WO2008126714A1 - Procédé de production de nanoparticules semi-conductrices - Google Patents

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WO2008126714A1
WO2008126714A1 PCT/JP2008/056317 JP2008056317W WO2008126714A1 WO 2008126714 A1 WO2008126714 A1 WO 2008126714A1 JP 2008056317 W JP2008056317 W JP 2008056317W WO 2008126714 A1 WO2008126714 A1 WO 2008126714A1
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Kumiko Nishikawa
Kazuya Tsukada
Naoko Furusawa
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Konica Minolta Medical & Graphic, Inc.
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    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation

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Abstract

La présente invention concerne un procédé de production de nanoparticules semi-conductrices présentant un diamètre de particule planifié, avec un bon rendement. Ce procédé de production est caractérisé en ce qu'il comprend l'addition d'une matière première pour nanoparticules semi-conductrices à une phase liquide en vue de sa dispersion, ladite phase liquide présentant un très petit champ de réaction formé par des ondes ultrasoniques, cela étant suivi de l'addition d'un agent réducteur pour entraîner la formation des nanoparticules semi-conductrices.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002154817A (ja) * 2000-11-15 2002-05-28 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> シリコン超微粒子及びその作製方法
JP2005503984A (ja) * 2001-09-19 2005-02-10 エバーグリーン ソーラー， インコーポレイテッド 化学的に接近可能な表面を有するケイ素ナノクリスタルを調製するための高収率方法

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