WO2010048833A1

WO2010048833A1 - 硅电容麦克风

Info

Publication number: WO2010048833A1
Application number: PCT/CN2009/073551
Authority: WO
Inventors: 宋青林; 庞胜利; 谷芳辉; 宋锐锋
Original assignee: 歌尔声学股份有限公司
Priority date: 2008-10-28
Filing date: 2009-08-27
Publication date: 2010-05-06

Description

说明书硅电容麦克

技术领域

[1] 本发明涉及一种硅电容麦克风，更具体地说，涉及通过设置透气通道，可以大幅度地增加 MEMS声电转换芯片的后腔空间的硅电容麦克风。

背景技术

[2] 近年来，随着手机、笔记本电脑等电子产品的体积不断减小，对其性能要求越来越高，也要求配套的电子零部件的体积不断减小，电子零部件的性能和一致性不断提高。在这种背景下，作为重要零部件之一的麦克风产品也推出了很多的新型产品，利用 MEMS (微机电系统）工艺技术生产的硅电容麦克风为其中的代表产品。硅电容麦克风中的关键技术为封装结构设计，而且封装结构所占用的成本比例较高，所以，最近出现了很多关于硅电容麦克风的封装技术的专利申请。

[3] 例如，专利文献 1公开了一种小型的硅电容麦克风及其制造方法，其中，硅电容麦克风包括：一个外壳，外壳上设置有能够透过声音的声孔；以及一个线路板。外壳和线路板结合成为一个空腔，在线路板上安装有 MEMS (微机电系统）声电转换芯片和集成电路， MEMS声电转换芯片和集成电路可以共同将声音信号转化为电信号。该硅电容麦克风的特征在于，在 MEMS声电转换芯片的下方位置的线路板上通过腐蚀等工艺加工出一定凹陷。根据上述结构，针对声音信号作用到 MEMS声电转换芯片上方的产品结构（声孔设置在 MEMS声电转换芯片以外的位置上，外界传输的声音信号作用在 MEMS声电转换芯片上方），可以增加 M EMS声电转换芯片下方的空气空间（行业内通常称之为 "后腔 -Back

volume", 指声波遇到 MEMS声电转换芯片以后， MEMS声电转换芯片后方的空间），可以使硅电容麦克风的灵敏度更高，频响曲线更好。然而，这种设计简单的通过 MEMS声电转换芯片下方的线路板凹陷来增加后腔，对后腔增大的贡献非常有限，对性能提高的贡献也非常小；并且，这种设计将使得线路板的厚度大大增加，过多的增加了产品的高度，并且导致成本增加。 [4] 专利文献 2公开了另一种可以增大后腔的硅电容麦克风，其结构如图 1所示，在线路板 140上安装一个带有中部凸起的盖子 150，将 MEMS声电转换芯片安装在盖子 150的中部凸起部上，在中部凸起部和 MEMS声电转换芯片相对应的位置设置有透气孔，从而线路板 140和盖子 150的中部凸起部之间形成的空间可以作为后腔。该硅电容麦克风的这种结构可以增大后腔的空间，但是，由于釆用了带有中部凸起的盖子，存在硅电容麦克风的整体高度尺寸增加的问题。

[5] 专利文献 1 : 美国专利公开 US20020102004

[6] 专利文献 2: 国际专利申请公开 WO2007126179A1

发明内容

[7] 本发明为了解决现有技术中存在的上述问题而做出，其目的在于提供一种硅电容麦克风，在产品的高度和平面尺寸不增加很多的情况下，可以大幅度地增加 M EMS声电转换芯片的后腔空间。

[8] 为了解决上述问题，本发明涉及的硅电容麦克风包括：外壳；线路板，安装在所述外壳的底部；盖构件，包括具有空腔且一端开口的盖体部和设有通孔的水平延伸部，设于所述线路板的上表面；以及 MEMS声电转换芯片，其具有下部空间，被安装在所述盖构件的水平延伸部的上表面且盖住所述通孔；所述盖构件和 MEMS声电转换芯片位于被所述外壳和所述线路板包围的空间内，而且，在所述盖构件与所述线路板的结合部设置有连通所述空腔和所述下部空间的透气通道，所述盖构件完全覆盖住所述透气通道。

