Vapor Déposition ».
De préférence, les moyens 54 de dépôt PVD sont d'un type classique par pulvérisation cathodique sous vide ou par évaporation sous vide. Ces moyens de dépôt 54 comprennent notamment des moyens 56 logés dans le second sas 38 et des moyens classiques 58 d'injection dans la chambre à vide d'un gaz.
Un dépôt PVD permet, par exemple, de réaliser sur la surface des objets 22 une couche métallique très mince d'épaisseur comprise notamment entre 50 et 100 nm.
Dans le cas d'un dépôt PVD par pulvérisation cathodique sous vide, les moyens 56 logés dans le second sas 38 comprennent une cible classique de pulvérisation cathodique. Les moyens 58 sont susceptibles d'injecter un gaz destiné à la création d'un plasma, par exemple de l'argon, et/ou un gaz réactif, par exemple de l'oxygène ou de l'azote.
Les supports des objets 22, plus particulièrement les supports satellites 20, forment des anodes permettant la création entre ces anodes et la cible cathodique 56 d'une décharge électrique de création du plasma.
Dans le cas d'un dépôt PVD par évaporation sous vide, les moyens 56 logés dans le second sas 38 comprennent un matériau à évaporer et des moyens de chauffage de ce matériau. Les moyens 58 sont susceptibles d'injecter un gaz réactif, par exemple de l'oxygène ou de l'azote.
Enfin, l'installation 12 comprend des moyens 60 de dépôt chimique en phase vapeur, appelés CVD conformément au sigle anglais pour « Chemical Vapor Déposition ».
De préférence, les moyens 60 de dépôt CVD sont d'un type classique assisté par plasma. Un dépôt CVD assisté par plasma est habituellement appelé dépôt PECVD conformément au sigle anglais pour « Plasma Enhanced Chemical Vapor Déposition ».
Ces moyens 60 de dépôt PECVD comportent au moins une électrode 62, par exemple deux électrodes 62 comme représenté sur les figures 1 à 3, destinées à être portées à un potentiel différent de celui des objets à traiter 22. Les moyens 60 de dépôt PECVD comprennent également des moyens classiques 64 d'injection dans la chambre à vide 12 de gaz destinés à la création d'un plasma.
Un dépôt PECVD permet, par exemple, de réaliser sur la surface des objets 22 une couche de protection très mince d'épaisseur comprise notamment entre 20 et 100 nm, par exemple en matériau polysiloxane majoritairement ou en totalité inorganique. Cette couche de protection peut recouvrir notamment une couche métallique réalisée par un dépôt PVD.
Les supports d'objets 22, en particulier les supports satellites 20, forment des électrodes portées à un potentiel différent de celui des électrodes 62. Les électrodes de potentiels différents, généralement opposés, permettent la création d'une décharge électrique de formation du plasma. De façon classique, la décharge électrique est réalisée en courant continu ou à moyenne ou haute fréquence, par exemple radiofréquence ou micro-ondes.
L'installation 10 selon l'invention permet de réaliser différents traitements des objets 22, à savoir un bombardement ionique, un dépôt PVD et un dépôt PECVD dans un ordre quelconque, voire simultanément, ceci sans avoir à décharger les objets 22 contenus dans la chambre à vide 12. De plus, les moyens 44 de bombardement ionique, agencés à l'extérieur de la chambre 12, n'encombrent pas l'intérieur de cette chambre 12, ce qui permet de bénéficier d'un volume relativement important pour loger les objets 22 dans cette chambre 12.
Exemple 1 de séquence de traitement des objets 22.
1. On charge les objets 22 dans la chambre à vide 12.
2. On réalise les niveaux de vide requis dans la chambre 12 et les sas 36, 38 à l'aide des ensembles de pompage primaire 26 et secondaire 28.
3. On ouvre la porte 40 de mise en communication du premier sas 36 avec la chambre 12.
4. On réalise un bombardement ionique des objets 22 (voir figure 2).
5. On ouvre la porte 42 de mise en communication du second sas 38 avec la chambre à vide 12.
6. On réalise simultanément un bombardement ionique et un dépôt PVD (voir figure 3).
7. On ferme la porte 40 de façon à isoler le premier sas 36 de la chambre à vide 12.
8. On réalise un dépôt PVD avec injection d'un gaz réactif (PVD réactif). Ainsi, de façon connue en soi, pendant le dépôt PVD, on injecte le gaz réactif qui réagit avec la vapeur métallique ou la vapeur d'oxyde métallique (par exemple le gaz réactif azote réagit pour former des nitrures ou le gaz réactif oxygène réagit pour former des oxydes).
