WO2005109463A1 - 画像表示装置の製造方法 - Google Patents

画像表示装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2005109463A1
WO2005109463A1 PCT/JP2005/007726 JP2005007726W WO2005109463A1 WO 2005109463 A1 WO2005109463 A1 WO 2005109463A1 JP 2005007726 W JP2005007726 W JP 2005007726W WO 2005109463 A1 WO2005109463 A1 WO 2005109463A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
front substrate
image display
frame
substrate
display device
Prior art date
Application number
PCT/JP2005/007726
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hiroyuki Wada
Akiyoshi Yamada
Original Assignee
Kabushiki Kaisha Toshiba
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kabushiki Kaisha Toshiba filed Critical Kabushiki Kaisha Toshiba
Priority to EP05733985A priority Critical patent/EP1746623A1/en
Publication of WO2005109463A1 publication Critical patent/WO2005109463A1/ja
Priority to US11/538,569 priority patent/US7264529B2/en
Priority to US11/750,074 priority patent/US20070212972A1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
    • H01J9/26—Sealing together parts of vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
    • H01J9/26—Sealing together parts of vessels
    • H01J9/261—Sealing together parts of vessels the vessel being for a flat panel display
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
    • H01J9/241—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases the vessel being for a flat panel display
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
    • H01J2329/94—Means for exhausting the vessel or maintaining vacuum within the vessel
    • H01J2329/941—Means for exhausting the vessel

