WO2007145011A1 - 液中物質検出センサ - Google Patents

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saw element
oscillation circuit
circuit
oscillation
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Kenjiro Okaguchi
Takuo Hada
Michio Kadota
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Murata Manufacturing Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to an in-liquid substance detection sensor using a surface wave element (SAW element), and more particularly to an in-liquid substance detection sensor including a sensing SAW element and a reference SAW element.
  • SAW element surface wave element
  • Patent Document 1 listed below discloses a submerged substance detection sensor using a surface acoustic wave element.
  • 10 (a) and 10 (b) are a plan view for explaining the submerged substance detection sensor described in Patent Document 1 and a front sectional view showing the main part thereof.
  • the submerged substance detection sensor 101 has a base substrate 102. On the upper surface 102a of the base substrate 102, concave portions 102c and 102d are formed at positions separated from the one end edge 102b. A sensing SAW element 104 and a reference SAW element 105 are provided in the recesses 102c and 102d, respectively. On the base substrate 102, a resin layer 103 having through holes 103b and 103c facing the recesses 102c and 102d is laminated.
  • the sensing SAW element 104 includes a piezoelectric substrate, an IDT electrode formed on the piezoelectric substrate, and a reaction film formed so as to cover the IDT electrode.
  • the reaction film is formed of a material that can react with a detection target substance in a liquid as a sample and bind the detection target substance.
  • the reference SAW element 105 has a structure in which an IDT electrode is formed on a piezoelectric substrate. In the reference SAW element 105, no reaction film is provided.
  • the reaction film reacts with the detection target substance to bind the detection target substance. . Therefore, in the sensing SAW element 104, the mass applied to the portion where the IDT electrode is provided increases due to the binding of the detection target substance. In contrast, the SAW element 105 for reference has a reaction film that reacts with the detection target substance. Therefore, an increase in added mass due to the binding of the detection target substance does not occur.
  • the change in the sound velocity of the surface wave due to the mass addition in the sensing SAW element 104 is detected as a change in the electrical signal.
  • the detection target substance can be detected with high accuracy.
  • Patent Document 1 WO2006Z027893A1
  • Patent Document 2 WO2006Z027945A1
  • the presence / absence or concentration of protein in the liquid is determined by the difference between the output signal from the sensing SAW element 104 and the output signal from the reference SAW element 105. It was detected.
  • the presence / absence or concentration of the detection target substance was detected by calculating the difference between the oscillation frequencies of the oscillation circuit including the sensing SAW element and the oscillation circuit including the reference SAW element. .
  • the characteristics of the sensing SAW element 104 and the reference SAW element 105 be equal when there is no detection target substance.
  • An object of the present invention is to solve the above-described drawbacks of the prior art, and to solve the problem by combining the oscillation frequency of the oscillation circuit including the sensing SAW element and the oscillation frequency of the oscillation circuit including the reference SAW element. Detects target substances in liquids that are difficult to generate dots with higher sensitivity It is an object of the present invention to provide a substance detection sensor in liquid that can be performed.
  • a submerged substance detection sensor is formed to cover a piezoelectric substrate, at least one IDT provided on the piezoelectric substrate, and the IDT, and react with a substance in the liquid.
  • a sensing oscillation circuit including a sensing SAW element having a reaction film and a first amplifier circuit connected to the sensing SAW element, a piezoelectric substrate, and at least one provided on the piezoelectric substrate
  • a reference oscillation circuit including a reference SAW element and a second amplifier circuit connected to the reference SAW element.
  • the oscillation frequency of the sensing oscillation circuit is characterized in that the oscillation frequency of the oscillation circuit is separated by 200 X k 2 (ppm) or more.
  • the sensing SAW element and the reference SAW element have substantially the same frequency characteristics.
  • the characteristic difference between the sensing SAW element and the reference SAW element is small, the detection target substance in the liquid can be detected with higher accuracy.
  • the sensing oscillation circuit and the reference oscillation circuit are oscillation circuits having a matching circuit using LC, and circuit constants of the sensing oscillation circuit And the circuit constants of the reference oscillation circuit are different.
  • the frequency of the sensing oscillator circuit and the oscillation frequency of the reference oscillator circuit are set to 200 X k 2 (ppm ) It can be different.
  • the sensing oscillation circuit has a first microstrip line
  • the reference oscillation circuit has a second microstrip line.
  • the oscillation frequency of the sensing oscillation circuit and the oscillation frequency of the reference oscillation circuit can be specified as described above. May be separated by a frequency difference of.
  • the oscillation frequency of the sensing oscillation circuit and the oscillation frequency of the reference oscillation circuit can be easily set to 200 X k 2 (ppm). It can be separated.
  • the configuration for separating the oscillation frequency of the sensing oscillation circuit from the oscillation frequency of the reference oscillation circuit by 200 X k 2 (ppm) or more is as follows: This may be achieved by making the impedances of the first and second amplifying elements constituting the first and second amplifying circuits different.
  • the piezoelectric substrate preferably a 30 ° to 50 ° rotated Y plate X propagation LiTaO substrate is used. In this case, the presence or absence of the detection target substance in the liquid
  • the degree can be measured with higher sensitivity.
  • the sensing SAW element and the reference SAW element can be constituted by SAW elements using various surface acoustic waves.
  • a SAW element using an elastic surface wave mainly composed of an SH wave is used.
  • a sensing SAW element or a reference SAW element is configured as an end-surface reflection type surface wave element. be able to. Therefore, it is possible to reduce the size of the sensing SAW element and the reference SAW element.