9. On décharge les objets traités 22.
En général, chaque étape de bombardement d'ions, de dépôt PVD ou de dépôt PECVD est réalisé dans des conditions de vide propres à cette étape. Ainsi, selon les circonstances, entre certaines des étapes ci-dessus, on adapte le niveau de vide dans la chambre 12 grâce aux ensembles de pompage primaire 26 et secondaire 28.
De même, les étapes de dépôt métalliques (PVD) sont généralement contaminantes. Ainsi, le cas échéant, on procède à une vidange de décontamination de la chambre 12 entre deux étapes de traitement.
On notera que lorsqu'un bombardement ionique n'est pas souhaitée, on ferme la porte 40 isolant le premier sas 36 de la chambre à vide 12, ce qui permet de conserver un niveau de vide dans le premier sas 36 jusqu'à une étape ultérieure de bombardement ionique.
On notera également que l'invention permet de réaliser différentes étapes de bombardement d'ions, de dépôt PVD et de dépôt PECVD en évitant tout contact des objets 22 avec l'atmosphère entre les étapes de traitement et donc tout risque d'exposition des objets 22 aux poussières de l'atmosphère entre les étapes de traitement.
On donnera ci-dessous d'autres exemples de séquences de traitement des objets 22 en n'évoquant que les étapes essentielles.
Exemple 2 de séquence de traitement des objets 22.
1. On charge les objets 22 dans la chambre à vide 12.
2. On crée un plasma de décharge luminescente (appelé en anglais " glow discharge ").
3. On réalise sur les objets 22 une sous-couche par dépôt PECVD assisté par plasma.
4. On réalise un bombardement ionique des objets 22.
5. On réalise sur les objets 22 un dépôt PVD.
6. On réalise sur les objets 22 une sur-couche par dépôt PECVD assisté par plasma.
Exemple 3 de séquence de traitement des objets 22.
1. On charge les objets 22 dans la chambre à vide 12.
2. On réalise un bombardement ionique des objets 22.
3. On réalise sur les objets 22 un dépôt PVD.
4. On réalise sur les objets 22 une sur-couche par dépôt PECVD assisté par plasma.
Exemple 4 de séquence de traitement des objets 22.
1. On charge les objets 22 dans la chambre à vide 12.
2. On réalise un bombardement ionique des objets 22.
3. On réalise sur les objets 22 un dépôt PVD.
4. On réalise sur les objets 22 une sur-couche par dépôt PECVD assisté par plasma.
5. On réalise un bombardement ionique des objets 22.
Exemple 5 de séquence de traitement des objets 22.
1. On charge les objets 22 dans la chambre à vide 12.
2. On réalise un bombardement ionique des objets 22.
3. On réalise sur les objets 22 un dépôt PVD.
4. On réalise un bombardement ionique des objets 22.
5. On réalise sur les objets 22 une sur-couche par dépôt PECVD assisté par plasma.
On a représenté sur les figures 4 à 6 une installation 10 selon respectivement des deuxième à quatrième modes de réalisation de l'invention. Sur ces figures 4 à 6, les éléments analogues à ceux des figures précédentes sont désignés par des références identiques.
Dans le deuxième mode de réalisation de l'installation 10 (voir figure 4), les objets 22 sont portés directement par le support planétaire 18. Par ailleurs, l'ensemble de pompage secondaire 28 comprend une pompe turbomoléculaire 66, par exemple montée en parallèle avec la pompe à diffusion 34. La combinaison de ces deux pompes 34, 66 permet d'atteindre plus facilement des niveaux de vide compris entre 10"2 et 10"6 mbar environ.
Dans le troisième mode de réalisation de l'installation 10 (voir figure 5), la chambre à vide 12 est dédiée uniquement au bombardement ionique, les dépôts PVD et PECVD étant réalisés par d'autres moyens qui seront décrits ci-dessous.
La chambre à vide 12 sera appelée par la suite chambre à bombardement ionique 12. La première porte 40 forme des moyens de mise en communication sélective de la chambre à bombardement d'ions et avec le premier sas 36 dans lequel est logé l'applicateur d'ions 48.
La chambre à bombardement ionique 12 est contenue dans une autre chambre à vide 68, dite contenante.
Les moyens 24 de mise sous vide de la chambre 12 comprennent, par exemple, les ensembles de pompage primaire 26 et secondaire 28 similaires à ceux du deuxième mode de réalisation de l'invention. Ces ensembles de pompage primaire 26 et secondaire 28 forment des moyens de mise sous vide indirecte de la chambre à bombardement ionique 12 car ils sont destinés à être raccordés à cette chambre de bombardement ionique 12 par l'intermédiaire de la chambre contenante 68. Éventuellement, des moyens de mise sous vide directe de la chambre à bombardement ionique 12 peuvent être prévus.