[9] 另外，优选的是，所述透气通道由设在所述线路板上表面的规定长度的凹槽构成。

[10] 另外，优选的是，所述透气通道由设在所述盖构件的水平延伸部的下表面侧的规定长度的凹槽构成。

[11] 另外，优选的是，在所述线路板与所述盖构件之间设有规定厚度的框形的密封构件，所述透气通道由被所述线路板、所述密封构件和所述盖构件包围的空间部分构成，而且所述盖构件的空腔和通孔位于被所述密封构件包围的范围内。

[12] 再者，优选的是，在所述盖构件的盖体部的上面安装有集成电路芯片。

[13] 通过釆用本发明的上述结构，可以有效地增加 MEMS声电转换芯片后方的空气空间（后腔）。而且，由于 MEMS声电转换芯片安装在盖构件的水平延伸部上，使得产品的高度尺寸没有增加很多。

[14] 同吋，硅电容麦克风中使用的集成电路芯片的高度通常低于 MEMS声电转换芯片的高度，通过在盖构件的盖体部上安装集成电路芯片，使得硅电容麦克风的整体高度没有增加很多，其平面面积也没有因盖构件而增加。

附图说明

[15] 通过下面结合附图对其实施例进行描述，本发明的上述特征和技术优点将会变得更加清楚和容易理解。

[16] 图 1是表示现有技术涉及的一种硅电容麦克风的具体结构的图。

[17] 图 2是表示本发明的第一实施方式涉及的硅电容麦克风的具体结构的剖视图。

[18] 图 3是表示本发明的第一实施方式涉及的硅电容麦克风的具体结构的分解立体图。

[19] 图 4是表示本发明的第二实施方式涉及的硅电容麦克风的具体结构的剖视图。

[20] 图 5是本发明的第二实施方式涉及的硅电容麦克风中的盖构件 3的仰视图。

[21] 图 6是表示本发明的第三实施方式涉及的硅电容麦克风的具体结构的剖视图。

[22] 图 7是表示本发明的第三实施方式涉及的硅电容麦克风的具体结构的分解立体图。

[23] 图 8是表示本发明的第四实施方式涉及的硅电容麦克风的具体结构的剖视图。

[24] 图 9是本发明的第四实施方式涉及的硅电容麦克风中的水平延伸部 32的仰视图

[25] 图 10是表示本发明的第四实施方式涉及的硅电容麦克风的另一变形例的具体结构的剖视图。

[26] 图 11是该另一变形例的硅电容麦克风中的水平延伸部 32的仰视图。

[27] 图 12是本发明的第五实施方式涉及的硅电容麦克风的具体结构的剖视图。

[28] 图 13是表示本发明的第五实施方式涉及的硅电容麦克风的具体结构的分解立体图。

[29] 图 14是表示本发明涉及的硅电容麦克风的改进结构的剖视图。

[30] 图 15是表示本发明涉及的硅电容麦克风的另一改进结构的剖视图。 [31] 图 16是表示本发明涉及的硅电容麦克风的又一改进结构的剖视图。

[32] 图 17是表示本发明涉及的硅电容麦克风的再一改进结构的剖视图。

具体实施方式

[33] 下面，参照附图详细说明本发明涉及的硅电容麦克风的具体实施方式。

[34] (第一实施方式）

[35] 首先，参照图 2、图 3说明本发明的第一实施方式涉及的硅电容麦克风。如图 2 、图 3所示，第一实施方式涉及的硅电容麦克风包括：外壳 1，其具有底部开放的长方体形状，并且在外壳 1的上部设有用于接收声音信号的声孔 11 ; 长方形的线路板 2，利用树脂材料作为基材制作；盖构件 3，其包括平板状的水平延伸部 3 2和一端开口的长方体形状的盖体部 31，该盖体部 3的内部为空腔结构，该水平延伸部 32是从盖体部 31的一个侧面的下端部向外水平延伸而构成，并且，在该水平延伸部 32的中央附近设有一个通孔 33; 线路板 2，其长宽尺寸与该外壳 1的底部的长宽尺寸大致相等，通常利用树脂材料作为基材，并且，在该线路板 2的与外壳 1粘接的一侧，开设有作为透气通道的细长的凹槽 21。

