WO2010087317A1

WO2010087317A1 - 非接触型受電装置

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Publication number: WO2010087317A1
Application number: PCT/JP2010/050932
Authority: WO
Inventors: 健栗原; 敬一市川
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2009-01-30
Filing date: 2010-01-26
Publication date: 2010-08-05
Also published as: US8723374B2; US20110278951A1

Abstract

　この非接触型受電装置（５）では、基板（６）のうちの磁性体シート（９）で覆われない第２領域（Ａ２）の配線は、基板（６）の表面に形成され、配線の長さ方向に配列された第１および第２の電極（ＥＬ１）と、基板（６）の裏面に形成された第３の電極（ＥＬ２）と、第１および第３の電極（ＥＬ１，ＥＬ２）の重なった部分を接続する第１のビアホール（ＶＨ）と、第２および第３の電極（ＥＬ１，ＥＬ２）の重なった部分を接続する第２のビアホール（ＶＨ）とを含む。したがって、配線で発生する渦電流のループを小さくして渦電流損を低減できる。

Description

非接触型受電装置

　この発明は非接触型受電装置に関し、特に、送電装置の送電コイルに対向して配置され、送電装置から電力を非接触で受ける非接触型受電装置に関する。

　従来より、電磁誘導を利用して非接触で電力を伝送する非接触型電力伝送システムが開発されている。この電力伝送システムでは、受電装置を送電装置の送電コイルに対向させて配置すると、送電装置の送電コイルと受電装置の受電コイルとが電磁誘導結合され、送電装置から受電装置に交流電力が非接触で伝送される。受電装置に伝送された交流電力は、受電装置に設けられた電力変換回路によって直流電力に変換され、負荷に供給される（たとえば、特開２００２－１０５３５号公報参照）。

特開２００２－１０５３５号公報

　しかし、従来の電力伝送システムでは、電力伝送効率が低いと言う問題があった。
　それゆえに、この発明の主たる目的は、電力伝送効率の向上を図ることが可能な非接触型受電装置を提供することである。

　この発明に係る非接触型受電装置は、送電装置の送電コイルに対向して配置され、送電装置から電力を非接触で受ける非接触型受電装置であって、送電コイルと電磁結合され、送電装置から交流電力を受ける受電コイルと、受電コイルに接続され、交流電力を直流電力に変換する電力変換回路と、受電コイルおよび電力変換回路を搭載した基板とを備えたものである。電力変換回路の配線は、基板の表面と平行な第１の平面に形成され、配線の長さ方向に配列された第１および第２の電極と、第１の平面に平行な第２の平面に形成された第３の電極とを含む。第１および第３の電極は、それらの一部分が基板の表面に垂直な方向に互いに重なるように配置され、第２および第３の電極は、それらの一部分が基板の表面に垂直な方向に互いに重なるように配置される。電力変換回路の配線は、さらに、第１および第３の電極が重なった領域に設けられ、第１および第３の電極を接続する第１のビアホールと、第２および第３の電極が重なった領域に設けられ、第２および第３の電極を接続する第２のビアホールとを含む。

　好ましくは、第１のビアホールは複数設けられ、第２のビアホールは複数設けられる。
　また好ましくは、第１の平面は基板の表面であり、第２の平面は基板の裏面である。

　また好ましくは、基板は多層基板であり、第１の平面は多層基板の複数層のうちの１つの層であり、第２の平面は他の層である。

　また、この発明に係る他の非接触型受電装置は、送電装置の送電コイルに対向して配置され、送電装置から電力を非接触で受ける非接触型受電装置であって、送電コイルと電磁結合され、送電装置から交流電力を受ける受電コイルと、受電コイルに接続され、交流電力を直流電力に変換する電力変換回路と、受電コイルおよび電力変換回路を搭載した基板とを備えたものである。電力変換回路の配線は、配線の長さ方向に配列された複数の電極と、各隣接する２つの電極の間に接続された電子素子とを含む。

　好ましくは、電子素子は抵抗素子を含む。
　また好ましくは、電子素子はインダクタを含む。

　また好ましくは、電子素子は、並列接続されたコンデンサおよびインダクタを含む。
　また好ましくは、さらに、受電コイルと基板との間に設けられ、受電コイルの磁束漏れを低減する磁性体シートを備える。磁性体シートは基板の表面のうちの第１の領域を覆うように設けられ、電力変換回路のうちの少なくとも一部は、基板の表面のうちの磁性体シートで覆われていない第２の領域に搭載されている。

