WO2011111697A1 - 陽極酸化層の形成方法、型の製造方法および反射防止膜の製造方法 - Google Patents

陽極酸化層の形成方法、型の製造方法および反射防止膜の製造方法 Download PDF

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aluminum
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林 秀和
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Definitions

  • the present invention relates to a method for forming an anodized layer, a method for producing a mold, and a mold.
  • the “mold” here includes molds used in various processing methods (stamping and casting), and is sometimes referred to as a stamper. It can also be used for printing (including nanoprinting).
  • An optical element such as a display device or a camera lens used for a television or a mobile phone is usually provided with an antireflection technique in order to reduce surface reflection and increase light transmission.
  • an antireflection technique in order to reduce surface reflection and increase light transmission. For example, when light passes through the interface of a medium with a different refractive index, such as when light enters the interface between air and glass, the amount of transmitted light is reduced due to Fresnel reflection, and visibility is reduced. is there.
  • This method utilizes the principle of a so-called moth-eye structure, and the refractive index for light incident on the substrate is determined from the refractive index of the incident medium along the depth direction of the irregularities, to the refractive index of the substrate.
  • the reflection in the wavelength region where the reflection is desired to be prevented is suppressed by continuously changing the wavelength.
  • the moth-eye structure has an advantage that it can exhibit an antireflection effect with a small incident angle dependency over a wide wavelength range, can be applied to many materials, and can form an uneven pattern directly on a substrate. As a result, a low-cost and high-performance antireflection film (or antireflection surface) can be provided.
  • Patent Documents 2 to 4 As a method for producing a moth-eye structure, a method using an anodized porous alumina layer obtained by anodizing aluminum is attracting attention (Patent Documents 2 to 4).
  • anodized porous alumina layer obtained by anodizing aluminum will be briefly described.
  • a method for producing a porous structure using anodization has attracted attention as a simple method capable of forming regularly ordered nano-sized cylindrical pores (fine concave portions).
  • an acidic or alkaline electrolyte such as sulfuric acid, oxalic acid, or phosphoric acid
  • a voltage is applied using this as an anode
  • oxidation and dissolution proceed simultaneously on the surface of the substrate, and pores are formed on the surface.
  • An oxide film having the following can be formed. These cylindrical pores are oriented perpendicular to the oxide film and exhibit self-organized regularity under certain conditions (voltage, type of electrolyte, temperature, etc.). Is expected.
  • the porous alumina layer formed under specific conditions takes an array in which almost regular hexagonal cells are two-dimensionally filled with the highest density when viewed from the direction perpendicular to the layer surface.
  • Each cell has a pore in the center, and the arrangement of the pores has periodicity.
  • the cell is formed as a result of local dissolution and growth of the film, and dissolution and growth of the film proceed simultaneously at the bottom of the pores called a barrier layer.
  • the cell size that is, the distance between adjacent pores (center-to-center distance) corresponds to approximately twice the thickness of the barrier layer and is approximately proportional to the voltage during anodization.
  • the diameter of the pores depends on the type, concentration, temperature, etc.
  • the pores of such porous alumina have an arrangement with high regularity (having periodicity) under a specific condition, an arrangement with irregularity to some extent or an irregularity (having no periodicity) depending on the conditions. ).
  • Patent Document 2 discloses a method of forming an antireflection film (antireflection surface) using a stamper having an anodized porous alumina layer on the surface.
  • Patent Document 3 discloses a technique for forming a tapered concave portion in which the pore diameter continuously changes by repeating anodization of aluminum and pore diameter enlargement processing.
  • Patent Document 4 a technique for forming an antireflection film using an alumina layer in which fine concave portions have stepped side surfaces.
  • a mold for forming a moth-eye structure on the surface (hereinafter referred to as “moth-eye mold”) can be easily manufactured.
  • the surface of the anodized layer of aluminum is used as a mold as it is, the effect of reducing the manufacturing cost is great.
  • the surface structure of the moth-eye mold that can form the moth-eye structure is referred to as an “inverted moth-eye structure”.
  • a method using a photocurable resin is known. First, a photocurable resin is applied on the substrate. Subsequently, the uneven surface of the moth-eye mold subjected to the release treatment is pressed against the photocurable resin in a vacuum. Thereafter, a photocurable resin is filled into the concavo-convex structure. Subsequently, the photocurable resin in the concavo-convex structure is irradiated with ultraviolet rays to cure the photocurable resin.
  • Patent Document 5 discloses a method of directly cooling an aluminum substrate and controlling the temperature independently of the temperature control of the electrolytic solution.
  • the present invention utilizes the fact that the structure of the porous alumina layer depends on the temperature at the time of anodization, and forms a porous alumina layer having regions having different fine structures (for example, pore depths) in a predetermined pattern. It is a main object of the present invention to provide a novel method for forming an anodized layer.
  • the method for forming an anodized layer according to the present invention is a step of preparing an aluminum film formed on a first main surface of a support, the second main surface being opposite to the first main surface of the support.
  • the step (c) of enlarging the plurality of fine recesses of the porous alumina layer by bringing the porous alumina layer into contact with an etching solution and the step (d) of growing the plurality of fine recesses by further anodizing after c) is included.
  • the predetermined pattern represents information.
  • the predetermined pattern includes a character, a graphic, a symbol, or a combination thereof.
  • the step (a) includes a base material and an inorganic base layer formed on a surface of the base material, and the surface of the inorganic base layer is the first main surface.
  • a step of preparing, a step of forming an aluminum layer on the inorganic underlayer, a step of forming a natural oxide film on the surface of the aluminum layer, and a step of forming the aluminum film on the surface of the natural oxide film include. It is preferable to further include a step of forming an aluminum oxide layer between the inorganic underlayer and the aluminum layer.
  • the step (a) includes a base material and an inorganic base layer formed on a surface of the base material, and the surface of the inorganic base layer is the first main surface.
  • the buffer layer preferably contains aluminum and oxygen or nitrogen, and the aluminum content is preferably higher on the porous alumina layer side than on the inorganic underlayer side.
  • the mold manufacturing method of the present invention is a mold manufacturing method having an inverted moth-eye structure on the surface, and is a method for forming any one of the above anodized layers when viewed from the surface normal direction. Including a step of forming a porous alumina layer having a plurality of fine recesses having a dimensional size of 10 nm or more and less than 500 nm.
  • the method for producing an antireflection film of the present invention includes a step of preparing a mold produced by the above production method and a workpiece, and an ultraviolet curable resin is provided between the mold and the surface of the workpiece. In this state, the method includes curing the ultraviolet curable resin by irradiating the ultraviolet curable resin with ultraviolet rays through the mold.
  • the antireflection film manufactured by the manufacturing method of the present invention has the predetermined pattern formed by a plurality of fine protrusions having a two-dimensional size of 10 nm or more and less than 500 nm when viewed from the normal direction of the film surface. Is formed.
  • the predetermined pattern can be visually recognized by the difference in spectral reflectance in the visible light region due to the difference in the structure (height) of the fine protrusions.
  • a novel anodic oxidation layer forming method for forming a porous alumina layer having regions having different fine structures (for example, pore depths) in a predetermined pattern.
  • This anodized layer can be used, for example, as a mold for producing an antireflection film.
  • (A) And (b) is a figure which shows typically the state of the aluminum film provided to an anodic oxidation process in the formation method of the anodic oxidation layer of embodiment by this invention, (a) is a top view, (B) is a cross section taken along line 1B-1B ′ in (a). (A) And (b) is a figure which shows typically the mold 10 for moth eyes which has the porous alumina layer 18 formed by the formation method of the anodic oxidation layer of embodiment by this invention, (a) is a top view , (B) is a cross section taken along line 2B-2B 'in (a). It is typical sectional drawing of the to-be-processed object used by the experiment example.
  • FIG. (A) is a cross-sectional SEM image of the porous alumina layer 18 of the moth-eye mold 10, wherein (a) is a cross-section of a region 18b corresponding to a region where the low thermal conductive member 22 is provided on the back side of the glass substrate 12, and (b) It is the cross section of the area
  • FIG. (A) And (b) is a figure which shows the cross-sectional SEM image of the antireflection film produced using the type
  • FIG. 1 It is a graph which shows the measurement result of the spectral reflectance of the anti-reflective film produced using the type
  • (A) to (c) are cross-sectional SEM images of an antireflection film formed using a moth-eye mold having a porous alumina layer formed on a glass substrate, a PET substrate, and a TAC substrate, respectively.
  • (A)-(c) is a figure which shows the SEM image of the surface of the aluminum film deposited on the glass substrate, the PET substrate, and the TAC substrate, respectively.
  • the inventor of the present invention pays attention to the fact that the structure of the porous alumina layer depends on the temperature at the time of anodic oxidation. By actively utilizing this phenomenon, the fine structure (for example, the depth of the fine recesses) is mutually reduced.
  • the inventors have come up with a method for forming a porous alumina layer having different regions in a predetermined pattern. That is, according to the method for forming an anodic oxide layer of the embodiment of the present invention, it is possible to form a porous alumina layer having regions having different fine structures (for example, depths of fine recesses) in a predetermined pattern.
