WO2011081065A1

WO2011081065A1 - 化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

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Publication number: WO2011081065A1
Application number: PCT/JP2010/073121
Authority: WO
Inventors: 小林　諭
Original assignee: 住友化学株式会社
Priority date: 2009-12-28
Filing date: 2010-12-22
Publication date: 2011-07-07
Also published as: US20120286654A1; CN102695707A; KR20120109532A; US8779137B2; TW201130836A; EP2520576A1; JP2011153134A; JP5762734B2

Abstract

　本発明は、有機ＥＬ素子等の素子への正孔注入性に優れた新規化合物を提供する。具体的には、本発明は、下記式（１）：（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基等を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^２は、水素原子、アルキル基等を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^２は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基等を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^１５は、アルキル基等を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１５が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。ｅは、０～６の整数を表す。複数あるｅは、同一であっても異なっていてもよい。）で表される構造から少なくとも１つの水素原子を除いた残基を含む化合物を提供する。

Description

化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

　本発明は、化合物及びその製造方法に関する。本発明はまた、化合物を含む、組成物、薄膜、及び有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と言う。）等の発光素子、並びにこのような発光素子を含む表示装置等に関する。

　近年、有機ＥＬ素子を用いたカラーディスプレイの開発が活発に進められており、有機ＥＬ素子に有用な発光材料や電荷輸送材料が種々検討されている。有機ＥＬ素子において、優れた正孔注入性を示す化合物を前記材料として用いると、その駆動電圧を低減できることが知られている。

　正孔注入性を示す化合物としては、例えば、２，７－ビス（４－メチル－４’－ブロモ－ジフェニルアミノ）－９，９－ジオクチルフルオレンを重合して得られる高分子化合物が報告されている（特許文献１）。

特表２００７－５１２２４９号公報

　しかし、前記高分子化合物は、正孔注入性が十分ではない。
　そこで、本発明の目的は、優れた正孔注入性を示す化合物を提供することにある。

　本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、優れた正孔注入性を示す化合物等を開発することに成功し、本発明を完成するに至った。
　即ち、本発明は、以下のとおりである。

〔１〕下記式（１）：

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基又は複素環オキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^２は、同一であっても異なっていてもよい。同一の炭素原子に結合する２つのＲ^２は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^１５は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１５が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。ｅは、０～６の整数を表す。複数あるｅは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される構造から少なくとも１つの水素原子を除いた残基を含む化合物。

〔２〕下記式（２）：

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基又は複素環オキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^２は、同一であっても異なっていてもよい。同一の炭素原子に結合する２つのＲ^２は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。ａは、０～５の整数を表す。複数あるａは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される繰返し単位を含む高分子化合物である、上記〔１〕の化合物。

〔３〕前記式（２）で表される繰返し単位が下記式（３）：

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びａは、前記式（２）と同じ定義である。）
で表される繰返し単位である、上記〔２〕の化合物。

〔４〕さらに、下記式（４）：

（式中、Ａｒ^１は、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１１及びＲ^１２はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ｎは、０又は１を表す。）
で表される繰返し単位を含む、上記〔２〕又は〔３〕の化合物。

〔５〕前記式（４）で表される繰返し単位が下記式（５）：

（式中、Ａ環及びＢ環はそれぞれ独立に、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。Ａ^２は、連結基を表す。）
で表される繰返し単位である、上記〔４〕の化合物。

〔６〕前記式（５）で表される繰返し単位が下記式（６）：

（式中、Ｒ^１３は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１３は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^１３は、互いに結合して環を形成してもよい。）
で表される繰返し単位である、上記〔５〕の化合物。

〔７〕下記式（７）：

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基又は複素環オキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^２は、同一であっても異なっていてもよい。同一の炭素原子に結合する２つのＲ^２は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ^１は、重合に関与し得る基を表す。複数あるＸ^１は、同一であっても異なっていてもよい。ａは、０～５の整数を表す。複数あるａは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物を重合させて、
　下記式（３）：

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びａは、前記式（７）と同じである。）
で表される繰返し単位を含む化合物を得ることを含む、式（３）で表される繰返し単位を含む化合物の製造方法。

〔８〕下記式（７）：

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基又は複素環オキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^２は、同一であっても異なっていてもよい。同一の炭素原子に結合する２つのＲ^２は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ^１は、重合に関与し得る基を表す。複数あるＸ^１は、同一であっても異なっていてもよい。ａは、０～５の整数を表す。複数あるａは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物。

〔９〕下記式（８）：

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基又は複素環オキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^２は、同一であっても異なっていてもよい。同一の炭素原子に結合する２つのＲ^２は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。ａは、０～５の整数を表す。複数あるａは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物を、ハロゲン化剤と反応させて、
　下記式（７－１）：

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びａは、前記式（８）と同じである。Ｘ^２は、ハロゲン原子を表す。複数あるＸ^２は、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物を得ることを含む、式（７－１）で表される化合物の製造方法。

〔１０〕下記式（８）：

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基又は複素環オキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^２は、同一であっても異なっていてもよい。同一の炭素原子に結合する２つのＲ^２は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。ａは、０～５の整数を表す。複数あるａは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物。

〔１１〕下記式（９）：

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基又は複素環オキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^２は、同一であっても異なっていてもよい。同一の炭素原子に結合する２つのＲ^２は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。ａは、０～５の整数を表す。複数あるａは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物を、酸の存在下で反応させて、
　下記式（８）：

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基又は複素環オキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^２は、同一であっても異なっていてもよい。同一の炭素原子に結合する２つのＲ^２は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。ａは、０～５の整数を表す。複数あるａは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物を得ることを含む、式（８）で表される化合物の製造方法。

〔１２〕下記式（９）：

〔１３〕下記式（１０）：

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^１６は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１６は、同一であっても異なっていてもよい。ａは、０～５の整数を表す。
複数あるａは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物を、
　下記式（１１）：

（式中、Ｒ^１７は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基又は複素環オキシ基を表す。Ｍは、リチウム原子又はモノハロゲン化マグネシウムを表す。）
で表される化合物又は還元剤と反応させて、
　下記式（９）：

（式中、Ｒ^１、Ｒ²、Ｒ^３、Ｒ^４及びａは、前記式（１０）と同じである。）
で表される化合物を得ることを含む、式（９）で表される化合物の製造方法。

〔１４〕下記式（１０）：

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^１６は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１６は、同一であっても異なっていてもよい。ａは、０～５の整数を表す。
複数あるａは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物。

〔１５〕下記式（１２）：

（式中、Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ^３は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。複数あるＸ^３は、同一であっても異なっていてもよい。ｆは、０～２の整数を表す。複数あるｆは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物、及び
　下記式（１３）：

（式中、Ｒ^３は、前記式（１２）と同じである。Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１６は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ｇは、０～４の整数を表す。
）
で表される化合物を、遷移金属触媒及び塩基の存在下で反応させて、
　下記式（１０）：

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^１６は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１６は、同一であっても異なっていてもよい。ａは、０～５の整数を表す。
複数あるａは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物を得ることを含む、式（１０）で表される化合物の製造方法。

〔１６〕（ａ）上記〔１〕～〔６〕のいずれかの化合物と、（ｂ）正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群より選ばれる少なくとも１つの材料とを含む組成物。

〔１７〕上記〔１〕～〔６〕のいずれかの化合物を含む液状組成物。

〔１８〕上記〔１〕～〔６〕のいずれかの化合物を用いてなる薄膜。

〔１９〕（ａ）陽極及び陰極からなる電極と、（ｂ）該電極間に設けられた、上記〔１〕～〔６〕のいずれかの化合物を含む有機層とを用いてなる素子。

〔２０〕上記〔１９〕の素子を備える表示装置。

　本発明の化合物は、優れた正孔注入性を有する。したがって、本発明の化合物は、有機ＥＬ素子等の発光素子の材料、及びトランジスタ等の電子デバイスの材料として有用である。本発明の化合物はまた、例えば、前記材料となり得る組成物、液状組成物、薄膜（例えば、発光性薄膜、導電性薄膜、半導体薄膜）、及び発光素子等の素子を含む表示装置に有用である。本発明はまた、このような化合物の合成に利用できる化合物を提供する。

　以下、本発明を説明する。
　本明細書において、構造式中、Ｍｅはメチル基を表し、Ｐｈはフェニル基を表す。

　＜化合物＞
　本発明の化合物は下記式（１）で表される構造から少なくとも１つの水素原子を除いた残基を含む。本発明の化合物が高分子化合物である場合、当該残基の位置は、主鎖であっても、主鎖の末端であっても、側鎖であってもよい。

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基又は複素環オキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^２は、同一であっても異なっていてもよい。同一の炭素原子に結合する２つのＲ^２は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^１５は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１５が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。ｅは、０～６の整数を表す。複数あるｅは、同一であっても異なっていてもよい。）

　Ｒ^１で表されるアルキル基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、その炭素数が、通常、１～３０であり、置換基を有していてもよい。ここで有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基、複素環オキシ基及びハロゲン原子が挙げられ、以下、同様である。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソアミル基、ｎ－ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、トリフルオロメチル基が挙げられる。

　Ｒ^１で表されるアリール基は、芳香族炭化水素化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団であり、縮合環を持つ基でも、２環性以上の基でもよい。アリール基は、置換基を有していてもよいが、炭素数には置換基の炭素数は含まれない。アリール基の炭素数は、通常、６～６０であり、好ましくは６～３０である。アリール基としては、例えば、フェニル基、Ｃ_１～Ｃ_１２アルコキシフェニル基（Ｃ_１～Ｃ_１２は、Ｃ_１～Ｃ_１２の直後に示す有機基の炭素数（ここでは、アルコキシフェニル基のうちのアルコキシ基中の炭素数）が１～１２であることを示す。以下も同じである。）、Ｃ_１～Ｃ_１２アルキルフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、１－アントラセニル基、２－アントラセニル基、９－アントラセニル基、ビフェニル基、ターフェニル基が挙げられ、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさの観点からは、Ｃ_１～Ｃ_１２アルコキシフェニル基、Ｃ_１～Ｃ_１２アルキルフェニル基が好ましく、Ｃ_１～Ｃ_１２アルキルフェニル基が特に好ましい。

　Ｒ^１で表されるアリールアルキル基は置換基を有していてもよいが、炭素数には置換基上の炭素数は含まれない。アリールアルキル基としては、その炭素数が、通常、７～６０であり、例えば、フェニル－Ｃ_１～Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１～Ｃ_１２アルコキシフェニル－Ｃ_１～Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１～Ｃ_１２アルキルフェニル－Ｃ_１～Ｃ_１２アルキル基、１－ナフチル－Ｃ_１～Ｃ_１２アルキル基、２－ナフチル－Ｃ_１～Ｃ_１２アルキル基が挙げられる。

　Ｒ^１で表されるアシル基は、その炭素数が、通常、２～３０であり、置換基を有していてもよいが、炭素数には置換基上の炭素数は含まれない。アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基が挙げられる。

　Ｒ^１で表される１価の複素環基は、複素環式化合物（即ち、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子等のヘテロ原子を環内に含む有機化合物である。）から水素原子１個を除いた残りの原子団をいう。１価の複素環基の炭素数は、通常、２～３０であり、好ましくは２～１５である。なお、１価の複素環基において、複素環は置換基を有していてもよいが、炭素数には、複素環上の置換基の炭素数は含まれない。１価の複素環基としては、チエニル基、Ｃ_１～Ｃ_１２アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ_１～Ｃ_１２アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基等が挙げられ、１価の芳香族複素環基が好ましく、チエニル基、Ｃ_１～Ｃ_１２アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ_１～Ｃ_１２アルキルピリジル基がより好ましい。

　Ｒ^２で表されるアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基、１価の複素環基はそれぞれ、Ｒ^１で説明し例示したものと同じである。

　Ｒ^２で表されるアルコキシ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、その炭素数が、通常、１～３０であり、置換基を有していてもよい。炭素数には置換基上の炭素数は含まれない。アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ－ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、イソアミルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ－ヘプチルオキシ基、ｎ－オクチルオキシ基、トリフルオロメトキシ基が挙げられる。

　Ｒ^２で表されるアリールオキシ基は、その炭素数が、通常、６～６０であり、置換基を有していてもよい。炭素数には置換基上の炭素数は含まれない。アリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、Ｃ_１～Ｃ_１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ_１～Ｃ_１２アルキルフェノキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基、１－ナフチルオキシ基、２－ナフチルオキシ基、１－アントラセニルオキシ基、２－アントラセニルオキシ基、９－アントラセニルオキシ基、ビフェニルオキシ基、ターフェニルオキシ基が挙げられる。

　Ｒ^２で表されるアリールアルコキシ基は、その炭素数が、通常、７～６０であり、置換基を有していてもよい。炭素数には置換基上の炭素数は含まれない。アリールアルコキシ基は、例えば、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニルペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基、フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチロキシ基等のフェニル－Ｃ_１～Ｃ_１２アルコキシ基、Ｃ_１～Ｃ_１２アルコキシフェニル－Ｃ_１～Ｃ_１２アルコキシ基、Ｃ_１～Ｃ_１２アルキルフェニル－Ｃ_１～Ｃ_１２アルコキシ基、１－ナフチル－Ｃ_１～Ｃ_１２アルコキシ基、２－ナフチル－Ｃ_１～Ｃ_１２アルコキシ基が挙げられる。

　Ｒ^２で表されるアルケニル基は、その炭素数が２～３０であり、置換基を有していてもよい。炭素数には置換基上の炭素数は含まれない。アルケニル基としては、例えば、ビニル基、１－プロピレニル基、２－プロピレニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、シクロヘキセニル基が挙げられる。

