WO2009004048A1 - Verfahren und vorrichtung zum schleusen überlanger substrate in einer vakuumbeschichtungsanlage - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zum schleusen überlanger substrate in einer vakuumbeschichtungsanlage Download PDF

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WO2009004048A1
WO2009004048A1 PCT/EP2008/058556 EP2008058556W WO2009004048A1 WO 2009004048 A1 WO2009004048 A1 WO 2009004048A1 EP 2008058556 W EP2008058556 W EP 2008058556W WO 2009004048 A1 WO2009004048 A1 WO 2009004048A1
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WO
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chamber
lock
lock chamber
pressure
substrate
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PCT/EP2008/058556
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French (fr)
Inventor
Dietmar Schulze
Hans-Christian Hecht
Jochen Krause
Michael Hofmann
Steffen Mosshammer
Original Assignee
Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh
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Publication date
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber

Definitions

  • the invention relates to methods for introducing and removing oversize substrates in a process chamber of a InIi- ne vacuum coating system according to the preamble of claim 1 and claim 2.
  • the invention also relates to lock systems for imple ⁇ tion smuggling method for a substrate according to the generic ⁇ term Claims 7 and 8.
  • Lock systems of this type are set in different dimensions for vacuum coating plants for industrial one, in particular those such as architectural glass, plastic or Me ⁇ tallsubstrate, substrates for displays, silicon wafer or else are used for coating flat substrates, in a continuous process.
  • a buffer chamber arranged upstream or downstream thereof and, after the output side or upstream of the output side buffer chamber, a process area comprising at least one process chamber.
  • the process area frequently includes a transfer chamber on the output side. They are followed, viewed in the direction of transport, to ⁇ least one, usually a plurality of successive process chambers on, depending on réelleiumderberichtdem layer or layer system. Afterwards, a gang side transfer chamber arranged.
  • process chambers are generally known as function chambers or so-called compartments.
  • compartments along the transport path Be istungskompart- alternate often ments, that process chambers in which the substrates are laminated be ⁇ , and pump compartments, ieificatkam ⁇ chambers serving the evacuation of individual Be Anlagenungskompart- ment or the gas separation between Be Bertungskompart- ments decreases.
  • further process chambers may also be arranged to carry out further process steps, such as for temperature control or temperature treatment, for purification, passivation or activation of a substrate surface or otherwise. Also, the order of successive compartments may change.
  • the individual compartments are interconnected by openings through which the substrate is passed from one compartment to the next.
  • the lock chambers and the buffer chambers are vacuum-technically separable from the surrounding atmosphere or from an adjacent chamber, depending on the position in the succession of chambers, by vacuum-sealable system or intermediate gates, respectively at the entrance and the exit of the respective chamber.
  • the gates are used for the discontinuous introduction or removal of substrates from the atmospheric pressure in the vacuum of the system or vice versa.
  • a coarse or fine vacuum is produced after receiving the substrate and closing the system door.
  • the process is carried out analogously in the reverse order.
  • transfer chamber In an intermediate gate, which separates a buffer chamber to the process area, in continuous coating systems, a plant section connects, a so-called transfer chamber, in which an adaptation of the Transport regime of discontinuous sluice for continuous coating operation takes place.
  • transfer chambers each have a transport device comprising sections with separate drives, a so-called Passing Band, in order to adapt the Transportgeschwin ⁇ speed of the feed rate in the front part of the transfer chamber to the process speed during the coating.
  • Passing Band in order to adapt the Transportgeschwin ⁇ speed of the feed rate in the front part of the transfer chamber to the process speed during the coating.
  • chamber refers to a limited volume, which is defined by its own housing or by partition walls, which are arranged successively in the transport direction within a larger housing of the vacuum coating installation described above to import and export openings.
  • a vacuum um Stammr completion of each volume can be linked to the Beg ⁇ riff "chamber", but is not required.
  • a transfer chamber of a vacuum coating system is described, for example, in DE 10 2005 024 180 A1.
  • the lock systems of the vacuum coating systems are adapted to the geometry of the substrates, in particular for large-area substrates.
  • the dimensions of the Schleu ⁇ sen- and buffer chambers correspond to the dimensions of a substrate or a multiple thereof plus z. B. by the transport system technically related areas.
  • the known vacuum coating systems of flat glass are usually the usual dimensions of the disks in the sizes
  • Lock chamber and buffer chamber formed an extended lock chamber by the door between the two chambers during the Schleusungsvorganges remains open and the Druckver ⁇ conditions in both chambers are adapted to each other.
  • a five-chamber system is used as a three-chamber system, which increase the lock times and consequently the cycle times of the vacuum coating system.
  • the pressure is decoupled by means of flow resistance, ie by means of a gas exchange between the two chambers reducing device within the lock system, ie within the buffer ⁇ chamber or within the lock chamber or in ⁇ the chambers.
  • a flow resistance reduces the open cross-section to the transported through the plant to sub- strat such that depending on the pressure ratio ⁇ sen difficult in the adjacent chamber portions, a gas exchange, and thus a pressure compensation is prevented.
  • different high pressure differences can be generated with one or more graduations of the pressure within a lock system.
  • Such flow resistance causes a pressure difference is generated inside the lock system with an open Eisentor ver ⁇ -bound volumes of lock and buffer chamber between the volume of the region of the lock chamber and the Volumenbe ⁇ reaching the buffer chamber.
  • This pressure difference should be designed such that in the evacuated state and with an open intermediate gate between lock and buffer chamber, the pressure conditions between the surrounding atmosphere, the lock chamber, the buffer ⁇ chamber and the process area are comparable to the pressure ratios described above for separate lock and buffer chambers ,
  • the components which form a flow resistance such as e.g. Parallel to the substrate arranged baffles, z. B. be supplemented in existing plants and can also remain in the plant during normal operation of the vacuum coating systems with substrate lengths that do not require an extended lock chamber.
  • Sluice system can be done due to the Druckdif ⁇ ference between these two areas using the existing pumping systems.
  • other pump systems can be added, for example, if multiple pressure levels to be generated.
  • Fig. 1 shows a lock system with a Strömungswi ⁇ resistance within the buffer chamber
  • Fig. 2 is a lock system with a flow resistance within the lock chamber.
