WO2008029633A1

WO2008029633A1 - Substrat de conversion de couleur et procédé de fabrication associé

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Publication number: WO2008029633A1
Application number: PCT/JP2007/066405
Authority: WO
Inventors: Satoshi Hachiya; Mitsuru Eida
Original assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date: 2006-09-07
Filing date: 2007-08-24
Publication date: 2008-03-13
Anticipated expiration: 2009-03-07
Also published as: TW200829076A

Description

明細書

色変換基板及びその製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、色変換基板及びその製造方法に関する。特に薄膜でも十分な色変換性能を有する色変換基板に関する。

背景技術

[0002] 有機 EL (エレクト口ルミネッセンス）素子等の発光素子の光を、色変換膜にて、他の波長の光に変換することにより、青、緑、赤の三原色の光を得て、フルカラーディスプレイを得る技術が知られている。

[0003] 色変換膜にフォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルを配合した色変換材料を用いたフルカラーディスプレイはすでに公知である。

色変換材料を含む膜を基体上に形成して色変換膜として用いる場合、フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルのみでは実用的な強度を有する膜を形成できな!/、。そこでバインダー材料や重合性物質を添加した組成物を基体上に塗布し、色変換膜を製造する技術が報告されてレ、る。

[0004] しかしながら、マトリクス中に分散されたフォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルが光源の光を十分に吸収するには、色変換膜の膜厚を 10 m以上の厚膜にする必要があった。

[0005] また、色変換膜を用いたフルカラーディスプレイを製造する場合、色変換膜を画素の形状に合わせてパターン化する必要があること、及び色変換膜を厚膜に形成する必要があることから、色変換膜の製造に、フォトリソグラフィ一法又はスクリーン印刷法を適用することが好ましい。しかし、フォトリソグラフィ一法は材料の利用効率が低いという課題があり、スクリーン印刷法はパターン精度に課題があった。

[0006] 一方、材料の利用効率、パターン精度の両方が高レ、印刷法としてインクジェット法が知られているが、 10 m以上の厚膜を形成するには多数回塗り重ねる必要があり、生産効率が低力、つた。

[0007] 特許文献 1には、半導体ナノ粒子、溶媒及び重合可能なモノマーからなることを特徴とする光重合性樹脂組成物が開示されている。

しかし、組成物中の半導体ナノ粒子の含有率が 0. lwt%〜20wt%と低ぐ光源の光を十分に吸収させるには膜厚を厚くする必要があった。

[0008] 特許文献 2には、重合性成分、半導体超微粒子及び溶媒を含有してなる塗布組成物が開示されている。

この組成物から、フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルを含有する層を形成することは可能ではあるが、塗布組成物を基体上に塗布してから重合性成分を重合させるまでの間に組成物が流動しやすいため、大面積の基体上に精度よくフォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルを含有する層を形成することが難しかった。また、ディスプレイの画素のような微小面積に塗膜を形成した場合には、重合性成分を重合させる際の塗膜の収縮により基体との密着強度が低下しやすかつた。

[0009] 特許文献 3には、水性媒体を用いた半導体ナノ粒子配合インクジェット用インクが開示されている。

しかし、水性媒体を用いるため、色変換膜のように mオーダーの膜厚を有するような用途では水分が残留してしまい、電子デバイスと組み合わせることが難しかった。特許文献 1 :特開平 10— 186426号公報

特許文献 2：特開 2002— 114928号公報

特許文献 3 :特開 2000— 119575号公報

発明の開示

[0010] 本発明の目的は、薄膜でも十分な色変換性能を有する色変換膜を用いた色変換基板を提供することである。

本発明の他の目的は、生産性の高い色変換基板の製造方法を提供することである

〇

[0011] 本発明によれば、以下の色変換基板等が提供される。

1.基体と、前記基体上に、フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルを含む色変換膜及び透明保護層をこの順に積層した色変換部と、を含む色変換基板。

