WO2007012558A1 - Anordnung eines elektrischen bauelements und eines auf dem bauelement auflaminierten folienverbunds und verfahren zur herstellung der anordnung - Google Patents

Anordnung eines elektrischen bauelements und eines auf dem bauelement auflaminierten folienverbunds und verfahren zur herstellung der anordnung Download PDF

Info

Publication number
WO2007012558A1
WO2007012558A1 PCT/EP2006/064061 EP2006064061W WO2007012558A1 WO 2007012558 A1 WO2007012558 A1 WO 2007012558A1 EP 2006064061 W EP2006064061 W EP 2006064061W WO 2007012558 A1 WO2007012558 A1 WO 2007012558A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
film
composite
conductor
component
plastic film
Prior art date
Application number
PCT/EP2006/064061
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Laurence Amigues
Michael Kaspar
Herbert Schwarzbauer
Original Assignee
Siemens Aktiengesellschaft
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Aktiengesellschaft filed Critical Siemens Aktiengesellschaft
Priority to EP06764127A priority Critical patent/EP1908106A1/de
Priority to US11/989,528 priority patent/US7932585B2/en
Publication of WO2007012558A1 publication Critical patent/WO2007012558A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5389—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates the chips being integrally enclosed by the interconnect and support structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/62—Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2401—Structure
    • H01L2224/2402—Laminated, e.g. MCM-L type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2405—Shape
    • H01L2224/24051—Conformal with the semiconductor or solid-state device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/24226—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the item being planar
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/82009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8203—Reshaping, e.g. forming vias
    • H01L2224/82035—Reshaping, e.g. forming vias by heating means
    • H01L2224/82039—Reshaping, e.g. forming vias by heating means using a laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01038—Strontium [Sr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01056—Barium [Ba]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor

Definitions

  • the invention relates to an arrangement of at least one electrical component and at least one laminated on a component surface of the device laminated film, the at least one electrically insulating
  • Such an arrangement is known for example from DE 103 35 155 Al.
  • the device is a
  • Power semiconductor device which is applied to a substrate.
  • the power semiconductor device has an electrical contact surface which faces away from the substrate.
  • a film composite of a plurality of electrically insulating insulating plastic films is laminated on the power semiconductor component and on the substrate.
  • the lamination of the individual insulating plastic films is carried out under vacuum. This results in a particularly firm and intimate contact between the power semiconductor component, the substrate and the film composite.
  • lamination is a surface contour, which by a
  • Component surface of the power semiconductor device and a substrate surface of the substrate is given, represented by a surface contour of the film composite, which is remote from the device surface and the substrate surface.
  • the topography given by the component and the substrate is mapped.
  • the power semiconductor component is soldered onto the substrate such that an electrical contact surface of the
  • the electrical contact surface of the power semiconductor component is electrically connected by means of an electrical connection line contacted.
  • the electrical connection line is formed by a large-area, electrical connection track, which is applied to the film composite and guided through a window of the film composite.
  • a high lateral electric field may occur at an edge or corner of the connecting track lying on the film composite.
  • the high electric field in air can lead to a sliding discharge on the film composite. Due to the sliding discharge can lead to damage of the film composite.
  • the object of the present invention is to show how, in the arrangement described above, a probability of the occurrence of sliding discharges can be reduced.
  • an arrangement of at least one electrical component and at least one laminated on a component surface of the device laminated film which has at least one electrically insulating insulating plastic film.
  • the arrangement is characterized in that the film composite has at least one electrically conductive conductor plastic film with at least one electrically conductive conductor material.
  • the electrically conductive conductor plastic film forms a film surface of the film composite.
  • a method for producing the arrangement is also specified with the following method steps: a) providing the electrical component with a component surface and b) producing the laminated composite on the component surface.
  • the basic idea of the invention is to provide a film composite that is electrically conductive over the insulating plastic film perpendicular to the film composite has an insulating effect and, moreover, has a certain electrical conductivity along the film surface via the conductor plastic film. Due to the electrical conductivity of the conductor plastic film lateral electric field strengths are significantly reduced at conductor edges. The conductor plastic foil prevents the build-up of electric fields. Electric charge occurring on the film composite surface of the film composite can flow away.
  • the film composite has at least one further insulating insulating plastic film and / or at least one further electrically conductive conductor plastic film with a further electrically conductive conductor material.
  • the composite film has a plurality of electrically conductive and / or a plurality of electrically insulating
  • Plastic films on In this case, one or more insulating plastic films and / or one or more insulating insulating plastic films may be present.
  • the conductor plastic films are arranged in the film composite in such a way that during operation of the electrical component there are no high electric fields which could lead to sliding discharges on the insulation layer in air.
  • the conductor plastic films preferably form outer layers of a sandwich structure.
  • the inner layers of the sandwich structure are formed by the insulating plastic films.
  • the insulating plastic films are disposed between the conductor plastic films.
  • the electrically conductive conductor plastic films have a low electrical conductivity. They are to be described as high-impedance conductor foils.
  • the conductor plastic film and / or the further conductor plastic film have a range of from 1 to 10 ° ⁇ to and including 1 to 10 * ⁇ and in particular to a range of 1 to 10 inclusive.
  • the surface layer resistance is so low that occurring can drain electrical charge. This applies in particular to corners and edges of the electrical component to which the film composite is laminated. This applies in particular but also corners and edges of an electrical connection line for electrical contact of the
  • Component Especially here, especially high electrical fields can occur during operation.
  • the electrically conductive conductor material and / or the further electrically conductive conductor material may be any organic or inorganic conductor materials.
  • the conductor material and / or the further conductor material has elemental carbon.
  • the carbon is present, for example, as carbon black or as graphite in a particle composite (see below).
  • the conductor material and / or the further conductor material may also be a conductor polymer (electrically conductive polymer). Also conceivable are metallic and ceramic conductor materials.
  • the conductor plastic film a particle composite with a base plastic and the conductor material and / or the other plastic film on a further particle composite with a further base plastic and the other conductor material as a filler.
  • An essential part of the conductor plastic films are composite materials.
  • the particle composite or the further particle composite consists of at least two phases. One of the phases is formed by the respective base plastic. In the respective base plastic is the respective
  • An average particle diameter of the powder depends, inter alia, on the film thickness of the respective conductor plastic film. For example, with a film thickness of about 20 ⁇ m, the average particle diameter is preferably less than 1 ⁇ m.
  • carbon black or graphite are suitable as electrically conductive fillers. These materials cause the conductor Plastic film turns black. The probability of damage to the conductor plastic film by light, in particular by UV light is significantly reduced.
  • the black plastic film improves the use of laser ablation for opening windows in
  • Foil composite for electrical contacting (see below). Likewise, remnants of laser ablation can be more easily detected and removed.
  • the base plastic and the other base plastic are identical.
  • base plastics any thermoplastics, thermosets and mixtures thereof are conceivable.
  • base plastics are, for example, polyimide (PI), polyethylene (PE), polyphenol and epoxides.
  • the conductor plastic film and / or the further conductor plastic film has at least one dielectric filler with a relative dielectric constant of more than 10 and in particular more than 50.
  • the dielectric filler is based, for example, on the barium-strontium-titanate system. In this ceramic barium and strontium are contained in different proportions to each other. Also conceivable are pure barium titanate or pure strontium titanate.
  • the film thicknesses of the plastic films of the film composite depend on various aspects. Thus, the laminatability or the processability of the plastic films plays an important role. In addition, it is important to choose the film thicknesses of the plastic films such that the necessary electrical or dielectric
  • the dielectric strength of the film composite is controlled via the film thickness of the insulating plastic films.
  • the film thicknesses can be 10 ⁇ m to 150 ⁇ m.
  • the film thicknesses can be 10 ⁇ m to 150 ⁇ m.
  • Film thickness of the insulating plastic film selected from the range of 20 microns to 100 microns.
  • the conductor plastic film and the further conductor plastic film have a film thickness which is selected from the range of 1 ⁇ m to 50 ⁇ m inclusive and in particular from the range of 5 ⁇ m to 20 ⁇ m inclusive.
  • the electrical resistance of the conductor plastic film is less than 10-LO ⁇ -cm.
  • a film thickness (layer thickness) of 10 ⁇ m With a film thickness (layer thickness) of 10 ⁇ m, a surface layer resistance of less than 10- ⁇ - ⁇ would result. This surface layer resistance is sufficient, for example, to prevent electrical charging of the film composite surface by a leakage current occurring at DC voltage of several hundred volts.
  • For AC can also be a lower
  • the component and the plastic film or the component and one of the conductor plastic films are in direct contact with each other. Electric charge that occurs intentionally or unintentionally on the device can be efficiently dissipated in this way.
  • a multilayer structure of the film composite of at least two conductor plastic films and an insulating plastic film arranged between the plastic films is to be preferred.
  • the following further method steps are carried out to produce the laminated film composite: c) provision of a prefabricated film composite and d) lamination of the prefabricated film composite onto the component surface of the component.
  • the film composite is produced before the lamination.
  • the lamination is preferably carried out under vacuum. As a result, a particularly firm and intimate contact between the component surface and the film composite is produced.
  • individual plastic films of the film composite are laminated to produce the laminated film composite.
  • the individual plastic films can be laminated in a single lamination step.
  • the plastic films are placed one above the other on the component. Subsequently, it is laminated to form the film composite. It is also conceivable that the plastic films are laminated one after the other in separate laminating steps and processed into a film composite.
  • the arrangement may comprise any electrical component, for example an electrical connection line or a capacitor.
  • the component is a semiconductor component and in particular a power semiconductor component.
  • Power semiconductor component is selected from the group IGBT, diode, MOSFET, thyristor and bipolar transistor. Especially these power semiconductor devices are operated at voltages of a few hundred volts to kV. With the aid of the film composite, the occurrence of field peaks, in particular at corners and edges, is effectively suppressed.
  • the component is arranged on a substrate and the film composite is laminated on the component surface of the component and on a substrate surface of the substrate such that a surface contour, which is formed by the component surface of the component and by the substrate surface of the substrate, in a surface contour of the film composite facing away from the device surface and the substrate surface.
  • the surface contour (topography) of the component and the substrate is molded by the film composite.
