WO2011151957A1

WO2011151957A1 - プラズマディスプレイパネル及び表示装置

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Publication number: WO2011151957A1
Application number: PCT/JP2011/001564
Authority: WO
Inventors: 橋本谷　磨志
Original assignee: パナソニック株式会社
Priority date: 2010-06-04
Filing date: 2011-03-16
Publication date: 2011-12-08
Also published as: US8305522B2; CN102668011A; KR20120076373A; US20120212464A1

Abstract

　高精細のＰＤＰにおいて、放電電圧の上昇を抑えながら、より高い発光効率を実現することを目的とする。　そのために、ＰＤＰの構成は、前面板と背面板との間にリブが配置され、前面板と背面板との間にリブによって規定された間隔が保持されており、リブによって規定された各空間が放電セルとなっている。放電電極対の直下においてリブで規定される放電空間の最小幅が６５μｍ以上１００μｍ以下である。放電空間には、キセノン，ネオン，ヘリウムの三元系の放電ガスが封入される。放電ガスにおけるキセノン分圧は１５％～２５％とし、ヘリウム分圧は２０％～５０％の範囲とする。放電ガスの全圧は６０ｋＰａ～７０ｋＰａに設定する。

Description

プラズマディスプレイパネル及び表示装置

　本発明は、プラズマディスプレイパネル及びそれを用いた表示装置に関し、特に高精細なプラズマディスプレイパネルに関する。

　近年、家庭用テレビ受像機の大画面化に伴い、旧来のＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ　Ｒａｙ　Ｔｕｂｅ）装置に代わる薄型の表示装置が急速に普及している。薄型大画面を実現する表示装置として、液晶と並んで現在の主流となっているのが、各画素に相当する微小なセル内部に放電プラズマを生じさせ、そこから発生する紫外線を蛍光体で可視光に変換することで発光表示を行うプラズマディスプレイパネル（以下ＰＤＰと称する）である。

　ＰＤＰにおいて、セル内部に放電プラズマを生じさせる方法として、現在最もよく使われているのは、面放電ＡＣ型と呼ばれる方式である。

　面放電ＡＣ型ＰＤＰの一般的な構造は、二枚のガラス基板（前面板および背面板）の間にリブと呼ばれる隔壁を立てて一定の距離の空隙が確保されるとともに、この空隙と二枚のガラス基板によって囲まれる放電空間に放電ガスが充填され、前面板の放電空間に接する面上に、走査電極と維持電極と呼ばれる平行な電極対がストライプ状に形成され、その上に絶縁層を形成されている。また背面板には、前面板の電極群と直交する形でデータ電極が配され、その上に絶縁層が被覆されている。

　このような構成のＰＤＰにおいて、走査電極と維持電極の間に電圧を印加することで、放電セル内の放電ガスを絶縁破壊させて放電プラズマを生じる。このとき、走査電極および維持電極の上には絶縁層が形成されているので、放電によって生じた電荷は絶縁層表面に蓄積し、各電極の電位を相殺する。その結果、電圧印加時に放電がパルス状に生じるとともに壁電荷が蓄積されるが、印加電圧が反転した際には、その反転した印加電圧と同極性に重畳されるので、放電維持に必要な印加電圧が低減される。またこの壁電荷を制御することによって、各放電セルにおける放電のＯＮ、ＯＦＦ選択を行うことができ、画像表示できるようになっている。

　ＰＤＰは元来、電離および励起電圧の比較的高いキセノンの紫外発光を利用するため、投入電力が有用な紫外線に変換される電力効率が１０％以下と非常に低い。従って、ＰＤＰにおいて、その発光効率を高めるための開発がなされ、特許文献１，２に示されるように、放電ガスの組成についても検討がなされてきた。

　たとえば、特許文献１では、放電ガス中におけるキセノンの分圧を高めるとともに、放電ガスの全圧を高くしている。これは、紫外線の発光源として、励起キセノン原子からの共鳴放射線（波長１４７ｎｍ）ではなく、キセノンの励起二量体（ｅｘｃｉｍｅｒ；以下エキシマと呼ぶ）からの１７２ｎｍを中心とする広帯域の発光を利用することを意図している。

　エキシマは、励起キセノン原子と基底状態の原子との三体反応、たとえば
　Ｘｅ^＊＋Ｘｅ＋Ｘｅ→Ｘｅ_２ ^＊＋Ｘｅ　　　…（式１）
によって形成されるため、キセノン分圧が高くなるほど形成確率は急速に高くなる。また基底状態が反発ポテンシャルを持つので、速やかに単原子に解離するため自己吸収がおこらず、高ガス圧でも高い発光効率が得られる。

　ところで、近年では地上波でのデジタルハイビジョン放送など、高品位なテレビジョン放送の普及に伴い、表示装置の高精細化に対する要請が高くなっているが、高精細化に伴って必然的に画素サイズは小寸法となる。そして、セルサイズが小型化すると、両極性拡散の増大による相対的なプラズマの壁面損失の増加を招き、放電電圧の上昇と輝度、発光効率の著しい低下をもたらす。従って、特に、セルサイズの小さいＰＤＰにおいて、その発光効率をさらに高めることが望まれている。

特開２００２－８３５４３号公報特開２００７－２４９２２７号公報

　上記のように、ＰＤＰにおいて、その発光効率を高める上で、キセノンの分圧を高く設定することが有効である。

　しかし、ＡＣ型ＰＤＰでは、放電電極が誘電体層およびその表面の保護膜で覆われており、放電電流の供給は保護膜表面へのイオン突入による二次電子放出過程に依存している。そして、キセノンはネオンに比べて電離電圧が低いため、その二次電子放出係数は低い。

　従って、キセノン分圧を高く設定すると、二次電子を供給するために、より多くのキセノンイオンを保護膜に向けて加速する必要から陰極降下電圧が高くなり、その結果、放電電圧が上昇する。そして、放電電圧の上昇は、駆動回路部品への負担を増大させ、高耐圧部品の採用などコスト上昇の原因となるため好ましくない。

　のみならず、放電電圧が上昇することで、キセノンと共に混合されているバッファガス（多くの場合ネオンが使用される）イオンによる保護膜に対するイオン衝撃が大きくなり、混合比率によっては逆にスパッタリングによる保護膜の破壊が進んで寿命特性が悪化する。

　たとえばキセノン＋ネオン系放電ガスにおいて、いたずらにキセノンの分圧を高めると、電圧上昇のみならず同種原子の電荷交換反応によるネオンイオンの減速が効きにくくなり、スパッタリングが激しくなって寿命特性が悪化する。

　従って、放電電圧を低く抑えること並びにライフ特性を確保することを考慮すると、放電ガスにおけるキセノンの分圧は２５％程度が上限となる。

　このような背景のもと、高精細に対応したセルサイズが小さいＰＤＰにおいて、キセノンの分圧を２５％程度に抑えながら、発光効率を向上させる手法を開発することが必要となっている。

　本発明は、上記課題に鑑み、超高精細に対応した微小なセルを有するＰＤＰにおいて、放電電圧を抑えつつライフ特性を保ちながら、発光効率を向上することを目的とする。

　上記課題を解決するため、本発明は、1対の基板が間隙をあけて対向配置され、当該間隙がリブによって仕切られて放電セルが複数形成され、１対の基板の一方の対向面に各放電セルに臨む放電電極対が設けられ、各放電セルに放電ガスが封入されてなるＰＤＰにおいて、放電電極対の直下においてリブで規定される放電空間の最小幅が、６５μｍ以上１００μｍ以下であって、上記放電ガスを、主成分をキセノンとネオンとヘリウムとで構成し、キセノンの分圧比を１５％以上２５％以下、ヘリウムの分圧比を２０％以上５０％以下とし、全圧を６０ｋＰａ以上７０ｋＰａ以下に設定した。

　上記の「放電電極対の直下においてリブで規定される放電空間の最小幅」は、放電空間において、放電電極対が設けられた基板表面に沿った幅の最小値を指す。

　また、本発明にかかる表示装置は、上記ＰＤＰと、当該ＰＤＰを駆動する駆動回路とを備える。

　ここで、上記駆動回路は、複数の放電電極対を複数の表示電極対グループに分け、表示電極対グループ毎に、放電セルで書込み放電を発生させる書込み期間と放電セルで維持放電を発生させる維持期間とを有する複数のサブフィールドを用いて１フィールド期間を分割し、表示電極対グループの数をＮ（Ｎは２以上の整数）、パネル全体の放電セルで１回の書込み動作を行うために必要な時間をＴｗとするとき、各表示電極対グループの各サブフィールドの維持期間の時間を、Ｔｗ×（Ｎ－１）／Ｎ以下に設定された駆動を行うこととした。

　上記本発明によれば、超高精細に対応した微小な放電セルを有するＰＤＰにおいて、放電ガスの主成分がキセノンとネオンとヘリウムとで構成され、キセノン分圧が２５％以下に設定されているので、ライフ特性を保つことができる。また、ヘリウムの分圧比が２０％以上５０％以下に設定され、全圧が６０ｋＰａ以上７０ｋＰａ以下に設定されているので、放電電圧の上昇を抑えながら、高い発光効率を得ることが可能である。

　ここで、ヘリウムの分圧比を、３０％以上４０％以下に設定すると、より高い発光効率が得られる。

　また、本発明にかかる表示装置は、駆動回路が上記の方式でＰＤＰを駆動することによって、高精細のＰＤＰにおいても高い発光輝度を得ることができるので、高精細、高発光効率、高輝度で画像表示することができる。

　なお、放電セルの幅は測定場所によっていろいろ変わるが、本発明において上記のように「放電電極対の直下においてリブで規定される放電空間の最小幅」で規定しているのは、放電セルの幅の中でも、放電電極対に近い位置で測定したときの最小幅が、発光効率に与える影響が大きいことを考慮しているためである。

実施の形態１にかかるＰＤＰの構成を示す分解斜視図である。上記ＰＤＰの概略断面を示す図である。実験用のＰＤＰにおいて、放電ガス全圧と発光効率との関係を示した特性図である。実験用のＰＤＰにおいて、ヘリウム分圧比と発光効率との関係を示した特性図である。実験用のＰＤＰにおいて、放電ガス全圧と放電維持電圧との関係を示した特性図である。実験用のＰＤＰにおいて、放電ガスの全圧と相対効率との関係を、ヘリウム分圧比と放電空間幅毎に示した特性図である。放電空間幅と相対効率との関係をヘリウム分圧比毎に示した特性図である。全圧と放電維持電圧との関係をヘリウム分圧比と放電空間幅毎に示した特性図である。実施の形態２にかかるＰＤＰの分解斜視図である。上記ＰＤＰの電極配列図である。上記ＰＤＰを駆動するサブフィールド構成の設定方法を説明する図である。上記ＰＤＰの各電極に印加する駆動電圧波形を示す図である。実施の形態２にかかる表示装置の回路ブロック図である。上記ＰＤＰ装置における走査電極駆動回路の回路図である。上記ＰＤＰ装置における維持電極駆動回路の回路図である。実施の形態２にかかる別のＰＤＰ装置のパネルの電極配列図である。上記ＰＤＰ装置における走査電極駆動回路の回路図である。実施の形態２にかかる別のＰＤＰ装置のパネルの電極配列図である。上記ＰＤＰ装置にかかる走査電極駆動回路の回路図である。上記ＰＤＰ装置にかかる維持電極駆動回路の回路図である。

　以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。

　[実施の形態１]
　（ＰＤＰの構成）
　図１は、実施の形態１にかかるＡＣ型ＰＤＰ１００の構造を示す模式図である。

　図１に示すように、このＰＤＰ１００は、ソーダライムガラスからなる平板基板である前面板１と背面板２との間に、低融点ガラスペーストを成型、焼結して構成した井桁形状のリブ３が配置され、前面板１と背面板２との間にリブ３によって規定された間隔が保持されており、リブ３および前面板１、背面板２で囲まれる概略直方体形状の各空間が放電セル１１となっている。

　放電セル１１の寸法の具体例としては、縦方向に伸長するリブ３のピッチＬ（横方向のピッチ）が９５μｍ、横方向に伸長するリブ３のピッチ（縦方向のピッチ）が２７５μｍである。この寸法は、対角５０インチの画面サイズで４０９６×２０６０画素の次世代ハイビジョン規格（４ｋ２ｋ）を満足することを目的としている。

