WO2007004609A1 - 球状物の形成方法、細線の接合方法及びレーザ処理装置 - Google Patents
球状物の形成方法、細線の接合方法及びレーザ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2007004609A1 WO2007004609A1 PCT/JP2006/313228 JP2006313228W WO2007004609A1 WO 2007004609 A1 WO2007004609 A1 WO 2007004609A1 JP 2006313228 W JP2006313228 W JP 2006313228W WO 2007004609 A1 WO2007004609 A1 WO 2007004609A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- spherical object
- wire
- spherical
- distance
- laser beam
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
- B23K26/354—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by melting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/43—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/43—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4845—Details of ball bonds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
- H01L2224/85048—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled pre-heating or pre-cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/8521—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation
- H01L2224/85214—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation using a laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/20—Parameters
- H01L2924/207—Diameter ranges
- H01L2924/20755—Diameter ranges larger or equal to 50 microns less than 60 microns
Definitions
- the present invention relates to a spherical object forming method, a thin wire joining method, and a laser processing apparatus, and more particularly, to a spherical object forming method capable of accurately controlling a spherical diameter when processing one end of a fine wire into a spherical shape.
- the present invention relates to a thin wire joining method and a laser processing apparatus.
- Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 6-310032 (Claim 1)
- the present invention has been made in consideration of the above-described circumstances, and an object of the present invention is to provide a spherical object forming method and a fine wire capable of accurately controlling the spherical diameter when one end of the fine wire is processed into a spherical shape. It is an object to provide a bonding method and a laser processing apparatus.
- the method for forming a spherical object according to the present invention irradiates the laser beam so that the irradiation center of the laser beam hits the thin line separated by a distance s from the tip of the thin line.
- the distance s is determined by the following equation (a).
- A, B, and k are coefficients
- D is the sphere diameter
- d is the wire diameter
- a laser beam irradiation position (a position separated by a distance s from the tip of a thin wire) can be derived from the above formula (a), and this irradiation position is irradiated with a laser beam.
- the spherical diameter of the spherical object formed at the tip of the thin wire can be accurately controlled to a desired value.
- the said fine wire is not restricted to a metal fine wire, A twisted wire may be sufficient.
- a melt length L is obtained from the following formula (b)
- a laser pulse width lower limit is obtained from the melt length L and the following formula (c)
- the laser beam It is also possible to set the irradiation time for irradiation to the laser pulse width lower limit value or more.
- the spherical object is formed at the tips of a plurality of thin wires, and the spherical diameter of the already formed spherical object is measured. Then, when determining the distance s to form a spherical object, it is also possible to feed back the measured spherical diameter and reflect it in the determination of the distance s.
- the method of reflecting the determination in the distance s includes the measured spherical diameter and the spherical diameter used in determining the distance s. It is also possible to calculate the difference between and to reflect this difference in the coefficients A, B, and k in the equation (a).
- the thin wire is irradiated with the laser beam so that the irradiation center of the laser beam hits the thin wire separated by a distance s from the tip of the thin wire. Melting, forming a sphere at the tip of the fine wire,
- the spherical object By preliminarily obtaining the melt length L from the distance s and the following formula (d), it is predicted that the spherical object will be formed at a position on the fine line that is separated from the tip of the fine line by the distance L, and the fine line is formed. Before the spherical object formed at the tip of the line solidifies, the predicted position and the object to be joined are overlapped to join the spherical object to the object to be joined.
- the thin wire is irradiated with the laser beam so that the irradiation center of the laser beam hits the thin wire separated from the tip of the thin wire by a distance s. Melting, forming a sphere at the tip of the fine wire,
- the spherical object By preliminarily obtaining the melt length L from the distance s and the following formula (d), it is predicted that the spherical object will be formed at a position on the fine line that is separated from the tip of the fine line by the distance L, and the fine line is formed. Before the spherical object formed at the tip of the wire solidifies, the spherical object is moved from the predicted position to a position in contact with the object to be welded, and the spherical object is joined to the object to be welded. To do.
- the distance s from the tip of the thin wire which is the position where the laser beam is irradiated, and the melt length L from the following formula (d) are obtained in advance, whereby the tip force distance of the thin wire Calculate that a spherical object is formed at a position on the fine line separated by L,
- the fine wire By irradiating the laser beam so that the irradiation center of the laser beam hits the thin wire separated by the tip force distance s of the fine wire, the fine wire is heated and melted, and a spherical object is formed at the tip of the fine wire. However, the spherical object is moved to a position where it comes into contact with the object to be joined in addition to the calculated position.
- the spherical object Before the spherical object is solidified, the spherical object is brought into contact with the object to be bonded and bonded.
- the spherical object when the spherical object is formed on the fine wire when the laser beam is irradiated onto the fine wire, the spherical object becomes the joining object.
- the object to be joined is arranged so as to come into contact with the laser beam passing through the irradiation center. It is also possible to incline the optical axis so that the optical axis passes through the object to be joined. In this case, it is preferable to irradiate the laser beam on the fine line so that the optical axis passes through the contact point between the perpendicular line dropped from the center of the spherical object to the surface of the object to be welded and the object to be welded. .
- the thin wire is irradiated with the laser beam so that the irradiation center of the laser beam hits the thin wire separated by a distance s from the tip of the thin wire. Melting, forming a sphere at the tip of the fine wire,
- the spherical object is bonded to the object to be bonded by irradiating the spherical object with a laser beam.
- a laser processing apparatus is a laser processing apparatus that forms a spherical object at the tip of a thin wire using laser light
- the distance s is determined by the following equation (a).
- A, B, and k are coefficients
- D is the sphere diameter
- d is the wire diameter
- the melt length L is obtained from the following formula (b)
- the laser pulse width lower limit value is obtained from the melt length L and the following formula (c)
- the laser light is It is also possible to set the irradiation time for irradiation to the laser pulse width lower limit value or more.
- the laser processing apparatus further includes a measuring mechanism for measuring the spherical diameter of the spherical object formed at the tip of the thin wire, and the spherical object already formed by this measuring mechanism.
- a measuring mechanism for measuring the diameter and then determining the distance s to form a spherical object, it is also possible to feed back the measured spherical diameter and reflect it in the determination of the distance s.
- the method of reflecting the determination in the distance s is to calculate a difference between the measured spherical diameter and the spherical diameter used in determining the distance s. It is also possible to use a method in which this difference is reflected in the coefficients A, B, and k in the equation (a).
- the laser processing apparatus includes a laser beam irradiation mechanism for irradiating a laser beam, and the fine line is placed so that the irradiation center of the laser beam hits the thin line separated by a tip force distance s of the fine line.
- a second holding mechanism for holding an object to be joined
- a calculation unit that predicts that the spherical object is formed at a position on the fine line that is separated from the tip of the fine line by the distance L by calculating the melt length L in advance from the distance s and the following formula (d): Equipped,
- a spherical object is formed at the tip of the thin wire, and before the spherical object is solidified, the position predicted by the calculation unit and the object to be bonded are superimposed on the object to be bonded. It is characterized by joining.
- a laser processing apparatus is a laser processing apparatus for forming a spherical object at the tip of a thin wire using a laser beam and bonding the spherical object to a bonding target object,
- a first holding mechanism that holds the thin line so that the irradiation center of the laser beam hits the thin line separated by a tip force distance s of the thin line;
- a second holding mechanism for holding an object to be joined
- a calculation unit that predicts that the spherical object is formed at a position on the fine line that is separated from the tip of the fine line by a distance L by calculating the melt length L from the distance s and the following formula (d):
- a spherical object is formed at the tip of the thin wire, and the spherical object moves to a position where it comes into contact with the position force joining object predicted by the calculation unit before the spherical object solidifies.
- a laser processing apparatus is a laser processing apparatus for forming a spherical object at the tip of a thin wire using a laser beam and bonding the spherical object to a bonding target,
- a first holding mechanism that holds the thin line so that the irradiation center of the laser beam hits the thin line separated by a tip force distance s of the thin line;
- a second holding mechanism for holding an object to be joined
- a calculation unit that predicts that the spherical object is formed at a position on the fine line that is separated from the tip of the fine line by the distance L by calculating the melt length L from the distance s and the following formula (d); While forming the spherical object at the tip of the thin wire, the spherical object is moved from the position predicted by the calculation unit to the position where the object is in contact with the object to be joined, and before the spherical object solidifies, A first moving mechanism that moves the first holding mechanism so that the spherical objects are brought into contact with each other; and
- the second holding mechanism may be configured such that when the spherical object is formed on the thin wire, the spherical object is in contact with the object to be joined.
- the first holding mechanism can also hold the thin line so that the optical axis of the laser light passing through the irradiation center passes through the object to be joined.
- the first holding mechanism extends from the center of the spherical object to the surface of the object to be joined. It is preferable to hold the thin line so that the optical axis passes through the contact point between the lowered perpendicular line and the object to be joined.
- a laser processing apparatus includes a laser beam irradiation mechanism for irradiating a laser beam, and the fine wire is placed so that the irradiation center of the laser beam hits the fine wire separated by a tip force distance s of the fine wire.
- a second holding mechanism for holding an object to be joined
- a calculation unit that predicts that the spherical object is formed at a position on the fine line that is separated from the tip of the fine line by the distance L by calculating the melt length L in advance from the distance s and the following formula (d): Equipped,
- a spherical object is formed at the tip of the thin wire using the laser light, and the first holding mechanism or the second holding mechanism is moved using the moving mechanism.
- the spherical object is brought into contact with the object to be bonded, and the spherical object is bonded to the object to be bonded by irradiating the spherical object with laser light using the laser beam irradiation mechanism.
- a method for forming a spherical object a method for joining thin wires, and a laser processing apparatus capable of accurately controlling the sphere diameter when processing one end of a fine wire into a spherical shape. Can do.
- FIG. 1 (A) and (B) are schematic diagrams illustrating a method for forming a spherical object according to Embodiment 1.
- FIG. 1 (A) and (B) are schematic diagrams illustrating a method for forming a spherical object according to Embodiment 1.
- FIG. 2 is a configuration diagram schematically showing a laser processing apparatus according to Embodiment 1.
- FIG. 3 is a graph showing a relationship between a laser beam irradiation position and a melt length L.
- FIG. 4 (A) to (C) are diagrams schematically showing how a spherical object is formed at the end of a thin wire using the laser processing apparatus of FIG.
- FIG. 5 is a graph showing the relationship between the melt length L and the spherical diameter D of a spherical object.
- FIG. 6 Graph showing the relationship between pulse width and melt length, that is, the dependence of melt length on pulse width.
- (A) to (C) explain the method for forming a spherical object according to the second embodiment. It is a schematic diagram to
- FIG. 8 (A) is a graph showing the relationship between the tilt angle of the fine line, the melt length, and the spherical diameter, and (B) is a diagram showing the state where the fine line is tilted and the melt length in that case.
- a holding mechanism according to Embodiment 3 is shown, (A) is a front view, (B) is a side view, and (C) is a top view.
- FIG. 10 A configuration diagram schematically showing a laser processing apparatus according to the fourth embodiment.
- FIG. 11 is a diagram showing a feedback control flow performed by the feedback control system.
- FIG. 13 is a configuration diagram showing a holding mechanism and the like of a laser processing apparatus according to a first modification of Embodiment 5.
- FIG. 14 is a configuration diagram showing a holding mechanism and the like of a laser processing apparatus according to a second modification of the fifth embodiment.
- FIG. 15 is a configuration diagram showing a holding mechanism and the like of a laser processing apparatus according to a third modification of the fifth embodiment.
- FIG. 16 is a configuration diagram showing a holding mechanism and the like of a laser processing apparatus according to a fourth modification of the fifth embodiment.
- (A) and (B) are configuration diagrams showing a holding mechanism and the like of a laser processing apparatus according to a fifth modification of the fifth embodiment.
- FIG. 18 is a configuration diagram showing a holding mechanism and the like of a laser processing apparatus according to a sixth modification of the fifth embodiment.
- FIGS. 19A to 19C are configuration diagrams showing a holding mechanism and the like of the laser processing apparatus according to the sixth embodiment.
- FIG. 1 is a schematic diagram for explaining a method of forming a spherical object at the tip of a thin wire according to Embodiment 1 of the present invention.
- FIG. 1 (A) shows a metal thin wire before laser light irradiation
- FIG. ) Shows a thin metal wire after laser light irradiation.
- FIG. 2 is a configuration diagram schematically showing a laser processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
- the laser processing apparatus has a YAG laser 1 having a fiber la with a diameter of 400 ⁇ m, and the laser beam emitted by the tip force of the fiber la is an optical system 2. It is focused through the metal wire 3 and irradiated.
- the optical system 2 includes optical elements such as lenses 2a and 2b. Note that f in FIG. 2 indicates the focal length.
- the fine metal wire 3 is held by a holding mechanism (not shown).