  • the film composite follows the surface contour of the component and the substrate. This applies in particular to corners and edges of the component and of the substrate.
  • a molding of the surface contour of the component and of the substrate is achieved by laminating the film composite to the component and to the substrate (see above).
  • an electrical through-connection through the film composite is present for contacting the electrical contact surface of the component.
  • the component is applied to a substrate.
  • the plated-through hole can be part of an electrical connecting line for making electrical contact with the contact surface of the component, which has been turned away from the substrate.
  • To produce such an arrangement for example, after the lamination of the film composite at least one window in the film composite open. By opening the window, the electrical contact surface of the device is exposed. The opening of the window takes place, for example, by laser ablation or by a photolithographic process. Subsequently, electrically conductive conductor material is deposited.
  • Connecting line consists of stacked metallization layers.
  • the contact surface of the power semiconductor component consists of aluminum.
  • a lowermost metallization layer which is applied directly to the contact surface of the power semiconductor component, consists for example of titanium and acts as an adhesion-promoting layer.
  • An overlying metallization layer consists of a titanium-tungsten alloy, which acts as a barrier layer for copper ions. In addition, a copper layer is applied.
  • the metallization layers mentioned are produced with the aid of vapor deposition methods, in particular with the aid of PVD (Physical Vapor Deposition) or CVD (Chemical Vapor Deposition) with layer thicknesses of less than 50 nm.
  • the last copper layer acts as a seed layer for a copper layer to be deposited galvanically.
  • This copper layer whose layer thickness can be up to a few hundred microns, ensures a necessary current carrying capacity, in particular with regard to the control of power semiconductor components.
  • the invention provides the following essential advantages:
  • the film composite is electrically insulated in the thickness direction due to the electrical insulating plastic film.
  • the electrical conductor plastic film is for a lateral electrical conductivity of the film composite taken care of.
  • electrical charges occurring on the film composite can be dissipated laterally.
  • Components with the help of the laminating technique for the manufacture of modules can be dispensed with a potting of the module for additional electrical insulation.
  • the height of the electrical fields occurring is reduced at edges of the device.
  • the problem of partial discharges is reduced, which can occur, for example, at an interface between a ceramic substrate and the component. Partial discharges can be the reason for the detachment of the laminated film composite.
  • the conductor plastic film prevents electrical charging of the film composite during processing.
  • Figures 1 and 2 each show a section of an arrangement in a lateral cross-section.
  • FIG. 3 shows a section of a film composite of the arrangement in a lateral cross section.
  • the exemplary embodiments relate in each case to an arrangement 1 of at least one electrical component 2 and at least one film composite 3 laminated onto a component surface 21 of the component 2.
  • the electrical component 2 is a power semiconductor component in the form of a MOSFET.
  • the power semiconductor device 2 is an IGBT.
  • the film composite 3 has a multilayer construction with at least one electrically insulating insulation layer.
  • the conductor plastic film 32 is made of electrically high-resistance conductive material.
  • This high-resistance conductive material is a particle composite of an electrically insulating base plastic and powdery, electrically conductive conductor material as a filler.
  • the conductor material is powdered elemental carbon. An average particle diameter of the powdery
  • the conductor material is a powdered metal with corresponding particle diameters.
  • a filler content of the elemental carbon or of the metal on the respective particle composite and a film thickness 321 of the electrically conductive conductor plastic film are each chosen such that an electrical surface layer resistance of the conductor plastic film of about I-IO 11 ⁇ results.
  • the film thickness 321 of the conductor plastic film is about 10 microns.
  • the particle composite of the conductor plastic film additionally has a powdery dielectric filler with a relative dielectric constant of more than 50.
  • the dielectric filler is a barium strontium titanate.
  • the average particle diameter of the barium strontium titanate powder is also below 1 ⁇ m. This embodiment is particularly advantageous for high frequency applications in the MHz to GHz range.
  • the insulating plastic film 31 consists of the base plastic of the conductor plastic film 32.
  • the insulating plastic film 31 is made of a different plastic than the base plastic of the conductor plastic film 32nd
  • the film composite 3 is laminated on the component surface 21 power semiconductor component 2 such that the insulating plastic film 31 is in direct contact with the component surface 21 (FIG. 1).
  • the insulating plastic film 31 is in direct contact with the component surface 21 (FIG. 1).
  • the conductor plastic film 32 directly with the device surface 21 in contact.
  • the film composite 3 consists of a conductor plastic film 32, a further conductor plastic film 34 and an insulating plastic film 31 arranged between the conductor plastic films 32 and 34.
  • the further conductor plastic film 34 is identical to the conductor plastic film 34.
  • the further particle composite of the further conductor plastic film 34 is the same particle composite that makes up the conductor plastic film 32.
  • the film thickness 321 of the conductor plastic film and the Film thickness 341 of the other conductor plastic film same. This results in the same electrical surface resistances for the two conductor plastic films 32 and 34. Due to this symmetrical sandwich structure, there is the further advantage that during manufacture no confusion of the sides during lamination of the film composite can occur.
  • the film composite 3 is so on the
  • FIG. 3 shows a film composite 3 which, in addition to the insulating plastic film 31, has a further insulating plastic film 33 arranged between the conductor plastic films 32 and 34.
  • the film thicknesses 311 and 331 of the insulating plastic films 31 and 33 are each about 50 ⁇ m.
  • the insulating plastic films 31 and 32 have different film thicknesses 311 and 331. The same applies to the film thicknesses 321 and 341 of the conductor plastic films 32 and 34.
  • the plastic films 31, 32, 33 and 34 on different plastics.
  • the power semiconductor component 2 is applied to a sub-level 4 such that an electrical contact area 22 of the power semiconductor component 2 faces away from the substrate (FIG. 1).
  • the substrate 4 is a DCB (Direct Copper Bonding) substrate.
  • a Ceramic layer 42 provided on both sides with copper layers 43.
  • the copper layer 43 is the
  • the copper layer 43 serves to electrically contact a further electrical contact surface 25 of the power semiconductor component 2 facing the substrate 4.
  • the power semiconductor component 2 is part of an overall module, not shown, in which a plurality of power semiconductor components 2 are arranged and wired on a single, common substrate 4.
  • the pioneering from the substrate 4 electrical contact surface 22 of the power semiconductor device 2 is electrically contacted over a large area.
  • the film composite 3 is so on the device surface 21 of the
  • Power semiconductor device 2 and the substrate surface 41 of the substrate 4 is laminated, that a surface contour 24, which from the device surface 21 of the power semiconductor device 2 and of the
  • Substrate surface 41 of the substrate 4 is formed, is imaged in the surface contour 35 of the film composite 3, which is the device surface 21 of the power semiconductor device 2 and the substrate surface 41 of the substrate 4 is turned away. It is laminated on a prefabricated film composite 3.
  • the insulating plastic film 31 and the conductor plastic film 32 are individually laminated, so that the film composite 3 is formed during lamination. There is no prefabricated film composite 3 is laminated.
  • Power semiconductor component 2 material of the film composite 3 removed. This is done by laser ablation. In an alternative embodiment, a photolithography process is used to ablate the material. By removing the material is produced in the film composite 3, a window 37. Die Contact surface 22 of the power semiconductor device 2 is freely accessible. A freely accessible contact surface 22 is obtained in an alternative embodiment to the described methods by laminating a prefabricated film composite 3, which already has the window 37 for the free accessibility of the contact surface 22.
  • an electrical connection line 23 for electrically contacting the contact surface 21 on the contact surface 22 and on the
  • the electrical feedthrough 36 is formed by the film composite 3.
  • electrically conductive materials are applied in multiple layers on the contact surface 21 and on a film surface of the film composite 3, which is the substrate 4 and the power semiconductor device 2 away.
  • the application is carried out by means of PVD, wherein a titanium layer as an adhesion-promoting layer, a titanium-tungsten layer as a barrier layer for copper and a copper layer with layer thicknesses of less than 50 nm are formed.
  • the deposited by PVD copper layer acts as a seed layer for then galvanically deposited with a layer thickness of about 200 microns copper. This electrodeposited copper layer provides a current carrying capacity necessary for the operation of the line semiconductor device 2.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Anordnung mindestens eines elektrischen Bauelements und mindestens eines auf einer Bauelementoberfläche des Bauelements auflaminierten Folienverbunds, der mindestens eine elektrisch isolierende Isolier-Kunststofffolie aufweist. Die Anordnung ist dadurch gekennzeichnet, dass der Folienverbund mindestens eine elektrisch leitende Leiter-Kunststofffolie mit mindestens einem elektrisch leitfähigen Leiterwerkstoff aufweist. Daneben wird ein Verfahren zum Herstellen der Anordnung angegeben. Die Leiter-Kunststofffolie stellt einen hochohmigen Widerstand dar. Anwendung findet die Erfindung in der planaren, großflächigen elektrischen Kontaktierungstechnologie zur Herstellung von Modulen mit Leistungshalbleiterelementen. Bei dieser Technologie werden Kuststofffolien auf die Bauelemente auf laminiert. Eine elektrische Kontaktierung der Bauelemente erfolgt durch die Kuststofffolie. Mit der Erfindung wird für eine geringe laterale elektrische Leitfähigkeit gesorgt, so dass wird ein elektrisches Aufladung der für die Kontaktierungstechnologie benötigten Kuststofffolien beim Betrieb des Bauelements bzw. des Moduls verhindert wird.

