WO2005091373A1

WO2005091373A1 - 有機半導体素子およびそれを用いた有機ｅｌ表示装置

Info

Publication number: WO2005091373A1
Application number: PCT/JP2005/004818
Authority: WO
Inventors: Suguru Okuyama; Noriyuki Shimoji
Original assignee: Rohm Co., Ltd
Priority date: 2004-03-22
Filing date: 2005-03-17
Publication date: 2005-09-29
Also published as: JPWO2005091373A1; TW200603674A; CN1934714A; US20080237580A1

Abstract

　チャネル長を小さく制御し得ると共に、段差部に伴う接触抵抗の上昇をさせない構造のＦＥＴを有する有機半導体素子、およびその有機ＦＥＴを用いた開口率の大きい有機発光表示装置を提供する。　基板（１）上に、ソース・ドレイン電極の一方とする第１導電層（２）が設けられ、その第１導電層（２）の上に有機半導体層（３）およびソース・ドレイン電極の他方とする第２導電層（４）が設けられている。そして、有機半導体層の側面または第２導電層の一部が除去されて露出する有機半導体層３の表面および第２導電層の側面に絶縁層（５）を介してゲート電極（第３導電層）（６）が設けられることにより形成されるＦＥＴを有している。また、有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ部上にこの構造のＦＥＴが駆動素子として積層して設けられている。

Description

明細書

有機半導体素子およびそれを用いた有機 EL表示装置

技術分野

[0001] 本発明は、有機半導体を用いた電界効果型トランジスタ (以下、 FETという）などを含む有機半導体素子およびそれを用いた有機 EL表示装置に関する。さらに詳しくは、有機半導体を用いながら、チャネル長を非常に短くすることができると共に、有機 EL部と積層するだけで表示装置を構成することが可能な構造の有機半導体素子およびそれを用いた有機 EL表示装置に関する。

背景技術

[0002] 従来の有機半導体層を用いた FETの構造は、図 9A— 9Cに示されるような構造が知られている。すなわち、図 9Aに示される構造は、ボトムコンタクト（BC)型と呼ばれるもので、たとえばシリコン基板力もなるゲート電極 31上の絶縁膜 32の上に一対のソース 'ドレイン電極 33、 34が設けられ、その表面に有機半導体層 35が設けられることにより、ソース'ドレイン電極 33、 34間の有機半導体層 35をチャネル領域とするものである。この構造は、ソース'ドレイン電極を、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができるため、ある程度の精細なパターンで形成することができる力ソース'ドレイン電極の段差部分に有機半導体層 35を設けるため、有機半導体層 35のカバレツジが悪ぐチャネル領域となる有機半導体層 35と両電極 33、 34の底面コーナ部との間に空隙 36ができやすぐ接触抵抗が高くなるという問題がある。

[0003] また、図 9Bに示される構造は、トップコンタクト (TC)型と呼ばれるもので、ゲート電極 31上の絶縁膜 32上に有機半導体層 35が設けられ、その上にソース'ドレイン電極 33、 34が形成されることにより、ソース'ドレイン電極 33、 34の下でその間にある有機半導体層 35をチャネル領域とするものである。この構造は、有機半導体層 35の力バレッジの問題はないが、有機半導体層 35を形成した後に電極を形成する必要がある。しかし、有機半導体材料は、溶媒やアルカリ水溶液に曝されてしまうフォトリソグラフィ技術ではパターン形成をすることができず、金属板力なるシャドウマスク (メタルマスク）を用いて有機半導体層 35を形成する必要がある。シャドウマスクでは、解像度は 25 /z m程度であり、精細なパターンを形成することができず、チャネル長を短縮することができな、と、う問題がある。

[0004] さらに、図 9Cに示される構造は、トップアンドボトムコンタクト (TBC)型と呼ばれるもので、絶縁膜 32上にソース'ドレイン電極の一方 33が部分的に設けられ、その上および露出する絶縁膜 32上に有機半導体層 35が設けられ、さらにその上にソース'ドレイン電極の他方 34が設けられることにより、ソース'ドレイン電極の一方 33の側面と他方 34の段差部分との間の有機半導体層 35をチャネル領域とするものである（たとえば特許文献 1参照)。この構造では、チャネル長を有機半導体層 35の厚さで制御することができるため、チャネル長の短縮は容易である力最初の BC型と同様に、有機半導体層がソース'ドレイン電極 33の段差部に形成されるため、そのカバレッジが悪ぐ接触抵抗が上昇するという問題がある。

特許文献 1：特開 2003— 258265号公報（たとえば図 4)

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0005] 前述のように、従来の有機半導体を用いた FETは、有機層に段差部を有すると力ノルッジが悪いため接触抵抗が高ぐ平らな有機半導体層を用いようとすると、精細なソース'ドレイン電極を形成することができないため、チャネル長の短縮を図ることができず、 V、ずれの構造にしても低抵抗のチャネルを形成することができな、と、う問題がある。