- FIG. 1 (A) a laser beam is irradiated to a position separated by an end force distance s of the fine metal wire 3.
- the metal thin wire 3 is irradiated with a laser beam so that the irradiation center of the laser beam hits a position separated by a distance s.
- FIG. 1 (B) the end of the fine metal wire 3 is heated and melted by the laser beam, and the melted material is solidified into a spherical shape by the surface tension.
- a spherical object 3a having a sphere diameter D is formed at the end of the thin metal wire 3 having a diameter d.
- the length (melting length) of the melted end of the fine metal wire 3 when irradiated with laser light is L.
- the spherical object 3a includes a thing close to a sphere consisting of only a true sphere.
- the spherical diameter D of the spherical object 3a can be controlled with high accuracy. This will be described in detail below.
- the relationship between the distance s from the end of the thin metal wire to the laser beam irradiation center and the sphere diameter D can be obtained from the following formulas (1) and (2). It can be controlled to the size of.
- a and B are constants that are uniquely determined by factors such as the material of the fine wire, mesh, laser type, laser irradiation density (WZcm 2 ), laser irradiation diameter, and the like.
- the laser irradiation density is 1.8 MWZcm 2 with a YAG laser, and the laser irradiation diameter is 200 m, A is 1.07 [ ⁇ ⁇ / ⁇ ⁇ ], ⁇ 23 0 [/ ⁇ ⁇ ].
- k is a constant depending on the material of the fine metal wire, the plating, and the atmosphere.
- Figure 3 shows the relationship between the laser beam irradiation position (distance of fine wire end force s) and the melt length (distance between the end of the fine metal wire before laser beam irradiation and the spherical center of the spherical object after laser beam irradiation) L. It is a graph showing the relationship. In creating this graph, the laser processing device shown in Fig. 2 was used to form spherical objects by variously changing the laser beam irradiation position and laser spot diameter on various metal wires. An experiment was conducted. Figure 3 shows the results of this experiment.
- a laser beam with a spot diameter of 200 m was applied to a copper wire with a diameter of 100 m.
- a laser beam with a spot diameter of 200 m was applied to a copper wire with a diameter of 125 m.
- a laser beam with a spot diameter of 140 m was applied to a copper wire with a diameter of 100 m.
- the laser beam irradiation position and the melt length have a substantially linear relationship and can be approximated by a linear expression (see FIG. 3).
- the range that can be approximated by the linear equation differs depending on the wire diameter, but for example, a copper wire having a diameter of 50 ⁇ m can be approximated by s ⁇ 800.
- FIG. 4 (A) to 4 (C) are diagrams schematically showing how a spherical object is formed at the end of a thin metal wire using the laser processing apparatus shown in FIG.
- FIG. 4 (A) when the metal thin wire 3 is irradiated with laser light, the portion irradiated with the laser light and its vicinity are heated and melted.
- FIG. 4 (B) the heated and melted portion changes into a spherical object due to surface tension, and as shown in FIG. 4 (C), the tip of the thin metal wire 3 is positioned at the irradiation position of the laser beam.
- the force is released, force solidification starts, and finally a spherical object 3a is formed at the tip of the fine metal wire 3.
- the melt length L is almost equal to the irradiation position of the laser beam.
- the range to be heated and melted is widened, so an offset (coefficient B) is generated.
- the heating time changes according to the distance s, and the left side of the irradiation position (the opposite side to the tip of the thin metal wire)
- the coefficient A becomes larger than 1 because the melted part increases.
- s is large, it takes a long time to be heated, so more heat is transmitted to the left side, and linear approximation cannot be performed.
- the relational expression (1) between the laser beam irradiation position and the melt length is reasonable.
- a laser beam with a spot diameter of 200 m was applied to a copper wire with a diameter of 100 m.
- a laser beam with a spot diameter of 200 m was applied to a copper wire with a diameter of 125 m.
- a line can be drawn with each wire diameter, and the above relational expression (2) can be derived from this line.
- k l.2 for copper wires with wire diameters of 125 m, 100 m, and 50 m
- k l.15 for enameled wires with a wire diameter of 70 m.
- the coefficient k is a factor for absorbing the volume increase due to metal oxides. For example, if a 200 ⁇ m copper sphere is oxidized by a surface force of 40 ⁇ m deep, the calculation will increase the sphere diameter by 15%, which can be absorbed by the coefficient k.
- A, B, and k are constants, and when the wire diameter d and sphere diameter D of the thin metal wire to be processed are determined, the laser beam irradiation position (distance s from the end of the thin metal wire) is obtained from the above equation (3). (Distant position) can be derived. By irradiating this irradiation position with laser light, the spherical diameter of the spherical object formed at the tip of the fine metal wire can be controlled to a desired value. [0048] (Embodiment 2)
- FIG. 7 is a schematic diagram for explaining a method of forming a spherical object at the tip of a thin wire according to Embodiment 2 of the present invention
- FIG. 7 (A) shows a thin metal wire before laser light irradiation.
- (B) shows a metal thin line after laser light irradiation and shows a stable process
- FIG. 7 (C) shows a metal thin line after laser light irradiation and shows an unstable process.
- FIG. 6 is a graph showing the relationship between the laser pulse width and the melt length, that is, the dependence of the melt length on the pulse width.
- the process until the thin wire 3 is melted by laser light irradiation and becomes a spherical object 3a by surface tension depends on the laser light irradiation position, laser output density, laser light irradiation diameter, material of the thin wire 3, the wire diameter, etc. However, it is a phenomenon of several ms. For this reason, when the laser beam is irradiated for a long time, the thin wire 3 is melted and spherically contracted. As a result, the laser beam does not strike the thin wire 3 even during laser beam irradiation.
- the time from the start of laser light irradiation until the thin wire 3 is surely contracted and the laser light is no longer applied to the thin wire 3 is referred to herein as the pulse width lower limit value.
- the energy of laser irradiation is equal to the laser output (W) multiplied by the laser pulse width (ms).
- This pulse width lower limit value can be obtained from the following quadratic approximate expression (4).
- X is the desired melt length [/ z m].
- P, Q, and R are constants determined by the type of laser, laser irradiation density, laser beam irradiation diameter, thin wire material, presence / absence of fine wire plating, plating material, wire diameter, and the like.
- the laser irradiation density is 1.8 MWZcm 2 with a YAG laser
- the laser irradiation diameter is 200 m
- P is 1.6 X 10 _6
- Q is 1. 6 10 _4 , 1 ⁇ becomes 1.4 .
- the pulse width necessary to obtain a stable melt length varies depending on the melt length, and the boundary between the stable portion and the unstable portion can be approximated by a quadratic function. Therefore, as shown in Figure 6.
- the quadratic function curve force can also be derived from the above equation (4).
- the melting length depends on the laser light irradiation time and energy per unit time absorbed in the thin line.
- the laser absorptance of the fine wire varies, so the energy per unit time absorbed by the fine wire varies, and the melting length of the fine wire varies.
- the melting length is determined by how much laser energy can be absorbed by the thin wire, and the melting length changes as the absorption state changes. It will be broken. Therefore, when the laser beam is irradiated below the lower limit of the pulse width, the melt length becomes unstable and a stable process cannot be realized.
- a melt length necessary to obtain a desired sphere diameter is obtained.
- the laser irradiation time for stably obtaining the melt length is obtained from the relational expression (4) between the melt length X and the pulse width lower limit value described above. Then, by setting the laser irradiation time to the pulse width lower limit value or more, a spherical object having a desired spherical diameter can be stably formed at the tip of the thin wire.
- k is a constant depending on the material of the fine metal wire, the plating, and the atmosphere.
- the second embodiment it is possible to stably form a sphere having a desired sphere diameter by setting the laser irradiation time to be equal to or greater than the pulse width lower limit value. As a result, the desired sphere diameter can be obtained. On the other hand, variation in the diameter of the sphere actually formed can be suppressed.
- the thin wire is difficult to handle during laser irradiation because of its low waist, but if the fine wire is tilted, the melt length changes and the sphere diameter changes.
- the force line holding the fine line by a holding mechanism (not shown) has no stiffness. Therefore, it is difficult to hold the fine line perpendicular to the optical axis of the laser beam. Therefore, in the present embodiment, the thin line is fixed so as to be perpendicular to the optical axis of the laser beam in order to suppress the inclination of the thin line as much as possible and to suppress the variation in the sphere diameter due to the inclination of the thin line.
- FIG. 8 (A) is a graph showing the relationship between the inclination angle of the fine line, the melt length and the sphere diameter
- FIG. 8 (B) is a diagram showing the state where the fine line is inclined and the melt length in that case. It is.
- FIG. 9 (A) is a view of the holding mechanism according to Embodiment 3 of the present invention (the holding mechanism in the laser processing apparatus shown in FIG. 2) also viewed from the front
- FIG. FIG. 9A is a view of the holding mechanism shown in FIG. 9A from the side
- FIG. 9C is a view of the holding mechanism shown in FIG.
- the holding mechanism has a pedestal portion 4, and a recess 4 a for fixing the thin wire 3 is provided on the upper surface of the pedestal portion 4. Further, the holding mechanism has a pressing portion 5 that presses the thin wire 3 against the recess 4a.
- the holding mechanism presses the vicinity of the tip of the thin wire 3 against the recess 4a of the pedestal portion 4 while holding the thin wire 3 by the pressing portion 5, so that the laser beam irradiation position of the thin wire 3 is relative to the optical axis of the laser beam.
- the thin line is held so as to be substantially vertical. As a result, it is possible to suppress the inclination of the thin line as much as possible, and to suppress the variation in the sphere diameter due to the inclination of the thin line.
- FIG. 10 is a configuration diagram schematically showing a laser processing apparatus according to Embodiment 4 of the present invention.
- FIG. 11 is a diagram showing a feedback control flow performed by the feedback control system of the laser processing apparatus shown in FIG.
- the laser processing apparatus has a YAG laser 1 having a fiber la having a diameter of 400 ⁇ m, and the laser beam emitted by the tip force of the fiber la passes through the optical system 6. It is condensed and irradiated to the metal thin wire 3.
- the optical system 6 includes optical elements such as lenses 2 a, 2 b, 8 and a noise mirror 7.
- the laser processing device is a CCD camera.
- the CCD camera 9 images the laser light irradiation position of the metal thin wire 3 and its vicinity through the optical system 6. Note that f in FIG. 2 indicates the focal length.
- the thin metal wire 3 is held by a holding mechanism (not shown) (for example, the holding mechanism of Embodiment 3).
- a spherical object is formed at the tip of the first fine metal wire by the same method as in the first embodiment. That is, the laser beam irradiation position (distance s) is calculated by the same method as in Embodiment 1 (Sl in FIG. 11). Next, the thin metal wire (n-1 first) shown in FIG. 10 is moved to the calculated irradiation position (S2 in FIG. 11). Next, a laser beam is irradiated to form a spherical object at the tip of the n-1st fine metal wire (S3 in FIG. 11).
- a spherical object is formed at the tip of the nth metal fine wire.
- a spherical object is formed by the same method as in the first embodiment while performing feedback control.
- the n-th metal wire laser is fed back by feeding back the results up to the n-1st, that is, the sphere diameter of the actually formed sphere. It is reflected in the calculation of the light irradiation position.
- the spherical diameter of the spherical object is measured by the CCD camera 9 (S4 in FIG. 11).
- a spherical object is imaged using a CCD camera, and the sphere diameter is directly measured from the imaged data, or the melt length is directly measured from the image data, and the melt length and the embodiment are measured.
- a method of indirectly measuring the sphere diameter from the relational expression (2) between the melt length and the sphere diameter in 1 can be used.
- the difference between the sphere diameter actually formed on the n-1 first metal wire and the sphere diameter used to determine the laser light irradiation position of the n-1 metal wire calculate.
- This difference is due to the fact that the coefficients A, B, k in the relational expression (3) of Embodiment 1 used when determining the laser beam irradiation position (distance s) did not match the actual laser irradiation conditions. This is thought to be caused by Therefore, the coefficients A, B, k are corrected to a more appropriate value from the difference.
- the laser beam of the nth metal fine wire using the modified A, B, k and the relational expression (3) above Calculate the irradiation position (distance s) (Sl in Fig. 11).
- the fine metal wire (n-th wire) shown in FIG. 10 is moved to the determined irradiation position (S2 in FIG. 11).
- laser light is irradiated to form a spherical object at the tip of the nth metal fine wire.
- the fourth embodiment since the spherical object is formed by the same method as in the first embodiment while performing feedback control, the variation in the spherical diameter of the spherical object can be further suppressed.
- the present embodiment relates to a wire bonding method and apparatus for bonding a thin wire on a bonding object such as an electronic circuit board pattern.
- FIG. 12 is a configuration diagram schematically showing a holding mechanism of the laser processing apparatus shown in FIG. 2 and its vicinity, which is a part of the laser processing apparatus according to the fifth embodiment of the present invention.