  • an embodiment of the present invention will be described by taking as an example a method of forming an anodized layer that can be used as a mold of an antireflection film.
  • the method for forming an anodized layer includes a step of preparing an aluminum film formed on a first main surface of a support, and a plurality of fine recesses by anodizing the surface of the aluminum film. Forming a porous alumina layer.
  • the anodic oxidation is performed in a state where the low heat conductive member having a predetermined pattern is provided on the second main surface opposite to the first main surface of the support.
  • a porous alumina layer in which a region having a fine structure (for example, a depth of a fine concave portion) different from other regions is formed according to the pattern of the low heat conductive member is obtained.
  • FIGS. 1 and 2 a method for forming an anodized layer according to an embodiment of the present invention will be described in detail.
  • FIGS. 1A and 1B are diagrams schematically showing the state of an aluminum film subjected to an anodizing step in the method for forming an anodized layer according to an embodiment of the present invention, and FIG. Is a plan view, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line 1B-1B ′ in FIG.
  • the aluminum film 16 is subjected to an anodic oxidation step in a state where it is formed on the support 12 of the object to be processed 10a. That is, the aluminum film 16 is formed on the first main surface (front side) of the support 12.
  • the support 12 is, for example, a glass substrate or a plastic substrate.
  • a low heat conductive member 22 having a predetermined pattern is provided on the second main surface (back side) opposite to the first main surface of the support 12.
  • a low thermal conductive member 22 having a frame-like pattern is provided around the rectangular support 12.
  • the low heat conductive member 22 may be any member that can slow down the rate at which Joule heat generated during anodization is released into the electrolyte solution, and is made of an insulating material (for example, glass or plastic) in the same manner as the support 12. Is formed.
  • an electrode extraction portion 16 e is provided on the upper end of the aluminum film 16. This part is not in contact with the electrolyte and is connected to the positive electrode of the external power source for anodization.
  • a method for taking out the electrode it is preferable to adopt the method described in PCT / JP2010 / 000937 by the present applicant.
  • a porous alumina layer having a plurality of fine recesses is formed by anodizing the surface of the aluminum film 16 in a state in which the object to be processed 10a is immersed in a predetermined electrolytic solution. At this time, Joule heat is generated as the anodic oxidation proceeds. Joule heat is transmitted from the aluminum film 16 and the formed porous alumina layer to the electrolytic solution and also to the electrolytic solution through the support 12.
  • the low thermal conductive member 22 provided on the back side of the support 12 prevents Joule heat generated from the front side of the support 12 from being conducted to the electrolyte on the back side of the support 12 via the support 12. Acts as follows. Accordingly, heat easily accumulates in the region of the support 12 where the low heat conductive member 22 is provided, and as a result, the region of the support 12 where the low heat conductive member 22 is provided has a higher temperature than the other regions. .
  • the temperature of the aluminum film 16 (or porous alumina layer) in the region corresponding to the region where the low thermal conductive member 22 of the support 12 is provided is naturally higher than the temperature of the aluminum film 16 in other regions. . Since the structure of the porous alumina layer also depends on the temperature at the time of anodization (temperature of the electrolytic solution), the porous alumina layer having a different structure is formed according to the temperature distribution pattern formed by the low thermal conductive member 22.
  • the porous alumina layer is brought into contact with the etching solution by contacting the porous alumina layer with the etching solution.
  • Porous suitably used as a moth-eye mold for forming an antireflection film by performing a step of enlarging fine concave portions of a layer and a step of growing fine concave portions of a porous alumina layer by anodizing An alumina layer can be formed.
  • the moth-eye mold 10 shown in FIGS. 2A and 2B can be obtained by alternately repeating the anodizing step and the etching step a plurality of times (for example, 5 times: anodizing 5 times and etching 4 times). Obtainable.
  • FIG. 2A and 2B are views schematically showing a moth-eye mold 10 having a porous alumina layer 18 formed by the method for forming an anodized layer according to an embodiment of the present invention. ) Is a plan view, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line 2B-2B ′ in FIG.
  • the moth-eye mold 10 has a porous alumina layer 18 formed by anodizing a part of the surface of the aluminum film 16 as shown in FIG. 2 (b).
  • the aluminum layer 16a remains below the porous alumina layer 18 (on the support 12 side).
  • the porous alumina layer 18 includes a porous layer having fine concave portions and a barrier layer formed on the lower side (aluminum layer 16a side).
  • the porous alumina layer 18 has a fine structure corresponding to the type of electrolyte, applied voltage, and temperature. This fine structure is characterized by the depth and diameter of the fine recesses and the spacing between adjacent fine recesses (or the pitch if the fine recesses are regularly arranged). As described above, even when the temperature of the electrolytic solution is kept constant, the support 12 and the low thermal conductive member 22 form a temperature distribution in the aluminum film 16 and the porous alumina layer 18 where anodization proceeds.
  • the layer 18 has, for example, a first recess 18pa and a second recess 18pb having different depths.
  • a second recess 18pb deeper than the first recess 18pa formed in the other region 18a is formed in the region 18b corresponding to the region where the low heat conductive member 22 is provided on the back side of the support 12.
  • the region 18 b having a fine structure different from that of the other region 18 a of the porous alumina layer 18 can be used as the pattern of the low thermal conductive member 22. Can be formed correspondingly. Therefore, according to the method for forming the anodized layer of the embodiment of the present invention, the region 18b can be formed in an arbitrary pattern only by changing the pattern of the low thermal conductive member 22.
  • the predetermined pattern can represent information by forming a pattern including characters, graphics or symbols or a combination thereof.
  • the predetermined pattern is caused by the difference in the structure (height) of the fine convex portions, as will be described later by showing an experimental example. It can be visually recognized by the naked eye due to the difference in spectral reflectance in the visible light region. Accordingly, information represented by the predetermined pattern is recognized by a person observing the antireflection film. For example, product management information such as characters representing company names, logos or marks, or numbers or symbols representing manufacturing lot numbers can be represented.
  • an aluminum film is formed on a support such as a glass substrate or a plastic substrate. Therefore, if the adhesion between the support and the aluminum film is not sufficient, the anode In the oxidation step and / or etching step, the aluminum film may be peeled off by repeating these steps alternately. Therefore, it is preferable to form an inorganic underlayer and an aluminum-containing buffer layer in this order on the surface of a substrate made of glass or plastic, and then form an aluminum film on the surface of the buffer layer.
  • the inorganic underlayer also has a function of preventing alkali metal from eluting from, for example, a glass substrate.
  • the inorganic underlayer is preferably a silicon dioxide layer or a titanium oxide layer, and the thickness of the inorganic underlayer is preferably from 100 nm to 200 nm.
  • a buffer layer what has the profile whose aluminum content rate is higher in the porous alumina layer side than the inorganic base layer side like the buffer layer described in the international publication 2010/116728 is preferable.
  • the thickness of the buffer layer is preferably 100 nm or more and 200 nm or less. For reference purposes, the entire disclosure of WO 2010/116728 is incorporated herein by reference.
  • an aluminum film is once formed on the buffer layer, the surface of the aluminum film is naturally oxidized, and then the aluminum film is formed on the surface of the natural oxide film.
  • the etching solution may permeate into the gaps between crystal grains constituting the aluminum film, and pinholes may be formed.
  • the temperature distribution of the electrolyte is important. That is, when the low heat conductive member is not provided, it is necessary to form a porous alumina layer having a uniform moth-eye structure over the entire surface.
  • the temperature distribution in the electrolytic solution near the liquid surface is It was found that a uniform moth-eye structure was formed on the entire surface without being influenced by the rising).
  • a glass substrate or a plastic substrate was used as the base material.
  • a polyethylene terephthalate (PET) substrate or a triacetyl cellulose (TAC) substrate was used as the plastic substrate.
  • the size of the substrate used here was a large substrate of 1 m ⁇ 1.6 m
  • the thickness of the glass substrate was 2.8 mm
  • the thickness of the PET substrate was 188 ⁇ m
  • the thickness of the TAC substrate was 80 ⁇ m.
  • the PET substrate and the TAC substrate are film-like, and as such, deformation such as bending of the substrate occurs due to convection of the liquid in the electrolytic solution or the etching solution.
  • plastic substrates films
  • FIXFILm double-sided fix film
  • Fuji Copian a plastic substrate
  • a fix film a plastic substrate can be detachably attached to a smooth surface such as a glass substrate without using an adhesive (including an adhesive).
  • FIG. 3 shows a schematic cross-sectional view of the object to be processed used in the experimental example.
  • the aluminum film 16 was formed.
  • the base material 12 s and the inorganic base layer 13 are collectively referred to as a support 12.
  • the SiO 2 layer 13 having a thickness of 150 nm is formed on the glass substrate 12s by a sputtering method.
  • an aluminum oxide layer 14a having a thickness of 300 nm is formed on the inorganic underlayer 13 by sputtering.
