WO2011016331A1 - 半導体加工用シート - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor processing sheet, and more particularly, to a semiconductor processing sheet comprising a plastic sheet containing a pigment.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and is caused by a blended pigment that causes deterioration of sheet thickness accuracy in a film forming process of a film for an adhesive sheet for semiconductor processing in a process for manufacturing a semiconductor device.
  • An object of the present invention is to provide a semiconductor processing pressure-sensitive adhesive sheet capable of minimizing internal contamination of a die lip and the like, and partial blockage of an opening of the die lip and the like.
  • the semiconductor processing sheet of the present invention is a semiconductor processing sheet comprising a base material layer containing a pigment-containing plastic sheet as a core layer, wherein the pigment-free layer is formed on the outermost main surface of the core layer. It is characterized by arranging.
  • positioned at the outermost layer of one main surface of a core layer is formed of an adhesive layer.
  • the outermost layer of at least one main surface is made of the same plastic material as that of the core layer. It is preferably applied as a protective sheet for wafer back grinding.
  • the present invention it is possible to minimize the contamination of the inner surface of the film-forming die due to the pigment contained in the film while ensuring the visibility of the semiconductor processing sheet in the process for manufacturing a semiconductor device.
  • partial blockage of the die lip opening due to pigment contamination can be reduced, and as a result, deterioration of sheet thickness accuracy due to pigment adhesion can be effectively prevented.
  • the semiconductor processing sheet of the present invention includes at least a base material layer.
  • This base material layer includes a plastic sheet containing a pigment as a core layer, and a pigment-free layer is arranged on the outermost layer on the front and back main surfaces of the core layer.
  • the semiconductor processing sheet refers to a sheet used for various processing in a semiconductor process. By attaching this semiconductor processing sheet to a workpiece such as a wafer made of silicon, SiC, GaN, GaAs or the like, a protective sheet (during dicing, CMP, etching, etc.) or a dicing sheet can be used as the front and back surfaces. It can be used for various processes such as polishing sheets.
  • the semiconductor processing sheet of the present invention preferably includes not only a base material layer but also one or two or more pressure-sensitive adhesive layers for fixing to a wafer, a manufacturing apparatus, or the like.
  • one or more various layers may be provided in order to impart various functions.
  • the semiconductor processing sheet of the present invention effectively prevents pigment contamination, particularly when used as a protective sheet for circuit surfaces, such as a wafer back grinding protective sheet that is used by being directly attached to a circuit in a wafer. be able to.
  • the core layer in the base material layer imparts the self-supporting property of the semiconductor processing sheet.
  • polyolefins such as polyethylene and polypropylene (specifically, low density polyethylene, linear low density polyethylene, high density polyethylene, Stretched polypropylene, non-stretched polypropylene, ethylene-propylene copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester copolymer, etc.), Rubber component-containing polymers such as polyurethane, polytetrafluoroethylene, polyimide, polyamide, acetal resin, polyester, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, fluororesin, polystyrene, styrene-butadiene copolymer, etc .; glass ⁇ can be formed by a plastic sheet made of reinforced with plastic nonwoven fiber resin or the like.
  • the core layer is generally molded containing various additives. Therefore, the core layer contains a pigment.
  • the pigment is a white or colored powder that is insoluble in water, oil or the like, and includes both organic pigments and inorganic pigments. Generally used as a colorant for printing inks, paints, plastics, rubber, etc., but has a function as an extender, color developer, or for adjusting the constitution (coloring power, hue, electrical insulation, etc.) Is also included.
  • the composition of the pigment itself is not particularly limited, but usually contains a metal element. Such metal elements take various forms such as compounds, complexes or ions, but in particular, the complexes are likely to cause undesirable contamination by pigments. Examples of the metal element contained in the pigment include copper, iron, titanium, magnesium, manganese, aluminum, cobalt, zinc, silver, gold, nickel, chromium, tin, and palladium.
  • the thickness of the core layer is not particularly limited, and can be appropriately adjusted so as to have a strength that can function as a base material layer of a semiconductor processing sheet.
  • a strength that can function as a base material layer of a semiconductor processing sheet For example, about 10 to 400 ⁇ m is suitable, and about 30 to 250 ⁇ m is preferable.
  • the non-pigmented layer is arrange
  • the semiconductor processing sheet of the present invention causes pigment contamination, particularly metal elements (particularly, complexes, etc.) due to pigments in the outermost layer on the surface that directly contacts the wafer surface, manufacturing equipment, manufacturing equipment, etc.
  • the layer to get is not arranged.
  • the front and back main surfaces refer to the front and back surfaces in which a sheet-like core layer having a thickness extends two-dimensionally.
  • the pigment-free layer is contaminated on the inner surface of a film-forming device or the like due to the blended pigment in the film-forming process of the film.
  • partial clogging for example, internal contamination of die lip and the like, and partial clogging of the opening of die lip and the like thereby
  • the non-pigmented layer contains substantially no pigment.
  • containing no pigment in the pigment-free layer means that no pigment (for example, a metal element) is contained in all the materials used as the raw material of the pigment-free layer.
  • contamination derived from the pigment on the surface, or adhesion of the pigment to the surface can be substantially prevented or almost prevented.
  • the inside of the manufacturing equipment, the manufacturing apparatus, for example, the inner surface of the film-forming die lip, etc. is visually determined.
  • a method is mentioned.
  • muscle etc. in the surface of the film formed through the film forming die lip etc. is mentioned.
  • the transferred material for example, metal
  • the outermost surface of the pigment-free layer to the semiconductor workpiece for example, the mirror surface of a silicon wafer
  • ICP-MS inductively coupled plasma mass spectrometry
  • the metal on the surface of the semiconductor workpiece is measured to be 1.0 ⁇ 10 10 atoms / cm 2 or less. Further, depending on the accuracy of the measuring apparatus, it is suitable that it is about 1 ⁇ 10 10 atoms / cm 2 or less, and is preferably less than the measurement limit.