  • the oscillation frequency of the sensing oscillation circuit and the oscillation frequency of the reference oscillation circuit are separated by 200 X k 2 (ppm) or more. Even if the variation in frequency change when liquid is attached to the SAW element and the reference SAW element is relatively large, the oscillation of the sensing oscillation circuit and the oscillation of the reference oscillation circuit are electromagnetically coupled. hard. Therefore, based on the change in the added mass due to the reaction of the detection target substance in the liquid with the reaction film, the presence or concentration of the detection target substance in the liquid can be measured with higher sensitivity and reliability.
  • FIG. 1 is a block diagram for explaining a submerged substance detection sensor according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a sensing SAW element.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a reference SAW element.
  • FIG. 4 illustrates the oscillation conditions of the sensing oscillation circuit in one embodiment of the present invention. It is a circuit diagram which shows the circuit model of the open loop for clarifying.
  • FIG. 5 shows the oscillation of a substance detection sensor in liquid according to an embodiment of the present invention and a substance detection sensor in liquid with a frequency difference df of ⁇ 100 ppm, 50 ppm, +800 ppm, and lOOOppm prepared for comparison. It is a figure which shows the time change of the frequency difference of a circuit.
  • FIG. 6 is a diagram showing temporal changes in the frequency difference of both oscillation circuits in the submerged substance detection sensor prepared for comparison with a frequency difference df of 570 ppm.
  • FIG. 7 is a diagram showing a temporal change in the frequency difference when the frequency difference df between the sensing oscillation circuit and the reference oscillation circuit is 1320 ppm in one embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a diagram showing temporal changes in sensitivity of the submerged substance detection sensor of one embodiment of the present invention and the conventional submerged substance detection sensor.
  • FIG. 9 is a block diagram of a submerged substance detection sensor according to a modification in which the sensing oscillation circuit and the reference oscillation circuit have microstrip lines.
  • FIG. 10 (a) and FIG. 10 (b) are a plan view showing an example of a conventional submerged substance detection sensor and a front sectional view showing an essential part thereof.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a circuit configuration of a submerged substance detection sensor according to an embodiment of the present invention.
  • the submerged substance detection sensor 1 includes a sensing oscillation circuit 11 and a reference oscillation circuit 21.
  • the sensing oscillation circuit 11 includes a sensing SAW element 12, LC matching circuits 13 and 14 connected to the sensing SAW element 12, and a first amplifier circuit 15. That is, in the sensing oscillation circuit, the matching circuits 13 and 14 and the first amplification circuit 15 that are LC circuits are connected to the sensing SAW element 12 to form a closed-loop oscillation circuit.
  • the reference oscillation circuit 21 is similarly connected to one end of the reference SAW element 22 having a matching circuit 23 having LC circuit power and the other end having a matching circuit 24 also comprising an LC circuit.
  • the second amplifier circuit 25 is connected between the matching circuits 23 and 24.
  • a differential amplifier circuit 2 is connected to the sensing oscillation circuit 11 and the reference oscillation circuit 21. That is, the sensing oscillation circuit 11 is connected to one input terminal of the differential amplifier circuit 2, and the output of the sensing oscillation circuit is given to the one input terminal.
  • a reference oscillation circuit 21 is connected to the other input terminal of the differential amplifier circuit 2 so that the output of the reference oscillation circuit 21 is given to the other input terminal. Then, the differential amplifier circuit 2 obtains a frequency difference based on the difference between the oscillation frequency of the sensing oscillation circuit and the oscillation frequency of the reference oscillation circuit.
  • the sensing SAW element 12 and the reference SAW element 22 are configured using, for example, a SAW element in which an IDT is formed on a piezoelectric substrate.
  • a SAW element in which an IDT is formed on a piezoelectric substrate As schematically shown in FIG. 2, in the sensing SAW element 12, the IDT 12b is formed on the upper surface of the piezoelectric substrate 12a, and the reaction film 12c is formed so as to cover the IDT 12b.
  • the reference SAW element 22 as schematically shown in FIG. 3, the IDT electrode 22 is formed on the piezoelectric substrate 22a. b is formed. In the reference SAW element, the reaction film 12c is not provided.
  • one IDT 12b is illustrated in the sensing SAW element 12
  • one IDT 22b is illustrated in the reference SAW element 22.
  • the SAW element 12 and the reference SAW element 22 each have two IDTs arranged side by side in the surface wave propagation direction.
  • the sensing SAW element and the reference SAW element may be a surface wave element having one IDT, or may have two or more IDTs as described above.
  • the reaction film 12c when contacted with a liquid containing a detection target substance, the reaction film 12c reacts with the detection target substance, and for example, the detection target substance such as protein is bound to the reaction film 12c.
  • the mass applied to IDT12b increases. Due to the change in the additional mass, the output frequency of the sensing oscillation circuit 11 changes, and based on this frequency change, the presence or absence and the concentration of the detection target substance are measured.
  • the reaction film 12c is made of an appropriate material capable of reacting with the detection target substance in the liquid.
  • a membrane on which the antibody or antigen is immobilized can be used as a reaction membrane.
  • the antigen or antibody in the solution is bound to the antibody or antigen immobilized on the reaction membrane, and an immune complex is formed, whereby the mass applied to the part where IDT is provided varies.
  • the reaction film 12c is a reaction film made of an appropriate material that reacts with the detection target substance in the liquid and changes the mass added to the portion where the IDT is provided. You can choose according to your needs.
  • the detection target substances are not limited to antigens and antibodies, and may include various biochemical substances such as proteins.
  • the detection target substances are not limited to biochemical substances, but are target substances for detecting various elements and inorganic compounds. Also good. That is, the submerged substance detection sensor according to the present invention is suitably used as a biosensor for detecting a biological component such as an antigen, antibody, or protein, but is not limited to a biosensor and is used for detecting various substances. Can be used.