　また好ましくは、電力変換回路は、受電コイルの端子間電圧を整流する整流回路と、整流回路の出力電圧を平滑化する平滑コンデンサとを含み、平滑コンデンサは第２の領域に搭載されている。

　この発明に係る非接触型受電装置では、電力変換回路の配線を複数の電極に分割したので、配線で発生する渦電流のループを小さくすることができる。したがって、渦電流損の低減化を図ることができ、電力伝送効率の向上を図ることができる。

この発明の一実施の形態による非接触型電力伝送システムの構成を示すブロック図である。図１に示した送電装置の構成を示す回路ブロック図である。図１に示した受電装置の構成を示す回路ブロック図である。図１に示した基板の表面に形成された電力変換回路のレイアウトを示す図である。図４のＶ－Ｖ線断面図である。実施の形態の変更例を示す図である。図６のＶＩＩ－ＶＩＩ線断面図である。

　図１は、この発明の一実施の形態による非接触型電力伝送システムの構成を示すブロック図である。図１において、この非接触型電力伝送システムは、非接触型送電装置１と、非接触型受電装置５とを備える。

　送電装置１は、コンバータ２、インバータ３、および送電コイル４を含む。コンバータ２は、商用交流電力を直流電力に変換する。インバータ３は、その直流電力を所定周波数（たとえば１００ＫＨｚ）の交流電力に変換して送電コイル４に供給する。

　受電装置５は、基板６、複数の電子部品７，８、磁性体シート９、および受電コイル１０を含む。基板６の表面には、受電コイル１０で受けた交流電力を直流電力に変換する電力変換回路が形成されている。電力変換回路は、種々の電子部品７，８で構成されている。種々の電子部品７，８は、比較的高さの低い電子部品７と、比較的高さの高い電子部品８に分類される。

　基板６の表面は、第１領域と第２領域に分割されている。第１領域には高さの低い複数の電子部品７が配置され、第２領域には高さの高い複数の電子部品８が配置される。第１領域を覆うようにして磁性体シート９が設けられ、磁性体シート９の上に受電コイル１０が設けられる。受電コイル１０は、基板６上の電力変換回路に接続される。図１から分かるように、第１領域に電子部品７、磁性体シート９、および受電コイル１０を配置し、第２領域に電子部品８を配置することにより、受電装置５の高さを低く抑制することが可能となっている。

　図１に示すように、送電装置１の送電コイル４に受電装置５の受電コイル１０を対向させて配置すると、送電コイル４と受電コイル１０が電磁誘導結合され、送電装置１から受電装置５に交流電力が伝送される。この交流電力は、受電装置５の電力変換回路で直流電力に変換され、バッテリー（図示せず）に充電される。

　図２は送電装置１の構成を示す回路ブロック図であり、図３は受電装置５の構成を示す回路ブロック図である。図２および図３において、互いに対向して配置された送電コイル４と受電コイル１０は、電磁誘導結合されて１つのトランスを構成する。送電装置１のコンバータ２の出力端子２ａ，２ｂ間には、直流電圧が出力される。インバータ３は、１次側制御回路１１、コンデンサＣ１～Ｃ３、およびＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ２を含む。トランジスタＱ１，Ｑ２は、コンバータ２の出力端子２ａ，２ｂ間に直列接続される。コンデンサＣ２，Ｃ３は、それぞれトランジスタＱ１，Ｑ２に並列接続される。送電コイル４は、トランジスタＱ２に並列接続される。

　１次側制御回路１１は、受電装置５が送電コイル４に対向して配置されたことに応じて、トランジスタＱ１，Ｑ２を所定のタイミングでオン／オフさせることにより受電装置５に信号を送信し、受電装置５が予め登録された装置であるか否かを問い合わせる。１次側制御回路１１は、受電装置５がその問合せに応答して予め登録された装置であることを示す信号を送信してきた場合は、トランジスタＱ１，Ｑ２を交互にオン／オフさせて送電を行なう。トランジスタＱ１，Ｑ２が交互にオン／オフされると、送電コイル４に交流電圧が発生し、その交流電圧は受電コイル１０に伝達される。このように、送電を開始する前に予め登録された装置であるか否かを問い合わせるのは、受電装置５でないものが送電コイル４に対向して配置された場合に送電を行なうのを防止するためである。