- the laser processing apparatus further includes a translation mechanism that translates the holding mechanism in addition to the holding mechanism that holds the thin wire 3.
- the laser processing apparatus also has a holding mechanism for holding the electronic circuit board 10.
- the laser processing apparatus further includes a calculation unit that performs calculations and the like described later.
- a laser beam irradiation position (distance s) is determined by the same method as in the first embodiment, and the irradiation position is irradiated with a laser beam to form a spherical object 3 a at the tip of the thin wire 3. Then, a position where the spherical object 3a is formed is predicted in advance, and the spherical object 3a at the predicted position is brought into contact with the electrode pad 11 of the electronic circuit board 10 before the spherical object 3a is completely solidified. It is moved to the position by the translation mechanism. After that, the spherical object 3a solidifies and the electrode pad 11 Be joined.
- a method of predicting the position where the spherical object 3a is formed is as follows.
- the calculation unit calculates the melt length L from the relational expression (1) between the distance s and the melt length L. From this calculation result, the center position of the spherical object 3a formed on the thin line (see FIG. 1B) can be predicted.
- a and B are constants that are uniquely determined by factors such as the material of the fine wire, mesh, laser type, laser irradiation density (WZcm 2 ), laser irradiation diameter, and the like.
- the fine wire 3 is irradiated with laser light at a position away from the electrode pad 11 of the electronic circuit board 10 to melt the fine wire 3, and the spherical object 3a is formed at the tip of the fine wire 3. After that, the thin spherical object 3 a is joined to the electrode pad 11. For this reason, it is possible to prevent the electronic circuit board from being damaged by the thermal influence of the laser light on the electronic circuit board 10.
- the position (place) where the spherical object 3a is formed can be predicted from the relational expression (1), the amount of movement for moving the spherical object 3a onto the electrode pad 11 can be accurately set. Can be calculated. Therefore, the fine wire 3 can be accurately bonded to a fine pattern region such as the electrode pad 11 of the electronic circuit board.
- a method of determining the amount of movement of the thin line by predicting the position where the spherical object 3a is formed is employed, and thus the mechanism of the laser processing apparatus can be simplified. In other words, if the method of predicting the amount of movement of the thin line is not adopted, after the spherical object is formed
- the position of the spherical object is detected, the amount of movement is calculated from the detected position information, the position is aligned with the electrode node 11 and the spherical object is brought into contact with the electrode pad 11, and the method is adopted. become.
- the mechanism of the laser processing apparatus becomes complicated.
- measurement for alignment can be omitted, and a relatively simple mechanism can be used. Because it can be quickly moved onto the object to be joined
- FIG. 13 is a part of the laser processing apparatus according to the first modification of the fifth embodiment, and is a configuration diagram schematically showing the holding mechanism of the laser processing apparatus shown in FIG. 2 and the vicinity thereof.
- Figure 12 The same parts are denoted by the same reference numerals, and only different parts will be described.
- the laser processing apparatus further includes a rotational movement mechanism that rotates and moves the holding mechanism in addition to the holding mechanism that holds the thin wire 3.
- the laser beam irradiation position (distance s) is determined by the same method as in the first embodiment, and the irradiation position is irradiated with the laser beam to form a spherical object 3a at the tip of the thin wire 3. Then, a position where the spherical object 3a is formed is predicted in advance, and the spherical object 3a at the predicted position is brought into contact with the electrode pad 11 of the electronic circuit board 10 before the spherical object 3a is completely solidified. It is moved to the position by the rotary movement mechanism. That is, since the melt length 12 can be calculated in advance, the movement method can be determined and moved before the laser beam irradiation. Thereafter, the spherical object 3a is joined to the electrode node 11 while solidifying.
- FIG. 14 is a part of a laser processing apparatus according to a second modification of the fifth embodiment, and is a configuration diagram schematically showing a holding mechanism of the laser processing apparatus shown in FIG. 2 and the vicinity thereof.
- the same parts as those in FIG. 12 are given the same reference numerals, and only different parts will be described.
- the spherical object 3a is brought into contact with the object to be joined before the solidification of the spherical object 3a proceeds by performing laser light irradiation while moving both the laser irradiation system and the thin wire.
- the laser processing apparatus shown in FIG. 14 further includes a moving mechanism for moving the laser irradiation system in addition to the parallel moving mechanism for moving the holding mechanism in parallel.
- a laser beam irradiation position (distance s) is determined by the same method as in the first embodiment, and the irradiation position is irradiated with laser light to form a spherical object 3 a at the tip of the thin wire 3.
- the laser irradiation system is moved by the moving mechanism, and the holding mechanism holding the thin wire 3 is It is moved while following the movement of the laser irradiation system by a parallel movement mechanism. That is, the process of forming the spherical object 3a at the tip of the fine wire is performed while moving the fine wire 3.
- the position at which the spherical object 3a is formed is predicted in advance, and the spherical object 3a at the predicted position is brought into contact with the electrode pad 11 of the electronic circuit board 10 before the spherical object 3a is completely solidified.
- the position is moved by the parallel movement mechanism. However, the irradiation of the laser beam is terminated before the spherical object 3a comes into contact with the electrode pad 11. Thereafter, the spherical object 3a is joined to the electrode pad 11 while solidifying.
- the laser irradiation is performed while moving both the laser irradiation system and the fine wire. Therefore, even if the fine wire 3 having a high solidification rate is used, the solid matter 3a is not solidified before it progresses.
- the spherical object 3a can be moved onto the electrode pad 11 and brought into contact therewith. Accordingly, the thin wire and the electrode pad can be reliably bonded.
- FIG. 15 is a part of a laser processing apparatus according to a third modification of the fifth embodiment, and is a configuration diagram schematically showing the holding mechanism of the laser processing apparatus shown in FIG. 2 and the vicinity thereof.
- the same parts as those in FIG. 12 are given the same reference numerals, and only different parts will be described.
- a laser beam irradiation position (distance s) is determined by the same method as in the first embodiment, and the irradiation position is irradiated with laser light to form a spherical object 3 a at the tip of the thin wire 3. At this time, the thin wire 3 is held at a position slightly lifted by the electrode pad 1 1. Thus, when the spherical object 3a is formed by irradiating the laser beam, the spherical object 3a is naturally joined to the electrode pad 11.
- the position where the fine wire 3 is held and the laser light irradiation position are aligned so that the spherical object 3a is naturally bonded to the electrode pad 11 when the spherical object 3a is formed by laser light irradiation.
- the fine wire 3 is irradiated with laser light at a position buoyant from the electrode pad 11 of the electronic circuit board 10 to form the spherical object 3a at the tip of the fine wire 3, and then the spherical shape.
- the spherical object 3a is joined to the electrode pad 11 by its own weight. For this reason, it is possible to prevent the electronic circuit board from being damaged by the thermal influence of the laser light on the electronic circuit board 10.
- the position (place) where the spherical object 3a is formed can be predicted as in the fifth embodiment. Therefore, even with the above-described method, the electrode pad 11 of the electronic circuit board is used. Fine It becomes possible to join the fine wire 3 to a fine pattern region with high accuracy. Further, the mechanism of the laser processing apparatus can be simplified for the same reason as in the fifth embodiment.
- FIG. 16 is a part of a laser processing apparatus according to a fourth modification of the fifth embodiment, and is a configuration diagram schematically showing the holding mechanism of the laser processing apparatus shown in FIG. 2 and the vicinity thereof.
- the same parts as those in FIG. 12 are given the same reference numerals, and only different parts will be described.
- a laser beam irradiation position (distance s) is determined by the same method as in the first embodiment, and a laser beam is irradiated to the irradiation position to form a spherical object 3 a at the tip of the thin wire 3.
- the fine wire 3 is held at a position slightly above the electrode pad 11.
- the position where the fine wire 3 is held and the laser light irradiation position are matched so that the spherical object 3a hangs down and is joined to the electrode pad 11 when the spherical object 3a is formed by irradiating the laser beam.
- FIGS. 17A and 17B are a part of the laser processing apparatus according to the fifth modification of the fifth embodiment, and schematically show the holding mechanism of the laser processing apparatus shown in FIG. 2 and its vicinity.
- the same reference numerals are given to the same parts as in FIG. 15, and only different parts will be described.
- the laser light irradiation position (distance s) is determined as shown in FIG. 17 (A) by the same method as that in Embodiment 1, and the irradiation position is irradiated with laser light, as shown in FIG. 17 (B).
- a spherical object 3 a is formed at the tip of the thin wire 3.
- the thin wire 3 is held at a position slightly lifted from the electrode pad 11, and the optical axis 13 of the laser beam is separated from the end of the thin wire 3 by a distance s.
- the optical axis 13 of the laser beam is inclined so as to pass through the electrode pad 11 that is a bonding object.
- FIG. 18 is a part of a laser processing apparatus according to a sixth modification of the fifth embodiment, and is a configuration diagram schematically showing the holding mechanism of the laser processing apparatus shown in FIG. 2 and the vicinity thereof. The same parts as those in FIG. 17 are denoted by the same reference numerals, and only different parts will be described.
- the optical axis 13 of the laser light passes through the position where the end force of the fine wire 3 is also separated by the distance s and the central force of the spherical object 3a is also The optical axis 13 of the laser beam is tilted so as to pass through the contact point between the perpendicular line 14 drawn down on the surface of the electrode pad 11 and the electrode pad 11.
- the same effect as that of Modified Example 3 can be obtained, and the force of the laser light is such that the optical axis 13 of the laser light passes through the contact point between the perpendicular 14 and the electrode pad 11. Since the shaft 13 is tilted, the effect of facilitating welding and joining to the spherical object 3a can be greater than that of the fifth modification. That is, it is most preferable to tilt the optical axis of the laser beam as in the sixth modification.
- FIGS. 19A to 19C are part of a laser processing apparatus according to Embodiment 6 of the present invention, and are schematic diagrams schematically showing the holding mechanism of the laser processing apparatus shown in FIG. 2 and its vicinity.
- the same parts as those in FIG. 12 are given the same reference numerals, and only different parts will be described.
- the spherical object 3a is moved before it completely solidifies and is brought into contact with the electrode pad 11 that is the object to be bonded, whereby the fine wire spherical object is bonded to the electrode pad 11.
- the method shown in FIG. 12 has already solidified when the spherical object 3a is brought into contact with the electrode pad 11, and the spherical object has solidified.
- the spherical object 3a is moved onto the electrode pad 11, and then the spherical object 3a is irradiated with laser light so that the spherical object 3a is melted again and joined to the electrode pad 11. .
- the laser processing apparatus shown in FIG. 19 further includes a moving mechanism for moving the laser irradiation system in addition to the parallel moving mechanism for moving the holding mechanism in parallel.
- the laser beam irradiation position (distance s) is determined by the same method as in the first embodiment, and the irradiation position is irradiated with the laser beam, and the tip of the fine wire 3 is spherical. Form object 3a. Then, a position where the spherical object 3a is formed is predicted in advance, and the spherical object 3a at the predicted position is moved by the parallel movement mechanism to a position where it contacts the electrode pad 11 of the electronic circuit board 10.
- the laser irradiation system is moved by the moving mechanism.
- the spherical object 3a is again melted by irradiating the spherical object 3a with laser light as shown in FIG. 19 (B), and the molten spherical object 3a as shown in FIG. Join to pad 11.
- the method of determining the amount of movement of the fine wire by predicting the position where the spherical object 3a is formed is adopted.
- the fine wire 3 can be accurately joined to a fine pattern region such as 11, and the mechanism of the laser processing apparatus can be simplified.
- the laser irradiation system is moved simultaneously with the movement of the thin line, and the spherical object 3a is irradiated by laser beam irradiation immediately after the spherical object 3a is moved onto the electrode pad 11. Since the material is melted again, the spherical object 3a can be reliably bonded to the electrode pad 11 even if the thin wire 3 having a material force with a high solidification rate is used.
- the parallel movement mechanism for moving the fine wire holding mechanism is provided in the sixth embodiment, the fine wire 3 is moved by the parallel movement mechanism to bring the spherical object 3a into contact with the electrode pad 11. It is also possible to provide a parallel movement mechanism for moving the holding mechanism of the electronic circuit board 10, and to move the electronic circuit board 10 by this parallel movement mechanism to bring the electrode pad 11 into contact with the spherical object 3a.
- the first parallel movement mechanism for moving the holding mechanism for the fine wire and the second parallel movement mechanism for moving the holding mechanism for the electronic circuit board 10 are provided.
- the first and second parallel movement mechanisms By moving the electronic circuit board, it is possible to carry out the same bonding method as in Embodiment 6 without moving the laser irradiation system.
- the thin metal wire is used.
- the present invention is not limited to this, and a stranded wire can also be used.
- first to fifth embodiments can be applied to contact probes, wire bonding, and the like.