[36] 在线路板 2的上表面粘贴安装盖构件 3，使得该盖构件 3完全盖住凹槽 21、该盖构件 3的盖体部 31盖住该凹槽 21的一部分，而且通孔 33位于该凹槽 21的上方。这样，盖体部 31与线路板 2之间形成一个空腔 34。

[37] 此外，在该盖构件 3的水平延伸部 32的上方，安装有 MEMS声电转换芯片 4，在该 MEMS声电转换芯片 4的下方具有下部空间 41，并且该 MEMS声电转换芯片 4盖住水平延伸部 32上的通孔 33。从而，该 MEMS声电转换芯片 4的下部空间 41通过盖构件 3上的通孔 33同线路板 2的凹槽 21相连通，进一步同盖构件 3的空腔 34连通。再者，由于盖构件 3的开口部的周边部和水平延伸部被粘贴在线路板 2上， ME MS声电转换芯片 4的下端周边部被粘贴在盖构件 3的水平延伸部 32上，因此，相连通的空腔 34、凹槽 21、通孔 33和下部空间 41形成一个密闭的空间，从而，该密闭的空间成为 MEMS声电转换芯片 4的后腔（Back

volume) 。其中， MEMS声电转换芯片 4的下部空间 41为自然形成，通孔 33和凹槽 21主要起着空气连通的作用，空腔 34是后腔（Back

volume) 增加的关键因素。通过这种设计，可以有效地增加 MEMS声电转换芯片 4后方的空气空间（后腔）。而且，由于 MEMS声电转换芯片 4安装在盖构件 3的水平延伸部 32上，使得产品的高度尺寸没有增加很多。

[38] (第二实施方式）

[39] 下面，参照附图说明本发明涉及的硅电容麦克风的第二实施方式。

[40] 在本实施方式涉及的硅电容麦克风中，外壳 1和 MEMS声电转换芯片 4的结构与如上所述的第一实施方式相同，不同点在于线路板 2和盖构件 3的结构。因此，在此省略相同结构的说明，而着重说明与第一实施方式不同的构成。

[41] 图 4是表示本发明的第二实施方式涉及的硅电容麦克风的具体结构的剖视图；图 5是表示该硅电容麦克风中的盖构件 3的仰视图。如图 4所示，在本实施方式的硅电容麦克风中，没有在线路板 2的上表面形成作为透气通道的细长的凹槽 21，而是通过改变盖构件 3的结构，来形成透气通道。其中，盖构件 3包括平板状的水平延伸部 32和一端开口的长方体形状的盖体部 31，该盖体部 31的内部为空腔结构，该水平延伸部 32是从盖体部 31的一个侧面的下端部向外水平延伸而构成，并且，在该水平延伸部 32的中央附近设有一个通孔 33。另外，在该水平延伸部 32的下表面上沿着该水平延伸部 32的长度方向设有一个细长的规定深度的凹槽 36，该凹槽 36的宽度至少不小于通孔 33的宽度，并且该凹槽 36自盖构件 3的开口部分开始，经过通孔 33后，在距离水平延伸部 32的长度方向的边缘部规定距离处停止，即该凹槽 36的长度小于水平延伸部 32的长度。

[42] 另外，将上述结构的盖构件 3粘贴安装在线路板 2上，然后再将具有下部空间的 MEMS声电转换芯片 4粘贴安装在盖构件 3的水平延伸部 32的通孔 33的上方。从而，凹槽 36与线路板 2之间的空间构成透气通道。由此，盖构件 3的空腔 34、凹槽 3 6、通孔 33和 MEMS声电转换芯片 4的空间相互连通而形成一个密闭的空间，从而，该密闭的空间成为 MEMS声电转换芯片 4的后腔（Back volume) 。

