WO2012004249A1 - Composant electronique en boîtier ceramique - Google Patents

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Jérôme VANRUMBEKE
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    • H01L2924/166—Material
    • H01L2924/16786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/16788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance

Definitions

  • the invention relates to the mounting of electronic components in a housing, and more particularly to the mounting of integrated circuit chips of large dimensions in a ceramic housing.
  • Ceramic housings lend themselves to these applications because of their intrinsic qualities. They are made by superposition of pre-cut raw ceramic sheets with screen-printed conductive layers. These layers serve to constitute the various conductive interconnections necessary for the operation of the component.
  • the overall shape of the housing and the shape of the cavity that will contain an integrated circuit chip are defined by the individual shapes of the cutouts of each raw ceramic sheet.
  • the connection pads that electrically connect the chip to the housing are portions of the screen printed conductive layers not covered by another layer of raw ceramic in the superposition. The connection pads are distributed around the chip, on one or more sides thereof, and wires are soldered between these pads and the chip.
  • the stack of raw ceramic sheets, with their conductive interconnections and their connection pads, is fired at high temperature to form a ceramic housing with a cavity.
  • the bottom of the cavity is then rectified by grinding to meet strict standards of flatness and parallelism between the rear face of the housing and the bottom of the cavity; these standards are required in certain applications (typically: flatness and parallelism defects not exceeding 20 micrometers).
  • the chip is stuck in the rectified bottom of the cavity.
  • Conductive wires are soldered between chip pads and the different connection pads of the case.
  • the housing is hermetically sealed by a hood; the cover is a transparent glass plate at useful wavelengths when the circuit is an image sensor.
  • the step of rectification of the bottom of the cavity poses a mechanical problem: it is done by horizontal grinding, for example with a diamond wheel; vertical milling would not achieve a good flatness. But the bottom of the cavity can not be completely machined by grinding: a leave or rounded machining related to the shape of the grinding wheel remains in the corners of the cavity; there is a small fillet in the direction perpendicular to the displacement of the grinding wheel, and a much larger fillet, related to the diameter of the grinding wheel, in the direction of displacement. The length of the machined bottom of the cavity in the direction of movement of the grinding wheel will be reduced accordingly. If the bottom of the cavity is rectangular, it will be machined by moving the wheel in the direction of the long sides.
  • machining fillet a space of several millimeters must be left between the end of the machining fillet and the edge of the cavity of the housing, to allow lowering the grinding wheel before machining and to recover after machining without touching the edges of the cavity.
  • the entire machining fillet and the space to be left free form a machining margin or dead zone of about 5 or 6 millimeters at the end of each of the long sides of the housing.
  • connection pads are located exclusively on the long sides of the chip, the presence of machining leave is not very troublesome.
  • the connection pads are placed on a stair step or "wire-bond deck" placed along the long side of the cavity and the long sides of the chip can be close enough to the sidewalk Welding.
  • the connection pads are never located at the same height as the bottom of the housing (the base on which the chip rests) to avoid damaging the connection pads during the grinding operation. But if there are connection pads along the short sides of the chip, the distance between the connection pads of the housing and the chip is greater because of the machining margin of 5 or 6 millimeters it keep between the sidewalk and the chip.
  • the solder wires must therefore be longer than those used along the long sides. For these longer son it may lead to unacceptable fragility in some cases (space applications in particular where vibrations and accelerations can cause breaks or short circuits between adjacent wires) and an unacceptable increase in the inductance of the connections.
  • this increase in the distance between the chip and the connections makes it necessary to increase the length of the casing accordingly (with respect to a casing in which there would be no connections on the short sides).
  • the length of the case may become greater than the possibilities provided by the case manufacturers.
  • the increase in length also means an increase in weight, which is particularly harmful in space applications.
  • connection pads on all sides of the chip to better distribute them when they are very numerous. In some specific cases, it may even be desirable to have connections only on the short sides of a chip.
  • connection pads located on the short sides are placed on a stair step or "wire-bond deck" surrounding the bottom of the cavity, it is expected that they are placed at the same height as the bottom of the cavity (height before grinding) but that they are separated by a trench.
  • the back side of the chip is glued to the bottom of the rectified cavity and the trench prevents the risk of overflow of glue or solvent glue on the connection pads.
  • the dead zone necessary for machining by horizontal grinding must be respected between the chip and the edge of the cavity but not between the chip and a weld sidewalk. It is therefore possible to use welding wires of acceptable dimensions even in space applications.