  • the sputtering conditions are as follows. G. The degree of vacuum was 1 ⁇ 10 ⁇ 5 Torr, the atmosphere gas was Ar, the degree of vacuum during sputtering was 1 ⁇ 10 ⁇ 3 Torr, and the Al target purity was 99.999%. The purity of the Al target may be 99.99% or more. 1 Torr is 1.33322 ⁇ 10 ⁇ 1 kPa. In the process of forming the aluminum oxide layer 14a, the aluminum concentration is gradually lowered to form the aluminum oxide layer 14a having a higher aluminum content on the porous alumina layer side than on the inorganic underlayer side. In addition, the aluminum oxide layer 14a should just be an insulator with high acid resistance, for example, can use an aluminum nitride layer.
  • an aluminum layer 14b having a thickness of 200 nm is formed on the aluminum oxide layer 14a, and the surface thereof is naturally oxidized to form a natural oxide film 14c having a thickness of about 10 nm.
  • the aluminum oxide layer 14a, the aluminum layer 14b, and the natural oxide film 14c may be collectively referred to as an aluminum-containing base layer 14.
  • An aluminum film 16 having a thickness of 800 nm is formed on the natural oxide film 14c by sputtering.
  • porous alumina layer 18 is formed by repeating anodic oxidation and etching on the aluminum film 16.
  • Anodization is performed for 37 seconds at an applied voltage of 80 V using 0.025 mol / L (liter) oxalic acid aqueous solution. After washing with pure water, etching was performed for 29 minutes using a 1 mol / L phosphoric acid aqueous solution, followed by washing with water again. This cycle was repeated four times, and finally anodization was performed once again.
  • the set temperature of the electrolytic solution was 18 ° C., and anodic oxidation was performed in a state where the upper end of the object to be processed 10a was set at a position deeper than the liquid level of the electrolytic solution by 20 cm or more.
  • the surface temperature of the object 10a on the side of the aluminum film 16 was 23 ° C.
  • the surface temperature on the aluminum film 16 side of the object to be processed 10a located at a depth of 5 cm from the liquid surface reached about 40 ° C. at the second anodic oxidation, whereas from the liquid surface. It was confirmed that it was almost equal to the liquid temperature at a position deeper than 20 cm.
  • the temperature of the etching solution was about 27 ° C. in all four etching steps.
  • the to-be-processed object 10a was conveyed to the to-be-processed object 10a (without drying) from the electrolytic bath to the water-washing bath, from the water-washing bath to the etching bath, and from the etching bath to the water-washing bath. .
  • it can prevent that the mist of a solvent adheres to the surface of the to-be-processed object 10a. Since various solvents are used during the process, they may not be removed if different types of solvents are deposited.
  • 4A and 4B show cross-sectional SEM images of the porous alumina layer 18 of the moth-eye mold 10 (see FIG. 2) obtained as described above.
  • 4A shows a cross section of a region 18b of the porous alumina layer 18 corresponding to a region where the low thermal conductive member (acrylic plate) 22 is provided on the back side of the glass substrate 12, and
  • FIG. 4B shows the porous alumina layer 18.
  • region which has not provided the low heat conductive member (acrylic board) 22 in the back side of the glass substrate 12 is shown.
  • the average depth of the pores shown in FIG. 4A (recessed portion 18pb in FIG. 2B) is 510 nm, and the pores shown in FIG. 4B (FIG. 2B) The average depth of the recesses 18pa) was 410 nm. The diameters of the pores were all about 180 nm, and no significant difference was observed.
  • FIGS. 5 (a) and 5 (b) show cross-sectional SEM images of the antireflection film produced using the moth-eye mold 10 described above.
  • FIGS. 5A and 5B correspond to the regions shown in FIGS. 4A and 4B, respectively.
  • the antireflection film was produced as follows.
  • An ultraviolet curable resin (thickness 40 ⁇ m) was applied on a TAC film (thickness 75 ⁇ m). Thereafter, the moth-eye mold 10 was pressed so that the ultraviolet curable resin was filled between the moth-eye mold 10 and the surface of the TAC film. In this state, the ultraviolet curable resin was cured by irradiating ultraviolet rays through the TAC film.
  • An acrylic resin manufactured by DNP Fine Chemical Co., Ltd. was used as the ultraviolet curable resin.
  • the average height of the convex portions shown in FIG. 5A of the antireflection film was about 290 nm, and the average height of the convex portions shown in FIG. 5B was about 200 nm.
  • the reason why the height of the convex portion of the antireflection film is smaller than the depth of the concave portion of the moth-eye mold is due to curing shrinkage of the ultraviolet curable resin and insufficient filling of the resin into the pores.
  • FIG. 6 shows the measurement results of the spectral reflectance of the antireflection film.
  • FIG. 6 shows the measurement results for the region corresponding to the region shown in FIG. 5A (the region to which the region 18b in FIG. 2 is transferred) and the region corresponding to the region shown in FIG. The measurement results for the region 18a to which the region 18a in FIG. 2 is transferred are also shown.
  • a spectral colorimeter (CM-2600d) manufactured by Konica Minolta was used for the measurement of the spectral reflectance.
  • the reflected light includes not only regular reflected light but also scattered light from the antireflection film, and the reflectance on the vertical axis is larger than the regular reflectance.
  • the spectral reflectance in the visible light region is different between the two regions.
  • the spectral reflectance of the region where the region 18b of the moth-eye mold 10 is transferred is larger than the spectral reflectance of the region where the region 18a of the moth-eye mold 10 is transferred at around 480 nm.
  • the area where the area 18b of the moth-eye mold 10 is transferred appears colored yellow and the area where the area 18a of the moth-eye mold 10 is transferred Looks reddish.
  • the reflectance in any region is 0.4% or less, and functions sufficiently as an antireflection film.
  • the fine structure of the porous alumina layer such as the depth of the pores, the diameter of the pores, the distance between adjacent pores (center-to-center distance), the degree of regularity of the arrangement of the pores, the type of electrolyte, concentration, temperature, Since it changes depending on the magnitude of the applied voltage, the application time, etc., it may be adjusted as necessary.
  • the porous alumina layer 18 of the moth-eye mold 10 for producing an antireflection film has a two-dimensional size (pore diameter) of 10 nm to 500 nm, an adjacent pore interval of 10 nm to 500 nm, and a pore depth.
  • the thickness is preferably from 100 nm to 500 nm and having no regularity in the pore distribution.
  • the fine structure of the porous alumina layer is affected by the heat dissipation of the workpiece 10a during anodization. Therefore, even if the electrolytic solution and the applied voltage are the same, if the thermal conductivity of the material constituting the support 12 is different, the fine structure of the resulting porous alumina layer is different.
  • the anodic oxidation step and the etching step are performed under the same conditions as in the above experimental example.
  • the result of forming the porous alumina layer will be described.
  • the fine structure of the porous alumina layer to be formed differs depending on the type of base material, that is, the thermal conductivity (heat dissipation) of the base material, depending on the desired fine structure, the type of electrolyte,
  • the anodic oxidation conditions such as concentration, temperature, applied voltage, and application time, it is necessary to appropriately select the type of substrate.
  • FIGS. 7A to 7C are cross-sectional SEMs of antireflection films obtained by the above-described method using a moth-eye mold having a porous alumina layer formed on a glass substrate, a PET substrate, and a TAC substrate, respectively. It is a figure which shows an image.
  • the height of the convex portion of the antireflection film was about 200 nm when a mold having a glass substrate was used, about 230 nm when a PET substrate was used, and about 360 nm when a TAC substrate was used.
  • the thermal conductivities of glass, PET, and TAC are 1.0, 0.20 to 0.33, and 0.17 to 0.33 W / m ⁇ K, respectively, near room temperature (25 ° C.). It can be seen that the mold having a substrate having a low thermal conductivity tends to have a higher height of the convex portion of the antireflection film formed using the mold. That is, as the thermal conductivity of the substrate is smaller, Joule heat generated during anodization tends to accumulate on the surface of the substrate and the electrolytic reaction is promoted. As a result, a porous alumina layer having deep pores is formed.
  • FIGS. 8A to 8C are views showing SEM images of the surfaces of the aluminum films deposited on the glass substrate, the PET substrate, and the TAC substrate, respectively.
  • the conditions for forming the aluminum film are as follows. G. Degree of vacuum: 1 ⁇ 10 ⁇ 5 Torr, atmosphere gas: Ar, degree of vacuum during sputtering: 1 ⁇ 10 ⁇ 3 Torr, Al target purity: 99.999% there were.
  • the crystal grains when the glass substrate is used, the crystal grains have a relatively densely aggregated form, and there are some variations, but the crystal grains are almost the same size.
  • FIG. 8B when a PET substrate is used, relatively many holes (observed as small black dots) are formed between crystal grains. It can also be seen that the variation in the shape and size of the crystal grains is large and the surface is rough.
  • FIG. 8C when the TAC base material is used, an aluminum film having a form close to that of the aluminum film when the glass substrate is used is obtained. When the TAC substrate is used, there are more pores between crystal grains.
  • the form of the aluminum film is also considered to affect the fine structure of the porous alumina layer. Therefore, it is preferable to know in advance the influence of the type of substrate on the microstructure of the porous alumina layer in accordance with the desired microstructure.