2.前記色変換膜が、さらにフォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルの表面処理剤及び/又は透明樹脂を含み、前記表面処理剤及び前記透明樹脂の少なくとも 1つはガラス転移温度、軟化温度又は融点が 120°C以上である 1に記載の色変換基板。

3.前記色変換膜が、フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルを 20〜90重量％、表面処理剤を 50重量％以下、及び透明樹脂を 30重量％以下含む 2に記載の色変換基板。

4.前記表面処理剤が、ホスフィン基、ホスフィンオキサイド基、アミノ基、チオール基、リン酸エステル基、ホスホン酸エステル基、カルボキシル基、ォレフィン基から選ばれる基を有する化合物である 2又は 3に記載の色変換基板。

5.前記透明保護層が、光硬化性及び/又は熱硬化性の樹脂組成物からなる 1〜4 の!/、ずれかに記載の色変換基板。

6.前記透明保護層が、金属酸化物及び/又は金属窒酸化物からなる 1〜4のいずれかに記載の色変換基板。

7.フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタル、及び溶媒を含む組成物を、基体上に塗布し、前記溶媒を乾燥させて色変換膜を形成し、前記色変換膜の上に透明保護層を形成して、色変換部を形成する 1〜6のいずれかに記載の色変換基板の製造方法。

8.前記溶媒の沸点が 200°C以下である 7に記載の色変換基板の製造方法。

9.前記組成物をインクジェット法又はノズルプリンティング法で基体上に塗布する 7 又は 8に記載の色変換基板の製造方法。

10.前記基体上に隔壁を配置して区切られた区域を形成し、前記区域内に前記組成物を塗布して前記色変換膜を形成する 7〜9のいずれかに記載の色変換基板の製造方法。

[0012] 本発明によれば、薄膜でも十分な色変換性能を有する色変換膜を用いた色変換基板を提供することができる。

本発明によれば、生産性の高!/、色変換基板の製造方法を提供することができる。図面の簡単な説明

[0013] [図 1]実施例 3で作成した発光装置を示す図である。

発明を実施するための最良の形態

[0014] 本発明の色変換基板は、基体と、基体上に、フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルを含む色変換膜及び透明保護層をこの順に積層した色変換部とを含む。

[0015] フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルとして、以下の物質を例示できる。

(i)フォトルミネッセンス性半導体ナノクリスタル

ZnSe、 ZnTe、 CdSe等の II VI化合物半導体ナノクリスタル、 InP等の III V族化合物半導体ナノクリスタル、 CuInS 、 CuInSe等のカルコパイライト型半導体ナノタリ

2 2

スタル。

半導体ナノクリスタルは、半導体結晶をナノメートルオーダーまで超微粒子化したものであり、好ましくは粒径が 20nm以下、より好ましくは lOnm以下である。

(ii)金属カルコゲナイド物に遷移金属イオンをドープしたフォトルミネッセンス性ナノクリスタノレ

ZnS、 ZnSe、 CdS、 CdSe等の金属力ノレコゲナイド、ィ匕物に、 Eu²⁺、 Eu³⁺、 Ce³⁺、 T b³⁺、 Cu²⁺等の遷移金属イオンをドープしたもの。

(iii)金属酸化物に遷移金属イオンをドープしたフォトルミネッセンス性ナノクリスタノレ

Y O、 Gd O 、 ZnO、 Y Al O 、 Zn SiO等の金属酸化物に、 Eu²⁺、 Eu³⁺、 Ce³

2 3 2 3 3 5 12 2 4

⁺、 Tb³⁺等の、可視光を吸収する遷移金属イオンをドープしたもの。

[0016] 上記（i) (ii)のナノクリスタルにおいては、ナノクリスタル表面が酸化されたり、 Sや Se 等が引き抜かれることを防止するため、シリカ等の金属酸化物や長鎖アルキル基や燐酸等の有機物等で表面修飾してもよレ、。