　Ｒ^２で表されるアリールアルケニル基は、その炭素数が、通常、８～６０であり、置換基を有していてもよい。炭素数には置換基上の炭素数は含まれない。アリールアルケニル基としては、例えば、フェニル－Ｃ_２～Ｃ_１２アルケニル基、Ｃ_１～Ｃ_１２アルコキシフェニル－Ｃ_２～Ｃ_１２アルケニル基、Ｃ_１～Ｃ_１２アルキルフェニル－Ｃ_２～Ｃ_１２アルケニル基、１－ナフチル－Ｃ_２～Ｃ_１２アルケニル基、２－ナフチル－Ｃ_２～Ｃ_１２アルケニル基が挙げられる。

　Ｒ^２で表されるアシルオキシ基は、その炭素数が、通常、２～３０であり、置換基を有していてもよい。炭素数には置換基上の炭素数は含まれない。アシルオキシ基としては、例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基が挙げられる。

　Ｒ^２で表される複素環オキシ基は、式：Ｑ^１－Ｏ－で表される基（式中、Ｑ^１は１価の複素環基を表す。）であり、その炭素数が、通常、２～３０である。Ｑ^１で表される１価の複素環基は、Ｒ^１で表される１価の複素環基として説明し例示したものと同じである。
なお、複素環オキシ基上に置換基を有していてもよいが、炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。複素環オキシ基としては、例えば、チエニルオキシ基、Ｃ_１～Ｃ_１２アルキルチエニルオキシ基、ピロリルオキシ基、フリルオキシ基、ピリジルオキシ基、Ｃ_１～Ｃ_１２アルキルピリジルオキシ基、イミダゾリルオキシ基、ピラゾリルオキシ基、トリアゾリルオキシ基、オキサゾリルオキシ基、チアゾールオキシ基、チアジアゾールオキシ基が挙げられる。

　Ｒ^１５で表されるアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基、及び複素環オキシ基はそれぞれ、Ｒ^１又はＲ^２で説明し例示したものと同じである。

　Ｒ^１５で表されるアルキニル基は、その炭素数が２～３０であり、置換基を有していてもよい。炭素数には置換基上の炭素数は含まれない。アルキニル基としては、例えば、エチニル基、１－プロピニル基、２－プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、ヘプチニル基、オクチニル基、シクロヘキシルエチニル基が挙げられる。

　Ｒ^１５で表されるアリールアルキニル基は、その炭素数が、通常、８～６０であり、置換基を有していてもよい。炭素数には置換基上の炭素数は含まれない。アリールアルキニル基としては、例えば、フェニル－Ｃ_２～Ｃ_１２アルキニル基、Ｃ_１～Ｃ_１２アルコキシフェニル－Ｃ_２～Ｃ_１２アルキニル基、Ｃ_１～Ｃ_１２アルキルフェニル－Ｃ_２～Ｃ_１２アルキニル基、１－ナフチル－Ｃ_２～Ｃ_１２アルキニル基、２－ナフチル－Ｃ_２～Ｃ_１２アルキニル基が挙げられる。

　Ｒ^１５で表されるアミノ基は、無置換のアミノ基であっても、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選ばれる１個又は２個の基で置換されたアミノ基であってもよい。該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、１価の複素環基は、置換基を有していてもよい。前記アミノ基としては、その炭素数が、該置換基の炭素数を含めないで、通常、１～６０であり、例えば、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ｎ－プロピルアミノ基、ジ（ｎ－プロピル）アミノ基、イソプロピルアミノ基、ジ（イソプロピル）アミノ基、ジ（ｎ－ブチル）アミノ基、ジ（イソブチル）アミノ基、ジ（ｓｅｃ－ブチル）アミノ基、ジ（ｔｅｒｔ－ブチル）アミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ_１～Ｃ_１２アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ_１～Ｃ_１２アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ_１～Ｃ_１２アルキルフェニル）アミノ基が挙げられる。

　Ｒ^１５で表されるシリル基は、無置換のシリル基であっても、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選ばれる１～３個の基で置換されたシリル基であってもよい。シリル基は、その炭素数が、通常、１～６０である。なお、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、１価の複素環基は、置換基を有していてもよい。シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ－イソプロピルシリル基、ジメチル－イソプロピリシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基が挙げられる。１価の複素環基としては、１価の芳香族複素環基が好ましい。

　Ｒ^１５で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

　Ｒ^１５で表されるカルバモイル基としては、その炭素数が、通常、１～３０であり、置換基を有していてもよい。炭素数には置換基上の炭素数は含まれない。例えば、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基が挙げられる。

　Ｒ^１５で表されるカルボキシル基は、無置換のカルボキシル基であっても、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基で置換されたカルボキシル基であってもよい。カルボキシル基は、その炭素数が、通常、２～３０である。カルボキシル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ－プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ－ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｓｅｃ－ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基、ｎ－ペンチルオキシカルボニル基、ｎ－ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ｎ－ヘプチルオキシカルボニル基、ｎ－オクチルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基が挙げられる。

　Ｒ^４で表されるアルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基はそれぞれ、Ｒ^１で説明し例示したものと同じである。２つのＲ^４は互いに結合して環を形成してもよいが、環を形成しないことが好ましい。

　ｅは、０～６の整数を表し、好ましくは、２つのｅが同時に６ではない場合であり、より好ましくは０又は１の場合である。

　前記式（１）で表される構造から少なくとも１つの水素原子を除いた残基を含む化合物は、高分子化合物であること（以下、「本発明の高分子化合物」と言う。）が好ましく、合成の容易さ、高分子化合物の共重合比の制御のし易さの観点から、下記式（２）で表される繰返し単位を含む高分子化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基又は複素環オキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^２は、同一であっても異なっていてもよい。同一の炭素原子に結合する２つのＲ^２は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。ａは、０～５の整数を表す。複数あるａは、同一であっても異なっていてもよい。）

　前記式（２）中、Ｒ^３で表されるアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基及びシアノ基、並びにこれらの基が有し得る置換基は、前記Ｒ^１５として説明した原子、基と同じである。ａは、０～５の整数を表し、好ましくは０である。

　前記式（２）で表される繰返し単位としては、以下の繰返し単位が挙げられる。

　前記式（２）で表される繰返し単位を含む高分子化合物の中でも、下記式（３）で表される繰返し単位を含む高分子化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びａは、前記式（２）と同じ定義である。）

　本発明の高分子化合物は、発光素子に用いた時の輝度半減寿命の観点から、更に下記式（４）で表される繰返し単位を含むことが好ましい。

（式中、Ａｒ^１は、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１１及びＲ^１２はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ｎは、０又は１を表す。）

　上記式（４）中、Ａｒ^１で表されるアリーレン基としては、通常、炭素数が６～６０のアリーレン基であり、例えば、フェニレン基（下式１～３）、ナフタレンジイル基（下式４～１３）、アントラセニレン基（下式１４～１９）、ビフェニレン基（下式２０～２５）、ターフェニレン基（下式２６～２８）、縮合環化合物基（下式２９～５６）が挙げられる。これらの式中、Ｒは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表す。Ｒ’は、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。なお、アリーレン基の炭素数には、Ｒ及びＲ’の炭素数は含まない。Ｒ及びＲ’で表される基及び原子は、Ｒ^３で表される基及び原子として説明し例示したものと同じ定義である。

　上記式（４）中、Ａｒ^１で表される２価の複素環基は、複素環式化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。２価の複素環基としては、２価の芳香族複素環基が好ましい。また、２価の複素環基としては、その炭素数が、通常、２～６０であり、例えば、以下の式で表される基が挙げられる。なお、２価の複素環基の炭素数には、Ｒの炭素数は含まない。

　ヘテロ原子として、窒素を含む２価の複素環基：ピリジンジイル基（下式５７～６２）、ジアザフェニレン基（下式６３～６６）、キノリンジイル基（下式６７～８１）、キノキサリンジイル基（下式８２～８６）、フェノキサジンジイル基（下式８７）、フェノチアジンジイル基（下式８８）、アクリジンジイル基（下式８９～９０）、ビピリジルジイル基（下式９１～９３）、フェナントロリンジイル基（下式９４～９６）；
　ヘテロ原子としてけい素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子等を含み架橋したビフェニル構造を有する基（下式９７～１２６）；
　ヘテロ原子としてけい素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子等を含む５員環複素環基（下式１２７～１３２）；
　ヘテロ原子としてけい素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子等を含む５員環縮合複素環基（下式１３３～１４２）、ベンゾチアジアゾール－４，７－ジイル基やベンゾオキサジアゾール－４，７－ジイル基等；
　ヘテロ原子としてけい素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子等を含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基（下式１４３、１４４）；
　ヘテロ原子としてけい素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子等を含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基（下式１４５～１５１）；
　ヘテロ原子として窒素原子、酸素原子、硫黄原子等を含む縮合した複素環基とベンゼン環又は単環性の複素環基とが結合した３環性の基（下式１５２～１５７）。

　上記式（４）中、Ｒ^１１及びＲ^１２で表されるアルキル基、アリール基、１価の複素環基はそれぞれ、Ｒ^１で説明し例示したものと同じである。

　上記式（４）で表される繰返し単位としては、ｎ＝０の繰返し単位が好ましく、高分子化合物の安定性の観点から、より好ましくはｎ＝０であり、かつ、Ａｒ^１がアリーレン基又は２価の芳香族複素環基の繰返し単位であり、特に好ましくは下記式（５）で表される繰返し単位である。

（式中、Ａ環及びＢ環はそれぞれ独立に、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。Ａ^２は、連結基を表す。）

　Ａ環及びＢ環としては、芳香族炭化水素環が好ましい。この芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が挙げられ、ベンゼン環が好ましい。

　Ａ^２で表される連結基としては、－Ｃ（Ｒ^１３）_２－が好ましい。Ｒ^１３は、後述するとおりである。

　上記式（５）で表される繰返し単位としては、下記式（６）で表される繰返し単位が好ましい。

（式中、Ｒ^１３は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１３は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^１３は、互いに結合して環を形成してもよい。）

　上記式（６）中、Ｒ^１３で表されるアルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基は、Ｒ^１で説明し例示したものと同じである。２つのＲ^１３は環を形成しないことが好ましい。

　上記式（６）で表される繰返し単位としては、発光素子に用いた時の素子特性の観点からは、Ｒ^１３がアルキル基、アリール基又はアリールアルキル基である繰返し単位が好ましく、高分子化合物の溶媒への溶解性の観点からは、Ｒ^１３が炭素数４以上のアルキル基を有する繰返し単位が好ましい。

　上記式（６）で表される繰返し単位としては、以下の式で表される繰返し単位が挙げられる。

　本発明の高分子化合物において、上記式（４）、（５）、（６）で表される繰返し単位は、各々、一種のみ含まれていても二種以上含まれていてもよい。

　本発明の高分子化合物において、青色材料としての色純度の観点からは、前記式（１）で表される構造から少なくとも１つの水素原子を除いた残基、前記式（４）で表される繰返し単位上の置換基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基が好ましい。

　本発明の高分子化合物は、薄膜にした時の電荷注入・輸送性、発光素子に用いた時の素子特性の観点から、共役系高分子が好ましい。ここで、共役系高分子とは、高分子化合物の主鎖骨格に沿って非局在π電子対が存在している高分子化合物を意味するが、二重結合に代えて不対電子又は孤立電子対が共鳴に加わる高分子化合物を含む。

　本発明の高分子化合物において、所期の特性を損なわない範囲で、繰返し単位同士が非共役の単位で連結されていてもよいし、繰返し単位に当該非共役の単位が含まれていてもよい。非共役の単位としては、以下に示す基を一種、又は二種以上組み合わせたものが挙げられる。

（式中、Ｒ及びＲ’は前記と同じである。Ａｒは芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。）

　本発明の高分子化合物は、ランダム共重合体、ブロック共重合体又はグラフト共重合体でも、それらの中間的な構造を有する高分子化合物、例えば、ブロック性を帯びたランダム共重合体でもよく、さらに、主鎖に枝分かれがあり、末端部が３個以上ある重合体、デンドリマーでもよい。

　本発明の高分子化合物を発光素子の作製に用いる場合であって、該高分子化合物を含む薄膜上に塗布法で別の層を積層するときは、該高分子化合物が架橋性基を有することが好ましい。架橋性基を有することにより、熱や光で処理することで架橋させることができるので、前記別の層を塗布した時に架橋させた高分子化合物を含む層が溶媒への溶解するのを防ぐことができ、その結果、積層し易くなる。前記架橋性基としては、下記式（Ｚ－１）～（Ｚ－１２）で表される基が例示される。

〔式（Ｚ－１）～（Ｚ－１２）中、Ｒ^Cは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、カルバモイル基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、Ｒ^Nは、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、Ｒ^C及びＲ^Nで表される基は、置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Cは、同一であっても異なっていてもよい。〕　　　　

　前記式（Ｚ－２）中の下記式：

で表される波線の存在する二重結合は、Ｅ体及びＺ体のいずれでもよいことを表す。

　本発明の高分子化合物が架橋性基を有する繰返し単位を含む場合、前記架橋性基を有する繰返し単位は単独で有していてもよいし、２種類以上有していてもよい。架橋性基として好ましくは、前記式（Ｚ－１）、（Ｚ－２）及び（Ｚ－５）で表される基であり、Ｒ^Cが水素原子である場合、より好ましい。

　通常、該架橋性基を有する繰返し単位の共重合比としては、全ての繰返し単位に対し、０．１～５０モル％であり、好ましくは１～３０モル％であり、より好ましくは３～２０モル％である。

　本発明の高分子化合物が架橋性基を有する繰返し単位を含む場合、該繰返し単位としては以下の繰り返し単位が例示される。

　本発明の高分子化合物が、上記式（２）で表される繰返し単位を含む場合、本発明の高分子化合物において、発光素子の発光層として用いたときの素子特性の観点からは、該繰返し単位を、全繰返し単位の０．１～５０モル％含むことが好ましく、０．５～３０モル％含むことがより好ましい。

