WO2011032993A1 - Verfahren und vorrichtung zur charakterisierung von zumindest einem solarzellenmodul - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zur charakterisierung von zumindest einem solarzellenmodul Download PDF

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WO2011032993A1
WO2011032993A1 PCT/EP2010/063565 EP2010063565W WO2011032993A1 WO 2011032993 A1 WO2011032993 A1 WO 2011032993A1 EP 2010063565 W EP2010063565 W EP 2010063565W WO 2011032993 A1 WO2011032993 A1 WO 2011032993A1
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solar
solar cell
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impedance
changes
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PCT/EP2010/063565
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Dieter Franke
Gerd Bettenwort
Ingo Schwirtlich
Jonas Brückner
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Schott Solar Ag
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    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S50/00—Monitoring or testing of PV systems, e.g. load balancing or fault identification
    • H02S50/10—Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Definitions

  • the invention relates to a method for the characterization, in particular material-specific characterization of at least one solar cell module or an interconnection of solar cell modules to a solar generator.
  • the invention also relates to a device for carrying out the method.
  • US-A-2007/0159209 relates to a method for determining the capacitance characteristics of the gate oxide of a MOS transistor by means of impedance measurement.
  • the properties of solar cells are determined by means of impedance spectroscopy in the US-Z .: Journal of Applied Physics, 102, PROSKURYAKOV et al .. "Impedance spectroscopy of unetched CdTe / CdS solar cells - equivalent circuit analysis" H. BAYHAN and AS KAVASOGLU: "Study of CdS / Cu (In, Ga) Se 2 heterojunction interface using admittance and impedance spec Troscopy "in: Solar Energy 80 (2006), p. 1160-1164 and R. KERN et al:” Modeling and Interpretation of the electrical impedance spectra of dye solar cells operated under open-circuit conditions "in: Electrochimica Acta 47 (2002) , P. 4213-4255.
  • the invention is based on the object of disclosing a method and a device for detecting material-specific changes in individual and / or interconnected solar modules, that temporal changes in the processed materials of the modules and their interconnection, caused by external and internal causes, in good time before the occurrence greater damage can be detected. Also, a regular quality control of the produced modules and their installation in a solar generator is to be made possible in addition to the measurement of the generated power.
  • the object is essentially achieved by selecting solar cell modules or solar cell modules interconnected to a group and exciting them by an alternating voltage over a wide frequency range and measuring the impedance as a function of the frequency response. These measurements are repeated at certain time intervals.
  • the change in the measured data determined from one measurement to the next is an indication of changes in the materials used or the interconnection of the solar generator. They therefore signal changes of at least one material-specific variable from the group quality, malfunction, manufacturing defects, condition, aging behavior, delamination, corrosion problem, contact problem of the solar module or connected to a solar generator solar modules.
  • a particular advantage of the teaching of the invention is the ability to determine the time course of material-specific changes in large-scale interconnected solar generators with an extension of up to several 1000 m and by analyzing the components of the impedance in its ohmic contribution and in the inductive or capacitive contributions to derive certain damage mechanisms and to be able to explain observed losses in plant performance.
  • a fiction, contemporary device is proposed, which derives from the observed changes a measure of change, which serves as an indicator.
  • the teaching according to the invention relates to individual solar modules, interconnected and / or interacting solar modules in any form of shuttering, construction and embodiment.
  • the invention provides that the course of the impedance as a function of an applied between positive and negative pole AC voltage to the series-connected, parallel or matrix-connected modules or interconnected module string in direct contact (Fig. 2a) or on the DC side corresponding inverter ( Fig. 2b) is measured in a wide frequency range and the characteristic response profile is determined by its signature.
  • the solar cell module or the interconnected solar cell modules is excited by an alternating voltage U with 10V ⁇ U ⁇ 2000 V over a wide frequency range f between 1 kHz and 2000 kHz.
  • the invention is also distinguished by the fact that the course of the impedance as a function of a voltage applied between the short-circuited plus and minus pole of the solar cell module or the interconnected solar cell modules and ground AC voltage to the modules in series or parallel in matrix connected module string in direct contact or at the DC side of corresponding inverters in a wide frequency range is measured and the characteristic response profile is determined with its signature.
  • this method is used in nocturnal hours, in which the solar generator does not generate electrical energy.
  • An application in sunlight is also possible.
  • the response profile is then systematically affected at specific points in the impedance spectrum by the working solar cells in the modules. This applies in particular to the frequency range between 100 kHz and 300 kHz for system sizes in the range of approximately 40 kW, while the spectrum is less affected at higher frequencies.
  • Characteristic of the invention is further that the characteristic response profile of the impedance, its signature, as a function of the design, ie its geometry and the material-specific composition of the solar modules or the solar generators is determined with their interconnection.
  • the temporal change of the characteristic response profile of the impedance for characterizing the aging behavior of the solar cell modules or the solar generator is determined in comparison to its initial state or its initial states.
  • the invention provides that the course of the impedance determined as a function of temperature and temperature changes, the humidity and their concentration changes in the module structure and the concentration of chemical cleavage and by-products in the solar cell or modules and to characterize the quality of function - And / or manufacturing errors and the state of the solar cell modules or in consequence of aging phenomena is used before obvious performance losses are observed.
  • the method is used in this sense to identify leading indicators.
  • the invention is characterized in that changes in the course of impedance determined by the effects of temperature, humidity, the concentration of chemical cleavage and by-products, such as may occur in the field due to climatic influences, and specific changes such.
  • the electrical resistance, the capacitance and inductance in the solar cell module and its interconnection, the amount of leakage currents in the solar cell module and / or its circuits are assigned.
  • the invention is characterized in that the relative change of the phase angle of the response signal relative to the initial situation at the beginning of the measurements is detected and used as a signal for capacitive or inductive changes in solar cell modules and correlated with them.
  • changes in the dielectric constants of the modules can be detected primarily from the change in impedance spectra which have been measured at a time interval from one another. These changes are accompanied by the absorption of moisture, temperature changes, changes in the insulation strength of the encapsulation materials or the increase in the conductivity in the encapsulation materials.
