WO2011059280A2 - 비수계 레지스트 박리액 조성물 - Google Patents

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WO2011059280A2
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ether
stripper composition
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carbon atoms
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김정현
이승용
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Dongwoo Fine Chem Co Ltd
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    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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    • G03F7/42—Stripping or agents therefor

Definitions

  • TECHNICAL FIELD The present invention relates to a non-aqueous resist stripper composition.
  • Background Art Recently, the demand for high resolution implementation of a flat panel display device is gradually increasing. Therefore, in order to realize a high resolution of a flat panel display device, those skilled in the art continue to make an effort to increase the number of pixels per unit area of the flat panel display device.
  • One of the methods for increasing the number of pixels of a flat panel display device is to reduce the wiring width of the thin film transistor to realize finer wiring.
  • a harsh process such as a dry etching process should be introduced.
  • resist and etch residue modified by such severe process conditions. Accordingly, patents suggesting a solution for removing the modified resist and etch residue have emerged.
  • Korean Patent Laid-Open Publication No. 2004-0098751 discloses a stripper composition for a photoresist comprising a water-soluble organic amine, a protic alkylene glycol monoalkyl ether compound, a polar aprotic solvent, a release accelerator, and a corrosion inhibitor.
  • the composition can remove the modified and cured resist in a short time, but has a disadvantage in that the corrosion inhibition effect of the metal wiring is insufficient.
  • Korean Patent Laid-Open Publication No. 2006-0024478 discloses cyclic amines, solvents and strippings.
  • a photoresist stripper composition comprising an accelerator is disclosed.
  • the peeling force is greatly improved, and even if the isopropyl alcohol rinsing step is omitted, further corrosion to the metal wiring can be prevented.
  • the use of cyclic amines results in poor peeling of resists produced in harsh conditions such as dry etching residues.
  • Japanese Patent Laid-Open No. 9-152721 discloses a stripper composition containing an alkanol amine salt, hydroxyl amine, diethylene glycol monoalkyl ether, a sugar compound such as sorbbi as an anticorrosive, and water.
  • a stripper composition containing an alkanol amine salt, hydroxyl amine, diethylene glycol monoalkyl ether, a sugar compound such as sorbbi as an anticorrosive, and water.
  • the photoresist is peeled off with the composition, the effect of inhibiting corrosion on the metal film is insignificant.
  • An object of the present invention is to provide a non-aqueous resist stripper composition having excellent resist pattern and ability to remove residues generated during dry and wet etching.
  • the present invention (a) a basic compound represented by the formula (1); (b) an amide compound represented by the following formula (2); (c) polar solvents; And (d) an alkane amine salt for a non-aqueous resist stripper composition.
  • R 2 and R 3 are each independently hydrogen; C1-C10 linear or branched alkyl group unsubstituted or substituted with an amino group; Alkenyl groups having 2 to 10 carbon atoms; Hydroxyalkyl groups having 1 to 10 carbon atoms; Carboxyl groups; A straight or branched chain alkyl group having 1 to 10 carbon atoms substituted with an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms substituted or unsubstituted with a hydroxy group,
  • R 5 and 3 ⁇ 4 are each independently hydrogen; Linear or branched alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms; Alkenyl groups having 2 to 10 carbon atoms; Hydroxyalkyl groups having 1 to 10 carbon atoms; Carboxyl groups; C1-C10 linear or branched alkyl group substituted by the C1-C10 alkoxy group; Or an amino group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, The 3 ⁇ 4 and 3 ⁇ 4 may together form a ring.
  • the present invention provides a flat panel display device, which is manufactured using the non-aqueous resist stripper composition.
  • the non-aqueous resist stripper composition of the present invention is excellent in removing resists and residues generated during the dry etching process and the wet etching process.
  • the non-aqueous resist stripper composition of the present invention is excellent in corrosion protection against metal wiring including aluminum and / or copper. For this reason, a fine pattern is applied to realize a high resolution, and may be usefully used in a manufacturing process of a flat panel display device using copper wiring.
  • the non-aqueous resist stripper composition of the present invention can treat a large number of substrates, which can greatly contribute to cost reduction.
  • the non-aqueous resist stripper composition of the present invention does not contain water.
  • water activates a basic compound, that is, an amine, to promote corrosion of a metal film, for example, an aluminum film or a copper film, which is located under the resist pattern.
  • the non-aqueous resist stripper composition of the present invention comprises (a) a basic compound; (b) an amide compound; (c) polar solvents; And (d) alkanes to amine salts.
  • A Basic compound contained in the non-aqueous resist stripper composition of this invention is represented by following General formula (1).
  • Ri, 3 ⁇ 4 and R 3 are each independently hydrogen; C1-C10 linear or branched alkyl group unsubstituted or substituted with an amino group; Alkenyl groups having 2 to 10 carbon atoms; Hydroxyalkyl groups having 1 to 10 carbon atoms; Carboxyl groups; It is a C1-C10 linear or branched alkyl group substituted by the hydroxy group or unsubstituted C1-C10 alkoxy group.
  • the basic compound represented by Chemical Formula 1 (a) strongly penetrates into a matrix of deteriorated or crosslinked resist under various process conditions such as an etching process, an ashing process, or an ion implant process. , It serves to break the intramolecular bonds or the bonds existing between the molecules constituting the matrix. This action of the basic compound forms a void in the structurally weak portion inside the resist remaining on the substrate, transforming the resist into an amorphous polymer gel mass. This makes it possible to easily remove the resist deposited on top of the substrate.
  • the etching process means at least one of a dry etching process and a wet etching.
  • the basic compound represented by Formula (a) 1 is based on the total weight of the composition, 5 To 30% by weight 3 ⁇ 4>, and preferably 5 to 15% by weight. When included in the above-mentioned range, the resist stripper composition of the present invention is excellent in resist stripping effect, and the corrosion rate for aluminum and copper wirings does not increase rapidly. ,
  • the basic compound represented by the formula (a) is preferably one or two or more selected from the group consisting of primary amines, secondary amines, tertiary amines, alkanolamines and alkoxy amines. More specifically, ( a ) the basic compound represented by the formula (1) is methylamine, ethylamine, monoisopropylamine, n-butylamine, sec-butylamine, isobutylamine, t-butylamine, pentylamine, dimethyl Amine, diethylamine, dipropylamine, diisopropylamine, dibutylamine, diisobutylamine, methylethylamine, methylpropylamine, methylisopropylamine, methylbutylamine, methylisobutylamine, trimethylamine, tri Ethylamine, tripropylamine, tributylamine, tripentylamine, dimethylethylamine, methyldiethylamine
  • the (b) amide compound contained in the non-aqueous resist stripper composition of the present invention is represented by the following formula (2).