さらに、上記ナノ粒子表面をシェルと呼ばれる別の半導体で覆ったナノ粒子が安定性、及び蛍光性の点でより好ましい。シェルの表面をさらにシリカ、チタニア等の金属酸化物で被覆してもよい。

[0017] 上記のフォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルは、一種単独で使用してもよぐまた、二種以上を組み合わせて使用してもよい。

[0018] 本発明の色変換膜は、好ましくは、フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルに加えて、フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルの表面処理剤及び/又は透明樹脂を含み、上記表面処理剤及び透明樹脂の少なくとも 1つはガラス転移温度、軟化温度又は融点が 120°C以上である。ガラス転移温度、軟化温度又は融点が 120°C以上である表面処理剤及び/又は透明樹脂を含むことにより、色変換膜をディスプレイ等に使用した場合に、製造時の加熱や使用中の温度上昇による色変換膜の流動を防ぐことができる。表面処理剤及び/又は透明樹脂のガラス転移温度、軟化温度又は融点は、好ましくは 160°C以上である。

[0019] 尚、本発明において、ガラス転移温度および融点は、 DSC測定により、軟化温度は環球式軟化点試験法により測定する。

[0020] フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルの表面処理剤は、フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルの組成物中での分散をより安定化できる。

フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルの表面処理剤は、表面処理剤として公知の表面処理剤を使用することができる力好ましくは、組成物の保管中にフォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルが凝集してしまわな!/、ように表面処理剤を選定する。上記表面処理剤は、好ましくはホスフィン基、ホスフィンオキサイド基、アミノ基、チオール基、リン酸エステル基、ホスホン酸エステル基、カルボキシル基、ォレフィン基から選ばれる基を有する化合物である。

[0021] 具体的なアミノ基を含む化合物として、ァミノ末端 PEG、ォクチルァミン、デシルアミン、グリシン tert ブチルエステルを例示できる。

具体的なチオール基を含む化合物として、オクタンチオール、ォクチルチオダリコレート、 2 ェチルへキシル 3 メルカプトプロピオネート、チオール末端 PEG、 3 メル示できる。

具体的なリン酸エステル基を含む化合物として、ジブチルフォスフェート、ジー n— デシノレフォスフェート、ジ（ポリエチレングリコーノレ 4ーノニノレフエニノレ）フォスフェート、トリブチルフォスフェートを例示できる。

[0022] 具体的なカルボキシル基を含む化合物の例として、デカン酸、 2ェチルへキサン酸、 4一へキシル安息香酸、 4 ビュル安息香酸を例示できる。

具体的なホスフィン基を含む化合物の例として、トリブチルホスフィン、トリオクチルホスフィンを例示できる。

具体的なホスフィンオキサイド基を含む化合物の例として、トリブチルホスフィンォキサイド、トリオクチルホスフィンオキサイドを例示できる。

具体的なォレフィン基を含む化合物の例として、ドデセン、メチルゥンデセノエート、ビュルゥンデセノエート、 1、 2-エポキシ— 9—デセンを例示できる。

[0023] ナノクリスタル表面に十分に表面処理剤が付着するために、これら化合物の分子量は例えば、好ましくは 10、 000以下であり、より好ましくは 5、 000以下である。

[0024] 透明樹脂は、フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルと共通の溶媒に分散できれば特に制限はないが、ケトン系溶媒に可溶であることが好ましい。

[0025] 具体的には、ポリメタクリル酸ォクタヒドロー 4、 7—メタノインデュルエステル、メチルメタタリレートと N—イソプロピルマレイミドとの共重合体、ポリシクロォレフィン、ポリ力ーボネート等が挙げられる。

[0026] 本発明の色変換膜において、フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルの配合量は好ましくは 20〜90重量⁰ /₀、より好ましくは 20〜60重量⁰ /₀である。フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルの表面処理剤の配合量は、好ましくは 50重量％以下、より好ましくは 2〜45重量％である。透明樹脂の配合量は好ましくは 30重量％以下、より好ましくは 20重量％以下である。

フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルが 20重量％未満の場合、色変換膜が光源の光を十分に吸収できないため、膜厚を厚くする必要があるおそれがある。一方、フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルが 90重量％を超える場合、膜強度が低くなりすぎ、透明保護層を設ける前に色変換膜が破損するおそれがある。

[0027] 色変換膜は、上記の物質の他、チタユア、シリカ等の透明微粒子、酸化防止剤等の添加剤を含むことができる。

[0028] 色変換膜の膜厚は限定されないが通常 1〜； 100 mである。本発明の色変換膜は

、透明保護層を設けるため、膜厚を 10 m以下、具体的には；!〜 6 m程度まで薄くできる。

[0029] 透明保護層は、透明であれば特に制限はないが、下部のフォトルミネッセンス性無機ナノクリスタル層を破壊しないために、フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルの相溶性が低いことが好ましい。

有機材料を用いる場合、エステル系溶媒又はアルコール溶媒に可溶な透明樹脂が好ましい。強度を高めるために、熱硬化性及び/又は光硬化性樹脂であることが好ましい。透明樹脂として、（メタ）アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂、ポリスルホン樹脂、エポキシ樹脂を例示できる。

無機材料を用いる場合、酸化ケィ素、酸化チタ窒化ケィ素等の金属酸化物又は金属窒酸化物が好ましい。

[0030] 透明保護膜の膜厚は限定されないが好ましくは 0. 1〜5 111である。

[0031] 基体としては、ガラス板、ポリマー板等を用いることができる。

[0032] 本発明の色変換基板は、基体上に、フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタル及び溶媒を含む組成物を、塗布し、溶媒を乾燥させて色変換膜を形成し、さらに、色変換膜の上に透明保護層を形成して製造できる。

組成物は、フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルの表面処理剤、ガラス転移温度、軟化温度又は融点が 120°C以上である透明樹脂を含むことができる。

[0033] 溶媒としては、例えばキシレン、ジグライム、シクロへキサノン等が挙げられる。色変換膜を形成する際に、溶媒が残留しないことが好ましいため、沸点が 200°C以下の溶媒が好ましい。

[0034] 組成物を基体上に塗布するが、印刷法によって基体上に塗布すると、必要な部分のみに色変換膜を形成でき、材料の利用効率が向上し好ましい。印刷法として、インクジェット法、ノズルプリンティング法を用いることが好ましレ、。

[0035] 色変換膜を形成する際に、基体上に隔壁を設け、隔壁により区切られた区域に組成物 (インク）を流入して色変換膜を形成すると、複数種のインクを塗り分けやすく好ましい。

[0036] 本発明の色変換膜は、フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルの濃度を高くすることができ、薄膜でも、十分な色変換性能を発揮できる。また、本発明の色変換基板はインクジェット法で生産できるため、生産性が高くなる。

[0037] 透明保護膜は、有機材料のときは、塗布、浸漬により形成でき、無機材料のときは、スパッタリング、化学気相成長（CVD)、蒸着により形成できる。

[0038] さらに、発光素子と、この色変換基板を組み合わせて発光装置を製造することができる。発光素子としては、可視光を発光するものが使用でき、例えば、有機 EL素子、無機 EL素子、半導体発光ダイオード、蛍光表示管が使用できる。これら中で、有機 EL素子及び無機 EL素子が好ましぐ特に、有機 EL素子は、低電圧で、高輝度の発光素子が得られるので好ましレ、。

[実施例]

[0039] 合成例 1

[InP/ZnSナノ粒子の合成]