  • An apparatus for carrying out the method according to the invention is characterized in that an alternating voltage generator, an impedance measuring device, a device for detecting occurring phase shifts, an evaluation logic for calculating a measured variable are interconnected as an indicator for the changes that have taken place and are connected to a suitable output unit.
  • the solar modules or solar generators in the open field or as part of buildings are characterized and assessed by means of a simple and rapidly applicable measuring method in his or her material-specific properties.
  • an AC excitation occurs over a wide frequency range of at least 1 kHz to 2000 kHz of the solar modules and the impedance as a characteristic response profile with their specific impedance profile, the signature, for different material qualities, component defects, aging stages and other characteristic features the solar cell modules is evaluated.
  • the characteristic response profile with its signature measured after installation of the system or solar modules is intended to express that the measured impedance as a function of the frequency has at least one characteristic value which depends on changing parameters of the solar cell or solar cell module or solar cell module.
  • interconnected solar cell modules also changed in order then to be able to make a material-specific characterization of the change. This method is particularly important for changes occurring relatively early after commissioning, which can lead to a reduction in the output of the system.
  • This relates in particular to effects on the basis of dielectric double layers on the emitter side of solar cells, which are formed by the migration of mobile ions from the glass or the encapsulating material and their cause in the solubility of glass components, in particular alkali ions by the action of acetic acid from the EVA Encapsulating material that may have formed under the influence of moisture and UV radiation.
  • the double layer can cause the formation of apparently low parallel resistances R p (FIG. 4) in the solar module, or their connection to solar generators, which manifest themselves in the impedance spectrum as a change in the phase angle.
  • Fig. 1a is a first block diagram of interconnected to a solar generator
  • Fig. Lb is a second block diagram of interconnected to a solar generator
  • Fig. 2a is a third block diagram of interconnected to a solar generator
  • Fig. 2b is a fourth block diagram of interconnected to a solar generator
  • Fig. 3 shows a first impedance spectrum
  • Fig. 4 is an equivalent circuit diagram
  • Fig. 5 shows a second impedance spectrum
  • Fig. 6 is a schematic diagram of a measuring arrangement.
  • FIG. la, 2a A first embodiment of this invention is shown in Figure la, 2a, the supply of an alternating voltage with variable frequency generator 111 in the terminals 112, 113 of a wiring arrangement of solar modules 114.
  • the impedance spectrum 100 measured here with the impedance Z as a function of frequency f is exemplified in Figure 3, with the location the maxima and minima are characteristic of the design, the execution and the material specific compositions. Changes due to external or internal influences lead to a characteristic change in the impedance spectrum, as exemplified by curve 102.
  • the alternating voltage U can be between 10 V and 2000 V and the frequency range f between 1 kHz and 2000 kHz.
  • a second embodiment differs from the first by short-circuiting the two terminals and measuring the impedance spectrum to ground ( Figure 1b), the AC generator 211, the terminals 212 and 213 and the interconnected solar modules 214.
  • the spectrum 114 according to Figure 4 results by way of example in which the change (spectrum 115) is primarily determined by the capacitive leakage currents and the inductances contained in this path. This applies in particular to the formation of an increased conductivity within the encapsulation materials, which may have been caused by external influences in interaction with the materials of the solar modules or within their interconnection.
  • Figures 2a and 2b are further block diagrams to be taken from solar to ver switched solar modules.
  • n-solar modules are connected in series. Plus and minus pole of the series-connected solar modules is connected to an alternating voltage generator.
  • an AC generator is connected to the DC side of an inverter.
  • the influence on the possible changes in the impedance spectrum can additionally be caused in this application by the wiring materials and contacts used for series and / or parallel connection.
  • FIG. 6 shows an embodiment of a device with which the impedance measurement can be performed.
  • This consists in principle of an AC voltage generator 311, which acts on the solar cell modules with an AC voltage variable frequency and a suitable impedance meter 315, and a suitable measuring means 316 for determining occurring phase shifts and a Ausirelogik 317, which is capable of occurring changes in the impedance spectrum quantitatively capture.
  • the changes in the frequency position of selected impedance maxima and / or minima, as well as their phase position, determined in this way are processed by the evaluation logic to form suitable signals which enable a cause-appropriate visualization of the changes.
  • the temporal evolution of the changes be tracked by storing measurement results recorded at different times in order to then compare them and to make the material - specific characterization or changes of the component (s) from differences between the measurement results to determine.
  • the determined differences between the measurement results is the measured variable as an indicator. This is determined with the determined electrical performance data of the solar modules or the total Solar generator compared and used in relation to the root cause analysis for yield deviating from the expectation.
  • solar module or solar cell module also includes a plurality of solar cell modules and in particular to a solar generator connected solar cell modules and vice versa.

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur materialspezifischen Charakterisierung zumindest eines Solarzellenmoduls. Ein entsprechendes Verfahren soll derart weitergebildet werden, dass zeitliche Änderungen in den in dem Solarzellenmodul verwendeten Materialien, durch äußere und innere Ursachen verursacht, rechtzeitig vor dem Auftreten größerer Schäden erkannt werden. Zur Lösung sieht die Erfindung vor, dass das Solarzellenmodul durch eine Wechselspannung über einen weiten Frequenzbereich angeregt wird und die Impedanz des Solarzellenmoduls als Funktion des Frequenzgangs gemessen wird.

Description

Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung von zumindest einem Solarzellenmo- dul
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Charakterisierung, insbesondere materialspezifischen Charakterisierung von zumindest einem Solarzellenmodul oder einer Verschaltung von Solarzellenmodulen zu einem Solargenerator. Auch nimmt die Erfindung Bezug auf eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.