[0006] また、このような状況に起因して、たとえば有機 EL半導体を用いたアクティブ表示装置においても、その駆動素子として有機半導体素子を用いることができず、駆動素子としてはポリシリコンなどのシリコン系半導体が用いられている。そのため、有機半導体とシリコン系半導体の両方を用いなければならない。さらに、シリコン系半導体を用いて駆動素子を形成する場合、フォトリソグラフィ技術を用いることが不可欠である力前述のように有機半導体を成膜した後にフォトリソグラフィ技術を用いることはできないため、有機 EL部上に駆動素子を形成することができない。一方、駆動素子を基板側に形成すると、表面側力光を取り出さなければならないが、そのためには、上部に配置される電極は透光性電極でなければならない。一方で、有機 EL半導体層を積層した後には、高温熱処理をすることができない。しかし、低抵抗の透光性電極は一般的に高温処理が必要とされるため、これを表面側に形成することができない。そのため、後述する図 5Dに平面説明図が示されるように、発光部 Lと駆動素子部 (T rおよびキャパシタ CAPA)とを平面的に分離して形成しなければならず、表示部の面積が小さくなつて開口率が低下すると、う問題がある。

[0007] 本発明は、このような問題を解決するためになされたもので、チャネル長を小さく制御し得ると共に、段差部に伴う接触抵抗の上昇を引き起こさせない構造の FETを有する有機半導体素子を提供することを目的とする。

[0008] 本発明の他の目的は、アクティブ型の有機発光表示装置を半導体層としては全て有機半導体層で構成すると共に、発光部と駆動素子やキャパシタ部分とを積層構造とし、開口率の大きい表示部とし得る有機 EL表示装置を提供することにある。

課題を解決するための手段

[0009] 本発明による有機半導体素子は、基板と、該基板上に設けられるソース'ドレイン電極の一方とする第 1導電層と、該第 1導電層の上に設けられる有機半導体層と、該有機半導体層の上に設けられるソース'ドレイン電極の他方とする第 2導電層と、前記有機半導体層の側面または前記第 2導電層の一部が除去されて露出する前記有機半導体層の表面および前記第 2導電層の側面に絶縁層を介して設けられるゲート電極と力なる FETを有して!/、る。

[0010] 前記第 1導電層と有機半導体層との間、および Zまたは前記第 2導電層と前記有機半導体層との間にエネルギー障壁を低くする有機半導体層が設けられることにより

、低い動作電圧で電流を流しやすくできるため好ましい。本発明の構造では、有機半導体層がソース'ドレイン電極によりサンドイッチされる構造で、有機半導体層の両面でソース ·ドレイン電極と接触する構造であるためとくにその効果が大き、。

[0011] 本発明による有機 EL表示装置は、透光性基板と、該透光性基板上に設けられる透光性電極と、該透光性電極上に設けられる EL有機層と、該 EL有機層の上に積層して設けられる駆動素子、スイッチング素子およびキャパシタとからなり、前記駆動素子が第 1導電層と有機半導体層と第 2導電層との積層構造で、少なくとも前記第 2導電層の側面に絶縁層を介してゲート電極が設けられる構造の縦型 FETで構成されている。ここに EL有機層とは、有機 EL部 (発光部を形成するように電極と有機半導体層が積層される部分)を形成するように積層される有機半導体層の部分を意味する。また、駆動素子を構成する第 1導電層は、有機 EL部と積層される場合には、有機 EL部の電極と共用することもでき、有機 EL部の EL有機層で代用することもできる。

[0012] 前記駆動素子が前記 EL有機層の上に設けられ、該駆動素子の上面に形成されるゲート電極用の第 3導電層の一部を前記スイッチング素子のソース'ドレイン電極の一方とし、該第 3導電層の一部上に有機半導体層およびソース'ドレイン電極の他方とする第 4導電層が積層されることにより形成される縦型 FETにより前記スイッチング素子が形成されてもよい。また、前記駆動素子およびスイッチング素子が、前記 EL 有機層の上に平面的に駆動素子領域とスイッチング素子領域とに分けて設けられ、前記スイッチング素子は、スイッチング素子用有機半導体層が前記駆動素子の有機半導体層と連続して、または同時に形成され、該有機半導体層の同じ面に接して、一対のソース ·ドレイン電極が離間して設けられる横型 FETであってもよ、。

[0013] 具体的構造としては、前記 EL有機層の上に前記駆動素子用の第 1有機半導体層が設けられ、該第 1有機半導体層上に部分的に駆動素子用ソース'ドレイン電極の 1 つとする第 2導電層が設けられ、露出する表面に前記駆動素子用のゲート絶縁膜とする第 1絶縁層が設けられ、該第 1絶縁層上に前記駆動素子用のゲート電極および前記スイッチング素子用のソース ·ドレイン電極の一方とする第 3導電層が設けられ、前記スイッチング素子が設けられるスイッチング素子領域における該第 3導電層上に前記スイッチング素子用の第 2有機半導体層が設けられ、該第 2有機半導体層上〖こ部分的に前記スイッチング素子用のソース ·ドレイン電極の他方とする第 4導電層が設けられ、前記駆動素子が設けられる駆動素子領域における前記第 3導電層上、および前記スイッチング素子領域における前記第 2有機半導体層の露出部および前記第 4導電層の上に、前記キャパシタの誘電体層および前記スイッチング素子用のゲート絶縁膜とする第 2絶縁層が設けられ、前記スイッチング素子領域における該第 2 絶縁層上に前記スイッチング素子用のゲート電極とする第 5導電層、および前記駆動素子領域における前記第 2絶縁層上に前記キャパシタの電極とする第 6導電層がそれぞれ設けられる構造にすることができる。 [0014] この構造にすることにより、駆動素子のゲート電極とスイッチング素子のソース'ドレイン電極とを同時に連続して形成することができ順次積層するだけで全ての素子を形成することができ、非常に簡単な製造工程で形成することができると共に、キャパシタの電極と駆動素子のゲート電極とを共用することができる。