J. Am. Chem. Soc. 、 2005、 127、 11364を参考 ίこして表記ナノ粒子を合成した。以下に概要を記す。

(1) ΙηΡコアの合成

200ml4つ口フラスコに酢酸インジウム 0. 29g、ミリスチン酸 0. 69g、ォクタデセン 4

0mlを量り取った。フラスコをマントルヒータにセットした。フラスコの主管にはガラス製撹拌軸とテフロン (登録商標)製撹拌羽根を取り付けたメカニカルスターラをセットした。枝管の 1つに 3方コックを取り付け、窒素ライン及び真空ラインに接続した。別の枝管にはゴム製のセプタムキャップを取り付けた。残りの枝管には熱電対をセットした。フラスコ内を真空に減圧し、 120°Cで 2時間撹拌した。窒素ガスで大気圧に戻し、 2 80°Cまで温度を上げた。

窒素置換したグローブボックス内で、サンプルビンにトリストリメチルシリルホスフィンの 10%へキサン溶液 1. 4g、ォクタデセン lmlを量り取り、ガスタイトシリンジで吸い取つた。

4つ口フラスコのセプタムキャップ部分からホスフィン化合物の溶液を一気に注入した。 5秒後にォクタデセン 40mlを加え、反応温度を 180°Cまで急激に低下させた。 1 80°Cにて 2時間撹拌を続けた。

50°Cに温度を下げ、 1時間真空ポンプにより減圧にした。

窒素ガスにより大気圧に戻し室温まで温度を下げて反応溶液を取り出し、遠心分離 (3000rpm、 10分）により沈殿物を除いた。上澄みを一旦グローブボックス内に保管した。

[0040] (²) InP/ZnSコアシェルナノ粒子の合成

200ml4つ口フラスコにラウリン酸亜鉛 1 · 48g、硫黄 0· 1 lg、ォクタデセン 0mlを量り取った。フラスコには（1)と同様な器具を取り付けた。

フラスコ内を真空に減圧し、 80°Cで 30分間撹拌した。窒素ガスで大気圧に戻し、グローブボックスに保管しておいた InPナノ粒子の溶液を加えた。さらに 80°Cで 1. 5時間減圧下で撹拌を続けた。

窒素ガスにより大気圧に戻し、 140°Cまで温度を上げた。 1. 5時間撹拌を続けた。室温まで温度を下げて反応溶液を取り出し、遠心分離（3000rpm、 15分）により粗大な粒子及び未反応の原料を除!/、た。

得られたナノ粒子は蛍光ピーク波長 634nm、蛍光量子収率 17%であった。これらは浜松ホトニタス社製量子収率測定装置（C9920— 02型）を用いて測定した。合成例 2

[Cuドープされた ZnSeナノ粒子の合成]

J. Am. Chem. Soc. 、 2005、 127、 17586を参考にして表記ナノ粒子を合成した。以下に概要を記す。

200ml4つ口フラスコにラウリン酸亜鉛 0. 20g、ォクタデセン 50mlを量り取った。合成例 1と同様の器具をセットした。

フラスコ内を真空に減圧し、 120°Cで 2時間撹拌した。窒素ガスで大気圧に戻し、 3 00°Cまで温度を上げた。

窒素置換したグローブボックス内で、サンプルビンにセレン 0· 02g、へキサデシルァミン 0· 5g、トリブチルホスフィン 7gを量り取り、セレンを溶解させた。

4つ口フラスコのセプタムキャップ部分からセレン溶液を一気に注入した。 290°Cにて 1. 5時間撹拌を続けた。

窒素置換したグローブボックス内で、サンプルビンに酢酸銅 0. 031g、トリブチルホスフイン 10mlを量り取り、酢酸銅を溶解させた。このうちの 0. 1mlをシリンジに吸い取り、反応溶液に注入した。

10分後、酢酸亜鉛 0. lg、トリブチルホスフィン 5mlを含む溶液を反応溶液に滴下した。滴下には 30分を要した。

滴下終了後、 230°Cまで反応温度を上げ、 1. 5時間撹拌を続けた。

室温まで温度を下げて反応溶液を取り出し、遠心分離（3000rpm、 10分）により沈殿物を除いた。上澄みを一旦グローブボックス内に保管した。

得られたナノ粒子は蛍光ピーク波長 528nm、蛍光量子収率 13%であった。

[0042] 実施例 1

合成例 1で得られた InP/ZnSナノ粒子のォクタデセン溶液をエタノールに注ぎ、ナノ粒子を再沈殿させた。溶媒をデカンテーシヨンにより除いた後、真空乾燥し、ナノ粒子（フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタル）（75mg)を得た。