Zur Charakterisierung und Produktionskontrolle von Halbleiterbauelementen, d.h. Solarzellen und -module, werden verschiedene Messeverfahren angewendet. Standardverfahren für Dioden wie auch Solarzellen und Modulen ist die Ermittlung der Strom- Spannungs-Kennlinien (UI) mit und ohne Beleuchtung in Vorwärts- und Rückwärtsrichtung des Stromflusses, die Beleuchtungen im Dauerbetrieb oder mit Lichtblitzen, die unter definierten Lichtbedingungen die abgegebene Leistung der Bauteile, wenn es sich um Solarzellen und Module handelt, aufzeichnen. Minderleistungen lassen sich so ermitteln, ohne die Ursachen hierfür interpretieren zu können.
Solarmodule werden bezüglich ihres Lebensdauerverhaltens standardisierten Tests unterworfen, die sicherstellen sollen, dass sie ihre Aufgabe 20 Jahre erfüllen können (Gewährleistung). Diese Tests wurden auf der Basis umfangreicher Felduntersuchungen ausgearbeitet und haben sich beim Einsatz dieser Solarmodule in mittleren klimatischen Breiten bewährt.
Die Durchführung solcher Tests zur Zertifizierung neuer Produkte ist in den Standards IEC 61215, IEC 61646, ICE 62108 und UL 1703 festgelegt. Diese Tests sind jedoch nicht in der Lage, Veränderungen an den Solarmodulen, insbesondere wenn diese zu Solar generatoren bzw. Solarkraftwerken mit Leistungen bis zu mehreren MW im Feld verschaltet sind, festzustellen und möglicherweise entstehende Schäden rechtzeitig zu erkennen. Weitere Verfahren bestehen in der Durchführung von Photo- und Elektro-Lumineszenz- Messungen, mit denen topographische Untersuchungen an flächenhaften Halbleiterbauelementen durchgeführt werden können und die Hinweise auf Ursachen einer Minderleistung oder auf Fehler in einem Bauteil geben können. Besonders sind dies Volumenfehler oder Kontaktfehler im Halbleiterbauelement. Nachteilig hierbei ist, dass die Bauteile nur einzeln untersucht werden können und dazu in ein Messlabor gebracht werden müssen. Dies bedeutet, dass die Untersuchung von zeitlichen Veränderungen an und in verschalteten Halbleiterbauelementen wie Solarmodulen in Generatoren oder Kraftwerken nur mit großem Aufwand, d. h. mit Demontage vor Ort, Transport zum Messlabor und Wiedermontage am jeweiligen Einsatzort möglich ist.
Aus DE-B-10 2006 052 295 ist ein Verfahren bekannt, bei dem durch Einleiten eines Wechselstromes in die Anschlussleitungen eines Photovoltaikgenerators Änderungen in der elektrischen Installation erkannt werden können. Ziel dieser Erfindung ist die Detek- tion von entstehenden Lichtbögen als Folge von schadhaften elektrischen Verbindungen innerhalb der Installation sowie das Erkennen von Diebstählen. Mit dem beschriebenen Verfahren können Diebstähle von Solarmodulen aus Solaranlagen nachts erkannt werden.
Die US-A-2007/0159209 bezieht sich auf ein Verfahren zur Ermittlung der Kapazi- tätscharakteristika des Gate-Oxids eines MOS-Transistors mittels Impedanzmessung.
Der Veröffentlichung DE.Z.:„Aparative Methoden der physikalischen Chemie", Impedanzmikroskopie, Funke, Kapitel 2, sind Grundlagen der Impedanzmikroskopie zur Materialcharakterisierung zu entnehmen.
In der US-Z.: Journal of Applied Physics, 102, PROSKURYAKOV et al..„Impedance spectroscopy of unetched CdTe/CdS solar cells - equivalent circuit analysis" werden die Eigenschaften von Solarzellen mittels Impedanzspektroskopie ermittelt. Entsprechendes ergibt sich auch aus den Literaturstellen H. BAYHAN und A.S. KAVASOGLU:„Study of CdS/Cu(In,Ga)Se2 heterojunction interface using admittance and impedance spec- troscopy" in: Solar Energy 80 (2006), S. 1160 - 1164 und R. KERN et al:„Modeling and Interpretation of electrical impedance spectra of dye solar cells operated under open-circuit conditions" in: Electrochimica Acta 47 (2002), S. 4213 - 4225.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Detektion materialspezifischer Änderungen in einzelnen und/oder verschalteten Solarmodulen aufzuzeigen, dass zeitliche Änderungen in den verarbeiteten Materialen der Module und deren Verschaltung, bewirkt durch äußere und innere Ursachen, rechtzeitig vor dem Auftreten größerer Schäden erkannt werden. Auch soll eine reguläre Qualitätskontrolle der produzierten Module und ihre Installation in einem Solargenerator neben der Messung der erzeugten Leistung ermöglicht werden.
Die Aufgabe wird erfindungs gemäß im Wesentlichen dadurch gelöst, dass Solarzellenmodule oder zu einer Gruppe verschaltete Solarzellenmodule ausgewählt und durch eine Wechselspannung über einen weiten Frequenzbereich angeregt werden und dass die Impedanz als Funktion des Frequenzganges gemessen wird. Diese Messungen werden in gewissen zeitlichen Abständen wiederholt. Die von einer Messung zur nächsten festgestellten Veränderung der Messdaten ist ein Indiz für Veränderungen in den verwendeten Materialien oder der Verschaltung des Solargenerators. Sie signalisieren daher Veränderungen von zumindest einer materialspezifischen Größe aus der Gruppe Qualität, Funktionsfehler, Herstellungsfehler, Zustand, Alterungsverhalten, Delamination, Korrosionsproblem, Kontaktproblem des Solarmoduls oder der zu einem Solar generator verschalteten Solarmodule.
In Abhängigkeit von den inneren und äußeren Induktivitäten, Kapazitäten und Widerständen, die durch die Materialkombination, den Alterungszustand und die äußere Verschaltung bedingt sind, ergibt sich für die individuellen Solarmodule bzw. den Solargenerator ein charakteristischer Frequenzgang der Impedanz (Impedanzspektrum), das für ein gegebenes Design der Bauelemente bzw. der Anlage und die durch äußere und innere Einflüsse hervorgerufenen Veränderungen charakteristisch ist. Diese äußeren und inneren Einflüsse sind z. B. die UV-Einstrahlung, Temperatur, Temperaturänderungen, die Konzentration von Feuchte und Dauer ihrer Einwirkung sowie ihre Änderung und dadurch veranlasste chemische Reaktionen im Inneren des Materialverbundes sowie an äußeren Komponenten.
