WO2011120598A8 - Procédé pour la production de lingots de silicium de qualité convenant pour la fabrication de semi-conducteurs, creusets réutilisables et leur procédé de fabrication - Google Patents

Procédé pour la production de lingots de silicium de qualité convenant pour la fabrication de semi-conducteurs, creusets réutilisables et leur procédé de fabrication Download PDF

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Abstract

Cette invention porte sur un procédé pour la production de lingots de silicium de qualité convenant pour la fabrication de semi-conducteurs, dont le silicium de qualité solaire, sur des creusets réutilisables employés dans le procédé et sur un procédé pour la fabrication des creusets réutilisables, le procédé étant caractérisé en ce que les lingots de silicium sont produits dans des creusets réutilisables constitués de composite de carbure de silicium renforcé par des fibres de carbone qui a un coefficient de dilatation thermique inférieur à 4 x 10-6 K-1 à des températures au-dessus de 400°C et inférieur à 3 x 10-6 K-1 à des températures au-dessous de 400°C et une conductivité thermique d'au moins 5 W/mK à des températures de 25°C à 1 500°C.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103628125A (zh) * 2012-08-21 2014-03-12 浙江昱辉阳光能源有限公司 一种多晶硅铸锭炉和多晶硅铸锭方法
CN103628126A (zh) * 2012-08-21 2014-03-12 浙江昱辉阳光能源有限公司 一种类单晶晶体硅锭的制作方法和多晶硅铸锭炉
KR101779267B1 (ko) * 2012-10-10 2017-09-18 저지앙 위후이 쏠라 에너지 소스 컴퍼니 리미티드 다결정 실리콘 잉곳, 다결정 실리콘 잉곳을 제조하는 방법, 및 도가니
DE102014102980B4 (de) * 2014-03-06 2017-12-21 Ald Vacuum Technologies Gmbh Hybridtiegel zur Kristallisation von Materialien, Verwendung des Hybridtiegels, Verfahren zur Herstellung von kristallinem Material sowie kristallines Produkt
DE102017204257A1 (de) 2017-03-14 2018-09-20 Schunk Kohlenstofftechnik Gmbh Beschichtetes Produkt und Verfahren zur Herstellung

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2614321A1 (fr) * 1987-04-27 1988-10-28 Europ Propulsion Cartouche en materiaux composites pour dispositif d'elaboration de monocristaux.
DE19710105A1 (de) 1997-03-12 1998-09-17 Sgl Technik Gmbh Mit Graphitkurzfasern verstärkter Siliciumcarbidkörper
JPH10273369A (ja) * 1997-03-28 1998-10-13 Nissan Motor Co Ltd 耐Ｓｉアタック性に優れたＣ／Ｃ複合材の製造方法およびＣ／Ｃ製るつぼ
DE19749462C1 (de) 1997-11-10 1999-03-04 Deutsch Zentr Luft & Raumfahrt Verfahren zur Herstellung eines mit Kohlenstoff-Fasern verstärkten, keramisierten Formkörpers und Verwendung eines solchen Formkörpers
EP1187950A2 (fr) * 1999-11-24 2002-03-20 Snecma Moteurs Procede de fabrication d'un bol en materiau composite thermostructural, bol tel qu'obtenu par le procede, et utilisation du bol comme support de creuset
DE10212043B4 (de) 2002-03-19 2005-05-25 Sgl Carbon Ag Verfahren zur Infiltration von porösen Kohlenstoffverbundkörpern, Dochte aus Kohlenstoffmaterial und ihre Verwendung
DE10359484A1 (de) 2003-12-18 2005-07-14 Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. Verfahren zur Herstellung eines Bauteils aus einem Faserverbundwerkstoff und Faserverbundwerkstoff
JP2006131451A (ja) * 2004-11-05 2006-05-25 Tokai Carbon Co Ltd 単結晶引き上げ用ルツボとその製造方法
KR20090024802A (ko) * 2006-06-23 2009-03-09 알이씨 스캔웨이퍼 에이에스 반도체용 실리콘의 제조 장치 및 방법
KR20090023498A (ko) * 2006-06-23 2009-03-04 알이씨 스캔웨이퍼 에이에스 반도체 등급 다결정 실리콘 잉곳의 직접 응결을 위한 도가니 및 방법
US20090249999A1 (en) 2006-06-23 2009-10-08 Rec Scanwafer As Reusable crucibles and method of manufacturing them
CN101643933B (zh) * 2009-08-19 2012-05-02 湖南南方搏云新材料有限责任公司 Cz法硅单晶生长炉石英坩埚碳素护埚及其制造工艺

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