  • a reference oscillation circuit 21 using a reference SAW element 22 is also configured in order to remove noise and the like due to temperature changes. That is, the sensing oscillation circuit By subtracting the result obtained in reference oscillator circuit 21 from the result obtained in path 11, noise due to background noise and temperature change is removed, and the presence and concentration of the detection target substance are accurately measured. be able to.
  • the oscillation frequency of the sensing oscillation circuit 11 and the oscillation frequency of the reference oscillation circuit 21 are separated by 200Xk 2 ( P pm) or more.
  • k 2 is an electromechanical coupling coefficient of the piezoelectric substrate constituting the sensing SAW element 12 and the reference SAW element 22.
  • the sensing SAW element 12 and the reference SAW element 22 are configured as separate chip components.
  • the piezoelectric substrate and IDT electrode constituting the sensing SAW element are the same as the piezoelectric substrate and IDT electrode constituting the reference SAW element.
  • the oscillation frequency of the sensing oscillation circuit and the oscillation frequency of the reference oscillation circuit 21 are separated by 200Xk 2 (ppm) or more, the substance in the liquid Can be measured with higher sensitivity and more certainty. This will be explained more specifically.
  • the open loop circuit shown in FIG. 4 has ports a and b. From port a to port b, first amplifier circuit 15, matching circuit 14, sensing SAW element 12 and matching circuit 1
  • n is an integer.
  • the loop gain is OdB or more and the phase shift is zero.
  • the circuit constant in the oscillation circuit 11 includes adjusting the amplification factor of the amplifier circuit 15 and the value of the inductance capacitance C in the matching circuits 13 and 14. Then, by selecting this circuit constant, that is, by setting the circuit constant so as to satisfy the expressions (1) and (2), the sensing oscillation circuit 11 is oscillated and its oscillation frequency is set.
  • the electromechanical coupling coefficient k 2 (%) of 36 ° Y-cut X-propagation LiTaO is 5 ⁇ 0 (%).
  • the oscillation frequency difference between the two is set to 100 ppm 50 ppm, or +800 ppm or + lOOOOppm in the initial state.
  • the frequency difference is _100ppm, 1-50ppm, and + 800ppm, the frequency difference disappears with time, i.e. within 10 seconds, the frequency difference disappears.
  • the electromechanical coupling coefficient and the bandwidth are in a proportional relationship. Therefore, if the frequency difference at which the above coupling does not occur is df, and the electromechanical coupling coefficient k 2 (%) of the piezoelectric substrate is df (ppm), the electromechanical coupling coefficient k 2 XA (ppm) or more (A is (Comparison example constant)) From the results in FIG. 5, it is understood that df ⁇ k 2 X 200 (ppm) is sufficient. That is, 36 ° Y-force X-propagation For LiTaO substrate, electromechanical coupling coefficient k 2 is 5.0%.
  • the difference df between the oscillation frequency of the sensing oscillation circuit 11 and the oscillation frequency of the reference oscillation circuit 21 may be set to lOOOppm or more. From these results, the reference is set to df ⁇ k 2 X 200 (ppm). It can be seen that the oscillation in the oscillation circuit for sensing and the oscillation circuit for sensing are prevented from being coupled, so that the substance in the liquid can be detected more reliably. This will be described more specifically with reference to FIGS.
  • FIG. 8 is a diagram showing a temporal change in sensitivity when the submerged substance detection sensor of the embodiment and the conventional example is used.
  • the vertical axis in Fig. 8 is the normalized frequency corresponding to the sensitivity, and the horizontal axis is time.
  • the oscillation frequency of the sensing oscillation circuit 11 and the oscillation frequency of the reference oscillation circuit 21 do not match in comparison with the conventional example. Therefore, it is possible to detect the measurement substance with higher sensitivity.
  • FIG. 6 shows temporal changes in the frequency difference df between the sensing oscillator circuit 11 and the reference oscillator circuit 21 in the case of the conventional example, and FIG. This shows the change over time in the frequency difference df of the substance detection sensor in liquid.
  • the frequency difference becomes 0 after 30 seconds, whereas this embodiment shown in Fig. 7 It can be seen that the frequency difference remains constant at 1320ppm / ° C.
  • the oscillation is difficult to be coupled electromagnetically between the sensing oscillation circuit 11 and the reference oscillation circuit 21, so that the sensitivity is higher.
  • the presence and concentration of substances in the liquid can be detected more reliably.
  • the resistor R is inserted or the circuit configuration is adjusted.
  • Various methods such as a method of changing the wiring length, line width, gap between the ground potential and the like of the connection part between components, and a method of controlling the feedback capacitance of the IC by electric power can be used.
  • the sensing oscillation circuit 11A includes the first microstrip line 42
  • the reference oscillation circuit 21A includes the second The microstrip line 43 may be provided.
  • the oscillation frequency of the sensing oscillation circuit 11 and the oscillation frequency of the reference oscillation circuit should be separated by 200 X k 2 (ppm) or more by making the width and length different.
  • the first and second amplifier circuits 15 and 25 are configured to have first and second amplifier elements, respectively, and the impedance of the first amplifier element and the second amplifier circuit By making the impedance of the element different, the oscillation frequency of the sensing oscillation circuit 11 and the oscillation frequency of the reference oscillation circuit 21 may be separated by 200 X k 2 (ppm) or more.
  • the electric substrate is not particularly limited to this, and LiTaO substrate or LiNbO substrate with other crystal orientations, etc.
  • a 30 ° to 40 ° Y-cut X-propagation LiTaO substrate is used, so that
  • the substance to be detected in the liquid can be measured with high sensitivity and reliability.