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a flat-shaped image display device having opposed substrates.
  • CTRs cathode ray tubes
  • image display devices include a liquid crystal display (hereinafter, referred to as an LCD) that controls the intensity of light by using the orientation of liquid crystal, and a plasma display panel (hereinafter, referred to as a PDP) that emits phosphors by ultraviolet rays of plasma discharge. ), A field emission display (hereinafter referred to as FED) that emits a phosphor by an electron beam of a field emission type electron-emitting device, and a surface conduction type electron-emitting device as one type of FED.
  • SEDs Surface conduction electron emission displays
  • FEDs generally have a front substrate and a rear substrate that are arranged opposite to each other with a predetermined gap therebetween, and these substrates are joined to each other through a rectangular frame-shaped side wall. By doing so, a vacuum envelope is formed.
  • a phosphor screen is formed on the inner surface of the front substrate, and a number of electron-emitting devices are provided on the inner surface of the rear substrate as electron emission sources for exciting the phosphor to emit light.
  • a plurality of support members are disposed between these substrates.
  • the potential on the back substrate side is almost the ground potential, and an anode voltage is applied to the phosphor screen.
  • an image is displayed by irradiating the red, green, and blue phosphors constituting the phosphor screen with the electron beams emitted from a large number of electron-emitting devices to cause the phosphors to emit light.
  • the thickness of the display device can be reduced to about several mm, and it is lighter and thinner than a CRT which is currently used as a display of a television or a computer. Can be achieved.
  • the PDP needs to be evacuated once and filled with a power discharge gas.
  • evacuating the envelope for example, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-229825, a method in which the final assembly of the front substrate and the rear substrate constituting the envelope is performed in a vacuum chamber Has been proposed
  • the front substrate and the rear substrate disposed in the vacuum chamber are sufficiently heated. This is to reduce outgassing from the inner wall of the envelope, which is the main cause of deterioration of the vacuum degree of the envelope.
  • a getter film for improving and maintaining the degree of vacuum of the envelope is formed on the phosphor screen.
  • the front substrate and the rear substrate are heated again to a temperature at which the sealing material is melted, and the front substrate and the rear substrate are combined in a predetermined position and cooled until the sealing material solidifies.
  • the vacuum envelope produced by such a method not only performs the sealing step and the vacuum sealing step, but also requires time such as the case where the inside of the envelope is evacuated using an exhaust pipe. And a very good degree of vacuum can be obtained.
  • the side wall of the above-mentioned envelope is formed of a glass frame as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-319346.
  • the glass frame is relatively small, it is manufactured by pressing directly from molten glass or by directly cutting out large-sized thin glass.
  • the present invention has been made in view of the above points, and has as its object to provide a method of manufacturing an image display device which is inexpensive and can be easily manufactured.
  • a method for manufacturing an image display device includes a front substrate and a rear substrate that are opposed to each other and have image display pixels, and a peripheral edge of the front substrate and the rear substrate.
  • a method for manufacturing an image display device including an envelope having a sealing portion in which the portions are sealed to each other, at least the inner peripheral edge of the front substrate and the inner peripheral edge of the rear substrate are provided.
  • FIG. 1 is a perspective view showing an FED according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a perspective view showing a state where a front substrate of the FED is removed.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1.
  • FIG. 4 is a plan view showing a phosphor screen of the FED.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state where a screen is formed on a front substrate in the FED manufacturing process.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state in which electron-emitting devices and the like are formed on a rear substrate in the FED manufacturing process.
  • FIG. 7 is a perspective view showing a state in which side walls have been formed in the above-mentioned FED manufacturing process.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a state in which an underlayer and an indium layer are formed on a front substrate in the above-described FED manufacturing process.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing a state in which an underlayer and an indium layer have been formed on a back substrate in the FED manufacturing process.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a state where a side wall is placed on a front substrate in the FED manufacturing process.
  • FIG. 11 shows a state in which a rear substrate is opposed to a front substrate in the FED manufacturing process. It is sectional drawing which shows a state.
  • FIG. 12 is a view schematically showing a vacuum processing apparatus used for manufacturing the FED.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing a state where side walls are bonded to a front substrate and a rear substrate in the FED manufacturing process.
  • FIG. 14 is a view showing another example of the protrusion on the side wall.
  • FIG. 15 is a view showing still another example of the protrusion on the side wall.
  • FIG. 16 is a view showing a state where the side walls of FIG. 15 are bonded.
  • FIG. 17 is a plan view showing a side wall according to another embodiment of the present invention.
  • this FED has a front substrate 11 and a rear substrate 12, each of which has a rectangular glass shape as an insulating substrate, and these substrates face each other with a gap of about l to 2 mm. Are located.
  • the front substrate 11 and the rear substrate 12 are joined to each other via a rectangular frame-shaped side wall 13 to form a flat rectangular vacuum envelope 10 in which the inside is maintained in a vacuum state. .
  • the peripheral portions of the front substrate 11 and the rear substrate 12 are joined to each other by a sealing portion 40. That is, between the sealing surface located at the inner peripheral edge of the front substrate 11 and the sealing surface located at the inner peripheral edge of the rear substrate 12, the side wall 13 functioning as a frame is arranged. Further, between the front substrate 11 and the side wall 13 and between the rear substrate 12 and the side wall 13, a base layer 31 formed on the sealing surface of each substrate and an indium layer formed on the base layer 31 are formed. 32 and 32 are respectively sealed by a sealing layer 33. These sealing layer 33 and side wall 13 constitute a sealing portion 40.
  • the cross-sectional shape of side wall 13 is circular.
  • a plurality of plate-shaped support members 14 are provided to support an atmospheric pressure load applied to the rear substrate 12 and the front substrate 11. These support members 14 extend in a direction parallel to the short side of the vacuum envelope 10, and are arranged at predetermined intervals along a direction parallel to the long side.
  • the shape of the support member 14 is In particular, a columnar support member that is not limited to this may be used!
  • a phosphor screen 16 is formed on the inner surface of the front substrate 11.
  • the phosphor screen 16 has striped phosphor layers R, G, and B emitting light of three colors, red, blue, and green, and a striped black light absorption layer serving as a non-light emitting portion located between these phosphor layers. It is composed of layers 20 side by side.
  • the phosphor layers R, G, and B extend in a direction parallel to the short side of the vacuum envelope 10, and are arranged at predetermined intervals along a direction parallel to the long side.
  • a metal back 17 which also has an aluminum force is deposited, and a getter film (not shown) is formed on the metal back.
  • a large number of field emission electron-emitting devices 22 each emitting an electron beam are provided as electron emission sources for exciting the phosphor layers R, G, and B. Yes. These electron-emitting devices 22 are arranged in a plurality of columns and a plurality of rows corresponding to each pixel.
  • a number of wirings 21 for supplying drive signals to the electron-emitting devices 22 are formed in a matrix, and the ends of the wirings 21 are extended to the peripheral edge of the rear substrate.
  • a phosphor screen 16 is formed on a plate glass serving as the front substrate 11.
  • a glass plate having the same size as the front substrate 11 is prepared, and a stripe pattern of the phosphor layer is formed on the glass plate by a plotter machine.
  • the plate glass on which the phosphor stripe pattern is formed and the plate glass for the front substrate are placed on a positioning jig and set on an exposure table, thereby exposing and developing to produce a phosphor screen 16.
  • the electron-emitting devices 22 are formed on the glass plate for the rear substrate.
  • a matrix-shaped conductive force layer is formed on the glass sheet, and an insulating film of silicon dioxide is formed on the conductive cathode layer by, for example, a thermal oxidation method, a CVD method, or a sputtering method.
  • a metal film for forming a gate electrode such as molybdenum or niobium is formed on the insulating film by, for example, a sputtering method or an electron beam evaporation method.
  • a resist pattern having a shape corresponding to the gate electrode to be formed is formed on the metal film by lithography. Using this resist pattern as a mask, wet etch the metal film.
  • the gate electrode 28 is formed by the etching method or the dry etching method.
  • a high strain point glass is used for the front substrate 11, the rear substrate 12, and the plate glass for the support member 14.
  • the insulating film is etched by wet etching or dry etching to form a cavity 25.
  • an electron beam evaporation is performed from a direction inclined at a predetermined angle with respect to the rear substrate surface, thereby forming a peeling layer on the gate electrode 28, for example, with aluminum or nickel.
  • molybdenum as a material for forming a force sword is deposited by an electron beam evaporation method from a direction perpendicular to the surface of the rear substrate.
  • the electron-emitting device 22 is formed inside each cavity 25.
  • the release layer together with the metal film formed thereon is removed by a lift-off method.
  • a side wall 13 as a metal frame disposed on the peripheral portion of the substrate is formed.
  • the side wall 13 is formed by a metal round bar or wire having a circular cross section. That is, the side wall 13 is bent at three places to a required size to form a rectangular frame shape, and both ends are welded by a laser welding machine. Welding is performed by using a laser welding machine to melt only the welded part instantaneously.
  • the metal used for the side wall 13 is, for example, a conductive metal such as a simple substance or an alloy containing any of Fe, Ni, and Ti, or a non-conductive metal such as glass or ceramic. .
  • a Ni alloy or the like is used.
  • a plurality of metal-made elastic projections 13a are provided on the periphery of the side wall 13 at predetermined intervals in the circumferential direction so as to be physically directed outward.
  • the projection 13a is inclined obliquely downward so as to be directed downward, and is integrally formed on the side wall 13 by welding or the like.
  • the sealing surface located on the inner peripheral edge of the front substrate 11 and the sealing surface located on the inner peripheral edge of the rear substrate 12 are screen-printed.
  • a silver paste is applied respectively to form a frame-shaped base layer 31.
  • indium as a metal sealing material having conductivity is applied on each underlayer 31 to form an indium layer 32 extending over the entire circumference of each underlayer.
  • the metal sealing material has a melting point of about 350 ° C or less, and has a low melting point with excellent adhesion and bonding properties. It is desirable to use a point metal material.
  • Indium (In) used in the present embodiment has excellent characteristics such as a low vapor pressure of only 156.7 ° C, a low vapor pressure, a high resistance to soft force impact, and a low brittleness even at low temperatures. . In addition, it can be directly bonded to glass depending on conditions, and is a material suitable for the purpose of the present invention.
  • the side wall 13 is placed on the front substrate 11.
  • the end of the projection 13a of the side wall 13 is in contact with the front substrate 11 while avoiding the base layer 31 and the indium layer 32.
  • the side wall 13 is supported on the front substrate 11 in a state of being separated upward from the indium layer 32 by the protrusion 13a.
  • the back substrate 12 having the underlayer 31 and the indium layer 32 formed on the sealing surface, and the front substrate 11 having the side wall 13 mounted thereon are held by a jig or the like while facing each other and at a predetermined distance.
  • the front substrate 11 is arranged below the rear substrate 12 with the front substrate 11 facing upward.
  • front substrate 11 and rear substrate 12 are put into a vacuum processing apparatus.
  • the vacuum processing apparatus 100 includes a load chamber 101, a baking / electron beam cleaning chamber 102, a cooling chamber 103, a getter film deposition chamber 104, and an assembling chamber 105, which are provided in this order. , A cooling chamber 106, and an unloading chamber 107.
  • Each of these chambers is configured as a processing chamber capable of vacuum processing, and all the chambers are evacuated during the manufacture of FEDs. Adjacent processing chambers are connected by a gate valve or the like.
  • the front substrate 11 and the rear substrate 12 on which the side walls 13 are placed are put into a load chamber 101, and the inside of the load chamber 101 is evacuated to a vacuum atmosphere.
  • the baking and electron beam cleaning chamber 102 when the high vacuum of about 10-5 Pa is reached, the back substrate and the front substrate are heated to a temperature of about 300 ° C and baked, and the surface adsorbed gas of each member is released. Let it.
  • the side wall 13 is also separated from the indium layer 32 force as shown in FIG. 11, the surface adsorbed gas can be satisfactorily released, and the surface adsorbed gas is confined between the indium layer 32 and the residual. I won't let you.
  • the indium layer (melting point: about 156 ° C.) 32 melts. However, since the indium layer 32 has a high affinity and is formed on the underlayer 31, the indium is held on the underlayer without flowing. Further, in the baking / electron beam cleaning chamber 102, simultaneously with heating, the baking / electron beam generating device (not shown) attached to the electron beam cleaning chamber 102 transmits the phosphor screen surface of the front substrate side assembly and An electron beam is irradiated on the electron-emitting device surface of the rear substrate 12. Since this electron beam is deflected and scanned by a deflecting device mounted outside the electron beam generator, it is possible to clean the entire surface of the phosphor screen surface and the electron emission element surface with the electron beam.
  • front substrate 11 and rear substrate 12 are sent to cooling chamber 103, where they are cooled to a temperature of about 100 ° C., for example. Subsequently, the front substrate 11 and the rear substrate 12 are sent to a getter film deposition chamber 104, where a Ba film is deposited as a getter film on the phosphor screen and the metal back. The Ba film is prevented from being contaminated on its surface with oxygen, carbon, or the like, and can maintain an active state.
  • front substrate 11 and rear substrate 12 are sent to assembly chamber 105, where they are heated to 200 ° C.
  • the indium layer 32 is again melted or softened into a liquid state.
  • the rear substrate 12 is moved toward the front substrate 11 as shown in FIG.
  • the protrusion 13a of the side wall 13 is pressed by the pressing body 35 that moves as the rear substrate 12 moves.
  • the side wall 13 is pushed down, and the lower surface side is pressed against the indium layer 32 of the front substrate 11 and the indium layer 32 of the rear substrate 12 is pressed against the upper surface side.
  • the indium layer 32 is cooled and solidified.
  • the back substrate 12, the side walls 13, the force indium layer 32, and the underlayer 31 are fused together by the sealing layer 33.
  • the front substrate 11 and the side wall 13 are sealed by the sealing layer 33 in which the indium layer 32 and the base layer 31 are fused, and the vacuum envelope 10 is formed.
  • the vacuum envelope 10 thus formed is cooled to room temperature in the cooling chamber 106 and then taken out of the unloading chamber 107. Through the above steps, the FED is completed.
  • the material cost can be reduced, the cost can be reduced, the number of working steps can be reduced, and the manufacturing efficiency can be reduced. Can be improved.
  • the back substrate and the front substrate are baked by heating to a temperature of about 300 ° C.
  • the side wall 13 is heated while holding the side wall 13 away from the indium layer 32, so that the side adsorbed gas is not trapped between the indium layer 32 and remained. 13 can be bonded to the indium layer 32 satisfactorily.
  • FIG. 14 shows another example of the protrusion on the side wall 13.
  • the projection 45 has a bent portion 45a for positioning formed at the end opposite to the side wall 13.
  • the bent portion 45 a is locked to the side surface of the front substrate 11 for positioning. According to this example, the operation of positioning the side wall 13 with respect to the front substrate 11 can be easily performed.
  • FIG. 15 shows still another example of the protrusion on the side wall 13.
  • the protruding portion 47 projects horizontally without being inclined with respect to the side wall 13, and a support member 46 is provided vertically at an end of the protruding portion 47 opposite to the side wall.
  • the support 46 is made of a material that melts during beta (eg, Bi, In, Sn, Ag alloy).
  • the side wall 13 is supported by the front substrate 11 via the protrusion 47 and the support member 46, and is separated from the indium layer 32.
  • the support material 46 when heated during beta, the support material 46 is melted as shown in FIG. 16, the side wall 13 is dropped by its own weight, and is brought into contact with and bonded to the indium layer 32.
  • FIG. 17 shows another embodiment of the side wall and the projection.
  • the side wall 50 is constituted by four metal rods 50a to 50d, and the projections 5 la to 51d are formed by bending both ends of the four metal rods 50a to 50d and superimposing them. It is constructed by welding a polymerized part.
  • the side wall 13 is pressed against the indium layer 32 by pressing the protrusion 13 a of the side wall 13 with the pressing body 35 that moves as the rear substrate 12 moves.
  • the pressing body 35 may be moved by another independent driving mechanism other than the above, and the side wall 13 may be pressed against the indium layer 32.
  • the side wall is formed of the metal frame, the material cost can be reduced and the cost can be reduced. Can be reduced, the number of working steps can be reduced, and manufacturing efficiency can be improved.
  • the frame is heated with the frame separated from the sealing layer and then pressed against the sealing layer, the surface adsorbed gas of the frame is sufficiently released and the frame is pressed against the sealing layer.
  • good bonding can be achieved without gas being trapped in the contact between the frame and the sealing layer.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Description

明 細 書
画像表示装置の製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、対向配置された基板を有した平坦な形状の画像表示装置の製造方法 に関する。
背景技術
[0002] 近年、陰極線管（以下、 CRTと称する）に代わる次世代の軽量、薄型の表示装置と して様々な平面型の画像表示装置が開発されている。このような画像表示装置には 、液晶の配向を利用して光の強弱を制御する液晶ディスプレイ（以下、 LCDと称する )、プラズマ放電の紫外線により蛍光体を発光させるプラズマディスプレイパネル (以 下、 PDPと称する）、電界放出型電子放出素子の電子ビームにより蛍光体を発光さ せるフィールドェミッションディスプレイ（以下、 FEDと称する）、更に、 FEDの一種と して、表面伝導型の電子放出素子を用いた表面伝導電子放出ディスプレイ（以下、 S EDと称する）などがある。
[0003] 例えば FEDでは、一般に、所定の隙間を置!、て対向配置された前面基板および 背面基板を有し、これらの基板は、矩形枠状の側壁を介して周辺部同士を互いに接 合することにより真空の外囲器を構成している。前面基板の内面には蛍光体スクリー ンが形成され、背面基板の内面には蛍光体を励起して発光させる電子放出源として 多数の電子放出素子が設けられて 、る。
[0004] また、背面基板および前面基板に加わる大気圧荷重を支えるために、これら基板 の間には複数の支持部材が配設されている。背面基板側の電位はほぼアース電位 であり、蛍光面にはアノード電圧が印加される。そして、蛍光体スクリーンを構成する 赤、緑、青の蛍光体に多数の電子放出素子力 放出された電子ビームを照射し、蛍 光体を発光させることによって画像を表示する。
[0005] このような表示装置では、表示装置の厚さを数 mm程度にまで薄くすることができ、 現在のテレビやコンピュータのディスプレイとして使用されて 、る CRTと比較し、軽量 ィ匕、薄型化を達成することができる。 [0006] 上記 FEDでは、外囲器の内部を高真空にすることが必要となる。また、 PDPにおい ても一度真空にして力 放電ガスを充填する必要がある。外囲器を真空にする手段 としては、例えば、特開 2001— 229825号公報に開示されるように外囲器を構成す る前面基板と背面基板との最終組み立てを真空槽内にて行う方法が提案されている
[0007] この方法では、最初に真空槽内に配置された前面基板および背面基板を十分に 加熱しておく。これは、外囲器真空度を劣化させる主因となっている外囲器内壁から のガス放出を軽減するためである。
[0008] 次に、前面基板と背面基板が冷えて真空槽内の真空度が十分に向上したところで 、外囲器真空度を改善、維持させるためのゲッター膜を蛍光面スクリーン上に形成す る。その後、封着材が溶解する温度まで前面基板と背面基板とを再び加熱し、前面 基板および背面基板を所定の位置に組み合わせた状態で封着材が固化するまで冷 却する。
[0009] このような方法で作成された真空外囲器は、封着工程および真空封止工程を兼ね るうえ、排気管を用いて外囲器内を排気する場合のような時間を必要とせず、かつ、 極めて良好な真空度を得ることができる。
[0010] ところで、上記した外囲器の側壁は、特開 2002— 319346号公報に開示されるよう にガラス枠によって構成されている。ガラス枠は、比較的小形の場合、溶融ガラスか ら直接プレス成形したり、あるいは、大判の薄板ガラス力 直接切り出して製造される 発明の開示
[0011] し力しながら、上記した方法では、高価なガラス材料を用いるため、特に、大形のガ ラス枠の場合にはコストが高くなるとともに、技術的にも高度で製造効率が低下すると いう問題があった。
[0012] この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、安価で、容易に製造でき る画像表示装置の製造方法を提供することにある。
[0013] この発明の一態様に係る画像表示装置の製造方法は、対向配置され画像表示画 素を有する前面基板および背面基板と、上記前面基板および上記背面基板の周縁 部同士を互いに封着した封着部と、を有した外囲器を具備した画像表示装置の製造 方法にお!、て、上記前面基板の内面周縁部および背面基板の内面周縁部の少なく とも一方に全周に渡って封着層を形成する工程と、上記前面基板或いは背面基板 の内面周縁部に、その周縁部に沿って延びる金属製の枠体を上記封着層から離間 する状態で配置する工程と、上記枠体の配置後、上記前面基板および背面基板を 対向して配置する工程と、上記封着層及び枠体を加熱して上記封着層を溶融ある!ヽ は軟化させるとともに、上記枠体力もガスを放出させる工程と、上記前面基板および 背面基板を互いに近接する方向に移動させることにより上記枠体を上記封着材層に 押し付けて接着させて上記前面基板および背面基板の周縁部を封着する工程とを 具備する。
図面の簡単な説明
[図 1]図 1は、この発明の一実施の形態に係る FEDを示す斜視図である。
[図 2]図 2は、上記 FEDの前面基板を取り外した状態を示す斜視図である。
[図 3]図 3は、図 1の A— A線に沿って示す断面図である。
[図 4]図 4は、上記 FEDの蛍光体スクリーンを示す平面図である。
[図 5]図 5は、上記 FEDの製造工程において、前面基板にスクリーンを形成した状態 を示す断面図である。
[図 6]図 6は、上記 FEDの製造工程において、背面基板に電子放出素子などを形成 した状態を示す断面図である。
[図 7]図 7は、上記 FEDの製造工程において、側壁を形成した状態を示す斜視図で ある。
[図 8]図 8は、上記 FEDの製造工程において、前面基板に下地層及びインジユーム 層を形成した状態を示す断面図である。
[図 9]図 9は、上記 FEDの製造工程において、背面基板に下地層及びインジユーム 層を形成した状態を示す断面図である。
[図 10]図 10は、上記 FEDの製造工程において、前面基板に側壁を載置した状態を 示す断面図である。
[図 11]図 11は、上記 FEDの製造工程において、前面基板に背面基板を対向させた 状態を示す断面図である。
[図 12]図 12は、上記 FEDの製造に用 、る真空処理装置を概略的に示す図である。
[図 13]図 13は、上記 FEDの製造工程において、側壁が前面基板と背面基板に接着 された状態を示す断面図である。
[図 14]図 14は、上記側壁の突起部の他の例を示す図である。
[図 15]図 15は、上記側壁の突起部のさらに他の例を示す図である。
[図 16]図 16は図 15の側壁が接着された状態を示す図である。
[図 17]図 17は、この発明の他の実施形態である側壁を示す平面図である。
発明を実施するための最良の形態
[0015] 以下、図面を参照ながら、この発明に係る画像表示装置を FEDに適用した実施の 形態について詳細に説明する。
図 1ないし図 3に示すように、この FEDは、絶縁基板としてそれぞれ矩形状のガラス 力もなる前面基板 11、および背面基板 12を備え、これらの基板は約 l〜2mmの隙 間を置いて対向配置されている。前面基板 11および背面基板 12は、矩形枠状の側 壁 13を介して周縁部同士が接合され、内部が真空状態に維持された偏平な矩形状 の真空外囲器 10を構成して 、る。
[0016] 前面基板 11および背面基板 12の周縁部は封着部 40により互いに接合されている 。すなわち、前面基板 11の内面周縁部に位置した封着面と、背面基板 12の内面周 縁部に位置した封着面との間には、枠体として機能する側壁 13が配置されている。 また、前面基板 11と側壁 13との間、および背面基板 12と側壁 13との間は、各基板 の封着面上に形成された下地層 31とこの下地層 31上に形成されたインジウム層 32 とが融合した封着層 33によってそれぞれ封着されている。これら封着層 33および側 壁 13により封着部 40が構成されている。
[0017] 本実施の形態において、側壁 13の断面形状は円形に形成されている。
[0018] 真空外囲器 10の内部には、背面基板 12および前面基板 11に加わる大気圧荷重 を支えるため、複数の板状の支持部材 14が設けられている。これらの支持部材 14は 、真空外囲器 10の短辺と平行な方向に延在しているとともに、長辺と平行な方向に 沿って所定の間隔を置いて配置されている。なお、支持部材 14の形状については 特にこれに限定されるものではなぐ柱状の支持部材を用いてもよ!、。
[0019] 図 4に示すように、前面基板 11の内面上には蛍光体スクリーン 16が形成されてい る。この蛍光体スクリーン 16は、赤、青、緑の 3色に発光するストライプ状の蛍光体層 R、 G、 B、およびこれらの蛍光体層間に位置した非発光部としてのストライプ状の黒 色光吸収層 20を並べて構成されている。蛍光体層 R、 G、 Bは、真空外囲器 10の短 辺と平行な方向に延在しているとともに、長辺と平行な方向に沿って所定の間隔を置 いて配置されている。蛍光体スクリーン 16上には、アルミニウム力もなるメタルバック 1 7が蒸着されているとともに、メタルバック上には図示しないゲッター膜が形成されて いる。
[0020] 背面基板 12の内面上には、蛍光体層 R、 G、 Bを励起する電子放出源として、それ ぞれ電子ビームを放出する多数の電界放出型の電子放出素子 22が設けられている 。これらの電子放出素子 22は、各画素に対応して複数列および複数行に配列され ている。また、背面基板 12の内面上には、電子放出素子 22に駆動信号を供給する 多数の配線 21がマトリックス状に形成され、その端部は背面基板の周縁部に引出さ れている。
[0021] 次に、上記のように構成された FEDの製造方法について詳細に説明する。
まず、図 5に示すように、前面基板 11となる板ガラスに蛍光体スクリーン 16を形成 する。これは、前面基板 11と同じ大きさの板ガラスを準備し、この板ガラスにプロッタ 一マシンで蛍光体層のストライプパターンを形成する。この蛍光体ストライプパターン が形成された板ガラスと前面基板用の板ガラスとを位置決め治具に載せて露光台に セットすることにより、露光、現像して蛍光体スクリーン 16を生成する。
[0022] 続いて、図 6に示すように背面基板用の板ガラスに電子放出素子 22を形成する。こ の場合、板ガラス上にマトリックス状の導電性力ソード層を形成し、この導電性カソー ド層上に、例えば熱酸化法、 CVD法、あるいはスパッタリング法により二酸ィ匕シリコン 膜の絶縁膜を形成する。その後、絶縁膜上に、例えばスパッタリング法や電子ビーム 蒸着法によりモリブデンやニオブなどのゲート電極形成用の金属膜を形成する。次に 、この金属膜上に、形成すべきゲート電極に対応した形状のレジストパターンをリソグ ラフィーにより形成する。このレジストパターンをマスクとして金属膜をウエットエツチン グ法またはドライエッチング法によりエッチングし、ゲート電極 28を形成する。
なお、蛍光体スクリーン 16には高電圧が印加されるため、前面基板 11、背面基板 1 2、および支持部材 14用の板ガラスには、高歪点ガラスを使用している。
[0023] 続いて、レジストパターン及びゲート電極をマスクとして絶縁膜をウエットエッチング またはドライエッチング法によりエッチングして、キヤビティ 25を形成する。レジストパ ターンを除去した後、背面基板表面に対して所定角度傾斜した方向から電子ビーム 蒸着を行うことにより、ゲート電極 28上に、例えばアルミニウムやニッケル力もなる剥 離層を形成する。この後、背面基板表面に対して垂直な方向から、力ソード形成用の 材料として、例えばモリブデンを電子ビーム蒸着法により蒸着する。これによつて、各 キヤビティ 25の内部に電子放出素子 22を形成する。続いて、剥離層をその上に形 成された金属膜とともにリフトオフ法により除去する。
[0024] 続いて、図 7に示すように、基板周縁部に配置される金属製の枠体としての側壁 13 を形成する。側壁 13は、断面が円形状をした金属製の丸棒またはワイヤーにより成 形される。即ち、側壁 13は、必要なサイズに合わせて 3箇所で折り曲げられて矩形枠 状をなし、両端部がレーザ溶接機により溶接されることにより構成される。なお、溶接 はレーザ溶接機により、溶接部のみを瞬間的に溶融させて行なう。
[0025] 側壁 13に用いられる金属としては、例えば、 Fe、 Ni、 Tiの何れか含む単体もしくは 合金等の導電性を有した金属、あるいはガラス、セラミック等の導電性を持たない金 属である。ここでは、 Ni合金等が用いられている。
[0026] また、側壁 13の周囲部には、その周方向に所定間隔を存して複数本の金属製の 弾性を有する突起部 13aがー体的に外方に向力つて突設されて 、る。突起部 13aは 斜め下方に向力つて傾斜され、溶接などにより側壁 13に一体ィ匕されている。
[0027] 次に、図 8及び図 9に示すように、前面基板 11の内面周縁部に位置した封着面、 および背面基板 12の内面周縁部に位置した封着面に、スクリーン印刷法により銀ぺ 一ストをそれぞれ塗布し、枠状の下地層 31を形成する。続いて、各下地層 31の上に 、導電性を有した金属封着材としてのインジウムを塗布し、それぞれ下地層の全周に 亘つて延びたインジウム層 32を形成する。
[0028] なお、金属封着材としては、融点が約 350°C以下で密着性、接合性に優れた低融 点金属材料を使用することが望ましい。本実施の形態で用いるインジウム (In)は、融 点 156. 7°Cと低いだけでなぐ蒸気圧が低い、軟ら力べ衝撃に対して強い、低温でも 脆くならないなどの優れた特徴がある。しかも、条件によってはガラスに直接接合する ことができるので、本発明の目的に好適した材料である。
[0029] 続いて、図 10に示すように、側壁 13を前面基板 11上に載置する。このとき、側壁 1 3の突起部 13aは、その端部が下地層 31及びインジウム層 32を避けて前面基板 11 に当接させる。これにより、側壁 13はその突起部 13aによりインジウム層 32から上方 に離間する状態で前面基板 11上に支持される。
[0030] 次に、図 11に示すように、封着面に下地層 31およびインジウム層 32が形成された 背面基板 12と、側壁 13が載置された前面基板 11とを、封着面同士が向かい合った 状態で、かつ、所定の距離をおいて対向した状態で治具等により保持する。この際、 例えば、前面基板 11を上向きとして背面基板 12の下方に配置する。そして、この状 態で前面基板 11および背面基板 12を真空処理装置に投入する。
[0031] この真空処理装置 100は、図 12に示すように、順に並んで設けられたロード室 101 、ベーキング、電子線洗浄室 102、冷却室 103、ゲッター膜の蒸着室 104、組立室 1 05、冷却室 106、およびアンロード室 107を有している。これら各室は真空処理が可 能な処理室として構成され、 FEDの製造時には全室が真空排気されている。また、 隣合う処理室間はゲートバルブ等により接続されている。
[0032] 側壁 13が載置された前面基板 11および背面基板 12は、ロード室 101に投入され 、ロード室 101内を真空雰囲気とした後、ベーキング、電子線洗浄室 102へ送られる 。ベーキング、電子線洗浄室 102では、 10— 5Pa程度の高真空度に達した時点で、 背面基板および前面基板を 300°C程度の温度に加熱してベーキングし、各部材の 表面吸着ガスを放出させる。このとき、側壁 13は図 11で示したようにインジウム層 32 力も離間されているため、表面吸着ガスを良好に放出させることができ、表面吸着ガ スをインジウム層 32との間に閉じ込めて残留させてしまうことはない。
[0033] なお、 300度の温度ではインジウム層（融点約 156°C) 32が溶融する。しかし、イン ジゥム層 32は親和性の高 、下地層 31上に形成されて!、るため、インジウムが流動す ることなく下地層上に保持される。 [0034] また、ベーキング、電子線洗浄室 102では、加熱と同時に、ベーキング、電子線洗 浄室 102に取り付けられた図示しない電子線発生装置から、前面基板側組立体の 蛍光体スクリーン面、および背面基板 12の電子放出素子面に電子線を照射する。こ の電子線は、電子線発生装置外部に装着された偏向装置によって偏向走査される ため、蛍光体スクリーン面、および電子放出素子面の全面を電子線洗浄することが 可能となる。
[0035] 加熱、電子線洗浄後、前面基板 11および背面基板 12は冷却室 103に送られ、例 えば約 100°Cの温度まで冷却される。続いて、前面基板 11および背面基板 12はゲ ッター膜の蒸着室 104へ送られ、ここで蛍光体スクリーンおよびメタルバック上にゲッ ター膜として Ba膜が蒸着形成される。この Ba膜は、表面が酸素や炭素などで汚染さ れることが防止され、活性状態を維持することができる。
[0036] 次に、前面基板 11および背面基板 12は組立室 105に送られ、ここで 200°Cまでカロ 熱される。これにより、インジウム層 32が再び液状に溶融あるいは軟ィ匕する。この状 態から図 13に示すように背面基板 12を前面基板 11に向力つて移動させる。これによ り側壁 13の突起部 13aが背面基板 12の移動に伴って移動する押圧体 35により押圧 される。この押圧により側壁 13が押し下げられ、その下面側が前面基板 11のインジ ゥム層 32に押し付けられるとともに、上面側に背面基板 12のインジウム層 32が押し 付けられる。
[0037] その後、インジウム層 32を除冷して固化させる。これにより、背面基板 12と側壁 13 と力 インジウム層 32および下地層 31を融合した封着層 33によって封着される。同 時に、前面基板 11と側壁 13とが、インジウム層 32および下地層 31を融合した封着 層 33によって封着され、真空外囲器 10が形成される。
このようにして形成された真空外囲器 10は、冷却室 106で常温まで冷却された後、 アンロード室 107から取り出される。以上の工程により、 FEDが完成する。
[0038] 上記したように、この実施の形態によれば、側壁 13を金属製の枠体で構成するた め、材料費を削減できコストを低減できるとともに、作業工程数も削減でき、製造効率 を向上できる。
[0039] また、背面基板および前面基板を 300°C程度の温度に加熱してベーキングし、各 部材の表面吸着ガスを放出させる際、側壁 13をインジウム層 32から離間する状態で 保持して加熱するため、表面吸着ガスをインジウム層 32との間に閉じ込めて残留さ せてしまうことがなぐ側壁 13をインジウム層 32に良好に接着することが可能となる。
[0040] 図 14は側壁 13の突起部の他の例を示すものである。
[0041] この突起部 45は側壁 13と反対側の端部に位置決め用の折曲部 45aを形成してい る。
[0042] 側壁 13を前面基板 11上に載置する際には、その折曲部 45aを前面基板 11の側 面部に係止させて位置決めする。この例によれば、前面基板 11に対する側壁 13の 位置決め作業を容易に行うことができる。
[0043] 図 15は側壁 13の突起部のさらに他の例を示すものである。
[0044] この突起部 47は側壁 13に対し傾斜することなく水平に突設され、突起部 47の側壁 と反対側の端部には、支持材 46が垂直に設けられている。支持材 46はベータ時に 溶ける材料 (例えば、 Bi、 In、 Sn, Ag合金）によって構成されている。側壁 13は突起 部 47及び支持材 46を介して前面基板 11に支持され、インジウム層 32から離間され ている。
[0045] この例では、ベータ時に加熱されると、図 16に示すように支持材 46が溶融され、側 壁 13が自重により落下されてインジウム層 32に当接して接着される。
[0046] 図 17は側壁及び突起部の他の実施形態を示す。
[0047] この実施形態では、側壁 50は 4本の金属棒 50a〜50dによって構成され、突起部 5 la〜51dは 4本の金属棒 50a〜50dの両端部を折曲して重ね合わせ、この重合部を 溶着して構成されている。
[0048] なお、上記した実施の形態では、側壁 13の突起部 13aを背面基板 12の移動に伴 つて移動する押圧体 35によって押圧することにより、側壁 13をインジウム層 32に押し 付けるようにしたが、これに限られることなぐ別の独立した駆動機構により押圧体 35 を移動させて側壁 13をインジウム層 32に押し付けるようにしてもよい。
[0049] その他、この発明はその要旨の範囲内で種々変形実施可能なことは勿論である。
産業上の利用可能性
[0050] この発明によれば、側壁を金属製の枠体で構成するため、材料費も削減できコスト を低減できるとともに、作業工程数も削減でき、製造効率を向上できる。
また、枠体を封着層から離間させた状態で加熱してから枠体を封着層に押し付ける ため、枠体はその表面吸着ガスが十分に放出されて力 封着層に押し付けられるこ とになり、ガスが枠体と封着層との接点に閉じ込められてしまうことがなぐ良好な接 着が可能になる。

Claims

請求の範囲
[1] 対向配置され画像表示画素を有する前面基板および背面基板と、上記前面基板お よび上記背面基板の周縁部同士を互いに封着する封着部と、を有してなる外囲器を 具備した画像表示装置の製造方法にお!、て、
上記前面基板の内面周縁部および背面基板の内面周縁部の少なくとも一方に全 周に渡って封着層を形成し、
上記前面基板或いは背面基板の内面周縁部に、その周縁部に沿って延びる金属 製の枠体を上記封着層から離間する状態で配置し、
上記枠体の配置後、上記前面基板および背面基板を対向して配置し、 この配置後、上記封着層及び枠体を加熱して上記封着層を溶融あるいは軟化させ るとともに、上記枠体力ゝらガスを放出させ、
このガス放出後、上記前面基板および背面基板を互いに近接する方向に移動させ ることにより上記枠体を上記封着材層に押し付けて接着させ上記前面基板および背 面基板の周縁部を封着する画像表示装置の製造方法。
[2] 上記枠体は Ni合金製である請求項 1に記載の画像表示装置の製造方法。
[3] 上記封着層及び枠体は真空雰囲気中で加熱される請求項 1に記載の画像表示装置 の製造方法。
[4] 上記金属製の枠体はその周囲部に外方に向力つて突出する突起部を有し、この突 起部により上記封着材層から離間するように支持される請求項 1に記載の画像表示 装置の製造方法。
[5] 上記金属製の枠体はその突起部が押圧されることにより上記封着層に当接し接着さ れる請求項 4に記載の画像表示装置の製造方法。
[6] 上記金属製の枠体の突起部は枠体と反対側の端部に折曲部を有し、この折曲部を 上記前面基板或いは背面基板の端部に係止させることにより、枠体を位置決めする 請求項 4または 5記載の画像表示装置の製造方法。
[7] 上記金属製の枠体はその周囲部に外方に向力つて突出する突起部を有し、この突 起部が支持材により支持されることにより上記封着層から離間することを特徴とする 請求項 1に記載の画像表示装置の製造方法。
[8] 上記金属製の枠体はその加熱時に、上記支持材が溶融されることにより自重によつ て落下して上記封着層に当接し接着される請求項 7に記載の画像表示装置の製造 方法。
[9] 上記金属製の枠体の突起部の厚さは、上記前面基板と背面基板との間の間隔よりも 小さ! ヽ請求項 4に記載の画像表示装置の製造方法。
PCT/JP2005/007726 2004-05-11 2005-04-22 画像表示装置の製造方法 WO2005109463A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP05733985A EP1746623A1 (en) 2004-05-11 2005-04-22 Method of producing image display device
US11/538,569 US7264529B2 (en) 2004-05-11 2006-10-04 Method of manufacturing an image display device having a sealing portion which seals peripheral edges of front and back substrates
US11/750,074 US20070212972A1 (en) 2004-05-11 2007-05-17 Method of manufacturing image display device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004141130A JP2005322583A (ja) 2004-05-11 2004-05-11 画像表示装置の製造方法
JP2004-141130 2004-05-11