  • any of the commonly used devices, procedures, conditions, etc. can be used for the ICP-MS measurement method.
  • a semiconductor processing sheet is attached to a semiconductor workpiece (for example, wafer: 100 mm thickness), a constant load rubber roller (for example, 2 kg) is reciprocated once on the sheet, and then the sheet is peeled off.
  • a constant load rubber roller for example, 2 kg
  • the entire oxide film on the surface where the sheet of the semiconductor workpiece is attached / peeled is etched with an appropriate etchant, for example, hydrofluoric acid.
  • the total amount of the liquid obtained by etching is collected in an evaporating dish, heated and evaporated to dryness, and the residue is dissolved in an acid to obtain a test liquid for measurement.
  • the obtained measurement sample solution is measured by ICP-MS.
  • the element mass (ng) obtained by the measurement is divided by, for example, the atomic weight of Cu (or the above-described metal element) and converted to the number of moles, and converted to the number of atoms by multiplying by the Avogadro number.
  • This value, etched semiconductor workpiece target area (e.g., 78.5 cm 2) divided by the, can be converted into the number of atoms per unit area (atoms / cm 2).
  • total reflection fluorescent X-ray or the like may be used in addition to ICP-MS.
  • the measured value of the metal is detected to be about 1 ⁇ 10 12 atoms / cm 2 or less, preferably about 1 ⁇ 10 11 atoms / cm 2 or less. More preferably, it is measured as below the limit.
  • X-ray photoelectron spectroscopy may be used.
  • the non-pigmented layer is, for example, the same as the material constituting the core layer described above unless a pigment, particularly, a metal element is contained. These materials can be appropriately selected and used. Especially, it is preferable that the pigment non-containing layer arrange
  • the thickness of the non-pigmented layer is not particularly limited, and a layer that can function as a base material layer of a semiconductor processing sheet is preferable. Moreover, it can adjust suitably so that the spreading
  • the non-pigmented layer may be disposed between the adhesive layer generally laminated in the adhesive sheet for semiconductor processing, but may be the adhesive layer itself.
  • the non-pigmented layer when the non-pigmented layer is disposed on the pressure-sensitive adhesive layer side or as the pressure-sensitive adhesive layer, it is possible to more reliably prevent contamination of the semiconductor workpiece with the pigment derived from the core layer. it can.
  • contamination of the inner surface of the extruder by the outermost layer containing a metallic pigment can be reduced, and thickness accuracy can be improved.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, such as a thermoplastic resin, a thermosetting resin, or a combination of a thermoplastic resin and a thermosetting resin, and is described in, for example, JP-A-2008-91765.
  • a pressure-sensitive adhesive usually used in the art can be used.
  • the resin raw material and various additives which comprise an adhesive layer do not contain a pigment.
  • thermoplastic resins include rubber polymers (natural rubber such as polyisoprene, butyl rubber, styrene-butadiene rubber, polybutadiene, butadiene-acrylonitrile, and synthetic rubber such as chloroprene rubber), ethylene-vinyl acetate copolymer. , Ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polycarbonate resin, thermoplastic polyimide resin, polyamide resin such as 6-nylon and 6,6-nylon, phenoxy resin, acrylic resin, PET, PBT, etc. Saturated polyester resin, polyamideimide resin or fluororesin. Among them, an acrylic resin that has few ionic impurities and high heat resistance and can ensure the reliability of the semiconductor element is particularly preferable.
  • Examples of the monomer component constituting the (meth) acrylic polymer include alkyl (meth) acrylates having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, preferably 4 to 18 carbon atoms.
  • These (meth) acrylic polymers optionally include polyfunctional monomers, monomers and / or oligomers having an energy ray-curable functional group such as a carbon-carbon double bond, a polymerization initiator, light for the purpose of crosslinking. You may add a polymerization initiator, a crosslinking agent, etc.
  • thermosetting resin examples include phenol resin, amino resin, unsaturated polyester resin, epoxy resin, polyurethane resin, silicone resin, and thermosetting polyimide resin.
  • an epoxy resin containing a small amount of ionic impurities that corrode semiconductor elements is preferable.
  • area may be used suitably for an adhesive layer, the thing in which a pigment does not contain is suitable for these additives.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited as long as sufficient adhesive strength can be ensured. Further, for example, it is preferable to adjust so that the diffusion, penetration, adhesion, and the like of the pigment from the core layer in the manufacturing process of the semiconductor processing pressure-sensitive adhesive sheet can be effectively prevented. For example, about 5 to 300 ⁇ m is exemplified.
  • the structure of the sheet for semiconductor processing of the present invention includes (1) a pigment-free layer / core layer / adhesive layer, (2) a pigment-free layer / core layer / pigment-free layer / adhesive layer, (3) Various laminated structures such as pressure-sensitive adhesive layer / pigment-free layer / core layer / pigment-free layer / pressure-sensitive adhesive layer can be employed.
  • the film thickness of each of these layers can be in the above-described range, but depending on the laminated state, it functions as an original sheet for semiconductor processing and also functions to prevent contamination by the pigment due to the core layer. It is preferable to set the thickness to be obtained.
  • the semiconductor processing sheet of the present invention can be formed by a method for manufacturing a semiconductor processing sheet known in the art. For example, first, a core layer and a pigment-free layer are prepared. Each of these layers may be prepared by separately forming into a sheet shape and may be laminated, or may be prepared by forming integrally using an extruder.
  • the adhesive layer is laminated on the base material layer.
  • the pressure-sensitive adhesive layer may be directly laminated or coated on the core layer or the pigment-free layer, or the adhesive is coated on the process sheet coated with the release agent, dried, and then the adhesive.
