TW202009082A

TW202009082A - 多光束焊錫系統及多光束焊錫方法

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Publication number: TW202009082A
Application number: TW107128601A
Authority: TW
Inventors: 丁仁峰; 陳鴻文; 吳澍涵
Original assignee: 台達電子工業股份有限公司
Priority date: 2018-08-16
Filing date: 2018-08-16
Publication date: 2020-03-01

Abstract

一種多光束焊錫系統，包含多光束掃描系統、感測器及控制器。上述多光束掃描系統用以產生至少第一光束及第二光束，並引導此第一光束至焊錫區之第一元件，以及引導此第二光束至此焊錫區之第二元件。上述感測器用以在焊錫過程中同時偵測至少第一元件之第一溫度及第二元件之第二溫度。上述控制器用以在第一溫度大抵不同於第二溫度的狀態下調整第一光束及第二光束之參數。

Description

多光束焊錫系統及多光束焊錫方法

本發明是有關於焊錫系統及焊錫方法，且特別是有關於多光束的焊錫系統及焊錫方法。

焊錫製程為生產電子產品的必要作業流程之一，隨著產品的精緻化、微縮化，以及或者焊錫設備於機構或動作上的拘束，許多焊錫製程受限於設計，傳統接觸式焊錫工法已無法達到現今的需求。因此，對應開發出非接觸式焊錫工法，則能夠達到更高精度的焊錫，再加上沒有接觸式的烙鐵頭機構，針對極微小、嚴苛的焊錫工作位置在空間規畫上更可以靈活運用，加熱時間上也能縮短一半以上。

非接觸式焊錫工法主要是利用光源產生一道光束，再經由光纖傳輸而在設備內經由透鏡組調整光路，以將此光束匯聚在待焊錫區域。加熱過程會先將元件針腳與焊盤預熱，進而使其兩者達到焊料的熔點溫度，使元件透過焊料結合於電路板上。

在先前技術中，中國專利CN105772939B介紹了利用雷射雙光束的焊接設備及方法，其發明的特徵為使用分束器及雷射掃描裝置將雙光束分別作用於焊料及待焊區域，以解決焊接質量不夠高、焊接過程不穩定、焊絲填充效果不佳等缺陷。然而，由於包覆於焊料的助焊劑之熔點遠低於焊接金屬之熔點，此焊接方法直接將光束聚焦於焊料會造成助焊劑先行揮發而無法產生其功用，再者，此焊接方法甚至會造成焊料的噴濺而污染作業區域。

雖然，現今非接觸式焊錫工法做出了許多發展，以致力於電子產品尺寸的縮小。但是，在電子產品持續微縮化的發展下，為了更精進電子產品的製程，非接觸式焊錫工法也不斷地面臨新的挑戰。

本發明的一些實施例提供一種多光束焊錫系統，包含多光束掃描系統、感測器及控制器。上述多光束掃描系統用以產生至少第一光束及第二光束，並引導此第一光束至焊錫區之第一元件，以及引導此第二光束至此焊錫區之第二元件。上述感測器用以在焊錫過程中同時偵測至少第一元件之第一溫度及第二元件之第二溫度。上述控制器用以在第一溫度大抵不同於第二溫度的狀態下調整第一光束及第二光束之參數。

本發明的另一些實施例提供一種多光束焊錫方法，包含引導第一光束以加熱位於基板之焊錫區上之待焊物之第一元件，並引導第二光束以加熱此基板之焊錫區之第二元件。在加熱的同時偵測至少第一元件之第一溫度及第二元件之第二溫度，並在此第一溫度大抵不同於此第二溫度的狀態下調整該第一光束及該第二光束之參數。

本發明的多光束焊錫系統可以多種類型的光路來實施，為讓本發明之特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出包含多光束掃描系統之多種應用類型之多光束焊錫系統的實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

100‧‧‧多光束焊錫方法

101、102、103、104‧‧‧步驟

200‧‧‧多光束焊錫系統

201‧‧‧基板

202‧‧‧焊錫區

203‧‧‧第一元件

204‧‧‧第二元件

210‧‧‧多光束掃描系統

211‧‧‧光源

212‧‧‧振鏡掃描系統或致動儀器

213‧‧‧鏡片組

214‧‧‧第一光束

215‧‧‧第二光束

220‧‧‧感測器

221‧‧‧可見光、不可見光或色溫

230‧‧‧控制器

301‧‧‧振鏡鏡片

401‧‧‧反射鏡

501‧‧‧第一分光鏡

502‧‧‧第二分光鏡

601‧‧‧光束

602‧‧‧聚焦點

603‧‧‧非聚焦區域

藉由以下詳細描述和範例配合所附圖式，可以更加理解本發明實施例。為了使圖式清楚顯示，圖式中各個不同的元件可能未依照比例繪製，其中：第1圖是根據本揭露之一些實施例，繪示出多光束焊錫的例示性方法。

第2圖是根據本揭露之一些實施例，繪示出多光束焊錫系統之示意圖。

第3圖是根據本揭露之一些實施例，繪示出使用振鏡掃描系統改變光束之匯聚位置之示意圖。

第4A-4B圖是根據本揭露之一些實施例，繪示出使用振鏡掃描系統及反射鏡之組合，改變光束之匯聚位置之示意圖。

第5A-5B圖是根據本揭露之一些實施例，繪示出使用振鏡掃描系統、反射鏡及分光鏡之組合，改變光束之匯聚位置之示意圖。

第6圖是根據本揭露之一些實施例，繪示出光束之聚焦點及非聚焦區域之示意圖。

第7圖是根據本揭露之一些實施例，繪示出第一光束及第二光束之聚焦能量分布圖。

第8圖是根據本揭露之一些實施例，繪示出所偵測的第一元件與第二元件之溫度接近一致之示意圖。

以下揭露提供了許多的實施例或範例，用於實施所提供的電容結構之不同元件。各元件和其配置的具體範例描述如下，以簡化本發明實施例之說明。當然，這些僅僅是範例，並非用以限定本發明實施例。舉例而言，敘述中若提及第一元件形成在第二元件之上，可能包含第一和第二元件直接接觸的實施例，也可能包含額外的元件形成在第一和第二元件之間，使得它們不直接接觸的實施例。此外，本發明實施例可能在不同的範例中重複參考數字及/或字母。如此重複是為了簡明和清楚，而非用以表示所討論的不同實施例之間的關係。

再者，「約」、「大約」、「大抵」之用語通常表示在一給定值或範圍的40%之內，較佳是20%之內，且更佳是10%之內，或5%之內，或3%之內，或2%之內，或1%之內。在此給定的數量為大約的數量，亦即在沒有特定說明「約」、「大約」、「大抵」的情況下，仍可隱含「約」、「大約」、「大抵」之含義。

以下描述實施例的一些變化。在不同圖式和說明的實施例中，相似的元件符號被用來標示相似的元件。可以理解的是，在方法的前、中、後可以提供額外的步驟，且一些所敘述的步驟可在該方法的其他實施例被取代或刪除。

本發明提供多光束焊錫系統及多光束焊錫方法的實施例，同時使用多光束進行焊錫製程，並以感測器偵測元件針腳、焊盤、或其他待焊錫元件的溫度，即時將各元件溫度回饋給控制器，再以控制器調整光束之參數，而均勻加熱元件針腳、焊盤、或其他待焊錫元件，而提升焊點的結構強度及其品質。

傳統的雷射焊錫以單一雷射光束聚焦在待焊錫區，此單一雷射光束主要加熱元件針腳及焊盤等部分，而雷射光束聚焦的能量在橫向距離上成高斯分布(Gaussian distribution)，且由於待焊錫元件之個別材料的熱傳導係數不同，使得待焊錫區的元件在預熱過程中所達到的溫度具有較大的差異，造成表面能不同而導致潤濕(Wetting)程度不一致，影響焊料在元件針腳及焊盤產生不均勻分布的結構與緻密性，進而降低焊點結構的強度及其牢固性，甚至有可能出現空焊(Solder empty)、假焊(Non-wetting)、或冷焊(Cold-soldering)等有缺陷的焊點。

本揭露之實施例利用多光束同時均勻加熱元件針腳以及焊盤，以感測器分別偵測元件針腳及焊盤的溫度，並回饋至控制器以調整多光束之參數，透過均勻加熱而使得元件針腳及焊盤之溫度大抵一致，進而提高潤濕程度，提升焊點結構強度，以維持優良的焊錫品質。

以下將參照第1圖之多光束焊錫方法100並搭配第2圖之多光束焊錫系統200說明本發明之實施例。如第2圖所示，本發明之多光束焊錫系統200主要包含多光束掃描系統(multi-beam scanner)210、感測器220、及控制器230。在一些實施例中，步驟101引導第一光束214加熱第一元件203並以第二光束215加熱第二元件204，於步驟102中使用感測器220偵測第一元件203之第一溫度及第二元件204之第二溫度，若所偵測之元件溫度大抵相同，則續行至步驟103而不需調整第一光束214及第二光束215之參數。反之，若所偵測之元件溫度大抵不同，則會續行至步驟104以驅動控制器230調整該第一光束214及該第二光束215之參數。在一些實施例中，感測器220將所偵測到的第一元件203及第二元件204的溫度分別即時回饋給控制器230，控制器230可自動調變各光束分別的參數，以將第一元件203及第二元件204加熱至大抵相同的溫度。

在一些實施例中，第2圖之多光束掃描系統210包含光源211、鏡片組213、以及振鏡掃描系統(Galvanometric scanner)212。多光束掃描系統210用以產生第一光束214及第二光束215，並如第1圖之步驟101，引導第一光束214至焊錫區202的第一元件203，以及引導第二光束215至焊錫區202的第二元件204，以分別加熱第一元件 203及第二元件204。如圖中所示，第一元件203為位於焊錫區202上的待焊物的元件，而第二元件204為基板201上位於焊錫區202之元件。在一些實施例中，第一元件203為元件針腳，以及第二元件204為焊盤。在其他實施例中，第一元件203可以是電線、表面貼裝元件(surface-mount devices，SMD)焊腳、積體電路晶片(integrated circuit chip，IC chip)焊腳、球柵陣列封裝(ball grid array，BGA)焊腳或焊盤，而第二元件204可以是元件針腳、電線、表面貼裝元件(surface-mount devices，SMD)焊腳、積體電路晶片(integrated circuit chip，IC chip)焊腳、或球柵陣列封裝(ball grid array，BGA)焊腳。根據本揭露之一些實施例，使用第一光束214及第二光束215分別加熱第一元件203及第二元件204可使得能量分布更為平均，進而使第一元件203之第一溫度與第二元件204之第二溫度接近相同，進而提高潤濕程度，提升焊點結構強度，以維持優良的焊錫品質。

根據本揭露之一些實施例，光源211用以產生至少一道光束，如第2圖所示，光源211產生兩道光束，分別為第一光束214及第二光束215，但並不限於此，光源211所產生之光束的數量可以是三、四、五道以上的多光束。根據本揭露之其他實施例，光源211可僅產生一道光束，並利用分光鏡而分成多道光束。根據本揭露之一些實施例，光源211所產生之光束可為複數聚焦光束或複數平行光束。在一些實施例中，光源211可為雷射光、X射線、紫外光、兆赫波、微波、或前述之組合。在一些實施例中，光源211可為複數個光源，並且複數個光源可為相同或不同種類的光源。

根據本揭露之一些實施例，鏡片組213用以引導光源211所產生之光束，如第2圖所示，鏡片組213可引導第一光束214至第一元件203，以及引導第二光束215至第二元件204，但並不以此為限，鏡片組213可以不同的鏡片組合來引導複數個光束至複數個元件。在一些實施例中，鏡片組213可引導一道或一道以上的光束至第一元件203，並同時引導一道或一道以上的光束至第二元件204。舉例來說，在一些實施例中，鏡片組213可引導一道光束至第一元件203，並引導二道光束至第二元件204；或者在其他實施例中，鏡片組213可引導三道光束至第一元件203，並引導一道光束至204。換句話說，利用鏡片組213分別引導至第一元件203及第二元件204的光束數量並不以此為限，其可依據加熱的狀態而調整，用以均勻加熱第一元件203及第二元件204，使其達到接近一致的溫度。在一些實施例中，鏡片組213包含至少一個反射鏡、至少一個分光鏡、或前述兩者之組合，用以引導光束而改變其匯聚位置。

第3-5B圖係根據本揭露之一些實施例，繪示出利用鏡片組213所包含之反射鏡401及/或分光鏡501/502及/或振鏡掃描系統212之振鏡鏡片301之不同位置，以及反射鏡401、分光鏡501/502、及振鏡鏡片301所分別具有的表面塗層，組合出不同的例示性配置方式，來調整多光束之匯聚位置，分別將光束引導至焊錫區202待焊錫的元件，進而使得待焊錫的元件能均勻加熱。

根據本揭露之一些實施例，多光束掃描系統210包含振鏡掃描系統212，並且振鏡掃描系統212包含至少一個振鏡鏡片301，用以引導光束而改變其匯聚位置。第3圖係根據本揭露之一些實施例，繪示出不同波長之第一光束214及第二光束215藉由振鏡鏡片301改變其分別的匯聚位置。振鏡掃描系統212之振鏡鏡片301具有表面塗層，在一些實施例中，如第3圖所示，第一光束214可直接穿透振鏡鏡片301，第二光束215則會經由振鏡鏡片301反射。

舉例來說，振鏡鏡片301之表面塗層對於光束之波長在可見光波長(約400奈米(nm))至紅外光波長(約1900奈米(nm))區間的反射率大於99%。因此當第一光束214之波長在可見光波長(約400奈米)至紅外光波長(約1900奈米)區間之外的範圍時，第一光束214可直接穿透振鏡鏡片301；而第二光束215之波長範圍則在可見光波長(約400奈米)至紅外光波長(約1900奈米)的區間，因此，第二光束215會經由振鏡鏡片301反射。

在一些實施例中，如第3圖所示，第一光束214可為固定光路的光束，而第二光束215藉由振鏡鏡片301反射而改變其光路，使得第一光束214與第二光束215為平行且近乎同軸，照射於同一平面上，藉由調整振鏡鏡片 301而調整第二光束215之匯聚位置，進而引導第一光束214至第一元件203並引導第二光束215至第二元件204。

值得注意的是，此處有關振鏡鏡片301之表面塗層與所對應光束之波長範圍的反射率、折射率、穿透率等光學性質僅為例示性的，本發明並不以此為限。

根據本揭露之另一些實施例，多光束掃描系統210包含鏡片組213，並且鏡片組213包含至少一個反射鏡401，用以引導光束而改變其匯聚位置。第4A、4B圖係根據本揭露之另一些實施例，繪示出不同波長之第一光束214及第二光束215藉由振鏡鏡片301及反射鏡401之組合改變其分別的匯聚位置。反射鏡401以及振鏡鏡片301分別具有表面塗層，在一些實施例中，如第4A圖所示，第一光束214可直接穿透反射鏡401，第二光束215則會先經由振鏡鏡片301反射再經由反射鏡401反射。

舉例來說，反射鏡401之表面塗層，對於光束之波長在約400奈米至約700奈米區間的反射率大於約90%，而對於光束之波長在約1650奈米至約2100奈米區間的穿透率大於90%。舉例來說，振鏡鏡片301之表面塗層對於光束之波長在可見光波長(約400奈米)至紅外光波長(約1900奈米)區間的反射率大於約99%。在此情形下，當第一光束214之波長範圍在約1650奈米至約2100奈米的區間時，第一光束214可直接穿透反射鏡401；而第二光束215之波長範圍則可在約400奈米至約700奈米區間，因此，第二光束215會先經由振鏡鏡片301反射再經由反射鏡401反射。