  • the lock systems of Figures 1 and 2 are part of a vacuum coating system and include chambers, gates, and other components known from five-chamber systems.
  • the lock system required for the discharge substantially corresponds to the illustrated system, but with the reverse order. Consequently, the removal takes place in reverse order, taking into account the reverse opening and closing of the gates at the beginning and from ⁇ gangs the lock system.
  • This is by means of a gestri ⁇ smile drawn arrow for the transport direction 17 'and the direction of the austre ⁇ out of a vacuum coating system substrate 10, wherein the lock systems for feeding and for discharging substrates 10 in continuous systems are separate components, which are arranged at the beginning and at the end of fürlaufanläge.
  • the lock system 1 comprises a lock chamber 3, which serves as an infeed chamber for the process described here, and the discharge taking place in the reverse order as a discharge chamber.
  • the lock chamber 3 is to be separated from the surrounding atmosphere by a vacuum-tightly closable installation door 2.
  • the plant door 2 serves as an input or as an output of the vacuum ⁇ coating plant.
  • the buffer chamber 6 and adjoins a transfer chamber 5 at.
  • the latter is to be assigned in this case the process area 20, wel ⁇ cher adjacent to the transfer chamber 5 comprises first mitkam ⁇ mer 21, in which the treatment and coating of the substrate 10 is, for example, coating chamber.
  • the process area 20 may consist of a sequence of several coating or pumping compartments.
  • Transfer chamber 5, buffer chamber 6 and lock chamber 3 are to be separated by gates 4, 11 from each other by vacuum technology.
  • the gate between lock chamber 3 and buffer chamber 6 is intended below as an intermediate gate 4 and the buffer chamber.
  • 6 and transfer chamber 5 are referred to as Sawtor 11 due to the adjacent process preparation ⁇ ches 20th For the Schleu ⁇ sung overlong substrates 10, whose length is greater than the length of the lock chamber 3 or the buffer chamber 6, the intermediate gate 4 remains open at least during the Schleusungsvorganges so that lock chamber 3 and buffer chamber 6 form an elongated lock chamber 1.
  • the entrance gate of the extended lock chamber 1 seen in the respective substrate transport device 17, 17', is the installation door 2 and its output side door the process gate 11 or vice versa.
  • the transfer chamber 5 is separated by a slot-like passage 19 of the adjacent process chamber, which allows the substrate transport, but at least difficult gas exchange zwi ⁇ 's process chamber and transfer chamber.
  • a transport system 18 for the transport of the substrate 10 through the entire system.
  • the buffer chamber 6 has adjacent to the gate a flow ⁇ resistance 7.
  • the flow resistance is formed by two partitions which are arranged approximately parallel to the substrate plane 8 and at a small distance therefrom, ie to the plane in which the substrate 10 is transported through the system. Through these parallel to the substrate plane 8 and thus to the substrate 10 arranged partition walls is provided in UNMIT ⁇ ately vicinity of the substrate 10, a channel which acts as a flow resistance and thus a balance between the atmospheres of the adjacent lock and Pufferkam- numbers 3, 6 is prevented.
  • the distance to the substrate plane 8 is sized such that depending on the pressure adjacent ⁇ the chambers and the adjusted pressure difference a sol ⁇ cher flow resistance between the partition walls and Zvi ⁇ rule the partition walls and the substrate 10 is in that no pressure compensation takes place.
  • the flow resistance 7 is arranged in the buffer chamber 6, since on the output side of the lock chamber 3, the intermediate gate 4 is designed as a flap valve, which claims a free space due to its construction, in which no structural elements may be arranged.
  • the intermediate gate 4 is also possible to arrange the flow resistance 7 in the lock chamber ⁇ 3 (Fig. 2).
  • a plurality of flow resistors 7 may be arranged in other embodiments of a lock system alterna ⁇ tively distributed either buffer chamber 6 and load lock chamber 3 or located in one of the two chambers 6; 3. It is also not necessary that the input and output ⁇ lock system are symmetrically spaced from ⁇ softening constructions are possible.
  • the process gate 11 When the process gate 11 is closed, the elongated Schleu ⁇ senhunt 1 by means of a first ventilation unit 12 of Lock chamber 3 ventilated.
  • the buffer chamber 6 also has its own ventilation unit, designated here as the second ventilation unit 13. This may vary depending upon the pressure differential which are hernessd in the extended lock chamber 1, optionally the first Belüf ⁇ processing unit 12 supplement for the ventilation of the extended lock chamber. 1 Following this, the system door 2 is opened.
  • the substrate 10 may be transported by means of the Transportsys ⁇ tems 18 in the extended lock chamber. 1 Due to the open throughout the Einschleusvorgan ⁇ ges intermediate door 4, a substrate 10 can be removed ⁇ whose length exceeds the length of the lock chamber. 3
  • the opening of the plant door 2 can be structurally coupled to the process gate 11 in such a way that the plant door 2 can only be opened to the surrounding atmosphere if the process gate 11 has previously been closed has been.
  • a forced opening of the door 4 Zvi ⁇ rule during the whole locking operation rea ⁇ lmit may be in the smuggling exceeded long substrates 10th
  • the atmospheric pressure of about 1000 mbar is lowered by a first pumping system 9 of the lock chamber 3 together with a second pumping system 14 of the buffer chamber 6 to an intermediate pressure after closing the Anla ⁇ gentores.
  • the first pumping system 9 of the lock chamber 3 is switched off and only with the second pumping system 14 a final transfer pressure in the buffer chamber 6 is established which is close to the vacuum in the transfer chamber 5 and at which the process port 11 is opened to the transfer chamber 5 and the substrate 10 is transported to the transfer chamber 5 for forwarding.
  • the first pumping system 9 comprises z. Example, a number of staggered, ie in series pumps 15, such as Roots pumps together with rotary vane pumps and valves 16.
  • the second pumping system 14 in the buffer chamber 6 is usually a Hochva ⁇ kuumsystem with series-arranged pumps 15, z , B. turbo ⁇ molecular pumps, and intermediate valves 16 comprehensive ⁇ send, with which a high vacuum pressure of about 10 mbar or below can be produced.
  • pressures and pumps mentioned here are only an example. Depending on the coating method to be carried out, other pressures in the process chamber and consequently also in the lock system can be set and other pumps can be used.
