WO2011078486A2 - 형광체를 사용한 고효율 태양전지 - Google Patents

형광체를 사용한 고효율 태양전지 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a high efficiency solar cell, and more particularly, to a high efficiency solar cell which improves the conversion efficiency by increasing the utilization of light incident on the solar cell by using a phosphor.
  • a solar cell refers to a power generation system that absorbs light energy to generate electricity, collects these electricity, and transfers them to the outside, and has received great attention as one of renewable energy that does not use fossil fuel.
  • Solar cells can be roughly divided into semiconductor type solar cells and dye-sensitized solar cells according to power generation principles.
  • the dual semiconductor solar cell is a solar cell using photovoltaic power generated at a P-N junction surface in which a P-type semiconductor and an N-type semiconductor are bonded.
  • Semiconductor solar cells are classified into silicon-based solar cells, compound semiconductor solar cells, organic solar cells, and the like according to materials used.
  • the solar cell has a practical range of about 18% (silicone solar cell) to about 10% (organic solar cell). In solar cells, increasing this efficiency is the most important problem.
  • a method of forming an antireflection layer on an incident surface where light is incident to prevent reflection at the incident surface and inducing diffuse reflection by texturing the surface of the incident surface is also used.
  • a method of forming a reflective film on the rear surface of the solar cell is used to use light passing through the solar cell.
  • the solar cell does not use all of the incident light for power generation, but uses light having a constant wavelength range for power generation according to its type (material). This involves the size of the band gap of the battery material, the P-N junction depth, and the light absorption coefficient.
  • FIG. 2 is a graph showing the energy distribution of sunlight and the spectral distribution of silicon solar cells.
  • the sunlight is composed of about 3% of ultraviolet light, 43% of visible light, and 54% of infrared light.
  • the wavelength of about 570 nm, which is the wavelength of visible light, to 1,120 nm, which is near-infrared mainly contributes to the generation of photocurrent. Energy is discarded without any contribution to power generation.
  • a solar cell having a structure in which a kind of solar cells having different wavelengths of light used for power generation are laminated is devised.
  • the manufacturing method is complicated and the manufacturing cost increases.
  • the present invention was invented to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a high efficiency solar cell and a method of manufacturing the same, which improves the efficiency of solar cells by increasing the utilization of incident light by using phosphors.
  • the front portion including a front electrode and the light is incident, and is located behind the front portion using light of a constant wavelength of light incident through the front portion
  • the solar cell comprising a power generation unit for generating electricity, and a rear portion located behind the power generation unit and including a rear electrode
  • the first electrode is dispersed in the rear electrode
  • the first phosphor is used in the power generation unit
  • Absorbing light having a wavelength outside the predetermined wavelength range is characterized in that for converting and emitting light of the wavelength that can be generated in the power generation unit.
  • the present invention can be applied to all kinds of solar cells, there may be a difference in the configuration of the power generation unit according to the type of solar cells.
  • a phosphor that absorbs light of a wavelength not used by the power generation unit and converts and emits the light of the wavelength used by the power generation unit is used.
  • the phosphor may be any one capable of performing such a function, and the kind thereof is not particularly limited.
  • the material used for the back electrode is Ag or Ag / Al paste
  • the first phosphor is dispersed in a powder form of 3 ⁇ 60% by weight is dispersed, it is preferable that the diameter of the first phosphor powder is 3nm-10 ⁇ m.
  • the first phosphor included in the rear electrode may be mixed in the form of a powder and distributed evenly on the rear electrode to increase the wavelength converting effect.
  • the diameter of the first phosphor powder is smaller than 3 nm, there is a problem in that the effect of converting wavelengths and the reflection efficiency are lowered.
  • the diameter of the first phosphor powder is larger than 10 ⁇ m, it is difficult to disperse the powder in the paste, the resistance of the rear electrode is too high, and there is a problem in that screen printing cannot be applied.
  • the effect of converting the wavelength is too low to be meaningless.
  • more than 60% by weight of the first phosphor is added, there is a problem that the resistance of the rear electrode is increased and the adhesion of the rear electrode is weakened.
  • the rear portion of the present invention further includes a reflective film positioned on the rear surface of the rear electrode, the second phosphor is dispersed in the reflective film, the second phosphor absorbs light having a wavelength outside the predetermined wavelength range used in the power generation portion It is preferable to convert the light into a wavelength that can be generated at and emit.
  • the reflective film is a polymer resin
  • the second phosphor is dispersed in the form of powder 3 to 60% by weight is dispersed, it is preferable that the diameter of the second phosphor powder is 0.1 to 20 ⁇ m.
  • the light passing through the rear electrode can be reflected and reused, and light having a wavelength outside the wavelength range used for power generation in the power generation unit can also be used for power generation. It can improve the efficiency of power generation.
  • the diameter of the second phosphor powder is smaller than 0.1 mu m, there is a problem in that the effect of converting the wavelength and the reflection efficiency are lowered.
  • the diameter is larger than 20 ⁇ m, it is difficult to disperse the powder in the polymer resin, so that 0.1 to 20 ⁇ m is an optimal particle size range.
  • the amount of the second phosphor added is preferably 3 to 60% by weight.
  • a polymer resin having a transmittance of 80% or more can be used.
  • PET polyethylene terephthalate
  • EVA polyethylene ethylene vinyl acetate
  • PVB polyvinyl butylal
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • PC polycarbonate
  • the reflective film serves as a buffer material for stably forming the rear part with the effect of improving the efficiency of using light
  • the thickness is less than 6 ⁇ m, there is a problem that the dispersion of the phosphor is difficult and the buffer effect is not obtained.
  • the rear portion of the present invention further includes a reflecting plate located on the rear surface of the reflecting film, the third phosphor is coated on one surface of the reflecting plate in contact with the reflecting film, the third phosphor has a wavelength outside the predetermined wavelength range used in the power generation unit It is preferable to absorb the light and convert it into light of a wavelength that can be generated by the power generation unit.
  • the reflective plate is made of metal, and the third phosphor is preferably coated with a thickness of 0.1 to 30 ⁇ m.
  • a plate of metal material, especially aluminum, which reflects light on the rear surface of the reflective film so that the light passing through the reflective film can be reused.
  • a plate of metal material, especially aluminum which reflects light on the rear surface of the reflective film so that the light passing through the reflective film can be reused.
  • the phosphor on the surface, light having a wavelength outside the wavelength range used for power generation in the power generation unit can be used for power generation, thereby improving the power generation efficiency.
  • the thickness on which the third phosphor is applied is smaller than 0.1 mu m, the effect of converting the wavelength is low, which is meaningless.
  • the thickness on which the third phosphor is applied is smaller than 0.1 mu m, the effect of converting the wavelength is low, which is meaningless.
  • the first to third phosphors may select different kinds of phosphors in whole or in part, so that the wavelength of the absorbed light and the emitted light may be different from each other, or the same kind of phosphor may be selected.