在一些實施例中，如第4A圖所示，第一光束214可為固定光路的光束，而第二光束215先經由振鏡鏡片301反射而再經由反射鏡401反射而改變其光路，使得第一光束214與第二光束215為平行且近乎同軸，照射於同一平面上，藉由調整振鏡鏡片301及反射鏡401而調整第二光束215之匯聚位置，進而分別引導第一光束214至第一元件203並引導第二光束215至第二元件204。

值得注意的是，此處有關振鏡鏡片301及反射鏡401之表面塗層與所對應光束之波長範圍的反射率、折射率、穿透率等光學性質僅為例示性的，並不以此為限。

在一些實施例中，如第4B圖所示，第一光束214會經由反射鏡401反射，第二光束215則會先經由振鏡鏡片301反射再直接穿透反射鏡401。在一些實施例中，舉例來說，反射鏡401及振鏡鏡片301之分別的表面塗層，具有如上述第4A圖所提供之實施例相同之光學性質，此處不再贅述。

在一些實施例中，如第4B圖所示，第一光束214之波長範圍可在約400奈米至約700奈米的區間，因此，第一光束214可經由反射鏡401反射；而第二光束215之波長範圍則可在約1650奈米至約1900奈米區間，因此，第二光束215會先經由振鏡鏡片301反射再直接穿透反射鏡401。

在一些實施例中，如第4B圖所示，第一光束 214可為經由反射鏡401反射之固定光路的光束，而第二光束215先經由振鏡鏡片301反射改變其光路再直接穿透反射鏡401，使得第一光束214與第二光束215為平行且近乎同軸，照射於同一平面上，藉由調整振鏡鏡片301及反射鏡401而調整第二光束215之匯聚位置，進而分別引導第一光束214至第一元件203並引導第二光束215至第二元件204。

根據本揭露之又一些實施例，多光束掃描系統210包含振鏡掃描系統212及鏡片組213，並且振鏡掃描系統212包含至少一個振鏡鏡片301，而鏡片組213包含至少一個反射鏡401及一個分光鏡501/502，用以引導光束而改變其匯聚位置。第5A、5B圖係根據本揭露之又一些實施例，繪示出不同波長之第一光束214及第二光束215藉由振鏡鏡片301、反射鏡401、及分光鏡501/502之組合來改變其分別的匯聚位置，其中第5A、5B圖中的振鏡鏡片301與反射鏡401配置於不同的位置。在一些實施例中，亦可將單一光束利用第一分光鏡501分為第一光束214及第二光束215，再藉由振鏡鏡片301、反射鏡401、及第二分光鏡502之組合來改變其分別的匯聚位置。在一些實施例中，分光鏡501/502為偏極化分光鏡(Polarization beam splitters，PBS)。

在一些實施例中，如第5A圖，繪示出單一光束利用第一分光鏡501分為第一光束214及第二光束215，第一光束214與第二光束215具有不同之光路，第一光束 214先經由反射鏡401反射再直接穿透第二分光鏡502；而第二光束215經由振鏡鏡片301反射再經由第二分光鏡502反射。在其他實施例中，第一光束214及第二光束215也可以是直接來自光源所產生的兩道光束，其第一光束214直接穿透第一分光鏡501，而第二光束215則是經由第一分光鏡501反射。

根據本揭露之一些實施例，鏡片組213所包含之反射鏡401、分光鏡501/502以及振鏡掃描系統212所包含之振鏡鏡片301分別具有表面塗層。在一些實施例中，第一分光鏡501與第二分光鏡502可具有相同的表面塗層。在一些實施例中，第一分光鏡501與第二分光鏡502可具有不同的表面塗層。舉例來說，鏡片組213之反射鏡401與振鏡系統之振鏡鏡片301具有相同的表面塗層，對於光束之波長在可見光波長(約400奈米)至紅外光波長(約1900奈米)區間的反射率大於約99%。另一方面，鏡片組213之第一分光鏡501之表面塗層對於光束之波長在約400奈米至約700奈米的區間具有高反射率(例如反射率大於約90%)，而對於光束之波長在約1650奈米至約2100奈米的區間具有高穿透率(例如穿透率大於約90%)。

在一些實施例中，如第5A圖所示，舉例來說，第一光束214之波長可在約1650奈米至約1900奈米的區間，可直接穿透第一分光鏡501，並經由反射鏡401反射再直接穿透第二分光鏡502；而第二光束215之波長範圍可在約400奈米至約700奈米區間，第二光束215則會接連經由第一分光鏡501反射、經由振鏡鏡片301反射、並且經由第二分光鏡502反射。

在其他實施例中，提供具有其他表面塗層之第一分光鏡501，舉例來說，第一分光鏡501之表面塗層對於光束之波長在約900奈米至約1100奈米的區間具有高反射率(例如反射率大於約98%)，而對於光束之波長在約1650奈米至約2100奈米的區間具有高穿透率(例如穿透率大於約93%)。在此情況下，當第一光束214之波長在約1650奈米至約1900奈米的區間，而第二光束215之波長範圍在約400奈米至約1100奈米區間，可達成如第5A圖所示之引導光束的路徑。值得注意的是，此處有關振鏡鏡片301、反射鏡401、及第一分光鏡501之表面塗層與所對應光束之波長範圍的反射率、折射率、穿透率等光學性質僅為例示性的，本發明並不以此為限。

在一些實施例中，如第5A圖所示，第一光束214可為經由反射鏡401反射之固定光路的光束，而第二光束215接連經由第一分光鏡501反射、經由振鏡鏡片301反射、並且經由第二分光鏡502反射而改變其光路，使得第一光束214與第二光束215為平行且近乎同軸，照射於同一平面上，藉由調整振鏡鏡片301、反射鏡401、第一分光鏡501、及第二分光鏡502而調整第二光束215之匯聚位置，進而分別引導第一光束214至第一元件203並引導第二光束215至第二元件204。

在一些實施例中，如第5B圖，繪示出單一光束利用第一分光鏡501分為第一光束214及第二光束215，第一光束214與第二光束215具有不同之光路，第一光束214先經由反射鏡401反射再經由第二分光鏡502反射；而第二光束215經由振鏡鏡片301反射再穿透第二分光鏡502。在其他實施例中，第一光束214與第二光束215也可以是直接來自光源所產生的兩道光束，其第一光束214會經由第一分光鏡501反射，而第二光束215則是直接穿透第一分光鏡501。

在一些實施例中，第一分光鏡501與第二分光鏡502可具有相同的表面塗層。在一些實施例中，第一分光鏡501與第二分光鏡502可具有不同的表面塗層。舉例來說，鏡片組213之反射鏡401與振鏡系統之振鏡鏡片301具有相同的表面塗層，對於光束之波長在可見光波(約400奈米)長至紅外光波長(約1900奈米)區間的反射率大於約99%。另一方面，鏡片組213所包含之第一分光鏡501之表面塗層對於光束之波長在約400奈米至約700奈米的區間具有高反射率(例如反射率大於約90%)，而對於光束之波長在約1650奈米至約2100奈米的區間具有高穿透率(例如穿透率大於約90%)。

在一些實施例中，如第5B圖所示，舉例來說，第一光束214之波長範圍可在約400奈米至約700奈米的區間，第一光束214會接連經由第一分光鏡501反射、經由反射鏡401反射、並經由第二分光鏡502反射；而第二光束215之波長範圍可在約1650奈米至約1900奈米區間，可直接穿透第一分光鏡501，經由振鏡鏡片301反射再直接穿透第二分光鏡502。

在其他實施例中，提供具有其他表面塗層之第一分光鏡501，舉例來說，第一分光鏡501之表面塗層對於光束之波長在約900奈米至約1100奈米的區間具有高反射率(例如反射率大於約98%)，而對於光束之波長在約1650奈米至約2100奈米的區間具有高穿透率(例如穿透率大於約93%)。在此情況下，當第一光束214之波長範圍在約900奈米至約1100奈米的區間，而第二光束215之波長範圍在約1650奈米至約1900奈米區間，可達成如第5B圖所示之引導光束的路徑。值得注意的是，此處有關振鏡鏡片301、反射鏡401、及第一分光鏡501之表面塗層與所對應光束之波長範圍的反射率、折射率、穿透率等光學性質僅為例示性的，本發明並不以此為限。

在一些實施例中，如第5B圖所示，第一光束214可為經由第一分光鏡501、反射鏡401、及第二分光鏡502反射之固定光路的光束，而第二光束215先穿透第一分光鏡501後經由振鏡鏡片301反射改變其光路再直接穿透第二分光鏡502，使得第一光束214與第二光束215為平行且近乎同軸，照射於同一平面上，藉由調整振鏡鏡片301及反射鏡401而調整第二光束215之匯聚位置，進而分別引導第一光束214至第一元件203並引導第二光束215至第二元件204。

如上所述，本揭露之一些實施例提供一道(或複數)光束以固定之光路照射於焊錫區202之第一元件203，並提供另一道(或複數)光束藉由振鏡掃描系統212調整此光束為作用於焊錫區202之第一元件203、第二元件204、或其他待焊錫之元件，進而使上述焊錫區202之元件溫度接近一致。在一些實施例中，經由振鏡掃描系統212及鏡片組213調整光束之匯聚位置，舉例來說，這些光束之匯聚位置可配合待焊物之元件的輪廓、外型、或待焊物的元件與焊盤的相對位置，依據幾何圖形來改變，例如圓形、環形、三角形、方型、六邊形、八邊形等多邊形，使得待焊錫的元件溫度更均勻的分布。

根據本揭露之其他實施例，如第2圖所示，多光束掃描系統210所包含之振鏡掃描系統212可替代為致動儀器。在一些實施例中，多光束掃描系統210所包含之致動儀器212可包含步進馬達、音圈馬達、或壓電致動器，用以控制光束之光路及其匯聚位置。在其他實施例中，經由致動儀器212及鏡片組213調整光束之匯聚位置，舉例來說，這些光束之匯聚位置可配合待焊物之元件的輪廓、外型、或待焊物的元件與焊盤的相對位置，依據幾何圖形來改變，例如圓形、環形、三角形、方型、六邊形、八邊形等多邊形，使得待焊錫的元件溫度更均勻的分布。

根據本揭露之一些實施例，光束601可為高斯光束(Gaussian beam)，或者光束601可具有類似高斯光束的光束形狀，如第6圖所示，光束601可匯聚在聚焦點602，即為在光束腰部(beam waist)，其中X座標為光斑直徑，Y座標為聚焦長度。在其他實施例中，光束601可匯聚在非聚焦區域603，即為在光束腰部之外的其他匯聚位置。

根據本揭露之一些實施例，第2圖之多光束焊錫系統200更包含感測器220，並如步驟102所示，感測器220可用以在焊錫的過程中同時偵測第一元件203之第一溫度及第二元件204之第二溫度。在一些實施例中，感測器220可為非接觸式感測器、接觸式感測器、或等效溫度感測器。在一些實施例中，感測器220之偵測目標可為可見光或不可見光221；或者在其他實施例中，感測器220之偵測目標可為遠紅外線或色溫，以偵測第一元件203之第一溫度及第二元件204之第二溫度。

根據本揭露之一些實施例，第2圖之多光束焊錫系統200更包含控制器230，並如步驟104所示，控制器230用以在第一元件203之第一溫度大抵不同於第二元件204之第二溫度的狀態下調整第一光束214及第二光束215之參數。在一些實施例中，控制器230可用以調整第一光束214及第二光束215之功率，以不同的功率調整光束以分別對於具有不同熱傳導係數的各個元件加熱升溫，使其達到接近一致的溫度。在一些實施例中，控制器230除了可用以調整第一光束214及第二光束215之功率，也可用以改變光束的匯聚位置、或者調整光束以聚焦點602或非聚焦區域603加熱待焊元件。根據本揭露之一些實施例，多光束焊錫系統200所包含之控制器230可為比例-積分-微分(proportional-integral-derivative，PID)控制器、模糊(Fuzzy )控制器或等效閉迴路(close-loop)控制器。

根據本揭露之一些實施例，如第1圖所示，步驟101引導第一光束214加熱第一元件203並以第二光束215加熱第二元件204，於步驟102中使用感測器220偵測第一元件203之第一溫度及第二元件204之第二溫度，若所偵測之元件溫度大抵相同，例如第一溫度與第二溫度的差異小於臨界值，則續行至步驟103而不需調整第一光束214及第二光束215之參數。反之，若所偵測之元件溫度大抵不同，例如在感測器220偵測到第一溫度與第二溫度的差異大於一臨界值的狀態下，則會續行至步驟104以驅動控制器230調整該第一光束214及該第二光束215之參數。在一些實施例中，此臨界值約為30%。在其他實施例中，此臨界值可約為25%、15%、或10%。在一些實施例中，感測器220具有熱影像儀，其透過焊錫區202的第一元件203及第二元件204(例如元件針腳及焊盤)的熱影像資訊(或所偵測到的各元件溫度)分別即時回饋給控制器230，控制器230可自動調變各光束分別的功率、改變光束的匯聚位置、或者調整光束以聚焦點602或非聚焦區域603加熱待焊元件，使得第一元件203及第二元件204加熱至相近的溫度，例如第一溫度與第二溫度的差異小於臨界值。

根據本揭露之一些實施例，舉例來說，用以判斷是否驅動控制器230之第一溫度與第二溫度差異的臨界值(例如是正負15%)，可經由調整控制器的比例-積分-微分(PID)參數而來。以焊料之熔點而言，有鉛焊料熔點約在183.3℃，SAC305無鉛焊料熔點約介於217℃至219℃之間，而SnCuNi無鉛焊料的熔點則約在227℃。以高於焊料之熔點的溫度來作為元件間的焊錫溫度，例如是280℃至400℃之間。在一些實施例中，此臨界值可為焊錫溫度與焊料熔點之差異的容許範圍。在其他實施例中，在使用具有不同於上述熔點之其他焊料的情況下，或者所使用的焊錫工件或控制器不同時，臨界值也會隨之改變。

根據本揭露之一些實施例，利用振鏡掃描系統或致動儀器212分別引導多光束至第一元件203或第二元件204上，並且分別以不同的功率將其加熱，可使得第一元件203及第二元件204在橫向距離上具有均勻的聚焦能量分布，即如第7圖所示。在一些實施例中，如第8圖所示，在第一元件203及第二元件204具有均勻的能量分布的狀態下，可使得第一元件203與第二元件204之溫度接近一致。

在本揭露之一些實施例中，利用振鏡掃描系統引導多光束同時均勻加熱元件針腳以及焊盤，同時以感測器分別偵測元件針腳及焊盤的溫度，並即時回饋至控制器以調整多光束之功率，透過均勻加熱而使得元件針腳及焊盤之溫度差異小於臨界值，例如臨界值約為30%，進而提高潤濕程度，提升焊點結構強度，以維持優良的焊錫品質。

以上概述數個實施例，以便在本發明所屬技術領域中具有通常知識者可以更理解本發明實施例的觀點。在本發明所屬技術領域中具有通常知識者應該理解，他們能以本發明實施例為基礎，設計或修改其他製程和結構，以達到與在此介紹的實施例相同之目的及/或優勢。在本發明所屬技術領域中具有通常知識者也應該理解到，此類等效的製程和結構並無悖離本發明的精神與範圍，且他們能在不違背本發明之精神和範圍之下，做各式各樣的改變、取代和替換。