  • the subject of the invention is an electronic component comprising an integrated circuit chip mounted in a cavity of a ceramic package, wherein the cavity comprises a first grinding ground flat area on which the chip is bonded, a second planar zone surrounding the first zone and at a height level slightly greater than the first zone, a third flat zone situated along one side of the chip and provided with screen-printed electrical connection pads on which the ends of the wires are welded. connection connecting the chip to the housing, characterized in that the third zone is at the same height level as the second zone, and in that a trench, whose bottom is deeper than the level of the first zone, separates completely. the second and the third zone all along said side.
  • the side considered is a small side of the chip if the case is lying. It can be both small sides.
  • a conventional solder sidewalk may be provided, i.e. a fourth flat area, provided with serigraphed connection pads on which are soldered connection wires connecting the chip to the housing; the fourth zone has a height greater than the second and third zones. But we can also predict that the four sides have no sidewalk welding.
  • the subject of the invention is also a method for manufacturing an electronic component, comprising the production of a ceramic case with serigraphed connection pads around a first flat central zone intended to receive the rear face of a chip of integrated circuit, the grinding grinding of this first planar area, leaving a second unreflected flat area around the chip, the bonding of the chip to the first rectified flat area, and the soldering of connection wires between the chip and the connection pads of the housing, the connection pads located along at least one side of the chip being formed on a third planar area, characterized in that the height level of the first zone is the same as the level of the second zone and the third zone before the rectification operation, and is slightly lower than that of the second and third zones after the grinding operation, and in that the second zone is separated from the third zone by a trench all along the said side, the level of the bottom of the trench being deeper than the level of the trench. the first rectified area.
  • This trench is preferably formed before the grinding operation; in practice, the ceramic housing is formed by stacking precut raw ceramic sheets then baking the stack, and the trench is formed by cutting one of the ceramic sheets.
  • FIG. 1 shows a vertical section of a ceramic housing containing a chip
  • FIG. 2 shows an enlarged sectional view, parallel to a small side
  • FIG. 3 represents an enlarged sectional view, parallel to a long side, showing the length necessary for a connection wire
  • FIG. 4 represents a view similar to that of FIG. 3 but using the solution according to the invention.
  • FIG. 1 a ceramic casing is shown, with a body 10 composed of cemented ceramic sheets, connection pins 20, a chip 30 in a cavity of the casing, electrically connected to the pins 20, and a plate 40 of closing the cavity, glued to the upper part of the housing.
  • the plate 40 is a glass plate in the case of a visible image capture chip.
  • the ceramic case is conventionally formed by stacking precut raw ceramic sheets at the location of the cavity so that the stack of blanks gives the desired shape to the cavity.
  • the raw ceramic sheets have screen printed electrical interconnections, cooked with the ceramic. Among these interconnections, stripped connection pads (not covered by a ceramic sheet) are provided to allow solder wires between the chip and the housing.
  • Figure 2 shows an enlarged detail showing the electrical connection between the chip and the housing. The cut is made parallel to a small side of the chip, so that we see the connection by a welding wire between a chip of the chip and a connection range of the housing located on a large side of the chip.
  • the cavity is in the form of a bowl with several levels, among which are considered zones on three levels: a first zone Z1 on a first height level A1 which constitutes the bottom of the cavity after the grinding rectification operation; the chip 30 is glued by an adhesive 140 in the zone Z1; a second zone Z2 surrounding the first zone which is at a second level A2 slightly above the level of the zone Z1; the second level is the level of the bottom of the cavity immediately after firing the ceramic but before the grinding operation.
  • the difference between levels A1 and A2 can be about 0.25 millimeters.
  • Zone Z2 thus represents the non-rectified portion of the bottom of the cavity; it results from the fact that the grinding wheel can not access all the parts of the bottom of the cavity and that side margins must be left for the passage of the grinding wheel.
  • a third zone Z3 surrounds the second zone Z2 and is at a third level A3, higher than the first level; it constitutes a stairway or sidewalk of peripheral welding which carries the bare connection pads of the housing.
  • a range 120 is visible in Figure 2, and a conductive wire 130 is welded between this range and a connection pad of the chip.
  • the third level zone Z3 runs along zone Z2 on the long sides of the chip (or on one long side if all connections are on one of the two long sides).