  • the power generation unit of the high-efficiency solar cell of the present invention described above may be a silicon solar cell using light of about 570nm to 1,150nm wavelength range for power generation, and the preferred first phosphors used are Y 2 O 3 : Eu, LiAlO 2 : Eu , YVO 4 : Dy, YBO 3 : Eu, ZnO: Eu, and ZnS: Cu, Cl and at least one substance selected from the group.
  • Preferred examples of the second and third phosphors are NaYF 4 : Re.
  • the manufacturing method of the high efficiency solar cell of the present invention the front part to which light is incident, the power generation part which is located in the rear of the front part and generates electricity by using light of a predetermined wavelength among the light incident through the front part, and the A method of manufacturing a solar cell comprising a rear portion located in the rear of the power generation unit, absorbing light having a wavelength other than the wavelength used in the power generation unit on the rear of the power generation unit is converted into light of the wavelength that can be generated in the power generation unit And forming a back electrode by adding the first phosphor powder to be emitted.
  • Forming the back electrode may include adding 3 to 60% by weight of the first phosphor powder to Ag or Ag / Al paste and mixing by ball mill; Forming a rear electrode by screen-printing the material obtained in the mixing step on the rear surface of the power generation unit; And heat-treating the back electrode, and the diameter of the first phosphor powder may be 3 nm-10 ⁇ m.
  • a reflective film including a second phosphor powder which absorbs light having a wavelength other than the wavelength used in the power generation unit and then converts and emits light having a wavelength that can be generated in the power generation unit; And adhering the reflective film to the back side of the back electrode.
  • the manufacturing of the reflective film may include adding, dissolving, and mixing 3 to 60 wt% of the second phosphor powder to the polymer resin; And heating the material obtained in the mixing step in a flat bowl.
  • the polymer resin is at least one selected from the group consisting of PET (polyethylene terephthalate), EVA (ethylene vinyl acetate), PVB (polyvinyl butylal), PMMA (polymethyl methacrylate) and PC (polycarbonate) It is composed of, the diameter of the second phosphor powder is preferably 0.1 ⁇ 20 ⁇ m.
  • the step of mixing to produce the reflecting film it is preferable to further add a blowing agent to dissolve, to blow inert gas and mix.
  • a blowing agent to dissolve, to blow inert gas and mix.
  • the manufacturing of the reflective film further comprising the step of manufacturing a reflector plate coated with a third phosphor that absorbs light having a wavelength other than the wavelength used in the power generation unit and then converts and emits light having a wavelength that can be generated in the power generation unit
  • the manufacturing of the reflector may include preparing a phosphor paste by mixing 20 to 70 wt% of the third phosphor, 10 to 40 wt% of the polymer resin, and 10 to 40 wt% of the solvent; And screen printing the phosphor paste on a metal plate and drying.
  • the third phosphor may be coated by various methods such as vacuum deposition.
  • the method of bonding the reflective film and the reflector may be performed by applying a transparent polymer adhesive to the front surface or a part of the back electrode, the reflective film, and the contact surface of the reflective film, and attaching the reflective film and the reflector to the back electrode. Positioning and applying heat in a pressurized state allows adhesion without using an adhesive when the reflective film is melted and fused to the rear electrode and the reflective plate.
  • the power generation unit used in the high-efficiency solar cell manufacturing method of the present invention described above may be a silicon solar cell using the light of the wavelength range of about 570nm to 1,150nm for power generation, wherein the preferred first phosphor used is Y 2 O 3 : Eu, At least one material selected from LiAlO 2 : Eu, YVO 4 : Dy, YBO 3 : Eu, ZnO: Eu, and ZnS: Cu, Cl, and preferred examples of the second phosphor and the third phosphor are NaYF 4 : Re.
  • the present invention by placing a fluorescent material that absorbs light in a wavelength range not used in the power generation unit and converts and emits light in the wavelength range used in the power generation unit to the rear of the solar cell, light of all wavelengths of incident sunlight is used.
  • the efficiency of the solar cell can be improved.
  • the rear portion including the phosphor is composed of three parts, it is possible to improve the effect of converting the wavelength by the phosphor, and greatly increase the utilization efficiency of light incident on the solar cell.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of a high efficiency solar cell according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a graph showing the energy distribution of sunlight and the spectral distribution of silicon solar cells.
  • electrode tab 320 reflective film
  • 332 phosphor layer 312, 322: phosphor
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of a high efficiency solar cell according to the present embodiment.
  • the solar cell of the present embodiment includes a front part 100, a power generation part 200, and a rear part 300.
  • the front part 100 is a portion where sunlight is incident, and the front electrode 110 in contact with the power generation unit 200 is formed.
  • the front portion 100 is formed with a front anti-reflection film 120 to reduce the reflection of the incident sunlight and increase the absorption of sunlight.
  • the power generation unit 200 is a part that generates electricity by using light of a specific wavelength among sunlight. This embodiment applies the present invention to a P-N bonded silicon solar cell.
  • the wavelength used for power generation of a silicon solar cell is in the range of about 570 nm to 1,150 nm (hereinafter, referred to as the “power generation wavelength range”).
  • the rear part 300 includes a rear electrode 310, a reflective film 320, and a reflective plate 330.
  • the rear electrode 310 is located behind the power generation unit 200 and is electrically connected to the front electrode 110 to supply electricity generated by the power generation unit 200 to the outside.
  • the power generation unit 200 includes a phosphor powder 312 that absorbs light having a wavelength not used for power generation and emits the light in a power generation wavelength range, thereby improving efficiency of the solar cell.
  • the back electrode 310 of the present embodiment was formed by a method of screen printing on the rear surface of the power generation unit 200 after mixing phosphor powder with Ag paste that is commonly used.
  • E phosphor powder having an average diameter of 4 ⁇ m and 20 g of an acetone dilution solvent exclusively for Ag paste and Ag paste were mixed and mixed for about 30 minutes using an ultrasonic wave and a ball mill.
  • the mixed material was screen printed using a 200mesh screen on the back of the power generation unit 200, and dried at 120 ° C. for 5 minutes to form a 30 ⁇ m thick back electrode.
  • the reflective film 320 is located behind the rear electrode 310 and includes a phosphor powder 322 that absorbs light having a wavelength not used for power generation in the power generation unit 200 and emits the light as a light having a power generation wavelength range. It is the part which improves the efficiency of a battery.
  • the reflective film 320 of this embodiment was manufactured using PET, a transparent polymer. First, 20 g of NaYF 4 : Re rare earth phosphor powder having an average diameter of 4 ⁇ m and 30 g of azodicarboxymid, which is a kind of azo compound, were added to 100 g of PET dissolved in an acetonitrile solvent.
  • NaYF 4 Re rare earth phosphor powder 322 is evenly dispersed in transparent PET, and bubbles 324 are formed by azodicarboximide acting as a blowing agent.
  • Reflector 330 is located behind the reflective film 320, the light passing through the power generation unit 200, the rear electrode 310 and the reflective film 320 and the phosphor located in the rear electrode 310 or the reflective film 320 Reflecting the light emitted backward to the front, passing through the power generation unit 200 again to improve the efficiency of the solar cell.
  • the reflecting plate 330 of this embodiment was manufactured by coating a phosphor on an Al plate having excellent surface gloss.