Description

Beschreibung
Anordnung eines elektrischen Bauelements und eines auf dem Bauelement auflaminierten Folienverbunds und Verfahren zur Herstellung der Anordnung
Die Erfindung betrifft eine Anordnung mindestens eines elektrischen Bauelements und mindestens eines auf einer Bauelementoberfläche des Bauelements auflaminierten Folienverbunds, der mindestens eine elektrisch isolierende
Isolier-Kunststofffolie aufweist. Daneben wird ein Verfahren zum Herstellen der Anordnung angegeben.
Eine derartige Anordnung ist beispielsweise aus DE 103 35 155 Al bekannt. Das Bauelement ist ein
Leistungshalbleiterbauelement, das auf einem Substrat aufgebracht ist. Das Leistungshalbleiterbauelement verfügt über eine elektrische Kontaktfläche, die dem Substrat abgekehrt ist. Auf das Leistungshalbleiterbauelement und auf das Substrat ist ein Folienverbund aus mehreren elektrisch isolierenden Isolier-Kunststofffolien auflaminiert . Das Auflaminieren der einzelnen Isolier-Kunststofffolien erfolgt unter Vakuum. Dadurch entsteht ein besonders fester und inniger Kontakt zwischen dem Leistungshalbleiterbauelement, dem Substrat und dem Folienverbund. Durch das Auflaminieren ist eine Oberflächenkontur, die durch eine
Bauelementoberfläche des Leistungshalbleiterbauelements und eine Substratoberfläche des Substrats gegeben ist, durch eine Oberflächenkontur des Folienverbunds abgebildet, die der Bauelementoberfläche und der Substratoberfläche abgekehrt ist. Es wird die durch das Bauelement und das Substrat vorgegebene Topographie abgebildet.
Das Leistungshalbleiterbauelement ist derart auf das Substrat aufgelötet, dass eine elektrische Kontaktfläche des
Bauelements dem Substrat abgekehrt ist. Die elektrische Kontaktfläche des Leistungshalbleiterbauelements ist mit Hilfe einer elektrischen Verbindungsleitung elektrisch kontaktiert. Die elektrische Verbindungsleitung wird von einer großflächigen, elektrischen Verbindungsbahn gebildet, die auf dem Folienverbund aufgebracht und durch ein Fenster des Folienverbunds geführt ist.
Beim Anlegen einer Betriebsspannung an die Verbindungsbahn von hunderten bis wenigen tausend Volt kann es an einer Kante oder Ecke der auf dem Folienverbund liegenden Verbindungsbahn zu einem hohen lateralen elektrischen Feld kommen. Das hohe elektrische Feld kann an Luft zu einer Gleitentladung auf dem Folienverbund führen. Aufgrund der Gleitentladung kann es zu einer Schädigung des Folienverbunds kommen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, aufzuzeigen, wie bei der oben beschriebenen Anordnung eine Wahrscheinlichkeit für das Auftreten von Gleitentladungen verringert werden kann.
Zur Lösung der Aufgabe wird eine Anordnung mindestens eines elektrischen Bauelements und mindestens eines auf einer Bauelementoberfläche des Bauelements auflaminierten Folienverbunds angegeben, der mindestens eine elektrisch isolierende Isolier-Kunststofffolie aufweist. Die Anordnung ist dadurch gekennzeichnet, dass der Folienverbund mindestens eine elektrisch leitende Leiter-Kunststofffolie mit mindestens einem elektrisch leitfähigen Leiterwerkstoff aufweist. Vorzugsweise bildet die elektrisch leitende Leiter- Kunststofffolie eine Folienoberfläche des Folienverbunds .
Zur Lösung der Aufgabe wird auch ein Verfahren zum Herstellen der Anordnung mit folgenden Verfahrensschritten angegeben: a) Bereitstellen des elektrischen Bauelements mit einer Bauelementoberfläche und b) Erzeugen des auflaminierten Folienverbunds auf der Bauelementoberfläche.
Die grundlegende Idee der Erfindung besteht darin, einen Folienverbund bereitzustellen, der über die Isolier- Kunststofffolie senkrecht zum Folienverbund elektrisch isolierend wirkt und darüber hinaus über die Leiter- Kunststofffolie eine gewisse elektrische Leitfähigkeit entlang der Folienoberfläche aufweist. Aufgrund der elektrischen Leitfähigkeit der Leiter-Kunststofffolie werden laterale elektrische Feldstärken an Leiterbahnkanten deutlich gesenkt. Die Leiter-Kunststofffolie verhindert den Aufbau elektrischer Felder. Auf der Folienverbund-Oberfläche des Folienverbunds auftretende elektrische Ladung kann abfließen.
In einer besonderen Ausgestaltung weist der Folienverbund mindestens eine weitere isolierende Isolier-Kunststofffolie und/oder mindestens eine weitere elektrisch leitende Leiter- Kunststofffolie mit einem weiteren elektrisch leitfähigen Leiterwerkstoff auf. Der Folienverbund weist mehrere elektrisch leitende und/oder mehrere elektrisch isolierende
Kunststofffolien auf. Dabei können eine oder mehrere Isolier- Kunststofffolien und/oder eine oder mehrere isolierende Isolier-Kunststofffolien vorhanden sein. Die Leiter- Kunststofffolien sind dabei derart im Folienverbund angeordnet, dass es im Betrieb des elektrischen Bauelements zu keinen hohen elektrischen Feldern kommt, die an Luft zu Gleitentladungen auf der Isolationsschicht führen könnten. Dies bedeutet, dass die Leiter-Kunststofffolien vorzugsweise äußere Schichten einer Sandwich-Struktur bilden. Die inneren Schichten der Sandwich-Struktur werden von den Isolier- Kunststofffolien gebildet. Die Isolier-Kunststofffolien sind zwischen den Leiter-Kunststofffolien angeordnet.
Die elektrisch leitenden Leiter-Kunststofffolien weisen eine geringe elektrische Leitfähigkeit auf. Sie sind als hochohmige Leiterfolien zu bezeichnen. In einer besonderen Ausgestaltung weisen die Leiter-Kunststofffolie und/oder die weitere Leiter-Kunststofffolie einen aus dem Bereich von einschließlich l-10° Ω bis einschließlich l-lO-*-^ Ω und insbesondere einen aus dem Bereich von einschließlich 1-10-'-'-1 Ω bis einschließlich l-lO-*-^ Ω ausgewählten elektrischen Oberflächenschichtwiderstand auf. Der Oberflächenschichtwiderstand ist so gering, dass auftretende elektrische Ladung abfließen kann. Dies betrifft insbesondere Ecken und Kanten des elektrischen Bauelements, auf das der Folienverbund auflaminiert ist. Dies betrifft insbesondere aber auch Ecken und Kanten einer elektrischen Verbindungsleitung zur elektrischen Kontaktierung des
Bauelements . Gerade auch hier können im Betrieb besonders hohe elektrische Felder auftreten.
Der elektrisch leitfähige Leiterwerkstoff und/oder der weitere elektrisch leitfähige Leiterwerkstoff können beliebige organische oder anorganische Leiterwerkstoffe sein. In einer besonderen Ausgestaltung weist der Leiterwerkstoff und/oder der weitere Leiterwerkstoff elementaren Kohlenstoff auf. Der Kohlenstoff liegt beispielsweise als Ruß oder als Graphit in einem Teilchenverbund vor (siehe unten) . Daneben können der Leiterwerkstoff und/oder der weitere Leiterwerkstoff auch ein Leiterpolymer (elektrisch leitendes Polymer) sein. Denkbar sind auch metallische und keramische Leiterwerkstoffe .
Gemäß einer besonderen Ausgestaltung weisen die Leiter- Kunststofffolie einen Teilchenverbund mit einem Basiskunststoff und dem Leiterwerkstoff und/oder die weitere Kunststofffolie einen weiteren Teilchenverbund mit einem weiteren Basiskunststoff und dem weiteren Leiterwerkstoff als Füllstoff auf. Wesentlicher Bestandteil der Leiter- Kunststofffolien sind Verbundmaterialien. Der Teilchenverbund bzw. der weitere Teilchenverbund besteht zumindest aus zwei Phasen. Eine der Phasen wird vom jeweiligen Basiskunststoff gebildet. Im jeweiligen Basiskunststoff ist der jeweilige
Leiterwerkstoff als Pulver enthalten und wenn möglich homogen verteilt. Ein mittlerer Partikeldurchmesser des Pulvers richtet sich dabei u. a. nach der Folienstärke der jeweiligen Leiter-Kunststofffolie . Beispielsweise liegt der durchschnittliche Partikeldurchmesser bei einer Folienstärke von etwa 20 μm vorzugsweise bei weniger als 1 μm. Besonders Ruß oder Graphit eignen sich als elektrisch leitfähige Füllstoffe. Diese Materialien führen dazu, dass die Leiter- Kunststofffolie schwarz wird. Die Wahrscheinlichkeit für eine Schädigung der Leiter-Kunststofffolie durch Licht, insbesondere durch UV-Licht wird deutlich erniedrigt. Darüber hinaus verbessert die schwarze Kunststofffolie die Verwendung der Laserablation für das Öffnen von Fenstern im
Folienverbund zur elektrischen Kontaktierung (siehe unten) . Ebenso können Überreste Laserablation leichter erkannt und entfernt werden.
Prinzipiell ist es möglich, für jede der Kunststofffolien unterschiedliche Basismaterialien zu verwenden. Im Hinblick auf einen besonders festen und innigen Kontakt innerhalb des Folienverbunds ist es von besonderem Vorteil, für alle bzw. für mehrere Kunststofffolien den gleichen Basiskunststoff zu verwenden. Dies verringert die Wahrscheinlichkeit des Auftretens eines Delaminationsprozesses zwischen den Kunststofffolien des Folienverbunds . Gemäß einer besonderen Ausgestaltung weist daher die Isolier-Kunststofffolie den Basiskunststoff des Teilchenverbunds der Leiter- Kunststofffolie und/oder den weiteren Basiskunststoff der weiteren Leiter-Kunststofffolie auf. Insbesondere sind auch der Basiskunststoff und der weitere Basiskunststoff identisch. Als Basiskunststoffe sind beliebige Thermoplasten, Duroplasten und Mischungen davon denkbar. Solche Basiskunststoffe sind beispielsweise Polyimid (PI) , Polyethylen (PE), Polyphenol und Epoxide.