　なお、前面板１および背面板２には、ソーダライムガラス以外に、他の透光性の材料、例えばホウ珪酸ガラスなどの高融点ガラスを使用することも可能である。またリブ３の材料として感光性のペースト材料を使用することにより、形状の精度向上を図ることが可能である。

　前面板１における放電セル１１側の表面には、横方向に伸長する電極Ｓｕｓと電極Ｓｃｎからなる放電電極対４が、各放電セル１１に臨むように複数対蒸着形成されている。電極Ｓｕｓと電極Ｓｃｎは光取り出しを考慮し、ＩＴＯなどの透明導電物質で形成されており、電気伝導性を確保するため一部に銀を積層する構造としている。前面板１における放電セル１１側の表面は、維持電極Ｓｕｓと走査電極Ｓｃｎを覆うように、全面に酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）による誘電体層５が形成され、酸化マグネシウムの蒸着膜である保護膜６によって被覆されている。誘電体層５は、放電電流に対する電荷障壁として作用し、保護膜６は、放電プラズマからの電荷衝撃によるスパッタリングから誘電体層５を保護するとともに、二次電子を放電中に供給することで放電電圧の低減に寄与する。

　なお、放電電極対４は、上記のようにＩＴＯ層の上に銀を積層した構造とする以外に、コストの観点からＩＴＯを省略したり、また他の透明導電性物質、例えばＺｎＯ系やＳｎＯ_２系の材料も使用可能である。

　背面板２における放電セル１１側の表面には、放電電極対４と直交する縦方向に、各放電セル１１に対応してストライプ状のデータ電極７が蒸着形成されている。そして、上記の放電セル１１はすべて、前面板１側の放電電極対４と背面板２側のデータ電極７との交点に存在している。

　背面板２およびデータ電極７も前面板１と同様に、下地誘電体層８によって被覆されている。

　放電セル１１における前面板１の面を除く各内面には、キセノン等から放電によって放射される紫外線によって励起されて可視光を発光する蛍光体層９が形成されている。

　放電セル１１は、図１中の点線枠で示したように、その内面に形成される蛍光体層９の発光色によって、光の三原色である赤放電セル１１Ｒ、緑放電セル１１Ｇ、青放電セル１１Ｂの三つを一組として１画素を形成している。

　前面板１と背面板２との間のリブ３で仕切られた放電空間には、放電ガスが充填されている。放電ガスの組成について、詳しくは後述するが、キセノンとネオンとヘリウムとからなる。

　（ＰＤＰの放電動作）
　上記ＰＤＰ１００を駆動する方式は、１フィールドが、複数のサブフィールドから構成され、各サブフィールドにおいて、走査電極Ｓｃｎとデータ電極７とに電圧を印加して書き込みを行い、パネル全体の放電セルに書き込みを行った後、すべての維持電極Ｓｕｓと走査電極Ｓｃｎとの間に所定の交流矩形波パルス電圧を印加する方式である。

　このときに生じる放電の過程は以下のようなものである。

　維持電極Ｓｕｓと走査電極Ｓｃｎとの間に矩形波パルス電圧を印加することで、放電ガスが絶縁破壊を起こして放電プラズマが生じる。プラズマ中の正イオン（主にキセノンイオンである）は瞬時陰極として動作している側の電極（例えば維持電極Ｓｕｓとする）へ、また電子は瞬時陽極として動作している電極（この場合走査電極Ｓｃｎ）へとそれぞれ電界で加速されて移動する。しかし各電極の前面は電荷障壁として働く誘電体層５および保護膜６によって覆われているため、電子も正イオンも伝導電流として両電極に流れ込むことは出来ない。従って、各放電電極対４を覆う保護膜６の表面に、電極の電位とは逆極性の壁電荷が蓄積される。蓄積された壁電荷の作り出す電界は、電極に印加された電圧による電界を相殺するため、やがて放電セル１１内には放電に寄与する電界が実効的に存在しなくなり放電は停止する。

　パルス電圧は一定の周期で維持電極Ｓｕｓと走査電極Ｓｃｎとに交互に印加されるので、半周期後には今度は維持電極Ｓｕｓが瞬時陽極に、走査電極Ｓｃｎが瞬時陰極となる。このとき先の放電で蓄積していた壁電荷が作る電界は、電極の電位と同極性となるため印加電圧に重畳されることになる。すなわち電圧反転の際には放電セル１１内部には、（印加電圧＋壁電荷による電圧）に相当する電圧がかかることになる。これによって放電セル１１に印加する電圧が放電維持に実際に必要な電圧よりも低くて済むとともに、データ電極７を用いたアドレス放電による画素選択動作を行うことによって、少ない信号数で点灯／非点灯の制御が可能となっている。

　（放電セルのサイズ、放電ガスの組成及び圧力について）
　図２は、図１に示すＰＤＰ１００を横方向に切断した断面を示す図であって、1セル相当を示している。

　ＰＤＰ１００では、放電電極対４の直下における横幅Ｄ（横方向に隣り合うリブ３の内壁同士の間隙）は、６５μｍ以上１００μｍ以下の範囲内に設定されている。

　また、各放電セルにおける放電空間の形状は、図１に示すように縦方向の長さよりも横幅が小さい。すなわち、放電セルの深さは１００μｍ程度なので、放電空間の縦幅よりも横幅が小さく、放電空間の横幅Ｄが放電空間の最小幅となる。

　従って、この横幅Ｄの大きさが放電電圧に与える影響は大きい。すなわち、一般にＰＤＰ１００のような面放電方式では、放電セル１１内における放電経路は前面板１側に偏り、且つ放電電極対４に平行な方向に（つまり横幅Ｄの方向に）広がって生じる。このため横幅Ｄの寸法が放電電圧に与える影響と比べると、深さ方向の寸法が放電電圧に与える影響は相対的に小さい。

　従って、横幅Ｄの値で放電セルのサイズを規定することが合理的と考えられる。

　好ましい設定値の一例として、縦方向に伸長する各リブ３の頂上部分における幅ｄを２０μｍ、ピッチは９５μｍとする。この場合、横方向に隣り合うリブ３同士の間隙幅Ｄは７５μｍとなる。

　放電セルに充填される放電ガスにおいて、キセノンの分圧比は、１５％以上２５％以下の範囲内に設定し、ヘリウムの分圧比は、２０％以上５０％以下の範囲内に設定し、放電ガスの全圧は６０ｋＰａ以上７０ｋＰａ以下に設定することが好ましい。

　好ましい一例として、放電ガスは、分圧比にしてキセノン２０％、ヘリウム４０％、ネオン４０％の割合とし、放電ガスの全圧は６０ｋＰａとする。

　上記のように放電ガスの組成と圧力を設定することによって高い発光効率が得られる。

　以下にその理由を説明する。

　放電ガスの組成について：
　ＡＣ型ＰＤＰでは放電セル１１が画面の１画素（正確にはそのうちの１色を表示）に相当するため、放電発光体としては非常に微小である。このため放電を惹起する電極（維持電極Ｓｕｓと走査電極Ｓｃｎ）の間隔が非常に狭く、よく知られた放電の電極間距離とガス圧の積と放電開始電圧との関係（Ｐａｓｃｈｅｎの法則）から、放電電圧を低く抑えるにはガス圧が高くならざるを得ず、一般に１０^２ｋＰａのオーダーとなる。こうした圧力域では、キセノンの励起原子は他の原子との三体衝突過程
　Ｘｅ^＊＋Ｘｅ＋Ｍ　→　Ｘｅ_２ ^＊＋Ｍ　　　…（式２）
によってエキシマとなる可能性が高い。ここでＭは同じキセノンの基底状態の原子や、あるいは放電中にふくまれる他のガス、例えばネオンやアルゴンの基底状態の原子である。

　こうして形成されるエキシマＸｅ_２ ^＊は高い効率で１７２ｎｍ付近をピークとする広帯域の紫外線を放射する。また紫外線を放射した下準位Ｘｅ_２は反発ポテンシャルを持つため不安定で、速やかに二つのキセノン原子に解離する。従って共鳴輝線に見られるような自己吸収による紫外線の損失は生じない。

　エキシマの生成確率は（式２）から明らかなようにガス圧が大きくなるにつれて急激に増大するため、放電ガスの全圧は高いほど紫外線の発光効率は高くなる。また原子Ｍは同じキセノンである場合が最も生成確率が高くなるため、同じ全圧であればキセノン分圧が高いほど効率は高くなり、キセノン１００％の場合に最も効率が高くなるはずである。

　しかしながら、キセノン原子は、一般的な保護膜の材料である酸化マグネシウムに対する二次電子放出係数が極めて低いため、キセノンの分圧が高くなるほど放電電圧が上昇する。

　これを避けるため、ＡＣ型ＰＤＰにおいては酸化マグネシウムに対して比較的高い二次電子放出係数をもつネオンなどの質量数の小さな希ガスを添加するのが一般的である。

　しかし、ネオンなどの希ガスを添加することは、上に述べた理由からエキシマの生成確率を低下させることになり、発光効率は低下することになる。例えば特許文献２の図４では、アルゴンの分圧比が上昇するとともに効率が上昇しているが、これは、一定の分圧のキセノンに対してアルゴン分圧を増やして分圧比を上げた結果、全圧が上昇してエキシマの生成効率が上昇した（（式２）におけるＭがＡｒとなる）ことによるものと解釈すべきであり、キセノンのみで全圧が上昇した場合と比べると効率の上昇は小さい。

　したがって従来は、ＡＣ型ＰＤＰを開発する際に、基本的には、放電ガスの発光効率の観点から、キセノン分圧を高く設定することが望ましいと考え、それに加えて、放電電圧や寿命特性とのトレードオフも考慮して、適切な放電ガス組成に設定している。

　とりわけ、セルサイズが微小な超高精細表示装置用のＡＣ型ＰＤＰにおいては、本質的に発光効率が低下する傾向があるため、従来から、放電ガスを設計する際にキセノン分圧を高く設定することで発光効率を向上する試みがなされている。

　一方、本発明は、このような従来技術の考えとは異なり、キセノンの分圧比を１５％以上２５％以下に設定し、ヘリウムの分圧比を２０％以上５０％以下の範囲に設定し、放電ガスの全圧を６０ｋＰａ以上７０ｋＰａ以下に設定しており、これによってさらに高効率で発光表示できることを見出した。

　（実験および考察）
　以下、実験結果に基づいてその内容を説明する。

　実験１（放電ガスの組成と圧力に関する実験）：
　放電ガスとして、キセノン＋ネオン系の混合ガスに対して、ヘリウムを添加した混合ガスを準備する。ここで、各放電ガス成分において、キセノンの分圧比は２０％一定とし、Ｈｅ分圧比は０～５０％の範囲で変化させる。

　準備した放電ガスをパネルに充填して、試験パネルを作製するが、放電ガスを充填する全圧は３０～７０ｋＰａの範囲内で変える。試験パネルのセルピッチは９５μｍ（放電空間幅Ｄ＝７５μｍ）である。この寸法は、対角５０インチの画面サイズで４０９６×２０６０画素の次世代ハイビジョン規格（４ｋ２ｋ）を満足する寸法である。

　そして、試作した各試験パネルを駆動しながら、各パネルの鉛直上方に配置した輝度計によって測定した輝度を、試験パネルの発光面積および全立体角で積分して全光束を求めた。次に、試験パネルの点灯状態における消費電力を維持電圧とパネル放電電流から求め、全光束をこの消費電力で除することで発光効率（ｌｍ／W）を求めた。

　なおパネル放電電流は、点灯時に流れる総電流から非点灯状態での放電電極対４等、容量成分への充電電流を減じたものである。

　図３～５は、この測定結果を示す図表であって、図３は横軸に混合ガスの全圧、縦軸に発光効率をプロットしている。

　図３から、どのヘリウム分圧比の場合でも、概ね全圧が高いほど効率が高くなることが判る。またヘリウムなしの場合には、５０ｋＰａ以上の高全圧域において効率の上昇が頭打ちになる傾向が見られた。これは特許文献２の図５に開示されたデータと同様である。

　ところがヘリウムを添加した場合には、５０ｋＰａ以上でもそのような効率の頭打ちが見られず、全圧に対して効率はほぼ直線的に向上している。

　また図３から、ほぼ５０ｋＰａを境界として、全圧の低い領域では、ヘリウムを添加しない場合よりも、ヘリウムを添加した場合の方が効率が高いが、全圧の高い領域ではその傾向が逆転し、ヘリウムを添加した三元系の方が高い効率を示すことがわかる。

