WO2009010353A3 - Bauelement mit wenigstens einem halbleitersubstrat mit einer integrierten elektrischen schaltung - Google Patents
Bauelement mit wenigstens einem halbleitersubstrat mit einer integrierten elektrischen schaltung Download PDFInfo
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Abstract
Die Erfindung geht aus von einem Bauelement (1) mit wenigstens einem Halbleitersubstrat (5, 6) mit einer integrierten elektrischen Schaltung. Der Kern der Erfindung besteht darin, daß das Bauelement (1) wenigstens ein elektrisches Heizelement (4) zum Beheizen der integrierten elektrischen Schaltung aufweist. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Bestimmen wenigstens einer temperaturabhängigen Funktion eines Bauelements (1) mit wenigstens einem Halbleitersubstrat (5, 6) mit einer integrierten elektrischen Schaltung. Das Verfahren weist die Verfahrensschritte auf, daß bei wenigstens zwei unterschiedlichen Temperaturen des Bauelements (1) dessen temperaturabhängige Funktion bestimmt wird, und daß wenigstens eine der zwei unterschiedlichen Temperaturen des Bauelements (1) durch Eigenerwärmung des Bauelements (1) erzeugt wird.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102007033003.2 | 2007-07-16 | ||
DE102007033003A DE102007033003A1 (de) | 2007-07-16 | 2007-07-16 | Bauelement mit wenigstens einem Halbleitersubstrat mit einer integrierten elektrischen Schaltung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2009010353A2 WO2009010353A2 (de) | 2009-01-22 |
WO2009010353A3 true WO2009010353A3 (de) | 2009-03-26 |
Family
ID=40101154
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/EP2008/057523 WO2009010353A2 (de) | 2007-07-16 | 2008-06-16 | Bauelement mit wenigstens einem halbleitersubstrat mit einer integrierten elektrischen schaltung |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102007033003A1 (de) |
WO (1) | WO2009010353A2 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013068035A1 (en) * | 2011-11-08 | 2013-05-16 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Interconnect device, electronic device, and method of using a self-heatable conductive path of the interconnect device |
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Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2007
- 2007-07-16 DE DE102007033003A patent/DE102007033003A1/de not_active Ceased
-
2008
- 2008-06-16 WO PCT/EP2008/057523 patent/WO2009010353A2/de active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009010353A2 (de) | 2009-01-22 |
DE102007033003A1 (de) | 2009-01-22 |
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