Die bisherigen Ausführungen beziehen sich im Wesentlichen auf Gleichstromanwendungen. Im Hinblick auf Hochfrequenzanwendungen, die sowohl Gleich- als auch Wechselströme beinhalten können, ist es besonders vorteilhaft, hochdielektrisches Material in den Leiter- Kunststofffolien mit zu verarbeiten. Das hochdielektrische Material, das ebenfalls als Füllstoff in den Leiter- Kunststofffolien verwendet wird, dient zur Regulierung der hochfrequenten elektrischen Wechselfelder, die bei Hochfrequenzanwendungen auftreten können. In einer besonderen Ausgestaltung weisen daher die Leiter-Kunststofffolie und/oder die weitere Leiter-Kunststofffolie mindestens einen dielektrischen Füllstoff mit einer relativen Dielektrizitätskonstante von über 10 und insbesondere von über 50 auf. Der dielektrische Füllstoff basiert beispielsweise auf dem Barium-Strontium-Titanat-System. Bei dieser Keramik sind Barium und Strontium in unterschiedlichen Anteilen zueinander enthalten. Denkbar sind auch reines Bariumtitanat oder reines Strontiumtitanat .
Die Folienstärken der Kunststofffolien des Folienverbunds richten sich nach verschiedenen Gesichtspunkten. So spielt die Laminierbarkeit bzw. die Verarbeitbarkeit der Kunststofffolien eine wichtige Rolle. Darüber hinaus ist es wichtig, die Folienstärken der Kunststofffolien derart zu wählen, dass die nötigen elektrischen bzw. dielektrischen
Eigenschaften der einzelnen Kunststofffolien erzielt werden. So wird beispielsweise über die Folienstärke der Isolier- Kunststofffolien die Durchschlagfestigkeit des Folienverbunds gesteuert. In Abhängigkeit vom Basiskunststoff können die Folienstärken 10 μm bis 150 μm betragen. Vorzugsweise ist
Folienstärke der Isolier-Kunststofffolie aus dem Bereich von 20 μm bis 100 μm ausgewählt.
Bei den Leiter-Kunststofffolien ist es wichtig, durch die Auswahl der Folienstärke für eine benötigte elektrische Oberflächenleitfähigkeit zu sorgen. In einer besonderen Ausgestaltung weisen die Leiter-Kunststofffolie und die weitere Leiter-Kunststofffolie eine Folienstärke auf, die aus dem Bereich von einschließlich 1 μm bis einschließlich 50 μm und insbesondere aus dem Bereich von einschließlich 5 μm bis einschließlich 20 μm ausgewählt ist. Beispielsweise beträgt der elektrische Widerstand der Leiter-Kunststofffolie weniger als lO-LO Ω-cm. Bei einer Folienstärke (Schichtdicke) von 10 μm würde ein Oberflächenschichtwiderstand von unter l'lO-'-^ Ω resultieren. Dieser Oberflächenschichtwiderstand genügt beispielsweise, um eine elektrische Aufladung der Folienverbund-Oberfläche durch einen auftretenden Leckstrom bei Gleichspannung von mehreren hundert V zu verhindern. Für Wechselstrom kann auch ein niedrigerer
Oberflächenschichtwiderstand nötig sein, um zusätzlich kapazitive Umladeströme abzuführen.
Gemäß einer besonderen Ausgestaltung stehen das Bauelement und die Kunststofffolie oder das Bauelement und eine der Leiter-Kunststofffolien in direktem Kontakt miteinander. Elektrische Ladung, die gewollt oder ungewollt auf dem Bauelement auftritt, kann auf diese Weise effizient abgeleitet werden. Zu bevorzugen ist ein Mehrschichtaufbau des Folienverbunds aus mindestens zwei Leiter- Kunststofffolien und einer zwischen den Kunststofffolien angeordneten Isolier-Kunststofffolien .
Gemäß einer besonderen Ausgestaltung werden zum Erzeugen des auflaminierten Folienverbunds folgende weitere Verfahrensschritte durchgeführt: c) Bereitstellen eines vorgefertigten Folienverbunds und d) Auflaminieren des vorgefertigten Folienverbunds auf die Bauelementoberfläche des Bauelements. Der Folienverbund wird vor dem Auflaminieren hergestellt. Das Auflaminieren erfolgt vorzugsweise unter Vakuum. Dadurch wird ein besonders fester und inniger Kontakt zwischen der Bauelementoberfläche und dem Folienverbund hergestellt .
Gemäß einer weiteren Variante des Herstellverfahrens werden zum Erzeugen des auflaminierten Folienverbunds einzelne Kunststofffolien des Folienverbunds auflaminiert . Die einzelnen Kunststofffolien können dabei in einem einzigen Laminierungsschritt auflaminiert werden. Dazu werden die Kunststofffolien übereinander auf das Bauelement gelegt. Anschließend wird laminiert, wobei der Folienverbund entsteht. Denkbar ist auch, dass die Kunststofffolien nacheinander in separaten Laminierschritten auflaminiert und zum Folienverbund verarbeitet werden.
Die Anordnung kann ein beliebiges elektrisches Bauelement aufweisen, beispielsweise eine elektrische Verbindungsleitung oder ein Kondensator. In einer besonderen Ausgestaltung ist das Bauelement ein Halbleiterbauelement und insbesondere ein Leistungshalbleiterbauelement . Das
Leistungshalbleiterbauelement ist aus der Gruppe IGBT, Diode, MOSFET, Tyristor und Bipolartransistor ausgewählt. Gerade diese Leistungshalbleiterbauelemente werden bei Spannungen von einigen hundert V bis kV betrieben. Mit Hilfe des Folienverbunds wird das Auftreten von Feldspitzen insbesondere an Ecken und Kanten effizient unterdrückt.
In einer besonderen Ausgestaltung ist das Bauelement auf einem Substrat angeordnet und der Folienverbund derart auf der Bauelementoberfläche des Bauelements und auf einer Substratoberfläche des Substrats auflaminiert, dass eine Oberflächenkontur, die von der Bauelementoberfläche des Bauelements und von der Substratoberfläche des Substrats gebildet ist, in einer Oberflächenkontur des Folienverbunds abgebildet ist, die der Bauelementoberfläche und der Substratoberfläche abgekehrt ist. Die Oberflächenkontur (Topographie) des Bauelements und des Substrats wird durch den Folienverbund abgeformt. Der Folienverbund folgt der Oberflächenkontur des Bauelements und des Substrats . Dies betrifft insbesondere Ecken und Kanten des Bauelements und des Substrats . Ein Abformen der Oberflächenkontur des Bauelements und des Substrats wird dadurch erreicht, dass der Folienverbund auf das Bauelement und auf das Substrat auflaminiert wird (siehe oben) .
In einer besonderen Ausgestaltung ist zur Kontaktierung der elektrischen Kontaktfläche des Bauelements eine elektrische Durchkontaktierung durch den Folienverbund vorhanden. Beispielsweise ist das Bauelement auf einem Substrat aufgebracht. Die Durchkontaktierung kann ein Bestandteil einer elektrischen Verbindungsleitung zur elektrischen Kontaktierung der Kontaktfläche des Bauelements sein, die dem Substrat abgekehrt ist. Zum Herstellen einer derartigen Anordnung wird beispielsweise nach dem Auflaminieren des Folienverbunds mindestens ein Fenster im Folienverbund geöffnet. Durch das Öffnen des Fensters wird die elektrische Kontaktfläche des Bauelements freigelegt. Das Öffnen des Fensters erfolgt beispielsweise durch Laserablation oder durch einen Photolithographieprozess . Nachfolgend wird elektrisch leitfähiges Leitermaterial abgeschieden.
Bei einem elektrischen Bauelement in Form eines Halbleiterbauelements bzw. Leistungshalbleiterbauelements hat es sich bewährt, unterschiedliche Leitermaterialien zu einer mehrschichtigen Verbindungsleitung abzuscheiden. Die
Verbindungsleitung besteht aus übereinander angeordneten Metallisierungsschichten. Beispielsweise besteht die Kontaktfläche des Leistungshalbleiterbauelements aus Aluminium. Eine unterste Metallisierungsschicht, die direkt auf die Kontaktfläche des Leistungshalbleiterbauelements aufgebracht wird, besteht beispielsweise aus Titan und fungiert als Haftvermittlungsschicht. Eine darüber angeordnete Metallisierungsschicht besteht aus einer Titan- Wolfram-Legierung, die als Sperrschicht für Kupfer-Ionen fungiert. Zusätzlich wird noch eine Kupferschicht aufgetragen. Die genannten Metallisierungsschichten werden mit Hilfe von Dampfabscheideverfahren, insbesondere mit Hilfe von PVD (Physical Vapour Deposition) - oder CVD (Chemical Vapour Deposition) mit Schichtdicken von unter 50 nm erzeugt. Die letzte Kupferschicht fungiert als so genannte Seed-Layer für eine galvanische abzuscheidende Kupferschicht. Diese Kupferschicht, deren Schichtdicke bis zu einigen hundert μm betragen kann, sorgt für eine notwendige Stromtragfähigkeit, insbesondere im Hinblick auf die Ansteuerung von Leistungshalbleiterbauelementen .
Zusammenfassend ergeben sich mit der Erfindung folgende wesentlichen Vorteile:
- Der Folienverbund ist aufgrund der elektrischen Isolier- Kunststofffolie in Dickenrichtung elektrisch isoliert. Mit der elektrischen Leiter-Kunststofffolie wird für eine laterale elektrische Leitfähigkeit des Folienverbunds gesorgt. Somit können am Folienverbund auftretende elektrische Ladungen lateral abgeführt werden.
- Insbesondere durch die Anordnung der Leiter-Kunststofffolie an einer Oberfläche des Folienverbunds kann die laterale
Feldstärke an Leiterbahnkanten so weit gesenkt werden, dass die Isolationsfestigkeit der Luft nicht überschritten wird. Als Folge davon unterbleiben Gleitentladungen.
- Bei der großflächigen Kontaktierung elektrischer
Bauelemente mit Hilfe der Laminiertechnik zum Herstellen von Modulen kann auf einen Verguss des Moduls zur zusätzlichen elektrischen Isolierung verzichtet werden.
- Steht die elektrisch leitfähige Leiter-Kunststofffolie direkt mit dem Bauelement, beispielsweise einem Leistungshalbleiterbauelement, in Kontakt, wird an Kanten des Bauelements die Höhe der auftretenden elektrischen Felder verringert. Zudem wird das Problem von Teilentladungen verringert, die beispielsweise an einer Grenzfläche zwischen einen Keramiksubstrat und dem Bauelement auftreten können. Teilentladungen können die Ursache für das Ablösen des auflaminierten Folienverbundes sein.