  • the reflective plate 330 was manufactured by coating the phosphor layer 332 to absorb light outside the unchanged power generation wavelength range while passing up to the reflective film 320 and to emit light in the power generation wavelength range.
  • a paste was prepared by dissolving 20 g of NaYF 4 : Re rare earth phosphor powder having a mean diameter of 4 ⁇ m and 10 g of PET powder with 10 g of acetonitrile solvent. And it dried for 10 minutes at 120 degreeC.
  • the support plate 340 is attached to the back of the reflector plate 330 to support and protect the rear part 300 and the solar cell.
  • the solar cell, the reflective film 320 and the reflective plate 330 on which the rear electrode 310 is formed are sequentially stacked, Hold at 120 ° C. for 5 minutes with slight pressure. At this time, an electrode tab 314 connecting the rear electrode 310 to the outside is positioned between the rear electrode 310 and the reflective film 320.
  • PET used for the reflective film 320 positioned in the middle is fused and fused to the rear electrode 310 and the reflective plate 330, and thus the work can be performed without using a separate adhesive.
  • the operation of the high efficiency solar cell according to the present embodiment configured as shown in FIG. 1 is as follows.
  • the solar light incident through the front part 100 generates electricity while passing through the power generation part 200 made of P-N bonded silicon. At this time, a part of the light corresponding to the power generation wavelength range is absorbed by the power generation unit 200 and used for power generation, and the remaining light passes through the power generation unit 200 as it is.
  • Some of the light passing through the power generation unit 200 is reflected from the surface of the rear electrode 310 and passes through the power generation unit 200 again, among which light corresponding to the power generation wavelength range is used for power generation.
  • the light corresponding to the absorption wavelength of the phosphor 312 is absorbed by the phosphor 312 and then converted into light in the power generation wavelength range. Is released.
  • the light emitted toward the power generation unit 200 among the light emitted by being converted into the power generation wavelength range is absorbed by the power generation unit 200 and used for power generation.
  • Some of the light that reaches the surface of the reflective film 320 past the rear electrode 310 is reflected from the surface of the reflective film 320 and passes through the power generation unit 200 again, among which light corresponding to the power generation wavelength range is generated.
  • the light corresponding to the absorption wavelength of the NaYF 4 : Re rare earth phosphor 322 is absorbed by the phosphor 322 and then the light of the power generation wavelength range. Is converted to and released.
  • the light emitted toward the power generation unit 200 among the light emitted by being converted into the power generation wavelength range is absorbed by the power generation unit 200 and used for power generation.
  • Bubbles 324 are formed inside the reflective film 320, and the bubbles are positioned in the form of irregularities on the surface of the reflective film 320.
  • the bubble 324 and the surface irregularities have the effect of increasing the efficiency of the reflective film 320 reflects light and evenly disperses the light.
  • the light reaching the surface of the reflecting plate 330 after passing through the reflective film 320 is reflected on the surface of the reflecting plate 330 and passes through the power generation unit 200 again.
  • light corresponding to the power generation wavelength range is used for power generation. .
  • the light corresponding to the absorption wavelength of the NaYF 4 : Re rare earth phosphor is absorbed by the phosphor layer 332 and then converted into light in the power generation wavelength range and emitted toward the power generation unit 200. do.
  • the high-efficiency solar cell of the present embodiment reflects light of a power generation wavelength range used for power generation in the power generation unit 200 at three locations of the rear electrode 310, the reflective film 320, and the reflector plate 330. Passing) again can increase the efficiency of the solar cell.
  • the light emitted from the solar cell does not fall within the power generation wavelength range by using the phosphors 312, 322, and 332 positioned in the rear electrode 310, the reflective film 320, and the reflector 330.
  • the efficiency of the solar cell can be improved.
  • the light converted by the rear electrode 310, the reflective film 320, and the reflective plate 330 also reflects the power generation wavelength range passing through the power generation unit 200 through the structure reflected by the reflective film 320 and the reflective plate 330. You can maximize the light.

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Abstract

본 발명은 형광체를 사용하여 태양전지에 입사된 빛의 활용도를 높여서 변환효율을 향상시킨 고효율 태양전지에 관한 것이다. 본 발명의 형광체를 사용한 고효율 태양전지는, 전면전극을 포함하며 빛이 입사되는 전면부와, 상기 전면부의 뒤에 위치하며 상기 전면부를 통하여 입사된 빛 중 일정파장의 빛을 이용하여 전기를 발생시키는 발전부, 및 상기 발전부의 뒤에 위치하며 후면전극을 포함하는 후면부로 구성되는 태양전지에 있어서, 상기 후면전극에는 제1형광체가 분산되며, 상기 제1형광체가 상기 발전부에서 이용되는 상기 일정파장범위 외의 파장을 갖는 빛을 흡수하여 상기 일정파장으로 변환하여 방출하는 것을 특징으로 한다.

Description

형광체를 사용한 고효율 태양전지
본 발명은 고효율 태양전지에 관한 것이며, 더욱 자세하게는 형광체를 사용함으로써 태양전지에 입사된 빛의 활용도를 높여서 변환효율을 향상시킨 고효율 태양전지에 관한 것이다.
일반적으로 태양전지란 빛에너지를 흡수하여 전기를 생성시키고, 이들 전기를 수집하여 외부로 전달하는 발전시스템을 말하며, 화석연료를 사용하지 않는 재생에너지의 하나로서 큰 관심을 받고 있다.
태양전지는 발전원리에 따라서 반도체형 태양전지와 염료감응형 태양전지로 크게 나눌 수 있다. 이중 반도체형 태양전지는 P형 반도체와 N형 반도체를 접합시킨 P-N접합면에서 발생하는 광기전력을 이용한 태양전지이다. 반도체형 태양전지는 사용 재료에 따라서 실리콘계 태양전지, 화합물 반도체 태양전지, 유기계 태양전지 등으로 구분된다.
태양전지의 효율은 실험실적으로는 상당한 수준에 이른 것도 있으나, 실용적으로 약 18%(실리콘계 태양전지) 내지 약 10%(유기계 태양전지)의 범위를 나타내고 있다. 태양전지에서는 이 효율을 높이는 것이 가장 중요한 문제이다.
태양전지의 효율을 높이기 위하여 새로운 물질을 찾으려는 노력도 이어지고 있지만, 최근에는 태양전지에 입사되는 빛을 최대한으로 이용하여 태양전지의 효율을 높이기 위한 노력도 계속되고 있다.
이러한 노력으로서, 태양전지에 입사되는 빛을 최대한으로 포획하여 이용하려는 연구가 있다. 빛이 입사하는 입사면에 반사방지층을 형성하여 입사면에서의 반사를 막고, 입사면의 표면을 텍스처링하여 난반사를 유도하는 방법도 사용되고 있다. 또 태양전지를 통과하여 지나가는 빛을 이용하기 위하여 후면에 반사막을 형성하는 방법도 이용되고 있다.