　図４は、全圧５０ｋＰａ、６０ｋＰａ、７０ｋＰａの各場合について、横軸にヘリウム分圧、縦軸に発光効率をプロットしたものである。

　図４に示す結果からもわかるように、全圧５０ｋＰａではヘリウムを添加することによってむしろ効率は低下している。一方、全圧６０ｋＰａ、７０ｋＰａでは、２０％以上５０％以下のヘリウムを添加することによって効率の向上が見られる。特に、ヘリウム分圧が３０％以上４０％以下の範囲で効率のピークが見られる。

　このように６０ｋＰａ～７０ｋＰａの高全圧域では、ヘリウムの分圧比が２０％以上５０％以下の範囲で良好な効率向上が得られ、特に、ヘリウムの分圧比が３０％以上４０％以下の範囲で、より良好な効率向上効果が得られている。

　図５は、ヘリウム分圧毎に、横軸に全圧、縦軸に放電維持電圧をプロットしたものである。

　図５に示す結果から、ヘリウムを添加することによって放電維持電圧が上昇することがわかる。

　またヘリウムなしの場合には、全圧に対する放電維持電圧が極小値を持つ、いわゆるパッシェン（Ｐａｓｃｈｅｎ）の法則に類似した曲線を描くが、ヘリウムの分圧が上昇するにつれて極小値が浅くなり、ヘリウム分圧４０％以上では、５０ｋＰａを超えると全圧の上昇にしたがって放電維持電圧がほぼ単調低下することがわかる。

　そして、図５において、放電ガスの全圧が６０～７０ｋＰａの範囲では、ヘリウム分圧が０～５０％の範囲内で変わっても放電電圧は１０Ｖ程度以内しか違いがなく、ヘリウムを添加しても放電維持電圧の上昇は少ないことがわかる。

　なお、本実験は、放電ガス中のキセノン分圧を２０％に設定して行ったが、キセノン分圧を１５％～２５％の範囲内で設定して同様の実験を行った場合も、同様の結果が得られる。

　実験２（発光効率向上効果の放電空間幅に対する依存性）：
　キセノン＋ネオン系放電ガスにヘリウムを添加することによって発光効率に与える効果が、放電空間幅によって異なることを確認するために、新たに、セルピッチ１５０μｍ（放電空間幅Ｄ＝１２０μｍ）およびセルピッチ１２０μｍ（放電空間幅Ｄ＝１００μｍ）の試験パネルを試作し、上記の実験１と同様の実験を行った。なお、放電セルの深さはいずれも１００μｍ程度である。

　前者の寸法は概ね、現在すでに各社から上市されて家庭用デジタルテレビの主流となりつつある４２型フルハイビジョン向けのパネルのセルサイズに一致するものであり、後者の寸法は、３７型フルハイビジョン用パネルのセルサイズ相当となる。

　図６は、上記の試験パネルのうち、放電空間幅Ｄ＝１２０μｍ及び放電空間幅Ｄ＝７５μｍ、放電ガスにおけるヘリウム添加量は３０％および５０％のものについて、封入する全圧を変えて、発光効率を調べた。図６はその結果を示す特性図であって、全圧と発光効率との関係を示している。なお、発光効率については、それぞれのセルサイズにおいてヘリウムを添加しない場合を１として相対効率で示している。

　図６では、実施の形態に基づく放電空間幅Ｄ＝７５μｍの試験パネルについての結果を塗りつぶしデータ点と実線で示し、比較例にかかる放電空間幅ｄ＝１２０μｍの試験パネルについての結果を、白抜きデータ点および点線で示している。

　放電空間幅Ｄ＝７５μｍのパネルでは、上述のように、全圧５０ｋＰａ付近を境界として低全圧側ではヘリウムなしの場合の方が効率は高く、また高全圧側ではヘリウムを添加した場合に効率が高くなる傾向が明確である。

　それに対して放電空間幅Ｄ＝１２０μｍのパネルでは、そのような全圧に対する依存性はみられず、またヘリウムを添加することによる発光効率向上効果も明確ではないことがわかった。

　このように、同じようにＰＤＰの放電ガスにヘリウムを添加しても、放電空間幅によって発光効率に与える効果は異なる。

　図７は、ヘリウムを３０％添加したＰＤＰ及びヘリウムを５０％添加したＰＤＰについて、放電空間幅と発光効率との関係を示す特性図である。

　当図では、発光効率を、各放電空間幅においてヘリウムを添加しない場合の発光効率を１として相対効率でプロットしている。

　上記図６でも示されたように、この図７に示す結果から、ヘリウムを添加することによる発光効率の上昇は、放電空間の幅に強く依存することがわかる。すなわち、放電空間幅が狭いほど、ヘリウム添加による発光効率の上昇は顕著となっている。

　図７の結果から、ヘリウム分圧が３０％、５０％のいずれの場合でも、放電空間幅Ｄが１００μｍ以下の範囲では発光効率が３％以上向上している。従って、放電空間幅Ｄが１００μｍ以下の範囲では、ヘリウムを添加することで発光効率が向上することがわかる。一方、図７の結果から、放電空間幅Ｄが１００μｍを越えると、ヘリウムを加えても発光効率向上効果をあまり望めないこともわかる。

　従って、ＰＤＰにおいて、上記のように放電ガスにヘリウムを添加することによって発光効率が向上する効果は、放電空間幅Ｄが１００μｍ以下の小さいセルサイズのＰＤＰにおいて特異的に得られる効果であることがわかる。

　なお、特許文献２の図７に示された結果を見ると、ヘリウムを添加することによる効率の向上は、キセノン分圧が非常に低い領域に限られており、キセノン分圧２０％の場合にはヘリウム添加による効率向上は２％以下である。この特許文献２に示された結果は、上記図５および図６に示した実験結果と矛盾するものではなく、特許文献２には明記されていないが、特許文献２において使用されたＰＤＰは、放電空間幅が比較的大きいものと推定できる。

　また、上記特許文献２に開示されたＰＤＰにおいては、放電ガスが１０％前後のキセノン分圧であって、Ｎｅ、Ｈｅも添加されているが、すでに述べたようにセルサイズの最小幅Ｄが１００μｍ以下と小さくなると、本質的に発光効率が低下するため、この文献に開示された放電ガスの設定では、テレビとして実用的な輝度を得ることは困難である。

　図８は、放電空間幅Ｄ＝７５μｍと放電空間幅Ｄ＝１２０μｍの各ＰＤＰにおいて、ヘリウムなし、ヘリウム分圧３０％および５０％の場合について、全圧と放電維持電圧との関係をプロットした特性図であって、放電維持電圧の全圧依存性を示している。

　放電空間幅Ｄ＝７５μｍの方がいずれの場合においても放電維持電圧が高く、放電空間が狭いことによる損失が大きいことを示している。一方で放電空間幅Ｄ＝１２０μｍの場合にも、概ね全圧に対する放電維持電圧の振る舞いは放電空間幅Ｄ＝７５μｍの場合と同様であった。

　特に注目すべきは、ヘリウムを添加することによる放電維持電圧の上昇の度合いである。ヘリウムなしとヘリウム５０％での電圧の差は放電空間幅Ｄ＝１２０μｍの方が大きく、本実施の形態において使用した全圧６０ｋＰａでは放電空間幅Ｄ＝７５μｍの場合が約１０Ｖであるのに対し、放電空間幅Ｄ＝１２０μｍのものでは約１８Ｖと大きくなった。

　このように、放電空間幅が小さい方が、ヘリウムを添加することによる放電維持電圧の上昇（デメリット）が相対的に小さくなる。

　（ヘリウムを添加することによって発光効率が向上する理由について）
　セルサイズが小さく放電空間幅が狭いＰＤＰでは、上記のようにキセノン＋ネオン系の放電ガスにヘリウムを添加することで発光効率が上昇するが、その理由について以下に考察する。

　まず、Ｘｅによる放電のしくみを考察する。

　キセノン原子は、電子との衝突によって電子から１２．１３ｅＶのエネルギーを得ると電離され、キセノンイオンとなる。直接（衝突）電離過程であり、
　Ｘｅ　＋　ｅ　→　Ｘｅ^＋　＋　２ｅ　　　…（式３）
で表される反応である。またキセノン原子の最もエネルギーの低い励起準位群（第一励起準位）は、共鳴線といわれる１４７ｎｍの紫外光子を放射したり、またエキシマとなって１７２ｎｍを中心とした高効率の発光をするため、とりわけ重要である。これは直接（衝突）励起過程
　Ｘｅ　＋　ｅ　→　Ｘｅ^＊＋　ｅ　　　…（式４）
によって励起される。ところでキセノン原子は電離エネルギーが１２．１３ｅＶ、また第一励起準位の励起エネルギーが約８．４ｅＶと、たとえば一般照明用蛍光ランプでよく使用される水銀（電離エネルギー１０．３８ｅＶ）と比べて高い。したがって効率よくプラズマを維持するためにはエネルギーの高い電子群が必要である。

　一方、ＰＤＰでの放電機構は誘電体バリア放電と呼ばれ、図１に示されるように放電電極対４と放電空間との間に誘電体層５と保護膜６が配置され、電流障壁として作用する。その放電の進展は以下のようなステップで進行する。

　（Ｉ）Ｓｃｎ電極とＳｕｓ電極との間に電圧が印加されると、放電空間内の偶存電子が電界方向（陰極から陽極）に加速される。

　（II）電子が電界による加速で十分な運動エネルギーを得ると、放電ガスの原子と衝突したときに衝突電離が発生し、イオンと新たな電子を生じる。

　（III）電離で生じた新たな電子はやはり電界方向に加速されて次の電離を起こす。その結果、電子の数が指数関数的に増加し、陽極前面近傍において密度の高い電子―イオンペア（＝プラズマ）が生じる。陽極前面近傍のプラズマは導電性を持つため、プラズマ部分の電界分布に歪みが生じ、プラズマの陰極に対する先端部分に電界集中が生じる。

　（IV）プラズマ先端の電界集中部分では電子の加速が大きくなるため電離が盛んになり、その結果プラズマが陰極に向かって成長する。

　（Ｖ）このとき生じたイオンは陰極方向に加速され、陰極側の保護膜に衝突して二次電子を放出する。この二次電子がさらに陽極に向かうことで放電が進行する。また保護膜に衝突したイオンは電流障壁に阻まれて陰極前面に滞留し、壁電荷となって印加電圧を相殺する。

　（VI）プラズマがさらに成長すると、プラズマ内部はほぼ等電位であるため印加電圧はプラズマ先端と陰極との間に集中し、高電界の陰極降下領域を形成する。陰極降下領域では電流を維持するためにイオンが高電界によって陰極表面に向かって加速され、二次電子を放出するとともに壁電荷となって蓄積する。

　（VII）壁電荷の蓄積量が大きくなると、やがて印加電圧が壁電荷によって相殺されて放電開始電圧よりも低くなり、放電が停止する。
以上の過程において、ＰＤＰの効率を高める上でのポイントとして、以下のことが重要と考えられる。

　（１）「放電を進行させ、維持するのに必要な、保護膜からの二次電子放出の効率を高める。

　（２）キセノンの第一励起準位原子Ｘｅ^＊を多数生成するため、電子温度を高くする。そのために放電が進行する間の電界強度を高くする。

　次に、Ｘｅを含む放電ガスにヘリウムを添加することの意味を考える。

　ヘリウムは電離電圧が２４．６Ｖと非常に高いため、イオンが保護膜に衝突した際の二次電子放出係数が高いことが期待できる。また質量数が小さく移動度が高いことから、陰極降下領域で容易に加速されて保護膜に到達することが出来る。つまり、より少ないイオン電流で多数の二次電子を得ることが出来る。

　また、陰極降下領域では同種の原子－イオンの衝突による電荷交換反応によってイオン電流が阻害されるが、キセノン＋ネオン系ガスにヘリウムが加わることでネオンの分圧が相対的に低下し、ネオンの電荷交換反応が抑制されるためネオンイオンの加速も容易になる。これもやはりイオン電流を抑制して二次電子の放出効率を高めることにつながる。

　前述のように放電進展時には印加電圧の大半は陰極効果領域に集中するため、放電における電力消費は実質的に陰極降下領域の電圧とイオン電流の積と考えてよいため、イオン電流の抑制はそのまま消費電力の低減につながる。