  • the SAW element used in the above embodiment is not particularly limited, and SAW elements using various surface acoustic waves such as Rayleigh waves and SH waves can be used. When using surface acoustic waves, it is possible to construct an end-surface reflection type surface wave device. Accordingly, it is possible to reduce the size of the submerged substance detection sensor. [0053]
  • the SAW element may be a SAW resonator or a SAW filter.

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Abstract

 液中の検出物質を、より高感度にかつ確実に測定することを可能とする液中物質検出センサを提供する。  少なくとも1つのIDTを覆うように、液体中の物質と反応する反応膜が設けられているセンシング用SAW素子12と、第1の増幅回路15とを含むセンシング用発振回路11と、少なくとも1つのIDTを有し、反応膜を有していないリファレンス用SAW素子22と、第2の増幅回路25とを含むリファレンス用発振回路21とが備えられており、センシング用発振回路11の発振周波数と、リファレンス用発振回路21の発振周波数とが、センシング用SAW素子及びリファレンス用SAW素子に用いられている圧電基板の電気機械結合係数k2(%)としたときに、200×k2(ppm)以上隔てられている、液中物質検出センサ1。

Description

明 細 書
液中物質検出センサ
技術分野
[0001] 本発明は、表面波素子(SAW素子)を用いた液中物質検出センサに関し、より詳 細には、センシング用 SAW素子とリファレンス用 SAW素子とを備えた液中物質検出 センサに関する。
背景技術
[0002] 従来、液体中の例えば蛋白質などの検出対象物質を検出するための液中物質検 出センサが種々提案されている。例えば、下記の特許文献 1には、弾性表面波素子 を用いた液中物質検出センサが開示されている。図 10 (a)及び (b)は、特許文献 1 に記載の液中物質検出センサを説明するための平面図及びその要部を示す正面断 面図である。
[0003] 液中物質検出センサ 101は、ベース基板 102を有する。ベース基板 102の上面 10 2aには、一方端縁 102bから隔てられた位置に凹部 102c, 102dが形成されている。 凹部 102c, 102dに、センシング用 SAW素子 104及びリファレンス用 SAW素子 105 がそれぞれ設けられている。そして、ベース基板 102上において、上記凹部 102c, 1 02dに臨む貫通孔 103b, 103cを有する樹脂層 103が積層されている。
[0004] センシング用 SAW素子 104は、圧電基板と、圧電基板上に形成された IDT電極と 、 IDT電極を覆うように形成された反応膜とを有する。反応膜は、試料としての液体 中の検出対象物質と反応し、検出対象物質を結合し得る材料で形成されている。他 方、リファレンス用 SAW素子 105は、圧電基板上に IDT電極を形成した構造を有し 、リファレンス用 SAW素子 105では、反応膜は設けられていない。
[0005] 使用に際しては、上記貫通孔 103b, 103cが設けられている部分が少なくとも液中 に浸漬され、センシング用 SAW素子 104では、反応膜が検出対象物質と反応して 検出対象物質を結合する。従って、センシング用 SAW素子 104では、 IDT電極が設 けられている部分に加わる質量は、上記検出対象物質の結合により大きくなる。これ に対して、リファレンス用 SAW素子 105では、検出対象物質と反応する反応膜が設 けられていないので、検出対象物質の結合による付加質量の増加は生じない。
[0006] そして、特許文献 1に記載の液中物質検出センサ 101では、センシング用 SAW素 子 104における質量付加における表面波の音速の変化が、電気信号の変化として 検出される。この場合、センシング用 SAW素子からの出力と、リファレンス用 SAW素 子 105からの出力の差を求めることにより、検出対象物質が高精度に検出され得ると されている。
[0007] また、同様の液中物質検出センサが下記の特許文献 2にも開示されている。
特許文献 1: WO2006Z027893A1
特許文献 2: WO2006Z027945A1
発明の開示
[0008] 上記のように、液中物質検出センサ 101では、センシング用 SAW素子 104の出力 信号と、リファレンス用 SAW素子 105からの出力信号との差により、液体中の蛋白質 の有無や濃度などが検出されていた。この場合、具体的には、センシング用 SAW素 子を含む発振回路と、リファレンス用 SAW素子を含む発振回路の各発振周波数の 差を求めることにより、検出対象物質の有無や濃度が検出されていた。
[0009] 上記液中物質検出センサ 101では、検出対象物質が存在しない場合、センシング 用 SAW素子 104の特性と、リファレンス用 SAW素子 105の特性が同等であることが 望まれる。
[0010] ところ力 SAW素子 104, 105では、検出対象物質を含む液体と接触させた場合 に、センシング用 SAW素子を含む発振回路の発振周波数と、リファレンス用 SAW素 子を含む発振回路の周波数との差が接近することがあった。このような場合、双方の 発振が電磁界的に結合し、発振周波数が完全に一致することがあった。そのため、 液中の検出対象物質を確実にかつ高精度に検出することができなかった。また、双 方の発振が結合しない場合であっても、検出対象物質によっては、測定感度が小さ くなり、検出できないことがあった。