[0015] さらに他の具体的構造としては、前記スイッチング素子領域における前記 EL有機層の上に第 3絶縁層が設けられ、該第 3絶縁層上および前記駆動素子領域における前記 EL有機層の上に、前記駆動素子用およびスイッチング素子用の第 1有機半導体層が設けられ、前記駆動素子領域における該第 1有機半導体層上に部分的に駆動素子用ソース'ドレイン電極の他方とする第 2導電層が設けられると共に、前記スィツチング素子領域における前記第 1有機半導体層上に前記スイッチング素子用のソース電極およびドレイン電極とする第 7および第 8の導電層が分離して設けられ、前記駆動素子領域における前記第 1有機半導体層の露出部および前記第 2導電層上に前記駆動素子用のゲート絶縁膜とする第 1絶縁層が設けられると共に、前記スイツチング素子領域における前記第 1有機半導体層の露出部および前記第 7および第 8 の導電層上に前記スイッチング素子用のゲート絶縁膜である第 4絶縁層が前記第 7 または第 8の導電層の、ずれか一方の一部が露出するように設けられ、前記第 1絶縁層上に前記駆動素子用のゲート電極とする第 3導電層が前記第 7または第 8の導電層の露出部と電気的に接続されるように設けられると共に、前記第 4絶縁層上に前記スイッチング素子用のゲート電極とする第 5導電層が設けられ、前記第 3導電層上に前記キャパシタの誘電体層とする第 2絶縁層が設けられ、該第 2絶縁層上に前記キャパシタの電極とする第 6導電層がそれぞれ設けられる構造にすることができる。

[0016] この構造にすれば、駆動素子用有機半導体層とスイッチング素子用有機半導体層とを連続的に同時に形成することができるため、キーとなる有機半導体層の形成工程を 1回で済ませることができる。この場合、スイッチング素子が横型の FETになるが、スイッチング素子はチャネル長がそれほど微細でなくてもよ、ため、シャドウマスクを用いてソース ·ドレイン電極を形成することができる。

[0017] 前記 EL有機層と前記第 1有機半導体層との間に有機 EL部の上部電極および前記駆動素子のソース'ドレイン電極の一方とする導電層力共通の導電層として、または別々の導電層として設けられることにより、低抵抗の第 1導電層により電流が拡散し、有機 EL表示部の全体に亘つて電流を拡散させることができ、スイッチング素子の下部でも発光し、全体で明るく発光させることができるため好ましい。

発明の効果

[0018] 本発明の有機半導体素子の構造にすることにより、チャネル領域は、有機半導体層の側面、または第 2導電層の側面近傍のゲート電極と第 1導電層とが対向する部分の有機半導体層に形成され、チャネル長は有機半導体層の厚さで定まるため、チャネル長をナノメータオーダで、非常に精度よく制御することができる。し力も、有機半導体層はソース ·ドレイン電極と共に平坦な積層構造で形成されており、段差によるカバレッジの問題は生じない。その結果、接触抵抗が軽減すると共に、正確な寸法で所望のチャネル長の FETを形成することができる。そのため、ドレイン電流の増加、動作電圧の低減などトランジスタ特性を大幅に向上させることができる。

[0019] さらに、ゲート電極が上面に形成されるため、たとえば表示装置の駆動素子のゲート電極にスイッチング素子のソース'ドレインを接続する場合や、駆動素子のゲートにキャパシタを接続する制御回路を形成する場合でも、順次上面側に積層することにより、簡単に形成することができ、とくに有機発光 (EL)表示装置に適用すれば、有機 E L部 (発光部）と共に積層するだけで形成することができる。

[0020] その結果、有機半導体を用いながら、非常に短チャネル長の FETを有する半導体素子が得られ、しかも、有機半導体層の膜厚でチャネル長を制御することができるため、フォトリソグラフィ技術を用いることなぐナノメートルオーダの非常に厳密なチヤネル長の FETを形成することができ、有機発光 (EL)表示装置の駆動素子として用いることができる。し力も、単純な積層構造のみで形成することができるため、また、チヤネル部分も自己整合的に形成されるため、プロセスコストを下げることができ、非常に安価に得ることができる。

[0021] また、本発明の有機 EL表示装置の構造にすることにより、駆動素子がフォトリソダラフィ技術を用いなくても、チャネル長が短ぐ接触抵抗が非常に低い FETが得られるため、また、有機 EL部上に単純な積層構造だけで駆動素子やキャパシタを形成することができ、駆動素子などを表示部と並列に配置する必要がないため、各画素面積の大部分を有機 EL部で構成することができる。その結果、非常に開口率を向上させることができ、鮮明な表示をすることができる有機 EL表示装置が非常に安価に得られる。さらに、駆動素子が縦型構造で縦方向に電流が流れるため、有機 EL部と連続的に電流が流れる。そのため、無駄な経路がなぐ低抵抗で電流を流すことができると共に、有機 EL部の上面電極や駆動素子用下面側のソース'ドレイン電極がなくても、駆動素子力も有機 EL部に電流を流すことができる。その結果、高性能なァクティブマトリクス型の有機発光 (EL)表示装置を安価に得ることができ、画像表示装置の新たな発展に大きく寄与する。

