WO2011062400A3 - 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법 - Google Patents
액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2011062400A3 WO2011062400A3 PCT/KR2010/008047 KR2010008047W WO2011062400A3 WO 2011062400 A3 WO2011062400 A3 WO 2011062400A3 KR 2010008047 W KR2010008047 W KR 2010008047W WO 2011062400 A3 WO2011062400 A3 WO 2011062400A3
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- metal film
- based metal
- composition
- weight
- titanium
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Weting (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법에 있어서, 게이트 배선 형성 단계에서 기판 상에 구리계 금속막과 티타늄계 금속막으로 이루어진 이중막을 형성한 후 식각액 조성물로 식각하여 게이트 배선을 형성하는 공정, 및 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계에서 구리계 금속막과 티타늄계 금속막으로 이루어진 이중막을 형성한 후 식각액 조성물로 식각하여 소스 및 드레인 전극을 형성하는 공정을 포함하며, 상기 식각액 조성물은, 조성물의 총 중량을 기준으로 과황산염 화합물 0.5 내지 20 중량%; 용액 내에서 플루오르 이온이 해리되는 화합물 0.01 내지 2.0 중량%; 하나 이상의 C1~C4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환 또는 비치환된 시클로헥실아민 화합물 0.01 내지 5.0 중량%; 및 잔량의 물을 포함하며, 과산화수소를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법; 상기 식각액 조성물; 및 구리계 금속막과 티타늄계 금속막으로 이루어진 이중막의 식각방법에 관한 것이다.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201080041863.3A CN102576171B (zh) | 2009-11-17 | 2010-11-15 | 制造用于液晶显示装置的阵列基板的方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090111030A KR101621546B1 (ko) | 2009-11-17 | 2009-11-17 | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법 |
KR10-2009-0111030 | 2009-11-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2011062400A2 WO2011062400A2 (ko) | 2011-05-26 |
WO2011062400A3 true WO2011062400A3 (ko) | 2011-09-09 |
Family
ID=44060175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/KR2010/008047 WO2011062400A2 (ko) | 2009-11-17 | 2010-11-15 | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101621546B1 (ko) |
CN (1) | CN102576171B (ko) |
WO (1) | WO2011062400A2 (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102955308B (zh) * | 2011-08-19 | 2015-06-10 | 乐金显示有限公司 | 用于显示装置的阵列基板及其制造方法 |
KR102090243B1 (ko) * | 2016-06-08 | 2020-03-17 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 과수안정화제 및 이를 포함하는 식각 조성물 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030058789A (ko) * | 2001-12-31 | 2003-07-07 | 테크노세미켐 주식회사 | 구리 또는 구리/티타늄 식각액 |
KR20040080963A (ko) * | 2003-03-11 | 2004-09-20 | 테크노세미켐 주식회사 | 평판디스플레이의 박막트랜지스터 형성을 위한 금속전극용식각액 조성물 |
KR20070017762A (ko) * | 2005-08-08 | 2007-02-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 식각액 조성물, 이를 이용한 도전막의 패터닝 방법 및평판표시장치의 제조 방법 |
KR20070062259A (ko) * | 2005-12-12 | 2007-06-15 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 전극 식각용 식각액 조성물 |
KR20090081543A (ko) * | 2008-01-24 | 2009-07-29 | 동우 화인켐 주식회사 | 평판표시장치의 제조방법, 및 상기 방법에 이용되는 식각액조성물 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100505328B1 (ko) * | 2002-12-12 | 2005-07-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 구리 몰리브덴막에서 몰리브덴 잔사를 제거할 수 있는식각용액 및 그 식각 방법 |
US7056648B2 (en) * | 2003-09-17 | 2006-06-06 | International Business Machines Corporation | Method for isotropic etching of copper |
KR101174767B1 (ko) * | 2005-03-10 | 2012-08-17 | 솔브레인 주식회사 | 금속배선 식각용액을 이용한 액정표시장치의 제조방법 |
KR100937173B1 (ko) * | 2006-12-26 | 2010-01-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 액정표시장치용 어레이 기판 및 그제조방법 |
KR101310310B1 (ko) * | 2007-03-15 | 2013-09-23 | 주식회사 동진쎄미켐 | 박막트랜지스터 액정표시장치의 식각액 조성물 |
-
2009