한편, 태양전지는 입사되는 빛을 전부 발전에 이용하는 것이 아니라, 그 종류(재질)에 따라서 일정한 파장 범위의 빛을 발전에 이용한다. 여기에는 전지재료의 검지대폭(band gap)의 크기와 P-N 접합깊이 및 광흡수계수 등이 관여하게 된다.
도 2는 태양광이 갖는 에너지의 분포 및 실리콘 태양전지의 분광분포를 나타내는 그래프이다.
도 2에 나타나 있듯이, 태양광은 자외선이 약 3%, 가시광선이 43%, 적외선이 54%로 구성된다. 그런데 실리콘 태양전지의 경우, 가시광선 영역의 파장인 약 570nm에서 근적외선인 1,120nm까지가 주로 광전류 발생에 기여하고, 나머지 약 570 nm 이하인 녹청색광 15~25%와 1,120nm 이상의 근적외선 이상의 장파장 태양광 복사에너지는 전력생성에 아무런 기여도 못하고 버리게 된다.
이렇게 발전에 이용되지 않고 버려지는 파장의 빛을 이용하기 위하여, 발전에 이용되는 빛의 파장이 서로 다른 종류의 태양전지를 적층하는 구조의 태양전지가 고안되고 있다. 그러나 제조방법이 복잡해져 제조비용이 높아지는 문제가 있다.
따라서 태양전지에 입사되는 빛의 파장범위를 넓게 사용할 수 있는 새로운 방법에 대한 요구가 높아지고 있다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 발명된 것으로서, 형광체를 사용함으로써 입사된 빛의 활용도를 높여서 태양전지의 효율을 향상시킨 고효율 태양전지 및 그 제조방법을 제공하는 것이 목적이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 형광체를 사용한 고효율 태양전지는, 전면전극을 포함하며 빛이 입사되는 전면부와, 상기 전면부의 뒤에 위치하며 상기 전면부를 통하여 입사된 빛 중 일정파장의 빛을 이용하여 전기를 발생시키는 발전부, 및 상기 발전부의 뒤에 위치하며 후면전극을 포함하는 후면부로 구성되는 태양전지에 있어서, 상기 후면전극에는 제1형광체가 분산되며, 상기 제1형광체가 상기 발전부에서 이용되는 상기 일정파장범위 외의 파장을 갖는 빛을 흡수하여 발전부에서 발전 가능한 파장의 빛으로 변환하여 방출하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 모든 종류의 태양전지에 적용될 수 있으며, 태양전지의 종류에 따라서 발전부의 구성에서 차이가 있을 수 있다. 또한 선택된 발전부가 이용하는 빛의 파장 범위에 따라서, 발전부가 이용하지 않는 파장의 빛을 흡수하여 발전부가 이용하는 파장의 빛으로 변환 방출하는 형광체를 선택하여 사용한다. 형광체는 그러한 기능을 수행할 수 있는 것이면 되며, 그 종류가 특히 한정되지 않는다.
후면전극에 사용되는 물질은 Ag 또는 Ag/Al 페이스트이고, 제1형광체는 분말 형태로 3~60중량% 혼합되어 분산되며, 제1형광체 분말의 직경은 3nm-10㎛인 것이 바람직하다. 후면전극에 포함되는 제1형광체는 분말 형태로 혼합되어, 후면전극에 골고루 분포됨으로써 파장을 변환하는 효과를 높일 수 있다.
제1형광체 분말의 직경이 3nm보다 작은 경우, 파장을 변환하는 효과 및 반사 효율이 낮아지는 문제가 있다. 반면에 제1형광체 분말의 직경이 10㎛보다 큰 경우, 분말을 페이스트에 분산시키기가 어렵고, 후면전극의 저항이 너무 높아지며, 스크린 프린팅을 적용할 수 없는 문제가 있다.
또한 제1형광체가 3중량% 미만으로 첨가된 경우, 파장을 변환하는 효과가 너무 낮아서 의미가 없다. 반면에, 제1형광체가 60중량%보다 많이 첨가된 경우, 후면전극의 저항이 증가하고, 후면전극의 부착력이 약해지는 문제가 있다.
그리고 본 발명의 후면부는 후면전극의 후면에 위치하는 반사막을 더 포함하고, 반사막에는 제2형광체가 분산되며, 제2형광체는 발전부에서 이용되는 일정파장범위 외의 파장을 갖는 빛을 흡수하여 발전부에서 발전 가능한 파장의 빛으로 변환하여 방출하는 것이 바람직하다.
이러한 반사막은 폴리머 수지를 이용하고, 제2형광체가 분말 형태로 3~60중량% 혼합되어 분산되며, 제2형광체 분말의 직경은 0.1~20㎛인 것이 바람직하다.
후면전극의 뒤에 형광체가 분산된 폴리머 수지로 이루어진 반사막을 추가함으로써, 후면전극을 통과한 빛을 반사하여 재이용할 수 있을 뿐만 아니라 발전부에서 발전에 이용되는 파장 범위 외의 파장을 갖는 빛도 발전에 이용할 수 있어 발전의 효율이 향상된다.
제2형광체 분말은 직경이 0.1㎛보다 작은 경우, 파장을 변환하는 효과 및 반사 효율이 낮아지는 문제가 있다. 반면 직경이 20㎛보다 큰 경우, 분말을 폴리머 수지에 분산시키기가 어려운 문제가 있어서, 상기 0.1~20㎛가 최적의 입자 크기 범위이다.
또한 제2형광체가 3중량% 미만으로 첨가된 경우, 파장을 변환하는 효과가 너무 낮아서 의미가 없다. 반면에, 60중량%보다 많이 첨가된 경우, 폴리머 수지를 응고시키기 어려운 문제가 있다. 그러므로 제2형광체의 첨가량은 3~60중량%가 바람직하다.
반사막에 이용되는 폴리머 수지는 80%이상의 투과도를 갖는 폴리머 수지를 사용할 수 있다. 특히 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트), EVA(에틸렌비닐아세테이트), PVB(폴리비닐부틸알), PMMA(폴리메틸메타크릴레이트) 및 PC(폴리카보네이트)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 이상으로 구성되는 폴리머 수지를 사용할 수 있다.
그리고 반사막에는 기포가 형성됨으로써, 빛을 반사하고 분산하는 효율을 향상시킬 수 있다.
반사막은 빛을 이용하는 효율을 향상시키는 효과와 함께, 후면부를 안정적으로 형성하기 위한 완충재료로서의 역할을 하므로 5mm이하의 두께를 갖도록 하는 것이 바람직하다. 다만 두께가 6㎛보다 작은 경우, 형광체의 분산이 어렵고 완충효과를 얻지 못하는 문제가 있다.
또, 본 발명의 후면부는 반사막의 후면에 위치하는 반사판을 더 포함하고, 반사막과 접촉하는 반사판의 일면에는 제3형광체가 도포되며, 제3형광체는 발전부에서 이용되는 일정파장범위 외의 파장을 갖는 빛을 흡수하여 발전부에서 발전 가능한 파장의 빛으로 변환하여 방출하는 것이 바람직하다.
이러한 반사판은 금속재질이고, 제3형광체는 0.1~30㎛ 두께로 도포된 것이 바람직하다.