  • the skilled person ste ⁇ hen for the different vacuum sectors and the erzie ⁇ lumbar evacuation times numerous configurations of single or multi-stage pumping systems.
  • the substrate 10 is fed through the opened process gate 11 to the subsequent transfer chamber 5.
  • This locking process of the substrate 10 takes place after passing through the process chamber 21 in an analogous, reverse Rei ⁇ hen blur means of a further transfer and Schleusensys ⁇ tems until reaching the atmospheric pressure.
  • this lock system is extended by lock chamber 1, namely those for discharging the substrate 10 in the composite with the arranged between the second lock chamber 3 and transfer chamber 5 second buffer chamber 6 and the two pumping systems (9, 14) of the lock 3 and buffer chamber 6 formed by the intermediate gate 4 remains open between these two chambers during the entire Schleusungsreaes and by means of the two pumping systems (9, 14) and a flow resistance 7 as described above, a pressure gradient between these two chambers at least before and during the discharge of a substrate 10 from the transfer chamber 5 of a process area 20 is made.

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Abstract

Die Erfindung betrifft Verfahren und Vorrichtung zum Schleusen eines Substrats in oder aus einer Vakuumbeschichtungsanlage, in welcher an eine Schleusenkammer (3), eine Pufferkammer (6) und daran ein Prozessbereich (20) angrenzen, die Schleusen- und Pufferkammern (3, 6) durch schließbare Tore (4, 2, 11) voneinander, zur umgebenden Atmosphäre und zum Prozessbereich (20) zu trennen sind und die Schleusenkammer (3) ein erstes Pumpsystem (9) und die Pufferkammer (6) ein zweites Pumpsystem (14) umfassen. Zum Schleusen wird das Substrat (10) in eine aus Schleusenkammer (3) und Pufferkammer (6) bei geöffnetem Zwischentor (4) zwischen beiden Kammern (3, 6) gebildete verlängerte Schleusenkammer (1) transportiert und, bei geschlossenem eingangsseitigem und ausgangsseitigem Tor (2, 11) der verlängerten Schleusenkammer (1), unter Verwendung eines Strömungswiderstandes (7), welcher in der verlängerten Schleusenkammer (1) angeordnet ist, darin solche Druckverhältnisse hergestellt, dass eine Druckdifferenz zwischen Schleusenkammer (3) und Pufferkammer (6) mit geringerem Druck in der Pufferkammer (6) besteht.

Description

Verfahren und Vorrichtung zum Schleusen überlanger Substrate in einer Vakuumbeschichtungsanlage
Die Erfindung betrifft Verfahren zum Ein- und Ausschleusen von überlangen Substraten in eine Prozesskammer einer InIi- ne-Vakuumbeschichtungsanlage gemäß Oberbegriff des Anspruchs 1 und des Anspruchs 2. Die Erfindung betrifft ebenso Schleusensysteme zur Durchfüh¬ rung der Schleusungsverfahren für ein Substrat gemäß Ober¬ begriff der Ansprüche 7 und 8.
Schleusensysteme dieser Art sind in unterschiedlichen Dimensionen für Vakuumbeschichtungsanlagen im industriellen Ein- satz, insbesondere solche die zur Beschichtung flächiger Substrate, wie z.B. Architekturglas, Kunststoff- oder Me¬ tallsubstrate, Substrate für Displays, Silizium-Wafer oder anderes, im Durchlaufverfahren dienen.
Üblicherweise kommen sogenannte Drei-Kammer-Vakuumbeschich- tungsanlagen oder Fünf-Kammer-Vakuumbeschichtungsanlagen zum Einsatz. Bei den Fünf-Kammer-Vakuumbeschichtungsanlagen sind neben den beiden Schleusenkammern zum Ein- und Ausschleusen der Substrate jeweils eine danach bzw. davor angeordnete Pufferkammer sowie nach der emgangsseitigen bzw. vor der ausgangsseitigen Pufferkammer einen Prozessbereich, der zumindest eine Prozesskammer umfasst. Durch die gesamte InIi- ne-Beschichtungsanlage verläuft eine Transporteinrichtung, mittels der Substrate entlang eines Transportpfades durch die Beschichtungsanlage bewegbar sind. Der Prozessbereich umfasst häufig emgangsseitig eine Transferkammer. Daran schließen sich, in Richtung des Transports betrachtet, zu¬ mindest eine, üblicherweise mehrere aufeinander folgende Prozesskammern an, je nach aufzubringender Schicht oder aufzubringendem Schichtsystem. Im Anschluss daran ist eine aus- gangsseitige Transferkammer angeordnet.
Diese Prozesskammern sind allgemein als Funktionskammern oder als so genannten Kompartments bekannt. Entlang des Transportpfades wechseln sich oftmals Beschichtungskompart- ments, d. h. Prozesskammern, in denen die Substrate be¬ schichtet werden, und Pumpkompartments, d. h. Prozesskam¬ mern, die der Evakuierung einzelner Beschichtungskompart- ments oder der Gastrennung zwischen Beschichtungskompart- ments dienen, ab. In Abhängigkeit von dem herzustellenden Schichtsystem können auch weitere Prozesskammern zur Durchführung weiterer Prozessschritte angeordnet sein, wie z.B. zur Temperierung oder Temperaturbehandlung, zur Reinigung, Passivierung oder Aktivierung einer Substratoberfläche oder anderes. Auch kann die Reihenfolge der aufeinanderfolgenden Kompartments wechseln. Die einzelnen Kompartments wiederum sind durch Öffnungen miteinander verbunden, durch welche das Substrat von einem Kompartment in das nächstfolgende geführt wird.
Die Schleusenkammern und die Pufferkammern sind mittels va- kuumdicht schließbarer Anlagen- oder Zwischentore jeweils am Eingang und am Ausgang der jeweiligen Kammer vakuumtechnisch je nach Lage in der Aufeinanderfolge von Kammern von der umgebenden Atmosphäre oder von einer benachbarten Kammer trennbar. Die Anlagentore dienen dem diskontinuierlichen Einschleusen bzw. Ausschleusen von Substraten vom Atmosphärendruck in das Vakuum der Anlage bzw. umgekehrt. In den eingangsseitigen Schleusen- und Pufferkammern wird nach der Aufnahme des Substrats und dem Schließen des Anlagentores ein Grob- oder Feinvakuum hergestellt. Ausgangsseitig er- folgt der Vorgang analog in der umgekehrten Abfolge.