  • the embodiment of the present invention is not limited to this, and the aluminum film formed on various supports. Can be used.
  • the shape of the support is not limited to the substrate, and may be a cylinder.
  • the material of the support may not have insulating properties, and it is sufficient that at least the surface (first main surface) in contact with the aluminum film has insulating properties.
  • the insulating film may be an inorganic insulating film such as an inorganic oxide or an inorganic nitride, or may be an organic insulating film.
  • the support is preferably formed of an insulator, and it is preferable to use a support having resistance to the electrolytic solution (and etching solution if necessary).
  • a support having a main body of a metal material may be used.
  • the present invention is used to form an anodized porous alumina layer used for various applications.

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Abstract

 本発明の陽極酸化層の形成方法は、支持体(12)の第1主面上に形成されたアルミニウム膜(16)を用意する工程aと、アルミニウム膜(16)の表面を陽極酸化することによって複数の微細な凹部(18pa、18pb)を有するポーラスアルミナ層(18)を形成する工程bとを包含し、工程aにおいて、支持体(12)の第1主面とは反対側の第2主面上には所定のパターンを有する低熱伝導部材(22)が設けられている。本発明によると、微細な構造が互いに異なる領域を所定のパターンで備えるポーラスアルミナ層を形成することができる。

Description

陽極酸化層の形成方法、型の製造方法および反射防止膜の製造方法
 本発明は、陽極酸化層の形成方法、型の製造方法および型に関する。ここでいう「型」は、種々の加工方法(スタンピングやキャスティング)に用いられる型を包含し、スタンパということもある。また、印刷(ナノプリントを含む)にも用いられ得る。
 テレビや携帯電話などに用いられる表示装置やカメラレンズなどの光学素子には、通常、表面反射を低減して光の透過量を高めるために反射防止技術が施されている。例えば、空気とガラスとの界面を光が入射する場合のように屈折率が異なる媒体の界面を光が通過する場合、フレネル反射などによって光の透過量が低減し、視認性が低下するからである。
 近年、反射防止技術として、凹凸の周期が可視光(λ=380nm~780nm)の波長以下に制御された微細な凹凸パターンを基板表面に形成する方法が注目されている(特許文献1から4を参照)。反射防止機能を発現する凹凸パターンを構成する凸部の2次元的な大きさは10nm以上500nm未満である。
 この方法は、いわゆるモスアイ(Motheye、蛾の目)構造の原理を利用したものであり、基板に入射した光に対する屈折率を凹凸の深さ方向に沿って入射媒体の屈折率から基板の屈折率まで連続的に変化させることによって反射を防止したい波長域の反射を抑えている。
 モスアイ構造は、広い波長域にわたって入射角依存性の小さい反射防止作用を発揮できるほか、多くの材料に適用でき、凹凸パターンを基板に直接形成できるなどの利点を有している。その結果、低コストで高性能の反射防止膜(または反射防止表面)を提供できる。
 モスアイ構造の製造方法として、アルミニウムを陽極酸化することによって得られる陽極酸化ポーラスアルミナ層を用いる方法が注目されている(特許文献2から4)。
 ここで、アルミニウムを陽極酸化することによって得られる陽極酸化ポーラスアルミナ層について簡単に説明する。従来から、陽極酸化を利用した多孔質構造体の製造方法は、規則正しく配列されたナノオーダーの円柱状の細孔(微細な凹部)を形成できる簡易な方法として注目されてきた。硫酸、蓚酸、または燐酸等の酸性電解液またはアルカリ性電解液中に基材を浸漬し、これを陽極として電圧を印加すると、基材の表面で酸化と溶解が同時に進行し、その表面に細孔を有する酸化膜を形成することができる。この円柱状の細孔は、酸化膜に対して垂直に配向し、一定の条件下(電圧、電解液の種類、温度等)では自己組織的な規則性を示すため、各種機能材料への応用が期待されている。
 特定の条件下で形成されたポーラスアルミナ層は、層面に垂直な方向から見たときに、ほぼ正六角形のセルが二次元的に最も高密度で充填された配列をとっている。それぞれのセルはその中央に細孔を有しており、細孔の配列は周期性を有している。セルは局所的な皮膜の溶解および成長の結果形成されるものであり、バリア層と呼ばれる細孔底部で、皮膜の溶解と成長とが同時に進行する。このとき、セルのサイズすなわち、隣接する細孔の間隔(中心間距離)は、バリア層の厚さのほぼ2倍に相当し、陽極酸化時の電圧にほぼ比例することが知られている。また、細孔の直径は、電解液の種類、濃度、温度等に依存するものの、通常、セルのサイズ(膜面に垂直な方向からみたときのセルの最長対角線の長さ)の1/3程度であることが知られている。このようなポーラスアルミナの細孔は、特定の条件下では高い規則性を有する(周期性を有する)配列、また、条件によってはある程度規則性の乱れた配列、あるいは不規則(周期性を有しない)な配列を形成する。
 特許文献2は、陽極酸化ポーラスアルミナ層を表面に有するスタンパを用いて、反射防止膜(反射防止表面)を形成する方法を開示している。
 また、特許文献3に、アルミニウムの陽極酸化と孔径拡大処理を繰り返すことによって、連続的に細孔径が変化するテーパー形状の凹部を形成する技術が開示されている。
 本出願人は、特許文献4に、微細な凹部が階段状の側面を有するアルミナ層を用いて反射防止膜を形成する技術を開示している。
 陽極酸化ポーラスアルミナ層を利用することによって、モスアイ構造を表面に形成するための型(以下、「モスアイ用型」という。)を容易に製造することができる。特に、特許文献2および4に記載されているように、アルミニウムの陽極酸化層の表面をそのまま型として利用すると、製造コストを低減する効果が大きい。モスアイ構造を形成することができるモスアイ用型の表面の構造を「反転されたモスアイ構造」ということにする。
 モスアイ用型を用いた反射防止膜の製造方法としては、光硬化性樹脂を用いる方法が知られている。まず、基板上に光硬化性樹脂を付与する。続いて、離型処理を施したモスアイ用型の凹凸表面を真空中で光硬化性樹脂に押圧する。その後、光硬化性樹脂を凹凸構造中に充填する。続いて、凹凸構造中の光硬化性樹脂に紫外線を照射し、光硬化性樹脂を硬化する。その後、基板からモスアイ用型を分離することによって、モスアイ用型の凹凸構造が転写された光硬化性樹脂の硬化物層が基板の表面に形成される。光硬化性樹脂を用いた反射防止膜の製造方法は、例えば特許文献4に記載されている。
特表2001-517319号公報 特表2003-531962号公報 特開2005-156695号公報 国際公開第2006/059686号 特開平8-144097号公報
 従来から知られているように、ポーラスアルミナ層の構造は、陽極酸化を行う際の電解液の温度に依存する。また、陽極酸化の際に発生するジュール熱によって、アルミニウム基材および電解液の温度が変動する。従って、均一な構造のポーラスアルミナ層を形成するためには、温度を精密に制御することが重要である。例えば、特許文献5には、電解液の温度制御とは独立に、アルミニウム基材を直接冷却し、温度制御する方法が開示されている。
 本発明は、ポーラスアルミナ層の構造が陽極酸化の際の温度に依存することを利用し、微細な構造(例えば細孔の深さ)が互いに異なる領域を所定のパターンで備えるポーラスアルミナ層を形成する新規な陽極酸化層の形成方法を提供することを主な目的とする。
 本発明の陽極酸化層の形成方法は、支持体の第1主面上に形成されたアルミニウム膜を用意する工程であって、前記支持体の前記第1主面とは反対側の第2主面上に、所定のパターンを有する低熱伝導部材が設けられている、工程(a)と、前記アルミニウム膜の表面を陽極酸化することによって複数の微細な凹部を有するポーラスアルミナ層を形成する工程(b)とを包含する。前記工程(a)において、前記支持体の前記第1主面上にアルミニウム膜を形成する工程と、前記支持体の前記第2主面上に前記低熱伝導部材を設ける工程とは、いずれを先にしてもよい。
 ある実施形態において、前記工程(b)の後に、前記ポーラスアルミナ層を、エッチング液に接触させることによって、前記ポーラスアルミナ層の前記複数の微細な凹部を拡大させる工程(c)と、前記工程(c)の後に、さらに陽極酸化することによって、前記複数の微細な凹部を成長させる工程(d)とを包含する。
 ある実施形態において、前記所定のパターンは情報を表している。前記所定のパターンは、文字、図形若しくは記号又はこれらの結合を含む。