빛을 반사하는 금속재질, 특히 알루미늄 재질의 판을 반사막의 후면에 위치시켜, 반사막을 통과한 빛을 재이용할 수 있게 하는 것이 바람직하다. 특히, 표면에 형광체를 도포함으로써, 발전부에서 발전에 이용되는 파장 범위 외의 파장을 갖는 빛도 발전에 이용할 수 있어 발전의 효율이 향상된다.
제3형광체가 도포된 두께가 0.1㎛보다 작은 경우, 파장을 변환하는 효과가 낮아져 의미가 없다. 반면에 30㎛보다 두꺼운 경우, 반사판에 의한 반사효과가 낮아지는 문제가 있기 때문에, 제3형광체의 도포 두께는 이들 범위로 하는 것이 바람직하다.
제1형광체 내지 제3형광체는 전부 또는 일부에 다른 종류의 형광체를 선택하여, 흡수되는 빛의 파장과 방출하는 빛의 파장이 서로 다르게 구성할 수도 있고, 같은 종류의 형광체를 선택할 수도 있다.
상술한 본 발명의 고효율 태양전지의 발전부는 약 570nm 내지 1,150nm 파장범위의 빛을 발전에 이용하는 실리콘 태양전지일 수 있으며, 이때 사용되는 바람직한 제1형광체는 Y2O3:Eu, LiAlO2:Eu, YVO4:Dy, YBO3:Eu, ZnO:Eu 및 ZnS:Cu,Cl 중에서 선택된 하나 이상의 물질이고, 제2형광체 및 제3형광체의 바람직한 예는 NaYF4:Re이다.
한편 본 발명의 고효율 태양전지 제조방법은, 빛이 입사되는 전면부와, 상기 전면부의 후면에 위치하며 상기 전면부를 통하여 입사된 빛 중 일정 파장의 빛을 이용하여 전기를 발생시키는 발전부, 및 상기 발전부의 후면에 위치하는 후면부로 구성되는 태양전지를 제조하는 방법으로서, 상기 발전부의 후면에 상기 발전부에서 이용되는 파장 외의 파장을 갖는 빛을 흡수한 뒤 상기 발전부에서 발전 가능한 파장의 빛으로 변환하여 방출하는 제1형광체 분말을 첨가하여 후면전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
후면전극을 형성하는 단계는, Ag 또는 Ag/Al 페이스트에 제1형광체 분말을 3~60중량%로 첨가하고 볼밀로 혼합하는 단계; 혼합하는 단계에서 얻어진 물질을 발전부의 뒷면에 스크린 프린팅한 뒤에 건조하여 후면전극을 형성하는 단계; 및 후면전극을 열처리하는 단계를 포함하는 것이 바람직하며, 제1형광체 분말의 직경은 3nm-10㎛인 것이 좋다.
후면전극을 형성하는 단계의 뒤에, 발전부에서 이용되는 파장 외의 파장을 갖는 빛을 흡수한 뒤 발전부에서 발전 가능한 파장의 빛으로 변환하여 방출하는 제2형광체 분말을 첨가한 반사막을 제작하는 단계; 및 반사막을 후면전극의 뒷면에 접착하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
반사막을 제작하는 단계는, 폴리머 수지에 3~60중량%의 제2형광체 분말을 첨가하고 용해하여 혼합하는 단계; 및 상기 혼합하는 단계에서 얻어진 물질을 평면 그릇에서 가열하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다. 이때, 폴리머 수지는 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트), EVA(에틸렌비닐아세테이트), PVB(폴리비닐부틸알), PMMA(폴리메틸메타크릴레이트) 및 PC(폴리카보네이트)를 포함하는 그룹에서 선택되는 하나 이상으로 구성되며, 제2형광체 분말의 직경은 0.1~20㎛인 것이 바람직하다.
반사막을 제작하기 위하여 혼합하는 단계에서, 발포제를 더 첨가하여 용해하고, 불활성 기체를 불어 넣으며 혼합하는 것이 바람직하다. 발포제를 혼합함으로써, 반사막의 내부에 기포를 형성할 수 있다.
반사막을 제작하는 단계의 뒤에, 발전부에서 이용되는 파장 외의 파장을 갖는 빛을 흡수한 뒤 발전부에서 발전 가능한 파장의 빛으로 변환하여 방출하는 제3형광체가 코팅된 반사판을 제작하는 단계를 더 포함하고, 접착하는 단계에서, 반사막의 후면에 반사판을 접착하는 것이 바람직하다.
반사판을 제작하는 단계는, 20~70중량%의 제3형광체와 10~40중량%의 폴리머수지 및 10~40중량%의 용제를 혼합하여 형광체 페이스트를 만드는 단계; 및 형광체 페이스트를 금속판에 스크린 프린팅하고 건조하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다. 이외에 제3형광체를 도포하는 방법으로는 진공증착 등의 다양한 방법으로 제작할 수 있다.
반사막과 반사판을 접착하는 단계는, 후면전극, 반사막 및 반사막의 접촉면에 투명한 고분자 접착제를 전면 또는 일부분에 도포하여 접착하는 방법 등 다양한 방법이 가능하나, 특히 후면전극의 뒷면에 반사막과 반사판을 순서대로 위치시키고 가압상태에서 열을 가하여, 반사막이 후면전극과 반사판에 용융 융착되도록 하는 경우 접착제를 사용하지 않고 접착이 가능하다.
상술한 본 발명의 고효율 태양전지 제조방법에서 사용되는 발전부는 약 570nm 내지 1,150nm 파장범위의 빛을 발전에 이용하는 실리콘 태양전지일 수 있으며, 이때 사용되는 바람직한 제1형광체는 Y2O3:Eu, LiAlO2:Eu, YVO4:Dy, YBO3:Eu, ZnO:Eu 및 ZnS:Cu,Cl 중에서 선택된 하나 이상의 물질이고, 제2형광체 및 제3형광체의 바람직한 예는 NaYF4:Re이다.
본 발명에 따르면, 발전부에서 이용하지 않는 파장범위의 빛을 흡수하여 발전부에서 이용하는 파장범위의 빛을 변환 방출하는 형광체를 태양전지의 후면부에 위치시킴으로써, 입사되는 태양광의 모든 파장의 빛을 사용하여 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.
또한 형광체를 포함하는 후면부를 3개의 부분으로 구성할 경우, 형광체에 의한 파장의 변환 효과를 향상시키고, 태양전지에 입사된 빛의 이용효율을 크게 높일 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 실시예에 따른 고효율 태양전지의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 2는 태양광이 갖는 에너지의 분포 및 실리콘 태양전지의 분광분포를 나타내는 그래프이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
100: 전면부 110: 전면전극
120: 전면반사방지막 200: 발전부
300: 후면부 310: 후면전극
314: 전극탭 320: 반사막
324: 기포 330: 반사판
332: 형광체층 312, 322: 형광체
340: 지지판
본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 실시예에 따른 고효율 태양전지의 구성을 나타내는 모식도이다.
본 실시예의 태양전지는 전면부(100), 발전부(200) 및 후면부(300)로 구성된다.