　また、本発明の高分子化合物を発光素子の発光層として用いたときの素子特性の観点から、上記式（４）で表される繰返し単位を含む場合、その割合は、全繰返し単位の１～９９．９モル％が好ましく、５０～９９．５モル％がより好ましい。

　さらに、本発明の高分子化合物を発光素子の発光層として用いたときの素子特性の観点、発光色の調整の観点から、上記式（６）で表される繰返し単位を含む場合、その割合は、全繰返し単位の１～９９．９モル％が好ましく、５０～９９．５モル％がより好ましい。

　本発明の高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量は、発光素子にした時の輝度半減寿命の観点から、２×１０^３～１×１０^８が好ましく、１×１０^４～１×１０^６がより好ましい。

　本発明の高分子化合物は、青色発光材料としての色純度の観点からは、上記式（２）で表される繰返し単位と、上記式（４）で表される繰返し単位とを有する高分子化合物が好ましく、上記式（２）で表される繰返し単位と、上記式（４）で表される繰返し単位であって、ｎ＝０であり、かつ、Ａｒ^１が炭素数６～１５のアリーレン基である高分子化合物が好ましい。その中でも、上記式（２）で表される繰返し単位と、上記式（４）で表される繰返し単位との合計が、高分子化合物中の全繰返し単位の９５モル％以上であることが好ましく、９９モル％以上であることがより好ましく、９９．９モル％以上であることが特に好ましい。

　本発明の化合物が低分子化合物である場合、例えば、以下の化合物が挙げられる。

　本発明の化合物が高分子化合物である場合、例えば、以下の表ａに示す化合物が挙げられるが、表ｂに示す化合物が好ましく、表ｃに示す化合物がより好ましく、表ｄに示す化合物が特に好ましい。

　表ａに示す化合物は、前記式（２）で表される繰返し単位、前記式（４）で表される繰返し単位、及び、その他の繰返し単位からなり、各繰返し単位を、表中に示すモル％（全ての繰返し単位の合計は１００モル％である。）で含有する高分子化合物である。ここで、「その他の繰返し単位」とは、前記式（２）、（４）で表される繰返し単位の複数を連結する１原子団を意味する。ただし、高分子化合物の末端基は繰返し単位に含めない。前記式（２）で表される繰返し単位は、１種又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。前記式（４）で表される繰返し単位は、１種又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。
　前記高分子化合物を正孔注入層又は正孔輸送層として用いる場合、ＥＰ１が好ましく、ＥＰ２がより好ましい。
　前記高分子化合物を発光層として用いる場合、ＥＰ２が好ましく、ＥＰ３がより好ましく、ＥＰ４が特に好ましい。

　表ｂに示す化合物は、前記式（３）で表される繰返し単位、前記式（４）で表される繰返し単位、及び、その他の繰返し単位からなり、各繰返し単位を、表中に示すモル％（全ての繰返し単位の合計は１００モル％である。）で含有する高分子化合物である。ここで、「その他の繰返し単位」とは、前記式（３）、（４）で表される繰返し単位の複数を連結する１原子団を意味する。ただし、高分子化合物の末端基は繰返し単位に含めない。前記式（３）で表される繰返し単位は、１種又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。前記式（４）で表される繰返し単位は、１種又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。

　表ｃに示す化合物は、前記式（３）で表される繰返し単位、前記式（５）で表される繰返し単位、及び、その他の繰返し単位からなり、各繰返し単位を、表中に示すモル％（全ての繰返し単位の合計は１００モル％である。）で含有する高分子化合物である。ここで、「その他の繰返し単位」とは、前記式（３）、（５）で表される繰返し単位の複数を連結する１原子団を意味する。ただし、高分子化合物の末端基は繰返し単位に含めない。前記式（３）で表される繰返し単位は、１種又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。前記式（５）で表される繰返し単位は、１種又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。

　表ｄに示す化合物は、前記式（３）で表される繰返し単位、前記式（６）で表される繰返し単位、及び、その他の繰返し単位からなり、各繰返し単位を、表中に示すモル％（全ての繰返し単位の合計は１００モル％である。）で含有する高分子化合物である。ここで、「その他の繰返し単位」とは、前記式（３）、（６）で表される繰返し単位の複数を連結する１原子団を意味する。ただし、高分子化合物の末端基は繰返し単位に含めない。前記式（３）で表される繰返し単位は、１種又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。前記式（６）で表される繰返し単位は、１種又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。

　以下、表ｄ中のＥＰ１３、ＥＰ１４、ＥＰ１５、ＥＰ１６の高分子化合物の好ましい例を示す。なお、構造式の右側に付した数字は、各繰返し単位の比率（モル比）を表す。

（ｒ１は０．１～１００モル％であり、ｒ２は０～９９．９モル％であり、ｒ１＋ｒ２＝１００モル％である。）

（ｒ１は０．１～１００モル％であり、ｒ２－１及びｒ２－２はそれぞれ独立に０～９９．９モル％であり、ｒ１＋（ｒ２－１）＋（ｒ２－２）＝１００モル％である。）

（ｒ１は０．１～１００モル％であり、ｒ２－１、ｒ２－２及びｒ２－３はそれぞれ独立に０～９９．９モル％であり、ｒ１＋（ｒ２－１）＋（ｒ２－２）＋（ｒ２－３）＝１００モル％である。）

（ｒ１は０．１～１００モル％であり、ｒ２－１、ｒ２－２、ｒ２－３及びｒ２－４はそれぞれ独立に０～９９．９モル％であり、ｒ１＋（ｒ２－１）＋（ｒ２－２）＋（ｒ２－３）＋（ｒ２－４）＝１００モル％である。）

（ｒ１は０．１～１００モル％であり、ｒ２は０～９９．９モル％であり、ｒ３は０～５０モル％であり、ｒ１＋ｒ２＋ｒ３＝１００モル％である。）

　＜高分子化合物の製造方法＞
　本発明の高分子化合物は、如何なる方法で製造されたものであってもよい。本発明の高分子化合物の製造方法としては、下記式（７）で表される化合物を重合して、上記式（３）で表される繰返し単位を有する高分子化合物を得ることを含む、上記式（３）で表される繰返し単位を有する高分子化合物の製造方法が例示できる。本発明の高分子化合物の製造に重合を用いる場合、重合は、遷移金属触媒の存在下で、行うことができる。
　また、重合性官能基の影響を排除するため、末端処理剤で処理することができる。

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基又は複素環オキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^２は、同一であっても異なっていてもよい。同一の炭素原子に結合する２つのＲ^２は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ^１は、重合に関与し得る基を表す。複数あるＸ^１は、同一であっても異なっていてもよい。ａは、０～５の整数を表す。複数あるａは、同一であっても異なっていてもよい。）

　Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４で表される基は、上記式（１）又は式（２）のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４で説明し例示したものと同じである。

　Ｘ^１で表される重合に関与し得る基は、縮合反応の際に一部又は全部が脱離する基を表し、ホルミル基、ハロゲン原子、－Ｂ（ＯＨ）_２、ホウ酸エステル残基、モノハロゲン化マグネシウム、スタニル基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アリールアルキルスルホニルオキシ基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基及びモノハロゲン化メチル基が挙げられる。

　重合に関与し得る基であるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、反応制御のしやすさの観点から塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が好ましく、臭素原子がより好ましい。

　重合に関与し得る基であるホウ酸エステル残基としては、ジアルキルエステル残基、ジアリールエステル残基、ジアリールアルキルエステル残基のほか、以下の式で表される基が挙げられる。

　重合に関与し得る基であるモノハロゲン化マグネシウムとしては、モノクロロマグネシウム、モノブロモマグネシウム、モノヨードマグネシウムが挙げられる。

　重合に関与し得る基であるスタニル基としては、スタニル基、トリクロロスタニル基、トリメチルスタニル基、トリエチルスタニル基、トリ－ｎ－ブチルスタニル基が挙げられる。

　重合に関与し得る基であるアルキルスルホニルオキシ基としては、メタンスルホニルオキシ基、エタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基が挙げられる。

　重合に関与し得る基であるアリールスルホニルオキシ基としては、ベンゼンスルホニルオキシ基、ｐ－トルエンスルホニルオキシ基が挙げられる。

　重合に関与し得る基であるアリールアルキルスルホニルオキシ基としては、ベンジルスルホニルオキシ基が挙げられる。

　スルホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
－ＣＨ_２Ｓ^＋Ｍｅ_２Ｘ^－、－ＣＨ_２Ｓ^＋Ｐｈ_２Ｘ^－
（式中、Ｘはハロゲン原子を示し、以下、同じである。）

　ホスホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
－ＣＨ_２Ｐ^＋Ｐｈ_３Ｘ^－

　ホスホネートメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
－ＣＨ_２ＰＯ（ＯＲ’’）_２
（式中、Ｒ’’は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基を示す。）

　モノハロゲン化メチル基としては、モノフッ化メチル基、モノクロロメチル基、モノ臭化メチル基、モノヨウ化メチル基が例示される。

　次に、上記式（３）で表される繰返し単位を有する高分子化合物の製造方法を代表例として説明する。なお、本発明の高分子化合物が、上記式（２）又は式（３）の繰返し単位以外の繰返し単位を有する場合には、反応系中に、式（２）又は式（３）で表される繰返し単位以外の繰返し単位に対応する単量体を共存させればよい。

　遷移金属存在下の重合に用いる重合方法としては、後述の［３］、［４］、［１１］、［１２］、［１３］、［１４］、［１５］が挙げられる。

　遷移金属触媒の使用量は、重合方法により異なるが、重合に供する全単量体１モルに対して、通常、０．０００１モル～１０モルの範囲である。

　上記遷移金属触媒としては、ニッケル触媒、パラジウム触媒等が挙げられる。

　上記ニッケル触媒としては、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（０）、ビス（シクロオクタジエニル）ニッケル（０）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、［１，３－ビス（ジフェニルホスフィン）プロパン］ジクロロニッケル（ＩＩ）、［１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロニッケル（ＩＩ）が挙げられる。

　上記パラジウム触媒としては、酢酸パラジウム、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、［１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）が挙げられる。

　本発明の高分子化合物の製造には、高分子化合物が主鎖にビニレン基を有する場合には、以下の［１］～［１１］の反応を用いることができる。
［１］ホルミル基を有する化合物とホスホニウムメチル基を有する化合物とのＷｉｔｔｉｇ反応による重合
［２］ホルミル基とホスホニウムメチル基とを有する化合物のＷｉｔｔｉｇ反応による重合［３］ビニル基を有する化合物とハロゲン原子を有する化合物とのＨｅｃｋ反応による重合
［４］ビニル基とハロゲン原子とを有する化合物のＨｅｃｋ反応による重合
［５］ホルミル基を有する化合物とホスホネートメチル基を有する化合物とのＨｏｒｎｅｒ－Ｗａｄｓｗｏｒｔｈ－Ｅｍｍｏｎｓ法による重合
［６］ホルミル基とホスホネートメチル基とを有する化合物のＨｏｒｎｅｒ－Ｗａｄｓｗｏｒｔｈ－Ｅｍｍｏｎｓ法による重合
［７］モノハロゲン化メチル基を２個以上有する化合物の脱ハロゲン化水素法による重縮合
〔８］スルホニウム塩基を２個以上有する化合物のスルホニウム塩分解法による重縮合
［９］ホルミル基を有する化合物とシアノメチル基を有する化合物とのＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合
［１０］ホルミル基とシアノメチル基とを有する化合物のＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合
［１１］ホルミル基を２個以上有する化合物のＭｃＭｕｒｒｙ反応による重合

　これらの［１］～［１１］は、以下の式で示すとおりである。

　本発明の高分子化合物の製造には、高分子化合物が主鎖にビニレン基を有しない場合、以下の［１２］～［１７］の反応を用いることができる。
［１２］Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応による重合
［１３］Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応による重合
［１４］Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応による重合
［１５］Ｎｉ（０）触媒による重合
［１６］ＦｅＣｌ_３等の酸化剤による重合、電気化学的に酸化重合
［１７］適切な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法

　これらの［１２］～［１７］は、以下の式で示すとおりである。

　これらの中でも、Ｗｉｔｔｉｇ反応による重合、Ｈｅｃｋ反応による重合、Ｈｏｒｎｅｒ－Ｗａｄｓｗｏｒｔｈ－Ｅｍｍｏｎｓ法による重合、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応による重合、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応による重合する方法、Ｓｔｉｌｌｅカップリングを用いる方法、Ｎｉ（０）触媒による重合が、構造制御の観点から好ましく、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応による重合、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応による重合、Ｎｉ（０）触媒による重合が、原料の入手容易性、重合反応の操作性の観点から好ましい。

　単量体を、必要に応じて、有機溶媒に溶解させ、例えば、アルカリや適切な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下で、反応させればよい。詳細は、“オルガニック　リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０－４９０頁，ジョンワイリー　アンド　サンズ（Ｊｏｈｎ　Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年、“オルガニック　リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第２７巻，３４５－３９０頁，ジョンワイリー　アンド　サンズ（Ｊｏｈｎ　Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８２年、“オルガニック　シンセシーズ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ　Ｖｏｌｕｍｅ　ＶＩ），４０７－４１１頁，ジョンワイリー　アンド　サンズ（Ｊｏｈｎ　Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカル　レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）、ジャーナル　オブ　オルガノメタリック　ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、ジャーナル　オブ　プラクティカル　ケミストリー（Ｊ．Ｐｒａｋｔ．Ｃｈｅｍ．），第３３６巻，２４７頁（１９９４年）、マクロモレキュラー　ケミストリー　マクロモレキュラー　シンポジウム（Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）等の記載を参考にすることができる。