  • R 4, R 5 and 3 ⁇ 4 are each independently hydrogen; Linear or branched alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms; Alkenyl groups having 2 to 10 carbon atoms; Hydroxyalkyl groups having 1 to 10 carbon atoms; Carboxyl groups; C1-C10 linear or branched alkyl group substituted by the C1-C10 alkoxy group; Or an amino group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and 3 ⁇ 4 and 3 ⁇ 4 may together form a ring.
  • the amide compound represented by the formula (2) is an aprotic polar solvent having strong alkali property and is very effective in decomposing and dissolving the resist polymer deteriorated or crosslinked by dry etching or the like. And (b) an amide represented by formula (2).
  • the compound exhibits an excellent effect compared to other polar solvents in terms of the dissolution capacity of the alkali-soluble resin which is the main raw material of the resist.
  • the amide compound represented by the formula (2) is preferably contained in 20 to 80 weight 3 ⁇ 4, more preferably 30 to 70% by weight based on the total weight of the composition.
  • the removal force of the resist polymer deteriorated or crosslinked by etching may be excellent, and at the same time, the number of substrates may be increased.
  • the amide compound represented by the formula (b) is formamide, N— methylformamide, ⁇ , ⁇ -dimethylformamide, acetamide, ⁇ -methylacetamide, ⁇ , ⁇ -dimethylacetamide, ⁇ - (2 —Hydroxyethyl) acetamide, 3-methoxy- ⁇ , ⁇ -dimethylpropionamide, 3- (2-ethylnucleosiloxy) - ⁇ , ⁇ -dimethylpropionamide and 3—subsidiary- ⁇ , ⁇ —dimethylpropion It is preferable that it is 1 type, or 2 or more types chosen from the group which consists of amides. Among them, ⁇ -methylformamide, ⁇ ⁇ dimethylformamide, ⁇ -methylacetamide
  • N, N-dimethylacetamide is more preferable.
  • the polar solvent included in the non-aqueous resist stripper composition of the present invention may be used to assist the amide compound represented by the formula (2), and (a) the resist polymer gelled by the basic compound represented by the formula (1). To dissolve. In addition, after resist stripping, it is easy to remove the stripping solution by water in the DI rinse process to minimize the reprecipitation of the resist dissolved in the stripping solution composition.
  • the polar solvent (c) is preferably contained in 10 to 70% by weight, more preferably in 20 to 50% by weight based on the total weight of the composition. When satisfying the above-mentioned range, it is possible to prevent the deterioration of the cleaning power of the peeling liquid composition by water, This does not reduce the number of substrate treatments.
  • the polar solvent (C) may be a protic polar solvent and an aprotic polar solvent.
  • the proton polar solvent is ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monoisopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monoiso Propyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol monoisopropyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, polyethylene glycol monomethyl ether, polyethylene glycol monobutyl ether , One or two selected from the group consisting of propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, and propylene glycol monomethyl ether acetate Preferably at least.
  • the aprotic polar solvent is preferably one or two or more selected from the group consisting of a pyrrolidone compound, an imidazolidinone compound, a lactone compound, a sulfoxide compound, a phosphate compound and a carbonate compound.
  • the aprotic polar solvent is N-methyl pyridone (NMP), N-ethyl pyridone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, 1, 3-dipropyl-2—already It is preferable that it is 1 type (s) or 2 or more types chosen from the group which consists of dazolidinone, butyrolactone, dimethyl sulfoxide (DMS0), sulfolane, triethyl phosphate, tributyl phosphate, dimethyl carbonate, and ethylene carbonate.
  • NMP N-methyl pyridone
  • N-ethyl pyridone 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone
  • it is 1 type (s) or 2 or more types chosen from the group which consists of dazolidinone, butyrolactone, dimethyl sulfoxide (DMS0), sulfolane, triethyl
  • the alkanol amine salt (d) included in the non-aqueous resist stripper composition of the present invention refers to a salt form of an alkanol amine and an acid. To prevent corrosion of the metal pattern located on the top.
  • the (d) alkane amine salt prevents overetching of the oxide film on the substrate during the photoresist removal process.
  • the alkanol amine salt (d) is preferably maintained at a temperature of 90 ° C or less salt production reaction at the time of manufacture.
  • the (d) alkanol amine salt is preferably included in an amount of 0.01 to 10% by weight, more preferably 0.1 to 3% by weight, based on the total weight of the composition. When the above range is satisfied, damage to metal films such as aluminum is minimized and economical.
  • the (d) alkanol amine salt is preferably selected from alkanol amine salts in which the alkyl moiety is usually lower alkyl, ie, C1 to C5 alkyl.
  • the (d) alkanol amine salt is monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, monopropane amine, 2-aminoethane, 2- (ethylamino) ethane, 2— (methylamino) ethane, N -Methyl diethan, dimethylamino ethane, diethylaminoethanol, nitrilotriethanol, 2- (2-amino special) ethanol, 2- (2-aminoethylamino) -1-ethanol, 1-amino —2-propanol, 2-amino—1-propanol, 3-amino—1-propane, a salt of one or two or more alkanol amines selected from the group consisting of 4-amino-1-butanol and dibutanolamine It is preferable.
  • the (d) alkanol amine salt is the alkanol amine, oxalic acid, lactic acid, tartar ic acid, acetic acid, salicylic acid, citric acid acid), benzoic acid, and ⁇ -naphthlic acid may be prepared by reacting with one or two acids selected from the group consisting of.
  • the (d) alkanol amine salts are commercially available EMAD0X BBA, EMADOX BBC, EMAD0X 201, EMAD0X 301, EMAD0X 401, EMADOX M, EMADOX NB, EMAD0X Laboratories LABEMA products such as D520 can also be used.
  • the non-aqueous resist stripper composition of the present invention is used in a method for manufacturing a flat panel display device. In more detail, it is preferable to use when forming a fine pattern, wiring, and electrode of a flat panel display device.
  • the non-aqueous resist stripper composition of the present invention is excellent in the resist pattern and the ability to remove residues generated during the dry etching process and the wet etching process.
  • the non-aqueous resist stripper composition of the present invention is excellent in corrosion protection against metal wiring including aluminum and / or copper. For this reason, a fine pattern is applied to realize a high resolution, and may be usefully used in a manufacturing process of a flat panel display device using copper wiring.
  • the non-aqueous resist stripper composition of the present invention can treat a large number of substrates, which can greatly contribute to cost reduction.
  • the non-aqueous resist stripper composition was prepared by mixing the components and contents shown in Table 1 below.