  • a transfer coating method in which the layer is laminated on the core layer or the pigment-free layer may be used.
  • the non-pigmented layer, the core layer, and the pressure-sensitive adhesive layer may be arranged in this order and co-extrusion laminated.
  • Such a sheet for semiconductor processing of the present invention usually has performance required by the sheet for semiconductor processing, for example, strength of base layer, elasticity, tensile storage elastic modulus, elongation rate, tensile strength, adhesive strength, peel strength. These performances can be exhibited by appropriately selecting materials, additives, thickness, laminated structure, lamination method, etc. used for each layer.
  • Example 1 As raw materials, 0.05 parts by weight of phthalocyanine copper powder as a pigment with respect to EVA resin (ethylene-vinyl acetate copolymer resin, vinyl content 10%, P1007 manufactured by Mitsui DuPont) and 99.95 parts by weight of EVA resin The added resin was prepared. Three layers of EVA resin and pigment-containing resin (as an intermediate layer) were extruded using a single screw extruder to obtain a sheet for forming a base material layer. In the obtained sheet, the pigment-containing resin layer was 80 ⁇ m thick, and the EVA resin layers on both sides were 10 ⁇ m thick (total thickness: 100 ⁇ m).
  • EVA resin ethylene-vinyl acetate copolymer resin, vinyl content 10%, P1007 manufactured by Mitsui DuPont
  • 99.95 parts by weight of EVA resin The added resin was prepared. Three layers of EVA resin and pigment-containing resin (as an intermediate layer) were extruded using a single screw extruder to obtain a sheet
  • an acrylic pressure-sensitive adhesive (added 3 parts of an isocyanate cross-linking agent (Coronate L) to a toluene solution polymer polymerized with 100 parts of BA / 10 parts of AA) was applied to a silicone-treated polyester film at a thickness of 15 ⁇ m. It dried and produced the adhesive layer transfer sheet.
  • the pressure-sensitive adhesive layer side of the pressure-sensitive adhesive layer transfer sheet was attached to the sheet forming the base material layer obtained above, and the pressure-sensitive adhesive layer was transferred to prepare a pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor processing.
  • Example 2 As raw materials, a resin in which 0.05 part by weight of copper azomethine yellow powder was added as a pigment to an LDPE resin (high pressure method low density polyethylene, molecular weight: 3.4 ⁇ 104) and 99.95 parts by weight of LDPE resin was prepared.
  • the LDPE resin and the pigment-containing resin (as an intermediate layer) were extruded with a single-screw extruder to obtain a sheet for forming a base material layer.
  • the pigment-containing resin layer was 80 ⁇ m thick, and the LDPE resin layers on both sides were 10 ⁇ m thick (total thickness: 100 ⁇ m).
  • the pressure-sensitive adhesive layer side of the pressure-sensitive adhesive layer transfer sheet as in Example 1 was attached to the sheet forming the base material layer obtained above, and the pressure-sensitive adhesive layer was transferred to produce a pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor processing. .
  • Example 3 As a raw material, LDPE resin (high pressure method low density polyethylene, molecular weight: 3.4 ⁇ 104) and resin in which 0.05 part by weight of copper azomethine yellow powder as a pigment is added to 99.95 part by weight of LDPE resin are uniaxial. Two layers were extruded with an extruder to obtain a sheet for forming a base material layer. In the obtained sheet, the pigment-containing resin layer was 80 ⁇ m thick, and the LDPE resin layer was 20 ⁇ m thick (total thickness: 100 ⁇ m).
  • Example 4 As a raw material, a polypropylene resin is used as an intermediate layer with a resin obtained by adding 0.05 parts by weight of a copper azomethine yellow powder as a pigment to 99.95 parts by weight of a hydrogenated styrene-based thermoplastic elastomer resin (“Tough Tech H1052” manufactured by Asahi Kasei).
  • a sheet on which a base material layer was formed by extruding three layers with a single screw extruder was obtained.
  • the pigment-containing resin layer was 80 ⁇ m thick
  • the polypropylene resin layers on both sides were 10 ⁇ m thick (total thickness: 100 ⁇ m).
  • the pressure-sensitive adhesive layer side of the pressure-sensitive adhesive layer transfer sheet as in Example 1 was attached to the sheet forming the base material layer obtained above, and the pressure-sensitive adhesive layer was transferred to produce a pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor processing. .
  • Example 5 As a raw material, 0.05 part by weight of copper azomethine yellow powder was added as a pigment to 99.95 parts by weight of EVA resin (ethylene-vinyl acetate copolymer resin, vinyl content 10%, P1007 manufactured by Mitsui DuPont). The resin and the LDPE resin were subjected to three-layer extrusion with a single screw extruder so that the pigment-containing resin was an intermediate layer to obtain a sheet for forming a base material layer. In the obtained sheet, the pigment-containing resin layer was 80 ⁇ m thick, and the LDPE resin layers on both sides were 10 ⁇ m thick (total thickness: 100 ⁇ m).
  • EVA resin ethylene-vinyl acetate copolymer resin, vinyl content 10%, P1007 manufactured by Mitsui DuPont.
  • the resin and the LDPE resin were subjected to three-layer extrusion with a single screw extruder so that the pigment-containing resin was an intermediate layer to obtain a sheet for forming a base
  • the acrylic pressure-sensitive adhesive was prepared by dissolving 20 g of the polymer obtained in Reference Example 1 of JP-A-2001-234136 in 80 g of ethyl acetate and adding 0.2 g of a polyisocyanate compound and 0.4 g of a polyfunctional epoxy compound. Stir until. The solution was applied onto a film substrate made of a polyester film having a thickness of 50 ⁇ m and dried in a drying oven at 70 ° C. and 130 ° C. for 3 minutes, respectively, to form an adhesive layer having a thickness of 35 ⁇ m. The pressure-sensitive adhesive layer side of the pressure-sensitive adhesive layer transfer sheet as in Example 1 was attached to the sheet forming the base material layer obtained above, and the pressure-sensitive adhesive layer was transferred to produce a pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor processing. .