[0011] 本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、センシング用 SAW素子を含 む発振回路の発振周波数と、リファレンス用 SAW素子を含む発振回路の発振周波 数との結合による問題点が生じ難ぐ液体中の検出対象物質をより高い感度で検出 することを可能とする液中物質検出センサを提供することにある。
[0012] 本発明に係る液中物質検出センサは、圧電基板と、圧電基板上に設けられた少な くとも 1つの IDTと、該 IDTを覆うように形成されており、液体中の物質と反応する反 応膜とを有するセンシング用 SAW素子と、該センシング用 SAW素子に接続された 第 1の増幅回路とを含むセンシング用発振回路と、圧電基板と、圧電基板上に設けら れた少なくとも 1つの IDTとを有し、反応膜を有していなレ、リファレンス用 SAW素子と 、該リファレンス用 SAW素子に接続された第 2の増幅回路とを含むリファレンス用発 振回路とを備え、前記センシング用 SAW素子及びリファレンス用 SAW素子を構成 する圧電基板が同一の圧電材料からなり、該圧電基板の電気機械結合係数を k2 (% )としたときに、前記センシング用発振回路の発振周波数と、前記リファレンス用発振 回路の発振周波数とが、 200 X k2 (ppm)以上隔てられてレ、ることを特徴とする。
[0013] 本発明に係る液中物質検出センサでは、好ましくは、前記センシング用 SAW素子 と、前記リファレンス用 SAW素子力 ほぼ同一の周波数特性を有する。この場合に は、センシング用 SAW素子とリファレンス用 SAW素子との特性差が小さいため、より 高精度に液体中の検出対象物質を検出することができる。
[0014] 本発明に係る液中物質検出センサでは、好ましくは、前記センシング用発振回路 及びリファレンス用発振回路は、 LCを用いた整合回路を有する発振回路であり、セ ンシング用発振回路の回路定数と、リファレンス用発振回路の回路定数とが異なって いる。すなわち、センシング用発振回路の回路定数と、リファレンス用発振回路の回 路定数を異ならせることにより、センシング用発振回路の周波数と、リファレンス用発 振回路の発振周波数とを、 200 X k2 (ppm)以上異ならせることができる。
[0015] また、本発明に係る液中物質検出センサでは、センシング用発振回路が、第 1のマ イクロストリップラインを有しており、リファレンス用発振回路が第 2のマイクロストリップ ラインを有しており、第 1のマイクロストリップラインの形状と、第 2のマイクロストリップラ インの形状とを異ならせることによって、センシング用発振回路の発振周波数と、リフ アレンス用発振回路の発振周波数とを、上記特定の周波数差だけ隔ててもよい。この 場合には、マイクロストリップラインの形状を選択するだけで、容易にセンシング用発 振回路の発振周波数と、リファレンス用発振回路の発振周波数を、 200 X k2 (ppm) 以上隔てることができる。
[0016] また、本発明に係る液中物質検出センサでは、上記センシング用発振回路の発振 周波数と、リファレンス用発振回路の発振周波数とを 200 X k2 (ppm)以上隔てるた めの構成は、第 1,第 2の増幅回路を構成している第 1,第 2の増幅素子のインピーダ ンスを異ならせることによって達成してもよい。
[0017] 本発明においては、上記圧電基板として、好ましくは、 30° 〜50° 回転 Y板 X伝 搬の LiTaO基板が用いられる。この場合には、液体中の検出対象物質の有無や濃
3
度をより高感度に測定することができる。
[0018] センシング用 SAW素子及びリファレンス用 SAW素子は、様々な弾性表面波を用 レ、た SAW素子により構成することができる。好ましくは、 SH波を主成分とする弾性表 面波を用いた SAW素子が用いられ、その場合には、端面反射型の表面波素子とし て、センシング用 SAW素子やリファレンス用 SAW素子を構成することができる。従つ て、センシング用 SAW素子及びリファレンス用 SAW素子の小型化を図ることができ る。
(発明の効果)
[0019] 本発明に係る液中物質検出センサでは、センシング用発振回路の発振周波数と、 リファレンス用発振回路の発振周波数とが、 200 X k2 (ppm)以上隔てられているの で、センシング用 SAW素子及びリファレンス用 SAW素子に液体が付着した場合の 周波数変化量のばらつきが比較的大きい場合であっても、センシング用発振回路の 発振と、リファレンス用発振回路の発振とが電磁的に結合し難い。従って、液体中の 検出対象物質の反応膜との反応による付加質量の変化に基づいて、液体中の検出 対象物質の有無や濃度をより高感度でかつ確実に測定することができる。
図面の簡単な説明
[0020] [図 1]図 1は、本発明の一実施形態に係る液中物質検出センサを説明するためのブ ロック図である。
[図 2]図 2は、センシング用 SAW素子の構造を模式的に示す断面図である。
[図 3]図 3は、リファレンス用 SAW素子の構造を模式的に示す断面図である。
[図 4]図 4は、本発明の一実施形態におけるセンシング用発振回路の発振条件を説 明するためのオープンループの回路モデルを示す回路図である。
[図 5]図 5は、本発明の一実施形態の液中物質検出センサ及び比較のために用意し た周波数差 dfが— 100ppm 50ppm及び、 + 800ppm及び lOOOppmである液 中物質検出センサの発振回路の周波数差の時間的変化を示す図である。
[図 6]図 6は、周波数差 dfが 570ppmである比較のために用意した液中物質検出セ ンサにおける双方の発振回路の周波数差の時間的変化を示す図である。
[図 7]図 7は、本発明の一実施形態において、センシング用発振回路とリファレンス用 発振回路の周波数差 dfが 1320ppmとされている場合の周波数差の時間的変化を 示す図である。
[図 8]図 8は、本発明の一実施形態の液中物質検出センサ及び従来例の液中物質 検出センサの感度の時間的変化を示す図である。