図面の簡単な説明

[0022] [図 1]本発明による有機半導体素子の一実施形態を示す断面構造の説明図である。

[図 2]図 2A— 2Dは、図 1に示される有機半導体素子の製造工程を断面説明図で示す図である。

[図 3]図 3Aおよび 3Bは、本発明による有機半導体素子の他の実施形態を示す断面説明図である。

[図 4]本発明による有機半導体素子のさらに他の実施形態を示す断面説明図である

[図 5]図 5A— 5Dは、本発明による有機 EL表示装置の一実施形態の概要構成を説明する図である。

[図 6]図 1の有機 EL部の構成例を説明する図である。

[図 7]本発明による有機 EL表示装置の具体的構成例を示す断面説明図である。

[図 8]本発明による有機 EL表示装置の具体的構成例を示す断面説明図である。

[図 9]図 9A— 9Cは、従来の有機半導体素子の断面説明図である。

符号の説明

[0023] 1 基板

2 第 1導電層

3 有機半導体層 (第 1有機半導体層）

4 第 2導電層

5 絶縁層 (第 1絶縁層） 6 ゲート電極 (第 3導電層)

7 第 2有機半導体層

8 第 4導電層

9 第 2絶縁層

10 第 5導電層

11 第 6導電層

12 第 3絶縁層

13 第 7導電層

14 第 8導電層

15 第 4絶縁層

発明を実施するための最良の形態

[0024] つぎに、図面を参照しながら本発明の有機半導体素子およびそれを用いた有機 E L表示装置について説明をする。本発明による有機半導体素子は、図 1にその一実施形態の断面説明図が示されるように、基板 1上に、ソース'ドレイン電極の一方とする第 1導電層 2が設けられ、その第 1導電層 2の上に有機半導体層 3およびソース'ドレイン電極の他方とする第 2導電層 4が設けられている。図 1に示される例では、有機半導体層 3および第 2導電層 4が第 1導電層 2よりも小さく形成され、第 1導電層 2の一部が露出する構造に形成されている。そして、その表面にゲート絶縁膜とする絶縁層 5を介してゲート電極 (第 3導電層） 6が設けられることにより形成される FETを有している。なお、基板 1は他の層に比して非常に厚いが、以下の図も含めて図では厚さ

ヽなヽ。

[0025] 基板 1は、ガラス、アルミナ焼結体などの無機材料、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリフエ-レンスルフイド膜、ポリパラキシレン膜などの各種絶縁性プラスティックなどの他、これらの無機物と有機物とのハイブリッド材料、第 1導電層と兼ねた半導体基板などの導電性基板などでもよぐ目的に応じてこの有機半導体素子の各膜を積層し、デバイスを保持するのに充分な強度を備えたものであればよい。後述する有機 EL表示装置として用いる場合には、有機発光部が形成された基板の全体を意味する。有機半導体素子のみを作製する場合には、プラスティック基板を用いると、軽量でフレキシブルな有機 TFTを作製することができる。

[0026] ソース'ドレイン電極とする第 1導電層 2および第 2導電層 4は、導電性に優れ、かつ、基板や有機半導体層との密着性がよぐ接触抵抗の低い金属、または導電性有機 (無機)材料、またはこれらの錯体材料が用いられる。具体的には、 p形の有機半導体層とォーミック接触を取るためには、仕事関数の大きい金属が好ましぐ金、白金などを用いることが好ましい。しかし、これらの材料には限定されない。また、半導体層表面にドーパントが高密度にドープされている場合には、金属 ·半導体間をキャリア力 Sトンネルすることが可能となり、金属の材質によらなくなるため、後述するゲート電極材料として挙げる金属材料を用いることもできる。これらの導電層 2、 4は、低抵抗層として利用できる 20— 200nm程度、好ましくは 50— lOOnm程度の厚さに形成される

[0027] 有機半導体層 3としては、オン'オフ比が高ぐキャリア輸送性に優れ、絶縁層ゃ電極材料と密着性のよいものが用いられ、 π電子共役系の芳香族化合物、鎖式化合物、有機顔料、有機ケィ素化合物などを用いることができる。具体的には、ペンタセン、テトラセン、チォフェンオリゴマ誘導体、フエ-レン誘導体、フタロシアニン化合物、ポリアセチレン誘導体、ポリチォフェン誘導体、シァニン色素などを用いることができる力これらの材料に限定されるものではない。この有機半導体層 3は、所望のチヤネル長に応じた 50— 5000nm程度、好ましくは 100— lOOOnm程度の厚さに形成される。

[0028] ゲート絶縁膜とする絶縁層 5としては、塗布法が可能なポリクロロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリオキシメチレン、ポリビュルクロライド、ポリフッ化ビ-リデン、シァノエチルプルラン、ポリメチルメタタリレート、ポリサルフォン、ポリカーボネート、ポリイミドなどの有機材料が好ましい。また、既存のパターンプロセスを用いることができる SiO、 SiN、 Al Oなどの無機材料を用いることもできる。もちろんこれらの材料に限

2 2 3

定されるものではないし、これらの材料でも、 2種以上併用することもできる。この絶縁層 5は、絶縁性に優れ、ゲート電極に印加され得る電圧に耐えられる耐圧を確保するため、 10— lOOOnm程度、好ましくは 50— lOOnm程度の厚さに形成される。