  • Comparative Example 1 Using a resin obtained by adding 0.04 parts by weight of phthalocyanine copper powder as a pigment to 99.96 parts by weight of EVA resin as a raw material, one layer is extruded with a single screw extruder to obtain a sheet for forming a base material layer It was. In the obtained sheet, the pigment-containing resin layer was 100 ⁇ m thick. The pressure-sensitive adhesive layer side of the pressure-sensitive adhesive layer transfer sheet as in Example 1 was attached to the sheet forming the base material layer obtained above, and the pressure-sensitive adhesive layer was transferred to produce a pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor processing. .
  • the amount of copper transferred from the front and back surfaces of each sheet to the wafer was measured by ICP-MS.
  • a semiconductor processing sheet was first attached to a silicon wafer (mirror surface, 100 mm thickness), a 2 kg constant load rubber roller was reciprocated once from the top of the sheet, and then the sheet was peeled off.
  • the entire oxide film on the sheet sticking / peeling side of the silicon wafer was etched with an appropriate hydrofluoric acid.
  • the liquid obtained by etching was collected in an evaporating dish, heated and evaporated to dryness, and the residue was dissolved in an acid to obtain a measurement test solution. Subsequently, the obtained measurement sample solution was measured by ICP-MS.
  • the element mass (ng) obtained by the measurement is divided by the atomic weight of Cu to be converted into the number of moles, and is converted to the number of atoms by multiplying the Avogadro number. This value is converted into the area of the etched silicon wafer (for example, 78 by dividing .5cm 2), it was converted to the number of atoms per unit area (atoms / cm 2).
  • the copper transfer amount was measured to be below the detection limit in ICP-MS on both the substrate layer side surface and the adhesive layer side surface of the obtained adhesive sheet for semiconductor processing. Make sure it will be.
  • This measurement is a value measured by the method described above.
  • the measured value of the metal is about 1 ⁇ 10 12 atoms / cm 2 or less and 16 atomic% or less, respectively.
  • the semiconductor processed sheet of the present invention contains a pigment and can be widely used for a film forming apparatus resulting from this, for example, a pressure sensitive adhesive sheet having a concern that the inner surface of a die lip is contaminated.

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Abstract

　半導体装置製造用のプロセスにおける半導体加工用シートの視認性を確保しながら、半導体装置製造用のプロセスにおける半導体加工用粘着シート用のフィルムの製膜工程において、配合顔料に起因するダイリップ等の内面汚染及びそれによるダイリップ等の開口部の部分閉塞等を最小限に抑えることができる半導体加工用粘着シートを提供することを目的とする。顔料を含有するプラスチックシートをコア層として含む基材層を備える半導体加工用シートであって、前記基材層が、前記コア層の表裏主面の最外層に、前記顔料非含有層を配置してなる半導体加工用シート。

Description

半導体加工用シート
　本発明は、半導体加工用シートに関し、より詳細には、顔料を含有するプラスチックシートを含んでなる半導体加工用シートに関する。
　従来から、半導体装置の製造方法において用いられる半導体装置製造用の粘着シートでは、半導体ウェハに貼着した際に視認性を付与するために、顔料が添加されていた（例えば、特許文献１）。