　一方、ヘリウムは電離電圧が高いためにイオン化が困難である。従って、ヘリウム分圧を高くすると、ヘリウムイオンを作るために印加電圧を高める必要があるが、プラズマ密度が低下して導電率が下がるため、プラズマ内部の電界強度が高くなり電子温度が上昇する。この結果、キセノンの励起効率が高くなり発光効率が向上する。

　以上のことからヘリウムを適正量添加することでＰＤＰの発光効率向上を期待できると、ある程度推定可能である。

　なお，このＨｅによる発光効率向上効果を得るためには、放電ガス中のヘリウムが十分に電離されてイオンとして存在していることが必要であるが、本実施形態のような放電空間の幅が狭いＰＤＰにおいては、ヘリウムがイオンとして存在しやすいので、実際に発光効率向上効果を得ることができる。この点について図８を参照しながら説明する。

　図８において、Ｈｅなしの場合、放電空間幅Ｄ＝１２０μｍのＰＤＰでは、全圧６０ｋＰａにおける放電維持電圧が１９０Ｖ前後であるのに対し、放電空間幅７５μｍでは２２０Ｖ前後と高い。このように放電空間幅が狭いＰＤＰでは、本質的に放電維持電圧は高くなるが、放電空間にかかる電界強度が高くなるので、ヘリウムの電離も容易となり、ヘリウムがイオンとして存在しやすいといえる。

　一方、上記図６に基づいて述べたように、放電空間幅が１２０μｍのＰＤＰでは、ヘリウムを添加しても発光効率向上効果が見られなかったが、その原因は放電空間にかかる電界強度が低くて、ヘリウムの電離が十分なされなかったためと考えられる。

　なお、上記実験は小型の試験パネルで行ったが、本願発明者らの別の検討の結果、パネルを大判化すると放電電圧は上昇するので、実際の４２型ないし５０型サイズのＰＤＰにおける放電電圧は、上記試験結果に対して概ね３０Ｖ～５０Ｖ程度上昇する。

　ここで、実際のＰＤＰに関して考察すると、実際のＰＤＰでも上記実験結果と同様、放電空間幅を小さく設定すると放電維持電圧は上昇する。例えば４２型フルハイビジョンテレビとして放電空間幅１２０μｍのＰＤＰが実用化されているが、図８の結果から、このようなＰＤＰでもヘリウムを添加すれば、それによって放電維持電圧は２０Ｖ前後上昇すると見込まれる。この場合は、現在使用されている回路部品をより高耐圧化する必要が生じ、それはコストの上昇につながる。

　一方、５０型４ｋ２ｋに相当する放電空間幅７５μｍのパネルでは、もともと高耐圧部品の使用が不可欠である。このため、ヘリウムを添加することによる１０Ｖ程度の電圧上昇は、追加のコストアップにはつながらない。

　（実験に関するその他の考察）
　上記実験は、キセノンの分圧比を２０％として行ったが、キセノンの分圧比を１５％から２５％の程度の範囲内で変えて実験した場合も、特性に大きな変化をきたすことはなく、同様の結果が得られた。

　一方、キセノン分圧比が１５％より低い場合には、発光効率が極端に低下し、またキセノン分圧比が２５％より高い場合には放電維持電圧が上昇するので、いずれも望ましくない。

　また、上記実験では、放電空間の最小幅が７５μｍ以上に設定したが、これまで述べてきたように、原理的により小さい放電空間幅においてより高い効果が期待できる。

　ただし、主に製造プロセス上の問題から、極端にセルピッチの小さなＰＤＰを製作することは欠陥の発生確率が高まり望ましくない。本願発明者らの検討によれば、安定的に放電空間の形状を作れる最小セルピッチの場合の放電空間幅は６５μｍ程度であった。

　上記のセルサイズによる放電維持電圧の変化や放電ガスによる挙動変化は、実際にＰＤＰを試作し実験を行って始めて定量的に把握することが可能である。本願発明者らは世界に先駆けて、５０型画面サイズで４ｋ２ｋ解像度を実現しうる超高精細のパネルを試作し、実験を行うことによって、放電空間幅が１００μｍ以下の極めて微小なサイズの放電空間においてのみ、高効率と寿命特性を両立しうる条件が存在することを見出したのである。

　（放電ガスにおける、キセノン、ネオン、ヘリウム以外の成分混入について）
　放電ガスにおいて、キセノン、ネオン、ヘリウム以外の成分が不純物程度のレベル（概ね１０ｐｐｍ以下）で含有してもよいが、これ以上のレベルで他のガス成分が混入することは、放電電圧の上昇や発光効率の低下につながるので好ましくない。

　その理由は主に以下のとおりである。

　ＰＤＰを作製するときに、通常の排気・ガス封入プロセスにおいて、酸素、窒素や炭酸ガスなどの分子性ガスが混入する可能性があるが、これらの分子性ガスが放電ガス中に存在すると、プラズマ中で振動・回転準位の励起が容易に生じる。その結果、電子温度が極端に低下しキセノンの励起効率が低下する。

　また単原子分子である他の希ガス（アルゴン、クリプトン）は、ネオンやヘリウムよりも電離電圧が低いため、これらの希ガスが混入すると、ネオンやヘリウムの電離確率が低下する。

　その結果、二次電子放出係数が低下したり、またヘリウムイオンによる放電効率向上効果が減少し、放電維持電圧の上昇や発光効率の低下にもつながる。

　[実施の形態２]
　本実施形態では、ＰＤＰの構造は、実施の形態１で説明したＰＤＰと同様であるが、ＰＤＰを駆動する方式がピュアウェ－ブ駆動方式である。

　図９は、本実施形態にかかるＰＤＰ１０の概略構成を示す分解斜視図である。

　このＰＤＰ１０において、透明な絶縁性の前面基板２１上には、走査電極２２と維持電極２３とで構成された表示電極対２４が複数形成されている。そして表示電極対２４を覆うように誘電体層２５が形成され、その誘電体層２５上に保護層２６が形成されている。走査電極２２は透明電極２２ａを有し、維持電極２３も透明電極２３ａを有している。そして透明電極２２ａ，２３ａ上にバス電極２２ｂ，２３ｂが積層されている。

　絶縁性の背面基板３１上にはデータ電極３２が複数形成され、データ電極３２を覆うように誘電体層３３が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁３４が形成されている。そして、隔壁３４の側面および誘電体層３３上には赤色、緑色および青色の各色に発光する蛍光体層３５が設けられている。

　これら前面基板２１と背面基板３１とは、微小な放電空間を挟んで表示電極対２４とデータ電極３２とが交差するように対向配置され、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着されている。

　そして放電空間には、放電ガスとして、主成分がキセノンとネオンとヘリウムからなり、キセノンの分圧比が１５％～２５％、ヘリウムの分圧比が２０％～５０％である混合ガスが封入され、その放電ガスの全圧は６０ｋＰａ～７０ｋＰａである。

　放電空間は隔壁３４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対２４とデータ電極３２とが交差する位置のそれぞれに放電セルが構成されている。そしてこれらの放電セルが放電、発光することにより、ＰＤＰ１０に画像が表示される。

　なお、ＰＤＰ１０の構造は上述したものに限られず、例えばストライプ状の隔壁を備えた構造であってもよい。

　図１０は、ＰＤＰ１０の電極配列図である。ＰＤＰ１０には、行方向に長いｎ本の走査電極ＳＣ１～ＳＣｎ（図９の走査電極２２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１～ＳＵｎ（図９の維持電極２３）が配列され、列方向に長いｍ本のデータ電極Ｄ１～Ｄｍ（図９のデータ電極３２）が配列されている。そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１～ｎ）および維持電極ＳＵｉと、１本のデータ電極Ｄｊ（ｊ＝１～ｍ）とが交差する部分に放電セルが形成され、放電セルが放電空間内にｍ×ｎ個形成されている。表示電極対の数について特に制限はないが、ここではｎ＝２１６０とする。

　走査電極ＳＣ１～ＳＣ２１６０および維持電極ＳＵ１～ＳＵ２１６０からなる２１６０対の表示電極対は、複数の表示電極対グループに分けられている。表示電極対グループの分け方については後述するが、本実施の形態では、ＰＤＰを上下に２分割して２つの表示電極対グループに分けることとする。図１０に示したように、パネルの上半分に位置する表示電極対を第１の表示電極対グループとし、パネルの下半分に位置する表示電極対を第２の表示電極対グループとする。すなわち１０８０本の走査電極ＳＣ１～ＳＣ１０８０および１０８０本の維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０が第１の表示電極対グループに属し、１０８０本の走査電極ＳＣ１０８１～ＳＣ２１６０および１０８０本の維持電極ＳＵ１０８１～ＳＵ２１６０が第２の表示電極対グループに属している。

　次に、ＰＤＰ１０を駆動する駆動方法について説明する。本実施の形態においては、初期化期間を除き、書込み動作が連続して行われるように走査パルスおよび書込みパルスのタイミングを設定している。

　図１１は、実施の形態２にかかるプラズマディスプレイ装置におけるサブフィールド構成の設定方法を説明する図である。図１１（ａ）～図１１（ｄ）において、縦軸は走査電極ＳＣ１～ＳＣ２１６０を示し、横軸は時間を示している。また、書込み動作を行うタイミングを実線で示し、維持期間および後述する消去期間のタイミングはハッチングで示している。なお以下の説明では、１フィールド期間の時間を１６．７ｍｓとする。

　まず、図１１（ａ）に示すように、１フィールド期間の最初に、すべての放電セルで一斉に初期化放電を発生させる初期化期間を設ける。ここでは、初期化期間に要する時間を５００μｓとする。

　次に、図１１（ｂ）に示すように、走査電極ＳＣ１～ＳＣ２１６０に走査パルスを順次印加するために要する時間Ｔｗを見積もる。このとき、書込み動作が連続して行われるように走査パルスを可能な限り短くかつ可能な限り連続して印加することが望ましい。ここでは、走査電極１本あたりの書込み動作に要する時間を０．７μｓとすると、走査電極の数が２１６０本であるため、すべての走査電極で書込み動作を１回行うのに必要な時間Ｔｗは、０．７×２１６０＝１５１２μｓとなる。

　次に、１フィールドに設けるサブフィールド数を見積もる。さしあたり消去期間に要する時間を無視するものとして、１フィールド期間の時間から初期化期間の時間を引いて、すべての走査電極で書込み動作を１回行うために必要な時間で割ると、（１６．７－０．５）／１．５＝１０．８となる。従って、図１１（ｃ）に示すように、１フィールド内に、最大で１０のサブフィールド（ＳＦ１、ＳＦ２、・・・、ＳＦ１０）を確保できることがわかる。

　次に、必要な維持パルス数にもとづき、表示電極対グループの数を決める。本実施の形態においては、各サブフィールドにおいてそれぞれ「６０」、「４４」、「３０」、「１８」、「１１」、「６」、「３」、「２」、「１」、「１」の維持パルスを印加するものと仮定する。維持パルス周期を１０μｓとすると、１サブフィールドに維持パルスを印加する最大時間Ｔｓは、１０×６０＝６００μｓである。

　表示電極対グループの数Ｎは、すべての走査電極に対して書込み動作を１回行うために必要な時間Ｔｗと、維持パルスを印加する最大時間Ｔｓを用いて、以下の数式に基づいて求める。

　Ｎ≧Ｔｗ／（Ｔｗ－Ｔｓ）
　本実施の形態においては、Ｔｗ＝１５１２μｓ、Ｔｓ＝６００μｓであるので、１５１２／（１５１２－６００）＝１．６６となる。従って、表示電極対グループの数Ｎ＝２となる。

　以上の考察にもとづき、図１０に示したように、パネル全体に配置された表示電極対を、２つの表示電極対グループに分ける。そして図１１（ｄ）に示すように、表示電極対グループごとに、そのグループに属する走査電極に書込みを行い、その書き込み期間の直後に、維持パルスを印加する維持期間を設けている。

　ここで、ＰＤＰ１０の駆動方法及び表示電極対グループの数を決める上で、維持パルスを印加するのに要する最大の時間Ｔｓが重要であることがわかる。上述した数式　Ｎ≧Ｔｗ／（Ｔｗ－Ｔｓ）を変形すると、Ｔｓ≦Ｔｗ×（Ｎ－１）／Ｎとなる。これは、各表示電極対における各サブフィールドの維持期間の時間長さが時間Ｔｓ以下になるように設定すべきことを示している。