  • Figure 2 This arrangement of Figure 2 is the one adopted for the long sides of the chip. But it is difficult to use for the small sides.
  • Figure 3 shows a section along a plane parallel to the long sides showing what would happen if we adopted the same provision for a connection on the short sides.
  • the distance D between the edge of the chip 30 and the edge of the sidewalk is the sum of three safety distances Ma, Mb and Me Ma is a margin for housing the chip in the cavity; it can be for example between 0.5 and 1 mm; this margin was also planned in Figure 2.
  • Mb is the margin due to longitudinal grinding fillet; it is related to the diameter of the grinding wheel and corresponds to a transition zone ⁇ in which the bottom of the cavity progressively descends from the non-rectified level A2 to the rectified level A1; it can be about 1.5 mm long in the direction of advance of the grinding wheel; the margin Mb is not necessary in Figure 2 because the direction of advance of the grinding wheel is the direction of the long sides and the machining lateral fillet is very small.
  • Me is a longitudinal safety margin to allow the descent and rise of the grinding wheel at the beginning and at the end of the operation without touching the sidewalk; it is about 2 millimeters; this margin can be much lower in the transverse direction (as in Figure 2).
  • Figure 4 shows the structure of the short sides of the housing according to the invention. The cut is parallel to the long sides as in Figure 3.
  • zone Z1 in which the chip is glued the level A1 of zone Z1 is the level of the bottom of the cavity after the grinding operation by horizontal grinding;
  • zone Z2 not rectified which surrounds zone Z1 on all its periphery; its level A2 is the level of the bottom of the cavity before the grinding operation; it is slightly higher than that of zone Z1;
  • zone Z3 carrying the connection pads along a short side; this zone is at the same level A2 as the second zone Z2, contrary to the configuration of FIG. 3; there is therefore no sidewalk unlike what is always done in large ceramic housings having a ground ground by grinding;
  • a trench 1 50 which completely separates the zone Z2 and the zone Z3 along the short side considered; this trench defines a fourth zone Z4 between zones Z2 and Z3; the level of the bottom of the trench is lower than the level A1 of the bottom of the rectified cavity.
  • the trench is preferably made before the grinding operation. Since the housing is formed by stacking precut raw ceramic sheets and then baking the stack, it is preferably provided that the trench is formed by cutting one of the ceramic sheets. Its depth can be about 0.5 millimeters.
  • the trench makes it possible to prevent the adhesive 140 or the solvents of the glue from flowing to the conductive connection pads 120, with the risk of damaging them.
  • connection wire 130 is significantly reduced compared with FIG. 3: although the sum of the safety margins Ma, Mb, and Me is the same as in FIG. 3, the margin Me is now provided between the chip and the inner edge of the cavity and no longer between the chip and the sidewalk edge of the weld.
  • the length of the lead wire can be decreased by the width of the sidewalk, i.e., about 1.5 to 2 millimeters.
  • a weld sidewalk is used at a height A3 greater than the level A2, exactly as in FIG.
  • the invention is applicable in cases where the connections are exclusively on the short sides.

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Abstract

L'invention concerne les composants en boîtiers de céramique pour des puces de grande dimension. On propose un composant électronique comprenant une puce de circuit-intégré (30) montée dans une cavité d'un boîtier céramique (10), dans lequel la cavité comprend une première zone plane (Z1 ) rectifiée par meulage, sur laquelle est collée la puce, une deuxième zone plane (Z2) entourant la première zone et à un niveau légèrement supérieur à la première zone, une troisième zone plane (Z3) située le long d'un côté de la puce et pourvue de plages de connexion électrique sérigraphiées (120) sur lesquelles sont soudées les extrémités de fils de connexion (130) reliant la puce au boîtier. La troisième zone (Z3) est au même niveau de hauteur que la deuxième zone, et une tranchée (150), dont le fond est plus profond que le niveau de la première zone, sépare complètement la deuxième et la troisième zone tout le long dudit côté. Cela permet de raccourcir les fils de connexion sans risquer une dégradation des plages de connexion par les solvants de la colle.

Description

COMPOSANT ELECTRONIQUE EN BOÎTIER CERAMIQUE
L'invention concerne le montage de composants électroniques dans un boîtier, et plus particulièrement le montage de puces de circuit- intégré de grandes dimensions dans un boîtier de céramique.