 ある実施形態において、前記工程(a)は、基材と前記基材の表面に形成された無機下地層とを有し、前記無機下地層の表面が前記第1主面である前記支持体を用意する工程と、前記無機下地層の上にアルミニウム層を形成する工程と、前記アルミニウム層の表面に自然酸化膜を形成する工程と、前記自然酸化膜の表面に前記アルミニウム膜を形成する工程を包含する。前記無機下地層と前記アルミニウム層との間に酸化アルミニウム層を形成する工程をさらに包含することが好ましい。
 ある実施形態において、前記工程(a)は、基材と前記基材の表面に形成された無機下地層とを有し、前記無機下地層の表面が前記第1主面である前記支持体を用意する工程と、前記無機下地層の上にアルミニウムを含有する緩衝層を形成する工程と、前記緩衝層の表面に前記アルミニウム膜を形成する工程を包含する。前記緩衝層は、アルミニウムと、酸素または窒素とを含み、前記アルミニウムの含有率が前記無機下地層側よりも前記ポーラスアルミナ層側において高いプロファイルを有することが好ましい。
 本発明の型の製造方法は、反転されたモスアイ構造を表面に有する型の製造方法であって、上記のいずれかの陽極酸化層の形成方法で、表面の法線方向から見たときの2次元的な大きさが10nm以上500nm未満の複数の微細な凹部を有するポーラスアルミナ層を形成する工程を包含する。
 本発明の反射防止膜の製造方法は、上記の製造方法で製造された型と、被加工物とを用意する工程と、前記型と前記被加工物の表面との間に紫外線硬化樹脂を付与した状態で、前記型を介して前記紫外線硬化樹脂に紫外線を照射することによって前記紫外線硬化樹脂を硬化する工程とを包含する。
 本発明の製造方法によって製造された反射防止膜は、膜の表面の法線方向から見たときの2次元的な大きさが10nm以上500nm未満の複数の微細な凸部によって、前記所定のパターンが形成されている。前記所定のパターンは、前記微細な凸部の構造(高さ)の違いに起因する、可視光領域の分光反射率の違いによって、肉眼で視認され得る。
 本発明によると、微細な構造(例えば細孔の深さ)が互いに異なる領域を所定のパターンで備えるポーラスアルミナ層を形成する新規な陽極酸化層の形成方法が提供される。この陽極酸化層は、例えば、反射防止膜を製造するための型として用いることができる。
(a)および(b)は、本発明による実施形態の陽極酸化層の形成方法において、陽極酸化工程に供せられるアルミニウム膜の状態を模式的に示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)中の1B-1B’線に沿った断面である。 (a)および(b)は、本発明による実施形態の陽極酸化層の形成方法によって形成されたポーラスアルミナ層18を有するモスアイ用型10を模式的に示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)中の2B-2B’線に沿った断面である。 実験例で用いた被処理体の模式的な断面図である。 モスアイ用型10のポーラスアルミナ層18の断面SEM像であり、(a)は、ガラス基板12の裏側に低熱伝導部材22を設けた領域に対応する領域18bの断面であり、(b)は、ガラス基板12の裏側に低熱伝導部材22を設けていない領域に対応する領域18aの断面である。 (a)および(b)は、本発明による実施形態のモスアイ用型10を用いて作製した反射防止膜の断面SEM像を示す図であり、(a)、(b)は、それぞれ、図4(a)、図4(b)に示した領域に対応する。 本発明による実施形態のモスアイ用型10を用いて作製した反射防止膜の分光反射率の測定結果を示すグラフである。 (a)~(c)はそれぞれ、ガラス基板、PET基板、TAC基板上に形成したポーラスアルミナ層を有するモスアイ用型を用いて、形成された反射防止膜の断面SEM像を示す図である。 (a)~(c)はそれぞれ、ガラス基板、PET基板、TAC基板上に堆積したアルミニウム膜の表面のSEM像を示す図である。
 以下、図面を参照して、本発明による実施形態の陽極酸化層の形成方法を説明するが、本発明は例示する実施形態に限定されない。
 本発明者は、ポーラスアルミナ層の構造が陽極酸化の際の温度に依存することに着目し、この現象を積極的に利用することによって、微細な構造(例えば微細な凹部の深さ)が互いに異なる領域を所定のパターンで備えるポーラスアルミナ層を形成する方法を想到するに至った。すなわち、本発明による実施形態の陽極酸化層の形成方法によると、微細な構造(例えば微細な凹部の深さ)が互いに異なる領域を所定のパターンで備えるポーラスアルミナ層を形成することができる。以下では、反射防止膜の型として用いることができる陽極酸化層の形成方法を例に、本発明による実施形態を説明する。
 本発明による実施形態の陽極酸化層の形成方法は、支持体の第1主面上に形成されたアルミニウム膜を用意する工程と、アルミニウム膜の表面を陽極酸化することによって複数の微細な凹部を有するポーラスアルミナ層を形成する工程とを包含する。ここで、支持体の第1主面とは反対側の第2主面上に所定のパターンを有する低熱伝導部材が設けられた状態で陽極酸化を行う。そうすると、微細な構造(例えば微細な凹部の深さ)が他の領域と異なる領域が低熱伝導部材のパターンに従って形成されたポーラスアルミナ層が得られる。
 図1および図2を参照して、本発明による実施形態の陽極酸化層の形成方法を詳細に説明する。
 図1(a)および(b)は、本発明による実施形態の陽極酸化層の形成方法において、陽極酸化工程に供せられるアルミニウム膜の状態を模式的に示す図であり、図1(a)は平面図、図1(b)は図1(a)中の1B-1B’線に沿った断面図である。
 図1(a)および(b)に示すように、アルミニウム膜16は、被処理体10aの支持体12上に形成された状態で、陽極酸化工程に供せられる。すなわち、アルミニウム膜16は、支持体12の第1主面(表側)上に形成されている。支持体12は、例えば、ガラス基板またはプラスチック基板である。
 支持体12の第1主面とは反対側の第2主面(裏側)上には、所定のパターンを有する低熱伝導部材22が設けられている。ここでは、矩形の支持体12の周辺に額縁状のパターンを有する低熱伝導部材22が設けられている。低熱伝導部材22は、陽極酸化時に発生するジュール熱が電解液に放出される速度を遅くできる部材であればよく、支持体12と同様に、絶縁性を有する材料(例えば、ガラスやプラスチック)によって形成されている。
 なお、アルミニウム膜16の上端には、電極取り出し部16eが設けられている。この部分は、電解液に接触せず、陽極酸化のための外部電源の正極に接続される。電極の取り出し方法については、本出願人によるPCT/JP2010/000937号に記載の方法を採用することが好ましい。
 この被処理体10aを所定の電解液に浸漬した状態で、アルミニウム膜16の表面を陽極酸化することによって複数の微細な凹部を有するポーラスアルミナ層を形成する。このとき、陽極酸化の進行とともにジュール熱が発生する。ジュール熱はアルミニウム膜16および形成されたポーラスアルミナ層から、電解液に伝達されるとともに、支持体12を介して電解液に伝達される。
 ここで、支持体12の裏側に設けられた低熱伝導部材22は、支持体12の表側から発生したジュール熱が支持体12を介して支持体12の裏側の電解液へと伝導するのを妨げるように作用する。従って、支持体12の低熱伝導部材22が設けられた領域には、熱が溜まりやすくなり、その結果、支持体12の低熱伝導部材22が設けられた領域はその他の領域よりも温度が高くなる。
 そうすると、支持体12の低熱伝導部材22が設けられた領域に対応する領域にあるアルミニウム膜16(またはポーラスアルミナ層)の温度も当然に、他の領域にあるアルミニウム膜16の温度よりも高くなる。ポーラスアルミナ層の構造は、陽極酸化時の温度(電解液の温度)にも依存するので、低熱伝導部材22によって形成された温度分布のパターンに従って、構造の異なるポーラスアルミナ層が形成される。
 例えば、上述の特許文献2または4に記載されているように、アルミニウム膜の表面を陽極酸化することによってポーラスアルミナ層を形成する工程の後に、ポーラスアルミナ層をエッチング液に接触させることによってポーラスアルミナ層の微細な凹部を拡大させる工程および、さらに陽極酸化することによってポーラスアルミナ層の微細な凹部を成長させる工程を行うことによって、反射防止膜を形成するためのモスアイ用型として好適に用いられるポーラスアルミナ層を形成することができる。例えば、陽極酸化工程とエッチング工程とを交互に複数回(例えば5回:陽極酸化を5回とエッチングを4回)繰り返すことによって、図2(a)および(b)に示すモスアイ用型10を得ることができる。
 図2(a)および(b)は、本発明による実施形態の陽極酸化層の形成方法によって形成されたポーラスアルミナ層18を有するモスアイ用型10を模式的に示す図であり、図2(a)は平面図、図2(b)は図2(a)中の2B-2B’線に沿った断面図である。
 モスアイ用型10は、図2(b)に示すように、アルミニウム膜16の表面の一部が陽極酸化されることによって形成されたポーラスアルミナ層18を有する。ポーラスアルミナ層18の下側(支持体12側)には、アルミニウム層16aが残っている。なお、ポーラスアルミナ層18は、微細な凹部を有するポーラス層と、その下側(アルミニウム層16a側)に形成されるバリア層とを含む。
 ポーラスアルミナ層18は、電解液の種類、印加された電圧、および温度に応じた微細な構造を有している。この微細な構造は、微細な凹部の深さおよび直径、隣接する微細な凹部間の間隔(微細な凹部が規則的に配列されている場合はピッチ)によって特徴付けられる。上述したように、電解液の温度を一定に保っても、支持体12および低熱伝導部材22によって、陽極酸化が進行するアルミニウム膜16およびポーラスアルミナ層18に温度分布が形成される結果、ポーラスアルミナ層18は、例えば深さの互いに異なる第1凹部18paと第2凹部18pbとを有することになる。ここでは、支持体12の裏側に低熱伝導部材22を設けた領域に対応する領域18bには、他の領域18aに形成された第1凹部18paよりも深い第2凹部18pbが形成されている。別途、陽極酸化の電解液の温度の違いによるポーラスアルミナ層の生成速度(厚さ/秒)を求め、その結果から、低熱伝導部材22を設けることによってどの程度の温度差が形成されたかを見積もったところ、その差は約3℃であった。
 このように、支持体12の裏側に所定のパターンを有する低熱伝導部材22を設けるだけで、ポーラスアルミナ層18の他の領域18aと微細な構造が異なる領域18bを、低熱伝導部材22のパターンに対応して形成することができる。従って、本発明による実施形態の陽極酸化層の形成方法によると、低熱伝導部材22のパターンを変えるだけで、任意のパターンで、領域18bを形成することができる。例えば、所定のパターンは、文字、図形若しくは記号又はこれらの結合を含むパターンを形成することによって、情報を表すことができる。
 ポーラスアルミナ層18を有する型10を用いて反射防止膜を形成すると、後に、実験例を示して説明するように、所定のパターンは、微細な凸部の構造(高さ)の違いに起因する可視光領域の分光反射率の違いによって、肉眼で視認され得る。従って、所定のパターンが表す情報は、反射防止膜を観察する人間によって認識される。例えば、会社の名称を表す文字や、ロゴやマーク、あるいは、製造ロット番号を示す数字や記号などの製品の管理情報を表すことができる。
 なお、本発明による実施形態の陽極酸化層の形成方法では、ガラス基板やプラスチック基板などの支持体の上にアルミニウム膜を形成するので、支持体とアルミニウム膜との密着性が十分でないと、陽極酸化工程および/またはエッチング工程において、さらにはこれらを交互に繰り返すことによって、アルミニウム膜が剥離することがある。そこで、ガラスまたはプラスチックで形成された基材の表面に、無機下地層と、アルミニウムを含有する緩衝層とをこの順で形成した後、緩衝層の表面にアルミニウム膜を形成することが好ましい。無機下地層は、例えばガラス基板からアルカリ金属が溶出することを防止する作用をも有する。無機下地層は、二酸化シリコン層または酸化チタン層であることが好ましく、無機下地層の厚さは100nm以上200nm以下であることが好ましい。また、緩衝層としては、国際公開第2010/116728号に記載されている緩衝層のように、アルミニウムの含有率が無機下地層側よりもポーラスアルミナ層側において高いプロファイルを有するものが好ましい。緩衝層の厚さは100nm以上200nm以下であることが好ましい。参考のために、国際公開第2010/116728号の開示内容の全てを本明細書に援用する。
 さらに、緩衝層の上に一旦アルミニウム膜を形成し、このアルミニウム膜の表面を自然酸化させた後、自然酸化膜の表面にアルミニウム膜を形成することが好ましい。例えば、アルミニウム膜のみの場合には、アルミニウム膜を構成する結晶粒間の隙間にエッチング液が浸透し、ピンホールが形成されてしまうことがある。自然酸化膜を形成することによって、アルミニウム膜にピンホールが発生することを抑制できるとともに、密着性を向上させることができる。
 また、陽極酸化を均一に行うためには、電解液の温度分布が重要である。すなわち、低熱伝導部材を設けないときには、全面に亘って均一なモスアイ構造を有するポーラスアルミナ層が形成される必要がある。本発明者が、対角65インチのガラス基板を用いて種々実験した結果、基材の上端が電解液の液面から20cmよりも深い場合には、電解液中の温度分布(液面近くが上昇する)の影響を受けず、全面に均一なモスアイ構造が形成されることがわかった。このように、電界液の液面から20cm以上深いところで陽極酸化を行うと、特開平10-324998号公報や、特開平8-144097号公報に記載されているような、特別な装置を用いること無く、全面に亘って均一なモスアイ構造を有するポーラスアルミナ層を形成することができる。
 以下に、実験例を示して、本発明による実施形態の陽極酸化層の形成方法を説明する。
 実験例では、基材として、ガラス基板やプラスチック基板を用いた。プラスチック基板としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)基板、トリアセチルセルロース(TAC)基板を用いた。ここで用いた基板の大きさは、1m×1.6mの大型基板であり、ガラス基板の厚さは2.8mm、PET基板の厚さは188μm、TAC基板の厚さは80μmであった。PET基板およびTAC基板はフィルム状であり、そのままでは、電解液やエッチング液中での液の対流により基板が曲がってしまうなどの変形が起こる。そこで、これらのプラスチック基板(フィルム)を、フジコピアン社製の両面フィックスフィルム(「FIXFILm」はフジコピアン株式会社の登録商標)を用いて上記ガラス基板に貼り付けた状態で用いた。フィックスフィルムを用いると、接着剤(粘着剤を含む)を用いることなく、プラスチック基板をガラス基板などの平滑な表面に、取り外し可能なように貼り付けることができる。
 図3に、実験例で用いた被処理体の模式的な断面図を示す。図3に示すように、基材12s上に、無機下地層13、緩衝層14a、下地アルミニウム層14bおよび自然酸化膜14cを形成した後に、アルミニウム膜16を形成した。ここで、基材12sと無機下地層13とをまとめて支持体12という。
 例えば、ガラス基板12s上に、厚さが150nmのSiO層13をスパッタ法で形成する。
 次に、無機下地層13の上に、厚さが300nmの酸化アルミニウム層14aをスパッタ法で形成する。スパッタの条件は、B.G.真空度:1×10-5Torr、雰囲気ガス:Ar、スパッタ時の真空度:1×10-3Torr、Alターゲット純度:99.999%とした。Alターゲットの純度は99.99%以上であればよい。なお、1Torrは、1.33322×10-1kPaである。酸化アルミニウム層14aの形成の過程で、酸素濃度を徐々に下げることによって、アルミニウムの含有率が無機下地層側よりもポーラスアルミナ層側において高いプロファイルを有する酸化アルミニウム層14aを形成する。尚、酸化アルミニウム層14aは耐酸性の高い絶縁体であればよく、例えば窒化アルミニウム層を用いることもできる。
 さらに、酸化アルミニウム層14aの上に、厚さが200nmのアルミニウム層14bを形成し、その表面を自然酸化させることによって、厚さが10nm程度の自然酸化膜14cを形成する。酸化アルミニウム層14a、アルミニウム層14bおよび自然酸化膜14cをまとめて、アルミニウム含有下地層14ということがある。
 自然酸化膜14cの上に厚さが800nmのアルミニウム膜16をスパッタ法で形成する。
 その後、アルミニウム膜16に対して陽極酸化とエッチングとを繰り返すことによってポーラスアルミナ層18を形成する。
 図1に示したようなパターンを有するアクリル板を低熱伝導部材22として、図3に示した支持体12の裏面に貼り付けた。このようにして得られた被処理体10aに対し、以下の手順で陽極酸化工程およびエッチング工程を行った。
 0.025mol/L(リットル)の蓚酸水溶液を用いて、印加電圧80Vで37秒間陽極酸化を行う。純水に浸漬させることにより水洗した後、1mol/Lの燐酸水溶液を用いて29分間エッチングを行い、再度水洗を行った。このサイクルを4回繰り返し、最後に陽極酸化をもう一度行った。なお、電解液の設定温度は18℃とし、被処理体10aの上端が電解液の液面から20cm以上深い位置にセットした状態で陽極酸化を行った。被処理体10aのアルミニウム膜16側の表面温度は、4回目の陽極酸化時でも23℃であり、そのときの電解液の温度20℃と大差なかった。予備的な検討において、液面から5cmの深さに位置する被処理体10aのアルミニウム膜16側の表面温度は、2回目の陽極酸化時に約40℃に達していたのに対し、液面から20cm以上深い位置では液温とほぼ等しいことを確認した。なお、エッチング液の温度は、4回のエッチング工程において、いずれも約27℃であった。
 また、電解浴から水洗浴、水洗浴からエッチング浴、およびエッチング浴から水洗浴への被処理体10aの搬送は、それぞれの液が被処理体10aに付着したまま(乾燥することなく)行った。このようにすることで、被処理体10aの表面に、溶剤のミストが付着することを防止できる。プロセス中に種々の溶剤を用いているので異なる種類の溶剤が付着すると取れないことがある。
 上述のようにして得られたモスアイ用型10(図2参照)のポーラスアルミナ層18の断面SEM像を図4(a)および(b)に示す。図4(a)は、ポーラスアルミナ層18の、ガラス基板12の裏側に低熱伝導部材(アクリル板)22を設けた領域に対応する領域18bの断面、図4(b)は、ポーラスアルミナ層18の、ガラス基板12の裏側に低熱伝導部材(アクリル板)22を設けていない領域に対応する領域18aの断面を示している。
 図4(a)に示されている細孔(図2(b)の凹部18pb)の深さの平均は510nmであり、図4(b)に示されている細孔(図2(b)の凹部18pa)の深さの平均は410nmであった。細孔の直径は、いずれも約180nmであり、有意な差異は認められなかった。
 図5(a)、図5(b)に、上述のモスアイ用型10を用いて作製した反射防止膜の断面SEM像を示す。図5(a)、図5(b)は、それぞれ、図4(a)、図4(b)に示した領域に対応する。反射防止膜は、以下のようにして作製した。
 TACフィルム(厚さ75μm)の上に紫外線硬化樹脂(厚さ40μm)を付与した。その後、モスアイ用型10とTACフィルムの表面との間に紫外線硬化樹脂が充填されるようにモスアイ用型10を押し付けた。この状態で、TACフィルムを介して紫外線を照射することによって紫外線硬化樹脂を硬化した。紫外線硬化樹脂には株式会社DNPファインケミカル社製のアクリル系の樹脂を用いた。
 反射防止膜の図5(a)に示した凸部の高さの平均は約290nmであり、図5(b)に示した凸部の高さの平均は約200nmであった。反射防止膜の凸部の高さが、モスアイ用型の凹部の深さよりも小さくなるのは、紫外線硬化樹脂の硬化収縮および細孔内に樹脂が十分に充填されないことによる。離型剤を最適化する、および/または、モスアイ用型を押し付ける圧力を高めることによって、モスアイ用型の凹部の形状および大きさを反映させた凸部を有する反射防止膜を形成することができる。