　本実施の形態においては、Ｎ＝２、Ｔｗ＝１５１２(μｓｅｃ)、Ｔｓ＝６００(μｓｅｃ)であるので、Ｔｗ×（Ｎ－１）／Ｎ＝７５６≧６００となり、もちろんこの条件を満たしている。

　以上のようにして、ＰＤＰ１０を駆動する駆動方法及び表示電極対グループの数を決めることができる。

　各サブフィールドの維持期間が終了した後に、それに続いて消去期間を設けるが、図１１（ｄ）では、維持期間と消去期間の両方とも右上から左下への斜線のハッチングで示している。

　なお、以上の計算では、消去期間については無視して計算したが、いずれかの表示電極対グループが消去期間であるときには、書込み動作を行わないように設定することが望ましい。これは、消去期間は壁電圧を消去するだけでなく、次の書込み期間の書込み動作に備えてデータ電極上の壁電圧を調整する期間でもあるため、消去期間においてはデータ電極の電圧を固定しておくことが望ましいからである。

　（ＰＤＰを駆動する駆動波形）
　次に、駆動電圧波形の詳細とＰＤＰの動作について説明する。

　図１２は、ＰＤＰ１０の各電極に印加する駆動電圧波形の一例を示す図である。

　この駆動方法では、１フィールドの最初に、各放電セルで初期化放電を発生させる初期化期間を設けている。さらにそれぞれの表示電極対グループのそれぞれのサブフィールドの維持期間の後に、その維持期間で放電した放電セルに対して消去放電を発生させる消去期間を設けている。図１２には、初期化期間と、第１の表示電極対グループに対するＳＦ１～ＳＦ２およびＳＦ３の書込み期間、第２の表示電極対グループに対するＳＦ１～ＳＦ２を示している。

　初期化期間：
　初期化期間では、データ電極Ｄ１～Ｄｍ、維持電極ＳＵ１～ＳＵ２１６０にそれぞれ電圧０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１～ＳＣ２１６０には電圧Ｖｉ１から電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに上昇する傾斜波形電圧を印加する。この傾斜波形電圧が上昇する間に、走査電極ＳＣ１～ＳＣ２１６０と維持電極ＳＵ１～ＳＵ２１６０、データ電極Ｄ１～Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が発生する。そして、走査電極ＳＣ１～ＳＣ２１６０上に負の壁電圧が蓄積されるとともに、データ電極Ｄ１～Ｄｍ上および維持電極ＳＵ１～ＳＵ２１６０上には正の壁電圧が蓄積される。ここで、電極上の壁電圧とは電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。なお、この期間にデータ電極Ｄ１～Ｄｍに正の電圧Ｖｄを印加してもよい。

　次に、維持電極ＳＵ１～ＳＵ２１６０に正の一定電圧Ｖｅ１を印加し、走査電極ＳＣ１～ＳＣ２１６０には電圧Ｖｉ３から電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する傾斜波形電圧を印加する。この間に、走査電極ＳＣ１～ＳＣ２１６０と維持電極ＳＵ１～ＳＵ２１６０、データ電極Ｄ１～Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が発生する。そして、走査電極ＳＣ１～ＳＣ２１６０上の負の壁電圧および維持電極ＳＵ１～ＳＵ２１６０上の正の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１～Ｄｍ上の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。その後、走査電極ＳＣ１～ＳＣ２１６０に電圧Ｖｃを印加する。以上により、すべての放電セルに対して初期化放電を行う初期化動作が終了する。

　ＳＦ１の書込み期間：
　第１の表示電極対グループに対するＳＦ１の書込み期間について説明する。

　維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０に正の一定電圧Ｖｅ２を印加する。そして走査電極ＳＣ１に負の電圧Ｖａを持つ走査パルスを印加するとともに、１行目に発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１～ｍ）に正の電圧Ｖｄを持つ書込みパルスを印加する。するとデータ電極Ｄｋ上と走査電極ＳＣ１上との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差（Ｖｄ－Ｖａ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧の差とが加算されたものとなり放電開始電圧を超える。そして、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間で放電が開始し、維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間の放電に進展して書込み放電が発生する。その結果、走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。このようにして、１行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を発生して各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルスを印加しなかったデータ電極Ｄ１～Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。

　次に、２行目の走査電極ＳＣ２に走査パルスを印加するとともに、２行目に発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋに書込みパルスを印加する。すると走査パルスと書込みパルスとが同時に印加された２行目の放電セルでは書込み放電が発生し、書込み動作が行われる。

　以上の書込み動作を１０８０行目の放電セルに至るまで繰り返し、発光させるべき放電セルに対して選択的に書込み放電を発生させて壁電荷を形成する。

　この間、第２の表示電極対グループに対してはＳＦ１の休止期間であって、第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１～ＳＣ２１６０に電圧Ｖｉ１を印加し、また、維持電極ＳＵ１０８１～ＳＵ２１６０には一定電圧Ｖｅ２を印加する。このように休止期間においては、放電が発生しない範囲で走査電極ＳＣ１０８１～ＳＣ２１６０をできるだけ高電位に保持することで壁電荷の減少を抑制することができ、続く書込み期間において安定した書込み動作を行うことができる。ただし、第２の表示電極対グループに属する各電極に印加する電圧は上記に限定されるものではなく、放電を発生しない範囲の他の電圧を印加してもよい。

　第２の表示電極対グループに対するＳＦ１の書込み期間においては、第１の表示電極対グループに対する書き込みと同様に、維持電極ＳＵ１０８１～ＳＵ２１６０に正の一定電圧Ｖｅ２を継続して印加する。そして走査電極ＳＣ１０８１に走査パルスを印加するとともに、発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋに書込みパルスを印加する。

　以上の書込み動作を２１６０行目の放電セルに至るまで繰り返し、発光させるべき放電セルに対して選択的に書込み放電を発生させて壁電荷を形成する。

　ＳＦ１の維持期間：
　この間、第１の表示電極対グループに対してはＳＦ１の維持期間であり、第１の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１～ＳＣ１０８０および維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０に「６０」の維持パルスを交互に印加して、書込み放電を行った放電セルを発光させる。

　具体的には、まず走査電極ＳＣ１～ＳＣ１０８０に正の電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０に電圧０（Ｖ）を印加する。すると書込み放電を発生させた放電セルでは、走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧との差に維持パルス電圧Ｖｓが加算されて放電開始電圧を超える。そして走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間で維持放電が発生し、このとき発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。そして走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。書込み期間において書込み放電を発生させなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保たれる。

　続いて、走査電極ＳＣ１～ＳＣ１０８０には電圧０（Ｖ）を、維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０には電圧Ｖｓをそれぞれ印加する。すると、維持放電を発生した放電セルでは、維持電極ＳＵｉ上と走査電極ＳＣｉ上との電圧差が放電開始電圧を超えるので再び維持放電が発生し、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極ＳＣ１～ＳＣ１０８０と維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０とに交互に維持パルスを印加し、表示電極対の電極間に電位差を与えることにより、書込み期間において書込み放電を発生した放電セルで維持放電が継続して発生し、放電セルが発光する。

　ここで表示電極対に交互に印加する維持パルスは、走査電極ＳＣ１～ＳＣ１０８０および維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０が同時に高電位となるタイミングを有する維持パルスである。すなわち、走査電極ＳＣ１～ＳＣ１０８０に正の電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０に電圧０（Ｖ）を印加する場合には、まず走査電極ＳＣ１～ＳＣ１０８０の電圧を電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｓに向かって上昇させ、その後に維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０の電圧を電圧Ｖｓから電圧０（Ｖ）に向かって降下させる。また走査電極ＳＣ１～ＳＣ１０８０に電圧０（Ｖ）を印加するとともに維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０に正の電圧Ｖｓを印加する場合には、まず維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０の電圧を電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｓに向かって上昇させ、その後に走査電極ＳＣ１～ＳＣ１０８０の電圧を電圧Ｖｓから電圧０（Ｖ）に向かって降下させる。

　このように、走査電極ＳＣ１～ＳＣ１０８０および維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０が同時に高電位となるタイミングが存在するように維持パルスを印加することにより、データ電極に印加される書込みパルスの影響を受けることなく安定した維持放電を継続することができる。その理由を以下に説明する。

　仮に、まず走査電極ＳＣ１～ＳＣ１０８０の電圧を電圧Ｖｓから電圧０（Ｖ）に向かって降下させ、その後に維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０の電圧を電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｓに向かって上昇させたとすると、データ電極に書込みパルスが印加されている場合、走査電極ＳＣ１～ＳＣ１０８０の電圧が降下した時点で、走査電極とデータ電極との間で放電が発生し、維持放電の継続に必要な壁電荷が減少する可能性がある。また、まず維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０の電圧を電圧Ｖｓから電圧０（Ｖ）に向かって降下させ、その後に走査電極ＳＣ１～ＳＣ１０８０の電圧を電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｓに向かって上昇させたとすると、データ電極に書込みパルスが印加されている場合、維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０の電圧が降下した時点で、維持電極とデータ電極との間で放電が発生し、維持放電の継続に必要な壁電荷が減少する可能性がある。

　このように、表示電極対の一方の電極の電圧を降下した時点で放電が発生し壁電荷が減少すると、その後に他方の電極の電圧を上昇させて維持パルスを印加しても維持放電が発生しない、あるいは弱い維持放電となり、十分な壁電荷が蓄積されないため、継続して維持放電を発生させることができなくなる可能性がある。

　これに対して、表示電極対の一方の電極の電圧を上昇させた後に他方の電極の電圧を降下させて維持パルスを印加することによって、データ電極に書込みパルスが印加されていても表示電極対の一方とデータ電極との間で先行して放電が発生する恐れがない。そのため、書込みパルスの有無にかかわらず維持放電を安定して継続することができる。

　消去期間、休止期間：
　維持期間の後には２つの消去期間と休止期間が設けられている。前半の消去期間では、走査電極ＳＣ１～ＳＣ１０８０に電圧Ｖｒに向かって上昇する傾斜波形電圧を印加し、データ電極Ｄｋ上の正の壁電圧を残したまま、走査電極ＳＣｉおよび維持電極ＳＵｉ上の壁電圧を消去している。このように消去動作を行うためにはある程度の時間が必要である。そして消去期間は壁電圧を消去するだけでなく、次の書込み期間の書込み動作に備えてデータ電極上の壁電圧を調整する期間でもあるため、データ電極の電圧を固定しておくことが望ましい。そのため、本実施の形態における駆動電圧波形では、第１の表示電極対グループの消去期間において第２の表示電極対グループの書込み動作を停止している。

　その後、第１の表示電極対グループに対しては放電が発生しない休止期間であり、走査電極ＳＣ１～ＳＣ１０８０に電圧０（Ｖ）を印加した後、維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０に電圧Ｖｅ２を印加する。そして、第２の表示電極対グループは書込み動作を再開し、走査電極ＳＣ２１６０の書込みが終了するまで第１の表示電極対グループは休止期間の動作を継続する。

　その後、第１の表示電極対グループは後半の消去期間であり、維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０に一定電圧Ｖｅ１を印加した後、走査電極ＳＣ１～ＳＣ１０８０に電圧Ｖｉ４に向かって降下する傾斜波形電圧を印加し、次の書込み期間の書込み動作に備えてデータ電極上の壁電圧を調整する。その後、直ちに書込み期間になり走査電極ＳＣ１から書込み動作を始める。このように電圧Ｖｉ４に向かって降下する傾斜電圧波形を印加した直後に書込み動作を開始することによって、壁電荷の減少を抑制することができ、続く書込み期間において安定した書込み動作を行うことができる。

　ＳＦ２以降の駆動方法：
　次に第１の表示電極対グループに対するＳＦ２の書込み期間について説明する。

　維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０に一定電圧Ｖｅ２を継続して印加する。そして走査電極ＳＣ１～ＳＣ１０８０には、ＳＦ１の書込み期間と同様に走査パルスを順次印加するとともに、データ電極Ｄｋに書込みパルスを印加して、１～１０８０行目の放電セルで書込み動作を行う。

　なお、第１の表示電極対グループがＳＦ２の書込み期間となる間、第２の表示電極対グループは、ＳＦ１の維持期間である。すなわち、走査電極ＳＣ１０８１～ＳＣ２１６０および維持電極ＳＵ１０８１～ＳＵ２１６０には「６０」の維持パルスを交互に印加して、書込み放電を行った放電セルを発光させる。そして、維持期間の後は消去期間と休止期間となる。