[図 9]図 9は、センシング用発振回路及びリファレンス用発振回路がマイクロストリップ ラインを有する変形例に係る液中物質検出センサのブロック図である。
[図 10]図 10 (a)及び (b)は、従来の液中物質検出センサの一例を示す平面図及び その要部を示す正面断面図である。
符号の説明
1…液中物質検出センサ
2…差動増幅回路
11 - · -センシング用発振回路
12- - -センシング用 SAW素子
13, 14…整合回路
15- - -第 1の増幅回路
21 - - -リファレンス用発振回路
22- リファレンス用 SAW素子
23, 24…整合回路
25· · ·第 2の増幅回路
41 · · ·液中物質検出センサ
42, 43…第 1,第 2のマイクロ; a, b…ポー卜
発明を実施するための最良の形態
[0022] 以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発 明を明らかにする。
[0023] 図 1は、本発明の一実施形態に係る液中物質検出センサの回路構成を示すブロッ ク図である。液中物質検出センサ 1は、センシング用発振回路 11と、リファレンス用発 振回路 21とを有する。
[0024] センシング用発振回路 11は、センシング用 SAW素子 12と、センシング用 SAW素 子 12に接続された LC整合回路 13, 14と、第 1の増幅回路 15とを有する。すなわち 、センシング用発振回路では、センシング用 SAW素子 12に、 LC回路からなる整合 回路 13, 14及び第 1の増幅回路 15が接続されて、閉ループの発振回路が構成され ている。
[0025] 他方、リファレンス用発振回路 21も同様に、リファレンス用 SAW素子 22の一方端 に、 LC回路力もなる整合回路 23が、他方端に、同じく LC回路からなる整合回路 24 が接続されており、整合回路 23, 24間に、第 2の増幅回路 25が接続されている。
[0026] 液中物質検出センサ 1では、上記センシング用発振回路 11及びリファレンス用発 振回路 21に、差動増幅回路 2が接続されている。すなわち、差動増幅回路 2の一方 入力端に、センシング用発振回路 11が接続されて、該一方入力端に、センシング用 発振回路の出力が与えられる。他方、差動増幅回路 2の他方入力端には、リファレン ス用発振回路 21の出力が与えられるように、該他方入力端にリファレンス用発振回 路 21が接続されている。そして、差動増幅回路 2により、センシング用発振回路の発 振周波数と、リファレンス用発振回路による発振周波数との差に基づく周波数差が得 られる。
[0027] 上記センシング用 SAW素子 12及びリファレンス用 SAW素子 22は、例えば、圧電 基板上に IDTが形成されている SAW素子を用いて構成されている。図 2に略図的に 示すように、センシング用 SAW素子 12では、圧電基板 12aの上面に IDT12bが形 成されており、該 IDT12bを覆うように反応膜 12cが形成されている。他方、リファレン ス用 SAW素子 22では、図 3に略図的に示すように、圧電基板 22a上に IDT電極 22 bが形成されている。リファレンス用 SAW素子では、反応膜 12cは設けられていない
[0028] なお、図 2及び図 3では、センシング用 SAW素子 12において 1つの IDT12bが図 示されており、リファレンス用 SAW素子 22において 1つの IDT22bが図示されている が、実際には、センシング用 SAW素子 12及びリファレンス用 SAW素子 22は、表面 波伝搬方向に並設された 2つの IDTをそれぞれ有する。もっとも、本発明において、 センシング用 SAW素子及びリファレンス用 SAW素子は、 1つの IDTを有する表面波 素子であってもよぐ上記のように 2以上の IDTを有するものであってもよレ、。
[0029] 上記センシング用 SAW素子 12では、検出対象物質を含む液体に接触されると、 反応膜 12cが、検出対象物質と反応し、例えばタンパク質などの検出対象物質が反 応膜 12cに結合される。その結果、 IDT12bに加わる質量が増加する。この付加質量 の変化により、センシング用発振回路 11の出力周波数が変化し、この周波数変化に 基づいて、検出対象物質の有無や濃度が測定される。
[0030] 上記反応膜 12cは、液中の検出対象物質と反応し得る適宜の材料からなる。例え ば、液中の抗原または抗体を測定する場合、抗体または抗原を固定化した膜を反応 膜として用いることができる。この場合には、反応膜に固定化された抗体または抗原 に液中の抗原または抗体が結合され、免疫複合体が形成され、それによつて、 IDT が設けられている部分に加える質量が変動することとなる。このように、反応膜 12cと しては、液中の検出対象物質と反応し、 IDTが設けられている部分への付加質量を 変化させる適宜の材料からなる反応膜を、検出対象物質の種類に応じて選択すれ ばよレ、。なお、検出対象物質としては、抗原や抗体に限らず、蛋白質などの様々な生 化学物質を挙げることができるが、生化学物質に限らず、様々な元素、無機化合物 を検出する対象物質してもよい。すなわち、本発明に係る液中物質検出センサは、 抗原、抗体、または蛋白質などの生体成分を検出するバイオセンサとして好適に用 いられるが、バイオセンサに限らず、様々な物質を検出する用途に用いることができ る。
[0031] また、温度変化によるノイズなどを除去するために、リファレンス用 SAW素子 22を 用いたリファレンス用発振回路 21も構成されている。すなわち、センシング用発振回 路 11で得られた結果から、リファレンス用発振回路 21で得られた結果を差し引くこと により、バックグラウンドノイズや温度変化によるノイズを除去して、正確に検出対象物 質の有無や濃度を測定することができる。