Les composants de grande dimension en boîtier céramique sont des composants coûteux destinés à des applications sophistiquées. Il s'agit par exemple de capteurs d'image CCD ou CMOS destinés à être embarqués dans des satellites. La qualité de fabrication, le rendement, et le respect de normes sévères sont des paramètres importants pour ces applications.
Les boîtiers de céramique se prêtent à ces applications en raison de leurs qualités intrinsèques. Ils sont fabriqués par superposition de feuilles de céramique crue prédécoupées portant des couches conductrices sérigraphiées. Ces couches servent à constituer les différentes interconnexions conductrices nécessaires au fonctionnement du composant. La forme générale du boîtier et la forme de la cavité qui contiendra une puce de circuit intégré sont définies par les formes individuelles des découpes de chaque feuille de céramique crue. Les plages de connexion qui permettent de relier électriquement la puce au boîtier sont des portions des couches conductrices sérigraphiées non recouvertes par une autre couche de céramique crue dans la superposition. Les plages de connexion sont distribuées autour de la puce, sur un ou plusieurs côtés de celle-ci, et des fils sont soudés entre ces plages et la puce.
L'empilement de feuilles de céramique crue, avec leurs interconnexions conductrices et leurs plages de connexion, est cuit à haute température pour former un boîtier de céramique avec une cavité. Le fond de la cavité est ensuite rectifié par meulage pour respecter des normes sévères de planéité et de parallélisme entre la face arrière du boîtier et le fond de la cavité ; ces normes sont exigées dans certaines applications (typiquement : des défauts de planéité et de parallélisme n'excédant pas 20 micromètres). Puis, la puce est collée dans le fond rectifié de la cavité. Des fils conducteurs sont soudés entre des plots de la puce et les différentes plages de connexion du boîtier. Enfin, le boîtier est fermé hermétiquement par un capot ; le capot est une plaque de verre transparente aux longueurs d'onde utiles lorsque le circuit est un capteur d'image.
L'étape de rectification du fond de la cavité pose un problème mécanique : elle se fait par meulage horizontal, par exemple avec une roue diamantée ; un fraisage vertical ne permettrait pas d'atteindre une bonne planéité. Mais le fond de la cavité ne peut pas être totalement usiné par meulage : un congé ou arrondi d'usinage lié à la forme de la meule subsiste dans les coins de la cavité ; il y a un petit congé dans le sens perpendiculaire au déplacement de la meule, et un congé beaucoup plus grand, lié au diamètre de la meule, dans le sens du déplacement. La longueur du fond usiné de la cavité dans le sens du déplacement de la meule sera diminuée en conséquence. Si le fond de la cavité est rectangulaire, on fera l'usinage en déplaçant la meule dans le sens des grands côtés. Ce sont donc les grands côtés de la cavité qui auront une longueur réduite. Dans ce qui suit on parlera de grands côtés et petits côtés de la cavité ou de la puce même si la cavité et la puce sont carrées, le grand côté se référant au sens de déplacement de la meule lors de l'opération de rectification.
De plus, un espace de plusieurs millimètres doit être laissé entre l'extrémité du congé d'usinage et le bord de la cavité du boîtier, pour permettre d'abaisser la meule avant usinage et de la relever après usinage sans toucher les bords de la cavité. L'ensemble du congé d'usinage et de l'espace qu'il faut laisser libre forme une marge d'usinage ou zone morte d'environ 5 ou 6 millimètres à l'extrémité de chacun des grands côtés du boîtier.
Lorsque les plages de connexion sont situées exclusivement sur les grands côtés de la puce, la présence des congés d'usinage n'est pas très gênante. Les plages de connexion sont placées sur une marche d'escalier ou "trottoir de soudure" (en anglais "wire-bond deck") placé le long du long côté de la cavité et les grands côtés de la puce peuvent être suffisamment proches du trottoir de soudure. Les plages de connexion ne sont jamais situées à la même hauteur que le fond du boîtier (fond sur lequel repose la puce) pour ne pas risquer de détériorer les plages de connexion lors de l'opération de meulage. Mais s'il y a des plages de connexion le long des petits côtés de la puce, la distance entre les plages de connexion du boîtier et la puce est plus grande à cause de la marge d'usinage de 5 ou 6 millimètres qu'il faut garder entre le trottoir de soudure et la puce. Les fils de soudure doivent donc être plus longs que ceux qui sont utilisés le long des grands côtés. Pour ces fils plus longs on risque d'aboutir à une fragilité inacceptable dans certains cas (applications spatiales notamment dans lesquelles les vibrations et accélérations peuvent engendrer ruptures ou courts-circuits entre fils adjacents) et une augmentation inacceptable de l'inductance des connexions.