L'installation 10 selon le troisième mode de réalisation de l'invention comprend d'autres chambres à vide contenues dans la chambre contenante 68.
Dans l'exemple représenté sur la figure 5, la chambre à bombardement ionique 12 et les autres chambres à vide sont réparties en cercle dans la chambre contenante 68.
En se référant à la figure 5 et au sens horaire, les autres chambres à vide sont :
-une première chambre 70 à dépôt PECVD,
-une chambre 72 à dépôt PVD,
-une seconde chambre 70 à dépôt PECVD, et
-une chambre 74 de chargement/déchargement d'objets.
L'installation 10 selon le troisième mode de réalisation de l'invention comprend également un support mobile 76 destiné à porter les objets 22, déplaçable, par exemple autour d'un axe virtuel X lié à la chambre contenante 68, entre différentes positions de logement des objets 22 dans les différentes chambres 12, 70, 72 et 74.
En variante, les différentes chambres 12, 70, 72 et 74 pourraient être alignées, le support mobile 76 étant dans ce cas déplaçable en translation.
Les chambres 70 à dépôt PECVD, 72 à dépôt PVD et de chargement/déchargement 74 sont raccordées chacune à des moyens de mise sous vide de ces chambres comprenant par exemple les ensembles de pompage primaire 26 et secondaire 28 réalisant une mise sous vide indirecte de ces chambres.
A la différence des modes de réalisation précédents, le second sas 38 est destiné à communiquer avec la chambre 72 à dépôt PVD. Ainsi, la porte 42 permet une mise en communication sélective de la chambre 72 à dépôt PVD avec le second sas 38.
Le vide dans le second sas 38 est réalisé à l'aide de moyens comprenant, par exemple, les ensembles de pompage primaire 26 et secondaire 28 réalisant une mise sous vide indirecte du second sas 38.
Le cas échéant, le vide dans le second sas 38 peut être réalisé à l'aide de moyens indépendants.
La chambre 72 à dépôt PVD comprend des moyens de dépôt PVD de type classique par pulvérisation cathodique sous vide comportant la cible 56 de pulvérisation cathodique logée dans le second sas 38. Les moyens de dépôt PVD comprennent également les moyens 58 d'injection dans la chambre 72 de gaz destiné à la création d'un plasma, par exemple de l'argon.
Chaque chambre 70 à dépôt PECVD comprend les moyens de dépôt PECVD assisté par plasma comportant au moins une électrode, par exemple les deux électrodes 62, et les moyens 64 d'injection dans la chambre 70 de gaz destinés à la création d'un plasma.
L'installation 10 selon le troisième mode de réalisation de l'invention permet de traiter les objets 22 par exemple de la façon suivante.
Tout d'abord, le support mobile 76 est dans une position permettant la réception des objets 22. On charge alors les objets 22 sur le support 76. Puis, on déplace le support 76 d'une chambre à l'autre selon des séquences qui peuvent varier. Enfin, on place le support 76 dans une position permettant la présentation des objets 22 traités dans la chambre 74 afin de permettre le déchargement de ces objets.
Dans le quatrième mode de réalisation (voir figure 6), l'installation 10 comprend un support 78, monté oscillant, à l'aide de moyens classiques, autour d'au moins un axe, de préférence autour de deux axes X, Y sensiblement perpendiculaires, comme cela est représenté sur la figure 6.
Le support 78 porte l'applicateur 48 d'ions qui comporte par exemple des lentilles électrostatiques de mise en forme du faisceau d'ions et un obturateur.
Le support 78 porte également une partie au moins du générateur 46 d'ions, par exemple la source 50 (ou une chambre d'ionisation) et l'accélérateur 52.
Dans ce cas, le sas 36 contient l'applicateur 48 ainsi qu'éventuellement le support 78 et les éléments du générateur 46 portés par ce support 78.
Les oscillations du support 78 autour des axes X, Y permettent la formation d'un faisceau oscillant autour de deux axes sensiblement perpendiculaires, c'est-à-dire la formation d'un cône d'oscillation du faisceau d'ions. Ce cône d'oscillation permet de traiter une surface relativement importante de l'objet 22 logé dans la chambre 12.