Unter chemischen Reaktionen im Inneren können beispielhaft Wechselwirkungen des Einkapselungsmaterials wie z. B. EVA mit Feuchte und daraus entstehende Säuren, insbesondere Essigsäure, verstanden werden, die mit den weiteren Modulmaterialien wie dem Frontglas, den eingebetteten Solarzellen oder der metallischen Verschaltung weitere Reaktionen durchführen. Bei chemischen Reaktionen an den Solarzellen kann es sich um Korrosionsvorgänge an elektrisch leitenden Komponenten wie der Metallisierung an den Solarzellenoberflächen handeln. Bei Reaktionen im äußeren Bereich können Kontaktdurchführungen auf der Rückseite der Module, z. B. in deren Anschlussdosen, betroffen sein.
Es wurde überraschend gefunden, dass sich diese durch innere und äußere Einflüsse hervorgerufenen Veränderungen in Änderungen des charakteristischen Kurvenverlaufs des Impedanz Spektrums manifestieren. Diese Veränderungen bestehen vorrangig in Frequenz- und Phasenverschiebungen charakteristischer Maxima und Minima innerhalb des Impedanzspektrums, die mit der zeitlichen Entwicklung der Veränderungen in den Solarmodulen bzw. des gesamten Solar generators einhergehen.
Ein besonderer Vorteil der erfindungsgemäßen Lehre ist die Möglichkeit den zeitlichen Verlauf von materialspezifischen Veränderungen in großflächig verschalteten Solarge- neratoren mit einer Ausdehnung von bis zu mehreren 1000 m festzustellen und durch Analyse der Komponenten des Scheinwiderstandes in seinen ohmschen Beitrag sowie in die induktiven bzw. kapazitive Beiträge bestimmte Schadensmechanismen ableiten zu können und beobachtete Einbußen der Anlagenleistung erklären zu können. Hierzu wird eine erfindungs gemäße Vorrichtung vorgeschlagen, die aus den festgestellten Veränderungen eine Messgröße für Veränderungen ableitet, die als Indikator dient. Die erfindungsgemäße Lehre bezieht sich auf einzelne Solarmodule, miteinander verschaltete und/oder in Wechselwirkung stehende Solarmodule in jedweder Verschalungsart, Bau- und Ausführungsform.
Insbesondere ist erfindungsgemäß vorgesehen, dass der Verlauf der Impedanz als Funktion einer zwischen Plus- und Minuspol angelegten Wechselspannung an den in Serie, parallel oder in Matrix verschalteten Modulen bzw. verschaltetem Modulstring in direktem Kontakt (Abb. 2a) oder an der Gleichspannungsseite entsprechender Wechselrichter (Abb. 2b) in einem weiten Frequenzbereich gemessen wird und das charakteristische Antwortprofil mit seiner Signatur bestimmt wird.
Bevorzugterweise ist vorgesehen, dass das Solarzellenmodul oder die verschalteten Solarzellenmodule durch eine Wechselspannung U mit 10V < U < 2000 V über einen weiten Frequenzbereich f zwischen 1 kHz und 2000 kHz angeregt wird bzw. werden.
Insbesondere zeichnet sich die Erfindung auch dadurch aus, dass der Verlauf der Impedanz als Funktion einer zwischen kurzgeschlossenem Plus- und Minuspol des Solarzellenmoduls oder der verschalteten Solarzellenmodule und Masse angelegten Wechselspannung an den Modulen, in Serie parallel oder in Matrix verschalteten Modulstring in direktem Kontakt oder an der Gleichspannungsseite entsprechender Wechselrichter in einem weiten Frequenzbereich gemessen wird und das charakteristische Antwortprofil mit seiner Signatur bestimmt wird. Vorzugsweise wird dieses Verfahren in nächtlichen Stunden angewendet, in denen der Solargenerator keine elektrische Energie erzeugt. Eine Anwendung bei Sonneneinstrahlung ist ebenfalls möglich. Allerdings wird das Antwortprofil dann an spezifischen Stellen des Impedanz Spektrums durch die arbeitenden Solarzellen in den Modulen systematisch beeinflusst. Dies trifft insbesondere auf den Frequenzbereich zwischen 100 kHz und 300 kHz bei Anlagengrößen im Bereich von ca. 40 kW zu, während das Spektrum bei höheren Frequenzen weniger stark betroffen ist.
Kennzeichnend für die Erfindung ist des Weiteren, dass das charakteristische Antwortprofil der Impedanz, seine Signatur, als Funktion des Designs, d. h. seiner Geometrie und der materialspezifischen Zusammensetzung der Solarmodule bzw. der Solargeneratoren mit ihrer Verschaltung bestimmt wird.
Insbesondere ist vorgesehen, dass die zeitliche Veränderung des charakteristischen Antwortprofils der Impedanz zur Charakterisierung des Alterungsverhaltens des oder der Solarzellenmodule bzw. des Solar generators im Vergleich zu seinem Ausgangszustand bzw. ihren Ausgangszuständen bestimmt wird.
In hervorzuhebender Weise sieht die Erfindung vor, dass der Verlauf der Impedanz als Funktion von Temperatur und Temperaturwechseln, der Feuchte und ihren Konzentrationsänderungen im Modulaufbau sowie der Konzentration von chemischen Spalt- und Nebenprodukten in dem oder den Solarzellenmodulen bestimmt und zur Charakterisierung der Qualität, von Funktions- und/oder Herstellungsfehlern und des Zustandes des oder der Solarzellenmodule in Folge von Alterungserscheinungen verwendet wird, bevor offensichtliche Leistungseinbußen beobachtet werden. Die Methode dient in diesem Sinne zur Ermittlung von Frühindikatoren.
Des Weiteren zeichnet sich die Erfindung dadurch aus, dass Veränderungen im Verlauf der Impedanz durch Einwirkungen von Temperatur, der Feuchte, der Konzentration von chemischen Spalt- und Nebenprodukten, wie sie im Feld durch klimatische Einflüsse entstehen können, bestimmt und spezifischen Veränderungen wie z. B. des elektrischen Widerstandes, der Kapazität und Induktivität in dem Solarzellenmodul und seiner Verschaltung, der Höhe der Leckströme in dem Solarzellenmodul und/oder seinen Ver- schaltungen zugeordnet werden.
Insbesondere ist auch vorgesehen, dass der Verlauf der Impedanz des oder der Solarzellenmodule zur Charakterisierung von entstehenden Veränderungen und zur frühen Erkennung von Fehlfunktionen wie Korrosions- und Kontaktproblemen, Delaminationen und damit einem nachhaltigen Nachlassen der Leistungsfähigkeit dient.
Auch zeichnet sich die Erfindung dadurch aus, dass die relative Änderung des Phasenwinkels des Antwortsignals relativ zur Ausgangssituation zu Beginn der Messungen festgestellt und als Signal für kapazitive bzw. induktive Änderungen in Solarzellenmodulen verwendet und mit diesen korreliert wird.
Aus einem Impedanz spektrum an sich können vorrangig Veränderungen innerhalb des Zellverbands von Solarmodulen detektiert werden. Dies können Veränderungen des ohmschen Widerstandes aufgrund von zunehmenden Kontaktwiderständen in der Metallisierung der Solarzellen oder ihrer Verschaltung innerhalb des Solarmoduls wie auch in der äußeren Verschaltung sein.
Aus der Veränderung von Impedanzspektren, die im zeitlichen Abstand zueinander gemessen worden sind, können dagegen vorrangig Veränderungen der Dielektrizitätskonstante der Module detektiert werden. Diese Änderungen gehen mit der Aufnahme von Feuchte, Temperaturänderungen, Änderungen der Isolationsfestigkeit der Ein- kapselungsmaterialien bzw. der Zunahme der Leitfähigkeit in den Einkap seiung smateri- alien einher.
Die gezielte Anwendung beider Verfahren gestattet die Eingrenzung der schadensverursachenden Phänomene, die sich pauschal in einer geringeren Anlagenleistung zeigen.
Eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens zeichnet sich dadurch aus, dass ein Wechselspannungsgenerator, ein Impedanzmessgerät, ein Gerät zur Erfassung auftretender Phasenverschiebungen, eine Auswertelogik zur Berechnung einer Messgröße als Indikator für die stattgefundenen Veränderungen zusammengeschaltet und mit einer geeigneten Ausgabeeinheit verbunden sind.
Es werden zu verschiedenen Zeitpunkten aufgenommene Messergebnisse abgespeichert, um diese sodann zu vergleichen und aus Unterschieden zwischen den Messergebnissen die materialspezifische Charakterisierung bzw. Veränderung des bzw. der Solarzellenmodulen vorzunehmen bzw. festzustellen. Die Unterschiede zwischen den Messergebnissen sind somit die berechnete Messgröße und damit der Indikator. Aufgrund der erfindungsgemäßen Lehre wird bzw. werden die Solarmodule bzw. Solargeneratoren im freien Feld bzw. als Teil von Gebäuden durch ein einfaches und schnell anzuwendendes Messverfahren in seinen bzw. ihren materialspezifischen Eigenschaften charakterisiert und beurteilt. Durch die erfindungsgemäßen Verfahrensmaßnahmen und Vorrichtung werden sowohl Aussagen über die Qualität nach Herstellung der Bauteile, bei Inbetriebnahme und im weiteren Verlauf des Betriebes der Anlagen ermöglicht. Wesentlich ist dabei, dass eine Wechselspannungsanregung über einen weiten Frequenzbereich von wenigstens 1 kHz bis 2000 kHz des bzw. der Solarmodule erfolgt und die Impedanz als charakteristisches Antwortprofil mit ihrem spezifischen Impedanzprofil, der Signatur, für unterschiedliche Materialqualitäten, Bauteilfehler, Alterungs Stadien und andere charakteristische Merkmale der Solarzellenmodulen ausgewertet wird.
Das nach Installation der Anlage bzw. der Solarmodule gemessene charakteristische Antwortprofil mit seiner Signatur soll zum Ausdruck bringen, dass die gemessene Impedanz in Abhängigkeit von der Frequenz zumindest einen charakteristischen Wert aufweist, der sich in Abhängigkeit von sich ändernden Parametern der Solarzelle bzw. Solarzellenmodul bzw. verschalteten Solarzellenmodule gleichfalls verändert, um sodann aus der Veränderung eine materialspezifische Charakterisierung vornehmen zu können. Wichtig ist diese Methode insbesondere für relativ früh nach der Inbetriebnahme auftretende Veränderungen, die zu einer Leistungsreduzierung der Anlage führen können. Dies betrifft insbesondere Effekte auf der Basis von dielektrischen Doppelschichten auf der Emitterseite von Solarzellen, die durch die Migration von beweglichen Ionen aus dem Glas oder dem Einkapselungsmaterial gebildet werden und ihre Ursache in der Löslichkeit von Glaskomponenten, insbesondere Alkaliionen durch die Einwirkung von Essigsäure aus dem EVA-Einkapselungsmaterial haben, die sich unter der Einwirkung von Feuchte und UV-Strahlung gebildet haben können. Die Doppelschicht kann in Abhängigkeit von der Morphologie der Solarzellenbeschichtung die Ausbildung scheinbar niedriger Parallelwiderstände Rp (Abb. 4) im Solarmodul, bzw. deren Ver- schaltung zu Solargeneratoren bewirken, die sich im Impedanzspektrum als Änderung des Phasenwinkels manifestieren. Weitere Einzelheiten, Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich nicht nur aus den Ansprüchen, den diesen zu entnehmenden Merkmalen - für sich und/oder in Kombination-, sondern auch aus der nachfolgenden Beschreibung von der Zeichnung zu entnehmenden Ausführungsbeispielen.