　以降同様に、第２の表示電極対グループに対するＳＦ２の書込み期間、第１の表示電極対グループに対するＳＦ３の書込み期間、・・・、第２の表示電極対グループに対するＳＦ１０の書込み期間と続き、最後に第２の表示電極対グループに対するＳＦ１０の維持期間および消去期間と続いて１フィールドを終える。

　このように本実施の形態においては、初期化期間の後に、いずれかの表示電極対グループで書込み動作が連続して行われるように走査パルスおよび書込みパルスのタイミングを設定している。その結果、１フィールド期間内に１０のサブフィールドを設定することができる。そしてこのサブフィールドの数は、本実施の形態において１フィールド期間内に設定できる最大の数である。

　また本実施の形態においては、最後に第２の表示電極対グループに対する維持期間および消去期間で１フィールドを終える。そのため、最後のサブフィールドに輝度重みの最も小さいサブフィールドを配置することで、駆動時間を短縮することができる。

　なお、本実施の形態においては、電圧Ｖｉ１は１５０（Ｖ）、電圧Ｖｉ２は４００（Ｖ）、電圧Ｖｉ３は２００（Ｖ）、電圧Ｖｉ４は－１５０（Ｖ）、電圧Ｖｃは－１０（Ｖ）、電圧Ｖｂは１５０（Ｖ）電圧Ｖａは－１６０（Ｖ）、電圧Ｖｓは２００（Ｖ）、電圧Ｖｒは２００（Ｖ）、電圧Ｖｅ１は１４０（Ｖ）、電圧Ｖｅ２は１５０（Ｖ）、電圧Ｖｄは６０（Ｖ）である。また走査電極ＳＣ１～ＳＣ２１６０に印加する上り傾斜波形電圧の勾配は１０（Ｖ／μｓ）、下り傾斜波形電圧の勾配は－２（Ｖ／μｓ）である。ただしこれらの電圧値、勾配は上述した値に限定されるものではなく、パネルの放電特性やプラズマディスプレイ装置の仕様にもとづき最適に設定することが望ましい。

　(駆動回路)
　上記駆動波形を実現するプラズマディスプレイ装置の駆動回路の一例を説明する。

　図１３は、プラズマディスプレイ装置４０の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置４０は、ＰＤＰ１０、画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４、タイミング発生回路４５および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。

　画像信号処理回路４１は、画像信号を、サブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する。データ電極駆動回路４２は、ｍ本のデータ電極Ｄ１～Ｄｍのそれぞれに電圧Ｖｄまたは電圧０（Ｖ）を印加するためのｍ個のスイッチを備えている。そして画像信号処理回路４１から出力された画像データを各データ電極Ｄ１～Ｄｍに対応する書込みパルスに変換し、各データ電極Ｄ１～Ｄｍに印加する。

　タイミング発生回路４５は、水平同期信号、垂直同期信号をもとにして各回路の動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路へ供給する。走査電極駆動回路４３はタイミング信号にもとづいて第１の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１～ＳＣ１０８０および第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１～ＳＣ２１６０を駆動する。また維持電極駆動回路４４はタイミング信号にもとづいて第１の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０および第２の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１０８１～ＳＵ２１６０を駆動する。

　走査電極駆動回路４３：
　図１４は、上記プラズマディスプレイ装置４０における走査電極駆動回路４３の回路図である。走査電極駆動回路４３は、走査電極側維持パルス発生回路５０（以下、単に「維持パルス発生回路５０」と略称する）、傾斜波形発生回路６０、走査パルス発生回路７０ａ、走査パルス発生回路７０ｂ、走査電極側スイッチ回路７５ａ（以下、単に「スイッチ回路７５ａ」と略称する）、走査電極側スイッチ回路７５ｂ（以下、単に「スイッチ回路７５ｂ」と略称する）を備えている。

　維持パルス発生回路５０は、電力回収部５１と電圧クランプ部５５とを有し、第１の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１～ＳＣ１０８０または第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１～ＳＣ２１６０に印加する維持パルスを発生する。

　電力回収部５１は、電力回収用のコンデンサＣ５１、スイッチング素子Ｑ５１、Ｑ５２、逆流防止用のダイオードＤ５１、Ｄ５２、共振用のインダクタＬ５１、Ｌ５２を有し、表示電極対間の電極間容量とインダクタＬ５１またはインダクタＬ５２とをＬＣ共振させて維持パルスの立上りおよび立下りを行う。維持パルスの立上り時には、電力回収用のコンデンサＣ５１に蓄えられている電荷をスイッチング素子Ｑ５１、ダイオードＤ５１およびインダクタＬ５１を介して電極間容量に移動する。維持パルスの立下り時には、電極間容量に蓄えられた電荷を、インダクタＬ５２、ダイオードＤ５２およびスイッチング素子Ｑ５２を介して電力回収用のコンデンサＣ５１に戻す。このように、電力回収部５１は電源から電力を供給されることなくＬＣ共振によって維持パルスの立上りおよび立下りを行うため、消費電力が「０」に近くなる。なお、電力回収用のコンデンサＣ５１は電極間容量に比べて十分に大きい容量を持ち、電力回収部５１の電源として働くように、電圧Ｖｓの半分の約Ｖｓ／２に充電される。

　電圧クランプ部５５は、スイッチング素子Ｑ５５、Ｑ５６を有する。そしてスイッチング素子Ｑ５５をオンにすることにより、維持パルス発生回路５０の出力電圧（図１４の節点Ｃの電圧）を電圧Ｖｓにクランプする。また、スイッチング素子Ｑ５６をオンにすることにより、維持パルス発生回路５０の出力電圧を電圧０（Ｖ）にクランプする。したがって、電圧クランプ部５５による電圧印加時のインピーダンスは小さく、維持放電による大きな放電電流を安定して流すことができる。

　こうして維持パルス発生回路５０は、スイッチング素子Ｑ５１、Ｑ５２、Ｑ５５、Ｑ５６を制御することによって維持パルスを発生する。なお、これらのスイッチング素子として、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等の一般に知られた素子を用いて構成することができるが、図１４に示す回路構成は、スイッチング素子としてＩＧＢＴを用いた場合の回路構成である。スイッチング素子Ｑ５５、Ｑ５６としてＩＧＢＴを用いる場合には、制御する電流の方向と逆の方向の電流経路を確保する必要があるため、図１４に示したように、スイッチング素子Ｑ５５に並列にダイオードＤ５５を接続し、スイッチング素子Ｑ５６に並列にダイオードＤ５６を接続している。また図１４には示していないが、ＩＧＢＴを保護するためにスイッチング素子Ｑ５１およびスイッチング素子Ｑ５２のそれぞれに並列にダイオードを接続してもよい。

　スイッチング素子Ｑ５９は分離スイッチであり、初期化期間に節点Ｃの電圧がＶｉ２のようにＶｓよりも上昇する際に、後述する傾斜波形発生回路６０からダイオードＤ５５を介して電流が電圧Ｖｓに向かって逆流するのを防止する。

　傾斜波形発生回路６０は、２つのミラー積分回路６１、６２を備えている。ミラー積分回路６１は、傾斜波形発生回路６０の出力電圧（図１３の節点Ｃの電圧）を電圧Ｖｔに向かって緩やかに上昇させる。またミラー積分回路６２は、傾斜波形発生回路６０の出力電圧を電圧Ｖｒに向かって緩やかに上昇させる。

　走査パルス発生回路７０ａは、電圧Ｖｐの電源Ｅ７１ａと、ミラー積分回路７１ａと、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１～Ｑ７１Ｈ１０８０と、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１～Ｑ７１Ｌ１０８０とを有する。ミラー積分回路７１ａは、電源Ｅ７１ａの低圧側の電圧（図１４の節点Ａの電圧）を電圧Ｖａに向かって緩やかに降下させる。また電源Ｅ７１ａの低圧側の電圧を電圧Ｖａにクランプする。スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１～Ｑ７１Ｌ１０８０のそれぞれは、対応する走査電極に電源Ｅ７１ａの低圧側の電圧を印加し、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１～Ｑ７１Ｈ１０８０のそれぞれは、対応する走査電極に電源Ｅ７１ａの高圧側の電圧を印加する。

　走査パルス発生回路７０ｂは走査パルス発生回路７０ａと同様の構成であり、電圧Ｖｐの電源Ｅ７１ｂと、ミラー積分回路７１ｂと、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１０８１～Ｑ７１Ｈ２１６０と、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１０８１～Ｑ７１Ｌ２１６０とを有する。そして第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１～ＳＣ２１６０のそれぞれに電源Ｅ７１ｂの高圧側の電圧または低圧側の電圧を印加する。

　スイッチ回路７５ａはスイッチング素子Ｑ７６ａを有し、維持パルス発生回路５０および傾斜波形発生回路６０と走査パルス発生回路７０ａとを電気的に接続または分離する。スイッチ回路７５ｂはスイッチング素子Ｑ７６ｂを有し、維持パルス発生回路５０および傾斜波形発生回路６０と走査パルス発生回路７０ｂとを電気的に接続または分離する。

　上記の走査電極駆動回路４３を用いることで、図１２に示した駆動波形を第１の表示電極対グループである走査電極ＳＣ１～ＳＣ１０８０および第２の表示電極対グループである走査電極ＳＣ１０８１～ＳＣ２１６０に印加することができる。

　以下、走査電極駆動回路４３の動作を具体的に説明する。

　初期化期間においては、各スイッチ回路７５ａ、７５ｂのスイッチング素子Ｑ７６ａ、Ｑ７６ｂをオンし、走査パルス発生回路７０ａ、７０ｂのスイッチング素子Ｑ７１Ｈ１～Ｑ７１Ｈ２１６０をオン、Ｑ７１Ｌ１～Ｑ７１Ｌ２１６０をオフすることにより、傾斜波形発生回路６０からの出力に電圧Ｖｐを上乗せした電圧を走査電極ＳＣ１～ＳＣ２１６０に一斉に印加する。続いて、各スイッチ回路７５ａ、７５ｂのスイッチング素子Ｑ７６ａ、Ｑ７６ｂをオフし、走査パルス発生回路７０ａ、７０ｂのスイッチング素子Ｑ７１Ｈ１～Ｑ７１Ｈ２１６０をオフ、Ｑ７１Ｌ１～Ｑ７１Ｌ２１６０をオンした後、ミラー積分回路７１ａ、７１ｂをオンすることで、電圧Ｖｉ４までの下り傾斜電圧を走査電極ＳＣ１～ＳＣ２１６０に一斉に印加する。その後、Ｑ７１Ｌ１～Ｑ７１Ｌ２１６０をオフ、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１～Ｑ７１Ｈ２１６０をオンすることで、電圧Ｖｃを走査電極ＳＣ１～ＳＣ２１６０に一斉に印加する。

　第１の表示電極対グループの書込み期間においては、スイッチ回路７５ａのスイッチング素子Ｑ７６ａをオフ、ミラー積分回路７１ａをオンした状態で、各スイッチング素子Ｑ７１ＨｎおよびＱ７１Ｌｎをオンオフすることで、対応する走査電極ＳＣｎに走査パルスを印加する。第２の表示電極対グループの書込み期間も、同様の方法で対応する走査電極ＳＣｎに走査パルスを印加する。

　第１の表示電極対グループの維持期間においては、スイッチ回路７５ａのスイッチング素子Ｑ７６ａをオン、走査パルス発生回路７０ａのスイッチング素子Ｑ７１Ｈ１～Ｑ７１Ｈ１０８０をオフ、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１～Ｑ７１Ｌ１０８０をオンすることで、維持パルス発生回路５０の出力を第１の表示電極対グループＳＣ１～ＳＣ１０８０に印加する。この時、第２の表示電極対グループは書込み期間であるため、スイッチ回路７５ｂのスイッチング素子Ｑ７６ｂはオフされており、維持パルス発生回路５０の出力は第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１～ＳＣ２１６０に何ら影響しない。したがって、第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１～ＳＣ２１６０に対しては維持パルス発生回路５０の出力に依存せずに、上述する書込み動作を行うことができる。第２の表示電極対グループが維持期間、第１の表示電極対グループが書込み期間の場合も同様に、スイッチ回路７５ａのスイッチング素子Ｑ７６ａがオフされているので、維持パルス発生回路５０の出力は第１の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１～ＳＣ１０８０には何ら影響しない。