[0029] ゲート電極 (第 3導電層） 6としては、電極形成プロセスが簡単な塗布法を用いることができるポリア二リン、ポリチォフェンなどの有機材料、あるいは導電性インクが望ましい。また、金、白金、クロム、パラジウム、アルミニウム、インジウム、モリブデン、 -ッケルなどの金属や、これら金属を用いた合金や、スズ酸ィ匕物、酸化インジウム、インジゥム'スズ酸化物（ITO)などの無機材料でも、シャドウマスクを用いたスパッタ法ゃ真空蒸着法などにより用いることもできる。また、シリコン、ポリシリコン、アモルファスシリコンを用いることもできる。さら〖こ、これらの材料を 2種以上併用しても構わない。

[0030] この有機半導体を製造する方法の一例について、図 2A— 2Dに示される工程図を参照しながら、具体例により説明をする。まず、図 2Aに示されるように、ソース'ドレイン電極の一方とする第 1導電層 2を真空蒸着法などにより形成する。この第 1導電層 2 は、たとえば導電性有機材料などを塗布法により形成することもできる。つぎに、シャドウマスクを設けて、図 2Bに示されるように、第 1導電層 2がー部露出するように、有機半導体層 3を形成する。つぎに、同じマスクを用いて、図 2Cに示されるように、有機半導体層 3の上に、ソース'ドレイン電極の他方とする第 2導電層 4を形成する。その後、表面全面に絶縁層 5を形成する。ついで、その表面にゲート電極 6を形成する。その結果、図 1に示される断面構造を有する FETが形成される。なお、以上の方法では、真空蒸着法により各層を形成したが、塗布法により形成することもできる。

[0031] 本発明の有機半導体素子によれば、ソース'ドレイン電極とする第 1および第 2導電層 2、 4の間にサンドイッチされた有機半導体層 3の側面に、絶縁層 5を介してゲート電極 6が位置するように形成されている。そのため、有機半導体層 3のゲート電極 6と対向する有機半導体層 3の側面がチャネル領域となり、ゲート電極 6による制御により、チャネルがオンオフし、 FET動作をする。

[0032] この構造では、有機半導体層 3とソース'ドレイン電極となる第 1および第 2導電層 2 、 4のいずれとの界面も平坦で、密着性が高いため、接触抵抗は非常に低い。なお、絶縁層 5およびゲート電極 6が有機半導体層 3と第 1導電層 2との段差部に形成されるため、カバレッジが悪ぐコーナ部に絶縁層が充分に充填されない可能性はあるが、元々絶縁層 5は電流を流すものではないため、接触抵抗は問題にならない。

[0033] し力も、チャネル長は、有機半導体層 3の厚さで定まるため、成膜厚さを制御することにより、所望のチャネル長に形成することができる。この有機半導体層 3の厚さは、ナノメートルオーダで形成することができ、チャネル長もそのオーダで制御することができる。さらに、単純な積層構造で、し力もチャネル部分は自己整合的に作られるため、製造が簡単で、プロセスコストを大幅に下げることができる。その結果、低い動作電圧で、大きなドレイン電流を得ることができ、高特性の FETが安価に得られる。そのため、電流駆動である有機発光表示装置の駆動素子としても充分に用いることができ、有機 EL部と連続的に積層し有機 EL表示装置を構成することができる。

[0034] 図 1および 2A— 2Dに示される構造は、有機半導体層 3と第 2導電層 4とが一部欠落するように成膜され、その側面に絶縁層を介してゲート電極が形成されていたが、必ずしもこの構造でなくても、図 3A— 3Bに示されるような変形例の構造にしても同様に、有機半導体層 3の厚さをチャネル長とする FET動作をさせることができる。

[0035] すなわち、図 3Aに示される構造は、第 1導電層 2も全面に形成されるのではなぐ一部欠落した形状に形成されたもので、この構造にすれば、より一層完全にゲート電極 6が有機半導体層 3の側面と対向するため、低ヽゲート電圧でチャネル領域のォンオフを制御することができる。なお、他の部分は図 1に示される例と同じで、同じ部分には同じ符号を付してその説明を省略する。

[0036] また、図 3Bに示される構造は、逆に有機半導体層も全面に設けられ、第 2導電層 4 のみを一部欠落した状態で形成し、その側面および有機半導体層の露出面に絶縁層 5を介してゲート電極 6が設けられたものである。この構造でも、第 2導電層 4の側面近傍の有機半導体層 3がチャネル領域となり、ゲート電極 6によりオンオフ制御をすることができる。この例でも、他の部分は図 1に示される例と同じで、同じ部分には同じ符号を付してその説明を省略する。この構造にすることにより、駆動素子を何個も並列に形成する場合に第 2導電層 4のみをパターン形成すればよいため、製造プ口セスが簡単になるという利点がある。

[0037] 図 4は、本発明による有機半導体素子の他の実施形態を示す図 1と同様の断面説明図で、ドレイン電流の注入、引出しをさらに改善したものである。すなわち、有機半導体層 3の第 1導電層 2および第 2導電層 4との界面に、ソース'ドレイン層（キャリア注入層） 3a、 3bが形成されたものである。このソース'ドレイン層 3a、 3bは、ソース'ドレイン電極 2、 4と有機半導体層 3との間のエネルギー障壁を小さくする有機半導体層で、有機半導体層 3とソース'ドレイン電極 2、 4との間のエネルギー障壁が小さくなることにより、キャリアの注入、引出しが容易となり、より低い接触抵抗が得られ、低い駆動電圧で大きなドレイン電流を得やすくなる。