- 2009-11-17 KR KR1020090111030A patent/KR101621546B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-11-15 CN CN201080041863.3A patent/CN102576171B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-15 WO PCT/KR2010/008047 patent/WO2011062400A2/ko active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030058789A (ko) * | 2001-12-31 | 2003-07-07 | 테크노세미켐 주식회사 | 구리 또는 구리/티타늄 식각액 |
KR20040080963A (ko) * | 2003-03-11 | 2004-09-20 | 테크노세미켐 주식회사 | 평판디스플레이의 박막트랜지스터 형성을 위한 금속전극용식각액 조성물 |
KR20070017762A (ko) * | 2005-08-08 | 2007-02-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 식각액 조성물, 이를 이용한 도전막의 패터닝 방법 및평판표시장치의 제조 방법 |
KR20070062259A (ko) * | 2005-12-12 | 2007-06-15 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 전극 식각용 식각액 조성물 |
KR20090081543A (ko) * | 2008-01-24 | 2009-07-29 | 동우 화인켐 주식회사 | 평판표시장치의 제조방법, 및 상기 방법에 이용되는 식각액조성물 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101621546B1 (ko) | 2016-05-16 |
CN102576171B (zh) | 2014-12-10 |
CN102576171A (zh) | 2012-07-11 |
WO2011062400A2 (ko) | 2011-05-26 |
KR20110054408A (ko) | 2011-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2011021860A3 (en) | Method of fabricating array substrate for liquid crystal display | |
WO2008131210A3 (en) | System and method for water breakthrough detection and intervention in a production well | |
WO2011010879A3 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
WO2010056051A2 (ko) | 투명도전막 식각용액 | |
WO2012177017A3 (ko) | 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법 | |
WO2009066624A1 (ja) | ガラス基板のエッチング処理方法 | |
WO2012057467A3 (ko) | 구리 함유 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 | |
WO2010127764A3 (de) | Verfahren zum kontaktieren eines halbleitersubstrates | |
EP1932880A4 (en) | GASBARRIEREFOLIE, GAS BARRIERELAMINAT AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF THE FILM OR LAMINATE | |
TW200739700A (en) | Etchant and method for fabricating liquid crystal display using the same | |
WO2008024205A3 (en) | Front contact with high work-function tco for use in photovoltaic device and method of making same | |
WO2009023675A3 (en) | Improved metal conservation with stripper solutions containing resorcinol | |
WO2007003255A8 (de) | Medium zur ätzung von oxidischen transparent leitfähigen schichten | |
WO2009099517A3 (en) | Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and metod of making same | |
WO2009079322A3 (en) | Terionomer films or sheets and solar cell modules comprising the same | |
MY155744A (en) | Silicon solar cell | |
TW200700527A (en) | Adhesive sheet for dicing | |
WO2011106203A3 (en) | Spalling for a semiconductor substrate | |
GB2495166A (en) | Single-junction photovoltaic cell | |
EP1826829A3 (en) | Method for making irregularly surfaced substrate and method for fabricating photovoltaic device | |
CO6680711A2 (es) | Método de fabricación de láminas de acero para contenedores | |
MY158973A (en) | Method for producing solar cell and film-producing device | |
WO2010034304A3 (de) | Organisches elektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung | |
UA107815C2 (uk) | Спосіб одержання акрилової та метакрилової кислоти | |
WO2012158125A8 (en) | Method of improving electrical conductivity of pedot:pss |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 201080041863.3 Country of ref document: CN |
|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 10831767 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 10831767 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A2 |