전면부(100)는 태양광이 입사되는 부분이며, 발전부(200)와 접촉되는 전면전극(110)이 형성된다. 또한 전면부(100)에는 입사되는 태양광의 반사를 줄이고 태양광의 흡수를 늘리기 위한 전면반사방지막(120)이 형성된다.
발전부(200)는 태양광 중 특정 파장의 빛을 이용하여 전기를 발생시키는 부분이다. 본 실시예는 P-N접합된 실리콘 태양전지에 본 발명을 적용한다. 실리콘 태양전지의 발전에 사용되는 파장은 약 570nm 내지 1,150nm 범위(이하, ‘발전파장범위’라 함)이다.
후면부(300)는 후면전극(310), 반사막(320), 반사판(330)을 포함하여 구성된다. 후면전극(310)은 발전부(200)의 뒤에 위치하며, 전면전극(110)과 전기적으로 연결되어 발전부(200)에서 생산된 전기를 외부로 공급한다. 또한 발전부(200)에서 발전에 이용되지 못한 파장의 빛을 흡수하여 발전파장범위의 빛으로 방출하는 형광체 분말(312)을 포함함으로써 태양전지의 효율을 향상시키는 부분이다.
본 실시예의 후면전극(310)은 일반적으로 많이 사용되는 Ag 페이스트에 형광체 분말을 혼합한 뒤에, 발전부(200)의 뒷면에 스크린 프린팅하는 방법으로 형성하였다.
먼저, 평균직경이 4㎛인 Y2O3:Eu 형광체 분말 25g과 Ag 페이스트 및 Ag 페이스트 전용의 아세톤 희석용제 20g를 혼입하고, 초음파와 볼밀을 이용하여 30분정도 혼합하였다.
혼합된 물질을 발전부(200)의 뒷면에 200mesh의 스크린을 이용해 스크린 프린팅하고, 120℃에서 5분간 건조하여 30㎛ 두께의 후면전극을 형성하였다.
최종적인 열처리는 전면전극(110)과 후면전극(310)이 모두 프린팅 및 건조된 뒤에 750℃의 온도에서 10분간 진행하였다. 최종적으로 얻어진 후면전극(310)은 Ag 페이스트에 형광체(312) 분말이 골고루 분산되어 있다.
반사막(320)은 후면전극(310)의 뒤에 위치하면서, 발전부(200)에서 발전에 이용되지 못한 파장의 빛을 흡수한 뒤 발전파장범위의 빛으로서 방출하는 형광체 분말(322)을 포함함으로써 태양전지의 효율을 향상시키는 부분이다. 본 실시예의 반사막(320)은 투명한 폴리머인 PET를 이용하여 제작하였다. 먼저 평균직경이 4㎛인 NaYF4:Re 희토류 형광체 분말 20g과 아조화합물의 일종인 아조디카복시미드 30g을 아세토니트릴 용제로 용해된 PET 100g에 첨가하였다. 이 혼합물을 압력용기에 넣고, 아르곤 가스를 주입하면서 잘 혼합한 뒤에, 평평한 유리 케이스에 5mm의 두께로 붓고 110℃에서 30분간 열처리하였다. 최종적으로 얻어진 반사막(320)은 투명한 PET에 NaYF4:Re 희토류 형광체 분말(322)이 골고루 분산되어 있으며, 발포제로 작용하는 아조디카복시미드에 의하여 기포(324)가 형성되어 있다.
반사판(330)은 반사막(320)의 뒤에 위치하면서, 발전부(200), 후면전극(310) 및 반사막(320)을 통과한 빛과 후면전극(310) 또는 반사막(320)에 위치하는 형광체에서 뒤로 방출된 빛을 앞쪽으로 반사하여, 다시 발전부(200)를 통과하도록 함으로써 태양전지의 효율을 향상시키는 부분이다.
본 실시예의 반사판(330)은 표면 광택이 뛰어난 Al판에 형광체를 코팅하여 제작하였다. 반사판(330)은 반사막(320)까지 통과하면서 변환되지 않은 발전파장범위 외의 빛을 흡수하여 발전파장범위의 빛으로 방출하도록 형광체층(332)을 도포하여 제작하였다.
먼저 평균직경이 4㎛인 NaYF4:Re 희토류 형광체 분말 20g과 PET 분말 10g을 아세토니트릴 용제 10g으로 용해하여 페이스트를 만들고, 250mesh의 스크린을 이용하여 두께 1.0mm의 Al판 위에 스크린 프린팅하였다. 그리고 120℃에서 10분간 건조하였다.
마지막으로 반사판(330)의 뒤에 지지판(340)을 부착하여, 후면부(300)와 태양전지를 지지하여 보호하였다.
이렇게 별도로 제작된 반사막(320)과 반사판(330)을 후면전극(310)의 뒤에 부착하기 위하여, 후면전극(310)이 형성된 태양전지와 반사막(320) 및 반사판(330)을 순서대로 적층하고, 약간의 압력을 가하면서 120℃로 5분간 유지하였다. 이때, 후면전극(310)과 반사막(320)의 사이에는 후면전극(310)을 외부와 연결하는 전극탭(314)을 위치시켰다. 이러한 방법은 중간에 위치하는 반사막(320)에 사용된 PET를 후면전극(310)과 반사판(330)에 용융 융착시킨 것으로서, 별도의 접착제를 사용하지 않고 작업을 진행할 수 있게 해준다.
도 1과 같이 구성되는 본 실시예에 따른 고효율 태양전지가 작용하는 과정은 다음과 같다.
먼저 태양광이 전면부(100)를 통하여 태양전지의 내부로 입사되는데, 이때 전면부에 다른 구성이 추가되는 경우 입사되는 태양광이 일부 소실되는 문제가 있다. 본 실시예는 전면부에 입사효율을 높이는 구성 외에 특별한 구성이 추가되지 않았기 때문에 태양광의 입사효율이 전혀 감소하지 않는다.
전면부(100)을 통하여 입사된 태양광은 P-N접합 실리콘으로 구성된 발전부(200)를 통과하면서 전기를 발생시킨다. 이때, 발전파장범위에 해당하는 빛의 일부가 발전부(200)에 흡수되어 발전에 사용되며, 나머지 빛들은 발전부(200)를 그대로 통과하게 된다.
발전부(200)를 통과한 빛 중 일부는 후면전극(310)의 표면에서 반사되어 다시 발전부(200)를 지나게 되고, 이들 중에 발전파장범위에 해당되는 빛은 발전에 이용된다.
후면전극(310)의 표면에서 반사되지 않고 후면전극(310)을 통과하여 지나가는 빛 중에서 형광체(312)의 흡수파장에 해당되는 빛은 형광체(312)에 흡수된 뒤에 발전파장범위의 빛으로 변환되어 방출된다. 발전파장범위로 변환되어 방출된 빛 중에 발전부(200)를 향하여 방출된 빛은 발전부(200)에 흡수되어 발전에 이용된다.