- 2nd harmonic, 3rd harmonic, 4th high frequency can be used, and CO laser,
- Embodiments 1 to 5 can be implemented in combination with each other.
- Embodiment 5 can be implemented in combination with other embodiments.
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
細線の一端を球状に加工する際に球径を精度よく制御できる球状物の形成方法、細線の接合方法及びレーザ処理装置を提供する。本発明に係る球状物の形成方法は、細線3の先端から距離sだけ離れた該細線3上に、レーザ光の照射中心が当たるように該レーザ光を照射することにより、前記細線3を加熱溶融し、前記細線3の先端に球状物3aを形成する方法であって、前記距離sを下記式(a)によって決定することを特徴とする。
s=[(D/k)3+{(D/k)2-d2}3/2]/(3d2A)-B/A ・・(a)
ただし、A,B,kは係数であり、Dは球状物の球径であり、dは細線の線径である。
Description
明 細 書
球状物の形成方法、細線の接合方法及びレーザ処理装置
技術分野
[0001] 本発明は、球状物の形成方法、細線の接合方法及びレーザ処理装置に係わり、特 に、細線の一端を球状に加工する際に球径を精度よく制御できる球状物の形成方法 、細線の接合方法及びレーザ処理装置に関する。
背景技術
[0002] 従来のレーザ加工方法には、金属細線の一端をレーザ溶融することにより球状カロ ェし、この球状加工された溶融部分を陰極構体にボンディングするというものがある( 例えば特許文献 1参照)。
また、放電を用いて金属細線の一端を球状に成形する方法も知られて 、る。
[0003] 特許文献 1 :特開平 6— 310032号公報 (請求項 1)
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0004] 上記従来のレーザ加工方法では、金属細線の一端を球状に加工する際、球径を 精度よく制御することは極めて困難である。
また、上記従来の放電を用いた方法では、金属細線の一端を球状に加工する際、 放電エネルギーの総量を一定にするように放電電圧、電流、放電時間等のパラメ一 タを制御することにより球径を精度よく制御することが考えられる。しかし、前記パラメ ータを安定して制御することは困難であり、そのため放電が不安定になることがあり、 所望の球径が得られな 、ことがある。
[0005] 本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、細線の一 端を球状に加工する際に球径を精度よく制御できる球状物の形成方法、細線の接合 方法及びレーザ処理装置を提供することにある。
課題を解決するための手段
[0006] 上記課題を解決するため、本発明に係る球状物の形成方法は、細線の先端から距 離 sだけ離れた該細線上に、レーザ光の照射中心が当たるように該レーザ光を照射
することにより、前記細線を加熱溶融し、前記細線の先端に球状物を形成する方法 であって、
前記距離 sを下記式 (a)によって決定することを特徴とする。
s= [ (D/k) 3+ { (D/k) 2-d2}3/2]/ (3d2A) -B/A · · (a)
ただし、 A, B, kは係数であり、 Dは球状物の球径であり、 dは細線の線径である。
[0007] 上記球状物の形成方法によれば、上記式 (a)からレーザ光照射位置 (細線の先端 から距離 sだけ離れた位置)を導出することができ、この照射位置にレーザ光を照射 することにより、細線の先端に形成する球状物の球径を所望の値に精度よく制御する ことができる。
また、前記細線は、金属細線に限られず、撚り線であっても良い。
[0008] また、本発明に係る球状物の形成方法において、下記式 (b)から溶融長 Lを求め、 この溶融長 Lと下記式 (c)からレーザパルス幅下限値を求め、前記レーザ光を照射 する照射時間を前記レーザパルス幅下限値以上にすることも可能である。
L= [ (D/k) 3+ { (D/k) 2— d2}3/2]/3d2 · · · (b)
(レーザパルス幅下限値 [ms]) =PL2 + QL+R · · · (c)
ただし、 P, Q, Rは係数である。
[0009] また、本発明に係る球状物の形成方法にお!、て、複数の細線の先端に球状物を形 成する場合であって、既に実際に形成した球状物の球径を計測し、次に球状物を形 成するために前記距離 sを決定する際に前記計測した球径をフィードバックして距離 sの決定に反映させることも可能である。
[0010] また、本発明に係る球状物の形成方法にお!、て、前記距離 sの決定に反映させる 方法は、前記計測した球径と前記距離 sを決定する際に用いた球径との差を計算し、 この差を前記式 (a)の係数 A, B, kに反映させる方法であることも可能である。
[0011] 本発明に係る細線の接合方法は、細線の先端から距離 sだけ離れた該細線上に、 レーザ光の照射中心が当たるように該レーザ光を照射することにより、前記細線をカロ 熱溶融し、前記細線の先端に球状物を形成し、
前記距離 sと下記式 (d)から溶融長 Lを予め求めることにより前記細線の先端から距 離 Lだけ離れた該細線上の位置に前記球状物が形成されると予測しておき、前記細
線の先端に形成された球状物が凝固する前に、前記予測した位置と接合対象物を 重ね合わせて前記接合対象物に前記球状物を接合することを特徴とする。
L=As + B ' " (d)
ただし、 A, Bは、係数である。
[0012] 本発明に係る細線の接合方法は、細線の先端から距離 sだけ離れた該細線上に、 レーザ光の照射中心が当たるように該レーザ光を照射することにより、前記細線をカロ 熱溶融し、前記細線の先端に球状物を形成し、
前記距離 sと下記式 (d)から溶融長 Lを予め求めることにより前記細線の先端から距 離 Lだけ離れた該細線上の位置に前記球状物が形成されると予測しておき、前記細 線の先端に形成された球状物が凝固する前に、前記予測した位置から接合対象物 に接触する位置まで前記球状物を移動させて前記接合対象物に前記球状物を接合 することを特徴とする。
L=As + B ' " (d)
ただし、 A, Bは、係数である。
[0013] 本発明に係る細線の接合方法は、レーザ光を照射する位置である細線の先端から の距離 sと下記式 (d)から溶融長 Lを予め求めることにより、前記細線の先端力 距離 Lだけ離れた該細線上の位置に球状物が形成されると計算し、
前記細線の先端力 距離 sだけ離れた該細線上に、レーザ光の照射中心が当たる ように該レーザ光を照射することにより、前記細線を加熱溶融し、前記細線の先端に 球状物を形成しながら、前記計算した位置カゝら接合対象物に接触する位置まで前記 球状物を移動させ、
前記球状物が凝固する前に、前記接合対象物に前記球状物を接触させて接合す ることを特徴とする。
L=As + B ' " (d)
ただし、 A, Bは、係数である。
[0014] また、本発明に係る細線の接合方法にぉ 、て、前記細線上に前記レーザ光を照射 する際、前記細線に前記球状物が形成されると前記球状物が前記接合対象物に接 触するように前記接合対象物を配置しておき、前記照射中心を通る前記レーザ光の
光軸が前記接合対象物を通るように前記光軸を傾斜させることも可能である。この場 合、前記球状物の中心から前記接合対象物の表面に下ろした垂線と前記接合対象 物との接点を前記光軸が通るように、前記レーザ光を前記細線上に照射することが 好ましい。
[0015] 本発明に係る細線の接合方法は、細線の先端から距離 sだけ離れた該細線上に、 レーザ光の照射中心が当たるように該レーザ光を照射することにより、前記細線をカロ 熱溶融し、前記細線の先端に球状物を形成し、
前記距離 sと下記式 (d)から溶融長 Lを予め求めることにより前記細線の先端から距 離 Lだけ離れた該細線上の位置に前記球状物が形成されると予測しておき、前記予 測した位置の前記球状物を接合対象物上に移動させ、
前記球状物にレーザ光を照射することにより、前記接合対象物に前記球状物を接 合することを特徴とする。
L=As + B ' " (d)
ただし、 A, Bは、係数である。
[0016] 本発明に係るレーザ処理装置は、レーザ光を用いて細線の先端に球状物を形成 するレーザ処理装置であって、
レーザ光を細線に照射するレーザ光照射機構と、
前記細線の先端力 距離 sだけ離れた該細線上にレーザ光の照射中心が当たるよ うに、前記細線を保持する保持機構と、
を具備し、
前記距離 sを下記式 (a)によって決定することを特徴とする。
s= [ (D/k) 3+ { (D/k) 2-d2}3/2]/ (3d2A) -B/A · · (a)
ただし、 A, B, kは係数であり、 Dは球状物の球径であり、 dは細線の線径である。
[0017] また、本発明に係るレーザ処理装置において、下記式 (b)から溶融長 Lを求め、こ の溶融長 Lと下記式 (c)からレーザパルス幅下限値を求め、前記レーザ光を照射す る照射時間を前記レーザパルス幅下限値以上にすることも可能である。
L= [ (D/k) 3+ { (D/k) 2— d2}3/2]/3d2 · · · (b)
(レーザパルス幅下限値 [ms]) =PL2 + QL+R · · · (c)
ただし、 P, Q, Rは係数である。
[0018] また、本発明に係るレーザ処理装置において、細線の先端に形成された球状物の 球径を計測する計測機構をさらに具備し、この計測機構によって既に実際に形成し た球状物の球径を計測し、次に球状物を形成するために前記距離 sを決定する際に 前記計測した球径をフィードバックして距離 sの決定に反映させることも可能である。
[0019] また、本発明に係るレーザ処理装置において、前記距離 sの決定に反映させる方 法は、前記計測した球径と前記距離 sを決定する際に用いた球径との差を計算し、こ の差を前記式 (a)の係数 A, B, kに反映させる方法であることも可能である。
[0020] 本発明に係るレーザ処理装置は、レーザ光を照射するレーザ光照射機構と、 前記細線の先端力 距離 sだけ離れた該細線上にレーザ光の照射中心が当たるよ うに、前記細線を保持する第 1保持機構と、
接合対象物を保持する第 2保持機構と、
前記距離 sと下記式 (d)から溶融長 Lを予め計算することにより前記細線の先端から 距離 Lだけ離れた該細線上の位置に前記球状物が形成されると予測する演算部と、 を具備し、
前記レーザ光を用いて前記細線の先端に球状物を形成し、前記球状物が凝固す る前に、前記演算部により予測した位置と接合対象物を重ね合わせて前記接合対象 物に前記球状物を接合することを特徴とする。
L=As + B ' " (d)
ただし、 A, Bは、係数である。
[0021] 本発明に係るレーザ処理装置は、レーザ光を用いて細線の先端に球状物を形成し 、接合対象物に前記球状物を接合するレーザ処理装置であって、
レーザ光を照射するレーザ光照射機構と、
前記細線の先端力 距離 sだけ離れた該細線上にレーザ光の照射中心が当たるよ うに、前記細線を保持する第 1保持機構と、
接合対象物を保持する第 2保持機構と、
前記距離 sと下記式 (d)から溶融長 Lを予め計算することにより前記細線の先端から 距離 Lだけ離れた該細線上の位置に前記球状物が形成されると予測する演算部と、
前記細線の先端に球状物を形成し、前記球状物が凝固する前に、前記演算部によ り予測した位置力 接合対象物に接触する位置まで前記球状物が移動するように前 記第 1保持機構を移動させる移動機構と、
を具備することを特徴とする。
L=As + B ' " (d)
ただし、 A, Bは、係数である。
[0022] 本発明に係るレーザ処理装置は、レーザ光を用いて細線の先端に球状物を形成し 、接合対象物に前記球状物を接合するレーザ処理装置であって、
レーザ光を照射するレーザ光照射機構と、
前記細線の先端力 距離 sだけ離れた該細線上にレーザ光の照射中心が当たるよ うに、前記細線を保持する第 1保持機構と、
接合対象物を保持する第 2保持機構と、
前記距離 sと下記式 (d)から溶融長 Lを予め計算することにより前記細線の先端から 距離 Lだけ離れた該細線上の位置に前記球状物が形成されると予測する演算部と、 前記細線の先端に球状物を形成しながら、前記演算部により予測した位置から接 合対象物に接触する位置まで前記球状物を移動させ、前記球状物が凝固する前に 、前記接合対象物に前記球状物を接触させて接合するように、前記第 1保持機構を 移動させる第 1移動機構と、
前記レーザ光を照射している際に前記第 1移動機構に追従するように前記レーザ 光照射機構を移動させる第 2移動機構と、
を具備することを特徴とする。
L=As + B ' " (d)
ただし、 A, Bは、係数である。
[0023] また、本発明に係るレーザ処理装置において、前記第 2保持機構は、前記細線に 前記球状物が形成されると前記球状物が前記接合対象物に接触するように前記接 合対象物を保持するものであり、前記第 1保持機構は、前記照射中心を通る前記レ 一ザ光の光軸が前記接合対象物を通るように前記細線を保持することも可能である 。この場合、前記第 1保持機構は、前記球状物の中心から前記接合対象物の表面に
下ろした垂線と前記接合対象物との接点を前記光軸が通るように前記細線を保持す ることが好ましい。
[0024] 本発明に係るレーザ処理装置は、レーザ光を照射するレーザ光照射機構と、 前記細線の先端力 距離 sだけ離れた該細線上にレーザ光の照射中心が当たるよ うに、前記細線を保持する第 1保持機構と、