An ein Zwischentor, welches eine Pufferkammer zum Prozessbereich trennt, schließt sich bei kontinuierlich arbeitenden Beschichtungsanlagen ein Anlagenabschnitt an, eine so genannte Transferkammer an, in welcher eine Anpassung des Transportregimes vom diskontinuierlichen Einschleusen zum kontinuierlichen Beschichtungsbetrieb erfolgt. Zu diesem Zweck weisen Transferkammern jeweils eine Transporteinrichtung auf, die Abschnitte mit getrennten Antrieben, ein so genanntes Passing Band, umfassen, um die Transportgeschwin¬ digkeit von der Zuführgeschwindigkeit im vorderen Teil der Transferkammer an die Prozessgeschwindigkeit während der Beschichtung anzupassen. In diesen Transferkammern wird au¬ ßerdem meist eine vakuumtechnische Zwischenstufe realisiert, in welcher eine Druckanpassung zwischen dem Druck der Puf¬ ferkammer und dem Druck einer benachbarten Prozesskammer eingestellt wird. Da am Ende des Prozessbereiches hinsicht¬ lich Anpassung des Transportregimes und Aufrechterhaltung des Prozessvakuums die gleichen Anforderungen stehen, wie eingangs des Prozessbereiches jedoch in umgekehrter Rich¬ tung, ist am Ende des Prozessbereiches ebenfalls eine Trans¬ ferkammer vor der ausgangsseitigen Pufferkammer angeordnet.
Die Bezeichnung „Kammer" soll sich hier auf ein begrenzbares Volumen beziehen, das durch ein eigenes Gehäuse oder durch Trennwände definiert wird, welche innerhalb eines größeren Gehäuses der Vakuumbeschichtungsanlage in Transportrichtung aufeinanderfolgend angeordnet sind. Gehäuse oder Trennwände weisen zum Transport des Substrates durch die Anlage die oben beschriebenen Ein- und Ausfuhröffnungen auf. Ein vaku- umdichter Abschluss der einzelnen Volumina kann mit dem Beg¬ riff „Kammer" verknüpft sein, ist aber nicht erforderlich. Eine Transferkammer einer Vakuumbeschichtungsanlage ist z.B. in der DE 10 2005 024 180 Al beschrieben.
Aufgrund dieses Aufbaus der Vakuumbeschichtungsanlage als Fünf-Kammer-Anlage sind deutlich geringere Taktzeiten reali¬ sierbar als mit einer Drei-Kammer-Anlage, in welcher die Schleusung nur über eine Schleusenkammer und eine anschlie¬ ßende Transferkammer in die Prozesskammer erfolgt. Denn die zwischen Schleusenkammer und Prozessbereich zwischengeschal- tete Pufferkammer verteilt den Schleusungsvorgang auf zwei Kammern, so dass innerhalb jeder der beiden Kammern geringere Druckdifferenzen auf- und abzubauen sind.
Die Schleusensysteme der Vakuumbeschichtungsanlagen sind insbesondere bei großflächigen Substraten an die Geometrie der Substrate angepasst. D. h. die Abmessungen der Schleu¬ sen- und Pufferkammern entsprechen den Abmessungen eines Substrats oder eines mehrfachen davon zuzüglich z. B. durch das Transportsystem technisch bedingter Bereiche. So sind die bekannten Vakuumbeschichtungsanlagen von Flachglas übli- cherweise an die gängige Maße der Scheiben in den Größen
6000mm x 3210mm, ca. 100" x 126" (2540mm x 3210mm) oder 100" x 144" (2540mm x 3658mm) angepasst, wodurch die Beschichtung auf Substrate dieser Größe beschränkt ist.
Um Substrate zu beschichten, deren Länge die der Schleusen- kammern übersteigt, wird in der DE 10 2004 008 598 B4 aus
Schleusenkammer und Pufferkammer eine verlängerte Schleusenkammer gebildet, indem das Tor zwischen beiden Kammern während des Schleusungsvorganges offen bleibt und die Druckver¬ hältnisse in beiden Kammern einander angepasst werden. Damit wird eine Fünf-Kammer-Anlage als Drei-Kammer-Anlage genutzt, wodurch sich die Schleusenzeiten und folglich die Taktzeiten der Vakuumbeschichtungsanlage erhöhen.
Mit dem nachfolgend beschriebenen Verfahren zum Ein- und Ausschleusen eines Substrats sowie dem dazu verwendeten Schleusensystemen ist es möglich, während des Ein- und Aus- schleusens von Substraten, die länger sind, als eine Schleu¬ senkammer, eine Druckentkopplung zwischen dem Ein- und Ausgang des Schleusensystems zu realisieren. Hierbei soll jener Anlagenabschnitt, welcher die Schleusenkammer und die Puf- ferkammer einer Fünf-Kammer-Vakuumbeschichtungsanlage ein¬ schließlich der diese Kammern schließenden Tore umfasst, als Schleusensystem bezeichnet sein.
Mittels der Druckentkopplung innerhalb eines Schleusensys- tems können die Pumpzeiten für das Schleusensystem und somit die Taktzeiten der Anlage im Vergleich zum Betrieb als Drei- Kammeranlage verringert werden. Die Druckentkopplung erfolgt mittels Strömungswiderstand, d. h. mittels einer den Gasaus- tausch zwischen beiden Kammern vermindernden Vorrichtung innerhalb des Schleusensystems, d.h. innerhalb der Puffer¬ kammer oder innerhalb der Schleusenkammer oder auch in bei¬ den Kammern. Ein Strömungswiderstand verringert den offenen Querschnitt um das durch die Anlage zu transportierende Sub- strat derart, dass in Abhängigkeit von den Druckverhältnis¬ sen in den angrenzenden Kammerbereichen ein Gasaustausch erschwert und somit ein Druckausgleich verhindert wird. Je nach Lage eines oder mehrerer Strömungswiderstände können verschieden hohe Druckdifferenzen mit einer oder mehr Abstu- fungen des Drucks innerhalb eines Schleusensystems erzeugt werden .