[0038] 本発明の有機 FETでは、有機半導体層 3の上下両面にソース'ドレイン電極 2、 4が設けられる構造であるため、チャネル領域の両端側に電流を流しやすくするソース- ドレイン層 3a、 3bが設けられることにより、シリコン系の半導体層で、ソース'ドレイン領域を高不純物濃度にして電流を流しやすくするのと同等の効果を得ることができる。すなわち、従来の有機半導体層の一面側にソース'ドレイン電極が設けられる構造では、電流通路が有機半導体層表面側の横方向であるため、チャネル領域を除いてソース'ドレイン層 3a、 3bを設けることは困難である力本発明では、単純な積層構造であるため、ソース'ドレイン層 3a、 3bを設けることが容易である。

[0039] ソース'ドレイン層（キャリア注入層） 3a、 3bとしては、たとえば CuPc (銅フタロシア- ン）、 PANI (ポリア-リン）、 PEDOT (ポリ- 3、 4-エチレンジォキシ-チォフェン）などを用いることができる。

[0040] 図 5A— 5Cは、前述の FETを用いた本発明の有機 EL表示装置の概略構成を示す図である。すなわち、本発明による有機 EL表示装置は、透光性基板 la上に透光性電極 21が設けられ、その透光性電極 21上に有機 EL部 20が設けられ、その有機 EL部 20上に駆動素子 Tr、スイッチング素子 Trおよびキャパシタ C力それぞれ有

1 2

機 EL部 20上に積層して設けられ、この駆動素子 Trが前述の構造の縦型 FETで構

1

成されていることに特徴がある。すなわち、この種の表示装置で、繊細な画像を表示するには、図 5Bに 1画素分の等価回路図が示されるように、有機 EL部 20が駆動素子 Trを介して電源ライン Vccとアースとの間に接続され、駆動素子 Trのゲートにスィ

1 1 ツチング素子 Trが接続され、ワードライン WLとビットライン BLとでマトリクスが組まれ

2

、各画素を選択できるアクティブ型に構成されている。

[0041] 本発明では、駆動素子 Trとして、前述の構造の有機 FETが用いられることにより、

1

フォトリソグラフィ技術を用いなくても、チャネル長の短ヽ FETを有機半導体で形成することができ、有機 EL部 20上に積層して形成することができるようになった。そのため、図 5Cに 1画素分の平面説明図が示されるように、画素のほぼ全面を発光部しとすることができ、図 5Dに示される従来のトランジスタ Trやキャパシタ CAP Aの面積を確保する必要がなぐ発光部 Lの面積を従来構造よりも大幅に向上させることができる。

[0042] 基板 laとしては、この基板側力も光を取り出すため、透光性なガラス基板やプラスティックフィルムが用いられる。また、透光性電極 21は、真空蒸着法ゃスパッタ法などにより設けられる ITO (Indium Tin Oxide)、酸化インジウムなどが用いられる。

[0043] 有機 EL部 20は、たとえば図 6に示されるように、たとえばガラス基板 Subla上の透光性電極 21上に、正孔輸送層 23、発光層 24および電子輸送層 25からなる EL有機層 27が設けられ、その上に他方の電極 (上面電極） 26が順次積層することにより形成されている力 EL有機層 27は、この 3層構造に制限されるものではなぐ少なくとも発光層が形成されていればよぐまた、それぞれの層もさらに複層にすることもできる

[0044] 正孔輸送層 23は、一般的には発光層 24への正孔注入性の向上と正孔の安定な輸送向上のため、イオンィ匕エネルギーがある程度小さぐ発光層 24への電子の閉込め（エネルギー障壁）が可能であることが求められており、ァミン系の材料、たとえばトリフエ-ルジァミン誘導体、スチリルァミン誘導体、芳香族縮合環をもつアミン誘導体などが用いられ、 10— lOOnm、好ましくは 20— 50nm程度の厚さに設けられる。また、図には示されていないが、正孔輸送層 23と陽極電極 21との間に正孔注入層を設け、正孔輸送層 23へのキャリアの注入性をさらに向上させることも行われる。この場合も、陽極電極 21からの正孔の注入性を向上させるため、イオン化エネルギーの整合性のよい材料が用いられ、代表例として、アミン系ゃフタロシアニン系が用いられる。図 6に示される例では、正孔輸送層 23として、 NPBが 35nmの厚さに設けられている。

[0045] 発光層 24としては、発光波長に応じて選択されるが、 Alq3を母材として有機物蛍光材料をドーピングすることにより、ドーピング材料固有の発光色を得ることができ、また、発光効率や安定性を向上させることができる。このドーピングは、発光材料に対して数重量 (wt) %程度（0.1— 20wt%)で行われる。

[0046] 蛍光性物質としては、キナクリドン、ルブレン、スチリル系色素などを用いることができる。また、キノリン誘導体、テトラフエ-ルブタジエン、アントラセン、ペリレン、コロネン、 12—フタ口ペリノン誘導体、フエ-ルアントラセン誘導体、テトラァリールェテン誘導体などを用いることができる。また、それ自体で発光が可能なホスト物質と組み合せて使用することが好ましぐホスト物質としては、キノリノラト錯体が好ましぐ 8—キノリノールまたはその誘導体を配位子とするアルミニウム錯体が好ましぐその他に、フエ二ルアントラセン誘導体ゃテトラァリールェテン誘導体などを用いることができる。