　しかし、粘着シートに含有される顔料が、粘着シートの最外層に移動又は付着することがあり、これによって、製造設備、製造装置内部、例えば、フィルム製膜用ダイリップ等の内面を汚染するという懸念があった。
特開２００５－１９１２９６号公報
　本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、半導体装置製造用のプロセスにおける半導体加工用粘着シート用のフィルムの製膜工程において、シート厚み精度悪化の原因となる、配合した顔料に起因するダイリップ等の内面汚染及びそれによるダイリップ等の開口部の部分閉塞等を最小限に抑えることができる半導体加工用粘着シートを提供することを目的とする。
　本発明の半導体加工用シートは、顔料を含有するプラスチックシートをコア層として含む基材層を備える半導体加工用シートであって、前記コア層の表裏主面の最外層に、前記顔料非含有層を配置してなることを特徴とする。
　このような半導体加工用シートでは、
　コア層の一方主面の最外層に配置された顔料非含有層が、粘着剤層によって形成されることが好ましい。
　少なくとも一主面の最外層が、コア層と同じプラスチック材料からなることが好ましい。
　ウェハ裏面研削用保護シートとして適用されることが好ましい。
　本発明によれば、半導体装置製造用のプロセスにおける半導体加工用シートの視認性を確保しながら、フィルムに含まれる顔料に起因するフィルム製膜用ダイの内面汚染を最小限に抑えることができる。これによって、顔料汚染によるダイリップ開口部の部分閉塞を低減し、その結果、顔料付着に起因するシートの厚み精度の悪化を有効に防止することができる。
　本発明の半導体加工用シートは、少なくとも基材層を含む。この基材層は、顔料を含有するプラスチックシートをコア層として含み、このコア層の表裏主面の最外層に、顔料非含有層が配置されて構成されている。
　ここで、半導体加工用シートとは、半導体プロセスにおける種々の加工に用いられるシートを指す。この半導体加工用シートを、シリコン、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＧａＡｓ等からなるウェハ等の被加工物に貼着することにより、保護シート（ダイシング時、ＣＭＰ時、エッチング時等）又はダイシングシートとして、表裏面研磨用シート等の種々のプロセスに用いることができる。本発明の半導体加工用シートは基材層を備えるのみならず、ウェハ、製造装置等に固定するために、１層又は２層以上の粘着剤層を備えていることが好ましい。また、種々の機能を付与するために、粘着剤層以外に、１層以上の各種層を備えていてもよい。
　本発明の半導体加工用シートは、特に、ウェハにおける回路に直接貼着して使用されるウェハ裏面研削用保護シート等、回路面等の保護シートとして用いた場合に、有効に顔料汚染を防止することができる。
　基材層におけるコア層は、半導体加工用シートの自立性を付与するものであり、例えば、ポリエチレンおよびポリプロピレンなどのポリオレフィン（具体的には、低密度ポリエチレン、直鎖低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、延伸ポリプロピレン、非延伸ポリプロピレン、エチレン－プロピレン共重合体、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル共重合体等）、ポリウレタン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイミド、ポリアミド、アセタール樹脂、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、フッ素樹脂、ポリスチレン、スチレン－ブタジエン共重合体等のゴム成分含有ポリマー等；ガラス繊維又はプラスチック製不織繊維で強化された樹脂等からなるプラスチックシートによって形成することができる。
　ここで、「（メタ）アクリル」は、「アクリル」及び「メタクリル」の双方を意味する。
　コア層は、一般に、種々の添加剤を含有して成形されている。よって、コア層には顔料が含まれている。なお、顔料は、水、油等に不溶の白色又は有色の粉体であり、有機顔料及び無機顔料の双方を含む。一般には、印刷インク、塗料及びプラスチック、ゴム等の着色剤として用いられるが、増量剤、展色剤として、あるいは体質(着色力、色相、電気絶縁性等)を調節するための機能を有するものも含まれる。顔料の組成自体は、特に限定されないが、通常、金属元素を含有している。このような金属元素は、化合物、錯体又はイオン等の種々の形態を採るが、特に、錯体が、顔料による望ましくない汚染を引き起こしやすい。顔料に含まれる金属元素は、例えば、銅、鉄、チタン、マグネシウム、マンガン、アルミニウム、コバルト、亜鉛、銀、金、ニッケル、クロム、錫、パラジウム等が例示される。
　コア層の厚みは、特に限定されるものではなく、半導体加工用シートの基材層として機能し得る程度の強度等を備えるように、適宜調整することができる。例えば、１０～４００μｍ程度が適しており、３０～２５０μｍ程度が好ましい。
　顔料非含有層は、コア層の表裏主面の双方の最外層に配置されている。つまり、本発明の半導体加工用シートは、ウェハ表面、製造設備、製造装置内部等に直接接触する面における最外層において、顔料汚染、特に、顔料に起因する金属元素（特に、錯体等）をもたらし得る層を配置していない。
　ここでの表裏主面とは、厚みをもったシート状のコア層が二次元に拡張している表面及び裏面を指す。
　このように、コア層の表裏主面の最外層に顔料非含有層を配置することにより、顔料非含有層が、フィルムの製膜工程において、配合した顔料に起因する製膜装置等の内面汚染及び部分閉塞等（例えば、ダイリップ等の内面汚染及びそれによるダイリップ等の開口部の部分閉塞等）を最小限に抑え、さらに、コア層における顔料に由来する基材層表面の汚染を防止又は遮断することができる。
　そのために、顔料非含有層は、顔料を実質的に含有しない。そして、このような機能を効果的に実現するために、コア層の材料及び厚みのみならず、顔料非含有層の材料、厚み及び位置、後述する粘着剤層の材料及び厚み等の種々の要因のバランスを図っている。
　顔料非含有層において顔料を含有しないとは、顔料非含有層の原料として用いる全ての材料において顔料（例えば、金属元素）が含まれていないことを意味する。また、半導体加工用シートとして製造された際に、その表面に、顔料に由来する汚染が、あるいはその表面への顔料の付着が、実質的に阻止又はほとんど阻止され得ることを意味する。
　顔料に由来する汚染又は付着が実質的にない又はほとんどないことの判断手法としては、上述したように、製造設備、製造装置内部、例えば、フィルム製膜用ダイリップ等内面自体を目視して判断する方法が挙げられる。
　また、フィルム製膜用ダイリップ等を通して製膜されるフィルムの表面における筋等の有無を目視にて判断する方法が挙げられる。