[0032] カロえて、本実施形態の液中物質検出センサ 1では、上記センシング用発振回路 11 の発振周波数と、リファレンス用発振回路 21の発振周波数とが、 200Xk2(Ppm)以 上隔てられている。ここで、 k2は、センシング用 SAW素子 12及びリファレンス用 SA W素子 22を構成している圧電基板の電気機械結合係数である。なお、センシング用 SAW素子 12とリファレンス用 SAW素子 22とは、別のチップ部品として構成されてい る。もっとも、センシング用 SAW素子を構成している圧電基板及び IDT電極と、リファ レンス用 SAW素子を構成している圧電基板及び IDT電極は同一とされている。
[0033] 本実施形態では、上記のように、センシング用発振回路の発振周波数と、リファレン ス用発振回路 21の発振周波数とが、 200Xk2(ppm)以上隔てられているため、液 中の物質の品質を、より高感度で、かつより確実に測定することができる。これをより 具体的に説明する。
[0034] 上記センシング用発振回路 11の発振について、図 4に示すオープンループの回路 をモデルとして検討する。
[0035] 図 4に示すオープンループの回路は、ポート a, bを有する。ポート aからポート bに向 つて、第 1の増幅回路 15、整合回路 14、センシング用 SAW素子 12及び整合回路 1
3が接続されている。このオープンループの回路が発振する条件は、下記の式(1)及 び(2)を満足することである。
[0036] [数 1]
•振幅条件
I S a b I≥0 (dB) ··· 式 (l)
[0037] [数 2]
•移送条件
S a b = 360 Xn (d e g) ■·■ 式 (2)
[0038] 但し、 nは整数。
[0039] すなわち、発振するには、ループゲインが OdB以上であり、移相が 0となるように、セ ンシング用発振回路 11における回路定数を設定する必要がある。この回路定数とし ては、例えば、増幅回路 15の増幅率や整合回路 13, 14におけるインダクタンスしゃ キャパシタンス Cの値を調整することが挙げられる。そして、この回路定数を選択する ことにより、すなわち式(1)及び(2)を満足するように回路定数を設定することにより、 センシング用発振回路 11を発振させ、かつその発振周波数を設定することができる
[0040] 例えば、 36° Yカット X伝搬の LiTaO基板を圧電基板として用いた場合、式(1)及
3
び(2)を満足し、かつリファレンス用発振回路 21よりもセンシング用発振回路 11の発 振周波数を低くするように、インダクタンス Lやキャパシタンス Cの値を調整すればよ レ、。すなわち、整合回路 13, 14のインダクタンス分 Lやキャパシタ分 Cの値を調整す ることにより、上記のように、すなわち検出対象物質が反応膜に結合されていない初 期状態におけるセンシング用発振回路 11の発振周波数を、リファレンス用発振回路 21の発振周波数よりも低くすることができる。そして、このセンシング用発振回路 11 における発振周波数と、リファレンス用発振回路 21における発振周波数の差を、 10 OOppm以上とすることにより、両者の結合を防止し、高精度に測定を行うことができる
[0041] なお、 36° Yカット X伝搬 LiTaO の電気機械結合係数 k2 (%)は、 5· 0 (%)である
3
。従って、 lOOOppm以上とは、 200 X k2 (ppm)を満足する。
[0042] すなわち、図 5に示すように、両者の発振周波数差を、初期状態において、 100 ppm 50ppm、または + 800ppmまたは + lOOOppmとするように、センシンク、、用 発振回路 11及びリファレンス用発振回路 21の回路定数を調整し、複数種の液中物 質検出センサを作製した。そして、これらの液中物質検出センサを、試料としての PB S (PHOSPHATE BUFFERED SALINE:リン酸緩衝生理食塩水)に浸漬した 。この試料は検出対象物質を含んでいない液体である。その結果、図 5から明らかな ように、周波数差が _ 100ppm、一 50ppm、及び + 800ppmの場合には、時間の経 過と共に周波数差がなくなり、すなわち 10秒以内には、周波数差がなくなってしまう ことがわかる。これに対して、センシング用発振回路 11の発振周波数と、リファレンス 用発振回路の発振周波数が初期状態で lOOOppmの場合には、周波数差は一定の ままであり、時間の経過と共に小さくならないことがわかる。これは、センシング用発振 回路 11の発振周波数と、リファレンス用発振回路 21の発振周波数とが十分に隔てら れており、両者が結合しないためであると考えられる。すなわち、両者の周波数差が lOOOppm未満の場合には図 4から明らかなように、時間の経過と共に、センシング 用発振回路 11の発振と、リファレンス用発振回路 21の発振が結合し、両者の周波数 差がなくなってしまったものと考えられる。
[0043] ところで、電気機械結合係数と、帯域幅とは比例関係にある。従って、上記結合が 生じない周波数差を dfとした場合、圧電基板の電気機械結合係数 k2 (%)とすると、 d f (ppm)を、電気機械結合係数 k2 X A (ppm)以上 (Aは比較例定数)とすればよぐ 図 5の結果から、 df≥k2 X 200 (ppm)とすればよいことがわかる。すなわち 36° Y力 ット X伝搬 LiTaO基板では、電気機械結合係数 k2は 5. 0%であり、図 5の結果から、
3
センシング用発振回路 11の発振周波数と、リファレンス用発振回路 21の発振周波数 との差 dfを lOOOppm以上とすればよいため、これらの結果から df≥k2 X 200 (ppm) とすることにより、リファレンス用発振回路とセンシング用発振回路の発振の結合を防 止し、それによつてより確実に液中物質を検出し得ることがわかる。これを、図 6〜8を 参照してより具体的に説明する。
[0044] 上記液中物質検出センサ 1として、 dfが 1320ppmとした場合、及び比較のために d fが 570ppmとされている従来例の液中物質検出センサとを用意し、試料として PBS を用意し、測定を行った。図 8は、上記実施形態及び従来例の液中物質検出センサ を用いた場合の感度の時間的変化を示す図である。なお、図 8の縦軸は、感度に応 じた規格化周波数であり、横軸は時間である。
[0045] 図 8から明ら力、なように、本実施形態では、従来例に比べて、センシング用発振回 路 11の発振周波数と、リファレンス用発振回路 21の発振周波数が一致していないた め、より高い感度で測定物質の検出を行うことができる。
[0046] なお、図 6は、上記従来例の場合のセンシング用発振回路 11と、リファレンス用発 振回路 21との間の周波数差 dfの時間的変化を示し、図 7は、上記実施形態の液中 物質検出センサの周波数差 dfの時間的変化を示す。図 6から明らかなように、従来 例では、 30秒後経過後に周波数差が 0となっているのに対し、図 7に示す本実施形 態では、周波数差は 1320ppm/°Cのまま一定であることがわかる。
[0047] 従って、本実施形態の液中物質検出センサでは、センシング用発振回路 11と、リフ アレンス用発振回路 21との間で発振が電磁界的に結合し難いため、より高感度でか つより確実に液中物質の有無や濃度を検出することができる。
[0048] センシング用発振回路 11及びリファレンス用発振回路 21の発振周波数の調整に ついては、上記のように、整合回路の Lや Cを調整する方法の他、抵抗 Rを揷入した り、回路構成部品間の接続部の配線長、線幅、グラウンド電位との間のギャップ等を 変化させる方法、 ICの帰還容量を電力で制御する方法などの様々な方法を用いるこ とができる。
[0049] また、図 9に略図的に示す変形例の液中物質検出センサ 41のように、センシング用 発振回路 11Aが、第 1のマイクロストリップライン 42を、リファレンス用発振回路 21A が、第 2のマイクロストリップライン 43を有するように構成されていてもよい。この場合、 幅や長さ等において異ならせることにより、センシング用発振回路 11の発振周波数と 、リファレンス用発振回路の発振周波数とを 200 X k2 (ppm)以上隔てればょレ、。
[0050] また、第 1 ,第 2の増幅回路 15, 25が、それぞれ、第 1 ,第 2の増幅素子を有するよ うに構成されており、第 1の増幅素子のインピーダンスと、第 2の増幅素子のインピー ダンスとを異ならせることにより、センシング用発振回路 11の発振周波数と、リファレ ンス用発振回路 21の発振周波数とを、 200 X k2 (ppm)以上隔ててもよい。
[0051] 上記実施形態では、 36° Yカット X伝搬の LiTaOを圧電基板として用いた力 圧
3
電基板はこれに特に限定されず、他の結晶方位の LiTaO基板や LiNbO基板など
3 3 の適宜の圧電単結晶、あるいは圧電セラミックスにより構成することができる。もっとも
、好ましくは、 30° 〜40° Yカット X伝搬の LiTaO基板が用いられ、それによつて、
3
液中の検出対象物質を高感度でかつ確実に測定することができる。
[0052] なお、上記実施形態で用いられる SAW素子については特に限定されず、レイリー 波や SH波などの様々な弾性表面波を利用した SAW素子を用いることができるが、 SH波を主成分とする弾性表面波を用いた場合、端面反射型の表面波装置を構成 すること力 Sできる。従って、液中物質検出センサの小型化を図ることができる。 [0053] また、上記 SAW素子は、 SAW共振子であってもよぐ SAWフィルタであってもよい

Claims

請求の範囲
[1] 圧電基板と、圧電基板上に設けられた少なくとも 1つの IDTと、該 IDTを覆うように 形成されており、液体中の物質と反応する反応膜とを有するセンシング用 SAW素子 と、該センシング用 SAW素子に接続された第 1の増幅回路とを含むセンシング用発 振回路と、
圧電基板と、圧電基板上に設けられた少なくとも 1つの IDTとを有し、反応膜を有し ていないリファレンス用 SAW素子と、該リファレンス用 SAW素子に接続された第 2の 増幅回路とを含むリファレンス用発振回路とを備え、
前記センシング用 SAW素子及びリファレンス用 SAW素子を構成する圧電基板が 同一の圧電材料からなり、該圧電基板の電気機械結合係数を k2 (%)としたときに、 前記センシング用発振回路の発振周波数と、前記リファレンス用発振回路の発振周 波数とが、 200 X k2 (ppm)以上隔てられていることを特徴とする、液中物質検出セン サ。
[2] 前記センシング用 SAW素子と、前記リファレンス用 SAW素子と力 ほぼ同一の周 波数特性を有する、請求項 1に記載の液中物質検出センサ。
[3] 前記センシング用発振回路及びリファレンス用発振回路は、 LCを用いた整合回路 を有する発振回路であり、センシング用発振回路の回路定数と、リファレンス用発振 回路の回路定数とが異なっている、請求項 1または 2に記載の液中物質検出センサ。
[4] 前記センシング用発振回路が、第 1のマイクロストリップラインを有しており、前記リフ アレンス用発振回路が第 2のマイクロストリップラインを有しており、第 1のマイクロストリ ップラインの形状と、第 2のマイクロストリップラインの形状が異なっている、請求項 1ま たは 2に記載の液中物質検出センサ。
[5] 前記第 1 ,第 2の増幅回路が、それぞれ、第 1 ,第 2の増幅素子を有しており、第 1の 増幅素子のインピーダンスと、第 2の増幅素子のインピーダンスとが異なっている、請 求項 1または 2に記載の液中物質検出センサ。
[6] 前記圧電基板が、 30° 〜50° 回転 Y板 X伝搬の LiTaO基板である、請求項 1〜
3
5のいずれ力 1項に記載の液中物質検出センサ。
[7] 前記センシング用 SAW素子及び前記リファレンス用 SAW素子が、 SH波を主成分 とする弾性表面波を用いた SAW素子である、請求項 1〜6のいずれ力 1項に記載の 液中物質検出センサ。
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