　上記有機溶媒は、副反応を抑制するために、十分に脱酸素・脱水処理を施すことが好ましい。また、反応系は、不活性雰囲気下であることが好ましいが、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応等の水との２相系での反応においては、その限りではない。

　上記アルカリ、触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリ、触媒を添加する方法としては、反応液をアルゴンや窒素等の不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリ、触媒の溶液を添加するか、又は、アルカリ、触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が挙げられる。

　本発明の高分子化合物は、純度が発光特性に影響を与えるため、重合前の単量体を蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製した後に重合することが好ましく、合成後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。

　本発明の高分子化合物の製造において、原料となる単量体が複数ある場合、それらを一括混合して反応させてもよいし、分割して混合して反応させてもよい。

　より詳細に反応条件を説明すると、Ｗｉｔｔｉｇ反応、Ｈｏｒｎｅｒ反応、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応の場合は、単量体の官能基に対して当量以上、好ましくは１～３当量のアルカリを用いて反応させる。
　上記アルカリとしては、カリウム－ｔｅｒｔ－ブトキシド、ナトリウム－ｔｅｒｔ－ブトキシド、ナトリウムエチラート、リチウムメチラート等の金属アルコラートや、水素化ナトリウム等のハイドライド試薬、ナトリウムアミド等のアミド類等が挙げられる。
　上記溶媒としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン等が挙げられる。
　上記反応の温度は、通常、室温～１５０℃である。
　上記反応の時間は、十分に反応が進行する時間であるが、通常、５分間～４０時間である。
　上記反応の濃度は、通常、０．１～２０重量％である。

　Ｈｅｃｋ反応の場合は、パラジウム触媒を用い、トリエチルアミン等の塩基の存在下で、単量体を反応させる。例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミドやＮ－メチルピロリドン等の比較的沸点の高い溶媒を用い、反応温度は８０～１６０℃、反応時間は１～１００時間である。

　Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応の場合は、触媒として、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、パラジウムアセテート類等のパラジウム触媒を用い、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化バリウム等の無機塩基、トリエチルアミン、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の有機塩基、フッ化セシウム等の無機塩を単量体に対して当量以上、好ましくは１～１０当量加えて反応させる。無機塩を水溶液として、２相系で反応させてもよい。
　溶媒としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、トルエン、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。
　反応温度は、５０～１６０℃が好ましい。溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。
　反応時間は１～２００時間である。

　Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応の場合は、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒中で、ハロゲン化物と金属マグネシウムとを反応させてＧｒｉｇｎａｒｄ試薬溶液とし、これと別に用意した単量体溶液とを混合し、ニッケル触媒又はパラジウム触媒を過剰反応に注意しながら添加した後、昇温して、還流させながら反応させる方法が挙げられる。Ｇｒｉｇｎａｒｄ試薬は単量体に対して当量以上、好ましくは１～１．５当量用いる。

　ニッケル触媒の存在下で反応させる場合は、上述のＮｉ（０）触媒により重合する方法が挙げられる。

　＜単量体の製造方法＞
　本発明の高分子化合物の原料となり得る化合物は、如何なる方法で製造されたものであってもよい。例えば、下記式（７－１）で表される化合物が用いられる。また、前記式（１）で表される構造を有する低分子化合物は、例えば、下記式（７－１）で表される化合物とホウ酸又はホウ酸エステル化合物とのＳｕｚｕｋｉカップリング、Ｇｒｉｇｎａｒｄ試薬とのＫｕｍａｄａカップリング、亜鉛試薬とのＮｅｇｉｓｈｉカップリング等の種々カップリング反応により合成することができる。

　以下、下記式（７－１）で表される化合物の製造方法を代表例として説明する。

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びａは、前記式（８）と同じである。Ｘ^２は、ハロゲン原子を表す。複数あるＸ^２は、同一であっても異なっていてもよい。）

　前記式（７－１）において、Ｘ^２で表されるハロゲン原子は、前記Ｘ^１で説明し例示したものと同じであるが、合成の容易さの観点から、２つのＸ^２は同一であることが好ましい。

　上記式（７－１）で表される化合物は、例えば、以下の反応１）～反応４）により製造することができる。
反応１）式（１２）で表される化合物、及び式（１３）で表される化合物からの、式（１０）で表される化合物の合成
反応２）式（１０）で表される化合物からの、式（９）で表される化合物の合成
反応３）式（９）で表される化合物からの、式（８）で表される化合物の合成
反応４）式（８）で表される化合物からの、式（７－１）で表される化合物の合成

　具体的には、反応１）は、下記式（１２）で表される化合物、及び下記式（１３）で表される化合物を、遷移金属触媒及び塩基の存在下で反応させることによる、下記式（１０）で表される化合物の合成反応である。

（式中、Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ^３は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。複数あるＸ^３は、同一であっても異なっていてもよい。ｆは、０～２の整数を表す。複数あるｆは、同一であっても異なっていてもよい。）

（式中、Ｒ^３は、前記式（１２）と同じである。Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１６は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ｇは、０～４の整数を表す。
）

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^１６は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１６は、同一であっても異なっていてもよい。ａは、０～５の整数を表す。複数あるａは、同一であっても異なっていてもよい。）

　式（１０）、（１２）、（１３）中、Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^１６で表される各々の基、及びａの整数は、前記式（１）又は（２）で説明し例示したものと同じである。

　式（１２）中、ｆは、０～２の整数、好ましくは０である。

　式（１３）中、ｇは、０～４の整数、好ましくは０である。

　反応１）で用いられる遷移金属触媒としては、パラジウム触媒、ニッケル触媒、及び銅触媒が挙げられる。

　反応１）は、例えば、銅触媒と塩基の存在下、Ｕｌｌｍａｎｎカップリング条件で行なわれ得る。反応１）はまた、Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ　Ｃｈｅｍｉｅ，Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｅｄｉｔｉｏｎ　ｉｎ　Ｅｎｇｌｉｓｈ，（１９９５），３４（１２），１３４８に記載のあるアミノ化反応条件下で行われ得る。反応１）の反応温度は、０～２００℃であり、好ましくは室温～溶媒の沸点である。

　反応１）で用いられる塩基としては、Ｕｌｌｍａｎｎカップリングの場合、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等の無機の強塩基が挙げられる。

　反応１）で用いられる溶媒としては、高沸点の非プロトン性溶媒が好ましく、ピリジン、コリジン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ニトロベンゼン、ジオキサンが挙げられる。これらの溶媒は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
　また、相間移動触媒やクラウンエーテルの添加により、反応を促進することができる。

　反応２）は、前記式（１０）で表される化合物を、下記式（１１）で表される化合物又は還元剤と反応させることによる、式（９）で表される化合物の合成反応である。

（式中、Ｒ^１７は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アシル基、アシルオキシ基、1価の複素環基又は複素環オキシ基を表す。Ｍは、リチウム原子又はモノハロゲン化マグネシウムを表す。）

　式（１１）中、Ｒ^１７で表されるアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基及び複素環オキシ基は、前記式（１）のＲ^１で説明し例示したものと同じである。これらの中でも、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基が好ましい。

　式（１１）中、Ｍは、リチウム原子又はモノハロゲン化マグネシウムを表す。Ｍで表されるモノハロゲン化マグネシウムは、前記式（７）のＸ^１における重合に関与し得る基として説明し例示したものと同じである。

　還元剤としては、水素化リチウムアルミニウム、ジイソブチルアルミニウムヒドリドが挙げられる。

　上記式（１１）で表される化合物又は還元剤の当量は、上記式（１０）で表される化合物中のＲ^１がいずれも水素原子の場合、４当量以上であることが好ましい。また、上記式（１０）で表される化合物中のＲ^１のいずれか一方が水素原子の場合、上記式（１１）で表される化合物又は還元剤の当量は、３当量以上であることが好ましい。さらに、上記式（１０）で表される化合物中のＲ^１がいずれも水素原子でない場合、上記式（１１）で表される化合物又は還元剤の当量は、２当量以上であることが好ましい。

　（９）式中のＲ^２としては、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び1価の複素環基が好ましく、より好ましくはアルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び1価の複素環基である。

　反応２）は、アルゴンや窒素等の不活性ガスの雰囲気下で行うことが好ましい。

　反応２）で用いられる溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の飽和炭化水素；ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素；ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル－ｔｅｒｔ－ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン等のエーテル類が挙げられる。これらの溶媒は、１種又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。

　反応２）の反応温度は、－１００℃～溶媒の沸点であり、－８０℃～室温が好ましい。

　反応３）は、前記式（９）で表される化合物を、酸の存在下で反応させることによる、下記式（８）で表される化合物の合成反応である。

　反応３）に用いられる原料として、式（９）で表される化合物は、下記式（９－１）で表される化合物がより好ましい。

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、ａは、前記式（９）と同じである。）

　反応３）で用いられる酸としては、プロトン酸でもルイス酸でもよい。
　プロトン酸としては、例えば、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸等のスルホン酸類、蟻酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸類；硫酸、塩酸、硝酸、リン酸等の無機酸が挙げられる。これらのプロトン酸の中でも、塩酸、硫酸、硝酸等の無機強酸が好ましい。
　ルイス酸としては、例えば、三臭化ホウ素、三塩化ホウ素、三フッ化ホウ素エーテル錯体等ハロゲン化ホウ素化物；塩化アルミニウム、三塩化チタン、四塩化チタン、塩化マンガン、塩化鉄（ＩＩ）、塩化鉄（ＩＩＩ）、塩化コバルト、塩化銅（Ｉ）、塩化銅（ＩＩ）、塩化亜鉛、臭化アルミニウム、三臭化チタン、四臭化チタン、臭化マンガン、臭化鉄（ＩＩ）、臭化鉄（ＩＩＩ）、臭化コバルト、臭化銅（Ｉ）、臭化銅（ＩＩ）、臭化亜鉛等のハロゲン化金属が挙げられる。
　これらのプロトン酸、ルイス酸は、１種又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

　反応３）で用いられる溶媒としては上記の酸を用いてもよいが、それ以外の溶媒を用いてもよい。用いる溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の飽和炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素；四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素；ニトロメタン、ニトロベンゼン等のニトロ化合物が挙げられる。これらの溶媒は、１種又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

　反応３）の反応温度は、－１００℃～溶媒の沸点であり、好ましくは０～１００℃である。

　反応４）は、前記式（８）で表される化合物を、ハロゲン化剤と反応させることによる、前記式（７－１）で表される化合物の合成反応である。

　反応４）は、アルゴンや窒素等の不活性ガスの雰囲気下で行うことが好ましい。

　反応４）で用いられるハロゲン化剤としては、例えば、Ｎ－クロロスクシンイミド、Ｎ－クロロフタル酸イミド、Ｎ－ブロモスクシンイミド、Ｎ－ブロモフタル酸イミド、４，４，５，５，－テトラメチル、１，３－ジブロモ－５，５－ジメチルヒダントイン、Ｎ－ヨウドスクシンイミド、Ｎ－ヨウドフタル酸イミド等のＮ－ハロゲノ化合物；塩素、臭素等のハロゲン元素；ベンジルトリメチルアンモニウムトリブロミドが挙げられ、Ｎ－ハロゲノ化合物が好ましい。

　反応４）で用いられる溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の飽和炭化水素；ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素；四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素；メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール等のアルコール類；蟻酸、酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸類；ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル－ｔｅｒｔ－ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン等のエーテル類；トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルエチレンジアミン、ピリジン等のアミン類；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルアセトアミド、Ｎ－メチルモルホリンオキシド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等のアミド類が挙げられる。これらの溶媒は、１種又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

　反応４）の反応温度は、－１００℃～溶媒の沸点であり、好ましくは－２０～５０℃である。

　＜組成物＞
　本発明の組成物は、（ａ）本発明の化合物と、（ｂ）正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群より選ばれる少なくとも１つの材料とを含む組成物である。また、本発明の組成物は、溶媒を含有することができる（溶媒を含有する本発明の組成物を、以下、「液状組成物」と言う。一般的には、インク、インク組成物と言うことがある。）である。なお、本発明の組成物において、本発明の化合物、正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、溶媒は、それぞれ、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

　本発明の組成物において、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料の合計と、本発明の化合物との比率は、本発明の化合物１００重量部に対して、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料の合計が、通常、１～１００００重量部であり、好ましくは１０～１０００重量部であり、より好ましくは２０～５００重量部である。

　次に、本発明の液状組成物について説明する。

　上記液状組成物における溶媒の割合は、液状組成物の全重量に対して、通常、１～９９．９重量％であり、好ましくは８０～９９．９重量％である。なお、液状組成物の粘度は、印刷法によって異なるが、インクジェットプリント法等液状組成物中が吐出装置を経由するもの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が２５℃において１～２０ｍＰａ・ｓが好ましい。

　上記液状組成物は、さらに、粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤を含有していてもよい。この添加剤としては、粘度を高めるための高分子量の化合物（以下、「増粘剤」と言う。）や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤が挙げられる。

　上記増粘剤としては、本発明の化合物と同じ溶媒に可溶性であり、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、例えば、高分子量のポリスチレン、ポリメチルメタクリレートが挙げられる。また、貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。即ち、液状組成物中の固形分に対する貧溶媒を少量添加することで、粘度を高めることができる。

　本発明の液状組成物は、保存安定性を改善するために、酸化防止剤を含有していてもよく、例えば、本発明の化合物と同じ溶媒に可溶性であり、発光や電荷輸送を阻害しない化合物が挙げられ、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が好ましい。

　上記液状組成物に含まれる溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２－ジクロロエタン、１，１，２－トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ－ペンタン、ｎ－ヘキサン、ｎ－へプタン、ｎ－オクタン、ｎ－ノナン、ｎ－デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２－ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体；メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。また、これらの溶媒は、１種単独で又は２種以上を併用してもよい。さらに、これらの溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性の観点から、２種類以上が好ましく、２～３種類がより好ましく、２種類が特に好ましい。

　上記溶媒が２種類の組み合わせである場合、それらのうちの１種類は２５℃において固体状態でもよい。２種類の溶媒の組み合わせとしては、成膜性の観点からは、１種類の溶媒は沸点が１８０℃以上の溶媒であることが好ましく、２００℃以上の溶媒であることがより好ましく、粘度の観点からは、２種類の溶媒ともに６０℃において１重量％以上の濃度で本発明の化合物が溶解する溶媒であることが好ましく、少なくとも１種類の溶媒は２５℃において１重量％以上の濃度で本発明の化合物が溶解する溶媒であることが好ましい。

　また、上記溶媒が３種類以上の組み合わせである場合、粘度及び成膜性の観点から、これら３種類以上の溶媒の全重量に対して、最も沸点が高い溶媒が、好ましくは４０～９０重量％であり、より好ましくは５０～９０重量％である。

　上記液状組成物には、水、金属及びその塩を１～１０００ｐｐｍ（重量基準）含んでいてもよい。金属としては、リチウム、ナトリウム、カルシウム、カリウム、鉄、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、クロム、マンガン、コバルト、白金、イリジウムが挙げられる。また、上記液状組成物は、珪素、リン、フッ素、塩素、臭素を１～１０００ｐｐｍ（重量基準）含んでいてもよい。

　上記液状組成物を用いると、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布方法により、本発明の薄膜を容易に作製することができる。

　＜薄膜＞
　本発明の薄膜は、本発明の化合物を含む薄膜であり、その種類としては、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜がある。
　発光性薄膜は、後述の発光素子の作製において、発光層を形成する際に有用である。
　導電性薄膜は、表面抵抗が１ＫΩ／□以下であることが好ましい。本発明の導電性薄膜は、ルイス酸、イオン性化合物等をドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。
　有機半導体薄膜は、電子移動度又は正孔移動度のうちの大きいほうが、１×１０^－５ｃｍ^２／Ｖ／秒以上であることが好ましい。また、ＳｉＯ_２等の絶縁膜とゲート電極とを形成したＳｉ基板上に有機半導体薄膜を形成し、Ａｕ等でソース電極とドレイン電極を形成することにより、有機トランジスタとすることができる。

　＜素子＞
　本発明の素子は、（ａ）陽極及び陰極からなる電極と、（ｂ）該電極間に設けられた、本発明の化合物を含む有機層とを備える素子であり、代表的には、発光素子である（以下、「本発明の発光素子」と言う。）。

　本発明の発光素子は、陽極と陰極からなる一対の電極と、該電極間に発光層を有する一層（単層型）又は複数層（多層型）からなる薄膜が挟持されているものである。該薄膜層の少なくとも１層は、本発明の化合物を含有する。前記薄膜中の本発明の化合物の合計含有量は、発光層全体の重量に対して、通常、０．１～１００重量％であり、０．１～８０重量％であることが好ましい。本発明の発光素子は、前記発光層が、本発明の化合物を発光材料として含有することが好ましい。

　本発明の発光素子が単層型である場合には、前記薄膜が発光層であり、この発光層が本発明の化合物を含有する。また、本発明の発光素子が多層型である場合には、例えば、以下の構成をとる。
（ａ）陽極／正孔注入層（正孔輸送層）／発光層／陰極
（ｂ）陽極／発光層／電子注入層（電子輸送層）／陰極
（ｃ）陽極／正孔注入層（正孔輸送層）／発光層／電子注入層（電子輸送層）／陰極

　本発明の発光素子の陽極は、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが好ましい。陽極の材料としては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物を用いることができる。陽極の材料としては、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの導電性金属酸化物と金属との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質、ポリアニリン類、ポリチオフェン類（ＰＥＤＯＴ等）、ポリピロール等の有機導電性材料、これらとＩＴＯとの積層物等が挙げられる。

　本発明の発光素子の陰極の材料としては、金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物又はこれらの混合物を用いることができ、例えば、アルカリ金属（リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等）並びにそのフッ化物及び酸化物、アルカリ土類金属（マグネシウム、カルシウム、バリウム等）並びにそのフッ化物及び酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、合金及び混合金属類（ナトリウム－カリウム合金、ナトリウム－カリウム混合金属、リチウム－アルミニウム合金、リチウム－アルミニウム混合金属、マグネシウム－銀合金、マグネシウム－銀混合金属等）、希土類金属（イッテルビウム等）、インジウム等が挙げられる。

　本発明の発光素子の正孔注入層及び正孔輸送層に用いられる材料には、公知の材料を使用できるが、例えば、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）誘導体、有機シラン誘導体、本発明の化合物、これらを含む重合体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子、オリゴマーが挙げられる。これらの材料は１種単独であっても複数の成分が併用されていてもよい。また、前記正孔注入層及び前記正孔輸送層は、前記材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

　本発明の発光素子の電子注入層及び電子輸送層に用いられる材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８－キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、本発明の化合物が挙げられる。また、前記電子注入層及び前記電子輸送層は、前記材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

　本発明の発光素子において、電子注入層、電子輸送層に用いられる材料としては、絶縁体又は半導体の無機化合物も使用することもできる。電子注入層、電子輸送層が絶縁体や半導体で構成されていれば、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選ばれる少なくとも一種の金属化合物を使用できる。好ましいアルカリ土類金属カルコゲニドとしては、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＣａＳｅが挙げられる。また、電子注入層、電子輸送層を構成する半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を含む酸化物、窒化物及び酸化窒化物が挙げられる。これら酸化物、窒化物及び酸化窒化物は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

　本発明の発光素子において、陰極と接する薄膜との界面領域に還元性ドーパントが添加されていてもよい。還元性ドーパントとしては、アルカリ金属、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体及び希土類金属錯体からなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物が好ましい。

　本発明の発光素子の発光層は、電圧印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能、注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能、電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能を有するものである。本発明の発光素子の発光層は、本発明の化合物を含有することが好ましく、該化合物をゲスト材料とするホスト材料を含有させてもよい。前記ホスト材料としては、例えば、フルオレン骨格を有するもの、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの、アリールシラン骨格を有するもの等が挙げられる。前記ホスト材料のＴ１（最低三重項励起状態のエネルギーレベル）は、ゲスト材料のそれより大きいことが好ましく、その差が０．２ｅＶよりも大きいことがさらに好ましい。前記ホスト材料は低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。また、前記ホスト材料と前記金属錯体等の発光材料とを混合して塗布するか、或いは共蒸着等することによって、前記発光材料が前記ホスト材料にドープされた発光層を形成することができる。

　本発明の発光素子では、前記各層の形成方法としては、真空蒸着法（抵抗加熱蒸着法、電子ビーム法等）、スパッタリング法、ＬＢ法、分子積層法、塗布法（キャスティング法、スピンコート法、バーコート方、ブレードコート法、ロールコート法、グラビア印刷、スクリーン印刷、インクジェットプリント法等）等が挙げられる。これらの中では、製造プロセスを簡略化できる点で、塗布で成膜することが好ましい。前記塗布法では、本発明の化合物を溶媒に溶解させて塗布液を調製し、該塗布液を所望の層（又は電極）上に、塗布・乾燥することによって形成することができる。該塗布液中には、ホスト材料及び／又はバインダーとして樹脂を含有させてもよく、該樹脂は溶媒に溶解状態とすることも、分散状態とすることもできる。前記樹脂としては、非共役系高分子（例えば、ポリビニルカルバゾール）、共役系高分子（例えば、ポリオレフィン系高分子）を使用することができる。より具体的には、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂から目的に応じて選択できる。溶液は、任意成分として、酸化防止剤、粘度調整剤を含有してもよい。

　本発明の化合物は、光電素子の製造にも用いることができる。
　光電素子としては、光電変換素子が挙げられ、例えば、少なくとも一方が透明又は半透明な二個の電極間に、本発明の化合物を含む層が設けられた光電素子や、基板上に成膜した本発明の化合物を含む層上に形成した櫛型電極を有する光電素子が挙げられる。特性を向上するために、フラーレンやカーボンナノチューブを混合してもよい。

　光電変換素子の製造方法としては、特許第３１４６２９６号公報に記載の方法が挙げられ、例えば、第一の電極を有する基板上に本発明の化合物を含む層（薄膜）を形成し、その上に第二の電極を形成する方法、基板上に形成した一組の櫛型電極の上に本発明の化合物を含む層（薄膜）を形成する方法が挙げられる。第一又は第二の電極のうち一方が透明又は半透明である。

　本発明の発光素子は面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置等の表示装置、液晶表示装置のバックライトとして用いることができる。
　本発明の発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極又は陰極のいずれか一方、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等の表示装置として用いることができる。

　さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。

　以下、実施例に基づいて本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、ＮＭＲ、ＬＣ－ＭＳ、数平均分子量、重量平均分子量、イオン化ポテンシャル及び蛍光波長は、それぞれ以下の方法により測定した。

（ｉ）ＮＭＲ
　測定試料５～１０ｍｇを０．５ｍｌの重溶媒に溶解させて、バリアン（Ｖａｒｉａｎ，Ｉｎｃ．）製、商品名：ＭＥＲＣＵＲＹ３００を用いて測定した。

（ｉｉ）ＬＣ－ＭＳ
　測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルム又はテトラヒドロフランに溶解させて、ＬＣ－ＭＳ（アジレント・テクノロジー製、商品名：１１００ＬＣＭＳＤ）に１μＬ注入し、カラムは、Ｌ－ｃｏｌｕｍｎ　２　ＯＤＳ（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：２．１ｍｍ、長さ：１００ｍｍ、粒径３μｍ）を用いて、測定した。

（ｉｉｉ）数平均分子量及び重量平均分子量
　数平均分子量及び重量平均分子量は、ＧＰＣ（島津製作所社製、商品名：ＬＣ－１０Ａｖｐ）によりポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量を求めた。測定試料は、約０．５重量％の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、ＧＰＣに５０μＬ注入し、ＧＰＣの移動相にはテトラヒドロフランを用い、０．６ｍＬ／分の流速で流し、カラムはＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＨＭ－Ｈ（東ソー社製）２本とＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本を直列に繋げ、検出器は示差屈折率検出器（島津製作所製：ＲＩＤ－１０Ａ）を用いて、測定した。

（ｉｖ）イオン化ポテンシャル
　測定試料の０．８重量％トルエン溶液を調製し、石英板上にスピンコートして測定試料の薄膜を形成し、この薄膜について、大気中光電子分光装置ＡＣ－２（理研計器株式会社製）により測定した。

（ｖ）発光波長
　測定試料の０．８重量％トルエン溶液を石英上にスピンコートし、測定試料の薄膜を作製し、この薄膜を３５０ｎｍの波長で励起し、蛍光分光光度計（堀場製作所社製、商品名：Ｆｌｕｏｒｏｌｏｇ）により、測定試料の発光波長を測定した。

実施例１：化合物（Ｉ）の合成

　３００ｍｌ　４口フラスコ内の気体を窒素置換し、アントラニル酸メチル　５．６５ｇ、２，７－ジブロモ－９，９－ジオクチルフルオレン　１０．００ｇを２００ｍｌの脱水トルエンに溶解させ、３０分間アルゴンでバブリングした。そこに、炭酸セシウム８．９１ｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム４３ｍｇ、トリ（ｔｅｒｔ－ブチル）ホスフィンテトラフルオロボレート５３ｍｇを加え還流させた。そこに、炭酸セシウム２６．１ｇを追加しながら９０時間還流させた。生成物を、セライトを敷いたグラスフィルターを通して濾過し、トルエンで洗浄した。溶媒を留去したところ、１３．０７ｇの黄色液体を得た。この黄色液体をヘキサンに溶解させ、シリカゲル５０ｇを敷いたグラスフィルターで濾過し、トルエンで洗浄した。溶媒を留去したところ、１３．１３ｇの化合物（Ｉ）の粗生成物を得た。精製は行わず、次の工程に用いた。

＊^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）
δ（ｐｐｍ）＝０．７１（４Ｈ，ｂｒ），０．８２（６Ｈ，ｔ），１．０８－１．２０（２０Ｈ，ｍ），１．８７－１．９３（４Ｈ，ｍ），３．９３（６Ｈ，ｓ），６．７３（２Ｈ，ｔ），７．１６－７．３４（８Ｈ，ｍ），７．６１（２Ｈ，ｄ），７．９８（２Ｈ，ｄ），９．５５（２Ｈ，ｓ）
＊^１３Ｃ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）
δ（ｐｐｍ）＝１４．６，２２．９，２４．５，２９．６，３０．３，３２．１，４１．１，５２．１，５５．７，１１２．０，１１４．２，１１７．１、１１７．９，１２０．１，１２２．１，１３２．０，１３４．４，１３７．１，１３９．３，１４９．０，１５２．４，１６９．５
＊ＬＣ－ＭＳ
ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ　　６８９（［Ｍ＋Ｈ］^＋、ｅｘａｃｔ　ｍａｓｓ＝６８８）

実施例２：化合物（ＩＩ）の合成

　１Ｌ　４口フラスコ内の気体を窒素置換し、４－ブロモ－ｎ－ヘキシルベンゼン　２４．５０ｇを２４５ｍｌの脱水ＴＨＦに溶解させ、－７８℃に冷却した。そこに、ｎ－ブチルリチウム６３．５ｍｌ（１．６Ｍヘキサン溶液）を１０分で滴下し、２時間保温しながら攪拌した後、先に合成した化合物（Ｉ）　１０．００ｇを１００ｍｌの脱水ＴＨＦに溶解させた溶液を３０分で滴下した。徐々に昇温しながら室温まで昇温し、６時間攪拌した。０℃に冷却し、２００ｍｌの水を滴下した。分液後、水層を酢酸エチル２００ｍｌで複数回抽出し、複数回に分けて抽出した有機層を合わせ、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥させ、溶媒を留去したところ、２５．５１ｇの化合物（ＩＩ）の粗生成物を得た。精製は行わず、次の工程に用いた。