Ein solcher Strömungswiderstand bewirkt, dass innerhalb des Schleusensystems mit den über ein offenes Zwischentor ver¬ bundenen Volumina von Schleusen- und Pufferkammer zwischen dem Volumenbereich der Schleusenkammer und dem Volumenbe¬ reich der Pufferkammer eine Druckdifferenz erzeugt wird. Diese Druckdifferenz soll derart ausgebildet sein, dass im evakuierten Zustand und bei geöffnetem Zwischentor zwischen Schleusen- und Pufferkammer die Druckverhältnisse zwischen der umgebenden Atmosphäre, der Schleusenkammer, der Puffer¬ kammer und dem Prozessbereich vergleichbar sind der oben beschriebenen Druckverhältnissen bei voneinander getrennten Schleusen- und Pufferkammern.
Auf diese Weise steht hinsichtlich des Kammervolumens zum Schleusen eines Substrats eine Drei-Kammer-Anlage mit ver¬ größerter Schleusenkammer und hinsichtlich der Druckverhält¬ nisse eine Fünf-Kammer-Anlage mit mehrfach abgestuftem und somit entkoppeltem Druck zwischen der umgebenden Atmosphäre und dem Prozessvakuum zur Verfügung. Der abgestufte Druck gestattet, wie von einer Fünf-Kammer-Anlage bekannt, verπn- gerte Evakuierungs- und Belüftungszeiten für die einzelnen Volumenbereiche des Schleusensystems und damit verkürzte Taktzeiten .
Die Komponenten, die einen Strömungswiderstand bilden, wie z.B. parallel zum Substrat angeordnete Leitbleche, können z. B. in bestehenden Anlagen ergänzt werden und können auch im Normalbetrieb der Vakuumbeschichtungsanlagen mit Substratlängen, die keine verlängerte Schleusenkammer erfordern, in der Anlage verbleiben. Für die Evakuierung Belüf- tung der beiden Volumenbereiche eines erfindungsgemäßen
Schleusensystems kann aufgrund der herzustellenden Druckdif¬ ferenz zwischen diesen beiden Bereichen mithilfe der vorhandenen Pumpsysteme erfolgen. Alternativ können auch weitere Pumpsysteme ergänzt werden, z.B. wenn mehrere Druckstufen erzeugt werden sollen.
Nachfolgend soll die Erfindung anhand eines Ausführungsbei- spiels eines Schleusensystems zum Einschleusen eines Sub¬ strats in eine Vakuumbeschichtungsanlage näher erläutert werden, wobei
Fig. 1 ein Schleusensystem zeigt mit einem Strömungswi¬ derstand innerhalb der Pufferkammer und
Fig. 2 ein Schleusensystem mit einem Strömungswiderstand innerhalb der Schleusenkammer.
Die Schleusensysteme gemäß Fig. 1 und Fig. 2 sind Teil einer Vakuumbeschichtungsanlage und umfassen Kammern, Tore und weitere Bauteile, die aus Fünf-Kammer-Anlagen bekannt sind. Das für das Ausschleusen erforderliche Schleusensystem entspricht dem dargestellten System im Wesentlichen, jedoch mit umgekehrter Abfolge. Folglich erfolgt auch das Ausschleusen in umgekehrter Reihenfolge unter Berücksichtigung des umgekehrten Öffnens und Schließens der Tore eingangs und aus¬ gangs des Schleusensystems. Dies ist mittels eines gestri¬ chelt gezeichneten Pfeils für die Transportrichtung 17' und die Richtung des aus einer Vakuumbeschichtungsanlage austre¬ tenden Substrats 10 dargestellt, wobei die Schleusensysteme zum Einschleusen und zum Ausschleusen von Substraten 10 in Durchlaufanlagen separate Komponenten sind, die am Anfang und am Ende der Durchlaufanläge angeordnet sind. Derartige Schleusensysteme können jedoch ebenso in Vakuumbeschich- tungsanlagen verwendet werden, die nicht im Durchlaufbetrieb arbeiten und bei denen das Ein- und Ausschleusen am selben Ende der Anlage mit demselben Schleusensystem erfolgen. Folglich stellt die entgegengesetzt gerichteten Pfeile für die Transportrichtung des Ein- und Ausschleusens 17, 17' nicht zwangsläufig einen Richtungswechsel des Substrattrans¬ ports in der Vakuumbeschichtungsanlage dar sondern vielmehr die Abfolge des Durchlaufs eines Substrats 10 durch die ein- zelnen Kammern.
Das Schleusensystem 1 gemäß Fig. 1 umfasst eine Schleusenkammer 3, die für den hier beschriebenen Vorgang des Ein- schleusens als Einschleuskammer und das in umgekehrter Reihenfolge ablaufende Ausschleusen als Ausschleuskammer dient. Die Schleusenkammer 3 ist durch ein vakuumdicht schließbares Anlagentor 2 von der umgebenden Atmosphäre zu trennen. Das Anlagentor 2 dient als Eingang bzw. als Ausgang der Vakuum¬ beschichtungsanlage. An die Schleusenkammer 3 schließt sich die Pufferkammer 6 und daran eine Transferkammer 5 an. Letz- tere soll hier dem Prozessbereich 20 zugeordnet werden, wel¬ cher benachbart zur Transferkammer 5 eine erste Prozesskam¬ mer 21 aufweist, in welcher die Behandlung und Beschichtung des Substrats 10 erfolgt z.B. Beschichtungskammer . In Abhängigkeit von der aufzubringenden Schicht oder Schichtenfolge kann der Prozessbereich 20 aus einer Abfolge von mehreren Beschichtungs- oder Pumpkompartments bestehen.