少量のトルエンを加えてナノ粒子を再度分散させた。表面処理剤としてチォグリコール酸 2—ェチルへキシルエステル（10mg)を加えた。トルエンを蒸発させた後、溶媒としてシクロへキサノン（175mg)を加えた。さらに透明樹脂として、ポリメタクリル酸ォクタヒドロー 4、 7—メタノインデュルエステル（Mw= 12、 000、 Tg= 175°C) (15m g)を溶解させた。

フォトリソグラフィ一法によって、幅 20〃111、厚さ 1 · 5〃mのブラックマトリクス（V259 BK (新日鉄化学社製） )を 90 a mの間隔で作製した。さらにブラックマトリクス上に幅 15〃 m、高さ 10 mの隔壁 (VPA100/P54— 2 (新日鉄化学社製） )を形成したガラス基板を準備した。

上記のガラス基板の隔壁で区切られた区域に組成物を 1回塗布し、 120°Cにて溶媒を蒸発させた。この段階での膜厚は 2. Ι ίηであった。

透明保護層として VPA100/P54— 2 (新日鉄化学社製）を塗り重ね、 120度にて溶媒を蒸発させた後、 365nmの紫外線を 300mj/cm²照射して硬化させ (硬化後の膜厚約 1 β m)、色変換基板を作製した。

青色発光有機 EL素子を貼り重ねて発光させたところ、有機 EL素子の青色光がピーク波長 634nmの赤色に変換された。

[0043] 実施例 2

合成例 2で得られた Cuドープされた ZnSeナノ粒子のォクタデセン溶液をエタノールに注ぎ、ナノ粒子を再沈殿させた。溶媒をデカンテーシヨンにより除いた後、真空乾燥し、 Cuドープされた ZnSeナノ粒子（フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタル） ( 95mg)を得た。

溶媒としてキシレン（250mg)を加えてナノ粒子を再度分散させた。表面処理剤としてチオール末端ポリカーボネート（Mw= 2、 500、軟化温度 = 165°C) (75mg)を加えた。このようにして得られた組成物を実施例 1と同様のガラス基板上に塗布し、 120 °Cにて溶媒を蒸発させた。

透明保護層としてスパッタリング装置を用いて SiO N 膜を膜厚約 0. 3 111で形

1. 5 0. 3

成し、色変換基板を作製した。

青色発光有機 EL素子を貼り重ねて、有機 EL素子を発光させたところ、有機 EL素子の青色光がピーク波長 528nmの緑色に変換された。

実施例 3

図 1に示す発光装置 1を以下のようにして作製した。

実施例 1と同様にガラス基板 11上にブラックマトリクス 12を形成した。次いでブラックマトリタス 12で区切られた区域に赤色、緑色、青色の各カラーフィルタ 13、 14、 15 をこの順に膜厚約 1 · 5 111で形成した。さらにブラックマトリクス 12上に、実施例 1と同様にして隔壁 16を形成した。

実施例 1で用レ、た組成物を、隔壁で区切られた区域の赤色カラーフィルタ 13上に 1 回塗布した。 120°Cで溶媒を乾燥させ、膜厚約 2. 1 mの赤色色変換膜 17を形成した。

次レ、で、実施例 2で用レ、た組成物を隔壁で区切られた区域の緑色カラーフィルタ 1 4上に 1回塗布した。 120°Cで溶媒を乾燥させ、膜厚約 2. Ι πιの緑色色変換膜 18 を形成した。