Es zeigen:
Abb. la ein erstes Blockschaltbild von zu einem Solargenerator verschalteten
Solarmodulen,
Abb. lb ein zweites Blockschaltbild von zu einem Solargenerator verschalteten
Solarmodulen,
Abb. 2a ein drittes Blockschaltbild von zu einem Solar generator verschalteten
Solarmodulen,
Abb. 2b ein viertes Blockschaltbild von zu einem Solar generator verschalteten
Solarmodulen,
Abb. 3 ein erstes Impedanz spektrum,
Abb. 4 ein Ersatzschaltbild,
Abb. 5 ein zweites Impedanz spektrum und
Abb. 6 eine Prinzipdarstellung einer Messanordnung.
Ein erstes Ausführungsbeispiel dieser Erfindung ist entsprechend Abbildung la, 2a die Einspeisung einer Wechselspannung mit variabler Frequenz mittels eines Wechselspannung s generator 111 in die Anschlüsse 112, 113 einer Verschaltungsanordnung von Solarmodulen 114. Das hierbei gemessene Impedanzspektrum 100 mit der Impedanz Z als Funktion der Frequenz f ist beispielhaft in Abbildung 3 wiedergegeben, wobei die Lage der Maxima und Minima charakteristisch für das Design, die Ausführung und die materialspezifischen Zusammensetzungen sind. Veränderungen durch äußere oder innere Einflüsse führen zu einer charakteristischen Veränderung des Impedanzspektrums, wie beispielhaft die Kurve 102 verdeutlicht. Eine Zuordnung der Ursache für die Veränderung des Solarzellenmoduls zu der Änderung des Impedanzspektrums liegt in dem materialspezifischen Einfluss auf die kapazitiven C und induktiven L Anteile im Ersatzschaltbild der Anordnung, sowie die Veränderungen der Widerstände Rp und Rs wie dies beispielhaft in Abbildung 4 wiedergegeben ist. Dabei bedeutet ipn = Photostrom, io = Diodenstrom, Rs = Serienwiderstand, mit dem alle Effekte zusammengefasst sind, durch die ein höherer Gesamtwiderstand entsteht, RP = Parallelwiderstand, der Kristallfehler, nicht ideale Dotierungsverteilung, lokale Kurzschlüsse und andere Materialdefekte symbolisiert, durch die Verlustströme entstehen, I = Gesamtstromstärke und U = Spannung.
Die Wechselspannung U kann zwischen 10 V und 2000 V und dem Frequenzbereich f zwischen 1 kHz und 2000 kHz liegen.
Ein zweites Ausführungsbeispiel unterscheidet sich gegenüber dem ersten durch Kurzschließen der beiden Anschlüsse und Messen des Impedanzspektrums gegenüber Masse (Abbildung lb), mit dem Wechselspannungsgenerator 211, der Anschlüsse 212 und 213 und den verschalteten Solarmodulen 214. Es ergibt sich beispielhaft das Spektrum 114 nach Abbildung 4, wobei die Veränderung (Spektrum 115) durch die kapazitiven Ableitströme und die in diesem Pfad enthaltenden Induktivitäten vorrangig bestimmt werden. Dies gilt insbesondere für die Ausbildung einer erhöhten Leitfähigkeit innerhalb der Einkapselungsmaterialien, die durch äußere Einflüsse in Wechselwirkung mit den Materialien der Solarmodule bzw. innerhalb deren Verschaltung entstanden sein können.
Den Abbildungen 2a und 2b sind weitere Blockschaltbilder von zu Solargeneratoren ver schalteten Solarmodulen zu entnehmen. In Abbildung 2a sind n-Solarmodule in Reihe verschaltet. Plus- und Minuspol der in Serie verschalteten Solarmodule ist an einen Wechselspannungsgenerator angeschlossen. Gemäß Abbildung 2b ist an der Gleichspannungsseite eines Wechselrichters ein Wechselspannungsgenerator angeschlossen. Durch Anlegen einer Wechselspannung zwischen 10 V und 2000 V an die in Serie verschalteten n-Solarmodule über einen Frequenzbereich zwischen 1 kHz und 2000 kHz wird das charakteristische Antwortprofil des Modulstrings, also seine Signatur, ermittelt.
Der Einfluss auf die möglichen Veränderungen im Impedanzspektrum kann in diesem Anwendungsfall zusätzlich durch die Verschaltungsmaterialien und -kontakte, die zur Serien- und/oder Parallelschaltung eingesetzt werden, verursacht sein.
Abbildung 6 zeigt eine Ausführungsform einer Vorrichtung, mit der die Impedanzmessung durchgeführt werden kann. Diese besteht prinzipiell aus einem Wechselspannung sgenerator 311, der die Solarzellenmodule mit einer Wechselspannung variabler Frequenz beaufschlagt und einem geeigneten Impedanzmessgerät 315, sowie einem geeigneten Messmittel 316 zu Bestimmung von auftretenden Phasenverschiebungen sowie einer Auswertelogik 317, die in der Lage ist die auftretenden Veränderungen im Impedanzspektrum quantitativ zu erfassen. Die auf diese Weise festgestellten Veränderungen der Frequenzlage von ausgewählten Impedanzmaxima und/oder -minima, sowie deren Phasenlage werden durch die Auswertelogik zu als Indikator dienenden geeigneten Signalen verarbeitet, die eine ursachengerechte Visualisierung der Veränderungen ermöglichen.
Dabei ist vorgesehen, die zeitliche Entwicklung der Veränderungen dadurch zu verfolgen, dass Messergebnisse, die zu verschiedenen Zeitpunkten aufgenommen werden, abgespeichert werden, um diese sodann zu vergleichen und aus Unterschieden zwischen den Messergebnissen die materialspezifische Charakterisierung bzw. Veränderungen des bzw. der Bauelemente vorzunehmen bzw. festzustellen. Die ermittelten Unterschiede zwischen den Messergebnissen ist die Messgröße als Indikator. Diese wird mit den ermittelten elektrischen Leistungsdaten der Solarmodule oder dem gesamtheitlichen Solar generator verglichen und in Bezug auf die Ursachenanalyse für von der Erwartung abweichende Erträge verwendet.