Transferkammer 5, Pufferkammer 6 und Schleusenkammer 3 sind durch Tore 4, 11 vakuumtechnisch voneinander zu trennen. Das Tor zwischen Schleusenkammer 3 und Pufferkammer 6 soll im Folgenden als Zwischentor 4 und das zwischen Pufferkammer 6 und Transferkammer 5 aufgrund des angrenzenden Prozessberei¬ ches 20 als Prozesstor 11 bezeichnet werden. Für die Schleu¬ sung überlanger Substrate 10, deren Länge größer ist als die Länge der Schleusenkammer 3 oder der Pufferkammer 6, bleibt das Zwischentor 4 zumindest während des Schleusungsvorganges geöffnet, so dass Schleusenkammer 3 und Pufferkammer 6 eine verlängerte Schleusenkammer 1 bilden. Je nach Transportrich¬ tung 17, 17' des Substrats 10 in die Vakuumbeschichtungsan- lage oder aus ihr heraus, ist das, in der jeweiligen Sub- strattransportπchtung 17, 17' betrachtet, eingangsseitige Tor der verlängerte Schleusenkammer 1 das Anlagentor 2 und deren ausgangsseitiges Tor das Prozesstor 11 oder umgekehrt.
Die Transferkammer 5 ist durch einen schlitzartigen Durchgang 19 von der benachbarten Prozesskammer getrennt, der den Substrattransport ermöglicht, aber einen Gasaustausch zwi¬ schen Prozesskammer und Transferkammer zumindest erschwert. In den einzelnen Kammern der Vakuumbeschichtungsanlage be¬ findet sich ein Transportsystem 18 für den Transport des Substrats 10 durch die gesamte Anlage.
Der Pufferkammer 6 weist benachbart zum Tor einen Strömungs¬ widerstand 7 auf. Der Strömungswiderstand wird durch zwei Trennwände gebildet, die ungefähr parallel zur Substratebene 8 und mit geringem Abstand dazu angeordnet sind, d. h. zur Ebene in welcher das Substrat 10 durch die Anlage transpor- tiert wird. Durch diese parallel zur Substratebene 8 und damit zum Substrat 10 angeordneten Trennwände wird in unmit¬ telbarer Umgebung des Substrats 10 ein Kanal geschaffen, der als Strömungswiderstand fungiert und somit einen Ausgleich der Atmosphären der benachbarten Schleusen- und Pufferkam- mern 3, 6 verhindert. Der Abstand zur Substratebene 8 ist so bemessen, dass in Abhängigkeit des Druckes in den angrenzen¬ den Kammern und der einzustellenden Druckdifferenz ein sol¬ cher Strömungswiderstand zwischen den Trennwänden sowie zwi¬ schen den Trennwänden und dem Substrat 10 besteht, dass kein Druckausgleich erfolgt. Auf diese Weise herrscht eine deutlich geringere Druckdiffe¬ renz zwischen dem in der Transferkammer 5 und dem im angrenzenden Volumenbereich der verlängerten Schleusenkammer 1 bestehendem Druck, verglichen mit einem Schleusensystem, in welchem ein Druckausgleich zwischen Schleusenkammer und Puf¬ ferkammer hergestellt würde und in welchem folglich am Pro¬ zesstor 11 bei geöffnetem Anlagentor 2 atmosphärischer Druck anliegen würde.
In Fig. 1 ist der Strömungswiderstand 7 in der Pufferkammer 6 angeordnet, da an der Ausgangsseite der Schleusenkammer 3 das Zwischentor 4 als Klappenventil ausgeführt ist, welches aufgrund seiner Konstruktion einen Freiraum beansprucht, in welchem keine konstruktiven Elemente angeordnet sein dürfen. Für andere konstruktive Lösungen des Zwischentores 4 ist es ebenso möglich, den Strömungswiderstand 7 in der Schleusen¬ kammer 3 anzuordnen (Fig. 2) . Je nach der herzustellenden Höhe der Druckdifferenz oder Anzahl von Abstufungen können in weiteren Ausgestaltungen eines Schleusensystems alterna¬ tiv auch mehrere Strömungswiderstände 7 angeordnet sein, die entweder auf Pufferkammer 6 und Schleusenkammer 3 verteilt sind oder sich in einer von beiden Kammern 6, 3 befinden. Es ist auch nicht erforderlich, dass Eingangs- und Ausgangs¬ schleusensystem symmetrisch aufgebaut sind, voneinander ab¬ weichende Konstruktionen sind möglich.
Zum Einschleusen eines Substrats 10 durch das Anlagentor 2, welches gleichzeitig das Schleuseneingangstor der Schleusenkammer 3 ist, in eine Vakuumbeschichtungsanlage werden Puf¬ ferkammer 6 und Schleusenkammer 3 von der Transferkammer 5 mittels des Prozesstores 11 vakuumdicht getrennt. Das Zwi- schentor 4 der Schleusenkammer 3 ist geöffnet (gestrichelt dargestellt) , so dass die Schleusenkammer 3 und die Puffer¬ kammer 6 eine verlängerte Schleusenkammer bilden.
Bei geschlossenem Prozesstor 11 wird die verlängerte Schleu¬ senkammer 1 mittels einer ersten Belüftungseinheit 12 der Schleusenkammer 3 belüftet. Auch die Pufferkammer 6 weist eine eigene Belύftungsemheit auf, hier als zweite Belüf- tungseinheit 13 bezeichnet. Diese kann in Abhängigkeit von der Druckdifferenz, welche in der verlängerten Schleusenkam- mer 1 herzustellend sind, gegebenenfalls die erste Belüf¬ tungseinheit 12 für die Belüftung der verlängerten Schleusenkammer 1 ergänzen. Im Anschluss daran wird das Anlagentor 2 geöffnet. Das Substrat 10 kann mittels des Transportsys¬ tems 18 in die verlängerte Schleusenkammer 1 transportiert werden. Aufgrund des während des gesamten Einschleusvorgan¬ ges offenen Zwischentores 4 kann ein Substrat 10 einge¬ schleust werden, dessen Länge über die Länge der Schleusenkammer 3 hinausgeht.
Um eine Schädigung oder zumindest Kontamination der Prozess- kammer 21 sicher zu vermeiden, kann das Öffnen des Anlagentores 2 konstruktiv derart mit dem Prozesstor 11 gekoppelt sein, dass ein Öffnen des Anlagentores 2 zur umgebenden Atmosphäre hin nur erfolgen kann, wenn das Prozesstor 11 zuvor geschlossen wurde. Ergänzend kann für die Schleusung über- langer Substrate 10 auch eine zwangsweise Öffnung des Zwi¬ schentores 4 während des gesamten Schleusungsvorganges rea¬ lisiert sein.