Par ailleurs, cette augmentation de la distance entre la puce et les connexions oblige à augmenter en conséquence la longueur du boîtier (par rapport à un boîtier dans lequel il n'y aurait pas de connexions sur les petits côtés). Pour des très grandes puces telles que des capteurs d'image linéaire de grande dimension, la longueur du boîtier peut devenir supérieure aux possibilités prévues par les fabricants de boîtier. L'augmentation de longueur signifie aussi une augmentation de poids, néfaste notamment dans les applications spatiales.
C'est une des raisons pour lesquelles, par exemple pour des barrettes de capture d'image allongées destinées à être embarquées dans des satellites, on s'est le plus souvent interdit de placer des fils de connexion le long des petits côtés de la puce.
Cependant, on souhaiterait pouvoir mettre des plages de connexion sur tous les côtés de la puce pour mieux les répartir lorsqu'elles sont très nombreuses. Dans certains cas spécifiques, on peut même souhaiter n'avoir des connexions que sur les petits côtés d'une puce.
Selon l'invention, au lieu de prévoir que les plages de connexion situées sur les petits côtés sont placées sur une marche d'escalier ou "trottoir de soudure" (en anglais "wire-bond deck") entourant le fond de la cavité, on prévoit qu'elles sont placées à la même hauteur que le fond de la cavité (hauteur avant meulage) mais qu'elles en sont séparées par une tranchée. La face arrière de la puce est collée au fond de la cavité rectifiée et la tranchée empêche le risque de débordement de la colle ou des solvants de la colle sur les plages de connexion. La zone morte nécessaire à l'usinage par meulage horizontal doit être respectée entre la puce et le bord de la cavité mais pas entre la puce et un trottoir de soudure. On peut donc utiliser des fils de soudure de dimensions acceptables même dans des applications spatiales.
Par conséquent, l'invention a pour objet un composant électronique comprenant une puce de circuit-intégré montée dans une cavité d'un boîtier céramique, dans lequel la cavité comprend une première zone plane rectifiée par meulage, sur laquelle est collée la puce, une deuxième zone plane entourant la première zone et à un niveau de hauteur légèrement supérieur à la première zone, une troisième zone plane située le long d'un côté de la puce et pourvue de plages de connexion électrique sérigraphiées sur lesquelles sont soudées les extrémités de fils de connexion reliant la puce au boîtier, caractérisé en ce que la troisième zone est au même niveau de hauteur que la deuxième zone, et en ce qu'une tranchée, dont le fond est plus profond que le niveau de la première zone, sépare complètement la deuxième et la troisième zone tout le long dudit côté.
Le côté considéré est un petit côté de la puce si le boîtier est allongé. Ce peut être les deux petits côtés. Sur les grands côtés un trottoir de soudure classique peut être prévu, c'est-à-dire une quatrième zone plane, pourvue de plages de connexion sérigraphiées sur lesquelles sont soudés des fils de connexion reliant la puce au boîtier ; la quatrième zone a une hauteur supérieure à la deuxième et la troisième zones. Mais on peut aussi prévoir que les quatre côtés sont dépourvus de trottoir de soudure.
L'invention a également pour objet un procédé de fabrication d'un composant électronique, comprenant la réalisation d'un boîtier céramique avec des plages de connexion sérigraphiées autour d'une première zone centrale plane destinée à recevoir la face arrière d'une puce de circuit intégré, la rectification par meulage de cette première zone plane, en laissant subsister une deuxième zone plane non rectifiée autour de la puce, le collage de la puce sur la première zone plane rectifiée, et la soudure de fils de connexion entre la puce et les plages de connexion du boîtier, les plages de connexion situées le long d'au moins un côté de la puce étant formées sur une troisième zone plane, caractérisé en ce que le niveau de hauteur de la première zone est la même que le niveau de la deuxième zone et de la troisième zone avant l'opération de rectification, et est légèrement inférieur à celui des deuxième et troisième zones après l'opération de rectification, et en ce que la deuxième zone est séparée de la troisième par une tranchée sur tout le long du dit côté, le niveau du fond de la tranchée étant plus profond que le niveau de la première zone rectifiée.