후면전극(310)을 지나서 반사막(320)의 표면에 도달한 빛 중 일부는 반사막(320)의 표면에서 반사되어 다시 발전부(200)를 지나게 되고, 이들 중에 발전파장범위에 해당되는 빛은 발전에 이용된다.
반사막(320)의 표면에서 반사되지 않고 반사막(320)을 통과하여 지나가는 빛 중에서 NaYF4:Re 희토류 형광체(322)의 흡수파장에 해당되는 빛은 형광체(322)에 흡수된 뒤에 발전파장범위의 빛으로 변환되어 방출된다. 발전파장범위로 변환되어 방출된 빛 중에 발전부(200)를 향하여 방출된 빛은 발전부(200)에 흡수되어 발전에 이용된다.
반사막(320)의 내부는 기포(324)가 형성되어 있으며, 기포는 반사막(320)의 표면에서는 요철의 형태로 위치한다. 이러한 기포(324)와 표면의 요철은 반사막(320)이 빛을 반사하는 효율을 높이고 빛을 고르게 분산시키는 효과가 있다.
반사막(320)을 지나서 반사판(330)의 표면에 도달한 빛은 반사판(330)의 표면에서 반사되어 다시 발전부(200)를 지나게 되고, 이들 중에 발전파장범위에 해당되는 빛은 발전에 이용된다.
반사판(330)의 표면에 도달한 빛 중에서 NaYF4:Re 희토류 형광체의 흡수파장에 해당되는 빛은 형광체층(332)에 흡수된 뒤에 발전파장범위의 빛으로 변환되어 발전부(200)를 향하여 방출된다.
이와 같이 본 실시예의 고효율 태양전지는 발전부(200)에서 발전에 사용되는 발전파장범위의 빛을 후면전극(310), 반사막(320) 및 반사판(330)의 세 곳에서 반사시켜 발전부(200)를 다시 지나가게 함으로써 태양전지의 효율을 높일 수 있다.
그리고 태양전지에 입사되는 빛 중에 발전파장범위에 해당되지 않는 빛들을 후면전극(310), 반사막(320) 및 반사판(330)에 위치하는 형광체들(312, 322, 332)을 이용해서 발전파장범위의 빛으로 변환함으로써, 태양전지의 효율을 높일 수 있다.
또한, 후면전극(310), 반사막(320) 및 반사판(330)에서 변환된 빛도 반사막(320)과 반사판(330)에서 반사되는 구조를 통하여, 발전부(200)를 지나는 발전파장범위에 해당되는 빛을 극대화할 수 있다.
이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시예에 대해서 도시하고 설명하였다. 그러나 본 발명은 상술한 실시예에만 국한되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어남이 없이 얼마든지 다양하게 변경 실시할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 권리범위는 특정 실시예에 한정되는 것이 아니라, 첨부된 특허청구범위에 의해 정해지는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (23)

  1. 전면전극을 포함하며 빛이 입사되는 전면부와, 상기 전면부의 후면에 위치하며 상기 전면부를 통하여 입사된 빛 중 일정 파장의 빛을 이용하여 전기를 발생시키는 발전부, 및 상기 발전부의 후면에 위치하며 후면전극을 포함하는 후면부로 구성되는 태양전지에 있어서,
    상기 후면전극에는 제1형광체가 분산되며, 상기 제1형광체가 상기 발전부에서 이용되는 파장 외의 파장을 갖는 빛을 흡수한 뒤 상기 발전부에서 발전 가능한 파장의 빛으로 변환하여 방출하는 것을 특징으로 하는 형광체를 사용한 고효율 태양전지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 후면전극에 사용되는 물질이 Ag 또는 Ag/Al 페이스트이고, 상기 제1형광체가 분말 형태로 3~60중량% 혼합되어 분산된 것을 특징으로 하는 형광체를 사용한 고효율 태양전지.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1형광체 분말의 직경이 3nm-10㎛인 것을 특징으로 하는 형광체를 사용한 고효율 태양전지.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 후면부가 상기 후면전극의 후면에 위치하는 반사막을 더 포함하고, 상기 반사막에는 제2형광체가 분산되며, 상기 제2형광체가 상기 발전부에서 이용되는 파장 외의 파장을 갖는 빛을 흡수한 뒤 상기 발전부에서 발전 가능한 파장의 빛으로 변환하여 방출하는 것을 특징으로 하는 형광체를 사용한 고효율 태양전지.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 반사막이 폴리머 수지를 이용하며, 상기 제2형광체가 분말 형태로 3~60중량% 혼합되어 분산된 것을 특징으로 하는 형광체를 사용한 고효율 태양전지.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 반사막에 이용되는 폴리머 수지가 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트), EVA(에틸렌비닐아세테이트), PVB(폴리비닐부틸알), PMMA(폴리메틸메타크릴레이트) 및 PC(폴리카보네이트)를 포함하는 그룹에서 선택되는 하나 이상으로 구성되는 것을 특징으로 하는 형광체를 사용한 고효율 태양전지.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 반사막에 기포가 형성된 것을 특징으로 하는 형광체를 사용한 고효율 태양전지.
  8. 청구항 5에 있어서,
    상기 제2형광체 분말의 직경이 0.1~20㎛인 것을 특징으로 하는 형광체를 사용한 고효율 태양전지.
  9. 청구항 4에 있어서,
    상기 후면부가 상기 반사막의 후면에 위치하는 반사판을 더 포함하고, 상기 반사막과 접촉하는 상기 반사판의 일면에 제3형광체가 도포되며, 상기 제3형광체가 상기 발전부에서 이용되는 파장 외의 파장을 갖는 빛을 흡수한 뒤 상기 발전부에서 발전 가능한 파장의 빛으로 변환하여 방출하는 것을 특징으로 하는 형광체를 사용한 고효율 태양전지.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 반사판이 금속재질고, 상기 제3형광체가 0.1~30㎛ 두께로 도포된 것을 특징으로 하는 형광체를 사용한 고효율 태양전지.
  11. 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발전부가 실리콘, 화합물, 유기물 중 어느 하나로 이루어지며, 상기 제1형광체가 Y2O3:Eu, LiAlO2:Eu, YVO4:Dy, YBO3:Eu, ZnO:Eu 및 ZnS:Cu,Cl 중에서 선택된 하나 이상의 물질이고, 상기 제2형광체 및 제3형광체가 NaYF4:Re인 것을 특징으로 하는 형광체를 사용한 고효율 태양전지.
  12. 빛이 입사되는 전면부와, 상기 전면부의 후면에 위치하며 상기 전면부를 통하여 입사된 빛 중 일정 파장의 빛을 이용하여 전기를 발생시키는 발전부, 및 상기 발전부의 후면에 위치하는 후면부로 구성되는 태양전지를 제조하는 방법으로서,
    상기 발전부의 후면에 상기 발전부에서 이용되는 파장 외의 파장을 갖는 빛을 흡수한 뒤 상기 발전부에서 발전 가능한 파장의 빛으로 변환하여 방출하는 제1형광체 분말을 첨가하여 후면전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체를 사용한 고효율 태양전지 제조방법.