[0047] 電子輸送層 25は、陰極電極 26からの電子の注入性を向上させる機能および電子を安定に輸送する機能を有するもので、図 6に示される例では、 Alq3 (トリス（8-キノリノラト）アルミニウム）が 25nm程度の厚さに設けられている。この層が余り厚くなると、直列抵抗成分が大きくなるため、余り厚くはしないで、通常は 10— 80nm、好ましくは 20— 50nm程度の厚さに設けられる。電子輸送層 25としては、上記材料の他に、キノリン誘導体、 8—キノリノールないしその誘導体を配位子とする金属錯体、フエニルアントラセン誘導体、テトラァリールェテン誘導体などを用いることができる。この電子輸送層 25と陰極電極 26との間でギャップが大きい場合には、正孔側と同様に、 LiF など力もなる電子注入層 26aが設けられる。

[0048] 陰極電極 26としては、電子注入性を向上させるため、仕事関数の小さい金属が主に用いられる。代表例としては、 Mg、 K、 Li、 Na、 Ca、 Sr、 Ba、 Al、 Ag、 In、 Sn、 Zn 、 Zrなどが一般には用いられる。また、酸化インジウムのような透光性導電膜を用いることもできる。これらの金属の酸ィ匕などを防止して安定ィ匕させるため、他の金属との合金化をさせることが多ぐ図 6に示される例も、 LiF層 26aを介して A1層が l lOnm程度成膜されることにより、陰極電極 26が形成されている。

[0049] 駆動素子 Trは、有機 EL部 20と直列に接続されてヽるため、チャネル長が長くなる

1

と抵抗が増大し、有機 EL部 20に供給する電流が減少する。そのため、チャネル長の短!、FETであることが好ましく、前述の図 1または図 3 A— 3Bに示される構造の縦型有機 FETが使用される。この FETは、縦型であるため、図 1または図 3A— 3Bに示されるソース'ドレイン電極としての第 1導電層 2および前述の図 6に示される有機 EL部 20の電極 26がなくても、有機 EL部 20に直接電流が流れ、発光させることができる。しかし、両者の電極を共用した第 1導電層が設けられることにより、駆動素子 Trを通過した電流が第 1導電層により全面に拡散されるため、有機 EL部 20の全体に電流を供給することができ、広、面積での発光には好ま、。

[0050] 一方、スイッチング素子 Trは、それほど電流を必要とはしないため、前述の図 1ま

2

たは図 3A— 3Bに示される構造の有機 FETを使用してもよいが、この構造でなくて、従来の横型構造の FETを、シャドウマスクを用いて形成してもよい。キャパシタ Cは、駆動素子がオンの状態を一定時間保持するためのもので、データを保持し得る容量に形成される。

[0051] つぎに、具体的な構造例でさらに詳細に説明をする。図 7は、駆動素子 Trおよび

1 スイッチング素子 Trの両方共に前述の縦型構造の有機 FETを使用した例である。

2

すなわち、たとえばガラスなどの透光性基板 la上に、たとえば ITO力もなる透光性電極 21が形成され、前述の図 6に示される構造の有機 EL部 20が積層されている。そして、その表面に、有機 EL部の上部電極および駆動素子のソース'ドレイン電極の一方と共用する第 1導電層 2が形成されている。なお、前述のように、この第 1導電層 2 はなくてもよい。その表面の駆動素子領域 Aに有機半導体層 3が積層され、さらにその表面に部分的に（図 7では 2力所)ソース'ドレイン電極の他方とする第 2導電層 4が設けられ、その表面全体にゲート絶縁膜とする第 1絶縁層 5が、さらにその表面にゲート電極とする第 3導電層 6が、それぞれ設けられることにより、前述の構造の有機 F ETが駆動素子 Trとして形成されている。

1

[0052] スイッチング素子領域 Bでは、第 3導電層 6をソース'ドレイン電極の一方とし、その表面にスイッチング素子用の第 2有機半導体層 7が積層され、その表面に部分的にソース'ドレイン電極の他方とする第 4導電層 8が設けられ、その表面および駆動素子領域 Aの第 3導電層 6上に、スイッチング素子用ゲート絶縁膜およびキャパシタ用の絶縁膜とする第 2絶縁層 9が設けられている。そして、スイッチング素子領域 Bにおける第 2絶縁層 9上にスイッチング素子用ゲート電極とする第 5導電層 10が、また、駆動素子領域 Aにおける第 2絶縁層上にキャパシタ電極とする第 6導電層 11が同じ材料で同時に形成されている。そして、この表面に保護膜 19 (図 5A参照）が形成されること〖こより、図 5Aに概略図で示された構造の有機発光表示装置が得られる。

[0053] この構造で、第 2導電層 4の側端部と第 1導電層 2とが対向する部分 Dの第 1有機半導体層 3に駆動素子 Trのチャネル領域が形成され、チャネルがオンするときは、 D

1

の部分で縦方向に電流が流れ、その下の有機 EL部 20に電流を流して、発光する。そのため、第 2導電層 4の幅はできるだけ小さくして、数多く形成した方がチャネル領域の数を増やすことができ、チャネル幅を大きくして電流を多く流しやす、ため好ましい。なお、紙面と垂直方向には、帯状に第 2導電層 4が連続的に形成されるのが好ましい。