接合対象物を保持する第 2保持機構と、
前記第 1保持機構又は前記第 2保持機構を移動させる移動機構と、
前記距離 sと下記式 (d)から溶融長 Lを予め計算することにより前記細線の先端から 距離 Lだけ離れた該細線上の位置に前記球状物が形成されると予測する演算部と、 を具備し、
前記レーザ光を用いて前記細線の先端に球状物を形成し、前記移動機構を用い て前記第 1保持機構又は前記第 2保持機構を移動させることにより、前記演算部によ つて予測した位置の前記球状物を前記接合対象物に接触させ、前記レーザ光照射 機構を用いて前記球状物にレーザ光を照射することにより前記接合対象物に前記球 状物を接合することを特徴とする。
L=As + B ' " (d)
ただし、 A, Bは、係数である。
発明の効果
[0025] 以上説明したように本発明によれば、細線の一端を球状に加工する際に球径を精 度よく制御できる球状物の形成方法、細線の接合方法及びレーザ処理装置を提供 することができる。
図面の簡単な説明
[0026] [図 1] (A) , (B)は、実施の形態 1による球状物の形成方法説明する模式図である。
[図 2]実施の形態 1によるレーザ処理装置を模式的に示す構成図である。
[図 3]レーザ光照射位置と溶融長 Lとの関係を示すグラフである。
[図 4] (A)〜(C)は、図 2のレーザ処理装置を用いて細線端部に球状物を形成する 様子を模式的に示す図である。
[図 5]溶融長 Lと球状物の球径 Dとの関係を示すグラフである。
[図 6]パルス幅と溶融長との関係、即ち溶融長のパルス幅依存性を示すグラフである 圆 7] (A)〜 (C)は、実施の形態 2による球状物の形成方法を説明する模式図である
[図 8] (A)は、細線の傾き角度と溶融長及び球径それぞれの関係を示すグラフであり 、(B)は、細線が傾いた状態及びその場合の溶融長を示す図である。
圆 9]実施の形態 3による保持機構を示し、(A)は正面図、(B)は側面図、(C)は上 面図である。
圆 10]実施の形態 4によるレーザ処理装置を模式的に示す構成図である。
[図 11]フィードバック制御系が行うフィードバック制御フローを示す図である。
圆 12]実施の形態 5によるレーザ処理装置の保持機構等を模式的に示す構成図で ある。
圆 13]実施の形態 5の第 1変形例によるレーザ処理装置の保持機構等を示す構成図 である。
圆 14]実施の形態 5の第 2変形例によるレーザ処理装置の保持機構等を示す構成図 である。
圆 15]実施の形態 5の第 3変形例によるレーザ処理装置の保持機構等を示す構成図 である。
圆 16]実施の形態 5の第 4変形例によるレーザ処理装置の保持機構等を示す構成図 である。
圆 17] (A) , (B)は、実施の形態 5の第 5変形例によるレーザ処理装置の保持機構等 を示す構成図である。
圆 18]実施の形態 5の第 6変形例によるレーザ処理装置の保持機構等を示す構成図 である。
[図 19] (A)〜 (C)は、実施の形態 6によるレーザ処理装置の保持機構等を示す構成 図である。
符号の説明
1 -YAGレーザ
la…ファイバ
2, 6…光学系
2a, 2b, 8· · 'レンズ
3…金属細線
4…台座部
4a…窪み
5…押さえ部
7…ハーフミラー
9· -CCDカメラ
10· ··電子回路基板
11· ··電極パッド
12…溶融長
13· ··レーザ光の光軸
14…球状物の中心力も電極パッドの表面に下ろした垂線
発明を実施するための形態
[0028] 以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
(実施の形態 1)
図 1は、本発明の実施の形態 1による細線の先端に球状物を形成する方法を説明 する模式図であり、図 1 (A)はレーザ光照射前の金属細線を示し、図 1 (B)はレーザ 光照射後の金属細線を示している。図 2は、本発明の実施の形態 1によるレーザ処 理装置を模式的に示す構成図である。
[0029] 図 2に示すように、レーザ処理装置は、直径 400 μ mのファイバ laを備えた YAGレ 一ザ 1を有しており、ファイバ laの先端力 発射されるレーザ光は光学系 2を通って 集光されて金属細線 3に照射されるようになっている。光学系 2はレンズ 2a, 2bなど の光学素子を備えている。尚、図 2中の fは焦点距離を示している。また、金属細線 3 は図示せぬ保持機構によって保持されている。
[0030] 次に、図 2に示すレーザ処理装置を用いて金属細線 3の一端を球状に加工する方 法について図 1を参照しつつ説明する。
[0031] 図 1 (A)に示すように、金属細線 3の端部力 距離 sだけ離れた位置にレーザ光を 照射する。詳細には、距離 sだけ離れた位置にレーザ光の照射中心が当たるように、 金属細線 3にレーザ光を照射する。これにより、図 1 (B)に示すように、金属細線 3の 端部がレーザ光によって加熱されて溶融され、溶融された材料が表面張力によって 球状に凝固する。その結果、線径 dの金属細線 3の端部には球径 Dの球状物 3aが形 成される。尚、レーザ光を照射した際に金属細線 3の溶融される端部の長さ (溶融長) は Lとする。また、球状物 3aは、真球だけでなぐ球に近いものも含む意味である。
[0032] 上述したレーザ光照射位置 (即ち、金属細線の端部から距離 sだけ離れた位置)を 制御することにより、球状物 3aの球径 Dを精度よく制御することができる。以下、これ について詳述する。
[0033] 金属細線の端部からレーザ光照射中心までの距離 sと球径 Dとの関係は下記式(1 )、 (2)から求められ、この関係式を用いることにより球径 Dを所望の大きさに制御する ことができる。
[0034] レーザ光照射位置を表わす距離 sと溶融長 Lとの関係は下記式(1)のとおりである。
L=As + B · · · (1)
A, Bは、係数で細線の材質、メツキ、レーザの種類、レーザ照射密度 (WZcm2)、 レーザ照射径などにより一意に決まる定数である。
例えば、細線としてメツキなしの銅線を用い、 YAGレーザでレーザ照射密度を 1. 8 MWZcm2とし、レーザ照射径を 200 mとすると、 Aが 1. 07[ ^ πι/ ^ ιη] , Βが 23 0[ /ζ πι]となる。
[0035] 溶融長 Lと球径 Dと金属細線の線径 dとの関係は下記式(2)のとおりである。
L= [ (D/k) 3+ { (D/k) 2-d2}3/2]/3d2 · · · (2)
kは、金属細線の材質、メツキ、雰囲気に依存する定数である。
[0036] 次に、上記式(1)を求めた方法について説明する。
図 3は、レーザ光照射位置 (細線端力 の距離 s)と溶融長 (レーザ光照射前の金属 細線の端部とレーザ光照射後の球状物の球中心との間の距離) Lとの関係を示すグ ラフである。このグラフを作成するにあたり、図 2に示すレーザ処理装置を用いて種々 の金属細線にレーザ光照射位置及びレーザスポット径を種々変更して球状物を形成
する実験を行った。この実験結果を図 3に示している。
[0037] 実験で用いた金属細線及びレーザスポット径は下記のとおりである。
(1)線径 100 mの銅線にスポット径 200 mのレーザ光照射を行った。
(2)線径 70 μ mのエナメル被覆銅線にスポット径 200 μ mのレーザ光照射を行った
(3)線径 50 μ mの銅線にスポット径 200 μ mのレーザ光照射を行った。
(4)線径 125 mの銅線にスポット径 200 mのレーザ光照射を行った。
(5)線径 100 mの銅線にスポット径 140 mのレーザ光照射を行った。
[0038] レーザ光照射位置と溶融長は、ほぼ線形の関係になり、一次式で近似できる(図 3 参照)。一次式で近似化できる範囲は、細線の材質ゃ線径によって異なるが、例えば 、線径 50 μ mの銅線では s< 800の範囲で一次式近似できる。
[0039] 次に、上記式(1)の内容について図 4を参照しつつ説明する。図 4 (A)〜(C)は、 図 2に示すレーザ処理装置を用 V、て金属細線の端部に球状物を形成する様子を模 式的に示す図である。
[0040] 図 4 (A)に示すように、金属細線 3にレーザ光を照射すると、レーザ光が照射された 部分及びその近傍が加熱溶融される。次いで、図 4 (B)に示すように、加熱溶融され た部分が表面張力によって球状物に変化していき、図 4 (C)に示すように、金属細線 3の先端がレーザ光の照射位置力 外れたとき力 凝固が始まり、最終的には金属 細線 3の先端に球状物 3aが形成される。つまり、溶融長 Lはレーザ光の照射位置と 殆ど等しくなる。実際には加熱溶融される範囲は広がりがあるためオフセット分 (係数 B)を生じ、また、距離 sに応じて加熱時間が変化し、照射位置から左側 (金属細線の 先端とは逆側)の溶融部分が増えるため係数 Aは 1より大きくなる。ただし、 sが大きい 場合は、加熱されて ヽる時間が長くなるため左側に伝わる熱も多くなるので線形近似 できなくなる。以上のように考えると、レーザ光照射位置と溶融長の関係式(1)は妥 当なものであるといえる。
[0041] 次に、前述した溶融長 Lと球径 Dと金属細線の線径 dとの関係式(2)の内容につい て説明する。
この関係式(2)は、図 5に示す実験結果から求めたものである。図 5は、溶融長しと
球状物の球径 Dとの関係を示すグラフである。このグラフを作成するにあたり、図 2〖こ 示すレーザ処理装置を用いて種々の金属細線に溶融長及び線径を種々変更して球 状物を形成する実験を行った。この実験結果を図 5に示している。
[0042] 実験で用いた金属細線及びレーザスポット径は下記のとおりである。
(1)線径 100 mの銅線にスポット径 200 mのレーザ光照射を行った。
(2)線径 70 μ mのエナメル被覆銅線にスポット径 200 μ mのレーザ光照射を行った
(3)線径 50 μ mの銅線にスポット径 200 μ mのレーザ光照射を行った。
(4)線径 125 mの銅線にスポット径 200 mのレーザ光照射を行った。
[0043] 図 5に示すように、各々の線径によって線を引くことができ、この線から上記の関係 式(2)を導くことができる。常温大気雰囲気下で、線径が 125 m、 100 m、 50 mの銅線の場合は k= l. 2となり、線径が 70 mのエナメル線の場合は k= l. 15と なった。
[0044] ここで、関係式(2)において、 k= 1とした場合、
L= {D3+ (D2-d2) 3/2}/3d2
は、溶融した部分の体積と球の体積が等しくなるとして幾何学的に求めた式である。 尚、係数 kは金属の酸ィ匕などによる体積増加を吸収するためのファクターである。 例えば、 200 μ mの銅球が表面力も深さ 40 μ m酸化したとすると、球径が 15%増 加する計算になるが、それらを係数 kで吸収できる。
[0045] 上記実施の形態 1によれば、金属細線の先端に球状物を形成する際、その球状物 の球径を所望の値に制御しょうとする場合、前述した関係式(1)、(2)を用いることに より、球状物の球径を精度良く制御することができる。
[0046] 詳細には、関係式(1)、(2)から、下記式(3)を導くことができる。
s= [ (D/k) 3+ { (D/k) 2-d2}3/2]/ (3d2A) -B/A · · (3)
[0047] A, B, kは定数であり、処理対象の金属細線の線径 d及び球径 Dを決めると、上記 式 (3)からレーザ光照射位置 (金属細線の端部から距離 sだけ離れた位置)を導出す ることができる。この照射位置にレーザ光を照射することにより、金属細線の先端に形 成する球状物の球径を所望の値に制御することができる。
[0048] (実施の形態 2)
図 7は、本発明の実施の形態 2による細線の先端に球状物を形成する方法を説明 する模式図であり、図 7(A)はレーザ光照射前の金属細線を示しており、図 7(B)はレ 一ザ光照射後の金属細線であって安定したプロセスを示しており、図 7(C)はレーザ 光照射後の金属細線であって不安定なプロセスを示している。図 6は、レーザパルス 幅と溶融長との関係、即ち溶融長のパルス幅依存性を示すグラフである。
[0049] レーザ光照射により細線 3が溶融し、表面張力により球状物 3aになるまでの過程は 、レーザ光照射位置、レーザ出力密度、レーザ光照射径、細線 3の材質、線径などに もよるが、数 ms程度の現象である。そのため、長時間レーザ光の照射を行うと、細線 3は溶融して球状ィ匕することによって収縮する。その結果、レーザ光照射中でも細線 3にレーザ光が当たらなくなる。レーザ光照射開始から、確実に細線 3が収縮し、細 線 3にレーザ光が当たらなくなるまでの時間をここではパルス幅下限値と呼ぶことに する。尚、レーザ照射のエネルギーは、レーザ出力(W)にレーザパルス幅(ms)をか けたものに等しい。
[0050] このパルス幅下限値は、以下の 2次の近似式 (4)から求めることができる。
(パルス幅下限値 [ms]) =Px2+Qx+R · · · (4)
ただし、 Xは所望の溶融長 [ /z m]である。 P, Q, Rは、レーザの種類、レーザ照射 密度、レーザ光照射径、細線の材料、細線のメツキの有無、メツキの材質、線径など で決まる定数である。
例えば、線径が 100 mの銅細線 (メツキなし)を用い、 YAGレーザでレーザ照射 密度を 1. 8MWZcm2とし、レーザ照射径を 200 mとすると、 Pが 1. 6 X 10_6、 Q が 1. 6 10_4、1^が1. 4となる。
[0051] 次に、上記式 (4)を求めた方法について図 6を参照しつつ説明する。
図 6のグラフを作成するにあたり、図 2に示すレーザ処理装置を用いてレーザ光照 射位置及びパルス幅を種々変更して球状物を形成した場合の溶融長を測定する実 験を行った。この実験結果を図 6に示している。