　さらに、半導体加工用シートを半導体被加工対象物に適用し、剥離した後、顔料非含有層の最外面から半導体被加工対象物（例えば、シリコンウェハのミラー面）への転写物（例えば、金属）を、ＩＣＰ－ＭＳ（誘導結合プラズマ質量分析法）により測定した場合に、半導体被加工対象物表面における金属が１．０×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下と測定されることが挙げられる。また、測定装置の精度によっては、１×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２程度以下であることが適しており、測定限界以下であることが好ましい。
　ここで、ＩＣＰ－ＭＳの測定方法は、通常使用されている装置、手順、条件等のいずれも利用することができる。具体的には、
　（１）まず、半導体加工用シートを半導体被加工対象物（例えば、ウェハ：１００ｍｍ厚）に貼着し、シート上から定加重ゴムローラー（例えば、２ｋｇ）を一往復させ、その後、シートを剥離する。
　（２）次いで、半導体被加工対象物のシートを貼着／剥離した表面の酸化膜を全量適当なエッチャント、例えば、フッ酸でエッチングする。エッチングにより得られた液は、全量蒸発皿に採取し、加熱・蒸発乾固し、残渣を酸に溶解して、測定供試液を得る。
　（３）続いて、得られた測定供試液を、ＩＣＰ－ＭＳにより測定する。
　（４）測定で得られた元素質量(ｎｇ)を、例えば、Ｃｕ（又は上述した金属元素）の原子量で除してモル数に換算し、アボガドロ数を乗じて原子数に変換する。この値を、エッチングした半導体被加工対象物面積(例えば、７８．５ｃｍ２)で除することにより、単位面積当たりの原子数（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）に換算することができる。
　また、別の判断手法として、ＩＣＰ－ＭＳ以外に、全反射蛍光Ｘ線等を使用してもよい。
　これらの方法においては、それぞれ、金属の測定値が１×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ２程度以下と検出されることが適しており、１×１０１１ａｔｏｍｓ／ｃｍ２程度以下であることが好ましく、検出限界以下と測定されることがより好ましい。
　さらに別の判断手法として、Ｘ線光電子分光法を使用してもよい。この場合、半導体加工用シートを半導体被加工対象物へ貼着し、４０℃にて１日間放置し、剥離した際に、顔料非含有層から半導体被加工対象物に対して転写した有機物転写量、つまり、半導体被加工対象物表面の有機物転写量を、アルバックファイ社製のmodel５４００を用いて測定した場合に、５ａｔｏｍｉｃ％以上、かつ１６ａｔｏｍｉｃ％以下と測定されることが好ましい。
　上述した、顔料の加工対象物等への拡散等を防止するために、顔料非含有層は、例えば、顔料、特に、金属元素が含有されていない限り、上述したコア層を構成する材料と同様の材料のなかから適宜選択して用いることができる。なかでも、コア層の表裏の主面の少なくとも一方に配置する顔料非含有層は、コア層を構成する材料と同様の材料によって形成されていることが好ましい。
　顔料非含有層の厚みは、特に限定されるものではなく、半導体加工用シートの基材層としての機能をはたし得るものが好ましい。また、半導体加工用シートの製造過程におけるコア層からの顔料の拡散、浸透、付着等を有効に防止し得るように、適宜調整することができる。例えば、０．５～２５０μｍ程度が例示される。
　特に、顔料非含有層は、半導体加工用粘着シートにおいて一般に積層されている粘着剤層との間に配置してもよいが、粘着剤層自体であってもよい。
　このように、顔料非含有層を、粘着剤層側に又は粘着剤層として配置する場合には、コア層に由来する顔料による半導体被加工対象物への汚染を、より確実に防止することができる。例えば、コア層が顔料非含有層にはさまれた状態で押出成形する場合には金属性顔料含有の最外層による押出機の内面汚染を低減することができ、厚み精度を向上させることができるのみならず、被貼付材料への顔料汚染をも防止することができる。
　粘着剤層は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを併用したものなど、特に限定されるものではなく、例えば、特開２００８－９１７６５号公報等に記載されている当該分野で通常用いられる粘着剤を使用することができる。なお、粘着剤層を構成する樹脂原料、各種添加剤には、顔料が含有されていないことが好ましい。
　例えば、熱可塑性樹脂としては、ゴム系ポリマー（ポリイソプレン等の天然ゴム、ブチルゴム、スチレン－ブタジエンゴム、ポリブタジエン系、ブタジエン-アクリロニトリル系、クロロプレン系ゴム等の合成ゴム）、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－アクリル酸エステル共重合体、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６－ナイロンや６，６－ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂又はフッ素樹脂等が挙げられる。なかでも、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。
　（メタ）アクリル系ポリマーを構成するモノマー成分としては、炭素数３０以下、好ましくは炭素数４～１８の直鎖又は分岐のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレートが挙げられる。これらの（メタ）アクリル系ポリマーには、任意に、架橋を目的として多官能モノマー、炭素－炭素二重結合等のエネルギー線硬化性の官能基を有するモノマー及び／又はオリゴマー、重合開始剤、光重合開始剤、架橋剤等を加えてもよい。
　熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。なかでも、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。
　なお、粘着剤層には、当該分野で使用される添加剤を適宜用いてもよいが、これらの添加剤には、顔料が含有されないものが適している。
　粘着剤層の厚みは、特に限定されるものではなく、十分な接着強さを確保することができるものであればよい。また、例えば、半導体加工用粘着シートの製造過程におけるコア層からの顔料の拡散、浸透、付着等を有効に防止し得るように調整することが好ましい。例えば、５～３００μｍ程度が例示される。
　このように、本発明の半導体加工用シートの構成は、（１）顔料非含有層／コア層／粘着剤層、（２）顔料非含有層／コア層／顔料非含有層／粘着剤層、（３）粘着剤層／顔料非含有層／コア層／顔料非含有層／粘着剤層等のような種々の積層構造を採ることができる。