Cette tranchée est formée de préférence avant l'opération de rectification ; en pratique, le boîtier de céramique est formé par empilement de feuilles de céramique crue prédécoupées puis cuisson de l'empilement, et la tranchée est formée par découpe de l'une des feuilles de céramique. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui suit et qui est faite en référence aux dessins annexés dans lesquels :
- la figure 1 représente une coupe verticale d'un boîtier céramique contenant une puce ;
- la figure 2 représente une vue en coupe agrandie, parallèle à un petit côté ;
- la figure 3 représente une vue en coupe agrandie, parallèlement à un grand côté, montrant la longueur nécessaire pour un fil de connexion ;
- la figure 4 représente une vue analogue à celle de la figure 3 mais utilisant la solution selon l'invention.
Sur la figure 1 , un boîtier de céramique est représenté, avec un corps 1 0 composé de feuilles de céramique cocuites, des broches de connexion 20, une puce 30 dans une cavité du boîtier, reliée électriquement aux broches 20, et une plaque 40 de fermeture de la cavité, collée à la partie supérieure du boîtier. La plaque 40 est une plaque de verre dans le cas d'une puce de capture d'image visible.
Le boîtier de céramique est formé classiquement par empilement de feuilles de céramique crue prédécoupées à l'endroit de la cavité de manière que l'empilement des découpes donne la forme désirée à la cavité.
Les feuilles de céramique crue portent des interconnexions électriques sérigraphiées, cuites avec la céramique. Parmi ces interconnexions, des plages de connexion dénudées (non recouvertes par une feuille de céramique) sont prévues pour permettre la soudure de fils de liaison entre la puce et le boîtier. La figure 2 représente un détail agrandi montrant la liaison électrique entre la puce et le boîtier. La coupe est faite parallèlement à un petit côté de la puce, de sorte qu'on voit la liaison par un fil de soudure entre un plot de la puce et une plage de connexion du boîtier située sur un grand côté de la puce. La cavité est en forme de cuvette à plusieurs niveaux parmi lesquels on considérera des zones sur trois niveaux : une première zone Z1 sur un premier niveau de hauteur A1 qui constitue le fond de la cavité après l'opération de rectification par meulage ; la puce 30 est collée par une colle 140 dans la zone Z1 ; une deuxième zone Z2 qui entoure la première zone qui est à une deuxième niveau A2 légèrement au-dessus du niveau de la zone Z1 ; le deuxième niveau est le niveau du fond de la cavité immédiatement après cuisson de la céramique mais avant l'opération de meulage. La différence entre les niveaux A1 et A2 peut être d'environ 0,25 millimètre. La zone Z2 représente donc la partie non rectifiée du fond de la cavité ; elle résulte du fait que la meule ne peut pas accéder à toutes les parties du fond de la cavité et qu'il faut laisser des marges latérales pour le passage de la meule.
Une troisième zone Z3 entoure la deuxième zone Z2 et est à un troisième niveau A3, plus élevé que le premier niveau ; elle constitue une marche d'escalier ou trottoir de soudure périphérique qui porte les plages de connexion dénudées du boîtier. Une plage 120 est visible sur la figure 2, et un fil conducteur 130 est soudé entre cette plage et un plot de connexion de la puce. La zone Z3 de troisième niveau longe la zone Z2 sur les grands côtés de la puce (ou sur un seul grand côté si toutes les connexions se font sur un seul des deux grands côtés).
Cette disposition de la figure 2 est celle qui est adoptée pour les grands côtés de la puce. Mais elle s'avère difficile à utiliser pour les petits côtés. La figure 3 représente une coupe selon un plan parallèle aux grands côtés montrant ce qui se passerait si on adoptait la même disposition pour une connexion sur les petits côtés.