- Zum Herstellen kann auf bisher bekannte Laminiertechniken zurückgegriffen werden.
- Die Leiter-Kunststofffolie verhindert eine elektrische Aufladung des Folienverbunds bei der Verarbeitung.
Anhand mehrerer Ausführungsbeispiele und der dazugehörigen
Figuren wird die Erfindung im Folgenden näher beschrieben.
Die Figuren sind schematisch und stellen keine maßstabsgetreuen Abbildungen dar.
Figuren 1 und 2 zeigt jeweils einen Ausschnitt einer Anordnung in einem seitlichen Querschnitt. Figur 3 zeigt einen Ausschnitt eines Folienverbunds der Anordnung in einem seitlichen Querschnitt.
Die Ausführungsbeispiele betreffen jeweils eine Anordnung 1 mindestens eines elektrischen Bauelements 2 und mindestens eines auf einer Bauelementoberfläche 21 des Bauelements 2 auflaminierten Folienverbunds 3.
Das elektrische Bauelement 2 ist ein Leistungshalbleiterbauelement in Form eines MOSFETs. In einer dazu alternativen Ausführungsform ist das Leistungshalbleiterbauelement 2 ein IGBT.
Der Folienverbund 3 weist einen Mehrschichtaufbau mit mindestens einer elektrisch isolierenden Isolier-
Kunststofffolie 31 und mindestens einer elektrisch leitenden Leiter-Kunststofffolie 32 auf.
Die Leiter-Kunststofffolie 32 besteht aus elektrisch hochohmig leitendem Material. Dieses hochohmig leitende Material ist einen Teilchenverbund aus einem elektrisch isolierenden Basiskunststoff und pulverförmigen, elektrisch leitfähigen Leiterwerkstoff als Füllstoff. Der Leiterwerkstoff ist pulverförmiger elementarer Kohlenstoff. Ein mittlerer Teilchendurchmesser des pulverförmigen
Kohlenstoffs liegt bei unter 1 μm. In einem dazu alternativen Ausführungsbeispiel ist der Leiterwerkstoff ein pulverförmiges Metall mit entsprechenden Teilchendurchmessern. Ein Füllstoffgehalt des elementaren Kohlenstoffs bzw. des Metalls am jeweiligen Teilchenverbund und eine Folienstärke 321 der elektrisch leitenden Leiter- Kunststofffolie sind jeweils derart gewählt, dass ein elektrischer Oberflächenschichtwiderstand der Leiter- Kunststofffolie von etwa I-IO11 Ω resultiert. Die Folienstärke 321 der Leiter-Kunststofffolie beträgt etwa 10 μm. Weitere Ausführungsbeispiele ergeben sich dadurch, dass der Teilchenverbund der Leiter-Kunststofffolie zusätzlich einen pulverförmigen dielektrischen Füllstoff mit einer relativen Dielektrizitätskonstante von über 50 aufweist. Der dielektrische Füllstoff ist ein Barium-Strontium-Titanat . Der durchschnittliche Teilchendurchmesser des Barium-Strontium- Titanat-Pulvers liegt ebenfalls bei unter 1 μm. Diese Ausführungsform ist besonders für Hochfrequenz-Anwendungen im MHz- bis GHz-Bereich vorteilhaft.
Die Isolier-Kunststofffolie 31 besteht aus dem Basiskunststoff der Leiter-Kunststofffolie 32. In einer dazu alternativen Ausführungsform besteht die Isolier- Kunststofffolie 31 aus einem anderen Kunststoff, als der Basiskunststoff der Leiter-Kunststofffolie 32.
Der Folienverbund 3 ist derart auf der Bauelementoberfläche 21 Leistungshalbleiterbauelements 2 auflaminiert, dass die Isolier-Kunststofffolie 31 direkt mit der Bauelementoberfläche 21 in Kontakt steht (Figur 1) . In einer dazu alternativen, nicht dargestellten Ausführungsform steht nicht die Isolier-Kunststofffolie 32, sondern die Leiter- Kunststofffolie 32 direkt mit der Bauelementoberfläche 21 in Kontakt .
Weitere Ausführungsbeispiele ergeben sich dadurch, dass mindestens eine weitere Isolier-Kunststofffolien 33 und/oder mindestens eine weitere Leiter-Kunststofffolien 34 verwendet werden. Gemäß Figur 2 besteht der Folienverbund 3 aus einer Leiter-Kunststofffolie 32, einer weiteren Leiter- Kunststofffolie 34 und einer zwischen den Leiter- Kunststofffolien 32 und 34 angeordneten Isolier- Kunststofffolie 31. Die weitere Leiter-Kunststofffolie 34 ist identisch zur Leiter-Kunststofffolie 34. Dies bedeutet, dass der weitere Teilchenverbund der weiteren Leiter- Kunststofffolie 34 der gleiche Teilchenverbund ist, aus dem die Leiter-Kunststofffolie 32 besteht. Darüber hinaus sind die Folienstärke 321 der Leiter-Kunststofffolie und die Folienstärke 341 der weiteren Leiter-Kunststofffolie gleich. Somit resultieren gleiche elektrische Oberflächenwiderstände für die beiden Leiter-Kunststofffolien 32 und 34. Aufgrund dieser symmetrischen Sandwich-Struktur ergibt sich der weitere Vorteil, dass beim Herstellen keine Verwechslung der Seiten beim Auflaminieren des Folienverbunds auftreten kann. Der Folienverbund 3 ist derart auf das
Leistungshalbleiterbauelement 2 auflaminiert, dass die weitere Leiter-Kunststofffolie 34 direkt mit der Bauelementoberfläche 21 des Leistungshalbeiterbauelements 2 in Kontakt steht.
Weitere Ausführungsbeispiele ergeben sich durch die Verwendung von weiteren Leiter-Kunststofffolien 34 und weiteren Isolier-Kunststofffolien 33. Die Anordnung 1 weist einen auf die Bauelementoberfläche 21 auflaminierten Folienverbund 3 mit einer Vielzahl von verschiedenen Kunststofffolien 31, 32, 33 und 34 auf. In Figur 3 ist ein Folienverbund 3 dargestellt, der neben der Isolier- Kunststofffolie 31 eine weitere, zwischen den Leiter- Kunststofffolien 32 und 34 angeordnete Isolier- Kunststofffolie 33 aufweist. Die Folienstärken 311 und 331 der Isolier-Kunststofffolien 31 und 33 betragen jeweils etwa 50 μm. In dazu alternativen Ausführungsbeispielen weisen die Isolier-Kunststofffolien 31 und 32 unterschiedliche Folienstärken 311 und 331 auf. Gleiches gilt für die Folienstärken 321 und 341 der Leiter-Kunststofffolien 32 und 34. Gemäß einer ersten Ausführungsform weisen alle Kunststofffolien 31, 32, 33 und 34 den gleichen Kunststoff auf. In einer dazu alternativen Ausführungsform weisen die Kunststofffolien 31, 32, 33 und 34 unterschiedliche Kunststoffe auf.
Das Leistungshalbleiterbauelement 2 ist derart auf einem Subrat 4 aufgebracht, dass eine elektrische Kontaktfläche 22 des Leistungshalbleiterbauelements 2 vom Substrat abgekehrt ist (Figur 1) . Das Substrat 4 ist ein DCB (Direct Copper Bonding) -Substrat . Bei dem DCB-Substrat 4 ist eine Keramikschicht 42 beidseitig mit Kupferschichten 43 versehen. Auf die Kupferschicht 43 ist das
Leistungshalbleiterbauelement 2 aufgelötet. Die Kupferschicht 43 dient der elektrischen Kontaktierung einer weiteren, dem Substrat 4 zugekehrten elektrischen Kontaktfläche 25 des Leistungshalbleiterbauelements 2.
Das Leistungshalbleiterbauelement 2 ist Bestandteil eines nicht dargestellten, gesamten Moduls, bei dem mehrere Leistungshalbleiterbauelemente 2 auf einem einzigen, gemeinsamen Substrat 4 angeordnet und verdrahtet sind.
Die vom Substrat 4 wegweisende elektrische Kontaktfläche 22 des Leistungshalbleiterbauelements 2 ist großflächig elektrisch kontaktiert. Dazu wird der Folienverbund 3 derart auf die Bauelementoberfläche 21 des
Leistungshalbleiterbauelements 2 und die Substratoberfläche 41 des Substrats 4 auflaminiert, dass eine Oberflächenkontur 24, die vom der Bauelementoberfläche 21 des Leistungshalbleiterbauelement 2 und von der
Substratoberfläche 41 des Substrats 4 gebildet wird, in der Oberflächenkontur 35 des Folienverbunds 3 abgebildet wird, die der Bauelementoberfläche 21 des Leistungshalbleiterbauelements 2 und der Substratoberfläche 41 des Substrats 4 abgekehrt ist. Es wird ein vorgefertigter Folienverbund 3 auflaminiert . In einer dazu alternativen Ausführungsform werden die Isolier-Kunststofffolie 31 und die Leiter-Kunststofffolie 32 einzeln auflaminiert, so dass der Folienverbund 3 beim Auflaminieren entsteht. Es wird kein vorgefertigter Folienverbund 3 auflaminiert .
Nachdem Auflaminieren wird in den Folienverbund 3 zum Freilegen der Kontaktfläche 22 des
Leistungshalbleiterbauelements 2 Material des Folienverbunds 3 abgetragen. Dies erfolgt durch Laserablation. In einer dazu alternativen Ausführung wird zum Abtragen des Materials ein Photolithographie-Verfahren benutzt. Durch das Abtragen des Materials entsteht im Folienverbund 3 ein Fenster 37. Die Kontaktfläche 22 des Leistungshalbleiterbauelements 2 ist frei zugänglich. Eine frei zugängliche Kontaktfläche 22 wird in einer zu den beschriebenen Verfahren alternativen Ausführungsform durch Auflaminieren eines vorgefertigten Folienverbunds 3 erhalten, der bereits das Fenster 37 für die freie Zugänglichkeit der Kontaktfläche 22 aufweist.
Nach dem Freilegen der Kontaktfläche 22 wird eine elektrische Verbindungsleitung 23 zur elektrischen Kontaktierung der Kontaktfläche 21 auf der Kontaktfläche 22 und auf dem
Folienverbund 3 aufgebracht. Dabei wird die elektrische Durchkontaktierung 36 durch den Folienverbund 3 gebildet. Dazu werden auf der Kontaktfläche 21 und auf einer Folienoberfläche des Folienverbunds 3, die dem Substrat 4 und dem Leistungshalbleiterbauelement 2 abgekehrt ist, elektrisch leitende Materialien mehrschichtig aufgebracht. Das Aufbringen erfolgt mittels PVD, wobei eine Titanschicht als Haftvermittlungsschicht, eine Titan-Wolfram-Schicht als Barriereschicht für Kupfer und eine Kupferschicht mit Schichtdicken von jeweils unter 50 nm entstehen. Die mittels PVD abgeschiedene Kupferschicht fungiert als Seed-Layer für anschließend galvanisch mit einer Schichtdicke von etwa 200 μm abgeschiedenes Kupfer. Diese galvanisch abgeschiedene Kupferschicht sorgt für eine für den Betrieb des Leitungshalbleiterbauelements 2 notwendige Stromtragfähigkeit .