[0052] 図 6に示すように、安定した溶融長を得るために必要なパルス幅は溶融長によって 異なり、安定部分と不安定部分の境界は 2次関数で近似できる。従って、図 6に示す
2次関数曲線力も上記式 (4)を導くことができる。
[0053] 上述したように、パルス幅下限値以上のレーザ光照射を行うことにより安定した溶融 長が得られ、安定したプロセスを実現できる。つまり、図 7 (A)、(B)に示すように、パ ルス幅下限値を超えた時間のレーザ光照射は細線の収縮により該細線に当たらな いので、レーザ照射時間をパルス幅下限値以上にすることにより、溶融長はレーザの 照射位置で決まることになる。
[0054] 一方、パルス幅下限値未満のレーザ光照射では、レーザ光照射時間や細線に吸 収される単位時間当たりのエネルギーに依存した溶融長となるが、傷ゃ酸ィ匕などの 細線の表面状態により細線のレーザ吸収率がばらつくため細線に吸収される単位時 間当たりのエネルギーがばらつき、細線の溶融長がばらつくことになる。つまり、図 7 ( C)に示すように、パルス幅下限値未満のレーザ照射では、細線がレーザエネルギー をどれだけ吸収できるかによつて溶融長が決まり、吸収の状態が変わると溶融長も変 わることになる。従って、パルス幅下限値未満のレーザ光照射を行うことにより溶融長 が不安定となり、安定したプロセスを実現することができな 、。
[0055] また、実施の形態 1で示した溶融長 Lと球径 Dと細線の線径 dとの関係式(2)から所 望の球径を得るために必要な溶融長を求め、その溶融長を安定して得るためのレー ザ照射時間を上述した溶融長 Xとパルス幅下限値の関係式 (4)から求める。そして、 レーザ照射時間をパルス幅下限値以上にすることにより、細線の先端に所望の球径 の球状物を安定して形成することができる。
L= [ (D/k) 3+ { (D/k) 2-d2}3/2]/3d2 · · · (2)
kは、金属細線の材質、メツキ、雰囲気に依存する定数である。
[0056] 上記実施の形態 2によれば、レーザ照射時間をパルス幅下限値以上にすること〖こ より、所望の球径の球状物を安定して形成でき、その結果、所望の球径に対して実 際に形成される球径のばらつきを抑えることができる。
[0057] (実施の形態 3)
細線は腰がないためレーザ照射にあたってハンドリングが難しいが、細線が傾いて いた場合に溶融長が変化するため球径が変わってしまう。つまり、図 2に示すレーザ 処理装置では図示せぬ保持機構によって細線を保持している力 細線は腰がない
ためレーザ光の光軸に対して垂直に細線を保持することは難しい。そこで、本実施の 形態は、細線が傾くのを極力抑え、細線の傾きによる球径のばらつきを抑えるために 、レーザ光の光軸に対して垂直になるように細線を固定するものである。
[0058] 図 8 (A)は、細線の傾き角度と溶融長及び球径それぞれの関係を示すグラフであり 、図 8 (B)は、細線が傾いた状態及びその場合の溶融長を示す図である。
[0059] 線径が 100 mの銅線の先端に 282 mの球径の球状物を形成するために、実施 の形態 1の方法を用いてレーザ光照射位置 (距離 s)を 431 μ mとし、細線の傾きを種 々変更して球状物を形成した場合の溶融長と球径を計算し、その計算結果 (細線が 傾いた場合の球径の変ィ匕)を図 8 (A)に示している。図 8によれば、細線が 30° 傾い た場合、球径が 12. 5 m大きくなつてしまうことがわかる。
[0060] 図 9 (A)は、本発明の実施の形態 3による保持機構(図 2に示すレーザ処理装置に おける保持機構)を正面力も視た図であり、図 9 (B)は、図 9 (A)に示す保持機構を 横から視た図であり、図 9 (C)は、図 9 (A)に示す保持機構を上力も視た図である。
[0061] 図 9 (A)〜(C)に示すように、保持機構は台座部 4を有しており、台座部 4の上面に は細線 3を固定する窪み 4aが設けられている。また、保持機構は、細線 3を窪み 4aに 押さえつける押さえ部 5を有して 、る。
[0062] 保持機構は、押さえ部 5によって細線 3を保持しつつ細線 3の先端近傍を台座部 4 の窪み 4aに押さえつけることにより、細線 3のレーザ光照射位置がレーザ光の光軸に 対して略垂直になるように細線を保持するようになっている。これにより、細線が傾く のを極力抑え、細線の傾きによる球径のばらつきを抑えることができる。
[0063] (実施の形態 4)
図 10は、本発明の実施の形態 4によるレーザ処理装置を模式的に示す構成図で ある。図 11は、図 10に示すレーザ処理装置のフィードバック制御系が行うフィードバ ック制御フローを示す図である。
[0064] 図 10に示すように、レーザ処理装置は、直径 400 μ mのファイバ laを備えた YAG レーザ 1を有しており、ファイバ laの先端力 発射されるレーザ光は光学系 6を通って 集光されて金属細線 3に照射されるようになっている。光学系 6はレンズ 2a, 2b, 8及 びノヽーフミラー 7などの光学素子を備えている。また、レーザ処理装置は CCDカメラ
9を有しており、この CCDカメラ 9は光学系 6を通して金属細線 3のレーザ光照射位置 及びその近傍を撮像するものである。尚、図 2中の fは焦点距離を示している。また、 金属細線 3は図示せぬ保持機構 (例えば実施の形態 3の保持機構)によって保持さ れている。
[0065] 次に、図 10に示すレーザ処理装置を用いてフィードバック制御を行いながら複数 の金属細線 3の一端を球状に加工する方法について図 11を参照しつつ説明する。
[0066] まず、最初の金属細線の先端に実施の形態 1と同様の方法により球状物を形成す る。すなわち、実施の形態 1と同様の方法によりレーザ光照射位置 (距離 s)を計算す る(図 11の Sl)。次いで、この計算した照射位置に図 10に示す金属細線 (n—1本目 )を移動させる(図 11の S2)。次いで、レーザ光を照射して n— 1本目の金属細線の 先端に球状物を形成する(図 11の S3)。
[0067] 次に、 n本目の金属細線の先端に球状物を形成する。この際は、フィードバック制 御を行いながら実施の形態 1と同様の方法により球状物を形成する。
[0068] 以下にフィードバック制御について図 11を参照しつつ詳細に説明する。
n本目(nは自然数)の金属細線の先端に球状物を形成する場合、 n— 1本目まで の結果、即ち実際に形成された球状物の球径をフィードバックして n本目の金属細線 のレーザ光照射位置の計算に反映させる。
[0069] 具体的には、まず、球状物を形成した後に、この球状物の球径を CCDカメラ 9によ つて計測する(図 11の S4)。この計測の方法としては、 CCDカメラを用いて球状物を 撮像し、その撮像データから球径を直接計測する方法、又は、前記撮像データから 溶融長を直接計測し、この溶融長と実施の形態 1における溶融長と球径の関係式 (2 )から球径を間接的に計測する方法を用いることができる。
[0070] 次に、 n- 1本目の金属細線に実際に形成された球径と n— 1本目の金属細線のレ 一ザ光照射位置を決める際に用いた球径との間の差を計算する。この差は、レーザ 光照射位置 (距離 s)を決定する際に用いた実施の形態 1の関係式 (3)における係数 A, B, kが実際のレーザ照射条件と一致していな力つたことから発生しているものと 考えられる。従って、前記差から係数 A, B, kをより適切な値に修正する。
[0071] 次に、上記の修正した A, B, kと関係式(3)を用いて n本目の金属細線のレーザ光
照射位置 (距離 s)を計算する(図 11の Sl)。次いで、この決定した照射位置に図 10 に示す金属細線 (n本目)を移動させる(図 11の S2)。次いで、レーザ光を照射して n 本目の金属細線の先端に球状物を形成する。
[0072] 上記実施の形態 4によれば、フィードバック制御を行いながら実施の形態 1と同様の 方法により球状物を形成するため、球状物の球径のばらつきをより抑制することがで きる。
[0073] (実施の形態 5)
本実施の形態は、電子回路基板のパターンなどの接合対象物上に細線を接合さ せるワイヤボンディング方法及びその装置に関するものである。
細線を電子回路基板のパターンなどの接合対象物に接触させてレーザ光照射を 行うと、レーザ光の直接的な影響や細線の温度上昇などにより接合相手である電子 回路基板にダメージを与えてしまうことがある。このため、細線を接合対象物に接触さ せないで、レーザ光照射を行って細線を溶融させ、細線の先端に球状物を形成し、 この球状物が完全に凝固する前に移動させて接合対象物に接触させることにより、 接合対象物に細線の球状物を接合することが好まし 、。
[0074] 図 12は、本発明の実施の形態 5によるレーザ処理装置の一部であって、図 2に示 すレーザ処理装置の保持機構及びその近傍を模式的に示す構成図である。
[0075] 本実施の形態によるレーザ処理装置は、細線 3を保持する保持機構に加えて、この 保持機構を平行移動させる平行移動機構をさらに具備している。また、このレーザ処 理装置は電子回路基板 10を保持する保持機構も有している。また、レーザ処理装置 は、後述する計算などを行う演算部をさらに有している。
[0076] 次に、図 12に示すレーザ処理装置を用いて細線 3の先端を電子回路基板 10の電 極パッド 11に接合する方法にっ 、て説明する。
[0077] 実施の形態 1と同様の方法によりレーザ光照射位置 (距離 s)を決定し、その照射位 置にレーザ光を照射して細線 3の先端に球状物 3aを形成する。そして、予め球状物 3aが形成される位置を予測しておき、球状物 3aが完全に凝固する前に、この予測し た位置にある球状物 3aを電子回路基板 10の電極パッド 11に接触する位置まで前記 平行移動機構により移動させる。その後、球状物 3aは凝固しながら電極パッド 11〖こ
接合される。
[0078] 前記球状物 3aが形成される位置の予測方法は次のとおりである。レーザ光照射位 置 (距離 s)が決定されると、その距離 sと溶融長 Lとの関係式 (1)から溶融長 Lを演算 部により計算する。この計算結果により、細線に形成される球状物 3aの中心位置(図 1 (B)参照)を予測することができる。
L=As + B · · · (1)
A, Bは、係数で細線の材質、メツキ、レーザの種類、レーザ照射密度 (WZcm2)、 レーザ照射径などにより一意に決まる定数である。
[0079] 上記実施の形態 5によれば、電子回路基板 10の電極パッド 11から離れた位置で 細線 3にレーザ光照射を行って細線 3を溶融させ、細線 3の先端に球状物 3aを形成 し、その後に細線の球状物 3aを電極パッド 11に接合している。このため、レーザ光の 熱的な影響を電子回路基板 10に及ぼすことがなぐ電子回路基板にダメージを与え ることを防止できる。
[0080] また、本実施の形態では、上記関係式(1)から球状物 3aが形成される位置 (場所) を予測できるため、球状物 3aを電極パッド 11上まで移動させる移動量を正確に計算 することができる。従って、電子回路基板の電極パッド 11のような微細なパターン領 域に細線 3を精度良く接合することが可能となる。
[0081] また、本実施の形態では、球状物 3aが形成される位置を予測して細線の移動量を 決定する方法を採用するため、レーザ処理装置の機構を簡略ィ匕することができる。つ まり、細線の移動量を予測する方法を採用しない場合は、球状物が形成された後に
、その球状物の位置を検出し、その検出された位置情報から移動量を計算し、電極 ノッド 11との位置合わせを行って電極パッド 11上に球状物を接触させると 、う方法 を採ることになる。このような方法を実現する場合、レーザ処理装置の機構は複雑な ものとなるが、本実施の形態の場合は、位置合わせのための計測を省くことができた り、比較的簡単な機構を用いてすばやく接合対象物上に移動させることができるため
、装置の簡素化が実現できる。
[0082] 図 13は、実施の形態 5の第 1変形例によるレーザ処理装置の一部であって、図 2に 示すレーザ処理装置の保持機構及びその近傍を模式的に示す構成図であり、図 12
と同一部分には同一符合を付し、異なる部分についてのみ説明する。
[0083] 本実施の形態によるレーザ処理装置は、細線 3を保持する保持機構に加えて、この 保持機構を回転移動させる回転移動機構をさらに具備している。
[0084] 次に、図 13に示すレーザ処理装置を用いて細線 3の先端を電子回路基板 10の電 極パッド 11に接合する方法にっ 、て説明する。
実施の形態 1と同様の方法によりレーザ光照射位置 (距離 s)を決定し、その照射位 置にレーザ光を照射して細線 3の先端に球状物 3aを形成する。そして、予め球状物 3aが形成される位置を予測しておき、球状物 3aが完全に凝固する前に、この予測し た位置にある球状物 3aを電子回路基板 10の電極パッド 11に接触する位置まで前記 回転移動機構により移動させる。即ち、溶融長 12を予め計算できるため、レーザ光 照射前に移動の方法を決定し、移動できる。その後、球状物 3aは凝固しながら電極 ノッド 11に接合される。
[0085] 上記第 1変形例においても実施の形態 5と同様の効果を得ることができる。
[0086] 図 14は、実施の形態 5の第 2変形例によるレーザ処理装置の一部であって、図 2に 示すレーザ処理装置の保持機構及びその近傍を模式的に示す構成図であり、図 12 と同一部分には同一符合を付し、異なる部分についてのみ説明する。