　受電装置５は、図３に示すように、受電コイル１０の他、ダイオード２１～２４、抵抗素子Ｒ１～Ｒ４、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ３～Ｑ７、コンデンサＣ４，Ｃ５、インダクタＬ１、２次側信号処理ＩＣ２６、および充電制御回路２８を含む。

　ダイオード２１～２４は整流回路２０を構成する。受電コイル１０は、整流回路２０の入力端子２０ａ，２０ｂ間に接続される。整流回路２０は、受電コイル１０の端子間に発生した交流電圧を全波整流する。コンデンサＣ４は、整流回路２０の正側の出力端子２０ｃと負側の出力端子２０ｄとの間に接続される。整流回路２０の出力電圧は、コンデンサＣ４によって平滑化されて直流電圧になる。抵抗素子Ｒ１およびトランジスタＱ３は、整流回路２０の出力端子２０ｃ，２０ｄ間に直列接続されて負荷変調回路２５を構成する。トランジスタＱ４，Ｑ５、インダクタＬ１、抵抗素子Ｒ４、およびトランジスタＱ７は、整流回路２０の出力端子２０ｃと受電装置５の出力端子Ｔ１との間に直列接続される。整流回路２０の出力端子２０ｄは、受電装置５の出力端子Ｔ２に接続される。

　２次側信号処理ＩＣ２６は、整流回路２０の出力端子２０ｃおよびトランジスタＱ３，Ｑ４，Ｑ７のゲートの各々に接続される。初期状態では、トランジスタＱ３，Ｑ４，Ｑ７はオフされている。送電装置１から予め登録された装置であるか否かを問い合わせる信号が送信されてきた場合、２次側信号処理ＩＣ２６はトランジスタＱ３を所定のタイミングでオン／オフさせることにより、予め登録された装置であることを示す信号を送電装置１に送信する。また、２次側信号処理ＩＣ２６は、送電装置１からの電力伝送が開始された場合、トランジスタＱ３をオフさせるとともにトランジスタＱ４，Ｑ７をオンさせる。

　トランジスタＱ５，Ｑ６および充電制御回路２８は、ＤＣ／ＤＣコンバータＩＣ２７を構成する。トランジスタＱ６は、インダクタＬ１の一方端子（トランジスタＱ５およびインダクタＬ１間のノード）と出力端子Ｔ２との間に接続される。抵抗素子Ｒ２，Ｒ３は、インダクタＬ１の他方端子と出力端子Ｔ２との間に直列接続されて出力電圧検出回路２９を構成する。受電装置５の出力電圧は、抵抗素子Ｒ２，Ｒ３で分圧されて充電制御回路２８に与えられる。受電装置５の出力電流は、抵抗素子Ｒ４で電圧に変換されて充電制御回路２８に与えられる。

　充電制御回路２８は、出力電圧検出回路２９の検出結果と抵抗素子Ｒ４の端子間電圧に基づき、受電装置５の出力電圧が所定の電圧になり、かつ受電装置５の出力電流が一定になるように、トランジスタＱ５，Ｑ６を交互にオンさせる。コンデンサＣ５は、抵抗素子Ｒ４およびトランジスタＱ７間のノードと出力端子Ｔ２との間に接続され、受電装置５の出力電圧を平滑化する。これにより、出力端子Ｔ１，Ｔ２間には、一定の直流電圧が出力される。出力端子Ｔ１，Ｔ２は、たとえば携帯端末装置のバッテリーに接続される。

　図４は受電装置５の基板６の表面に形成された電力変換回路のレイアウトを示す図であり、図５は図４のＶ－Ｖ線断面図である。図４および図５において、基板６の表面のうちの図４中の左下の点線で囲まれた第１領域Ａ１は、図１で示した磁性体シート９で覆われる領域である。基板６の表面のうちの第１領域以外の領域は、第２領域Ａ２である。受電装置５のうちの平滑用のコンデンサＣ４，Ｃ５と、ＤＣ／ＤＣコンバータＩＣ２７と、インダクタＬ１の各々は、比較的高さが高い電子部品８であり、第２領域Ａ２に配置される。残りの整流回路２０、抵抗素子Ｒ１～Ｒ４、トランジスタＱ３～Ｑ７、および２次側信号処理ＩＣ２６の各々は、比較的高さが低い電子部品７であり、第１領域Ａ１または第２領域Ａ２に分散配置される。