Claims

REVENDICATIONS
1. Installation de traitement d'un objet, du type comprenant :
- une chambre à vide (12) , dans laquelle l'objet (22) est destiné à être placé,
- des moyens (24) de mise sous vide de la chambre (12), et
- des moyens (44) de bombardement ionique, destinés à traiter l'objet (22), comprenant un générateur (46) d'ions et au moins un applicateur (48) d'ions destiné à émettre un faisceau d'ions,
caractérisée en ce qu'elle comprend de plus :
- un premier sas (36),
- des moyens (40) de mise en communication sélective de la chambre à vide (12) et du premier sas (36),
- des moyens (24) de mise sous vide de ce premier sas (36),
les moyens de bombardement ionique (44) étant agencés à l'extérieur de la chambre à vide (12), et l'applicateur d'ions (48) étant logé dans le premier sas (36).
2. Installation selon la revendication 1 , dans laquelle l'applicateur d'ions (48) comprend des moyens choisi parmi des lentilles électrostatiques de mise en forme de faisceau d'ions, un diaphragme, un obturateur, un collimateur, un analyseur de faisceau d'ions et un contrôleur de faisceau d'ions.
3. Installation selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle le générateur d'ions (46) comprend des moyens choisi parmi une chambre d'ionisation, une source d'ions (50) à résonance cyclotronique électronique, un accélérateur d'ions (52) et un séparateur d'ions.
4. Installation selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle les moyens (24) de mise sous vide de la chambre (12) comprennent un ensemble de pompage primaire (26) comprenant une pompe mécanique rotative (30) en série avec une pompe de Roots (32).
5. Installation selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle les moyens (24) de mise sous vide de la chambre comprennent un ensemble de pompage secondaire (28) comprenant au moins une pompe choisie parmi une pompe à diffusion (34) et une pompe turbomoléculaire (66).
6. Installation selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle les moyens (44) de bombardement ionique comprennent plusieurs applicateurs (48) d'ions.
7 Installation selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant : - un second sas (38),
- des moyens (42) de mise en communication sélective de la chambre à vide (12) et du second sas (38),
- des moyens (24) de mise sous vide de ce second sas (38), et
- des moyens (54) de dépôt PVD par pulvérisation cathodique sous vide ou par évaporation sous vide comportant:
- des moyens (56) logés dans le second sas (38), comprenant notamment une cible de pulvérisation cathodique ou un matériau à évaporer avec des moyens de chauffage de ce matériau, et - des moyens (58) d'injection dans la chambre à vide (12) de gaz, notamment d'un gaz destiné à la création d'un plasma, par exemple de l'argon, et/ou d'un gaz réactif, par exemple de l'oxygène ou de l'azote.
8. Installation selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant des moyens (60) de dépôt PECVD assisté par plasma comportant : - au moins une électrode (62) destinée à être portée à un potentiel différent de celui de l'objet (22) à traiter, et
- des moyens (64) d'injection dans la chambre à vide (12) de gaz destinés à la création d'un plasma.
9. Installation selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle les moyens de mise sous vide de la chambre et les moyens de mise sous vide de chaque sas comprennent des moyens de pompage communs (26,28).
10. Installation selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant un support planétaire (18) monté rotatif dans la chambre à vide (12) autour d'un axe virtuel (XP) lié à cette chambre (12), ce support planétaire (18) portant de préférence plusieurs supports satellites (20) d'objets, chaque support satellite (20) étant monté rotatif autour d'un axe virtuel (XS) lié à ce support planétaire (18).
11. Installation selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans laquelle la chambre à vide (12), dite chambre à bombardement ionique, est logée dans une autre chambre à vide, dite contenante (68), les moyens de mise sous vide de la chambre à bombardement ionique (12) comprenant des moyens (26, 28) de mise sous vide indirecte raccordés à cette chambre à bombardement ionique (12) par la chambre contenante (68) et, de préférence, des moyens de mise sous vide directe de la chambre à bombardement ionique (12).
12. Installation selon la revendication 11 , comprenant :
- au moins une chambre (72) à dépôt PVD, logée dans la chambre contenante (68),
- un support mobile (76), destiné à porter l'objet à traiter (22), déplaçable entre une position de logement de l'objet (22) dans la chambre à bombardement ionique (12) et une position de logement de l'objet dans la chambre (72) à dépôt PVD,
- des moyens (26, 28) de mise sous vide de la chambre (72) à dépôt PVD,
- un second sas (38),
- des moyens (42) de mise en communication sélective de la chambre (72) à dépôt PVD et du second sas (38),
- des moyens (26, 28) de mise sous vide de ce second sas (38), et
- des moyens (54) de dépôt PVD par pulvérisation cathodique sous vide ou par évaporation sous vide comportant :
- des moyens (56) logés dans le second sas (38), comprenant notamment une cible de pulvérisation cathodique ou un matériau à évaporer avec des moyens de chauffage de ce matériau, et
- des moyens (58) d'injection dans la chambre à vide (12) de gaz, notamment d'un gaz destiné à la création d'un plasma, par exemple de l'argon, et/ou d'un gaz réactif, par exemple de l'oxygène ou de l'azote.