  13. 청구항 12에 있어서, 상기 후면전극을 형성하는 단계가,
    Ag 또는 Ag/Al 페이스트에 제1형광체 분말을 3~60중량%로 첨가하고 볼밀로 혼합하는 단계;
    상기 혼합하는 단계에서 얻어진 물질을 상기 발전부의 뒷면에 스크린 프린팅한 뒤에 건조하여 후면전극을 부착하는 단계; 및
    상기 후면전극을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체를 사용한 고효율 태양전지 제조방법.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 제1형광체 분말의 직경이 3nm-10㎛인 것을 특징으로 하는 형광체를 사용한 고효율 태양전지 제조방법.
  15. 청구항 12에 있어서,
    상기 후면전극을 형성하는 단계의 뒤에,
    상기 발전부에서 이용되는 파장 외의 파장을 갖는 빛을 흡수한 뒤 상기 발전부에서 발전 가능한 파장의 빛으로 변환하여 방출하는 제2형광체 분말을 첨가한 반사막을 제작하는 단계; 및
    상기 반사막을 상기 후면전극의 뒷면에 접착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체를 사용한 고효율 태양전지 제조방법.
  16. 청구항 15에 있어서, 상기 반사막을 제작하는 단계가,
    폴리머 수지에 3~60중량%의 제2형광체 분말을 첨가하고 용해하여 혼합하는 단계; 및
    상기 혼합하는 단계에서 얻어진 물질을 평면 그릇에서 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체를 사용한 고효율 태양전지 제조방법.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 폴리머 수지가 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트), EVA(에틸렌비닐아세테이트), PVB(폴리비닐부틸알), PMMA(폴리메틸메타크릴레이트) 및 PC(폴리카보네이트)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 이상으로 구성되는 것을 특징으로 하는 형광체를 사용한 고효율 태양전지 제조방법.
  18. 청구항 16에 있어서,
    상기 제2형광체 분말의 직경이 0.1~20㎛인 것을 특징으로 하는 형광체를 사용한 고효율 태양전지 제조방법.
  19. 청구항 16에 있어서, 상기 혼합하는 단계에서,
    발포제를 더 첨가하여 용해하고, 불활성 기체를 불어 넣으며 혼합하는 것을 특징으로 하는 형광체를 사용한 고효율 태양전지 제조방법.
  20. 청구항 15에 있어서,
    상기 반사막을 제작하는 단계의 뒤에,
    상기 발전부에서 이용되는 파장 외의 파장을 갖는 빛을 흡수한 뒤 상기 발전부에서 발전 가능한 파장의 빛으로 변환하여 방출하는 제3형광체가 코팅된 반사판을 제작하는 단계를 포함하고,
    상기 접착하는 단계에서, 상기 반사막의 후면에 상기 반사판을 접착하는 것을 특징으로 하는 형광체를 사용한 고효율 태양전지 제조방법.
  21. 청구항 20에 있어서, 상기 반사판을 제작하는 단계가,
    20~70중량%의 제3형광체와 10~40중량%의 폴리머수지 및 10~40중량%의 용제를 혼합하여 형광체 페이스트를 만드는 단계; 및
    상기 형광체 페이스트를 금속판에 스크린 프린팅하고 건조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체를 사용한 고효율 태양전지 제조방법.
  22. 청구항 20에 있어서,
    상기 접착하는 단계가,
    상기 후면전극의 뒷면에 상기 반사막과 상기 반사판을 순서대로 위치시키고 가압상태에서 열을 가하여, 상기 반사막이 상기 후면전극과 상기 반사판에 용융 융착되도록 하는 것을 특징으로 하는 형광체를 사용한 고효율 태양전지 제조방법.
  23. 청구항 12 내지 청구항 22 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발전부가 실리콘, 화합물, 유기물 중 어느 하나로 이루어지며, 상기 제1형광체가 Y2O3:Eu, LiAlO2:Eu, YVO4:Dy, YBO3:Eu, ZnO:Eu 및 ZnS:Cu,Cl 중에서 선택된 하나 이상의 물질이고, 상기 제2형광체 및 제3형광체가 NaYF4:Re인 것을 특징으로 하는 형광체를 사용한 고효율 태양전지 제조방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012145012A1 (en) * 2011-04-18 2012-10-26 The Regents Of The University Of Michigan Light trapping architecture for photovoltaic and photodetector applications
WO2013162732A1 (en) * 2012-04-23 2013-10-31 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Composition and method for upconversion of light and devices incorporating same

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101283218B1 (ko) * 2011-10-19 2013-07-05 엘지이노텍 주식회사 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
KR101422349B1 (ko) * 2012-10-30 2014-07-23 전남대학교산학협력단 형광체를 포함하는 유기 태양전지 및 이의 제조방법
CN103346203A (zh) * 2013-05-31 2013-10-09 浙江正泰太阳能科技有限公司 一种上转换太阳能电池及其制备方法
JPWO2015190047A1 (ja) * 2014-06-13 2017-04-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池モジュール
WO2017200862A1 (en) 2016-05-15 2017-11-23 3M Innovative Properties Company Light redirecting film constructions and methods of making them
CN106757018B (zh) * 2016-11-24 2018-12-04 南京工业大学 一种太阳能选择性吸收涂层及其制备方法
DE102019109909A1 (de) 2019-04-15 2020-10-15 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement mit einer Lumineszenzkonversionsschicht
KR102528452B1 (ko) * 2020-11-25 2023-05-03 한국광기술원 적외광 이용형 태양전지

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6447879B1 (en) * 1996-09-17 2002-09-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic Device and method of manufacturing the same
JP2003142716A (ja) * 2001-11-02 2003-05-16 Seiko Epson Corp 光電変換装置
US7307276B2 (en) * 2002-08-23 2007-12-11 Agfa-Gevaert Layer configuration comprising an electron-blocking element
JP2006173545A (ja) 2004-12-13 2006-06-29 Sc Technology Kk 希土類ドープＣａＦ２層を有する太陽電池構造及び太陽電池モジュール構造
KR100730122B1 (ko) * 2004-12-24 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 전도성 물질을 포함하는 이트륨계 형광체, 그의 제조방법및 이를 채용한 표시소자
KR20090069894A (ko) 2007-12-26 2009-07-01 엘지전자 주식회사 형광체를 포함한 태양전지 모듈 및 그 제조 방법
TWI406928B (zh) * 2010-03-18 2013-09-01 Ind Tech Res Inst 藍光螢光材料、白光發光裝置、及太陽能電池
KR101193172B1 (ko) * 2011-02-22 2012-10-19 삼성에스디아이 주식회사 염료 감응 태양전지

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012145012A1 (en) * 2011-04-18 2012-10-26 The Regents Of The University Of Michigan Light trapping architecture for photovoltaic and photodetector applications
US9412960B2 (en) 2011-04-18 2016-08-09 The Regents Of The University Of Michigan Light trapping architecture for photovoltaic and photodector applications
WO2013162732A1 (en) * 2012-04-23 2013-10-31 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Composition and method for upconversion of light and devices incorporating same
US9472694B2 (en) 2012-04-23 2016-10-18 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Composition and method for upconversion of light and devices incorporating same

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