　第２領域Ａ２の配線のうち比較的幅が広くかつ長い配線は、基板６の表面に形成され、配線の長さ方向に配列された複数の電極ＥＬ１と、基板６の裏面に形成され、配線の長さ方向に分割された複数の電極ＥＬ２に分割される。図４では、整流回路２０の出力端子２０ｃとコンデンサＣ４の一方端子との間の配線と、整流回路２０の出力端子２０ｄと受電装置５の出力端子Ｔ２との間の配線と、ＤＣ／ＤＣコンバータＩＣ２７と抵抗素子Ｒ４の一方端子との間の配線との各々が、複数の電極ＥＬ１と複数の電極ＥＬ２に分割されている。

　複数の電極ＥＬ１と複数の電極ＥＬ２とは、基板６の表面に垂直な方向から見て配線の長さ方向に１つずつ交互に配置されている。また、図５に示すように、各隣接する電極ＥＬ１，ＥＬ２は、それらの一部分が基板６の表面に垂直な方向に互いに重なるように配置され、複数のビアホールＶＨを介して互いに接続されている。直流電流Ｉ１は、図５中の実線の矢印で示すように、電極ＥＬ１、ビアホールＶＨ、電極ＥＬ２、ビアホールＶＨ、電極ＥＬ２、…の経路で流れる。

　渦電流Ｉ２は、漏れ磁束の変化を妨げるように、漏れ磁束と直交する電極ＥＬ１に流れ、漏れ磁束に平行なビアホールＶＨには流れず、図５中の点線の矢印で示すように、電極ＥＬ１内のみを循環する。したがって、配線を複数の電極ＥＬ１，ＥＬ２に分割しない場合に比べ、渦電流Ｉ２のループの面積が小さくなる。よって、渦電流損を小さくすることができ、電力伝送システムの電力伝送効率の向上を図ることができる。

　つまり、磁性シート９で覆われない領域Ａ２に従来構成の配線を配置すると、漏れ磁束の影響を受けて配線に大きな渦電流が発生するが、本願発明の構成により、渦電流損を小さくすることができる。本願発明は、磁性体シート９で覆われない領域Ａ２の配線において、特に効果を奏する。ただし、磁性体シート９によって漏れ磁束を完全に遮断することはできないので、磁性体シート９で覆われた領域Ａ１の配線を複数の電極ＥＬ１，ＥＬ２に分割してもよい。

　また、この実施の形態では、隣接する電極ＥＬ１，ＥＬ２を複数のビアホールＶＨを用いて接続したので、配線に流れる主電流を制限することなく、渦電流損を小さくすることができる。なお、渦電流Ｉ２は、電極ＥＬ１，ＥＬ２の各々の外周に沿って流れるので、ビアホールＶＨを電極ＥＬ１，ＥＬ２の端に設けた場合よりも、ビアホールＶＨを電極ＥＬ１，ＥＬ２の内側に設けた場合の方がビアホールＶＨに流れる渦電流Ｉ２を一層小さくすることができる。

　また、この実施の形態では、電極ＥＬ１を基板６の表面に設け、電極ＥＬ１を基板６の裏面に設けたが、基板６の代わりに多層基板を使用し、電極ＥＬ１を多層基板の複数層のうちの１つの層に設け、電極ＥＬ２を他の層に設けてもよい。

　図６は実施の形態の変更例を示す図であって、図４と対比される図であり、図７は図６のＶＩＩ－ＶＩＩ線断面図である。図６および図７において、この変更例では、第２領域Ａ２の配線のうち比較的幅が広くかつ長い配線の少なくとも一部は、基板６の表面に形成され、配線の長さ方向に所定のピッチで配列された複数の電極ＥＬに分割される。図６では、整流回路２０の出力端子２０ｃとコンデンサＣ４の一方端子との間の配線の少なくとも一部が複数の電極ＥＬに分割されている。各隣接する２つの電極ＥＬ間は、低抵抗素子Ｒで接続されている。

　低抵抗素子Ｒは、図７に示すように、基板３０と、基板３０の表面に積層された導電層３１および絶縁層３２と、基板３０の両端に設けられた２つの端子３３，３４とを含む。導電層３１は、２つの端子３３，３４間に接続されている。２つの端子３３，３４は、それぞれ２つの電極ＥＬの表面に半田付けされる。直流電流Ｉ１は、図７中の実線の矢印で示すように、電極ＥＬ、端子３３、導電層３１、端子３４、電極ＥＬ、…の経路で流れる。