最後に、メタクリル酸メチル 'メタクリル酸共重合体（Mw= 13、 000) (27重量％)、ペンタユリスリトーノレトリタリレート（19重量⁰ /₀ )、イノレガ、キュア 907 (0. 4重量⁰ /₀)、 2 ーァセトキシー 1ーメトキシプロパン（53. 6重量％)からなる光硬化性インクをスピンコート法により基板の全面に塗布した。 120°Cで溶媒を乾燥させた後、波長 365nmの紫外線を 300mj/cm²照射して硬化させ、膜厚約 1. 5 m (赤色及び緑色色変換膜上の膜厚。青色カラーフィルタ上では約 3. 5 m)の透明保護層 19とした。

ブラックマトリクス 12、赤色、緑色、青色カラーフィルタ 13、 14、 15、隔壁 16、赤色色変換膜 17、緑色色変換膜 18、透明保護層 19から色変換部 30が形成される。基板 11と色変換部 30の形成により色変換基板 10が完成した。基板 21上に、色変換基板 10の隔壁 16のピッチに合わせてマトリクス状に加工した電極（図示せず）と、青色発光有機 EL素子 23を形成して、有機 ELパネル 20を作製した。

蛍光変換基板と有機 ELパネルを貝占り重ねて、発光装置 1を製造した。この発光装置 1に画像を表示させたところ、フルカラーの画像を表示できた。

産業上の利用可能性

本発明の色変換基板を用いたカラー表示装置は、民生用又は産業用ディスプレイ、例えば、携帯表示端末用ディスプレイ、カーナビゲーシヨンやインパネ等の車載デイスプレイ、 OA (オフィス 'オートメーション）用パーソナルコンピュータ、 TV (テレビ受像器）、又は FA (ファクトリー ·オートメーション)用表示機器等に用いられる。特に、薄型、平面のモノカラー、マルチカラー又はフルカラーディスプレイ等に用いられる。この明細書に記載の文献の内容を全てここに援用する。

Claims

請求の範囲

[1] 基体と、

前記基体上に、フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルを含む色変換膜及び透明保護層をこの順に積層した色変換部と、

を含む色変換基板。

[2] 前記色変換膜が、さらにフォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルの表面処理剤及び/又は透明樹脂を含み、

前記表面処理剤及び前記透明樹脂の少なくとも 1つはガラス転移温度、軟化温度又は融点が 120°C以上である請求項 1に記載の色変換基板。

[3] 前記色変換膜が、

フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタルを 20〜90重量％、

表面処理剤を 50重量％以下、及び

透明樹脂を 30重量％以下含む請求項 2に記載の色変換基板。

[4] 前記表面処理剤が、ホスフィン基、ホスフィンオキサイド基、アミノ基、チオール基、リン酸エステル基、ホスホン酸エステル基、カルボキシル基、ォレフィン基から選ばれる基を有する化合物である請求項 2又は 3に記載の色変換基板。

[5] 前記透明保護層が、光硬化性及び/又は熱硬化性の樹脂組成物からなる請求項

1〜4のいずれかに記載の色変換基板。

[6] 前記透明保護層が、金属酸化物及び/又は金属窒酸化物からなる請求項;!〜 4の

V、ずれかに記載の色変換基板。

[7] フォトルミネッセンス性無機ナノクリスタル、及び溶媒を含む組成物を、基体上に塗布し、

前記溶媒を乾燥させて色変換膜を形成し、

前記色変換膜の上に透明保護層を形成して、色変換部を形成する請求項;!〜 6の

V、ずれかに記載の色変換基板の製造方法。

[8] 前記溶媒の沸点が 200°C以下である請求項 7に記載の色変換基板の製造方法。

[9] 前記組成物をインクジェット法又はノズルプリンティング法で基体上に塗布する請求項 7又は 8に記載の色変換基板の製造方法。 [10] 前記基体上に隔壁を配置して区切られた区域を形成し、

前記区域内に前記組成物を塗布して前記色変換膜を形成する請求項 7〜9のいずれかに記載の色変換基板の製造方法。