　なお、これらの各層の膜厚は、上述した範囲とすることができるが、積層状態によって、半導体加工用シートとして本来の機能を果たし、かつコア層に起因する顔料による汚染を防止する機能を果たし得る厚みに設定することが好ましい。
　本発明の半導体加工用シートは、当技術分野で公知の半導体加工用シートの製造方法によって形成することができる。例えば、まず、コア層、顔料非含有層を準備する。これらの層は、それぞれ別個にシート状に成形して準備し、積層してもよいし、押出機を用いて一体的に成形して準備してもよい。
　任意に、粘着剤層を基材層に積層する。この場合、直接コア層又は顔料非含有層に粘着剤層を積層または塗布等してもよいし、接着剤を、剥離剤が塗布されたプロセスシートにコーティングし、乾燥し、その後、その接着剤層をコア層又は顔料非含有層に積層するトランスファーコーティング法を利用してもよい。また、顔料非含有層、コア層、粘着材層をこの順に配置し、同時押出積層してもよい。ただし、この場合には、粘着剤層によってダイリップを汚染しないように、粘着剤層に顔料を配合しないことが好ましい。つまり、コア層の両側に顔料非含有層を配置した状態で一体的に形成することが好ましい。
　コーティングする場合には、例えば、リバースロールコーティング、グラビアコーティング、カーテンスプレーコーティング、ダイコーティング、押出および他の工業的に応用されるコーティング法など、種々の方法を利用することができる。
　このような本発明の半導体加工用シートは、通常、半導体加工用シートが必要とする性能、例えば、基材層の強度、弾性、引張貯蔵弾性率、伸び率、引張強度、接着強度、剥離強度等の種々の性能を備えており、これらの性能は、各層に用いる材料、添加剤、厚み、積層構造、積層方法等を適宜選択することにより発揮させることができる。
　本発明の半導体加工用シートの実施例を以下に詳しく説明する。
　実施例１
　原料として、ＥＶＡ樹脂（エチレン－酢酸ビニル共重合樹脂、ビニル含有量１０％、三井デュポン(株)製Ｐ１００７）及びＥＶＡ樹脂９９．９５重量部に対して顔料としてフタロシアニン銅粉末０．０５重量部を添加した樹脂を準備した。ＥＶＡ樹脂と顔料含有樹脂（中間層として）とを、一軸押出成形機で３層押出して、基材層を形成するシートを得た。得られたシートでは、顔料含有樹脂層が８０μｍ厚、両側のＥＶＡ樹脂層が１０μｍ厚（全厚：１００μｍ）であった。
　また、シリコーン処理済みのポリエステルフィルムに、アクリル系粘着剤（ＢＡ１００部/ＡＡ１０部で重合したトルエン溶液ポリマーにイソシアネート架橋剤(コロネートＬ)３部を添加）を１５μｍ厚で塗布して、１２０℃で乾燥し、粘着剤層転写シートを作製した。
　粘着剤層転写シートの粘着剤層側を、上で得られた基材層を形成するシートに貼り付け、粘着剤層を転写して、半導体加工用粘着シートを作製した。
　実施例２
　原料として、ＬＤＰＥ樹脂（高圧法低密度ポリエチレン、分子量：３．４×１０４）及びＬＤＰＥ樹脂９９．９５重量部に対して顔料として銅アゾメチンイエロー粉末０．０５重量部を添加した樹脂を準備した。ＬＤＰＥ樹脂と顔料含有樹脂（中間層として）とを、一軸押出成形機で３層押出して、基材層を形成するシートを得た。得られたシートでは、顔料含有樹脂層が８０μｍ厚、両側のＬＤＰＥ樹脂層が１０μｍ厚（全厚：１００μｍ）であった。
　実施例１と同様の粘着剤層転写シートの粘着剤層側を、上で得られた基材層を形成するシートに貼り付け、粘着剤層を転写して、半導体加工用粘着シートを作製した。
　実施例３
　原料として、ＬＤＰＥ樹脂（高圧法低密度ポリエチレン、分子量：３．４×１０４）及びＬＤＰＥ樹脂９９．９５重量部に対して顔料として銅アゾメチンイエロー粉末０．０５重量部を添加した樹脂を用いて一軸押出成形機で２層押出して、基材層を形成するシートを得た。得られたシートでは、顔料含有樹脂層が８０μｍ厚、ＬＤＰＥ樹脂層が２０μｍ厚（全厚：１００μｍ）であった。
　粘着剤層を３０μｍとした以外、実施例１と同様の粘着剤層転写シートの粘着剤層側を、上で得られた基材層におけるＬＰＤＥ樹脂側に貼り付け、粘着剤層を転写して、半導体加工用粘着シートを作製した。
実施例４
　原料として、水添スチレン系熱可塑性エラストマー樹脂（旭化成製「タフテックＨ１０５２」）９９．９５重量部に対して顔料として銅アゾメチンイエロー粉末０．０５重量部を添加した樹脂を中間層として、ポリプロピレン樹脂を外層として、一軸押出成形機で３層押出して基材層を形成するシートを得た。得られたシートでは、顔料含有樹脂層が８０μｍ厚、両側のポリプロピレン樹脂層が１０μｍ厚（全厚：１００μｍ）であった。
　実施例１と同様の粘着剤層転写シートの粘着剤層側を、上で得られた基材層を形成するシートに貼り付け、粘着剤層を転写して、半導体加工用粘着シートを作製した。
実施例５
　原料として、ＥＶＡ樹脂（エチレン－酢酸ビニル共重合樹脂、ビニル含有量１０％、三井デュポン(株)製Ｐ１００７）９９．９５重量部に対して顔料として銅アゾメチンイエロー粉末０．０５重量部を添加した樹脂と、ＬＤＰＥ樹脂とを、顔料含有樹脂が中間層となるように、一軸押出成形機で３層押出して、基材層を形成するシートを得た。得られたシートでは、顔料含有樹脂層が８０μｍ厚、両側のＬＤＰＥ樹脂層が１０μｍ厚（全厚：１００μｍ）であった。アクリル系粘着剤は、特開２００１－２３４１３６中の参考例１で得られたポリマー２０ｇを酢酸エチル８０ｇ中に溶解し、ポリイソシアネート化合物０．２ｇ、多官能エポキシ化合物を０．４ｇ添加して均一になるまで攪拌した。その溶液を、厚さが５０μｍのポリエステルフィルムからなるフィルム基材上に塗布し、乾燥オーブンにて７０℃および１３０℃で各々３分間乾燥して、厚さが３５μｍの接着剤層を形成した。
　実施例１と同様の粘着剤層転写シートの粘着剤層側を、上で得られた基材層を形成するシートに貼り付け、粘着剤層を転写して、半導体加工用粘着シートを作製した。
　比較例１
　原料として、ＥＶＡ樹脂９９．９６重量部に対して顔料としてフタロシアニン銅粉末０．０４重量部を添加した樹脂を用いて、一軸押出成形機で１層押出して、基材層を形成するシートを得た。得られたシートでは、顔料含有樹脂層が１００μｍ厚であった。
　実施例１と同様の粘着剤層転写シートの粘着剤層側を、上で得られた基材層を形成するシートに貼り付け、粘着剤層を転写して、半導体加工用粘着シートを作製した。
　なお、上述した実施例及び比較例について、押出成形を連続して２４時間及び９６時間稼動させた場合のフィルム押出後のダイリップの汚染状態を測定した。
　また、実施例及び比較例で得られた半導体加工用シートについて、以下の項目について適時評価を行った。
　（ダイリップの汚染状態）
　フィルム製膜後に顔料非含有のＬＤＰＥ材料を等速で１０分流し、その後、ダイを分解し、リップ部分に対する顔料の付着有無を目視で確認した。
　（フィルムの厚さバラツキ）
　製膜後のフィルムについて、幅方向に１０ｍｍ間隔で１／１００００ダイヤルゲージにて厚みを測定した。
　（最大厚さ－最小厚さ）×１００÷（平均厚さ）＝厚さバラツキ（％）とした。