A cause du fait que la meule se déplace parallèlement aux grands côtés, il devient nécessaire de prévoir que la distance D entre le bord de la puce 30 et le bord du trottoir de soudure est la somme de trois distances de sécurité Ma, Mb et Me. Ma est une marge pour loger la puce dans la cavité ; elle peut faire par exemple entre 0,5 et 1 mm ; cette marge était prévue aussi sur la figure 2. Mb est la marge due au congé longitudinal de meulage ; elle est liée au diamètre de la meule et correspond à une zone de transition ΖΊ dans laquelle le fond de la cavité descend progressivement du niveau non rectifié A2 au niveau rectifié A1 ; elle peut faire environ 1 ,5 mm de long dans la direction d'avance de la meule ; la marge Mb n'est pas nécessaire sur la figure 2 car la direction d'avance de la roue de meulage est la direction des grands côtés et le congé latéral d'usinage est très faible. Enfin, Me est une marge de sécurité longitudinale pour permettre la descente et la montée de la roue de meulage au début et à la fin de l'opération sans toucher le trottoir de soudure ; elle est d'environ 2 millimètres ; cette marge peut être beaucoup plus faible dans le sens transversal (comme sur la figure 2).
Au total, la distance D=Ma+Mb+Mc entre la puce et le trottoir de soudure sur les petits côtés impose d'utiliser des fils de connexion de plus de 6 millimètres, ce qui est trop pour certaines applications. C'est pourquoi on évitait dans le passé de mettre des connexions sur les petits côtés dans ces applications.
La figure 4 représente la structure des petits côtés du boîtier selon l'invention. La coupe est parallèle aux grands côtés comme à la figure 3.
Sur la figure 4, on distingue :
- la zone Z1 dans laquelle est collée la puce ; le niveau A1 de la zone Z1 est le niveau du fond de la cavité après l'opération de rectification par meulage horizontal ;
- la zone Z2 non rectifiée qui entoure la zone Z1 sur toute sa périphérie ; son niveau A2 est le niveau du fond de la cavité avant l'opération de rectification ; il est légèrement supérieur à celui de la zone Z1 ;
- la zone de transition ΖΊ entre les deux zones Z1 et Z2, qui est le congé longitudinal formé par la meule, dont la pente est en relation avec le diamètre de la meule ;
- la zone Z3 portant les plages de connexion le long d'un petit côté ; cette zone est au même niveau A2 que la deuxième zone Z2, contrairement à la configuration de la figure 3 ; il n'y a donc pas de trottoir de soudure contrairement à ce qui se fait toujours dans les boîtiers de céramique de grande dimension ayant un fond rectifié par meulage ;
- et enfin une tranchée 1 50 qui sépare complètement la zone Z2 et la zone Z3 le long du petit côté considéré ; cette tranchée définit une quatrième zone Z4 entre les zones Z2 et Z3 ; le niveau du fond de la tranchée est inférieur au niveau A1 du fond de la cavité rectifiée.
La tranchée est de préférence réalisée avant l'opération de rectification. Comme le boîtier est formé par empilement de feuilles de céramique crue prédécoupées puis cuisson de l'empilement, on prévoit de préférence que la tranchée est formée par une découpe de l'une des feuilles de céramique. Sa profondeur peut être d'environ 0,5 millimètre.
La tranchée permet d'éviter que la colle 140 ou les solvants de la colle ne coulent jusqu'aux plages de connexion conductrices 120 en risquant de les détériorer.
La longueur du fil de connexion 130 est notablement réduite par rapport à la figure 3 : bien que la somme des marges de sécurité Ma, Mb, et Me soit la même qu'à la figure 3, la marge Me est maintenant prévue entre la puce et le bord intérieur de la cavité et non plus entre la puce et le bord du trottoir de soudure. La longueur du fil de connexion peut être diminuée de la largeur du trottoir, c'est-à-dire environ 1 ,5 à 2 millimètres.
En ce qui concerne la soudure de fils de liaison entre la puce et le boîtier sur les grands côtés de la puce, on peut prévoir deux solutions.
Dans une première solution, on utilise un trottoir de soudure à une hauteur A3 supérieure au niveau A2, exactement comme à la figure 2.
Dans une deuxième solution, on adopte pour les grands côtés la même configuration que celle des petits côtés (figure 4) avec des plages de connexion dans une zone Z3 au niveau A2 et une tranchée entre la zone Z2 et la zone Z3, avec cependant cette différence par rapport à la figure 4 qu'il n'y a pas de zone de transition ΖΊ (ou une zone extrêmement réduite qui est le congé latéral d'usinage de la meule).
L'invention est applicable dans les cas où les connexions sont exclusivement sur les petits côtés.