 この様に、ガラス基板12の裏面に所定のパターンのアクリル基板22を設けるだけで、その後、従来と同様に、陽極酸化およびエッチング工程を行うことによって、細孔の深さが互いに異なる領域を所定のパターンで備えるポーラスアルミナ層を形成することができる。また、そのようなポーラスアルミナ層を有するモスアイ用型を用いて反射防止膜を作製すれば、所定のパターンで凸部の構造が異なる領域を有する反射防止膜を得ることができる。このパターンは、わずかな色の違いから、肉眼で視認され得る。
 図6に、上記の反射防止膜の分光反射率の測定結果を示す。図6には、図5(a)に示した領域に対応する領域(図2の領域18bが転写された領域)についての測定結果と、図5(b)に示した領域に対応する領域(図2の領域18aが転写された領域)についての測定結果を併せて示している。分光反射率の測定には、コニカミノルタ社製の分光測色計(CM-2600d)を用いた。ここで、反射光には、正反射光だけでなく、反射防止膜による散乱光なども含まれており、縦軸の反射率は正反射率よりも大きい値となっている。
 図6からわかるように、2つの領域で、可視光領域の分光反射率が異なっている。モスアイ用型10の領域18bが転写された領域の分光反射率は、480nm付近で、モスアイ用型10の領域18aが転写された領域の分光反射率よりも大きい。反射防止膜を黒色のアクリル樹脂板に貼り付けて肉眼で観察すると、モスアイ用型10の領域18bが転写された領域は黄緑色に色付いて見え、モスアイ用型10の領域18aが転写された領域は赤く色付いて見える。また、何れの領域の反射率も0.4%以下であり、十分に反射防止膜として機能する。ポーラスアルミナ層の微細な構造、例えば細孔の深さ、細孔の直径、隣接細孔間隔(中心間距離)、細孔の配列の規則性の程度は、電解液の種類、濃度、温度や、印加電圧の大きさ、印加時間などによって変わるので、必要に応じて調整すればよい。反射防止膜を作るためのモスアイ用型10のポーラスアルミナ層18は、2次元的な大きさ(細孔の直径)が10nm以上500nm以下、隣接細孔間隔も10nm以上500nm以下、細孔の深さは100nm以上500nm以下で、細孔の分布に規則性がないものが好ましい。
 但し、上記の説明から明らかなように、ポーラスアルミナ層の微細な構造は、陽極酸化時の被処理体10aの放熱性の影響を受ける。従って、電解液や印加電圧を同じにしても、支持体12を構成する材料の熱伝導率が異なれば、得られるポーラスアルミナ層の微細な構造が異なる。
 以下に、図3に示した被処理体10aの支持体12として、ガラス基板、PET基板、TAC基板を用いて、上記の実験例と同じ条件で、陽極酸化工程およびエッチング工程を行うことによって、ポーラスアルミナ層を形成した結果を説明する。以下に例示するように、基材の種類、すなわち基材の熱伝導性(放熱性)によって、形成されるポーラスアルミナ層の微細な構造が異なるので、所望する微細構造によって、電解液の種類、濃度、温度や、印加電圧の大きさ、印加時間などの陽極酸化条件だけでなく、基材の種類を適宜選択する必要がある。
 図7(a)~(c)は、それぞれ、ガラス基板、PET基板、TAC基板上に形成したポーラスアルミナ層を有するモスアイ用型を用いて、上述の方法で得られた反射防止膜の断面SEM像を示す図である。
 反射防止膜の凸部の高さは、ガラス基板を有する型を用いた場合は約200nm、PET基板を用いた場合は約230nm、TAC基板を用いた場合は約360nmであった。ガラス、PET、およびTACの熱伝導率は、室温(25℃)付近において、それぞれ、1.0、 0.20~0.33、0.17~0.33W/m・Kである。熱伝導率の小さい基材を有する型ほど、その型を用いて形成された反射防止膜の凸部の高さが大きい傾向が認められる。すなわち、基材の熱伝導率が小さいほど、陽極酸化時に発生するジュール熱が基材表面に溜まり易く、電解反応が促進される結果、細孔の深いポーラスアルミナ層が形成されたと考えられる。
 また、基材の種類が異なると、基材上に堆積されたアルミニウム膜の形態も異なる。図8(a)~(c)は、それぞれ、ガラス基板、PET基板、TAC基板上に堆積したアルミニウム膜の表面のSEM像を示す図である。アルミニウム膜の成膜条件は、B.G.真空度:1×10-5Torr、雰囲気ガス:Ar、スパッタ時の真空度:1×10-3Torr、Alターゲット純度:99.999%でいずれも同じであり、膜厚はいずれも1000nmであった。
 図8(a)から分かるように、ガラス基板を用いた場合、結晶粒が比較的緻密に凝集した形態を有しており、多少のばらつきはあるものの、結晶粒の大きさもほぼ揃っている。図8(b)から分かるように、PET基板を用いた場合、結晶粒の間に比較的多くの孔(黒い小さな点として観察される)が形成されている。また、結晶粒の形や大きさのばらつきも大きく、表面が荒れていることが分かる。図8(c)からわかるように、TAC基材を用いた場合には、ガラス基板を用いたときのアルミニウム膜に近い形態を有するアルミニウム膜が得られている。若干、TAC基材を用いた場合の方が、結晶粒の間の孔が多い。
 このように、アルミニウム膜の形態が異なると、陽極酸化時の放熱性も異なると考えられるので、アルミニウム膜の形態もポーラスアルミナ層の微細構造に影響を与えていると考えられる。従って、所望する微細構造に応じて、予め基材の種類がポーラスアルミナ層の微細構造に与える影響を把握しておくことが好ましい。
 上記の実施形態では、絶縁性を有する基材上に形成されたアルミニウム膜を用いた例を説明したが、本発明の実施形態はこれに限られず、種々の支持体上に形成されたアルミニウム膜を用いることができる。支持体の形状は、基板に限られず、円筒であってもよい。また支持体の材料は、絶縁性を有していなくてもよく、少なくともアルミニウム膜と接する表面(第1主面)が絶縁性を有していればよい。例えば、金属材料(例えば、ステンレス鋼)で形成された本体部の表面に絶縁膜を形成したものを支持体とし、絶縁膜上にアルミニウム膜を形成すればよい。絶縁膜は、無機酸化物や無機窒化物などの無機絶縁膜であってもよいし、有機絶縁膜であってもよい。
 但し、ステンレス鋼などの金属材料は、絶縁材料に比べて熱伝導率が高いので、支持体の裏面(第2主面)に絶縁性部材を設けても、陽極酸化時に支持体の表面に形成される温度分布は小さい。金属で形成される本体部の厚さが大きいほどこの傾向は強い。従って、一般に、支持体は絶縁体で形成することが好ましく、電解液(および必要に応じてエッチング液)に対する耐性を有しているものを用いることが好ましい。支持体の大きさや形成するパターンの大きさや精密さ(線幅)などによっては、金属材料の本体部を有する支持体を用いてもよい。
 本発明は、種々の用途に用いられる陽極酸化ポーラスアルミナ層の形成に用いられる。
  10 モスアイ用型
  10a 被処理体
  12 支持体
  16 アルミニウム膜
  16e 電極取り出し部
  18 ポーラスアルミナ層
  22 低熱伝導部材

Claims (6)

  1.  支持体の第1主面上に形成されたアルミニウム膜を用意する工程であって、前記支持体の前記第1主面とは反対側の第2主面上には所定のパターンを有する低熱伝導部材が設けられている、工程(a)と、前記アルミニウム膜の表面を陽極酸化することによって複数の微細な凹部を有するポーラスアルミナ層を形成する工程(b)と
    を包含する陽極酸化層の形成方法。
  2.  前記工程(b)の後に、前記ポーラスアルミナ層を、エッチング液に接触させることによって、前記ポーラスアルミナ層の前記複数の微細な凹部を拡大させる工程(c)と、
     前記工程(c)の後に、さらに陽極酸化することによって、前記複数の微細な凹部を成長させる工程(d)と
    を包含する、請求項1に記載の陽極酸化層の形成方法。
  3.  前記所定のパターンは情報を表している、請求項1または2に記載の陽極酸化層の形成方法。
  4.  前記工程(a)は、
     基材と前記基材の表面に形成された無機下地層とを有し、前記無機下地層の表面が前記第1主面である前記支持体を用意する工程と、
     前記無機下地層の上にアルミニウム層を形成する工程と、
     前記アルミニウム層の表面に自然酸化膜を形成する工程と、
     前記自然酸化膜の表面に前記アルミニウム膜を形成する工程を包含する、請求項1から3のいずれかに記載の陽極酸化層の形成方法。
  5.  請求項1から4のいずれかに記載の陽極酸化層の形成方法で、表面の法線方向から見たときの2次元的な大きさが10nm以上500nm未満の複数の微細な凹部を有するポーラスアルミナ層を形成する工程を包含する、反転されたモスアイ構造を表面に有する型の製造方法。
  6.  請求項5に記載の製造方法で製造された型と、被加工物とを用意する工程と、
     前記型と前記被加工物の表面との間に紫外線硬化樹脂を付与した状態で、前記型を介して前記紫外線硬化樹脂に紫外線を照射することによって前記紫外線硬化樹脂を硬化する工程と
    を包含する、反射防止膜の製造方法。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013112892A (ja) * 2011-12-01 2013-06-10 Dnp Fine Chemicals Co Ltd ナノ構造体作製用型体の製造方法、製造装置、ナノ構造体作製用型体及びナノ構造体
JP2013250203A (ja) * 2012-06-01 2013-12-12 Denso Corp 液体成分センサ
WO2013191091A1 (ja) * 2012-06-22 2013-12-27 シャープ株式会社 反射防止構造体、転写用型、これらの製造方法、及び、表示装置