Anzumerken ist, dass der Begriff Solarmodul bzw. Solarzellenmodul auch mehrere Solarzellenmodule und insbesondere zu einem Solar generator verschaltete Solarzellenmodule einschließt und umgekehrt.

Claims

Verfahren zur Charakterisierung, insbesondere materialspezifischen Charakterisierung von Solarmodulen oder einer Verschaltung von Solarmodulen zu einem Solar generator,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Solarmodul oder deren Verschaltung zu einem Solargenerator durch eine Wechselspannung über einen weiten Frequenzbereich angeregt wird, dass die Impedanz der Solarmodule oder des Solargenerators als Funktion des Frequenzgangs gemessen wird und die zeitliche Änderung der ermittelten Messergebnisse zur Charakterisierung von Veränderungen von zumindest einer materialspezifischen Größe aus der Gruppe Qualität, Funktionsfehler, Herstellungsfehler, Zustand, Alterungsverhalten, Delamination, Korrosionsproblem, Kontaktproblem verwendet wird.
Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
dass Messergebnisse von zu verschiedenen Zeitpunkten durchgeführten Impedanzmessungen verglichen und aus den Abweichungen zwischen den Messergebnissen die materialspezifische Charakterisierung erfolgt.
Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Solarzellenmodul oder die verschalteten Solarzellenmodule durch eine Wechselspannung U mit 10 V < U < 2000V und über einen Frequenzbereich f zwischen 1 kHz und 2000 kHz angeregt wird bzw. werden.
4. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
dass der Verlauf der Impedanz als Funktion einer zwischen Plus- und Minuspol angelegten Wechselspannung in einem weiten Frequenzbereich gemessen wird und das charakteristische Antwortprofil mit seiner Signatur bestimmt wird.
5. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass der Verlauf der Impedanz als Funktion einer zwischen kurzgeschlossenem Plus- und Minuspol und Masse angelegten Wechselspannung in einem weiten Frequenzbereich gemessen wird und das charakteristische Antwortprofil mit seiner Signatur bestimmt wird.
6. Verfahren nach zumindest einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass das charakteristische Antwortprofil der Impedanz als Funktion des Designs, d.h. seiner Geometrie und seiner materialspezifischen Zusammensetzung, von dem Solarzellenmodul bzw. den verschalteten Solarzellenmodulen bestimmt wird bzw. werden.
7. Verfahren nach zumindest einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass das charakteristische Antwortprofil der Impedanz zur Charakterisierung des Alterungsverhaltens des Solarzellenmoduls bzw. der verschalteten Solarzellenmodule im Vergleich zu seinem bzw. ihrem Ausgangszustand bestimmt wird.
8. Verfahren nach zumindest einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass der zeitliche Verlauf der Impedanz als Funktion von zumindest einem Parameter aus der Gruppe Temperatur, Temperaturwechseln, Feuchte und ihren Konzentrationsänderungen, UV-Einstrahlung, Konzentration von chemischen Spalt- und Nebenprodukten in dem Solarzellen bzw. den Solarzellenmodulen bestimmt und zur Charakterisierung von zumindest einem Parameter aus der Gruppe Qualität, Funktions- und/oder Herstellungsfehlern, Zustand des oder der Solarzellenmodule in Folge von Alterungserscheinungen verwendet wird.
9. Verfahren nach zumindest einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass Veränderungen im Verlauf der Impedanz durch Einwirkungen von Temperatur und/oder Feuchte und/oder UV-Einstrahlung und/oder Konzentration von chemischen Spalt- und Nebenprodukten, wie diese im Feld durch klimatische Einflüsse entstehen können, bestimmt und spezifischen Veränderungen wie des elektrischen Widerstandes und/oder der Kapazität und/oder Dielektrizitätskonstanten und/oder Induktivität in den Solarmodulen und ihrer Verschaltung und/oder Höhe der Leckströme in den Solarmodulen und/oder ihren Verschaltungen zugeordnet werden.
10. Verfahren nach zumindest einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass der Verlauf der Impedanz der Solarmodule und/oder ihrer Verschaltung zur Charakterisierung von entstehenden Veränderungen und zur frühen Erkennung von Fehlfunktionen wie Korrosions- und Kontaktproblemen, elektronischen Umlagerangsphänomenen wie Permeationsvorgängen und/oder Delaminationen und damit einem nachhaltigen Nachlassen der Leistungsfähigkeit dient.