＊^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）
δ（ｐｐｍ）＝０．６５（４Ｈ，ｂｒ），０．８４－０．９５（１８Ｈ，ｍ），１．０８－１．３９（４４Ｈ，ｍ），１．５６－１．６５（８Ｈ，ｍ），１．７４－１．７９（４Ｈ，ｍ），２．５２－２．６２（８Ｈ，ｍ），４．８８（２Ｈ，ｓ），５．８０（２Ｈ，ｓ），６．５５（２Ｈ，ｄ），６．６３（２Ｈ，ｍ），６．７７－６．８２（４Ｈ，ｍ），７．０３－７．４０（２２Ｈ，ｍ）
＊^１３Ｃ－ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）
δ（ｐｐｍ）＝１４．３，１４．３，２２．７，２２．９，２９．３，２９．４，３０．４，３１．６，３１．７，３１．８，３１．９，３２．０，３２．１，３４．０，３５．５，３５．９，３６．３，８２．８，１２５．８，１２７．９，１２８．４，１２８．５，１２８．７，１３０．５，１３１．５，１４２．４，１４３．４
＊ＬＣ－ＭＳ
ＡＰＩ－ＥＳ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ　　１３１２（［Ｍ＋Ｋ］^＋、ｅｘａｃｔ　ｍａｓｓ＝１２７３）
ＡＰＩ－ＥＳ，ｎｅｇａｔｉｖｅ　　１３０８（［Ｍ＋Ｃｌ］^－、ｅｘａｃｔ　ｍａｓｓ＝１２７３）

実施例３：化合物（ＩＩＩ）の合成

　上記で得られた化合物（ＩＩ）　２２．００ｇを２２０ｍｌの酢酸に溶解させた。そこに、塩酸５．８ｍｌを滴下して１時間室温で攪拌した後、１１０℃で９時間攪拌した。放冷後、水７００ｍｌに注加し、吸引濾過した。得られた残渣をトルエン２００ｍｌに溶解させ、水１００ｍｌを加えて分液し、水層を更に２００ｍｌのトルエンで複数回抽出した。複数回に分けて抽出した有機層を合わせ、水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を留去したところ、１６．６４ｇの化合物（ＩＩＩ）の粗生成物を得た。粗生成物にヘキサン１６０ｍｌ、酢酸エチル６ｍｌを加え、還流、溶解させた。室温までゆっくり放冷し、結晶を濾過したところ、６．４９ｇの化合物（ＩＩＩ）を得た。

＊^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）
δ（ｐｐｍ）＝０．８０－０．９４（１８Ｈ，ｍ），１．０８－１．４３（４８Ｈ，ｍ），１．５４－１．６３（１２Ｈ，ｍ），２．５２－２．６３（８Ｈ，ｍ），６．８０（４Ｈ，ｂｒ），７．０８（２Ｈ，ｓ），７．１７（２Ｈ，ｄ），７．２６（２Ｈ，ｄ），６．９０－７．４０（２０Ｈ，ｍ）
＊^１３Ｃ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）
δ（ｐｐｍ）＝１４．４，２２．９，２９．５，２９．６，２９．８，３１．６，３１．７，３１．８，３１．９，３２．０，３２．１，３６．０，３６．１，３６．３，４０．２，５１．２，１２６．０，１２８．５，１２８．７
＊ＬＣ－ＭＳ
ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ　　１２３７（［Ｍ＋Ｈ］^＋、ｅｘａｃｔ　ｍａｓｓ＝１２３６）

実施例４：化合物（ＩＶ）の合成

　１００ｍｌ　２口フラスコ内の気体を窒素置換し、上記で合成した化合物（ＩＩＩ）　０．９０ｇ、１－ブロモ－４－ｎ－ブチルベンゼン０．３５ｇを取り、１５ｍｌのトルエンに溶解させた。得られた溶液を３０分間アルゴンでバブリングした後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ビスパラジウム３．５ｍｇ、トリ（ｔｅｒｔ－ブチル）ホスフィンテトラフルオロボレート２．２ｍｇ、ナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド０．１５ｇを加え、１１０℃で２時間攪拌した。放冷後、水１０ｍｌを加え、分液し、水層をトルエンで複数回抽出し、複数回に分けて抽出した有機層を合わせ、水、飽和食塩水で洗浄した。シリカゲル１０ｇを敷いたグラスフィルターを通した後、溶媒を留去したところ、１．１２ｇの化合物（ＩＶ）の粗生成物を得た。

＊^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）
δ（ｐｐｍ）＝０．５２（４Ｈ，ｂｒ），０．８３－０．９８（２８Ｈ，ｍ），１．０９－１．５０（４８Ｈ，ｍ），１．５６－１．７２（１２Ｈ，ｍ），２．５７（８Ｈ，ｔ），２．７０（４Ｈ，ｔ），６．２３（２Ｈ，ｓ），６．３９（２Ｈ，ｄ），６．６７（２Ｈ，ｓ），６．８３－６．９１（１４Ｈ，ｍ），６．９９（１２Ｈ，ｄ），７．２７（４Ｈ，ｄ）
＊ＬＣ－ＭＳ
ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ　　１５０２（［Ｍ＋Ｈ］^＋、ｅｘａｃｔ　ｍａｓｓ＝１５０１）

実施例５：化合物（Ｖ）の合成

　５００ｍｌジャケット付セパラブルフラスコ内の気体を窒素置換し、６．００ｇの化合物（ＩＶ）と６０ｍｌのジクロロメタンを仕込み、攪拌した。－１９℃に冷却後、１．４６６ｇのＮ－ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）を固体で加えた。－２０℃で２９時間攪拌後、チオ硫酸ナトリウム水溶液を滴下し、０℃に昇温した。分液後、水層を５０ｍｌのクロロホルムで複数回抽出し、複数回に分けて抽出した有機層を合わせ、シリカゲル２０ｇを敷いたグラスフィルターを通し、濾過した。溶媒を留去したところ、７．６７ｇの化合物（Ｖ）の粗生成物を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製（シリカゲル７０ｇ、ヘキサン：トルエン＝１００：１（体積比））し、淡黄色の粘性液体を得た。メタノール１００ｍｌを加え、還流後、冷却したところ、白色固体を得た。この白色固体を、濾過で回収後、アセトン３０ｍｌから再結晶し、５．６７ｇの化合物（Ｖ）を得た。

＊^１Ｈ－ＮＭＲ（ＴＨＦ－ｄ_８）
δ（ｐｐｍ）＝０．６４（４Ｈ，ｂｒ），０．９０－１．７８（８８Ｈ，ｍ），２．６８（８Ｈ，ｔ），２．７７（４Ｈ，ｔ），６．３４（２Ｈ，ｄ），６．３９（２Ｈ，ｓ），６．６６（２Ｈ，ｓ），６．８７（８Ｈ，ｄ），６．９７（４Ｈ，ｄ），７．０９（８Ｈ，ｄ），７．１４－７．１６（４Ｈ，ｍ），７．４０（４Ｈ，ｄ）
＊^１３Ｃ－ＮＭＲ（ＴＨＦ－ｄ_８）
δ（ｐｐｍ）＝１５．５，１５．７，２４．４，２５．０，３１．３，３１．４，３１．８，３３．６，３３．９，３４．１，３５．６，３７．３，３７．６，４１．９，５６．３，５８．６，１１０．７，１１４．０，１１７．９，１２１．９，１２９．５，１３０．２，１３１．２，１３２．２，１３２．４，１３２．５，１３２．６，１３３．５，１３４．７，１３６．５，１４０．６，１４２．９，１４３．３，１４３．７，１４５．１，１４５．２，１５１．３
＊ＬＣ－ＭＳ
ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ　　１６５８（［Ｍ＋Ｈ］^＋、ｅｘａｃｔ　ｍａｓｓ＝１６５７）

実施例６：高分子化合物１の合成
　窒素雰囲気下、２，７－ビス（１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）－９，９－ジ－ｎ－オクチルフルオレン０．５３３ｇ、化合物（Ｖ）　１．６６０ｇ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．７ｍｇ、トリオクチルメチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ社製、商品名：Ａｌｉｑｕａｔ３３６）０．１２９ｇ、及びトルエン２０ｍｌを混合し、９０℃に加熱した。得られた混合液に、１７．５重量％の炭酸ナトリウム水溶液５．４ｍｌを滴下し、６時間還流させた。フェニルホウ酸０．０１ｇを加え、さらに４時間還流させた。次いで、そこに、１０重量％ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液６ｍｌを加え、８５℃で２時間撹拌した。冷却後、水１３ｍｌで２回、３重量％酢酸水溶液１３ｍｌで２回、水１３ｍｌで２回洗浄し、得られた溶液をメタノール１５０ｍＬに滴下し、ろ取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエン３０ｍＬに溶解させ、シリカゲルの上に活性アルミナを敷いたカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール１５０ｍｌに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させて、下記式で表される高分子化合物１を１．２４ｇ得た。高分子化合物１のポリスチレン換算の数平均分子量は４．６×１０^４、重量平均分子量は１．０×１０^５であった。

（式中、ｎ^＊は、繰返し単位数を表す。）

合成例１：高分子化合物２の合成
　窒素雰囲気下、２，７－ビス（１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）－９，９－ジ－ｎ－オクチルフルオレン２．１０１ｇ、２，７－ビス｛（４－ブロモフェニル）（４－メチルフェニル）アミノ｝－９，９－ジ（ｎ－オクチル）フルオレン　３．６４４ｇ、酢酸パラジウム２．７ｍｇ、トリス（ｏ－トリル）ホスフィン２９．６ｍｇ、トリオクチルメチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ社製、商品名：Ａｌｉｑｕａｔ３３６）０．５１７ｇ、及びトルエン４０ｍｌを混合し９０℃に加熱した。

　得られた混合液に、１７．５重量％の炭酸ナトリウム水溶液１０．９ｍｌを滴下し、６時間還流させた後、フェニルホウ酸０．１ｇを加え、さらに２時間還流させた。次いで、そこに、１０重量％ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液２４ｍｌを加え、８５℃で１時間撹拌した。冷却後、水５２ｍｌで２回、３重量％酢酸水溶液５２ｍｌで２回、水５２ｍｌで２回洗浄し、得られた溶液をメタノール６２０ｍＬに滴下し、ろ取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエン１２０ｍＬに溶解させ、シリカゲルの上に活性アルミナを敷いたカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール６２０ｍｌに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させて、下記式で表される高分子化合物２を２．８０ｇ得た。高分子化合物２のポリスチレン換算の数平均分子量は６．６×１０^４、重量平均分子量は２．２×１０^５であった。

（式中、ｎ^＊は、繰返し単位数を表す。）

合成例２：化合物（ＶＩ）の合成

　窒素置換したフラスコに２，７－ジブロモ－９，９－ビス（４－ｎ－ヘキシルフェニル）フルオレン（ＷＯ２００９－１３１２５５に記載の方法に従って合成）６１ｇを取り、１Ｌの脱水テトラヒドロフランに溶解させた。ドライアイス／アセトンバスで－７８℃に冷却し、９５ｍｌのｎ－ブチルリチウム（２．５Ｍヘキサン溶液）を－７０℃以下に保つよう滴下速度をコントロールし、滴下した。滴下終了後、－７８℃で６時間攪拌し、２－イソプロポキシ－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン５２．３ｇを－７０℃以下に保つように滴下速度をコントロールし、滴下した。室温まで昇温し、終夜攪拌後、－３０℃に冷却し、塩酸ジエチルエーテル溶液１４３ｍｌを滴下した。滴下終了後、室温まで昇温し、反応溶液を濃縮した。トルエン１Ｌを加え、懸濁液をシリカゲルを敷いたグラスフィルターを通して濾過し、トルエンで洗浄した。濾洗液を濃縮し、トルエン８０ｍｌ、アセトニトリル１．５Ｌから再結晶し、更に５回再結晶を繰返した。得られた結晶を真空乾燥機で減圧乾燥させ、４５ｇの化合物（ＶＩ）を得た。

＊^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）
δ（ｐｐｍ）＝０．８６（６Ｈ、ｔ）、１．２５（２４Ｈ、ｓ）、１．２５～１．３６（１２Ｈ、ｍ）、１．５３～１．６１（４Ｈ、ｍ）、２．５１（４Ｈ、ｔ）、７．００（４Ｈ、ｄ）、７．１１（４Ｈ、ｄ）、７．７６（２Ｈ、ｄ）、７．８０（２Ｈ、ｓ）、７．８１（２Ｈ，ｄ）
＊^１３Ｃ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）
δ（ｐｐｍ）＝１４．４，２２．７，２５．２，２９．４，３１．６，３２．０，３５．８，６５．３，８３．９，１２０．０，１２８．４，１２８．６，１３２．７，１３４．４，１４１．２，１４３．１，１４３．２，１５１．９
＊ＬＣ－ＭＳ
ＥＳＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ　　７７７（［Ｍ＋Ｋ］^＋、ｅｘａｃｔ　ｍａｓｓ＝７３８）