Claims

Patentansprüche
1. Anordnung (1) mindestens eines elektrischen Bauelements
(2) und mindestens eines auf einer Bauelementoberfläche (21) des Bauelements auflaminierten Folienverbunds (3) , der mindestens eine elektrisch isolierende Isolier- Kunststofffolie (31) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass der Folienverbund mindestens eine elektrisch leitende Leiter-Kunststofffolie (32 ) mit einem elektrisch leitfähigen Leiterwerkstoff aufweist.
2. Anordnung nach Anspruch 1, wobei die elektrisch leitende Leiter-Kunststofffolie eine Folienverbund-Oberfläche des Folienverbunds bildet.
3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Folienverbund mindestens eine weitere elektrisch isolierende Isolier-Kunststofffolie und/oder mindestens eine weitere elektrisch leitende Leiter-Kunststofffolie mit einem weiteren elektrisch leitfähigen Leiterwerkstoff aufweist.
4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Leiter-Kunststofffolie und/oder die weitere Leiter- Kunststofffolie einen aus dem Bereich von einschließlich 1-108 Ω bis einschließlich I-IO13 Ω und insbesondere einen aus dem Bereich von einschließlich I-IO10 Ω bis einschließlich 1-1013 Ω ausgewählten elektrischen Oberflächenschichtwiderstand aufweist.
5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der Leiterwerkstoff und/oder der weitere Leiterwerkstoff elementaren Kohlenstoff aufweisen.
6. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Leiter-Kunststofffolie einen Teilchenverbund mit einem Basiskunststoff und dem Leiterwerkstoff und/oder die weitere Leiter-Kunststofffolie einen weiteren Teilchenverbund mit einem weiteren Basiskunststoff und dem weiteren Leiterwerkstoff als weiteren Füllstoff aufweist .
7. Anordnung nach Anspruch 6, wobei die Isolier- Kunststofffolie und/oder die weitere Isolier- Kunststofffolie den Basiskunststoff des Teilchenverbunds der Leiter-Kunststofffolie und/oder den weiteren Basiskunststoff des weiteren Teilchenverbunds der weiteren Leiter-Kunststofffolie aufweisen.
8. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Leiter-Kunststofffolie und/oder die weitere Leiter- Kunststofffolie mindestens einen dielektrischen
Füllstoff mit einer relativen Dielektrizitätskonstante von über 10 und insbesondere von über 50 aufweist.
9. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Leiter-Kunststofffolie und/oder die weitere Leiter- Kunststofffolie eine Folienstärke aufweisen, die aus dem Bereich von einschließlich 1 μm bis einschließlich 50 μm und insbesondere aus dem Bereich von einschließlich 5 μm bis einschließlich 20 μm ausgewählt ist.
10. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei das Bauelement auf einem Substrat angeordnet ist und der Folienverbund derart auf der Bauelementoberfläche des Bauelements und auf einer Substratoberfläche des Substrats auflaminiert ist, dass eine Oberflächenkontur, die von der Bauelementoberfläche des Bauelements und von der Substratoberfläche des Substrats gebildet ist, in einer Oberflächenkontur des Folienverbunds abgebildet ist, die der Bauelementoberfläche und der Substratoberfläche abgekehrt ist.
11. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei das Bauelement eine elektrische Kontaktfläche aufweist, die über eine elektrische Durchkontaktierung durch den Folienverbund hindurch kontaktiert ist.
12. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei das Bauelement ein Halbleiterbauelement ist.
13. Anordnung nach Anspruch 12, wobei das Halbleiterbauelement ein aus der Gruppe IGBT, Diode, MOSFET, Tyristor und Bipolartransistor ausgewähltes Leistungshalbleiterbauelement ist.
14. Verfahren zum Herstellen der Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 13 mit folgenden Verfahrensschritten: a) Bereitstellen des elektrischen Bauelements mit der Bauelementoberfläche und b) Erzeugen des auflaminierten Folienverbunds auf der Bauelementoberfläche .
15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei zum Erzeugen des auflaminierten Folienverbunds folgende weiteren
Verfahrensschritte durchgeführt werden: c) Bereitstellen eines vorgefertigten Folienverbunds und d) Auflaminieren des vorgefertigten Folienverbunds auf die Bauelementoberfläche des Bauelements .
16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, wobei zum Erzeugen des auflaminierten Folienverbunds einzelne Kunststofffolien des Folienverbunds auflaminiert werden
PCT/EP2006/064061 2005-07-26 2006-07-10 Anordnung eines elektrischen bauelements und eines auf dem bauelement auflaminierten folienverbunds und verfahren zur herstellung der anordnung WO2007012558A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP06764127A EP1908106A1 (de) 2005-07-26 2006-07-10 Anordnung eines elektrischen bauelements und eines auf dem bauelement auflaminierten folienverbunds und verfahren zur herstellung der anordnung
US11/989,528 US7932585B2 (en) 2005-07-26 2006-07-10 Electrical component and film composite laminated on the component and method for production