11. Verfahren nach zumindest einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Phasenverschiebung des Antwortsignals relativ zum Ausgangssignal festgestellt und als Signal für kapazitive bzw. induktive Änderungen in dem oder den Solarzellenmodulen oder deren Verschaltung verwendet und mit diesen korreliert wird. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach zumindest einem der Ansprüche 1- 11,
dadurch gekennzeichnet,
dass ein Wechselspannungsgenerator (311), ein Impedanzmessgerät (315), ein Gerät zur Erfassung auftretender Phasenverschiebungen (316), eine Auswertelogik (317) zur Berechnung einer Messgröße als Indikator für die stattgefundenen Veränderungen zusammengeschaltet und mit einer geeigneten Ausgabeeinheit verbunden sind.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012152284A1 (en) * 2011-05-11 2012-11-15 Emazys Technologies Aps Method for fault diagnosis on solar modules
WO2012159652A1 (en) * 2011-05-20 2012-11-29 Sma Solar Technology Ag Method and system for detecting an arc fault in a power circuit
DE102012105807B3 (de) * 2012-07-02 2013-11-07 Sma Solar Technology Ag Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung und Signalisierung einer Modultechnologie eines Photovoltaikgenerators
WO2015144390A1 (de) * 2014-03-24 2015-10-01 Sma Solar Technology Ag Verfahren und vorrichtung zum detektieren und signalisieren eines kontaktfehlers innerhalb eines photovoltaikmoduls
JP2016131470A (ja) * 2015-01-15 2016-07-21 日東工業株式会社 太陽光発電設備の異常検出システム
CN112789489A (zh) * 2018-09-27 2021-05-11 西门子能源全球有限两合公司 具有减少的老化的光伏装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6016292B2 (ja) * 2011-10-13 2016-10-26 デクセリアルズ株式会社 太陽電池用測定治具及び太陽電池セルの出力測定方法
DK201470457A1 (en) * 2014-07-18 2016-02-01 Emazys Technologies Aps Method and System of Fault Detection and Localisation in DC-Systems
CN105915178A (zh) * 2016-04-07 2016-08-31 阿特斯(中国)投资有限公司 光伏器件ip等级测试方法
DE102017112256A1 (de) * 2017-06-02 2018-12-06 Sma Solar Technology Ag Verfahren zur erkennung eines kontaktfehlers in einer photovoltaikanlage

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070159209A1 (en) 2005-12-29 2007-07-12 Chul Soo Kim Method of measuring capacitance characteristics of a gate oxide in a mos transistor device
US20070257681A1 (en) * 2006-05-04 2007-11-08 Christophersen Jon P Method and apparatus for in-situ characterization of energy storage and energy conversion devices
EP1918727A1 (de) * 2006-11-03 2008-05-07 SMA Technologie AG Verfahren zur Überwachung eines Photovoltaikgenerators

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2943133B2 (ja) * 1994-04-30 1999-08-30 キヤノン株式会社 絶縁状態測定方法、絶縁状態判定装置及びそれを用いた分散型発電装置
US8110416B2 (en) * 2007-12-24 2012-02-07 Texas Instruments Incorporated AC impedance spectroscopy testing of electrical parametric structures

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070159209A1 (en) 2005-12-29 2007-07-12 Chul Soo Kim Method of measuring capacitance characteristics of a gate oxide in a mos transistor device
US20070257681A1 (en) * 2006-05-04 2007-11-08 Christophersen Jon P Method and apparatus for in-situ characterization of energy storage and energy conversion devices
EP1918727A1 (de) * 2006-11-03 2008-05-07 SMA Technologie AG Verfahren zur Überwachung eines Photovoltaikgenerators
DE102006052295B3 (de) 2006-11-03 2008-06-12 Sma Technologie Ag Verfahren und Schaltungsanordnung zur Überwachung eines Photovoltaikgenerators

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ABOUS-RAS D ET AL: "Charakterisierung von Dünnschichtsolarzellen", GALVANOTECHNIK, EUGEN G.LEUZE VERLAG, SAULGAU/WURTT, DE, vol. 100, no. 9, 1 September 2009 (2009-09-01), pages 2088 - 2092, XP001549631, ISSN: 0016-4232 *
H. BAYHAN; A.S. KAVASOGLU: "Study of CdS/Cu(In,Ga)Se2 heterojunction interface using admittance and impedance spec troscopy", SOLAR ENERGY, vol. 80, 2006, pages 1160 - 1164
PROSKURYAKOV ET AL.: "Impedance spectroscopy of unetched CdTe/CdS solar cells - equivalent circuit analysis", JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 102
PROSKURYAKOV Y ET AL: "Impedance spectroscopy of unetched CdTe/CdS solar cellsâ equivalent circuit analysis", JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS. NEW YORK, US, vol. 102, no. 2, 19 July 2007 (2007-07-19), pages 24504 - 24504, XP012101315, ISSN: 0021-8979, DOI: DOI:10.1063/1.2757011 *
R. KERN ET AL.: "Modeling and interpretation of electrical impedance spectra of dye solar cells operated under open-circuit conditions", ELECTROCHIMICA ACTA, vol. 47, 2002, pages 4213 - 4225

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2707739A4 (de) * 2011-05-11 2015-04-01 Emazys Technologies Aps Verfahren zur fehlerdiagnose bei solarmodulen
WO2012152284A1 (en) * 2011-05-11 2012-11-15 Emazys Technologies Aps Method for fault diagnosis on solar modules
EP2707739A1 (de) * 2011-05-11 2014-03-19 Emazys Technologies Aps Verfahren zur fehlerdiagnose bei solarmodulen
CN103733510A (zh) * 2011-05-11 2014-04-16 伊玛齐斯技术有限责任公司 太阳能组件的故障诊断方法
JP2014514582A (ja) * 2011-05-11 2014-06-19 イメジース テクノロジーズ アーペーエス ソーラモジュールに関する故障診断のための方法
WO2012159652A1 (en) * 2011-05-20 2012-11-29 Sma Solar Technology Ag Method and system for detecting an arc fault in a power circuit
US9535104B2 (en) 2011-05-20 2017-01-03 Sma Solar Technology Ag Method and system for detecting an arc fault in a power circuit using frequency response
WO2014006003A1 (de) * 2012-07-02 2014-01-09 Sma Solar Technology Ag Verfahren und vorrichtung zur bestimmung und signalisierung einer modultechnologie eines photovoltaikgenerators
DE102012105807B3 (de) * 2012-07-02 2013-11-07 Sma Solar Technology Ag Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung und Signalisierung einer Modultechnologie eines Photovoltaikgenerators
WO2015144390A1 (de) * 2014-03-24 2015-10-01 Sma Solar Technology Ag Verfahren und vorrichtung zum detektieren und signalisieren eines kontaktfehlers innerhalb eines photovoltaikmoduls
JP2016131470A (ja) * 2015-01-15 2016-07-21 日東工業株式会社 太陽光発電設備の異常検出システム
CN112789489A (zh) * 2018-09-27 2021-05-11 西门子能源全球有限两合公司 具有减少的老化的光伏装置
CN112789489B (zh) * 2018-09-27 2023-12-01 西门子能源全球有限两合公司 具有减少的老化的光伏装置

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