In der Schleusenkammer 3 wird nach dem Schließen des Anla¬ gentores 2 der Atmosphärendruck von ca. 1000 mbar durch ein erstes Pumpsystem 9 der Schleusenkammer 3 gemeinsam mit einem zweiten Pumpsystem 14 der Pufferkammer 6 auf einen Zwischendruck abgesenkt. Nach Erreichen des Zwischendruckes wird das erste Pumpsystem 9 der Schleusenkammer 3 abgeschaltet und nur mit dem zweiten Pumpsystem 14 ein Endüberfüh- rungsdruck in der Pufferkammer 6 hergestellt, welcher nahe des Vakuums in der Transferkammer 5 liegt und bei dem das Prozesstor 11 zur Transferkammer 5 geöffnet und das Substrat 10 zur Weiterleitung in die Transferkammer 5 transportiert wird. Mittels des Strömungswiderstandes 7 in der Pufferkam- mer 6, der im Ausführungsbeispiel angrenzend an das Zwi¬ schentor 4 angeordnet ist, wird ein Druckausgleich zwischen beiden Kammern verhindert. Das erste Pumpsystem 9 umfasst z. B. eine Anzahl gestockter, d. h. in Reihe geschalteter Pumpen 15, wie Wälzkolbenpumpen gemeinsam mit Drehschieber- pumpen und Ventilen 16. Bei dem zweiten Pumpsystem 14 in der Pufferkammer 6 handelt es sich üblicherweise um ein Hochva¬ kuumsystem mit in Reihe angeordneten Pumpen 15, z. B. Turbo¬ molekularpumpen, und zwischengeschaltete Ventile 16 umfas¬ send, mit denen ein Hochvakuumdruck von ca. 10 mbar oder darunter herstellbar ist. Es hat sich herausgestellt, dass effektive Pump- und Taktzeiten bei der Verwendung der verlängerten Schleusenkammer 1 dann erzielt werden, wenn mit¬ tels des ersten und zweiten Pumpsystems 9, 14 ein solcher Zwischendruck eingestellt wird, dass zum Zeitpunkt der An¬ passung des Drucks in der Pufferkammer 6 nahe dem Druck in der Transferkammer 5 der Druck in der Schleusenkammer 3 zumindest um den Faktor vier größer ist als der Druck in der Pufferkammer 6. Welcher Zwischendruck dafür herzustellen ist, hängt von verschiedenen Faktoren ab, z.B. dem Prozessdruck, der Ausgestaltung der Transferkammer 5 und der Lage und Wirkung des einen oder mehrerer Strömungswiderstände 7.
Die hier genannten Drücke und Pumpen stellen lediglich ein Beispiel dar. In Abhängigkeit von dem auszuführenden Be- schichtungsverfahren können auch andere Drücke in der Prozesskammer und folglich auch im Schleusensystem eingestellt werden und andere Pumpen verwendet werden. Dem Fachmann ste¬ hen für die verschiedenen Vakuumbereiche und die zu erzie¬ lenden Evakuierungszeiten zahlreiche Konfigurationen von ein- oder mehrstufigen Pumpsystemen zur Verfügung.
Anschließend wird das Substrat 10 durch das geöffnete Pro- zesstor 11 der nachfolgenden Transferkammer 5 zugeführt.
Dieser Schleusungsprozess des Substrates 10 erfolgt nach dem Passieren der Prozesskammer 21 in analoger, umgekehrter Rei¬ henfolge mittels eines weiteren Transfer- und Schleusensys¬ tems bis zum Erreichen des Atmosphärendruckes. Auch dieses Schleusensystem wird durch verlängerte Schleusenkammer 1, und zwar jene zum Ausschleusen des Substrats 10 im Verbund mit der zwischen zweiter Schleusenkammer 3 und Transferkammer 5 angeordneten zweiten Pufferkammer 6 und den beiden Pumpsystemen (9, 14) der Schleusen- 3 und Pufferkammer 6 gebildet, indem das Zwischentor 4 zwischen diesen beiden Kammern während des gesamten Schleusungsprozesses geöffnet bleibt und mittels der beiden Pumpsysteme (9, 14) und einem Strόmungswiderstand 7 wie oben beschrieben ein Druckgefälle zwischen diesen beiden Kammern zumindest vor und während dem Ausschleusen eines Substrats 10 aus der Transferkammer 5 eines Prozessbereichs 20 hergestellt wird.
Verfahren und Vorrichtung zum Schleusen überlanger Substrate in einer Vakuumbeschichtungsanlage
Bezuσszeichenliste
1 verlängerte Schleusenkammer
2 Anlagentor
3 Schleusenkammer
4 Zwischentor
5 Transferkammer
6 Pufferkammer
7 Strömungswiderstand
8 Substratebene
9 erstes Pumpsystem
10 Substrat
11 Prozesstor
12 erste Belüftungseinheit
13 zweite Belüftungseinheit
14 weiteres Pumpsystem
15 Pumpe
16 Ventil
17 Transportrichtung des Einschleusens
17' Transportrichtung des Ausschleusens
18 TransportSystem
20 Prozessbereich
21 Prozesskammer

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum Schleusen eines Substrats (10) in eine oder aus einer Vakuumbeschichtungsanlage, m welcher an eine Schleusenkammer (3), eine Pufferkammer (6) und daran ein Prozessbereich (20) angrenzt, die Schleusen- und Pufferkammern (3, 6) voneinander durch jeweils ein schließbares Zwischentor (4) zu trennen sind und die Schleusenkammer (3) ein ersten Pumpsystem (9) sowie die Pufferkammer (6) ein zweites Pumpsystem (14) umfassen, mit folgenden Verfahrensschritten:
a) Transportieren des Substrats (10) durch ein geöffne¬ tes, vakuumdicht schließbares emgangsseitiges Tor (2, 11) in eine verlängerte Schleusenkammer (1), ge¬ bildet aus Schleusenkammer (3) und Pufferkammer (6) bei geöffnetem Zwischentor (4), wobei ein die ver¬ längerte Schleusenkammer (1) ausgangsseitig ab¬ schließendes Tor (11, 2) vakuumdicht verschlossen ist, b) Schließen des emgangsseitigen Tores (2, 11) und Einstellen von Druckverhaltnissen in der verlängerten Schleusenkammer (1) mit einer Druckdifferenz zwischen Schleusenkammer (3) und Pufferkammer (6) mit geringerem Druck in der Pufferkammer (6) unter
Verwendung eines Strömungswiderstandes (7), welcher in der verlängerten Schleusenkammer 1 angeordnet ist, und c) Öffnen des ausgangsseitigen Tores (11, 2) und Trans- portieren des Substrats (10) aus der verlängerten
Schleusenkammer (1) .