[43] 在本实施方式涉及的硅电容麦克风中，利用在盖构件 3的水平延伸部 32设置的凹槽 36来代替第一实施方式中设在线路板 2的上表面上的凹槽。因此，同样可以有效地增加 MEMS声电转换芯片 4后方的空气空间（后腔）。而且，由于 MEMS 声电转换芯片 4安装在盖构件 3的水平延伸部 32上，使得产品的高度尺寸没有增加很多。 [44] 在图 5所示的盖构件 3的结构中，凹槽 36与通孔 33的宽度相等，但是，该凹槽 36 的宽度也可以大于通孔 33的宽度，同样能够实现上述技术效果。

[45] (第三实施方式）

[46] 接着，参照附图说明本发明涉及的硅电容麦克风的第三实施方式。

[47] 在本实施方式涉及的硅电容麦克风中，外壳 1、线路板 2和 MEMS声电转换芯片 4的结构与如上所述的第一实施方式相同，不同点在于盖构件 3的结构。因此，在此省略相同结构的说明，而着重说明与第一实施方式不同的构成。

[48] 图 6是表示本发明的第三实施方式涉及的硅电容麦克风的具体结构的剖视图；图 7是表示该硅电容麦克风的具体结构的分解立体图。如图 6、图 7所示，同第一实施方式的硅电容麦克风相比，不同之处在于盖构件 3的盖体部 31和水平延伸部 32是分离结构。其中，盖体部 31是内部为空腔且下侧开放的长方体结构，水平延伸部 32是在其宽度方向的大致中央部至少设有第一通孔 33和第二通孔 37的平板结构。在本实施方式的硅电容麦克风中，在线路板 2的上表面形成作为透气通道的细长的凹槽 21，在具有该凹槽 21的线路板 2的上表面粘贴安装长度大于该凹槽 21的长度的水平延伸部 32。此外，在水平延伸部 21的上表面安装该盖体部 31 和 MEMS声电转换芯片 4。

[49] 另外，将上述结构的水平延伸部 32粘贴安装到线路板 2的上表面吋，使得该水平延伸部 32的第一通孔 33和第二通孔 37位于线路板 2的凹槽 21的上方。此外，盖体部 31和 MEMS声电转换芯片 4粘贴安装在该水平延伸部 32的上方，并且，使盖体部 31盖住所述第二通孔 37、该 MEMS声电转换芯片 4盖住所述第一通孔 33。从而，通过该第一通孔 33和第二通孔 37，使得该 MEMS声电转换芯片 4的下部空间 4 1、线路板 2的凹槽 21和盖体部 31的内部空腔相连通而形成一个密闭的空间，该密闭的空间成为 MEMS声电转换芯片 4的后腔（Back volume) 。

[50] 在本实施方式涉及的硅电容麦克风中，利用盖构件 3包括分离结构的盖体部 31 和水平延伸部 32。因此，同样可以有效地增加 MEMS声电转换芯片 4后方的空气空间（后腔）。而且，由于 MEMS声电转换芯片 4安装在水平延伸部 32上，使得产品的高度尺寸没有增加很多。

[51] (第四实施方式） [52] 接着，参照附图说明本发明涉及的硅电容麦克风的第四实施方式。在本实施方式涉及的硅电容麦克风中，同如上所述的第三实施方式的结构相比，不同点在于线路板 2和盖构件 3的结构。因此，在此省略相同结构的说明，而着重说明与第三实施方式不同的构成。

[53] 图 8是表示本发明的第四实施方式涉及的硅电容麦克风的具体结构的剖视图；图 9是该硅电容麦克风中的水平延伸部 32的仰视图。如图 8、图 9所示，在本实施方式的硅电容麦克风中，没有在线路板 2的上表面形成作为水平透气通道的细长的凹槽 21，而是在盖构件 3的水平延伸部 32的下表面形成规定长度的凹槽 36，该凹槽 36的长度大于第一通孔 33与第二通孔 37间的距离，并且，其宽度不小于第一通孔 33和第二通孔 37的宽度，再者该凹槽 21与第一通孔 33及第二通孔 37连通。另外，如图 11所示，当仰视吋，该第一通孔 33和第二通孔 37位于凹槽 36中。