JP2014107155A (ja) * 2012-11-28 2014-06-09 Minebea Co Ltd 面状照明装置
WO2014104308A1 (ja) * 2012-12-28 2014-07-03 三菱レイヨン株式会社 光学物品、光学物品の製造に用いられる型及び型の製造方法
WO2014162374A1 (ja) * 2013-04-02 2014-10-09 パナソニック株式会社 光学部材および光学装置
US9128220B2 (en) 2010-11-29 2015-09-08 Sharp Kabushiki Kaisha Light guide body with continuously variable refractive index, and devices using such body
WO2016027827A1 (ja) * 2014-08-21 2016-02-25 シャープ株式会社 型および型の製造方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5323257B2 (ja) 2010-04-28 2013-10-23 シャープ株式会社 バックライトユニットおよび液晶表示装置
CN104166173B (zh) * 2013-05-17 2016-08-24 群创光电股份有限公司 抗反射基板及包含其的显示设备
US9457493B2 (en) * 2013-08-14 2016-10-04 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Method for producing cylindrical nanoimprinting mold and method for producing nanoimprinting reproduction mold
JP7452143B2 (ja) * 2020-03-19 2024-03-19 セイコーエプソン株式会社 マルチレンズアレイ、光源装置およびプロジェクター
EP4143615A1 (en) 2020-04-27 2023-03-08 Glint Photonics, Inc. Method for producing optical article with anti-reflective surface, and optical article with anti-reflective surface
CN111907090A (zh) * 2020-07-30 2020-11-10 中国空气动力研究与发展中心低速空气动力研究所 一种热固性树脂基复合材料表面防冰阵列结构的成型方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003531962A (ja) * 2000-04-28 2003-10-28 アルコーブ サーフィシーズ ゲーエムベーハー 型押し具、これを製造する方法、加工物の表面を構築する方法、及び陽極酸化表面層の使用
JP2005156695A (ja) * 2003-11-21 2005-06-16 Kanagawa Acad Of Sci & Technol 反射防止膜及びその製造方法、並びに反射防止膜作製用スタンパ及びその製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3864217A (en) * 1974-01-21 1975-02-04 Nippon Electric Co Method of fabricating a semiconductor device
JPH08144097A (ja) 1994-11-21 1996-06-04 Ricoh Co Ltd 陽極酸化処理方法
DE19708776C1 (de) 1997-03-04 1998-06-18 Fraunhofer Ges Forschung Entspiegelungsschicht sowie Verfahren zur Herstellung derselben
JPH10324998A (ja) 1997-05-26 1998-12-08 Ykk Corp アルミニウム形材の陽極酸化皮膜生成時における酸化皮膜厚制御方法
US7066234B2 (en) 2001-04-25 2006-06-27 Alcove Surfaces Gmbh Stamping tool, casting mold and methods for structuring a surface of a work piece
US20070235342A1 (en) * 2004-10-01 2007-10-11 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing nanostructure
KR100893251B1 (ko) 2004-12-03 2009-04-17 샤프 가부시키가이샤 반사 방지재, 광학 소자, 및 표시 장치 및 스탬퍼의 제조방법 및 스탬퍼를 이용한 반사 방지재의 제조 방법
JP4813925B2 (ja) * 2006-02-28 2011-11-09 富士フイルム株式会社 微細構造体の製造方法および微細構造体
US7655127B2 (en) * 2006-11-27 2010-02-02 3M Innovative Properties Company Method of fabricating thin film transistor
JP4870544B2 (ja) * 2006-12-25 2012-02-08 富士フイルム株式会社 微細構造体の製造方法および微細構造体
TWI504500B (zh) * 2007-10-25 2015-10-21 三菱麗陽股份有限公司 壓模及其製造方法、成形體的製造方法以及壓模的鋁原型
CN101403117A (zh) * 2008-11-07 2009-04-08 长沙湘计海盾科技有限公司 一种铝或铝合金制品表面的复合氧化工艺
WO2010095415A1 (ja) 2009-02-17 2010-08-26 シャープ株式会社 型の製造方法およびそれに用いられる電極構造
RU2482221C1 (ru) 2009-04-09 2013-05-20 Шарп Кабусики Кайся Форма и способ ее изготовления

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003531962A (ja) * 2000-04-28 2003-10-28 アルコーブ サーフィシーズ ゲーエムベーハー 型押し具、これを製造する方法、加工物の表面を構築する方法、及び陽極酸化表面層の使用
JP2005156695A (ja) * 2003-11-21 2005-06-16 Kanagawa Acad Of Sci & Technol 反射防止膜及びその製造方法、並びに反射防止膜作製用スタンパ及びその製造方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9128220B2 (en) 2010-11-29 2015-09-08 Sharp Kabushiki Kaisha Light guide body with continuously variable refractive index, and devices using such body
JP2013112892A (ja) * 2011-12-01 2013-06-10 Dnp Fine Chemicals Co Ltd ナノ構造体作製用型体の製造方法、製造装置、ナノ構造体作製用型体及びナノ構造体
JP2013250203A (ja) * 2012-06-01 2013-12-12 Denso Corp 液体成分センサ
JPWO2013191091A1 (ja) * 2012-06-22 2016-05-26 シャープ株式会社 反射防止構造体、転写用型、これらの製造方法、及び、表示装置
CN104395784A (zh) * 2012-06-22 2015-03-04 夏普株式会社 防反射结构体、转印用模具、它们的制造方法和显示装置
WO2013191091A1 (ja) * 2012-06-22 2013-12-27 シャープ株式会社 反射防止構造体、転写用型、これらの製造方法、及び、表示装置
JP2014107155A (ja) * 2012-11-28 2014-06-09 Minebea Co Ltd 面状照明装置
WO2014104308A1 (ja) * 2012-12-28 2014-07-03 三菱レイヨン株式会社 光学物品、光学物品の製造に用いられる型及び型の製造方法
US9523796B2 (en) 2012-12-28 2016-12-20 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Optical article, mold used in production of optical article, and mold production method
JPWO2014104308A1 (ja) * 2012-12-28 2017-01-19 三菱レイヨン株式会社 光学物品、光学物品の製造に用いられる型及び型の製造方法
WO2014162374A1 (ja) * 2013-04-02 2014-10-09 パナソニック株式会社 光学部材および光学装置
JPWO2014162374A1 (ja) * 2013-04-02 2017-02-16 パナソニックIpマネジメント株式会社 光学部材および光学装置
WO2016027827A1 (ja) * 2014-08-21 2016-02-25 シャープ株式会社 型および型の製造方法
JPWO2016027827A1 (ja) * 2014-08-21 2017-07-06 シャープ株式会社

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