2. Verfahren zum Betrieb einer Vakuumbeschichtungsanlage mit m Transportrichtung des Substrats (10) aufeinanderfolgender erster Schleusenkammer (3), erster Pufferkammer (6), Prozessbereich (20), zweiter Pufferkammer (6) und zweiter Schleusenkammer (3), welche durch Tore (2, 4, 11) jeweils voneinander und zur umgebenden Atmosphäre vakuumdicht trennbar sind und mit einem ersten Pumpsystem (9) der Schleusenkammer (3) sowie einem zweiten Pumpsystem (14) der Pufferkammer (6), indem ein Substrat (10) m die Vakuumbeschichtungsanlage einge¬ schleust, m deren Prozessbereich (20) beschichtet und nachfolgend aus der Vakuumbeschichtungsanlage ausge¬ schleust wird, wobei das Einschleusen oder das Aus¬ schleusen des Substrats (10) oder beides mit einem Ver- fahren nach Anspruch 1 erfolgt.
3. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei eine Druckdifferenz m der verlängerten Schleusenkammer
(1) mittels eines Strόmungswiderstandes (7) eingestellt wird, welcher m der Pufferkammer (6) angeordnet ist.
4. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei eine Druckdifferenz m der verlängerten Schleusenkammer (1) mittels eines Strόmungswiderstandes (7) eingestellt wird, welcher m der Schleusenkammer (3) angeordnet ist.
5. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Druckeinstellung unter Herstellung einer Druckdif¬ ferenz während des Emschleusens eines Substrats (10) m der verlängerten Schleusenkammer (1) mittels des ersten (9) und des zweiten Pumpsystems (14) erfolgt, m- dem mittels beider zugehöriger Pumpsysteme (9, 14) zu¬ nächst ein Zwischendruck eingestellt wird und anschlie¬ ßend der Druck in der Pufferkammer mit dem zweiten Pumpsystem (14) der Pufferkammer (6) auf den Überführungsdruck abgesenkt wird, bei welchem die Überführung des Substrats (10) zwischen verlängerter Schleusenkam¬ mer (1) und Transferkammer (5) erfolgt.
6. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Druckeinstellung unter Herstellung einer Druckdifferenz während des Ausschleusens eines Substrats (10) aus der verlängerten Schleusenkammer (1) mittels eines ersten Belüftungssystems (12) der Schleusenkammer (3) und mittels eines zweiten Belüftungssystems (13) der Pufferkammer (6) erfolgt.
7. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei eine Druckdifferenz innerhalb einer verlängerten Schleusenkammer (1) hergestellt wird, bei welcher der Druck in der Schleusenkammer (3) um mindestens einen Faktor vier größer ist als der Druck in der Pufferkam¬ mer ( 6) .
8. Schleusensystem zum Schleusen eines Substrats (10) in einer Vakuumbeschichtungsanlage, bei welcher an eine
Schleusenkammer (3), eine Pufferkammer (6) und daran ein Prozessbereich (20) angrenzt und zur Trennung von Schleusenkammer (3) und Pufferkammer (6) voneinander ein schließbares Zwischentor (4) zwischen beiden Kam- mern angeordnet ist, die Schleusenkammer (3) ein ersten Pumpsystem (9) sowie die Pufferkammer (6) ein zweites Pumpsystem (14) umfassen und aus einer Schleusenkammer (3) und einer Pufferkammer (6) bei geöffnetem Zwischentor (4) zwischen Schleusen- und Pufferkammer eine ver- längerte Schleusenkammer (1) gebildet ist, welche ein- gangsseitig und ausgangsseitig jeweils ein vakuumdicht schließbares Tor (2, 11) aufweist dadurch gekennzeichnet, dass die verlängerte Schleusenkammer (1) einen Strömungswiderstand (7) aufweist, so dass in der verlängerten Schleusenkammer (1) solche Druckverhältnisse herstellbar sind, dass eine Druckdifferenz zwi¬ schen Schleusenkammer (3) und Pufferkammer (6) mit dem geringeren Druck in der Pufferkammer (6) besteht.
9. Schleusensystem nach Anspruch 8, dadurch gekenn- zeichnet, dass ein Strömungswiderstand (7) in der
Pufferkammer (6) angeordnet ist.
10. Schleusensystem nach einem der Ansprüche 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass ein Strömungswiderstand (7) in der Schleusenkammer (3) angeordnet ist.
11. Schleusensystem nach einem der Ansprüche 8, 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass ein Strömungswiderstand (7) benachbart zum Zwischentor (4) angeordnet ist.
12. Schleusensystem nach einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass mittels des ersten (9) und des zweiten Pumpsystems (14) und mittels des
Strömungswiderstands (7) eine Druckdifferenz herstell¬ bar ist, bei welcher der Druck in der Schleusenkammer (3) um mindestens einen Faktor vier größer ist als der Druck in der Pufferkammer (6) .
13. Vakuumbeschichtungsanlage zum Beschichten flächiger
Substrate (10) mit in Transportrichtung (17, 17') eines Substrats (10) aufeinanderfolgender erster Schleusenkammer (3), erster Pufferkammer (6), Prozessbereich (20), zweiter Pufferkammer (6) und zweiter Schleusen- kammer (3) und mit einem ersten Pumpsystem (9) einer
Schleusenkammer (3) sowie einem zweiten Pumpsystem (14) einer Pufferkammer (6), dadurch gekennzeichnet, dass die Vakuumbeschichtungsanlage zumindest ein Schleusensystem nach einem der Ansprüche 8 bis 12 zum Einschleusen eines Substrats (10) in die Vakuumbe¬ schichtungsanlage oder zum Ausschleusen eines Substrats (10) aus der Vakuumbeschichtungsanlage oder beidem auf¬ weist .
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