[54] 将上述结构的盖构件 3的水平延伸部 32粘贴安装在线路板 2上，此外，盖体部 31 和 MEMS声电转换芯片 4粘贴安装在该水平延伸部 32的上方，并且，使盖体部 31 盖住所述第二通孔 37、该 MEMS声电转换芯片 4盖住所述第一通孔 33。从而，通过该第一通孔 33和第二通孔 37，使得该 MEMS声电转换芯片 4的下部空间 41、作为透气通道的凹槽 36和盖体部 31的内部空腔相连通而形成一个密闭的空间，该密闭的空间成为 MEMS声电转换芯片 4的后腔（Back volume) 。

[55] 在本实施方式涉及的硅电容麦克风中，利用在盖构件 3的水平延伸部 32的下表面设置的凹槽来代替第三实施方式中的线路板 2上的凹槽 21。因此，同样可以有效地增加 MEMS声电转换芯片 4后方的空气空间（后腔）。而且，由于 MEMS声电转换芯片 4安装在水平延伸部 32上，使得产品的高度尺寸没有增加很多。

[56] 另外，图 10是表示本发明的第四实施方式涉及的硅电容麦克风的另一变形例的具体结构的剖视图；图 11是该另一变形例的硅电容麦克风中的水平延伸部 32的仰视图。在该变形例的硅电容麦克风中，由于在水平延伸部 32上设置的凹槽 36 的面积较大，会导致水平延伸部 32的边缘朝向一侧弯曲并且接触到线路板 2的表面，成为类似一个扁平的盘子形状，因此，为了保证在水平延伸部 32上安装盖体部 31和 MEMS声电转换芯片 4之后也能够产生振动，在水平延伸部 32的凹槽 36 的中心部位附近设置一个以上的支撑凸点 38，用于支撑安装了盖体部 31和 MEMS 声电转换芯片 4的水平延伸部 32。此外，该支撑凸点 8也可以设置在线路板 2上，同样也能实现支撑水平延伸部 32的效果。

[57] (第五实施方式）

[58] 下面，参照附图说明本发明涉及的硅电容麦克风的第五实施方式。在本实施方式涉及的硅电容麦克风中，同如上所述的第一实施方式的结构相比，不同点在于线路板 2和盖构件 3的结构。因此，在此省略相同结构的说明，而着重说明与第一实施方式不同的构成。

[59] 图 12是表示本发明的第五实施方式涉及的硅电容麦克风的具体结构的剖视图；图 13是该硅电容麦克风的具体结构的分解立体图。如图 12、图 13所示，在本实施方式的硅电容麦克风中，盖构件 3除了具备设置有声孔 33的水平延伸部 32之外，还具备在盖构件 3的设有该水平延伸部 32的侧面以外的其他侧面的底部向外水平延伸的边沿部 35，并且，该水平延伸部 32和边沿部 35的下表面处于同一平面上。此外，没有在线路板 2的上表面形成作为透气通道的细长的凹槽 21，而是在盖构件 ₃与线路板 2之间设置有方框形的一定高度的密封构件 5，将由该密封构件 5包围的空间作为透气通道。在此，盖构件 3的内部空腔和通孔 32位于被密封构件 5包围的范围内，而且，该密封构件 5可以使用黏结性和密闭性较好的胶类材料，也可以使用焊锡材料制作。

[60] 将上述结构的密封构件 5粘贴安装在线路板 2上，再将盖构件 3粘贴安装在该密封构件 5的上表面，进一步将 MEMS声电转换芯片 4粘贴安装在该盖构件 3的水平延伸部 32的上方，并且使盖构件 3的内部空腔通过该透气通道和通孔 33同 MEMS 声电转换芯片 4的下部空间相连通而构成密闭的空间，该密闭的空间成为 MEMS 声电转换芯片 4的后腔。

[61] 在本实施方式涉及的硅电容麦克风中，利用在盖构件 3与线路板 2之间设置的密封构件 5形成足够的透气通道。因此，同样可以有效地增加 MEMS声电转换芯片 4 后方的空气空间（后腔）。而且，由于密封构件 5的厚度很小，使得产品的高度尺寸没有增加很多。

[62] (其他变形结构）

[63] 另外，在如上所述的第一、第二实施方式涉及的硅电容麦克风中，盖构件 3的设有水平延伸部 32的侧面以外的其他侧面都不具有向外水平延伸的边沿部，但毋庸置疑，也可以如图 14所示地，在设有水平延伸部 32的侧面以外的其他侧面都设置水平向外延伸的边沿部 35。通过釆用这种结构，可以使盖构件 3与线路板 2的粘结面积增加，使得盖构件 3和线路板 2表面的粘结密封性良好。此外，还可以在该盖构件 3与线路板 2之间设置方框形的较薄的密封构件 5，盖构件 3隔着该密封构件 5安装在线路板 2上。根据这种结构，使得盖构件 3和线路板 2的表面之间的粘接密闭性良好。

[64] 此外，在以上的各实施方式中，说明了在外壳 1的上部设置用于接收声音信号的声孔 11，但不限于这种结构，例如图 15所示，该声孔也可以设置在线路板 2上的被盖构件覆盖部分以外的位置，从而构成 "Bottom"型结构的硅电容麦克风。

[65] 再者，盖构件的盖体部或盖体部的形状不限于长方体，也可以是多角形、圆弧形等其他形状。另外，如图 16所示，线路板 2也可以是将双层基板层叠而成的结构，其中的下基板 24为未设有凹槽的平板结构，在上基板 23上设有作为透气通道的长条形开孔 21。此外，外壳 1也可以由可分离的顶盖 12和框形的壳体 13构成，其中在顶盖 12上设有声孔 11。

[66] 而且，在盖构件的水平延伸部上设置的通孔，也可以是由多个细孔构成的结构，而不是由一个开孔构成，这样可以防止后腔中的杂质附着到 MEMS声电转换芯片 4上，造成各种不良影响。

[67] 另外，如图 17所示，也可以在盖构件 3的盖体部 31的上面安装硅电容麦克风中使用的集成电路芯片 8。由于硅电容麦克风中使用的集成电路芯片 8的高度通常低于 MEMS声电转换芯片 4的高度，通过在盖构件 3的盖体部 31上安装集成电路芯片 8，使得硅电容麦克风的整体高度没有增加很多，其平面面积也没有因盖构件而增加。此外，也可以是，在被盖构件 3盖住的线路板 2上表面的未设有凹槽的位置安装滤波电容 7，并且将盖构件 3连接到线路板 2上的接地（图中未示出）。通常硅电容麦克风的线路板上的电路中都设计有电容或 /和电阻零件，形成滤波电路或者抗静电电路等，具有抵抗电磁干扰、抗静电等作用。由于将电容或 /和电阻安装在被盖构件覆盖的线路板上，没有占用平面面积，因此能够减小产品的平面尺寸。而且，将盖构件接地，有利于增强线路板内部电路的抗干扰性能 [68] 综上所述，在本发明涉及的硅麦克风中，由于设置了细长的声音中间通道，使得在线路板上容易产生的焊锡渣、灰尘、水汽等可能影响硅麦克风性能的物质难以到达 MEMS声电转换芯片的位置，因此降低了堵塞声孔或硅麦克风芯片被损坏的可能性。再者，线路板 2由单层或双层的基板构成，同以往的三层线路板的硅麦克风结构相比，降低了高度尺寸，也降低了成本。

[69] 在本发明的上述各实施方式中，外壳和线路板都釆用了方形，但毋庸置疑，外壳和线路板也可以釆用圆形、椭圆形等其他形状。再者，外壳的材料优选釆用金属材料，但也可以釆用树脂材料。

[70] 虽然上面针对硅电容麦克风的具体结构描述了本发明具体实施方式，但是，在本发明的上述教导下，本领域技术人员可以在上述实施方式的基础上进行各种改进和变形，而这些改进或者变形落在本发明的保护范围内。本领域技术人员应该明白，上面的具体描述只是为了解释本发明的目的，并非用于限制本发明。本发明的保护范围由权利要求及其等同物限定。

Claims

权利要求书

[1] 1 . 一种硅电容麦克风，其特征在于，包括：

外壳；

线路板，安装在所述外壳的底部；

盖构件，设于所述线路板的上表面，其包括具有空腔且一端开口的盖体部和设有通孔的水平延伸部；以及

MEMS声电转换芯片，其具有下部空间，被安装在所述盖构件的水平延伸部的上表面且盖住所述通孔；

所述盖构件和 MEMS声电转换芯片位于被所述外壳和所述线路板包围的空间内，

而且，在所述盖构件与所述线路板的结合部设置有连通所述空腔和所述下部空间的透气通道，所述盖构件完全覆盖住所述透气通道。

[2] 2. 如权利要求 1所述的硅电容麦克风，其特征在于，

所述透气通道由设在所述线路板上表面的规定长度的凹槽构成。

[3] 3. 如权利要求 1所述的硅电容麦克风，其特征在于，

所述透气通道由设在所述盖构件的水平延伸部的下表面的规定长度的凹槽构成。

[4] 4. 如权利要求 1所述的硅电容麦克风，其特征在于，

在所述线路板与所述盖构件之间设有规定厚度的框形的密封构件，所述透气通道由被所述线路板、所述密封构件和所述盖构件包围的空间部分构成，而且所述盖构件的空腔和通孔位于被所述密封构件包围的范围内。

[5] 5、如权利要求 1至 4中任一项所述的硅电容麦克风，其特征在于，

所述盖构件的盖体部和水平延伸部一体构成，所述水平延伸部从所述盖体部的一个侧面的下端部向外水平延伸。

[6] 6、如权利要求 1至 4中任一项所述的硅电容麦克风，其特征在于，

所述盖构件的盖体部和水平延伸部是分离结构，所述水平延伸部是设有 2个以上通孔的平板结构，所述盖体部设置在所述水平延伸部的上表面且盖住被所述 MEMS声电转换芯片盖住的通孔之外的至少一个通孔。

[7] 7、如权利要求 5所述的硅电容麦克风，其特征在于，

所述盖构件的盖体部具备从设有该水平延伸部的侧面以外的其他侧面的底部向外水平延伸的边沿部。

[8] 8、如权利要求 6所述的硅电容麦克风，其特征在于，

在所述水平延伸部的下表面设有连通所述 2个通孔的构成所述透气通道的凹槽。

[9] 9. 如权利要求 8所述的硅电容麦克风，其特征在于，

所述凹槽的宽度大于所述 2个通孔的宽度；

并且，在所述线路板的上表面或所述水平延伸部的下表面，在同所述凹槽的中部对应的位置设有一个以上的支撑凸点。

[10] 10. 如权利要求 1或 2所述的硅电容麦克风，其特征在于，

所述线路板由上下层叠的上基板和下基板构成，在上基板上设有构成所述透气通道的长条形开孔，下基板为未设有凹槽的平板结构。

[11] 11 . 如权利要求 1至 10中任一项所述的硅电容麦克风，其特征在于，

在所述外壳的上部或所述线路板上，设有用于接收声音信号的声孔。

[12] 12. 如权利要求 1至 11中任一项所述的硅电容麦克风，其特征在于，

设在所述盖构件上的通孔由多个细孔构成。

[13] 13. 如权利要求 1至 12中任一项所述的硅电容麦克风，其特征在于，

在所述盖构件的盖体部的上面安装有集成电路芯片。

[14] 14. 如权利要求 5所述的硅电容麦克风，其特征在于，

在所述盖构件的下方的所述线路板上还设有滤波电容，并且所述盖构件电连接到所述线路板的接地。