[0087] 凝固速度が速い材料力 なる細線 3を用いた場合、図 12に示す方法では球状物 3 aを電極パッド 11に接触させた時には既に凝固がかなり進んでいるため細線と電極 ノ^ドを確実に接合できないことも考えられる。そこで、第 2変形例は、レーザ照射系 と細線とをともに移動しながらレーザ光照射を行うことにより、球状物 3aの凝固が進む 前に球状物 3aを接合対象物に接触させるものである。
[0088] 図 14に示すレーザ処理装置は、保持機構を平行移動させる平行移動機構に加え て、レーザ照射系を移動させる移動機構をさらに具備している。
[0089] 次に、図 14に示すレーザ処理装置を用いて細線 3の先端を電子回路基板 10の電 極パッド 11に接合する方法にっ 、て説明する。
[0090] 実施の形態 1と同様の方法によりレーザ光照射位置 (距離 s)を決定し、その照射位 置にレーザ光を照射して細線 3の先端に球状物 3aを形成する。この際、レーザ照射 系を前記移動機構により移動させるとともに、細線 3を保持した前記保持機構を前記
平行移動機構により前記レーザ照射系の移動に追従させながら移動させる。即ち、 細線の先端に球状物 3aを形成する過程を、細線 3を移動させながら行う。そして、予 め球状物 3aが形成される位置を予測しておき、球状物 3aが完全に凝固する前に、こ の予測した位置にある球状物 3aを電子回路基板 10の電極パッド 11に接触する位置 まで前記平行移動機構により移動させる。ただし、球状物 3aが電極パッド 11に接触 する前にレーザ光の照射を終了させるようにする。その後、球状物 3aは凝固しながら 電極パッド 11に接合される。
[0091] 上記第 2変形例においても実施の形態 5と同様の効果を得ることができる。
さらに、上記第 2変形例では、レーザ照射系と細線とをともに移動しながらレーザ光 照射を行うため、凝固速度が速い材料力 なる細線 3を用いても、球状物 3aの凝固 が進む前に球状物 3aを電極パッド 11上に移動させて接触させることができる。従つ て、細線と電極パッドを確実に接合することができる。
[0092] 図 15は、実施の形態 5の第 3変形例によるレーザ処理装置の一部であって、図 2に 示すレーザ処理装置の保持機構及びその近傍を模式的に示す構成図であり、図 12 と同一部分には同一符合を付し、異なる部分についてのみ説明する。
[0093] 実施の形態 1と同様の方法によりレーザ光照射位置 (距離 s)を決定し、その照射位 置にレーザ光を照射して細線 3の先端に球状物 3aを形成する。この際、電極パッド 1 1力 僅かに浮力せた位置に細線 3を保持しておく。これにより、レーザ光を照射して 球状物 3aが形成されると電極パッド 11に球状物 3aが自然に接合される。換言すれ ば、レーザ光を照射して球状物 3aが形成されると電極パッド 11に球状物 3aが自然 に接合されるように、細線 3を保持する位置及びレーザ光照射位置を合わせておく。
[0094] 上記第 3変形例によれば、電子回路基板 10の電極パッド 11から浮力せた位置で 細線 3にレーザ光照射を行って細線 3の先端に球状物 3aを形成し、その後に球状物 3aの自重によって電極パッド 11に球状物 3aを接合している。このため、レーザ光の 熱的な影響を電子回路基板 10に及ぼすことがなぐ電子回路基板にダメージを与え ることを防止できる。
[0095] また、本変形例では、実施の形態 5と同様に球状物 3aが形成される位置 (場所)を 予測できるため、上述した方法であっても、電子回路基板の電極パッド 11のような微
細なパターン領域に細線 3を精度良く接合することが可能となる。また、実施の形態 5 とほぼ同様の理由によりレーザ処理装置の機構を簡略ィ匕することができる。
[0096] 図 16は、実施の形態 5の第 4変形例によるレーザ処理装置の一部であって、図 2に 示すレーザ処理装置の保持機構及びその近傍を模式的に示す構成図であり、図 12 と同一部分には同一符合を付し、異なる部分についてのみ説明する。
[0097] 実施の形態 1と同様の方法によりレーザ光照射位置 (距離 s)を決定し、その照射位 置にレーザ光を照射して細線 3の先端に球状物 3aを形成する。この際、電極パッド 1 1よりやや上の位置に細線 3を保持しておく。これにより、レーザ光を照射して球状物 3aが形成されると球状物 3aの自重によって球状物 3aが垂れ下がり、その結果、電極 パッド 11に球状物 3aが自然に接合される。換言すれば、レーザ光を照射して球状物 3aが形成されると電極パッド 11に球状物 3aが垂れ下がって接合されるように、細線 3 を保持する位置及びレーザ光照射位置を合わせておく。
[0098] 上記第 4変形例においても第 3変形例と同様の効果を得ることができる。
[0099] 図 17 (A) , (B)は、実施の形態 5の第 5変形例によるレーザ処理装置の一部であつ て、図 2に示すレーザ処理装置の保持機構及びその近傍を模式的に示す構成図で あり、図 15と同一部分には同一符合を付し、異なる部分についてのみ説明する。
[0100] 実施の形態 1と同様の方法により図 17 (A)に示すようにレーザ光照射位置 (距離 s) を決定し、その照射位置にレーザ光を照射して図 17 (B)に示すように細線 3の先端 に球状物 3aを形成する。この際、図 17 (A)に示すように電極パッド 11から僅かに浮 かせた位置に細線 3を保持しておき、レーザ光の光軸 13が細線 3の端部から距離 s だけ離れた位置を通り且つ接合対象物である電極パッド 11を通るようにレーザ光の 光軸 13を傾斜させる。これにより、レーザ光を照射して球状物 3aが形成されると電極 パッド 11に球状物 3aが自然に接合される。
[0101] 上記第 5変形例においても変形例 3と同様の効果を得ることができる。
さらに、第 5変形例では、レーザ光の光軸 13が電極パッド 11を通るため、レーザ光 を照射した結果、細線先端部に球状物 3aが形成された後、接合対象物である電極 ノ ッド 11にレーザ光が照射される。これにより、電極パッド 11が加熱され、球状物 3a と溶接接合されやすくなるという効果が得られる。
[0102] 図 18は、実施の形態 5の第 6変形例によるレーザ処理装置の一部であって、図 2に 示すレーザ処理装置の保持機構及びその近傍を模式的に示す構成図であり、図 17 と同一部分には同一符合を付し、異なる部分についてのみ説明する。
[0103] レーザ光を照射して細線 3の先端に球状物 3aを形成する際、レーザ光の光軸 13が 細線 3の端部力も距離 sだけ離れた位置を通り且つ球状物 3aの中心力も電極パッド 1 1の表面に下ろした垂線 14と電極パッド 11との接点を通るようにレーザ光の光軸 13 を傾斜させる。
[0104] 上記第 6変形例においても変形例 3と同様の効果を得ることができ、し力も、レーザ 光の光軸 13が垂線 14と電極パッド 11との接点を通るようにレーザ光の光軸 13を傾 斜させているため、球状物 3aと溶接接合されやすくなるという効果を第 5変形例より 大きくすることができる。つまり、第 6変形例のようにレーザ光の光軸を傾斜させるのが 最も好適である。
[0105] (実施の形態 6)
図 19 (A)〜(C)は、本発明の実施の形態 6によるレーザ処理装置の一部であって 、図 2に示すレーザ処理装置の保持機構及びその近傍を模式的に示す構成図であ り、図 12と同一部分には同一符合を付し、異なる部分についてのみ説明する。
[0106] 実施の形態 5のように球状物 3aが完全に凝固する前に移動させて接合対象物であ る電極パッド 11に接触させることにより、電極パッド 11に細線の球状物を接合するこ とが好ましい。しかし、凝固速度が速い材料力もなる細線 3を用いた場合などの理由 から、図 12に示す方法では球状物 3aを電極パッド 11に接触させた時には既に凝固 してしまっており、球状物が凝固する前に接合対象物に接触させることができない場 合がある。そこで、本実施の形態は、球状物 3aを電極パッド 11上に移動させた後、 球状物 3aにレーザ光照射を行うことにより球状物 3aを再度溶融させて電極パッド 11 に接合させるちのである。
[0107] 図 19に示すレーザ処理装置は、保持機構を平行移動させる平行移動機構に加え て、レーザ照射系を移動させる移動機構をさらに具備している。
[0108] 次に、図 19に示すレーザ処理装置を用いて細線 3の先端を電子回路基板 10の電 極パッド 11に接合する方法にっ 、て説明する。
[0109] 図 19 (A)に示すように、実施の形態 1と同様の方法によりレーザ光照射位置 (距離 s)を決定し、その照射位置にレーザ光を照射して細線 3の先端に球状物 3aを形成す る。そして、予め球状物 3aが形成される位置を予測しておき、この予測した位置の球 状物 3aを電子回路基板 10の電極パッド 11に接触する位置まで前記平行移動機構 により移動させる。これと同時に、レーザ照射系を前記移動機構により移動させる。そ の直後に、図 19 (B)に示すように球状物 3aにレーザ光照射を行うことにより球状物 3 aを再度溶融させ、図 19 (C)に示すように溶融した球状物 3aを電極パッド 11に接合 させる。
[0110] 上記実施の形態 6においても実施の形態 5と同様に、球状物 3aが形成される位置 を予測して細線の移動量を決定する方法を採用するため、電子回路基板の電極パッ ド 11のような微細なパターン領域に細線 3を精度良く接合することが可能となり、また レーザ処理装置の機構を簡略ィ匕することができる。
[0111] さらに、上記実施の形態 6では、細線の移動と同時にレーザ照射系を移動させ、球 状物 3aを電極パッド 11上に移動させた直後にレーザ光照射を行うことにより球状物 3 aを再度溶融させているため、凝固速度が速い材料力 なる細線 3を用いても、球状 物 3aを確実に電極パッド 11に接合することができる。
[0112] 尚、上記実施の形態 6では、細線の保持機構を移動させる平行移動機構を備え、 この平行移動機構により細線 3を移動させて球状物 3aを電極パッド 11に接触させて いるが、電子回路基板 10の保持機構を移動させる平行移動機構を備え、この平行 移動機構により電子回路基板 10を移動させて電極パッド 11を球状物 3aに接触させ ることも可能である。また、細線の保持機構を移動させる第 1の平行移動機構と、電 子回路基板 10の保持機構を移動させる第 2の平行移動機構とを備え、第 1及び第 2 の平行移動機構により細線と電子回路基板を移動させることにより、レーザ照射系は 移動させずに実施の形態 6と同様の接合方法を実施することも可能である。
[0113] また、本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内 で種々変更して実施することが可能である。例えば、下記素材の細線、あるいはこれ らの表面に下記のメツキを施した細線を用いることも可能である。
(素材)
1.金、銅、アルミニウム、ニッケル、モリブデン、タングステン、チタン、鉄などの金属 及びそれらの合金
2.シリコン、ゲルマニウムなどの半導体
3.熱可塑性榭脂
4.ガラス
5.セラミックス
(メツキ)
金、銀、錫、ニッケルなどの金属及びそれらの合金
[0114] また、上記実施の形態では、金属細線を用いているが、これに限られず、撚り線を 用いることも可能である。
[0115] また、上記実施の形態 1〜5は、コンタクトプローブ、ワイヤボンディングなどに適用 することが可能である。
[0116] また、上記実施の形態 1〜5では、 YAGレーザを用いている力 他のレーザを用い ることも可能であり、例えば YVOレーザ、 YLFレーザなどの固体レーザ及びそれら
4
の第 2高調波、第 3高調波、第 4高周波を用いることも可能であり、また CO レーザ、
2 半導体レーザ、アルゴンレーザ、 ArF、 KrF、 XeFエキシマレーザを用いることも可能 である。
[0117] また、実施の形態 1〜5を互いに組み合わせて実施することも可能であり、例えば、 実施の形態 5に他の実施の形態を組み合わせて実施することも可能である。
Claims
[1] 細線の先端力 距離 sだけ離れた該細線上に、レーザ光の照射中心が当たるように 該レーザ光を照射することにより、前記細線を加熱溶融し、前記細線の先端に球状 物を形成する方法であって、
前記距離 sを下記式 (a)によって決定することを特徴とする球状物の形成方法。 s= [ (D/k) 3+ { (D/k) 2-d2}3/2]/ (3d2A) -B/A . · (a)
ただし、 A, B, kは係数であり、 Dは球状物の球径であり、 dは細線の線径である。
[2] 請求項 1において、下記式 (b)から溶融長 Lを求め、この溶融長 Lと下記式 ( から レーザパルス幅下限値を求め、前記レーザ光を照射する照射時間を前記レーザパ ルス幅下限値以上にすることを特徴とする球状物の形成方法。
L= [ (D/k) 3+ { (D/k) 2— d2}3/2]/3d2 · · · (b)
(レーザパルス幅下限値 [ms]) =PL2 + QL+R · · · (c)
ただし、 P, Q, Rは係数である。
[3] 請求項 1又は 2において、複数の細線の先端に球状物を形成する場合であって、 既に実際に形成した球状物の球径を計測し、次に球状物を形成するために前記距 離 sを決定する際に前記計測した球径をフィードバックして距離 sの決定に反映させる ことを特徴とする球状物の形成方法。
[4] 請求項 3にお 、て、前記距離 sの決定に反映させる方法は、前記計測した球径と前 記距離 sを決定する際に用いた球径との差を計算し、この差を前記式 (a)の係数 A, B, kに反映させる方法であることを特徴とする球状物の形成方法。