13. Installation selon la revendication 11 ou 12, comprenant :
- au moins une chambre (70) à dépôt PECVD, logée dans la chambre contenante (68), le support mobile (76) étant déplaçable également jusqu'à une position de logement de l'objet (22) dans la chambre (70) à dépôt PECVD,
- des moyens (26, 28) de mise sous vide de la chambre à dépôt PECVD,
- des moyens de dépôt PECVD assisté par plasma comportant :
- au moins une électrode (62) destinée à être portée à un potentiel différent de celui de l'objet (22) à traiter, et
- des moyens (64) d'injection dans la chambre à vide de gaz destinés à la création d'un plasma.
14. Installation selon l'une quelconque des revendications 11 à 13, comprenant :
- au moins une chambre (74) de chargement/déchargement d'objet, logée dans la chambre contenante (68), le support mobile (76) étant déplaçable également jusqu'à une position de réception/présentation dans la chambre (74) de chargement/déchargement,
- des moyens (26, 28) de mise sous vide de la chambre (74) de chargement/déchargement.
15. Installation selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant un support (78), monté oscillant autour d'au moins un axe (X), de préférence autour de deux axes (X, Y) sensiblement perpendiculaires, portant l'applicateur (48) d'ions et une partie au moins du générateur (46) d'ions, de façon à permettre la formation d'un faisceau oscillant autour d'au moins un axe, de préférence autour de deux axes sensiblement perpendiculaires.
16. Utilisation d'une installation (10) selon l'une quelconque des revendications précédentes pour le traitement d'un objet (22) en polymère.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103486090A (zh) * 2012-06-14 2014-01-01 浙江五环钛业股份有限公司 一种真空自耗炉冷却节能装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108419356B (zh) * 2018-05-16 2023-09-22 中国工程物理研究院流体物理研究所 用于提升回旋加速器内离子源寿命的方法及离子源设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346301A (en) * 1979-07-30 1982-08-24 Hughes Aircraft Company Ion implantation system
JP2000087234A (ja) * 1998-09-10 2000-03-28 Tokio Nakada 化合物膜の製造装置および化合物膜の製造方法
WO2007089216A1 (fr) * 2005-09-01 2007-08-09 Gorokhovsky Vladimir I Procédé de dépôt en phase vapeur à plasma et appareil utilisant une commande polarisée bipolaire
FR2899242A1 (fr) 2007-04-05 2007-10-05 Quertech Ingenierie Sarl Procede de durcissement par implantation d'ions d'helium dans une piece metallique
US20070262271A1 (en) * 2006-05-12 2007-11-15 Axcelis Technologies, Inc. Ribbon beam ion implanter cluster tool

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4439463A (en) * 1982-02-18 1984-03-27 Atlantic Richfield Company Plasma assisted deposition system
FR2802900B1 (fr) * 1999-12-23 2002-05-24 Cebal Tube souple revetu interieurement d'une couche a effet barriere de diffusion aux gaz et aux aromes
GB2360530A (en) * 2000-03-25 2001-09-26 Plasma Quest Ltd High target utilisation sputtering system with remote plasma source
US6413380B1 (en) * 2000-08-14 2002-07-02 International Business Machines Corporation Method and apparatus for providing deposited layer structures and articles so produced

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346301A (en) * 1979-07-30 1982-08-24 Hughes Aircraft Company Ion implantation system
JP2000087234A (ja) * 1998-09-10 2000-03-28 Tokio Nakada 化合物膜の製造装置および化合物膜の製造方法
WO2007089216A1 (fr) * 2005-09-01 2007-08-09 Gorokhovsky Vladimir I Procédé de dépôt en phase vapeur à plasma et appareil utilisant une commande polarisée bipolaire
US20070262271A1 (en) * 2006-05-12 2007-11-15 Axcelis Technologies, Inc. Ribbon beam ion implanter cluster tool
FR2899242A1 (fr) 2007-04-05 2007-10-05 Quertech Ingenierie Sarl Procede de durcissement par implantation d'ions d'helium dans une piece metallique

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2619346A1

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103486090A (zh) * 2012-06-14 2014-01-01 浙江五环钛业股份有限公司 一种真空自耗炉冷却节能装置

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