Claims

REVENDICATIONS
1 . Composant électronique comprenant une puce de circuit- intégré (30) montée dans une cavité d'un boîtier céramique (1 0), dans lequel la cavité comprend une première zone plane (Z1 ) rectifiée par meulage, sur laquelle est collée la puce, une deuxième zone plane (Z2) entourant la première zone et à un niveau légèrement supérieur à la première zone, une troisième zone plane (Z3) située le long d'un côté de la puce et pourvue de plages de connexion électrique sérigraphiées (1 20) sur lesquelles sont soudées les extrémités de fils de connexion (130) reliant la puce au boîtier, caractérisé en ce que la troisième zone est au même niveau de hauteur que la deuxième zone, et en ce qu'une tranchée (150), dont le fond est plus profond que le niveau de la première zone, sépare complètement la deuxième et la troisième zone tout le long dudit côté.
2. Composant électronique selon la revendication 1 , caractérisé en ce que la puce est une puce allongée ayant deux grands côtés et deux petits côtés, et en ce que le côté considéré est un petit côté de la puce.
3. Composant électronique selon la revendication 2, caractérisé en ce que la deuxième zone, la troisième zone, et la tranchée sont prévues le long de chacun des deux petits côtés de la puce.
4. Composant électronique selon l'une des revendications 2 et 3, caractérisé en ce que le boîtier comprend une quatrième zone plane, pourvue de plages de connexion sérigraphiées sur lesquelles sont soudés des fils de connexion reliant la puce au boîtier, la quatrième zone s'étendant le long d'un grand côté de la puce et ayant un niveau de hauteur supérieur à celui des deuxième et troisième zones.
5. Procédé de fabrication d'un composant électronique, comprenant la réalisation d'un boîtier céramique (10) avec des plages de connexion (1 20) sérigraphiées autour d'une première zone centrale plane (Z1 ) destinée à recevoir la face arrière d'une puce (30) de circuit intégré, la rectification par meulage de cette première zone plane, en laissant subsister une deuxième zone plane (Z2) non rectifiée autour de la puce, le collage de la puce sur la première zone plane rectifiée, et la soudure de fils de connexion (1 30) entre la puce et les plages de connexion du boîtier, les plages de connexion situées le long d'au moins un côté de la puce étant formées sur une troisième zone plane (Z3), caractérisé en ce que le niveau de la première zone est le même que le niveau de la deuxième zone et de la troisième zone avant l'opération de rectification, et est légèrement inférieur à celui des deuxième et troisième zones après l'opération de rectification, et en ce que la deuxième zone est séparée de la troisième par une tranchée (150) sur tout le long du dit côté, le niveau du fond de la tranchée étant plus profond que le niveau de la première zone rectifiée.
6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que la tranchée est formée avant l'opération de rectification.
7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le boîtier de céramique est formé par empilement de feuilles de céramique crue prédécoupées puis cuisson de l'empilement, et en ce que la tranchée est formée par découpe de l'une des feuilles de céramique.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2602046A (en) * 2020-12-16 2022-06-22 Rockley Photonics Ltd Electro-optical package and method of fabrication

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6380849U (fr) * 1986-11-17 1988-05-27 Nec Corp
EP0457260A1 (fr) * 1990-05-18 1991-11-21 Fujitsu Limited Dispositif semi-conducteur comprenant un empaquetage en céramique
WO1998020546A1 (fr) * 1996-11-08 1998-05-14 W.L. Gore & Associates, Inc. Cavites a haute tolerance dans des boitiers de puces
US6225693B1 (en) * 1999-05-12 2001-05-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor package for radio frequency
US6428650B1 (en) * 1998-06-23 2002-08-06 Amerasia International Technology, Inc. Cover for an optical device and method for making same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6380849U (fr) * 1986-11-17 1988-05-27 Nec Corp
EP0457260A1 (fr) * 1990-05-18 1991-11-21 Fujitsu Limited Dispositif semi-conducteur comprenant un empaquetage en céramique
WO1998020546A1 (fr) * 1996-11-08 1998-05-14 W.L. Gore & Associates, Inc. Cavites a haute tolerance dans des boitiers de puces
US6428650B1 (en) * 1998-06-23 2002-08-06 Amerasia International Technology, Inc. Cover for an optical device and method for making same
US6225693B1 (en) * 1999-05-12 2001-05-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor package for radio frequency

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2602046A (en) * 2020-12-16 2022-06-22 Rockley Photonics Ltd Electro-optical package and method of fabrication
GB2602046B (en) * 2020-12-16 2023-07-19 Rockley Photonics Ltd Electro-optical package and method of fabrication

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