  • Example 3 MDEA 10 NMF 40 NMP 24.5 MDG 25 EMADOX NB 0.5
  • Example 4 DMEA 10 NMF 40 NMP 24.5 MDG 25 EMADOX NB 0.5
  • Example 5 MDEA 10 NMF 20 NMP 44.5 MDG 25 EMADOX NB 0.5
  • Example 6 MDEA 10 NMF 70 NMP 9.5 MDG 10 EMADOX NB 0.5
  • Example 7 MDEA 10 DMAc 40 NMP 24.5 MDG 25 EMADOX NB 0.5
  • Example 8 MDEA 10 NMF 40 NMP 24.5 BDG 25 EMADOX NB 0.5
  • Example 9 MDEA 10 NMF 64.5 NMP-MDG 25 EMADOX NB 0.5
  • Example 11 MDEA 10 NMF 40 NMP 23 MDG 25 EMADOX NB 2 Comparative Example 1--NMF 50 NMP 24.5 MDG 25 EMADOX NB 0.5 Comparative Example 2 MDEA 10--N
  • NMF ⁇ -methylformamide
  • DMAc ⁇ , ⁇ -dimethylacetamide
  • NMP ⁇ -methylpyridone MDG: diethylene glycol monomethyl ether
  • BDG diethylene glycol monobutyl ether
  • EMADOX NB (trade name: Laboratories LABEMA Co.) Test Example: Evaluation of properties of non-aqueous resist stripper composition
  • the Mo / Al layer was formed on the glass substrate using a thin film sputtering method. Then, a photoresist pattern was formed on the Mo / Al layer. Then, a plurality of first test substrates were prepared by etching the Mo / Al layer by wet etching and dry etching. And Cu / Mo layer was formed on the glass substrate using the thin-film sputtering method. Then, a photoresist pattern was formed on the Cu / Mo layer.
  • a plurality of second test substrates were prepared by etching the Cu / Mo layer by wet etching and dry etching. Peeling performance evaluation Examples 1 to 7, non-aqueous resist stripping composition of Comparative Example 1 and Comparative Example 2, the first temperature for 10 minutes after maintaining a constant temperature at 50 ° C. using a thermostat. And a second test substrate was deposited to evaluate the peel force. Thereafter, washing was performed with pure water for 1 minute to remove the stripping solution remaining on the first and second test substrates, and the substrate was completely dried using nitrogen to remove the pure water remaining on the specimen after cleaning. The modified or cured resist and dry etching residues remaining on the test substrate were confirmed using a scanning electron microscope (SEM, Hitach S-4700), and the results are shown in Table 2 below.
  • SEM scanning electron microscope
  • the non-aqueous stripper compositions of Examples 3, 8, 9 and Comparative Example 3 were dissolved in the amounts shown in Table 1, respectively.
  • the solidified photoresist is a photoresist solidified by removing all the solvents through heat treatment at 130 ° C. for 1 day.
  • the first test substrate was immersed at 50 ° C. for 10 minutes in the non-aqueous stripper composition in which the solidified photoresist was dissolved.
  • the first test substrate is used only once.
  • the deposited first test substrate was washed and dried.
  • the surface of the dried first test substrate was photographed using a scanning electron microscope (SEM, Hitach S-4700). And evaluation criteria are shown in FIG.
  • Corrosion evaluation of the metal wiring was carried out by immersing the first and second test substrates for 30 minutes in the stock solution of Example 3, Example 10, Example 11, and Comparative Example 4 at 60 ° C., followed by washing and After drying, it was evaluated using a scanning electron microscope (SEM, Hitach S-4700). The results are shown in Table 4 below.
  • the composition for peeling the non-aqueous resist of Examples 1 to 7 is the resist peeling by wet etching. It was excellent.
  • the resist stripping compositions of Examples 1 to 7 exhibited excellent performances on both the dry etched resist and the etching residue removal.
  • Comparative Example 1 containing no amine The etched photoresist showed normal performance, but the removal effect of the dry etched resist and etch residue was poor.
  • Comparative Example 2 containing no amide compound the resist removal performance on the dry etching substrate was poor.
  • the resist stripper composition of Example 3, Example 10, and Example 11 showed excellent corrosion protection performance for the metal wiring.
  • the resist stripper composition of Comparative Example 4 not containing the alkanol amine salt compound exhibited poor corrosion protection performance.

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Abstract

본 발명은 (a) 염기성 화합물; (b) 아미드 화합물; (c) 극성 용매; 및 (d) 알칸올 아민염을 포함하는 것을 특징으로 하는 비수계 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.

Description

명세서
발명의 명칭: 비수계 레지스트 박리액 조성물
기술분야 본 발명은 비수계 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다. 배경기술 최근 평판표시장치의 고해상도 구현에 대한 요구가 점차로 증가하고 있다 . 따라서 평판표시장치의 고해상도를 구현하기 위하여， 당업자들은 평판표시장치의 단위면적당 화소수를 증가시키기 위한 노력을 계속하고 있다. 평판표시장치의 화소수를 증가시키기 위한 방법 중 하나는 박막트랜지스터의 배선폭을 감소시켜 배선의 미세화를 구현하는 것이다. 하지만， 배선의 미세화를 구현하기 위해서는 건식식각 공정 등 조건이 가혹한 공정이 도입되어야 한다. 그리고, 이러한 가혹한 공정 조건으로 의해 변성된 레지스트와 식각 잔사에 대한 문제가 나타나고 있다ᅳ 따라서， 변성된 레지스트와 식각잔사를 제거하기 위한 해결책을 제안하고 있는 특허들이 나오고 있는데， 대표적인 것은 하기와 같다.
대한민국 공개특허 제 2004— 0098751호에서는 수용성 유기아민, 양자성 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 화합물， 극성 비양자성 용매, 박리촉진제 및 부식방지제를 포함하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물이 개시되어 있다. 상기 조성물은 변성 및 경화된 레지스트를 빠른 시간 내에 제거할 수 있지만， 금속 배선의 부식 억제 효과가 부족한 단점이 있다.
대한민국 공개특허 제 2006-0024478호에서는 고리형 아민， 용매 및 박리 촉진제를 포함하는 포토레지스트 박리액 조성물이 개시되어 있다. 상기 조성물로 포토레지스트를 박리하면 박리력이 크게 향상되고 이소프로필알코올 린스 공정을 생략하여도 금속 배선에 대한 추가적인 부식을 방지할 수 있다. 그러나， 고리형 아민을 사용함으로써 건식 식각 잔사와 같은 가혹한 조건에서 생성된 레지스트에 대한 박리력이 층분치 못하다.