実施例７：高分子化合物３の合成
　窒素気流下、２，７－ビス（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）－９，９－ビス（３－ｎ－ヘキシルフェニル）フルオレン（ＷＯ２０１０－０１３７２３の記載の方法に従って合成）１．２６ｇ、２，７－ジブロモ－９，９－ジ（ｎ－オクチル）フルオレン０．１９ｇ、２，７－ジブロモ－９，９－ジ（４－ペンテン－１－イル）フルオレン（ＷＯ２０１０－０１３７２３に記載の方法に従って合成）０．０７８ｇ、２，７－ジブロモ－９，９－ビス（ビシクロ［４，２，０］オクタ－１，３，５－トリエン－３－イル）フルオレン（ＷＯ２００８－３８７４７の記載の方法に従って合成）０．０９０ｇ、化合物（Ｖ）１．６９ｇ、酢酸パラジウム０．４ｍｇ、トリス（ｏ－メトキシフェニル）ホスフィン２．４ｍｇ、及びトルエン３８ｍｌを混合し、１０５℃に加熱した。得られた反応溶液に２０重量％の水酸化トリエチルアンモニウム水溶液６ｍｌを滴下し、３時間還流させた。その後、フェニルホウ酸２００ｍｇを加え、さらに１７時間還流させた。次いで、１．８Ｍのジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液２０ｍｌを加え、８０℃で４時間撹拌した。室温まで冷却後、分液し、有機層を水２２ｍｌで３回、３重量％の酢酸水溶液２２ｍｌで３回、更に水２２ｍｌで３回洗浄し、シリカゲルの上に活性アルミナを敷いたカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール２５０ｍｌ中に滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し、乾燥させたところ、下記式で表される高分子化合物３を１．８ｇ得た。高分子化合物３のポリスチレン換算の数平均分子量が７．４×１０^５であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量が２．３×１０^６であった。

（式中、（　）右下の数字は各繰返し単位の共重合比を表し、ｎ^＊は、繰返し単位数を表す。）

合成例３：高分子化合物４の合成
　窒素気流下、２，７－ビス（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）－９，９－ビス（３－ｎ－ヘキシルフェニル）フルオレン１．４８ｇ、２，７－ジブロモ－９，９－ジ（ｎ－オクチル）フルオレン０．２２ｇ、２，７－ジブロモ－９，９－ジ（４－ペンテン－１－イル）フルオレン０．０９ｇ、２，７－ジブロモ－９，９－ビス（ビシクロ［４，２，０］オクタ－１，３，５－トリエン－３－イル）フルオレン０．１１ｇ、２，７－ビス｛（４－ブロモフェニル）（４－メチルフェニル）アミノ｝－９，９－ジ（ｎ－オクチル）フルオレン１．０９ｇ、酢酸パラジウム０．４ｍｇ、トリス（ｏ－メトキシフェニル）ホスフィン２．８ｍｇ、及びトルエン４４ｍｌを混合し、１０５℃に加熱した。得られた反応溶液に２０重量％の水酸化トリエチルアンモニウム水溶液７ｍｌを滴下し、４時間還流させた。その後、フェニルホウ酸２４４ｍｇを加え、さらに２０時間還流させた。次いで、１．８Ｍのジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液２０ｍｌを加え、８０℃で４時間撹拌した。室温まで冷却後、分液し、有機層を水３０ｍｌで３回、３重量％の酢酸水溶液３０ｍｌで３回、水３０ｍｌで３回洗浄し、シリカゲルの上に活性アルミナを敷いたカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール３００ｍｌ中に滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し、乾燥させたところ、下記式で表される高分子化合物４を１．７ｇ得た。高分子化合物４のポリスチレン換算の数平均分子量が５．４×１０^５であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量が１．１×１０^６であった。

実施例８：高分子化合物５の合成
　窒素置換したグローブボックス中で反応をおこなった。１００ｍｌの反応容器に化合物（Ｖ）１．００ｇ、２，２’－ビピリジル０．４５ｇを取り、４５ｍｌの脱水テトラヒドロフランに溶解させた。６０℃に昇温した後、ビス（１，５－シクロオクタジエン）ニッケル（０）０．４５ｇ加え、４時間攪拌した。５００ｍｌビーカーに水４３ｍｌ、メタノール４３ｍｌ、２５重量％アンモニア水２ｍｌを取り、攪拌しながら、この溶液中に反応マスを注いだ。３０分攪拌後、吸引濾過し、０．９６ｇの粗生成物を得た。得られた粗生成物にトルエン１８ｍｌ加え、桐山ロートにラジオライトを敷いて吸引濾過した。トルエン５ｍｌで３回洗浄し、濾洗液をアルミナを通して濾過し、トルエン２ｍｌで２回洗浄した。得られた濾洗液に５重量％塩酸４０ｍｌ加え、室温で２時間攪拌し、分液した。有機層に４重量％アンモニア水３６ｍｌ加え、室温で３時間攪拌し、分液した。有機層に水３６ｍｌ加え、室温で２．５時間攪拌し、分液した。有機層をろ紙で濾過し、メタノール１００ｍｌ中に滴下し、１時間攪拌した。析出した固体を濾過し、真空乾燥機で終夜乾燥させたところ、下記式で表される高分子化合物５を０．６３ｇ得た。高分子化合物５のポリスチレン換算の数平均分子量は１．４×１０^４、重量平均分子量は１．２×１０^５であった。

（式中、ｎ^＊は、繰返し単位数を表す。）

実施例９：高分子化合物６の合成
　窒素雰囲気下、前記化合物（ＶＩ）２．３９３ｇ、２，７－ビス（１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）－９，９－ジ－ｎ－オクチルフルオレン０．６６８ｇ、２，７－ジブロモ－９，９－ビス（３－ｎ－ヘキシルフェニル）フルオレン（ＷＯ２０１０－１３７２３に記載の方法に従って合成）２．５５２ｇ、前記化合物（Ｖ）０．８９７ｇ及びトルエン５０ｍｌを混合した。ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）３．２ｍｇ加えた後、５分間でテトラエチルアンモニウムヒドロキシド（２０重量％水溶液）１５ｍｌを滴下し、バス温１０５℃に昇温し、２０時間攪拌した。バスを外し、（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）ベンゼン０．９６ｇとジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）３．２ｍｇ加え、１０５℃で４時間攪拌した後、ブロモベンゼン０．９６ｇを加え、更に１０５℃で４時間反応させた。バス温を６５℃に下げ、５重量％ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液５０ｍｌを加え、更に４時間攪拌した。分液し、有機層を５００ｍｌのメタノール中に注加し、室温で３０分攪拌した後、得られた固体を濾過し、乾燥させた。得られた粗生成物をトルエン１５０ｍｌに溶解させ、シリカゲルの上に活性アルミナを敷いたカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール１Ｌ中に注加し、室温で３０分攪拌した後、得られた固体を濾過し、真空乾燥させたところ、下記式で表される高分子化合物６を３．６８ｇ得た。高分子化合物６のポリスチレン換算の数平均分子量は１．３×１０^５、重量平均分子量は２．９×１０^５であった。

合成例４：高分子化合物７の合成
　化合物（Ｖ）の代わりに２，７－ビス｛（４－ブロモフェニル）（４－メチルフェニル）アミノ｝－９，９－ジ－ｎ－オクチルフルオレン０．４９２ｇ用いた以外は高分子化合物６と同様に合成した。その結果、下記式で表される高分子化合物７を３．８６ｇ得た。高分子化合物７のポリスチレン換算の数平均分子量は１．６×１０^５、重量平均分子量は４．９×１０^５であった。

試験例１：正孔注入性の評価、及び、発光波長の測定
　正孔注入性の評価は、イオン化ポテンシャルを指標として行った。
　イオン化ポテンシャルの測定は、前記（ｉｖ）に従って行った。
　発光波長の測定は、前記（ｖ）に従って行い、発光波長のピークトップ（λｅｍ）を決定した。
　その結果、高分子化合物１は、高分子化合物２に比し、イオン化ポテンシャルの測定値の絶対値が小さかった。従って、高分子化合物１は、高分子化合物２に比し、より優れた正孔注入性を示す。
　また、高分子化合物１は、高分子化合物２に比し、より短い発光波長のピークトップ（λｅｍ）を示した。従って、高分子化合物１は、高分子化合物２に比し、より色調に優れた青色を示すと評価できる。

＜正孔輸送性の評価１＞
　正孔のみを流すことができる素子である正孔単電荷素子を作製し、本発明の化合物の正孔輸送性を評価した。

素子実施例１（ＨＯＤ１－１）
（１－１：正孔注入層の形成）
　ＩＴＯ陽極が成膜されたガラス基板にＵＶオゾン洗浄を施した後、該基板上に、正孔注入層形成用組成物を塗布し、スピンコート法によって膜厚６０ｎｍの塗膜を得た。
　この塗膜を設けた基板を２００℃で１０分間加熱し、塗膜を不溶化させた後、室温まで自然冷却させ、正孔注入層を成膜した。ここで正孔注入層形成用組成物にはスタルクヴイテック（株）より入手可能なＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液（ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）・ポリスチレンスルホン酸、製品名Ｂａｙｔｒｏｎ）を用いた。

（１－２：正孔輸送層の形成）
　正孔輸送材料である高分子化合物３及びキシレンを、該正孔輸送材料が１．７５重量％の割合となるように混合し、正孔輸送層形成用組成物を得た。
　上記（１－１）で得た正孔注入層の上に、正孔輸送層形成用組成物をスピンコート法により塗布し、膜厚８０ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を１８０℃で６０分間加熱し、塗膜を不溶化させた後、室温まで自然冷却させ、正孔輸送層を成膜した。

（１－３：陰極の形成）
　上記（１－２）で得た、陽極、正孔注入層、正孔輸送層を有する基板の正孔輸送層の上に、真空蒸着法によって、膜厚８０ｎｍの金を成膜し、陰極を形成した。

（１－４：封止）
　上記（１－３）で得た、積層を有する基板を真空蒸着装置より取り出し、窒素雰囲気下で、封止ガラス及び２液混合エポキシ樹脂にて封止し、正孔単電荷素子（ＨＯＤ１－１）を得た。

（評価）
　上記の正孔単電荷素子（ＨＯＤ１－１）に、直流電圧電流発生器を用いて、－１Ｖから＋２０Ｖまで電圧を印加し、電界強度が７×１０^５［Ｖ／ｃｍ^２］の時に素子に流れる電流密度［ｍＡ／ｃｍ^２］を測定した。結果を表ｆに示す。
　なお、本評価において、７×１０^５［Ｖ／ｃｍ^２］の電界強度が素子に印加された際に、電流励起による発光は観測されず、素子中を流れる電子電流は、正孔電流に対して極微量であることが確認された。

素子実施例２（ＨＯＤ１－２）
　正孔輸送材料として高分子化合物３の代わりに高分子化合物３と高分子化合物４との重量比１：１の混合物を用いた他は、素子実施例１と同様に操作し、正孔単電荷素子（ＨＯＤ１－２）を作製し、評価した。
　なお、本評価において、７×１０^５［Ｖ／ｃｍ^２］の電界強度が素子に印加された際に、電流励起による発光は観測されず、素子中を流れる電子電流は、正孔電流に対して極微量であることが確認された。

素子実施例３（ＨＯＤ１－３）
　正孔輸送材料として高分子化合物３の代わりに高分子化合物５と高分子化合物４との重量比１：４の混合物を用いた他は、素子実施例１と同様に操作し、正孔単電荷素子（ＨＯＤ１－３）を作製し、評価した。
　なお、本評価において、７×１０^５［Ｖ／ｃｍ^２］の電界強度が素子に印加された際に、電流励起による発光は観測されず、素子中を流れる電子電流は、正孔電流に対して極微量であることが確認された。

素子比較例１（ＨＯＤ１－４）
　正孔輸送材料として高分子化合物３の代わりに高分子化合物４を用いた他は、実施例１と同様に操作し、正孔単電荷素子（ＨＯＤ１－４）を作製し、評価した。
　なお、本評価において、７×１０^５［Ｖ／ｃｍ^２］の電界強度が素子に印加された際に、電流励起による発光は観測されず、素子中を流れる電子電流は、正孔電流に対して極微量であることが確認された。

　表ｆから明らかなように、本発明の化合物を用いた素子実施例１～３では、素子比較例１に比べ電流が大きく、本発明化合物の高い正孔輸送性が示された。

＜正孔輸送性の評価２＞
　正孔のみを流すことができる素子である正孔単電荷素子を作製し、本発明化合物の正孔輸送性を評価した。

　素子実施例４（ＨＯＤ２－１）
（２－１：正孔注入層の形成）
　ＩＴＯ陽極が成膜されたガラス基板にＵＶオゾン洗浄を施した後、該基板上に、正孔注入層形成用組成物を塗布し、スピンコート法によって膜厚６０ｎｍの塗膜を得た。
　この塗膜を設けた基板を２００℃で１０分間加熱し、塗膜を不溶化させた後、室温まで自然冷却させ、正孔注入層を成膜した。ここで正孔注入層形成用組成物にはスタルクヴイテック（株）より入手可能なＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液（ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）・ポリスチレンスルホン酸、製品名Ｂａｙｔｒｏｎ）を用いた。

（２－２：正孔輸送層の形成）
　正孔輸送材料である高分子化合物３及びキシレンを、該正孔輸送材料が０．８重量％の割合となるように混合し、正孔輸送層形成用組成物を得た。
　上記（２－１）で得た正孔注入層の上に、正孔輸送層形成用組成物をスピンコート法により塗布し、膜厚２０ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を１８０℃で６０分間加熱し、塗膜を不溶化させた後、室温まで自然冷却させ、正孔輸送層を成膜した。

（２－３：発光層の形成）
　発光材料である高分子化合物６及びキシレンを、該発光性高分子材料が１．４重量％の割合となるように混合し、発光層形成用組成物を得た。
　上記（２－２）で得た、陽極、正孔注入層、及び正孔輸送層を有する基板の正孔輸送層の上に、発光層形成用組成物を塗布し、スピンコート法によって膜厚８０ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を１３０℃で２０分間加熱し、溶媒を蒸発させた後、室温まで自然冷却させ、発光層を成膜した。