　続く第１の表示電極対グループの前半の消去期間においては、スイッチ回路７５ａのスイッチング素子Ｑ７６ａをオンし、走査パルス発生回路７０ａのスイッチング素子Ｑ７１Ｈ１～Ｑ７１Ｈ１０８０をオフ、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１～Ｑ７１Ｌ１０８０をオンすることで、走査電極ＳＣ１～ＳＣ１０８０に傾斜波形発生回路６０からの出力を印加する。この時第２の表示電極対グループは書込み期間（より正確には書込み動作を中断している期間）であり、スイッチ回路７５ｂのスイッチング素子Ｑ７６ｂはオフされているため、傾斜波形発生回路６０の出力電圧は第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１～ＳＣ２１６０に何ら影響しない。続く休止期間および後半の消去期間についても同様であり、スイッチング素子Ｑ７６ｂがオフされているため、第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１～ＳＣ２１６０には傾斜波形発生回路６０の出力電圧は何ら影響しない。

　このように、走査電極駆動回路４３において、スイッチ回路７５ａ，７５ｂが、下り傾斜電圧を印加する期間と書込み期間においてオフすることで、一方の表示電極対グループに対して、他方の表示電極対グループの印加電圧に影響を受けることなく、所望の電圧を印加することができる。

　維持電極駆動回路４４：
　図１５は、プラズマディスプレイ装置４０における維持電極駆動回路４４の回路図である。維持電極駆動回路４４は、維持電極側維持パルス発生回路８０（以下、単に「維持パルス発生回路８０」と略称する）、一定電圧発生回路９０ａ、一定電圧発生回路９０ｂ、維持電極側スイッチ回路１００ａ（以下、単に「スイッチ回路１００ａ」と略称する）、維持電極側スイッチ回路１００ｂ（以下、単に「スイッチ回路１００ｂ」と略称する）を備えている。

　維持パルス発生回路８０は、電力回収部８１と電圧クランプ部８５とを有し、第１の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０または第２の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１０８１～ＳＵ２１６０に印加する維持パルスを発生する。

　電力回収部８１は、電力回収用のコンデンサＣ８１、スイッチング素子Ｑ８１、Ｑ８２、逆流防止用のダイオードＤ８１、Ｄ８２、共振用のインダクタＬ８１、Ｌ８２を有し、電力回収部５１と同様にして、表示電極対間の電極間容量とインダクタＬ８１またはインダクタＬ８２とをＬＣ共振させて維持パルスの立上りおよび立下りを行う。

　電圧クランプ部８５は、スイッチング素子Ｑ８５、Ｑ８６を有し、電圧クランプ部５５と同様にして、維持パルス発生回路８０の出力電圧（図１４の節点Ｄの電圧）を電圧Ｖｓまたは電圧０（Ｖ）にクランプする。

　一定電圧発生回路９０ａは、スイッチング素子Ｑ９１ａ、Ｑ９２ａ、Ｑ９３ａ、Ｑ９４ａを有する。スイッチング素子Ｑ９３ａとスイッチング素子Ｑ９４ａとは、制御する電流の方向が互いに逆になるように直列接続された双方向のスイッチを形成している。そしてスイッチング素子Ｑ９１ａ、Ｑ９３ａ、Ｑ９４ａを介して第１の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０に一定電圧Ｖｅ１を印加し、スイッチング素子Ｑ９２ａ、Ｑ９３ａ、Ｑ９４ａを介して維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０に一定電圧Ｖｅ２を印加する。

　一定電圧発生回路９０ｂは、一定電圧発生回路９０ａと同様の構成であり、スイッチング素子Ｑ９１ｂ、Ｑ９２ｂ、Ｑ９３ｂ、Ｑ９４ｂを有する。そして第２の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１０８１～ＳＵ２１６０に一定電圧Ｖｅ１または一定電圧Ｖｅ２を印加する。

　これらのスイッチング素子も、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等の一般に知られた素子を用いて構成することができるが、図１５にはＭＯＳＦＥＴおよびＩＧＢＴを用いた回路構成を示している。すなわち、スイッチング素子Ｑ９４ａ、Ｑ９４ｂにはＩＧＢＴを用いており、制御する電流の方向と逆の方向の電流経路を確保するためにスイッチング素子Ｑ９４ａに並列にダイオードＤ９４ａを接続し、スイッチング素子Ｑ９４ｂに並列にダイオードＤ９４ｂを接続している。

　また、スイッチング素子Ｑ９４ａは維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０から電圧Ｖｅ１、Ｖｅ２の電源に向かって電流を流すために設けられているが、電圧Ｖｅ１、Ｖｅ２の電源から維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０に向かってのみ電流を流す場合にはスイッチング素子Ｑ９４ａを省略してもよい。スイッチング素子Ｑ９４ｂについても同様である。

　また、スイッチング素子Ｑ９３ａのゲート・ドレイン間にコンデンサＣ９３ａを、スイッチング素子Ｑ９３ｂのゲート・ドレイン間にコンデンサＣ９３ｂをそれぞれ接続している。これらのコンデンサＣ９３ａ、Ｃ９３ｂは電圧Ｖｅ１、Ｖｅ２印加時の立上りを緩やかにするために設けているが、必ずしも必要なものではない。特に、電圧Ｖｅ１、電圧Ｖｅ２をステップ状に変化させる場合はこれらのコンデンサＣ９３ａ、Ｃ９３ｂは不要である。

　スイッチ回路１００ａはスイッチング素子Ｑ１０１ａ、Ｑ１０２ａを有し、スイッチング素子Ｑ１０１ａとスイッチング素子Ｑ１０２ａとは制御する電流の方向が互いに逆になるように直列接続された双方向のスイッチを形成している。そして維持パルス発生回路８０と第１の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０とを電気的に接続または分離する。

　スイッチ回路１００ｂはスイッチング素子Ｑ１０１ｂ、Ｑ１０２ｂを有し、スイッチング素子Ｑ１０１ｂとスイッチング素子Ｑ１０２ｂも、制御する電流の方向が互いに逆になるように直列接続された双方向のスイッチを形成している。そして維持パルス発生回路８０と第２の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１０８１～ＳＵ２１６０とを電気的に接続または分離する。

　上記の維持電極駆動回路４４を用いることで、上記図１２に示した駆動波形を第１の表示電極対グループである維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０および第２の表示電極対グループである走査電極ＳＵ１０８１～ＳＵ２１６０に印加することができる。

　以下、維持電極駆動回路４４の動作を具体的に説明する。

　初期化期間においては、走査電極ＳＣ１～ＳＣ２１６０に上り傾斜波形を印加する期間はスイッチ回路１００ａ、１００ｂのスイッチング素子Ｑ１０１ａ、Ｑ１０１ｂ、Ｑ１０２ａ、Ｑ１０２ｂをオンし、維持パルス発生回路８０の出力を０（Ｖ）にすることで、維持電極ＳＵ１～ＳＵ２１６０に一斉に０（Ｖ）を印加する。続く初期化期間の後半である走査電極ＳＣ１～ＳＣ２１６０に下り傾斜波形を印加する期間は、スイッチ回路１００ａ、１００ｂのスイッチング素子Ｑ１０１ａ、Ｑ１０１ｂ、Ｑ１０２ａ、Ｑ１０２ｂをオフし、一定電圧発生回路９０ａ、９０ｂのスイッチング素子Ｑ９１ａ、Ｑ９１ｂ、Ｑ９３ａ、Ｑ９３ｂ、Ｑ９４ａ、Ｑ９４ｂをオンすることで、維持電極ＳＵ１～ＳＵ２１６０に一斉に電圧Ｖｅ１を印加する。

　書込み期間においては、スイッチング素子Ｑ９１ａ、Ｑ９１ｂをオフ、Ｑ９２ａ、Ｑ９２ｂをオンすることで電圧Ｖｅ２を出力する。

　第１の表示電極対グループが維持期間においては、スイッチ回路１００ａのスイッチング素子Ｑ１０１ａ、Ｑ１０２ａをオン、一定電圧発生回路９０ａのスイッチング素子Ｑ９３ａ、Ｑ９４ａをオフして、維持パルス発生回路８０が出力する維持パルスを維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０に印加する。この時第２の表示電極対グループは書込み期間であるが、スイッチ回路１００ｂのスイッチング素子Ｑ１０１ｂ、Ｑ１０２ｂはオフされているので、維持パルス発生回路８０が出力する電圧は維持電極ＳＵ１０８１～ＳＵ２１６０に何ら影響しない。第２の表示電極対グループが維持期間で第１の表示電極対グループが書込み期間の場合も同様である。すなわち、スイッチ回路１００ｂのスイッチング素子Ｑ１０１ｂ、Ｑ１０２ｂをオン、一定電圧発生回路９０ｂのスイッチング素子Ｑ９３ｂ、Ｑ９４ｂをオフして、維持パルス発生回路８０が出力する維持パルスを維持電極ＳＵ１０８１～ＳＵ２１６０に印加する。この時第１の表示電極対グループは書込み期間であるが、スイッチ回路１００ａのスイッチング素子Ｑ１０１ａ、Ｑ１０２ａはオフされているので、維持パルス発生回路８０が出力する電圧は維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０に何ら影響しない。

　続く第１の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０が消去期間においては、維持パルス発生回路８０から電位０（Ｖ）を出力し、続く休止期間においては、スイッチ回路１００ａのスイッチング素子Ｑ１０１ａ、Ｑ１０２ａをオフ、一定電圧発生回路９０ａのスイッチング素子Ｑ９１ａ、Ｑ９３ａ、Ｑ９４ａをオンすることで維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０に電圧Ｖｅ１を印加する。続く後半の消去期間においては、一定電圧発生回路９０ａのスイッチング素子Ｑ９１ａをオフ、Ｑ９２ａをオンすることで電圧Ｖｅ２を維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０に印加する。これら前半の消去期間、休止期間、後半の消去期間においても、第２の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１０８１～ＳＵ２１６０には何ら影響しない。第２の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１０８１～ＳＵ２１６０が消去期間および休止期間であり、第１の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０が書込み期間である場合も同様に、維持電極ＳＵ１０８１～ＳＵ２１６０に印加する電圧は維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０に何ら影響しない。

　このように、維持電極駆動回路４４はスイッチ回路１００ａ、１００ｂが書込み期間においてオフすることで、一方の表示電極対グループに対して、他方の表示電極対グループの印加電圧に影響を受けることなく、所望の電圧を印加することができる。

　（本実施形態のＰＤＰ表示装置による効果）
　以上説明した本実施形態にかかる表示装置においては、ＰＤＰ１０が、高精細であって、そのセルピッチは狭いが、実施の形態１で説明したように、放電ガスの組成及び分圧が設定され、それによって高効率で発光表示することができる。

　一方、高精細のＰＤＰにおいては、一般に各サブフィールドにおいて書き込みに要する時間が長くなるので、実施の形態１のように各サブフィールドにおいてすべての放電セルに書き込んだ後にすべての放電セルで一斉に維持放電する駆動方法を用いた場合、放電維持期間の時間を十分に確保するのが難しくなる。特に、放電ガスにＨｅが添加されていると、本願発明者らの実験によれば、放電遅れ（放電統計遅れ時間ｔｓ、放電形成遅れ時間ｔｆ）が大きくなり、書き込み期間が長くなる傾向にあるので、放電維持の時間を長く確保するのが難しくなり、発光輝度を得にくくなる。

　これに対して、本実施形態では、ピュアウェーブ方式で駆動しているので、１フィールド中に確保できる放電維持期間をより長くすることができ、発光輝度を得ることができる。

　このように、本実施形態の表示装置によれば、高精細のＰＤＰにおいて発光輝度が低下しやすいデメリットを、駆動方式による輝度向上効果で補うことができるので、高精細で高発光効率且つ高輝度の表示装置を実現することができる。

　（駆動方法のバリエーション）
　上記図１１に示した駆動方法では、すべてのサブフィールドにおいて第１の表示電極対グループと第２の表示電極対グループとのサブフィールドの位相をずらしたサブフィールド構成を例に説明したが、このようなサブフィールド構成に限定されるものではなく、例えば、すべての放電セルに対して維持期間の位相を揃えた書込み・維持分離方式のサブフィールドをいくつか含むサブフィールド構成であってもよい。