일본국 공개특허 평 9-152721호에서는 알칸올 아민염， 히드록실 아민， 디에틸렌글리콜 모노알킬에테르， 방식제로서 솔비를 등의 당화합물 및 물을 포함하는 스트리퍼 조성물이 개시되어 있다. 하지만 상기 조성물로 포토레지스트를 박리하면 금속막질에 대한 부식억제 효과가 미미하다.
따라서 이 분야에서 이러한 문제점을 해결하기 위하여 새로운 레지스트 박리액 조성물의 개발이 요구되고 있다. 발명의 내용
기술적 과제 본 발명의 목적은 레지스트 패턴， 및 건식과 습식 식각시 발생한 잔사에 대한 제거 능력이 우수한 비수계 레지스트 박리액 조성물을 제공하는 것이다.
또한， 본 발명의 목적은 알루미늄 및 /또는 구리를 포함하는 금속배선의 부식 방지력이 뛰어난 비수계 레지스트 박리액 조성물을 제공하는 것이다.
또한， 본 발명의 목적은 처리매수를 향상시켜 경제적인 비수계 레지스트 박리액 조성물을 제공하는 것이다. 기술적 해결방법 본 발명은 (a) 하기 화학식 1로 표시되는 염기성 화합물; (b) 하기 화학식 2로 표시되는 아미드 화합물; (c) 극성 용매; 및 (d) 알칸을 아민염을 포함하는 것을 특징으로 하는 비수계 레지스트 박리액 조성물을 제공한다.
<화학식 1>
Figure imgf000005_0001
<화학식 2>
Figure imgf000005_0002
상기 화학식 1 및 화학식 2에서，
， R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소 ; 아미노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 측쇄 알킬기; 탄소수 2 내지 10의 알케닐기; 탄소수 1 내지 10의 히드록시알킬기; 카르복실기; 히드록시기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알콕시기로 치환된 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 측쇄 알킬기이고，
， R5 및 ¾은 각각 독립적으로 수소; 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 측쇄 알킬기; 탄소수 2 내지 10의 알케닐기; 탄소수 1 내지 10의 히드록시알킬기; 카르복실기; 탄소수 1 내지 10의 알콕시기로 치환된 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 측쇄 알킬기; 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환 또는 비치환된 아미노기이고， 상기 ¾ 및 ¾은 함께 환을 형성할 수도 있다.
본 발명은 상기 비수계 레지스트 박리액 조성물을 이용하여 제조된 것을 특징으로 하는 평판표시장치를 제공한다.
유리한 효과 본 발명의 비수계 레지스트 박리액 조성물은 레지스트 패턴 및 건식 식각 공정과 습식 식각 공정시 발생한 잔사에 대한 제거력이 우수하다. 또한， 본 발명의 비수계 레지스트 박리액 조성물은 알루미늄 및 /또는 구리를 포함하는 금속배선에 대한 부식 방지력이 뛰어나다. 이 때문에 고해상도를 구현하기 위해 미세 패턴이 적용되고 구리 배선이 사용된 평판표시장치의 제조공정에 유용하게 사용될 수 있다. 또한， 본 발명의 비수계 레지스트 박리액 조성물은 많은 수의 기판을 처리하는 것이 가능하므로 원가 절감에 크게 기여할 수 있다.
도면의 간단한 설명
도 1은 기판 처리매수 평가의 기준을 나타내는 도면이다.
발명의 실시를 위한 최선의 형태 이하， 본 발명에 대해 상세히 설명한다.
본 발명의 비수계 레지스트 박리액 조성물은 물을 포함하지 않는다. 그 이유는 물이 염기성 화합물 즉, 아민을 활성화시켜 레지스트 패턴의 하부에 위치하는 금속막， 예컨대 알루미늄막， 구리막의 부식을 촉진시키는 역할을 하기 때문이다.
본 발명의 비수계 레지스트 박리액 조성물은 (a) 염기성 화합물; (b) 아미드 화합물; (c) 극성 용매; 및 (d) 알칸을 아민염을 포함한다. 본 발명의 비수계 레지스트 박리액 조성물에 포함되는 (a) 염기성 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
<화학식 1>
Figure imgf000007_0001
상기 화학식 1에서，
Ri, ¾ 및 R3는 각각 독립적으로 수소; 아미노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 측쇄 알킬기; 탄소수 2 내지 10의 알케닐기; 탄소수 1 내지 10의 히드록시알킬기; 카르복실기; 히드록시기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알콕시기로 치환된 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 측쇄 알킬기이다.
상기 (a) 화학식 1로 표시되는 염기성 화합물은 식각 공정， 애싱 (ashing) 공정 또는 이온주입 공정 (ion implant processing) 등의 여러 공정 조건 하에서 변질되거나 가교된 레지스트 (resist)의 매트릭스에 강력하게 침투하여， 매트릭스를 구성하는 분자 내 결합 또는 분자들 사이에 존재하는 결합을 깨뜨리는 역할을 한다. 이와 같은 염기성 화합물의 작용은 기판에 잔류하는 레지스트 내부의 구조적으로 취약한 부분에 빈 공간을 형성시켜 레지스트를 무정형의 고분자 겔 (gel)덩어리 상태로 변형시킨다. 이로 인해 기판 상부에 부착된 레지스트가 쉽게 제거될 수 있게 된다. 여기서, 식각 공정은 건식 식각 공정 및 습식 식각 중 하나 이상을 의미한다.
상기 (a) 화학식 1로 표시되는 염기성 화합물은， 조성물 총 중량에 대하여， 5 내지 30 중량 ¾>로 포함되는 것이 바람직하고, 5 내지 15중량 %로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상술한 범위로 포함되면， 본 발명의 레지스트 박리액 조성물이 레지스트 박리효과가 우수하고， 알루미늄 및 구리 배선에 대한 부식 속도가 급격히 증가되지 않는다. ,
상기 (a) 화학식 1로 표시되는 염기성 화합물은 1급 아민， 2급 아민， 3급 아민， 알칸올아민 및 알콕시 아민으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다. 보다 상세하게는 상기 (a) 화학식 1로 표시되는 염기성 화합물은 메틸아민， 에틸아민， 모노이소프로필아민， n-부틸아민, sec-부틸아민， 이소부틸아민， t-부틸아민， 펜틸아민， 디메틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민， 디이소프로필아민, 디부틸아민， 디이소부틸아민， 메틸에틸아민 , 메틸프로필아민， 메틸이소프로필아민， 메틸부틸아민, 메틸이소부틸아민， 트리메틸아민， 트리에틸아민， 트리프로필아민， 트리부틸아민, 트리펜틸아민， 디메틸에틸아민， 메틸디에틸아민， 메틸디프로필아민， 모노에탄올아민， 디에탄올아민， 트리에탄을아민， 모노프로판올아민， 2-아미노에탄올, 2- (에틸아미노)에탄올， 2- (메틸아미노)에탄올, N-메틸에탄올아민， N— 메틸디에탄올아민， Ν,Νᅳ디메틸에탄올아민， Ν,Ν-디에틸아미노에탄올， 2-(2- 아미노에틸아미노) -1-에탄올， 1 -아미노 -2-프로판올， 2-아미노 -1—프로판올， 3- 아미노—1-프로판올， 4—아미노 -1-부탄을, 디부탄올아민， (부특시메틸)디에틸아민， (메특시메틸)디에틸아민， (메톡시메틸)디메틸아민， (부특시메틸)디메틸아민，
(이소부톡시메틸)디메틸아민， (메특시메틸)디에탄올아민， (히드록시에틸옥시메틸)디에틸아민， 메틸 (메록시메틸)아미노에탄， 메틸 (메톡시메틸)아미노에탄올， 메틸 (부록시메틸)아미노에탄올 및 2-(2- 아미노에톡시)에탄올로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다. 이 중에서， 모노에탄올아민， 트리에탄올아민， 1-아미노 -2-프로판올， 2- (2-아미노에록시)에탄올， N-메틸에탄올아민， N-메틸디에탄올아민， Ν,Ν-디메틸에탄올 아민， Ν,Ν-디에틸아미노에탄올， 2-(2-아미노에틸아미노) -1-에탄올을 이용하는 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 비수계 레지스트 박리액 조성물에 포함되는 (b) 아미드 화합물은 하기 화학식 2로 표시된다.
<화학식 2>
Figure imgf000009_0001
상기 화학식 2에서，
R4, R5 및 ¾은 각각 독립적으로 수소; 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 측쇄 알킬기; 탄소수 2 내지 10의 알케닐기; 탄소수 1 내지 10의 히드록시알킬기; 카르복실기; 탄소수 1 내지 10의 알콕시기로 치환된 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 측쇄 알킬기; 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환 또는 비치환된 아미노기이고， 상기 ¾ 및 ¾은 함께 환을 형성할 수도 있다.
상기 (b) 화학식 2로 표시되는 아미드 화합물은 강한 알칼리 성질을 갖는 비양성자성 극성 용매로서 건식 식각 등에 의해 변질되거나 가교된 레지스트 고분자의 분해 및 용해에 매우 효과적이다. 그리고， 상기 (b) 화학식 2로 표시되는 아미드 화합물은 레지스트의 주원료인 알칼리 가용성 수지의 용해용량 면에서 여타의 극성 용매에 비해서 탁월한 효과를 발휘한다.
상기 (b) 화학식 2로 표시되는 아미드 화합물은， 조성물 총 중량에 대하여， 20 내지 80 중량 ¾로 포함되는 것이 바람직하고， 30 내지 70중량 %로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상술한 범위를 만족하면, 식각 등에 의해 변질되거나 가교된 레지스트 고분자의 제거력이 우수해지고， 동시에 기판 처리매수도 증가될 수 있다.
상기 (b) 화학식 2로 표시되는 아미드 화합물은 포름아미드, N— 메틸포름아미드， Ν,Ν-디메틸포름아미드， 아세트아미드， Ν-메틸아세트아미드, Ν,Ν- 디메틸아세트아미드， Ν-(2—히드록시에틸)아세트아미드， 3-메톡시 -Ν,Ν- 디메틸프로피온아미드， 3-(2-에틸핵실옥시) -Ν,Ν-디메틸프로피온아미드 및 3—부특시- Ν,Ν—디메틸프로피온아미드로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다. 이 중에서 Ν—메틸포름아미드， Ν Νᅳ디메틸포름아미드， Ν-메틸아세트아미드
Ν,Ν-디메틸아세트아미드가 보다 바람직하다.
본 발명의 비수계 레지스트 박리액 조성물에 포함되는 (c) 극성 용매는 상기 (b) 화학식 2로 표시되는 아미드 화합물을 보조하여 상기 (a) 화학식 1로 표시되는 염기성 화합물에 의해 겔화된 레지스트 고분자를 용해시키는 역할올 한다. 또한， 레지스트 박리 이후， DI 린스 과정에서 물에 의한 박리액의 제거를 수월하게 하여 박리액 조성물 내에 용해된 레지스트의 재석출을 최소화한다.
상기 (c) 극성 용매는， 조성물 총 중량에 대하여， 10 내지 70중량 %로 포함되는 것이 바람직하고， 20 내지 50중량 %로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상술한 범위를 만족하면， 물에 의한 박리액 조성물의 세정력 저하를 방지할 수 있고， 이로 인해 기판처리매수가 감소되지 않는다 .
상기 (C) 극성 용매는 양자성 극성 용매와 비양자성 극성 용매일 수 있다. 상기 양자성 극성용매는 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르， 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르， 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르， 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르， 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르， 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르， 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르， 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르， 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르， 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르， 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르， 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르， 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르， 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 및 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다. 상기 비양자성 극성용매는 피롤리돈 화합물, 이미다졸리디논 화합물， 락톤 화합물， 설폭사이드 화합물， 포스페이트 화합물 및 카보네이트 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다. 보다 상세하게는 상기 비양자성 극성용매는 N-메틸 피를리돈 (NMP), N-에틸 피를리돈， 1 ,3-디메틸 -2-이미다졸리디논， 1， 3-디프로필 -2—이미다졸리디논， 부티로락톤, 디메틸술폭사이드 (DMS0), 술폴란， 트리에틸포스페이트， 트리부틸포스페이트, 디메틸카보네이트 및 에틸렌카보네이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 비수계 레지스트 박리액 조성물에 포함되는 (d) 알칸올 아민염은 알칸올 아민과 산과의 염 형태를 의미하는 것으로， 포토레지스트 제거 공정 시， 기판 상에 위치하는 금속 패턴의 부식을 방지한다. 그리고， 상기 (d) 알칸을 아민염은 포토레지스트 제거 공정 시， 기판 상에 위치하는 산화막의 과식각을 방지한다. 상기 (d) 알칸올 아민염은 제조시 염 생성 반응의 온도가 90°C 이하에서 유지되는 것이 바람직하다.
상기 (d) 알칸올 아민염은， 조성물 총 중량에 대하여， 0.01 내지 10 중량 %로 포함되는 것이 바람직하고， 0.1 내지 3 중량 ¾로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상술한 범위를 만족하면， 알루미늄 등의 금속막의 손상을 최소화하고 경제적이다.
상기 (d) 알칸올 아민염은 알킬 부분이 통상 저급 알킬 즉， C1 내지 C5 알킬인 알칸올 아민염으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
상기 (d) 알칸올 아민염은 모노에탄올아민， 디에탄올아민 , 트리에탄올아민 , 모노프로판을아민， 2-아미노에탄을， 2- (에틸아미노)에탄을, 2— (메틸아미노)에탄을， N-메틸 디에탄을아민， 디메틸아미노에탄을， 디에틸아미노에탄올， 니트리로트리에탄올， 2 -( 2-아미노에특시 )에탄올， 2-(2-아미노에틸아미노) -1—에탄올， 1-아미노—2- 프로판올， 2-아미노—1-프로판올， 3-아미노—1-프로판을， 4-아미노 -1-부탄올 및 디부탄올아민으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 알칸올 아민의 염인 것이 바람직하다. 상기 (d) 알칸올 아민염은 상기 알칸올아민과， 옥살산 (oxalic acid), 젖산 (lactic acid) , 타르타르산 (tartar ic acid) , 아세트산 (acetic acid) , 살리실산 (salicylic acid), 시트릭산 (citric acid), 벤조익산 (benzoic acid) 및 β_ 나프탈릭산 (β-naphthlic acid)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종의 산과 반응시켜 제조될 수 있다. 또한， 상기 (d) 알칸올 아민염은 시판되는 제품인 EMAD0X BBA, EMADOX BBC, EMAD0X 201， EMAD0X 301， EMAD0X 401， EMADOX M, EMADOX NB, EMAD0X D520등의 Laboratories LABEMA사의 제품을 이용할 수도 있다.
본 발명의 비수계 레지스트 박리액 조성물은 평판표시장치의 제조방법에 이용되는 것이 바람직하다. 보다 상세하게 설명하면， 평판표시장치의 미세패턴， 배선， 전극 형성시에 이용되는 것이 바람직하다.
본 발명의 비수계 레지스트 박리액 조성물은 레지스트 패턴, 및 건식 식각 공정과 습식 식각 공정시 발생한 잔사에 대한 제거력이 우수하다. 또한， 본 발명의 비수계 레지스트 박리액 조성물은 알루미늄 및 /또는 구리를 포함하는 금속배선에 대한 부식 방지력이 뛰어나다. 이 때문에 고해상도를 구현하기 위해 미세 패턴이 적용되고 구리 배선이 사용된 평판표시장치의 제조 공정에 유용하게 사용될 수 있다. 또한， 본 발명의 비수계 레지스트 박리액 조성물은 많은 수의 기판을 처리하는 것이 가능하므로 원가 절감에 크게 기여할 수 있다.
발명의 실시를 위한 형태 이하에서， 실시예 및 시험예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명의 범위가 하기의 실시예 및 시험예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 실시예 1 내지 실시예 11， 비교예 1 내지 비교예 4: 비수계 레지스트 박리액 조성물의 제조
하기의 표 1에 기재된 성분과 함량을 흔합하여 비수계 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.
표 1
Figure imgf000013_0001
실시예 3 MDEA 10 NMF 40 NMP 24.5 MDG 25 EMADOX NB 0.5 실시예 4 DMEA 10 NMF 40 NMP 24.5 MDG 25 EMADOX NB 0.5 실시예 5 MDEA 10 NMF 20 NMP 44.5 MDG 25 EMADOX NB 0.5 실시예 6 MDEA 10 NMF 70 NMP 9.5 MDG 10 EMADOX NB 0.5 실시예 7 MDEA 10 DMAc 40 NMP 24.5 MDG 25 EMADOX NB 0.5 실시예 8 MDEA 10 NMF 40 NMP 24.5 BDG 25 EMADOX NB 0.5 실시예 9 MDEA 10 NMF 64.5 NMP - MDG 25 EMADOX NB 0.5 실시예 10 MDEA 10 NMF 40 NMP 24.9 MDG 25 EMADOX NB 0.1 실시예 11 MDEA 10 NMF 40 NMP 23 MDG 25 EMADOX NB 2 비교예 1 - - NMF 50 NMP 24.5 MDG 25 EMADOX NB 0.5 비교예 2 MDEA 10 - - NMP 64.5 MDG 25 EMADOX NB 0.5 비교예 3 MDEA 10 NMF 89.5 - - - - EMADOX NB 0.5 비교예 4 MDEA 10 NMF 40 NMP 25 MDG 25 - - 주)) MEA: 모노에탄을아민 NMEA: N—메틸에탄올아^
MDEA: N-메틸디에탄올아민 DMEA: Ν,Ν-디메틸에탄올아민
NMF: Ν-메틸포름아미드 DMAc: Ν,Ν-디메틸아세트아미드
NMP: Ν-메틸피를리돈 MDG: 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르
BDG: 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르
EMADOX NB (상품명， 제조사: Laboratories LABEMA Co.) 시험예: 비수계 레지스트 박리액 조성물의 특성 평가 유리 기판 상에 박막 스퍼터링법올 사용하여 Mo/Al층을 형성하였다. 그리고， 상기 Mo/Al층 상에 포토레지스트 패턴을 형성시켰다. 그리고， 습식 식각과 건식 식각 방식에 의해 Mo/Al층을 식각하여 제 1 시험용 기판을 다수개 준비하였다. 그리고， 유리 기판 상에 박막 스퍼터링법을 사용하여 Cu/Mo층을 형성하였다. 그리고， 상기 Cu/Mo충 상에 포토레지스트 패턴을 형성시켰다. 그리고， 습식 식각과 건식 식각 방식에 의해 Cu/Mo층을 식각하여 제 2 시험용 기판을 다수개 준비하였다. <박리성능평가 > 실시예 1 내지 실시예 7， 비교예 1 및 비교예 2의 비수계 레지스트 박리용 조성물은 항온조를 사용하여 50°C로 온도를 일정하게 유지시킨 후， 10분간 상기 제 1 및 제 2 시험용 기판을 침적하여 박리력을 평가하였다. 이후 상기 게 1 및 제 2 시험용 기판 상에 잔류하는 박리액의 제거를 위해서 순수로 1분간 세정을 실시하였으며， 세정 후 시편 상에 잔류하는 순수를 제거하기 위하여 질소를 이용하여 기판을 완전히 건조시켰다. 상기 시험용 기판 상에 남아있는 변성 또는 경화 레지스트 및 건식 식각 잔사는 주사 전자현미경 (SEM, Hitach S—4700)을 이용하여 확인하고， 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
<기판 처리매수 평가 >
실시예 3， 실시예 8， 실시예 9 및 비교예 3의 비수계 박리액 조성물에 고형화된 포토레지스트 표 1에 기재된 함량으로 각각 용해시켰다. 여기서， 상기 고형화된 포토레지스트는 130°C에서 1일간 열처리를 통해 용매를 모두 제거시켜 고형화시킨 포토레지스트이다.
이어서， 상기 고형화된 포토레지스트가 용해된 비수계 박리액 조성물에 상기 제 1 시험용 기판을 50°C에서 10분간 침적시켰다. 여기서， 상기 제 1 시험용 기판은 1회만 사용한다.
이어서， 상기 침적시킨 제 1 시험용 기판을 세정하고 건조하였다. 그리고 건조된 제 1 시험용 기판의 표면을 주사 전자현미경 (SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 잔사 여부를 촬영하였다. 그리고 평가 기준은 도 1에 나타내었다.
<부식방지성능평가 >
금속배선에 대한 부식 평가는 60°C에서 실시예 3, 실시예 10， 실시예 11, 및 비교예 4의 박리액 조성물 원액에 상기 제 1 및 계 2 시험용 기판을 30분간 침적시킨 후, 세정 및 건조를 거쳐 주사 전자현미경 (SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 평가하였으며， 그 결과를 하기의 표 4에 나타내었다.
표 2
Figure imgf000016_0001
주) [박리 성능] ©: 매우 양호， O: 양호， Δ: 보통，
표 3
Figure imgf000016_0002
주) [처리 매수 평가]
©: 매우 양호， O: 양호， ᅀ: 보통， X： 불량
표 4
Figure imgf000016_0003
주) [부식 방지 능력] ©: 매우양호， O: 양호， Δ: 보통， X： 불량 표 2를 참조하면， 실시예 1 내지 실시예 7의 비수계 레지스트 박리용 조성물은 습식 식각에 의한 레지스트 박리력이 뛰어났다. 그리고， 실시예 1 내지 실시예 7의 레지스트 박리용 조성물은 건식 식각을 거친 레지스트 및 식각 잔사 제거에 대해 모두 우수한 성능을 나타내었다. 그러나， 아민을 함유하고 있지 않은 비교예 1의 경우 습식 식각을 공정을 거친 포토레지스트에 대해서는 보통의 성능을 보였으나， 건식 식각을 거친 레지스트 및 식각 잔사의 제거효과는 불량하였다. 또한， 아미드 화합물을 함유하지 않은 비교예 2의 경우는 건식 식각 기판에 대한 레지스트 제거 성능이 불량하였다.
표 3을 참조하면， 실시예 3， 실시예 8， 실시예 9의 레지스트 박리액 조성물은 고형화된 포토레지스트가 3 내지 4 증량 % 용해된 이후, 잔사가 발생되기 시작하였다. 반면， 극성용매를 포함하지 않은 비교예 3의 레지스트 박리액 조성물은 1 내지 2중량 %에서 잔사가 발생하기 시작하였다. 이러한 결과로부터 본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 종래의 박리액 조성물보다 많은 수의 기판을 처리할 있음을 확인할 수 있다.
표 4를 참조하면， 실시예 3, 실시예 10, 실시예 11의 레지스트 박리액 조성물은 금속배선에 대해 우수한 부식 방지 성능을 나타내었다. 반면， 알칸올 아민염 화합물을 포함하지 않은 비교예 4의 레지스트 박리액 조성물은 불량한 부식 방지 성능을 나타냈다.

Claims

청구의 범위
[청구항 1] (a) 하기 화학식 1로 표시되는 염기성 화합물;
(b) 하기 화학식 2로 표시되는 아미드 화합물;
(c) 극성 용매; 및
(d) 알칸올 아민염을 포함하는 것을 특징으로 하는 비수계 레지스트 박리액 조성물:
<화학식 1>
Figure imgf000018_0001
<화학식 2>
0
R4人
Figure imgf000018_0002
상기 화학식 1 및 화학식 2에서，
R1; R2 및 ¾는 각각 독립적으로 수소; 아미노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 측쇄 알킬기; 탄소수 2 내지 10의 알케닐기; 탄소수 1 내지 10의 히드록시알킬기; 카르복실기; 히드록시기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알콕시기로 치환된 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 측쇄 알킬기이고， R4, R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소; 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 측쇄 알킬기; 탄소수 2 내지 10의 알케닐기; 탄소수 1 내지 10의 히드록시알킬기; 카르복실기; 탄소수 1 내지 10의 알콕시기로 치환된 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 측쇄 알킬기; 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환 또는 비치환된 아미노기이고，
상기 및 ¾은 함께 환을 형성할 수도 있다.
[청구항 2] 청구항 1에 있어서,
조성물 총 중량에 대하여 ,
상기 (a) 화학식 1로 표시되는 염기성 화합물 5 내지 30 중량 %;
상기 (b) 화학식 2로 표시되는 아미드 화합물 20 내지 80 중량 ¾>;
상기 (c) 극성 용매 10~70중량 및
상기 (d) 알칸올 아민염 0.01 내지 10 중량 %을 포함하는 것을 특징으로 하는 비수계 레지스트 박리액 조성물.
[청구항 3] 청구항 1에 있어서，
상기 (a) 화학식 1로 표시되는 염기성 화합물은 메틸아민， 에틸아민， 모노이소프로필아민， n-부틸아민， sec-부틸아민， 이소부틸아민， t- 부틸아민， 펜틸아민， 디메틸아민， 디에틸아민， 디프로필아민, 디이소프로필아민， 디부틸아민， 디이소부틸아민， 메틸에틸아민, 메틸프로필아민， 메틸이소프로필아민， 메틸부틸아민， 메틸이소부틸아민 트리메틸아민， 트리에틸아민， 트리프로필아민, 트리부틸아민， 트리펜틸아민， 디메틸에틸아민， 메틸디에틸아민， 메틸디프로필아민, 모노에탄올아민， 디에탄올아민 , 트리에탄을아민 , 모노프로판올아민，
2-아미노에탄올， 2- (에틸아미노)에탄올， 2- (메틸아미노)에탄올， N- 메틸에탄을아민， N-메틸디에탄올아민， Ν,Ν-디메틸에탄올아민， Ν,Ν- 디에틸아미노에탄올， 2-(2-아미노에틸아미노) -1-에탄올， 1-아미노-2- 프로판올， 2-아미노 -1-프로판올， 3-아미노 -1-프로판을, 4-아미노 -1- 부탄올， 디부탄올아 (부특시메틸)디에틸아민
(메톡시메틸)디에틸아민， (메특시메틸)디메틸아민
(부록시메틸)디메틸아민， (이소부특시메틸)디메틸아민 (메록시메틸)디에탄올아 π (히드록시에틸옥시메틸)디에틸아민 메틸 (메톡시메틸)아미노에탄， 메틸 (메톡시메틸)아미노에탄을 메틸 (부톡시메틸)아미노에탄올 2-( 2-아미노에톡시)에탄올로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하 비수계 레지스트 박리액 조성물
[청구항 4] 청구항 1에 있어서
상기 (b) 화학식 2로 표시되는 아미드 화합물은 포름아미드， N- 메틸포름아미드， Ν,Ν-디메틸포름아 u 아세트아ᄆ 메틸아세트아 u Ν,Ν-디메틸아세트아미드 Ν-(2- 히드록시에틸 )아세트아 D 3-메톡시—Ν,Νᅳ디메틸프로피온아口
(2-에틸핵실옥시)— Ν,Ν-디메틸프로피온아口 3-부톡시 -Ν,Ν- 디메틸프로피온아미드로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 비수계 레지스트 박리액 조성물.
[청구항 5] 청구항 1에 있어서，
상기 (c) 극성 용매는 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르， 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르， 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르， 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르， 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르， 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르， 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르， 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르， 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르， 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르， 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르， 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르 , 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르， 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 , 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트， N—메틸 피롤리돈 (NMP), N—에틸 피를리돈， 1 ,3-디메틸- 2-이미다졸리디논， 1， 3ᅳ디프로필— 2—이미다졸리디논， γ _부티로락톤 디메틸술폭사이드 (DMS0), 술폴란， 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트， 디메틸카보네이트 및 에틸렌카보네이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 비수계 레지스트 박리액 조성물.
[청구항 6] 청구항 1에 있어서，
상기 (d) 알칸올 아민염은 모노에탄올아민， 디에탄올아민, 트리에탄올아민， 모노프로판올아민， 2—아미노에탄을， 2- (에틸아미노)에탄올， 2- (메틸아미노)에탄올， N-메틸 디에탄올아민， 디메틸아미노에탄올， 디에틸아미노에탄을， 니트리로트리에탄을, 2- ( 2-아미노에록시 )에탄을， 2-(2-아미노에틸아미노) -1-에탄올， 1- 아미노 -2-프로판올, 2-아미노 -1-프로판을， 3-아미노 -1-프로판올, 4- 아미노 -1-부탄올 및 디부탄올아민으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 알칸올 아민염인 것을 특징으로 하는 비수계 레지스트 박리액 조성물.
[청구항 7] 청구항 1에 있어서，
상기 (d) 알칸올 아민염은 상기 알칸올 아민과, 옥살산 (oxalic acid), 젖산 (lactic acid) , 타르타르산 (tartar ic acid) , 아세트산 (acetic acid) , 살리실산 (sal icyl ic acid) , 시트릭산 (citric acid) , 벤조익산 (benzoic acid) 또는 β -나프탈릭산 ( β -naphthl ic acid)의 염인 것을 특징으로 하는 비수계 레지스트 박리액 조성물.
[청구항 8] 청구항 1의 기재에 따른 비수계 레지스트 박리액 조성물을 이용하여 제조된 것을 특징으로 하는 평판표시장치 .
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102850838A (zh) * 2011-06-29 2013-01-02 东友精细化工有限公司 胶版印刷用凹版洗涤液组合物及使用该组合物的洗涤方法
US10866518B2 (en) 2016-09-28 2020-12-15 Dow Global Technologies Llc Solvents for use in the electronics industry
WO2025086185A1 (en) * 2023-10-26 2025-05-01 Dow Global Technologies Llc Solvent mixture

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101978521B1 (ko) * 2012-10-05 2019-05-15 동우 화인켐 주식회사 갈바닉 부식을 억제하는 포토레지스트 박리액 조성물
KR102032321B1 (ko) * 2012-11-13 2019-10-15 동우 화인켐 주식회사 얼룩 발생 방지용 레지스트 박리액 조성물
KR101988668B1 (ko) * 2013-03-15 2019-06-12 동우 화인켐 주식회사 칼라 레지스트 및 유기계 절연막 제거용 세정제 조성물
TWI518467B (zh) * 2013-11-15 2016-01-21 達興材料股份有限公司 光阻脫除劑和電子元件及其製造方法
KR102529951B1 (ko) * 2015-12-14 2023-05-08 삼성디스플레이 주식회사 포토 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 어레이의 제조 방법
KR102028120B1 (ko) * 2016-03-07 2019-10-02 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물
KR102422264B1 (ko) * 2016-03-11 2022-07-18 주식회사 이엔에프테크놀로지 신너 조성물
KR102527635B1 (ko) * 2016-03-14 2023-05-02 주식회사 이엔에프테크놀로지 신너 조성물
CN108424818A (zh) * 2017-02-14 2018-08-21 东友精细化工有限公司 掩模清洗液组合物
KR102002276B1 (ko) * 2019-05-03 2019-07-19 동우 화인켐 주식회사 갈바닉 부식을 억제하는 포토레지스트 박리액 조성물
TWI809992B (zh) * 2021-07-27 2023-07-21 元瀚材料股份有限公司 去光阻組成物及其使用方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3929518B2 (ja) * 1995-11-30 2007-06-13 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物
JP4692799B2 (ja) * 2001-05-22 2011-06-01 ナガセケムテックス株式会社 レジスト剥離用組成物
JP2004287288A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 Nagase Chemtex Corp レジスト剥離用組成物及びレジスト剥離方法
CN100364061C (zh) * 2003-06-04 2008-01-23 花王株式会社 剥离剂组合物以及使用该剥离剂组合物的剥离洗涤方法
JP2005070230A (ja) * 2003-08-21 2005-03-17 Nagase Chemtex Corp レジスト剥離用組成物及びレジスト剥離方法
JP4405767B2 (ja) * 2003-08-28 2010-01-27 ソニー株式会社 銀及び／又は銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物、それを用いたパターンの製造方法ならびにそれを含む表示装置
CN101017333A (zh) * 2006-02-06 2007-08-15 东进世美肯株式会社 正型光致抗蚀剂剥离剂组合物
KR101403515B1 (ko) * 2006-06-22 2014-06-09 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 제거용 조성물
KR101292497B1 (ko) * 2007-01-12 2013-08-01 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102850838A (zh) * 2011-06-29 2013-01-02 东友精细化工有限公司 胶版印刷用凹版洗涤液组合物及使用该组合物的洗涤方法
US10866518B2 (en) 2016-09-28 2020-12-15 Dow Global Technologies Llc Solvents for use in the electronics industry
WO2025086185A1 (en) * 2023-10-26 2025-05-01 Dow Global Technologies Llc Solvent mixture

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