（２－４：陰極の形成）
　上記（２－３）で得た、陽極、正孔注入層、正孔輸送層及び発光層を有する基板の発光層の上に、真空蒸着法によって、膜厚８０ｎｍの金を成膜し、陰極を形成した。

（２－５：封止）
　上記（２－４）で得た、積層を有する基板を真空蒸着装置より取り出し、窒素雰囲気下で、封止ガラス及び２液混合エポキシ樹脂にて封止し、正孔単電荷素子（ＨＯＤ２－１）を得た。

（評価）
　上記の正孔単電荷素子（ＨＯＤ２－１）に、直流電圧電流発生器を用いて、－１Ｖから＋２０Ｖまで電圧を印加し、電界強度が７×１０^５［Ｖ／ｃｍ^２］の時に素子に流れる電流密度［ｍＡ／ｃｍ^２］を測定した。結果を表ｇに示す。
　なお、本評価において、７×１０^５［Ｖ／ｃｍ^２］の電界強度が素子に印加された際に、電流励起による発光は観測されず、素子中を流れる電子電流は、正孔電流に対して極微量であることが確認された。正孔単電荷素子では発光層からの発光は見られないが、バイポーラデバイスにおいては、ここで記載した発光層からの発光が見られることから、ここでは発光層と記載した。

素子実施例５（ＨＯＤ２－２）
　正孔輸送材料として高分子化合物３の代わりに高分子化合物４を用いた他は、素子実施例４と同様に操作し、正孔単電荷素子（ＨＯＤ２－２）を作製し、評価した。
　なお、本評価において、７×１０^５［Ｖ／ｃｍ^２］の電界強度が素子に印加された際に、電流励起による発光は観測されず、素子中を流れる電子電流は、正孔電流に対して極微量であることが確認された。

素子比較例２（ＨＯＤ２－３）
　発光材料として高分子化合物６の代わりに高分子化合物７を用いた他は、素子実施例５と同様に操作し、正孔単電荷素子（ＨＯＤ２－３）を作製し、評価した。
　なお、本評価において、７×１０^５［Ｖ／ｃｍ^２］の電界強度が素子に印加された際に、電流励起による発光は観測されず、素子中を流れる電子電流は、正孔電流に対して極微量であることが確認された。

　表ｇから明らかなように、本発明の化合物を正孔輸送層に用いても、発光層に用いても、高い正孔輸送性を有することが示された。

＜発光素子（バイポーラデバイス）の評価１＞
素子実施例６（ＢＰＤ１－１）
（３－１：正孔注入層の形成）
　ＩＴＯ陽極が成膜されたガラス基板にＵＶオゾン洗浄を施した後、該基板上に、正孔注入層形成用組成物を塗布し、スピンコート法によって膜厚６０ｎｍの塗膜を得た。
　この塗膜を設けた基板を２００℃で１０分間加熱し、塗膜を不溶化させた後、室温まで自然冷却させ、正孔注入層を成膜した。ここで正孔注入層形成用組成物にはスタルクヴイテック（株）より入手可能なＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水溶液（ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）・ポリスチレンスルホン酸、製品名Ｂａｙｔｒｏｎ）を用いた。

（３－２：正孔輸送層の形成）
　正孔輸送材料である高分子化合物３及びキシレンを、該正孔輸送材料が０．８重量％の割合となるように混合し、正孔輸送層形成用組成物を得た。
　上記（３－１）で得た正孔注入層の上に、正孔輸送層形成用組成物をスピンコート法により塗布し、膜厚２０ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を１８０℃で６０分間加熱し、塗膜を不溶化させた後、室温まで自然冷却させ、正孔輸送層を成膜した。

（３－３：発光層の形成）
　発光性高分子材料である高分子化合物７及びキシレンを、該発光材料が１．４重量％の割合となるように混合し、発光層形成用組成物を成膜した。
　上記（３－２）で得た、陽極、正孔注入層、及び正孔輸送層を有する基板の正孔輸送層の上に、発光層形成用組成物を塗布し、スピンコート法によって膜厚８０ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を１３０℃で２０分間加熱し、溶媒を蒸発させた後、室温まで自然冷却させ、発光層を成膜した。

（３－４：陰極の形成）
　上記（１－３）で得た、陽極、正孔注入層、正孔輸送層及び発光層を有する基板の発光層の上に、真空蒸着法によって、膜厚３ｎｍのフッ化ナトリウム層を、続いて膜厚８０ｎｍのアルミニウム層を、連続的に成膜し、陰極を形成した。

（３－５：封止）
　上記（３－４）で得た、積層を有する基板を真空蒸着装置より取り出し、窒素雰囲気下で、封止ガラス及び２液混合エポキシ樹脂にて封止し、発光素子（ＢＰＤ１－１）を得た。

（評価）
　上記の発光素子（ＢＰＤ１－１）に、直流電圧電流発生器を用いて電圧３Ｖを印加し、素子に流れる電流密度［ｍＡ／ｃｍ^２］と、発光輝度［ｃｄ／ｍ^２］を測定した。結果を表ｈに示す。

素子実施例７（ＢＰＤ１－２）
　正孔輸送材料として高分子化合物３の代わりに高分子化合物３と高分子化合物４との重量比１：１の混合物を用いた他は、素子実施例６と同様に操作し、発光素子（ＢＰＤ１－２）を作製し、評価した。

素子実施例８（ＢＰＤ１－３）
　正孔輸送材料として高分子化合物３の代わりに高分子化合物５と高分子化合物４との重量比１：４の混合物を用いた他は、素子実施例６と同様に操作し、発光素子（ＢＰＤ１－３）を作製し、評価した。

素子比較例３（ＢＰＤ１－４）
　正孔輸送材料として高分子化合物３の代わりに高分子化合物４を用いた他は、実施例６と同様に操作し、発光素子（ＢＰＤ１－４）を作製し、評価した。

　表ｈから明らかなように、本発明の化合物を用いた素子実施例６～８では、素子比較例３に比べ電流が大きく、発光輝度が高い。

＜発光素子（バイポーラデバイス）の評価２＞
素子実施例９（ＢＰＤ２－１）
　正孔輸送材料として高分子化合物３の代わりに高分子化合物４を用い、且つ、発光材料として高分子化合物７の代わりに高分子化合物６を用いた他は、素子実施例６と同様に操作し、発光素子（ＢＰＤ２－１）を作製した。

（評価）
　上記の発光素子（ＢＰＤ２－１）に、直流電圧電流発生器を用いて－１Ｖから＋２０Ｖまで電圧を印加し、発光輝度［ｃｄ／ｍ^２］、及び、発光スペクトルを測定した。発光輝度が１０００［ｃｄ／ｍ^２］の時の発光スペクトルを用いて、ＣＩＥ表色系における色度を評価した。結果を表ｉに示す。

素子実施例１０（ＢＰＤ２－２）
　発光材料として高分子化合物６の代わりに高分子化合物５と高分子化合物７との重量比７：９３の混合物を用いたほかは、素子実施例９と同様に操作し、発光素子（ＢＰＤ２－２）を作製し、評価した。

素子実施例１１（ＢＰＤ２－３）
　発光材料として高分子化合物６の代わりに化合物（ＩＶ）と高分子化合物７との重量比７：９３の混合物を用いた他は、素子実施例９と同様に操作し、発光素子（ＢＰＤ２－３）を作製し、評価した。

素子実施例１２（ＢＰＤ２－４）
　正孔輸送材料として高分子化合物４の代わりに高分子化合物３を用いた他は、素子実施例９と同様に操作し、発光素子（ＢＰＤ２－４）を作製し、評価した。

　表ｉから明らかなように、本発明の化合物を用いた素子実施例９～１２では、素子比較例３に比べ、ＣＩＥ表色系の色座標のＣＩＥ－ｙ値が小さく、青色の純度がより高い。

　本発明の化合物は、有機ＥＬ素子等の発光素子の材料、及び太陽電池等の光電素子の材料として有用である。本発明の化合物はまた、例えば、前記材料用の組成物、液状組成物、薄膜（例、発光性薄膜、導電性薄膜、半導体薄膜）、及び発光素子を含む表示装置に有用である。

Claims

　下記式（１）：

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基又は複素環オキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^２は、同一であっても異なっていてもよい。同一の炭素原子に結合する２つのＲ^２は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^１５は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１５が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。ｅは、０～６の整数を表す。複数あるｅは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される構造から少なくとも１つの水素原子を除いた残基を含む化合物。
　下記式（２）：

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基又は複素環オキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^２は、同一であっても異なっていてもよい。同一の炭素原子に結合する２つのＲ^２は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。ａは、０～５の整数を表す。複数あるａは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される繰返し単位を含む高分子化合物である、請求項１に記載の化合物。
　前記式（２）で表される繰返し単位が下記式（３）：

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びａは、前記式（２）と同じ定義である。）
で表される繰返し単位である、請求項２に記載の化合物。
　さらに、下記式（４）：

（式中、Ａｒ^１は、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１１及びＲ^１２はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ｎは、０又は１を表す。）
で表される繰返し単位を含む、請求項２に記載の化合物。
　前記式（４）で表される繰返し単位が下記式（５）：

（式中、Ａ環及びＢ環はそれぞれ独立に、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。Ａ^２は、連結基を表す。）
で表される繰返し単位である、請求項４に記載の化合物。
　前記式（５）で表される繰返し単位が下記式（６）：

（式中、Ｒ^１３は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１３は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^１３は、互いに結合して環を形成してもよい。）
で表される繰返し単位である、請求項５に記載の化合物。
　下記式（７）：

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基又は複素環オキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^２は、同一であっても異なっていてもよい。同一の炭素原子に結合する２つのＲ^２は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ^１は、重合に関与し得る基を表す。複数あるＸ^１は、同一であっても異なっていてもよい。ａは、０～５の整数を表す。複数あるａは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物を重合させて、
　下記式（３）：

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びａは、前記式（７）と同じである。）
で表される繰返し単位を含む化合物を得ることを含む、式（３）で表される繰返し単位を含む化合物の製造方法。
　下記式（７）：

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基又は複素環オキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^２は、同一であっても異なっていてもよい。同一の炭素原子に結合する２つのＲ^２は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ^１は、重合に関与し得る基を表す。複数あるＸ^１は、同一であっても異なっていてもよい。ａは、０～５の整数を表す。複数あるａは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物。
　下記式（８）：

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基又は複素環オキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^２は、同一であっても異なっていてもよい。同一の炭素原子に結合する２つのＲ^２は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。ａは、０～５の整数を表す。複数あるａは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物を、ハロゲン化剤と反応させて、
　下記式（７－１）：

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びａは、前記式（８）と同じである。Ｘ^２は、ハロゲン原子を表す。複数あるＸ^２は、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物を得ることを含む、式（７－１）で表される化合物の製造方法。
　下記式（８）：

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基又は複素環オキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^２は、同一であっても異なっていてもよい。同一の炭素原子に結合する２つのＲ^２は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。ａは、０～５の整数を表す。複数あるａは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物。
　下記式（９）：

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基又は複素環オキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^２は、同一であっても異なっていてもよい。同一の炭素原子に結合する２つのＲ^２は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。ａは、０～５の整数を表す。複数あるａは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物を、酸の存在下で反応させて、
　下記式（８）：

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基又は複素環オキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^２は、同一であっても異なっていてもよい。同一の炭素原子に結合する２つのＲ^２は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。ａは、０～５の整数を表す。複数あるａは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物を得ることを含む、式（８）で表される化合物の製造方法。
　下記式（９）：

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基又は複素環オキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^２は、同一であっても異なっていてもよい。同一の炭素原子に結合する２つのＲ^２は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。ａは、０～５の整数を表す。複数あるａは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物。
　下記式（１０）：

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^１６は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１６は、同一であっても異なっていてもよい。ａは、０～５の整数を表す。複数あるａは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物を、
　下記式（１１）：

（式中、Ｒ^１７は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アシル基、アシルオキシ基、1価の複素環基又は複素環オキシ基を表す。Ｍは、リチウム原子又はモノハロゲン化マグネシウムを表す。）
で表される化合物又は還元剤と反応させて、
　下記式（９）：

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びａは、前記式（１０）と同じである。）
で表される化合物を得ることを含む、式（９）で表される化合物の製造方法。
　下記式（１０）：

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^１６は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１６は、同一であっても異なっていてもよい。ａは、０～５の整数を表す。複数あるａは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物。
　下記式（１２）：

（式中、Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ^３は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。複数あるＸ^３は、同一であっても異なっていてもよい。ｆは、０～２の整数を表す。複数あるｆは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物、及び
　下記式（１３）：

（式中、Ｒ^３は、前記式（１２）と同じである。Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１６は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ｇは、０～４の整数を表す。
）
で表される化合物を、遷移金属触媒及び塩基の存在下で反応させて、下記式（１０）：

（式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アシル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^３は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、１価の複素環基、複素環オキシ基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^３が複数ある場合、それらは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^４は、同一であっても異なっていてもよい。２つのＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^１６は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１６は、同一であっても異なっていてもよい。ａは、０～５の整数を表す。複数あるａは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物を得ることを含む、式（１０）で表される化合物の製造方法。
　（ａ）請求項１～６のいずれか一項に記載の化合物と、（ｂ）正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群より選ばれる少なくとも１つの材料とを含む組成物。
　請求項１に記載の化合物を含む液状組成物。
　請求項１に記載の化合物を用いてなる薄膜。
　（ａ）陽極及び陰極からなる電極と、（ｂ）該電極間に設けられた、請求項１に記載の化合物を用いてなる有機層とを備える素子。
　請求項１９に記載の素子を備える表示装置。