　また、維持パルス発生回路、傾斜波形発生回路等の具体的な回路構成は一例を示したに過ぎず、同様の駆動電圧波形を発生させることができれば他の回路構成であってもよい。

　例えば図１４に示した電力回収部５１は、維持パルスの立ち上り時にはスイッチング素子Ｑ５１、ダイオードＤ５１、インダクタＬ５１およびスイッチング素子Ｑ５９を介してコンデンサＣ５１の電荷を電極間容量に移動し、維持パルスの立下り時にはインダクタＬ５２、ダイオードＤ５２およびスイッチング素子Ｑ５２を介して電極間容量の電荷をコンデンサＣ５１に戻す回路構成であるが、インダクタＬ５１の一方の端子の接続をスイッチング素子Ｑ５９のソースから節点Ｃに変更して、維持パルスの立ち上り時にスイッチング素子Ｑ５１、ダイオードＤ５１およびインダクタＬ５１を介してコンデンサＣ５１の電荷を電極間容量に移動する回路構成としてもよい。また、インダクタＬ５１とインダクタＬ５２とを１つのインダクタで兼用する回路構成であってもよい。

　また図１４に示した傾斜波形発生回路６０は、２つのミラー積分回路６１、６２を備えた回路構成であるが、１つの電圧切換回路と１つのミラー積分回路とを備えた回路構成であってもよい。

　また、図１４に示した電力回収部５１のコンデンサＣ５１を削除し、図１５に示した電力回収部８１をすべて削除し、図１５の節点Ｄと図１４のスイッチング素子Ｑ５１とＱ５２との接続点とを接続した回路構成とすることもできる。あるいは、図１４に示した電力回収部５１をすべて削除し、図１５に示した電力回収部８１のコンデンサＣ８１を削除し、図１５のスイッチング素子Ｑ８１とＱ８２の接続点と節点Ｃとを接続した回路構成とすることもできる。

　（デュアルスキャンの併用）
　上記図１０においては表示電極対が２１６０対あって、表示電極対グループを２グループとした例を説明したが、図１６に示すＰＤＰ１０１では、表示電極対が４３２０対存在し、データ電極Ｄ１～Ｄｍが走査電極ＳＣ１～ＳＣ２１６０および維持電極ＳＵ１～ＳＵ２１６０と交差し、別のデータ電極Ｄｍ＋１～Ｄ２ｍが走査電極ＳＣ２１６１～ＳＣ４３２０および維持電極ＳＵ２１６１～ＳＵ４３２０と交差している。このＰＤＰにおいても、デュアルスキャンを併用して、上で説明したのと同様の方式で動作させることが可能である。

　すなわち、このＰＤＰ１０１に配設されている４３２０対の表示電極対を、上半分と下半分に分ける。

　そして、上部では、走査電極ＳＣ１～ＳＣ１０８０と維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０とで第１の表示電極対グループを形成し、走査電極ＳＣ１０８１～ＳＣ２１６０と維持電極ＳＵ１０８１～ＳＵ２１６０とで第２の表示電極対グループを形成し、データ電極Ｄ１～Ｄｍを、この第１及び第２の表示電極対グループと交差させる。

　一方、下部でも、走査電極ＳＣ２１６１～ＳＣ３２４０と維持電極ＳＵ２１６１～ＳＵ３２４０とで第１の表示電極対グループを形成し、走査電極ＳＣ３２４１～ＳＣ４３２０と維持電極ＳＵ３２４１～ＳＵ４３２０とで第２の表示電極対グループを形成し、データ電極Ｄｍ＋１～Ｄ２ｍを、この第１及び第２の表示電極対グループと交差させる。

　データ電極Ｄ１～Ｄｍは、上部の走査電極ＳＣ１～ＳＣ２１６０および維持電極ＳＵ１～ＳＵ２１６０の表示電極対グループとしか交差していないため、走査電極ＳＣ２１６１～ＳＣ４３２０および維持電極ＳＵ２１６１～ＳＵ４３２０がどのような動作を行っても何ら影響されない。

　同様に、データ電極Ｄｍ＋１～Ｄ２ｍは、下部の表示電極対グループとだけ交差しているので、上部の走査電極ＳＣ１～ＳＣ２１６０および維持電極ＳＵ１～ＳＵ２１６０に何ら影響されない。

　このように、図１６に示すＰＤＰ１０１では、表示電極対の数は図１０に示したものの２倍であるが、上部と下部の各領域で、独立した動作ができるため、上で説明した動作と同様の動作を並行して行うことが可能である。

　図１７は、図１６に示したパネルの走査電極を駆動する走査電極駆動回路４３１の回路図である。図１４に示した走査電極駆動回路４３との相違点は、走査パルス発生回路７０ａと比較して、走査パルス発生回路７０ｅには走査電極ＳＣ２１６１～ＳＣ３２４０を駆動するためのスイッチング素子Ｑ７１Ｈ２１６１～Ｑ７１Ｈ３２４０およびＱ７１Ｌ２１６１～Ｑ７１Ｌ３２４０が追加されている点、および、走査パルス発生回路７０ｂと比較して、走査パルス発生回路７０ｆには走査電極ＳＣ３２４１～ＳＣ４３２０を駆動するためのスイッチング素子Ｑ７１Ｈ３２４１～Ｑ７１Ｈ４３２０およびＱ７１Ｌ３２４１～Ｑ７１Ｌ４３２０が追加されている点である。走査パルス発生回路５０および傾斜波形発生回路６０は同様である。

　このような走査電極駆動回路を用いることで、例えば第１の表示電極対グループの書込み期間において走査電極ＳＣ１に書込みパルスを印加するのと同時にＳＣ２１６１にも書込みパルスを印加することができる。第２の表示電極対グループの書込み期間においても同様に、走査電極ＳＣ１０８１に書込みパルスを印加するのと同時にＳＣ３２４１にも書込みパルスを印加することができる。したがって、ＰＤＰ１０１の上部と下部の両方の表示部で同時に書込み動作が行えるので、上述したｎ＝２１６０本の時の動作と同じ駆動波形でＰＤＰ１０１を表示することができる。

　なお、図示しないが、維持電極駆動回路も同様に構成すればよい。すなわち、維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０に接続される維持電極駆動回路に、維持電極ＳＵ２１６１～ＳＵ３２４０を追加で接続し、維持電極ＳＵ１０８１～ＳＵ２１６０に接続される回路に維持電極ＳＵ３２４１～ＳＵ４３２０を追加で接続すればよい。

　（４つの表示電極対グループに分割する例）
　以上、表示電極対グループ数Ｎが２の場合について説明したが、表示電極対グループ数Ｎをもっと大きく設定することもできる。

　図１８は、ＰＤＰ１０２の電極配列図である。ＰＤＰ１０２には、表示電極対の数は４３２０対であって、これが４つの表示電極対グループに分割されている。そして、ｍ本のデータ電極数が、すべての表示電極対と交差するように配列されている。上記ＰＤＰ１０では、表示電極対のグループ数Ｎ＝２であったが、この例ではＮ＝４と増えており、Ｔｗ×（Ｎ－１）／Ｎの値が大きくなっている。

　このＰＤＰ１０２では、上記ＰＤＰ１０１と違って、パネルの上部と下部とで同時に書込み動作を行うことはできないが、表示電極対のグループ数Ｎが大きいので、維持期間に割り当てる最大時間Ｔｓを大きく設定できる。

　従って、維持期間に表示電極対に印加する維持パルス数を増やすことができ、パネルの発光輝度を高めることができる。

　図１９は、ＰＤＰ１０２を駆動する走査電極駆動回路４３２の回路図である。ＰＤＰ１０２は、表示電極対グループが４つあるため、走査電極駆動回路４３２はスイッチ回路７５ａ、７５ｂ、７５ｃ、７５ｄを備え、走査パルス発生回路７０ａ、７０ｂ、７０ｃ、７０ｄを備えている。

　走査パルス発生回路７０ａは、第１の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１～ＳＣ１０８０に接続され、走査パルス発生回路７０ｂは第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１～ＳＣ２１６０に接続され、走査パルス発生回路７０ｃは第３の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ２１６１～ＳＣ３２４０に接続され、走査パルス発生回路７０ｄは第４の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ３２４１～ＳＣ４３２０に接続され、上記図１１に基づいて説明したのと同様に、表示電極対グループごとに維持期間をずらして動作を行う。すなわち、４つの表示電極対グループごとに、そのグループに属する走査電極に書込みを行い、その書き込み期間の直後に、維持パルスを印加する維持期間が設定されている。

　図２０は、図１８に示すパネルを駆動するための維持電極駆動回路４４２の回路図である。ＰＤＰ１０２では、表示電極対グループが４つあるため、維持電極駆動回路４４２は、４つのスイッチ回路１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄを備え、一定電圧発生回路９０ａ、９０ｂ、９０ｃ、９０ｄを備えている。

　一定電圧発生回路９０ａは、第１の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１～ＳＵ１０８０に接続され、上で説明した動作と同様の動作を行う。

　一定電圧発生回路９０ｂは第２の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１０８１～ＳＵ２１６０に接続され、一定電圧発生回路９０ｃは第３の表示電極対グループに属する維持電極ＳＣ２１６１～ＳＵ３２４０に接続され、一定電圧発生回路９０ｄは第４の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ３２４１～ＳＵ４３２０に接続され、これらも、上記の動作と同様の動作を行う。

　なお、表示電極対グループの数が一般にＮ個の場合には、図１９に示す回路において、スイッチ回路７５ａ～７５ｎと走査パルス発生回路７０ａ～７０ｎを追加するとともに、図２０に示す回路において、スイッチ回路１００ａ～１００ｎと一定電圧発生回路９０ａ～９０ｎを追加することによって、すべての表示電極対グループに属する表示電極対を駆動することができる。

　[その他の事項]
　上記実施の形態２においては、ＰＤＰに表示電極対が２１６０対以上設けられている場合について説明したが、このライン数以下の場合、いわゆる、ＳＤ、ＨＤ、ＦＨＤといった解像度のＰＤＰに適用してもよく、同様の効果を得ることができる。

　また、上記実施形態において、説明する際に用いた具体的な各数値は、単に一例を挙げたに過ぎず、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に合わせて適宜設定することが望ましい。

　本願発明によれば、特に超高精細のＰＤＰにおいて、高い発光効率を実現することが可能となるので、映像表示用のディスプレイ装置に適している。

　　　　１　　前面板
　　　　２　　背面板
　　　　３　　リブ
　　　　４　　放電電極対
　　　　５　　誘電体層
　　　　６　　保護膜
　　　　７　　データ電極
　　　　８　　下地誘電体層
　　　　９　　蛍光体層
　　　１１　　放電セル
　　　１０　　ＰＤＰ
　　　２１　　前面基板
　　　２４　　表示電極対
　　　２５　　誘電体層
　　　２６　　保護層
　　　３１　　背面基板
　　　３２　　データ電極
　　　３３　　誘電体層
　　　３４　　隔壁
　　　３５　　蛍光体層
　　１００　　ＰＤＰ

Claims

　1対の基板が間隙をあけて対向配置され、当該間隙がリブによって仕切られて放電セルが複数形成され、前記１対の基板の一方の対向面には各放電セルに臨む放電電極対が設けられ、各放電セルに放電ガスが封入されてなるプラズマディスプレイパネルであって、
　前記放電電極対の直下において前記リブで規定される前記放電空間の最小幅が、６５μｍ以上１００μｍ以下であり、
　前記放電ガスは、
　主成分がキセノンとネオンとヘリウムとからなり、
　キセノンの分圧比が１５％以上２５％以下、ヘリウムの分圧比が２０％以上５０％以下であり、全圧が６０ｋＰａ以上７０ｋＰａ以下であるプラズマディスプレイパネル。

　前記放電ガスにおいて、
　ヘリウムの分圧比は３０％以上４０％以下である請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。

　請求項１記載のプラズマディスプレイパネルと、当該プラズマディスプレイパネルを駆動する駆動回路を備える表示装置であって、
　前記プラズマディスプレイパネルは、放電電極対を複数対備え、
　前記駆動回路は、
　前記複数の放電電極対を複数の表示電極対グループに分け、
　前記表示電極対グループ毎に、放電セルで書込み放電を発生させる書込み期間と前記放電セルで維持放電を発生させる維持期間とを有する複数のサブフィールドを用いて１フィールド期間を分割し、
　前記表示電極対グループの数をＮ（Ｎは２以上の整数）、パネル全体の放電セルで１回の書込み動作を行うために必要な時間をＴｗとするとき、
　各表示電極対グループの各サブフィールドの維持期間の時間が、
　Ｔｗ×（Ｎ－１）／Ｎ以下に設定された駆動を行う表示装置。