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005034873.4 2005-07-26
DE102005034873A DE102005034873B4 (de) 2005-07-26 2005-07-26 Anordnung eines elektrischen Bauelements und eines auf dem Bauelement auflaminierten Folienverbunds und Verfahren zur Herstellung der Anordnung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007012558A1 true WO2007012558A1 (de) 2007-02-01

Family

ID=37057023

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2006/064061 WO2007012558A1 (de) 2005-07-26 2006-07-10 Anordnung eines elektrischen bauelements und eines auf dem bauelement auflaminierten folienverbunds und verfahren zur herstellung der anordnung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7932585B2 (de)
EP (1) EP1908106A1 (de)
DE (1) DE102005034873B4 (de)
WO (1) WO2007012558A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2302676A1 (de) * 2009-09-29 2011-03-30 ABB Technology AG Hochleistungshalbleiterbauelement
WO2015018721A1 (de) * 2013-08-07 2015-02-12 Siemens Aktiengesellschaft Leistungselektronische schaltung mit planarer elektrischer kontaktierung

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006056361B4 (de) 2006-11-29 2012-08-16 Infineon Technologies Ag Modul mit polymerhaltigem elektrischen Verbindungselement und Verfahren
US8841782B2 (en) * 2008-08-14 2014-09-23 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with mold gate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4872825A (en) * 1984-05-23 1989-10-10 Ross Milton I Method and apparatus for making encapsulated electronic circuit devices
US5041319A (en) * 1989-06-20 1991-08-20 Conductive Containers, Inc. Static protective laminated material
US5414299A (en) * 1993-09-24 1995-05-09 Vlsi Technology, Inc. Semi-conductor device interconnect package assembly for improved package performance
WO2005027222A2 (de) * 2003-09-12 2005-03-24 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung eines elektrischen bauelements mit einer elektrischen isolationsfolie auf einem substrat und verfahren zum herstellen der anordnung

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS508999Y1 (de) * 1970-06-18 1975-03-18
US5406124A (en) * 1992-12-04 1995-04-11 Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. Insulating adhesive tape, and lead frame and semiconductor device employing the tape
US6211554B1 (en) * 1998-12-08 2001-04-03 Littelfuse, Inc. Protection of an integrated circuit with voltage variable materials
JP3420748B2 (ja) * 2000-12-14 2003-06-30 松下電器産業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6965071B2 (en) * 2001-05-10 2005-11-15 Parker-Hannifin Corporation Thermal-sprayed metallic conformal coatings used as heat spreaders
DE10335155B4 (de) 2003-07-31 2006-11-30 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen einer Anordnung eines elektrischen Bauelements auf einem Substrat
CN100555705C (zh) * 2004-05-17 2009-10-28 汤姆森特许公司 具有提高的光提取效率的有机发光二极管和对应的显示装置
JP4888861B2 (ja) * 2005-11-17 2012-02-29 光照 木村 電流検出型熱電対等の校正方法および電流検出型熱電対
EP2728750A1 (de) * 2007-07-30 2014-05-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastische Wellenvorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
US7952848B2 (en) * 2008-04-04 2011-05-31 Littelfuse, Inc. Incorporating electrostatic protection into miniature connectors

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4872825A (en) * 1984-05-23 1989-10-10 Ross Milton I Method and apparatus for making encapsulated electronic circuit devices
US5041319A (en) * 1989-06-20 1991-08-20 Conductive Containers, Inc. Static protective laminated material
US5414299A (en) * 1993-09-24 1995-05-09 Vlsi Technology, Inc. Semi-conductor device interconnect package assembly for improved package performance
WO2005027222A2 (de) * 2003-09-12 2005-03-24 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung eines elektrischen bauelements mit einer elektrischen isolationsfolie auf einem substrat und verfahren zum herstellen der anordnung

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2302676A1 (de) * 2009-09-29 2011-03-30 ABB Technology AG Hochleistungshalbleiterbauelement
WO2015018721A1 (de) * 2013-08-07 2015-02-12 Siemens Aktiengesellschaft Leistungselektronische schaltung mit planarer elektrischer kontaktierung

Also Published As

Publication number Publication date
US20100044889A1 (en) 2010-02-25
EP1908106A1 (de) 2008-04-09
DE102005034873A1 (de) 2007-02-08
US7932585B2 (en) 2011-04-26
DE102005034873B4 (de) 2013-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10335153B4 (de) Schaltungsanordnung auf einem Substrat, die einen Bestandteil eines Sensors aufweist, und Verfahren zum Herstellen der Schaltungsanordnung auf dem Substrat
DE102012202765B3 (de) Halbleitermodul
DE102016106137B4 (de) Elektronikvorrichtungsgehäuse umfassend eine dielektrische Schicht und ein Kapselungsmaterial
DE102014110873B4 (de) Halbleiterchip mit einem halbleiterbauelement und mit einem passiven bauelement auf einer chiprückseite und verfahren zu seiner herstellung
DE102005034873B4 (de) Anordnung eines elektrischen Bauelements und eines auf dem Bauelement auflaminierten Folienverbunds und Verfahren zur Herstellung der Anordnung
DE102016226231A1 (de) Isolierte sammelschiene, verfahren zum herstellen einer isolierten sammelschiene und elektronisches gerät
DE10342295B4 (de) Anordnung eines elektrischen Bauelements mit einer elektrischen Isolationsfolie auf einem Substrat und Verfahren zum Herstellen der Anordnung
DE10335155B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Anordnung eines elektrischen Bauelements auf einem Substrat
EP3417539B1 (de) Stromrichter
DE102021106991B3 (de) Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls und leistungselektronische Anordnung hiermit
DE112021005798T5 (de) Schichtkondensator und halbleiterbauelement
DE102011089740B4 (de) Leistungsmodul
WO2006058860A2 (de) Wärmeaustauschvorrichtung für ein halbleiterbauelement und verfahren zu ihrer herstellung
DE102008026347A1 (de) Leistungselektronische Anordnung mit einem Substrat und einem Grundkörper
DE102019115573A1 (de) Leistungselektronische Schalteinrichtung und Verfahren zur Herstellung
WO2005078793A1 (de) Verfahren zur herstellung eines leistungsmoduls und leistungsmodul
DE102020127606B4 (de) Leistungselektronische Schalteinrichtung mit einer Wärmeleiteinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102017120356A1 (de) Stromrichtereinrichtung
DE102012213555A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Substrats für ein Leistungshalbleiterbauelement und Substrat
WO2006067013A1 (de) Halbleitermodul mit geringer thermischer belastung
DE102020121033A1 (de) Leistungselektronische Schalteinrichtung, Leistungshalbleitermodul damit und Verfahren zur Herstellung
DE102021125216A1 (de) Leistungshalbleitermodul mit einer Gleichspannungsanschlusseinrichtung
DE102019129675A1 (de) Leistungshalbleitermodul und Verfahren zum Herstellen eines Leistungshalbleitermoduls
DE102022111579A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer leistungselektronischen Schalteinrichtung und leistungselektronische Schalteinrichtung
DE102022202254A1 (de) Modulares Halbbrückenmodul

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
DPE1 Request for preliminary examination filed after expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006764127

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2006764127

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11989528

Country of ref document: US