　（銅転写量）
　各シートの表裏面からウェハへの銅転写量を、ＩＣＰ－ＭＳにより測定した。
　ここでの測定方法は、まず、半導体加工用シートをシリコンウェハ（鏡面、１００ｍｍ厚）に貼着し、シート上から２ｋｇの定加重ゴムローラーを一往復させ、その後、そのシートを剥離した。次いで、シリコンウェハのシート貼着／剥離面側の酸化膜を全量適当なフッ酸でエッチングした。エッチングにより得られた液を、全量蒸発皿に採取し、加熱・蒸発乾固し、残渣を、酸に溶解して、測定供試液を得た。
　続いて、得られた測定供試液を、ＩＣＰ－ＭＳにより測定した。
　測定で得られた元素質量(ｎｇ)を、Ｃｕの原子量で除してモル数に換算し、アボガドロ数を乗じて原子数に変換し、この値を、エッチングしたシリコンウェハの面積(例えば、７８．５ｃｍ２)で除することにより、単位面積当たりの原子数（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）に換算した。
　得られた結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　なお、上述した実施例においては、得られた半導体加工用粘着シートの基材層側の面及び粘着剤層側の面のいずれにおいても、ＩＣＰ－ＭＳにおいて、銅転写量が検出限界以下と測定されることを確認している。この測定は、上述した方法によって測定した値である。また、全反射蛍光Ｘ線及びＸ線光電子分光法等においても、それぞれ、金属の測定値が１×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ２程度以下、１６ａｔｏｍｉｃ％以下となることを確認している。
　表１の結果から、本発明の実施例においては、顔料非含有層が基材層における最表面に配置されていることから、この半導体加工用粘着シートを半導体製造プロセスにおいて使用しても、製造設備、製造装置、ことに、ダイスリップ内面の顔料汚染を確実に防止することができ、ひいては、半導体加工用粘着シートの厚み精度を向上させることが可能となることがわかった。
　また、ダイスリップ内面の顔料汚染を有効に防止できることから、ダイスリップ等の洗浄工程を大幅に低減させることができ、連続的な製膜装置の稼動を実現することができる。
　さらに、被貼付材料への顔料汚染をも防止することができる。
　本発明の半導体加工シートは、顔料を含有し、これに起因する製膜装置、例えば、ダイリップ内面が汚染されるという懸念がある粘着シートに対して、広範に利用することができる。

Claims (4)

  1. 　顔料を含有するプラスチックシートをコア層として含む基材層を備える半導体加工用シートであって、前記コア層の表裏主面の最外層に、顔料非含有層を配置してなることを特徴とする半導体加工用シート。
  2. 　コア層の一方主面の最外層に配置された顔料非含有層が、粘着剤層によって形成される請求項１に記載の半導体加工用シート。
  3. 　少なくとも一主面の最外層が、コア層と同じプラスチック材料からなる請求項１又は２に記載の半導体加工用シート。
  4. 　ウェハ裏面研削用保護シートとして適用される請求項１～３のいずれか１つに記載の半導体加工用シート。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016148010A (ja) * 2015-02-13 2016-08-18 陳 鳳謙CHEN, Feng−Qian ポリエチレン粘着テープ

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8298041B2 (en) * 2010-10-08 2012-10-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for wafer back-grinding control
JP2013239502A (ja) * 2012-05-14 2013-11-28 Gunze Ltd ダイシング用基体フィルム
MY196409A (en) * 2015-10-21 2023-03-29 Furukawa Electric Co Ltd Surface Protection Adhesive Tape for Semiconductor Wafer Backgrinding, And Semiconductor Wafer Grinding Method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003173994A (ja) * 2001-09-27 2003-06-20 Mitsui Chemicals Inc 半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハの保護方法
JP2004107644A (ja) * 2002-07-26 2004-04-08 Nitto Denko Corp 加工用粘着シートとその製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3376198B2 (ja) * 1996-01-09 2003-02-10 日東電工株式会社 半導体ウエハの保護部材
JP2005068420A (ja) * 2003-08-07 2005-03-17 Mitsui Chemicals Inc 粘着シート
TW200800584A (en) * 2006-04-03 2008-01-01 Gunze Kk Surface protective tape used for back grinding of semiconductor wafer and base film for the surface protective tape
JP4875414B2 (ja) * 2006-06-23 2012-02-15 三井化学東セロ株式会社 半導体ウェハの裏面研削用粘着フィルム及びそれを用いた半導体ウェハの裏面研削方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003173994A (ja) * 2001-09-27 2003-06-20 Mitsui Chemicals Inc 半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハの保護方法
JP2004107644A (ja) * 2002-07-26 2004-04-08 Nitto Denko Corp 加工用粘着シートとその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016148010A (ja) * 2015-02-13 2016-08-18 陳 鳳謙CHEN, Feng−Qian ポリエチレン粘着テープ

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