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US11/538,569 Continuation US7264529B2 (en) 2004-05-11 2006-10-04 Method of manufacturing an image display device having a sealing portion which seals peripheral edges of front and back substrates

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005109463A1 true WO2005109463A1 (ja) 2005-11-17

Family

ID=35320459

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2005/007726 WO2005109463A1 (ja) 2004-05-11 2005-04-22 画像表示装置の製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7264529B2 (ja)
EP (1) EP1746623A1 (ja)
JP (1) JP2005322583A (ja)
KR (1) KR20070007843A (ja)
CN (1) CN1947214A (ja)
TW (1) TW200540901A (ja)
WO (1) WO2005109463A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101800141B (zh) * 2010-04-27 2011-10-05 东南大学 一种超薄荫罩式等离子体显示屏的封接方法
KR20120019220A (ko) * 2010-08-25 2012-03-06 삼성전자주식회사 전계방출패널, 그를 구비한 액정디스플레이, 그를 구비한 전계방출디스플레이, 및 전계방출패널 패키지 방법
TWI497655B (zh) 2012-12-14 2015-08-21 Ind Tech Res Inst 環境敏感電子元件封裝體及其製作方法
CN113838898B (zh) * 2021-09-16 2023-12-22 昆山国显光电有限公司 显示面板以及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000251767A (ja) * 1999-02-25 2000-09-14 Canon Inc 画像形成装置とその製造方法
JP2002184328A (ja) * 2000-12-12 2002-06-28 Toshiba Corp 画像表示装置およびその製造方法
JP2003123673A (ja) * 2001-10-15 2003-04-25 Toshiba Corp 平面表示装置およびその製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001229825A (ja) 2000-02-14 2001-08-24 Toshiba Corp 真空外囲器の製造方法、製造装置、画像表示装置の製造方法、製造装置、並びに、真空外囲器、および画像表示装置
JP2002319346A (ja) 2001-04-23 2002-10-31 Toshiba Corp 表示装置およびその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000251767A (ja) * 1999-02-25 2000-09-14 Canon Inc 画像形成装置とその製造方法
JP2002184328A (ja) * 2000-12-12 2002-06-28 Toshiba Corp 画像表示装置およびその製造方法
JP2003123673A (ja) * 2001-10-15 2003-04-25 Toshiba Corp 平面表示装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1746623A1 (en) 2007-01-24
JP2005322583A (ja) 2005-11-17
US20070087545A1 (en) 2007-04-19
KR20070007843A (ko) 2007-01-16
US7264529B2 (en) 2007-09-04
US20070212972A1 (en) 2007-09-13
TW200540901A (en) 2005-12-16
CN1947214A (zh) 2007-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1258906A1 (en) Image display device, method of manufacture thereof, and apparatus for charging sealing material
WO2005109463A1 (ja) 画像表示装置の製造方法
US20060250565A1 (en) Image display device and method of manufacturing the same
WO2005083739A1 (ja) 画像形成装置
JP2002182585A (ja) 画像表示装置およびその製造方法
KR100759136B1 (ko) 화상 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI270917B (en) Image display device and the manufacturing method thereof
JP2002184328A (ja) 画像表示装置およびその製造方法
JP3940577B2 (ja) 平面表示装置およびその製造方法
JP3940583B2 (ja) 平面表示装置およびその製造方法
JP2002184313A (ja) 画像表示装置の製造方法および封着材充填装置
JP2002184329A (ja) 画像表示装置およびその製造方法
KR100769383B1 (ko) 화상 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2004265630A (ja) 画像表示装置およびその製造方法
JP2002184331A (ja) 画像表示装置およびその製造方法
JP2004013067A (ja) 画像表示装置
EP1755143A1 (en) Image display device
JP2003132822A (ja) 平面表示装置およびその製造方法
JP2004247260A (ja) 画像表示装置の製造方法および画像表示装置
JP2005044529A (ja) 画像表示装置およびその製造方法
JP2008269998A (ja) 気密容器、気密容器を備えた画像表示装置
JP2008243607A (ja) 気密容器の製造方法、および気密容器を備えた画像表示装置の製造方法
JP2002033046A (ja) 画像表示装置およびその製造方法
JP2006059742A (ja) 画像表示装置
JP2004022189A (ja) 画像表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS KE KG KM KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005733985

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11538569

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200580013308.9

Country of ref document: CN

Ref document number: 1020067022247

Country of ref document: KR

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Country of ref document: DE

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020067022247

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2005733985

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 11538569

Country of ref document: US

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Ref document number: 2005733985

Country of ref document: EP