WO2008123132A1 - Appareil de génération d'ondes de surface élastiques - Google Patents

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Michio Kadota
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Murata Manufacturing Co., Ltd.
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    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02574Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate

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Abstract

Cette invention concerne un appareil de génération d'ondes de surface élastiques peu susceptible de provoquer un changement des propriétés lors d'une variation de température et qui a un coefficient de réflexion élevé par doigt d'électrode de IDT et peut facilement rétrécir la bande. Dans l'appareil de génération d'ondes de surfaces élastiques (1), une électrode IDT (3) et un film de SiO2 (7) ayant la même épaisseur qu'un doigt d'électrode dans l'électrode IDT (3) sont formés sur un substrat piézoélectrique (2) constitué de quartz dont l'angle d'Euler est de 0° ± 5°, 0° à 140° et 0° ± 40°, de façon à former une électrode IDT (3). Un film piézoélectrique, constitué d'un film de ZnO (4) aligné sur l'axe c, est formé de façon à couvrir l'électrode IDT (3) et le film de SiO2 (7), et une onde de Rayleigh est utilisée comme onde de surface élastique. L'électrode IDT (3) est formée dans un matériau métallique composé principalement de Au, Ta, W, Pt, Cu, Ni et Mo. Lorsque la longueur de l'onde de surface élastique est λ, le métal comme constituant principal dans l'électrode IDT(3), l'épaisseur du film standardisé par λ de l'électrode IDT (3) et l'épaisseur du film standardisé par λ du film de ZnO (4) s'inscrivent dans une plage de combinaisons individuelles spécifiées dans la Table 1 ci-après. Table 1: AA métal comme constituant principal de l'
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