　渦電流Ｉ２は、漏れ磁束の変化を妨げるように、漏れ磁束と直交する電極ＥＬに流れ、漏れ磁束に平行な端子３３，３４には流れず、図７中の点線の矢印で示すように、電極ＥＬ内のみを循環する。したがって、渦電流Ｉ２のループの面積を小さくすることができ、渦電流損の低減化を図ることができる。

　また、図６では、整流回路２０の出力端子２０ｄと受電装置５の出力端子Ｔ２との間の配線の少なくとも一部と、ＤＣ／ＤＣコンバータＩＣ２７と抵抗素子Ｒ４の一方端子との間の配線の少なくとも一部とが、複数の電極ＥＬに分割されている。各隣接する２つの電極ＥＬの間には、インダクタＬとコンデンサＣとが並列接続される。インダクタＬおよびコンデンサＣの各々は、低抵抗素子Ｒと同様に、漏れ磁束に平行な端子３３，３４を有する。したがって、この場合も、渦電流Ｉ２は、電極ＥＬ内のみを循環する。よって、渦電流Ｉ２のループの面積を小さくすることができ、渦電流損の低減化を図ることができる。

　また、インダクタＬとコンデンサＣで構成される並列共振回路の共振周波数をたとえばＤＣ／ＤＣコンバータＩＣ２７の駆動によって発生するノイズの周波数（たとえば１．２ＭＨｚ）に合わせることにより、ノイズを除去することができる。

　なお、低抵抗素子ＲをインダクタＬで置換してもよい。この場合は、インダクタＬによって直流電流を通過させるとともに交流電流を遮断し、ノイズ成分を除去することができる。

　また、本願発明の配線は非接触型送電装置にも適用可能である。この非接触型送電装置は、受電装置の受電コイルに対向して配置され、受電装置に電力を非接触で送る非接触型送電装置であって、受電コイルと電磁結合され、受電装置に交流電力を送る送電コイルと、送電コイルに接続され、交流電力を発生する電力発生回路と、送電コイルおよび電力発生回路を搭載した基板とを備えたものである。電力発生回路の配線は、基板の表面と平行な第１の平面に形成され、配線の長さ方向に配列された第１および第２の電極と、第１の平面に平行な第２の平面に形成された第３の電極とを含む。第１および第３の電極は、それらの一部分が基板の表面に垂直な方向に互いに重なるように配置され、第２および第３の電極は、それらの一部分が基板の表面に垂直な方向に互いに重なるように配置される。電力発生回路の配線は、さらに、第１および第３の電極が重なった領域に設けられ、第１および第３の電極を接続する第１のビアホールと、第２および第３の電極が重なった領域に設けられ、第２および第３の電極を接続する第２のビアホールとを含む。

　今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明でなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

　１　非接触型送電装置、２　コンバータ、３　インバータ、４　送電コイル、５　非接触型受電装置、６，３０　基板、７，８　電子部品、９　磁性体シート、１０　受電コイル、１１　１次側制御回路、２０　整流回路、２１～２４　ダイオード、２５　負荷変調回路、２６　２次側信号処理ＩＣ、２７　ＤＣ／ＤＣコンバータＩＣ、２８　充電制御回路、２９　出力電圧検出回路、３１　導電層、３２　絶縁層、３３，３４　端子、Ａ１　第１領域、Ａ２　第２領域、Ｃ１～Ｃ５　コンデンサ、ＥＬ，ＥＬ１，ＥＬ２　電極、Ｌ，Ｌ１　インダクタ、Ｑ１～Ｑ７　ＮチャネルＭＯＳトランジスタ、Ｒ　低抵抗素子、Ｒ１～Ｒ４　抵抗素子、ＶＨ　ビアホール。