[5] 細線の先端から距離 sだけ離れた該細線上に、レーザ光の照射中心が当たるように 該レーザ光を照射することにより、前記細線を加熱溶融し、前記細線の先端に球状 物を形成し、
前記距離 sと下記式 (d)から溶融長 Lを予め求めることにより前記細線の先端から距 離 Lだけ離れた該細線上の位置に前記球状物が形成されると予測しておき、前記細 線の先端に形成された球状物が凝固する前に、前記予測した位置と接合対象物を 重ね合わせて前記接合対象物に前記球状物を接合することを特徴とする細線の接 合方法。
L=As + B ' " (d)
ただし、 A, Bは、係数である。
[6] 請求項 5にお 、て、前記細線上に前記レーザ光を照射する際、前記細線に前記球 状物が形成されると前記球状物が前記接合対象物に接触するように前記接合対象 物を配置しておき、前記照射中心を通る前記レーザ光の光軸が前記接合対象物を 通るように前記光軸を傾斜させることを特徴とする細線の接合方法。
[7] 請求項 6において、前記球状物の中心から前記接合対象物の表面に下ろした垂線 と前記接合対象物との接点を前記光軸が通るように、前記レーザ光を前記細線上に 照射することを特徴とする細線の接合方法。
[8] 細線の先端から距離 sだけ離れた該細線上に、レーザ光の照射中心が当たるように 該レーザ光を照射することにより、前記細線を加熱溶融し、前記細線の先端に球状 物を形成し、
前記距離 sと下記式 (d)から溶融長 Lを予め求めることにより前記細線の先端から距 離 Lだけ離れた該細線上の位置に前記球状物が形成されると予測しておき、前記予 測した位置の前記球状物を接合対象物上に移動させ、
前記球状物にレーザ光を照射することにより、前記接合対象物に前記球状物を接 合することを特徴とする細線の接合方法。
L=As + B ' " (d)
ただし、 A, Bは、係数である。
[9] レーザ光を用いて細線の先端に球状物を形成するレーザ処理装置であって、 レーザ光を細線に照射するレーザ光照射機構と、
前記細線の先端力 距離 sだけ離れた該細線上にレーザ光の照射中心が当たるよ うに、前記細線を保持する保持機構と、
を具備し、
前記距離 sを下記式 (a)によって決定することを特徴とするレーザ処理装置。
s= [ (D/k) 3+ { (D/k) 2-d2}3/2]/ (3d2A) -B/A · · (a)
ただし、 A, B, kは係数であり、 Dは球状物の球径であり、 dは細線の線径である。
[10] 請求項 9において、下記式 (b)から溶融長 Lを求め、この溶融長 Lと下記式 ( から
レーザパルス幅下限値を求め、前記レーザ光を照射する照射時間を前記レーザパ ルス幅下限値以上にすることを特徴とするレーザ処理装置。
L= [ (D/k) 3+ { (D/k) 2-d2}3/2]/3d2 · · · (b)
(レーザパルス幅下限値 [ms]) =PL2 + QL+R · · · (c)
ただし、 P, Q, Rは係数である。
[11] 請求項 9又は 10において、細線の先端に形成された球状物の球径を計測する計 測機構をさらに具備し、この計測機構によって既に実際に形成した球状物の球径を 計測し、次に球状物を形成するために前記距離 sを決定する際に前記計測した球径 をフィードバックして距離 sの決定に反映させることを特徴とするレーザ処理装置。
[12] 請求項 11にお 、て、前記距離 sの決定に反映させる方法は、前記計測した球径と 前記距離 sを決定する際に用いた球径との差を計算し、この差を前記式 (a)の係数 A , B, kに反映させる方法であることを特徴とするレーザ処理装置。
[13] レーザ光を照射するレーザ光照射機構と、
前記細線の先端力 距離 sだけ離れた該細線上にレーザ光の照射中心が当たるよ うに、前記細線を保持する第 1保持機構と、
接合対象物を保持する第 2保持機構と、
前記距離 sと下記式 (d)から溶融長 Lを予め計算することにより前記細線の先端から 距離 Lだけ離れた該細線上の位置に前記球状物が形成されると予測する演算部と、 を具備し、
前記レーザ光を用いて前記細線の先端に球状物を形成し、前記球状物が凝固す る前に、前記演算部により予測した位置と接合対象物を重ね合わせて前記接合対象 物に前記球状物を接合することを特徴とするレーザ処理装置。
L=As + B ' " (d)
ただし、 A, Bは、係数である。
[14] 請求項 13において、前記第 2保持機構は、前記細線に前記球状物が形成されると 前記球状物が前記接合対象物に接触するように前記接合対象物を保持するもので あり、
前記第 1保持機構は、前記照射中心を通る前記レーザ光の光軸が前記接合対象
物を通るように前記細線を保持することを特徴とするレーザ処理装置。
[15] 請求項 14において、前記第 1保持機構は、前記球状物の中心から前記接合対象 物の表面に下ろした垂線と前記接合対象物との接点を前記光軸が通るように前記細 線を保持することを特徴とするレーザ処理装置。
[16] レーザ光を照射するレーザ光照射機構と、
前記細線の先端力 距離 sだけ離れた該細線上にレーザ光の照射中心が当たるよ うに、前記細線を保持する第 1保持機構と、
接合対象物を保持する第 2保持機構と、
前記第 1保持機構又は前記第 2保持機構を移動させる移動機構と、
前記距離 sと下記式 (d)から溶融長 Lを予め計算することにより前記細線の先端から 距離 Lだけ離れた該細線上の位置に前記球状物が形成されると予測する演算部と、 を具備し、
前記レーザ光を用いて前記細線の先端に球状物を形成し、前記移動機構を用い て前記第 1保持機構又は前記第 2保持機構を移動させることにより、前記演算部によ つて予測した位置の前記球状物を前記接合対象物に接触させ、前記レーザ光照射 機構を用いて前記球状物にレーザ光を照射することにより前記接合対象物に前記球 状物を接合することを特徴とするレーザ処理装置。
L=As + B ' " (d)
ただし、 A, Bは、係数である。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007524054A JPWO2007004609A1 (ja) | 2005-07-05 | 2006-07-03 | 球状物の形成方法、細線の接合方法及びレーザ処理装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005196528 | 2005-07-05 | ||
JP2005-196528 | 2005-07-05 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2007004609A1 true WO2007004609A1 (ja) | 2007-01-11 |
Family
ID=37604470
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2006/313228 WO2007004609A1 (ja) | 2005-07-05 | 2006-07-03 | 球状物の形成方法、細線の接合方法及びレーザ処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2007004609A1 (ja) |
WO (1) | WO2007004609A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013016366A (ja) * | 2011-07-05 | 2013-01-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電線導体部の溶接方法、電線およびワイヤハーネス |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5823450A (ja) * | 1981-08-06 | 1983-02-12 | Toshiba Corp | ワイヤボンデイング方法 |
JPH0563017A (ja) * | 1991-09-03 | 1993-03-12 | Ricoh Co Ltd | ワイヤボンデイング方法及びワイヤボンデイング装置 |
JP2004058109A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Seiwa Seisakusho:Kk | 接合方法 |
-
2006
- 2006-07-03 JP JP2007524054A patent/JPWO2007004609A1/ja not_active Withdrawn
- 2006-07-03 WO PCT/JP2006/313228 patent/WO2007004609A1/ja active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5823450A (ja) * | 1981-08-06 | 1983-02-12 | Toshiba Corp | ワイヤボンデイング方法 |
JPH0563017A (ja) * | 1991-09-03 | 1993-03-12 | Ricoh Co Ltd | ワイヤボンデイング方法及びワイヤボンデイング装置 |
JP2004058109A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Seiwa Seisakusho:Kk | 接合方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013016366A (ja) * | 2011-07-05 | 2013-01-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電線導体部の溶接方法、電線およびワイヤハーネス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2007004609A1 (ja) | 2009-01-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6521861B2 (en) | Method and apparatus for increasing welding rate for high aspect ratio welds | |
CN107378249A (zh) | 激光堆焊方法 | |
CN110936016B (zh) | 用于激光焊接的方法和设备 | |
KR20150053807A (ko) | 표면 토폴로지 에너지 전달 보상에 의한 초합금 레이저 클래딩 | |
JP6719348B2 (ja) | アルミニウム接合体の製造方法 | |
KR20150027834A (ko) | 아크를 지탱할 수 없는 소모식 핫 와이어 | |
JP2006021217A5 (ja) | ||
JP6285154B2 (ja) | レーザ溶接方法及びレーザ溶接システム | |
US10835994B2 (en) | Method for joining two components in the region of a joint zone by means of at least one laser beam, and method for generating a continuous joint seam | |
JP2008500903A (ja) | ろう付けのための方法及び装置 | |
JP5812527B2 (ja) | ホットワイヤレーザ溶接方法と装置 | |
KR102240307B1 (ko) | 적층 금속박의 용접 방법 | |
Ismail et al. | Direct micro-joining of flexible printed circuit and metal electrode by pulsed Nd: YAG laser | |
JP7058955B2 (ja) | 溶接部を有するワークと、ワークのための溶接装置と、溶接方法 | |
TW202009082A (zh) | 多光束焊錫系統及多光束焊錫方法 | |
JP4848921B2 (ja) | 複合溶接方法と複合溶接装置 | |
JP2011161452A (ja) | レーザー溶接方法及びレーザー溶接装置 | |
WO2007004609A1 (ja) | 球状物の形成方法、細線の接合方法及びレーザ処理装置 | |
JP2005279744A (ja) | 高エネルギビームを用いた異種材料の突合せ接合方法 | |
JP2006205216A (ja) | レーザ溶接装置、及びレーザ溶接方法 | |
CN115697623A (zh) | 汇流条以及汇流条的制造方法 | |
JP2010051989A (ja) | レーザ接合方法 | |
JP2012030263A (ja) | レーザ溶接方法とレーザ溶接装置 | |
JPH07284931A (ja) | 溶融加工装置および溶融加工の制御方法および溶融加工の監視方法 | |
US11794285B2 (en) | Method and apparatus for welding an aluminum alloy |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application | ||
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2007524054 Country of ref document: JP |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 06780732 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |