WO2011105679A3 - 고감도 표면 플라즈몬 공명 센서, 표면 플라즈몬 공명 센서칩, 및 표면 플라즈몬 공명 센서 소자의 제조 방법 - Google Patents

고감도 표면 플라즈몬 공명 센서, 표면 플라즈몬 공명 센서칩, 및 표면 플라즈몬 공명 센서 소자의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 표면 플라즈몬 공명 센서는 금속 박막; 상기 금속 박막 상에 형성되어 국소 표면 플라즈몬 공명에 의한 여기장을 발생시키는 물질 패턴; 국소 표면 플라즈몬 공명에 의해 국소적으로 증폭된 근거리 여기장이 발생되는 지점인 핫스폿으로 시료 물질의 접합 영역 또는 반응 영역이 한정되도록 상기 물질 패턴과 금속 박막을 부분적으로 차단하는 마스크층; 상기 금속 박막으로 입사하는 입사광을 제공하는 광원; 및 상기 금속 박막에서 반사된 반사광을 감지하는 수광부를 포함한다.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101431958B1 (ko) * 2013-01-31 2014-08-21 연세대학교 산학협력단 초고해상도 광학 영상 장치 및 이를 이용한 광학 영상 방법
WO2014144133A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 The Trustees Of The Princeton University Analyte detection enhancement by targeted immobilization, surface amplification, and pixelated reading and analysis
KR101686011B1 (ko) * 2013-11-18 2016-12-13 한국표준과학연구원 나노 플라즈모닉 센서 및 이를 이용한 측정 방법
KR101501449B1 (ko) * 2014-04-16 2015-03-12 연세대학교 산학협력단 금속 나노 입자의 국소 표면 플라즈몬 공명을 이용한 패터닝 장치 및 이를 이용한 패턴 형성방법
US20160169886A1 (en) * 2014-12-10 2016-06-16 The Trustees Of Princeton University Assay structures and enhancement by selective modification and binding on amplification structures
EP3377226B1 (en) * 2016-03-28 2021-02-17 Illumina, Inc. Multi-plane microarrays
KR101904206B1 (ko) * 2017-03-17 2018-10-08 한국표준과학연구원 나노 플라즈모닉 센서 및 이의 제조 방법
KR101969313B1 (ko) * 2017-12-15 2019-04-16 포항공과대학교 산학협력단 플라즈몬 격자를 포함하는 편광 감응형 완전 흡수체 및 그 제조방법
KR102187323B1 (ko) * 2018-01-10 2020-12-07 부산대학교 산학협력단 근적외선 특정 신호 구별 및 증폭을 위한 패턴 표면 구조 및 이를 갖는 바이오 이미징 시스템
EP3689978A1 (en) * 2019-01-31 2020-08-05 Korea Electronics Technology Institute Composite conductive substrate and manufacturing method thereof
US11089678B2 (en) 2019-01-31 2021-08-10 Korea Electronics Technology Institute Composite conductive substrate and manufacturing method thereof
CN111307763B (zh) * 2020-04-29 2023-02-24 东北石油大学 中空双芯内外薄包层表面双侧镀膜pcf-spr探针

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070081557A (ko) * 2006-02-13 2007-08-17 연세대학교 산학협력단 가변형 광학소자를 이용한 표면 플라즈몬 공명 생체 센서시스템
KR100856090B1 (ko) * 2007-03-06 2008-09-02 삼성전기주식회사 표면 플라즈몬 공명각 측정장치
KR20080083922A (ko) * 2007-03-14 2008-09-19 한양대학교 산학협력단 장거리 표면 플라즈몬 이중 금속 광도파로 센서

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070081557A (ko) * 2006-02-13 2007-08-17 연세대학교 산학협력단 가변형 광학소자를 이용한 표면 플라즈몬 공명 생체 센서시스템
KR100856090B1 (ko) * 2007-03-06 2008-09-02 삼성전기주식회사 표면 플라즈몬 공명각 측정장치
KR20080083922A (ko) * 2007-03-14 2008-09-19 한양대학교 산학협력단 장거리 표면 플라즈몬 이중 금속 광도파로 센서

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MA, GYEONG JE ET AL.: "Highly Sensitive SPR Detection by Target Localization", JOURNAL OF 2009 OSK SPECIAL CONFERENCE FOR 20TH ANNIVERSARY, October 2009 (2009-10-01), pages 239 - 240 *

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