Claims

　送電装置（１）の送電コイル（４）に対向して配置され、前記送電装置（１）から電力を非接触で受ける非接触型受電装置（５）であって、
　前記送電コイル（４）と電磁結合され、前記送電装置（１）から交流電力を受ける受電コイル（１０）と、
　前記受電コイル（１０）に接続され、前記交流電力を直流電力に変換する電力変換回路（７，８）と、
　前記受電コイル（１０）および前記電力変換回路（７，８）を搭載した基板（６）とを備え、
　前記電力変換回路（７，８）の配線は、
　前記基板（６）の表面と平行な第１の平面に形成され、前記配線の長さ方向に配列された第１および第２の電極（ＥＬ１）と、
　前記第１の平面に平行な第２の平面に形成された第３の電極（ＥＬ２）とを含み、
　前記第１および第３の電極（ＥＬ１，ＥＬ２）は、それらの一部分が前記基板（６）の表面に垂直な方向に互いに重なるように配置され、
　前記第２および第３の電極（ＥＬ１，ＥＬ２）は、それらの一部分が前記基板（６）の表面に垂直な方向に互いに重なるように配置され、
　さらに、前記第１および第３の電極（ＥＬ１，ＥＬ２）が重なった領域に設けられ、前記第１および第３の電極（ＥＬ１，ＥＬ２）を接続する第１のビアホール（ＶＨ）と、
　前記第２および第３の電極（ＥＬ１，ＥＬ２）が重なった領域に設けられ、前記第２および第３の電極（ＥＬ１，ＥＬ２）を接続する第２のビアホール（ＶＨ）とを含む、非接触型受電装置。
　前記第１のビアホール（ＶＨ）は複数設けられ、
　前記第２のビアホール（ＶＨ）は複数設けられている、請求の範囲第１項に記載の非接触型受電装置。
　前記第１の平面は前記基板（６）の表面であり、前記第２の平面は前記基板（６）の裏面である、請求の範囲第１項に記載の非接触型受電装置。
　前記基板は多層基板であり、前記第１の平面は前記多層基板の複数層のうちの１つの層であり、前記第２の平面は他の層である、請求の範囲第１項に記載の非接触型受電装置。
　さらに、前記受電コイル（１０）と前記基板（６）との間に設けられ、前記受電コイル（１０）の磁束漏れを低減する磁性体シート（９）を備え、
　前記磁性体シート（９）は前記基板（６）の表面のうちの第１の領域（Ａ１）を覆うように設けられ、
　前記電力変換回路（７，８）のうちの少なくとも一部（８）は、前記基板（６）の表面のうちの前記磁性体シート（９）で覆われていない第２の領域（Ａ２）に搭載されている、請求の範囲第１項に記載の非接触型受電装置。
　前記電力変換回路（７，８）は、
　前記受電コイル（１０）の端子間電圧を整流する整流回路（２０）と、
　前記整流回路（２０）の出力電圧を平滑化する平滑コンデンサ（Ｃ４）とを含み、
　前記平滑コンデンサ（Ｃ４）は前記第２の領域（Ａ２）に搭載されている、請求の範囲第５項に記載の非接触型受電装置。
　送電装置（１）の送電コイル（４）に対向して配置され、前記送電装置（１）から電力を非接触で受ける非接触型受電装置であって、
　前記送電コイル（４）と電磁結合され、前記送電装置（４）から交流電力を受ける受電コイル（１０）と、
　前記受電コイル（１０）に接続され、前記交流電力を直流電力に変換する電力変換回路（７，８）と、
　前記受電コイル（４）および前記電力変換回路（７，８）を搭載した基板（６）とを備え、
　前記電力変換回路（７，８）の配線は、
　前記配線の長さ方向に配列された複数の電極（ＥＬ）と、
　各隣接する２つの電極（ＥＬ）の間に接続された電子素子（Ｒ，Ｌ，Ｃ）とを含む、非接触型受電装置。
　前記電子素子は抵抗素子（Ｒ）を含む、請求の範囲第７項に記載の非接触型受電装置。
　前記電子素子はインダクタ（Ｌ）を含む、請求の範囲第７項に記載の非接触型受電装置。
　前記電子素子は、並列接続されたコンデンサ（Ｃ）およびインダクタ（Ｌ）を含む、請求の範囲第７項に記載の非接触型受電装置。
　さらに、前記受電コイル（１０）と前記基板（６）との間に設けられ、前記受電コイル（１０）の磁束漏れを低減する磁性体シート（９）を備え、
　前記磁性体シート（９）は前記基板（６）の表面のうちの第１の領域（Ａ１）を覆うように設けられ、
　前記電力変換回路（７，８）のうちの少なくとも一部（８）は、前記基板（６）の表面のうちの前記磁性体シート（９）で覆われていない第２の領域（Ａ２）に搭載されている、請求の範囲第７項に記載の非接触型受電装置。
　前記電力変換回路（７，８）は、
　前記受電コイル（１０）の端子間電圧を整流する整流回路（２０）と、
　前記整流回路（２０）の出力電圧を平滑化する平滑コンデンサ（Ｃ４）とを含み、
　前記平滑コンデンサ（Ｃ４）は前記第２の領域（Ａ２）に搭載されている、請求の範囲第１１項に記載の非接触型受電装置。