[0054] 図 7に示される例では、第 2導電層 4が 2個形成されているが、たとえば 1画素の大きさが 300 m X 300 /z mの表示装置を構成する場合、 1画素を R、 G、 Bの 3色で構成すると、 1画素の R、 G、 Bそれぞれの大きさは、 100 mX 300 /z mとなり、もっと数多くの第 2導電層 4を形成することができる（300 μ m方向または 100 μ m方向には帯状に連続して形成される）。

[0055] なお、図 7に示される例では、スイッチング素子 Trの下側には駆動素子 Trが形成

2 1 されていないが、第 3導電層 6は駆動素子 Trの最上面であるため、若干高さは高く

1

なるが、駆動素子 Trが形成された上にスイッチング素子 Trを形成することができ、

1 2

図 7に示されるように、駆動素子領域 Aとスイッチング素子領域 Bとが平面的に分離される必要はない。

[0056] また、図 7に示される例では、第 1有機半導体層 3および第 1導電層 2が駆動素子領域のほぼ全面に設けられる構造 (前述の図 3Bに示される有機半導体素子の構造)である力前述の図 1または図 3Aに示される有機半導体素子の構造でも縦型 FETを形成することができ、第 1有機半導体層 3または第 1導電層 2も第 2導電層 4のパターンに合せて形成することができる。

[0057] さらに、図 7に示される例では、スイッチング素子 Trも縦型構造の FETであり、駆動

2

素子 Trの例と同様に、第 4導電層 8の側端部近傍の第 2有機半導体層 7にチャネル

1

領域が形成されるが、このスイッチング素子 Trは、それほど電流を必要とせず、第 4

2

導電層 8は 1個形成されればよぐその後ろ側 (紙面と垂直方向）には駆動素子を形成することができる。このように、駆動素子 Trが画素のほぼ全面に形成されれば、駆

1

動素子 Tr力も直接有機 EL部 20のほぼ全面に電流を供給することができるため、第

1

1導電層 2がなくても動作に支障を来さない。 [0058] 図 8は、スイッチング素子 Trを前述の縦型構造の FETではなぐ従来の横型構造

2

の FETで構成した例である。スイッチング素子 Trは、電流量をそれほど必要としない

2

ため、チャネル長が短くなくてもそれほど問題は生じない。そのため、シャドウマスクを用いた従来構造の FETでも支障はない。図 8に示される例は、第 1導電層 2までは、図 7に示される例と同じで、第 1導電層 2の形成後に、スイッチング素子領域 Bに第 3 絶縁層 12が設けられ、第 3絶縁層 12および駆動素子領域 Aの第 1導電層 2上に、駆動素子およびスイッチング素子用の第 1有機半導体層 3が積層され、その上に駆動素子領域 Aでは、前述と同様に第 2導電層 4が、スイッチング素子領域 Bでは、第 2導電層 4と同じ材料で、同時にスイッチング素子用ソース'ドレイン電極とする第 7および第 8の導電層 13、 14が所定間隔だけ離して形成されている。

[0059] そして、スイッチング素子用ソース'ドレイン電極の一方である、たとえば第 8導電層 14の一部が露出するように、絶縁膜が成膜され、駆動素子用ゲート絶縁膜とする第 1 絶縁層 5およびスイッチング素子用ゲート絶縁膜とする第 4絶縁層 15が設けられている。なお、第 1絶縁層 5と第 4絶縁層 15とは連続して形成されていてもよいが、第 8導電層 14の一部は露出するように形成される。そして、駆動素子領域 Aの第 1絶縁層 5 上に駆動素子用ゲート電極とする第 3導電層 6が第 8導電層 14とコンタクトするように設けられ、スイッチング素子領域 Bの第 4絶縁層 15上のソース'ドレイン電極 13、 14 間にスイッチング素子用ゲート電極とする第 5導電層 10が設けられて、る。駆動素子領域 Aの第 3導電層 6上にさらに第 2絶縁層 9を介してキャパシタの電極とする第 6導電層 11が設けられることにより、有機発光表示装置が形成されている。なお、図 8で、図 7と対応する部分には図 7と同じ符号を付した。

[0060] この構造では、駆動素子側は、図 7に示される構造と同じである力スイッチング素子側の FETが横型で形成されているため、両素子の有機半導体層が第 1有機半導体層 3の 1層で同時に形成されていることに特徴がある。ただし、前述の図 7に示される構造では、駆動素子のゲート電極とスイッチング素子のソース ·ドレイン電極の一方とが同じ第 3導電層 6で同時に形成されたが、図 8に示される構造では、スイッチング素子 Trのソース'ドレイン電極 13、 14の両方が、駆動素子 Trのソース'ドレイン電極

2 1

の他方 4と同時に形成されるため、駆動素子のゲート電極 6がスイッチング素子のソース ·ドレイン電極の他方 14とコンタクトするように形成されて!、る。この構造によれば、キーとなる両素子の有機半導体層 3を同じ層で同時に形成することができること、および製造工程を減らすことができるという利点がある。もちろん、同じ層、同時形成でなくてもよい。

[0061] 図 8に示される例では、駆動素子用有機半導体層およびスイッチング素子用有機半導体層を 1層で連続するように形成されてヽたが、分離するように形成されてよヽ。しかし、同時に同じ材料で形成することができ、 1工程で形成することができる。また、図 8に示される構造では、スイッチング素子用ソース'ドレイン電極とする第 7および第 8導電層 13、 14が第 1有機半導体層 3の上側に形成されていたが、有機半導体層 3 の下側に形成することもできるし、また、ソース'ドレイン電極とする第 7および第 8導電層 13、 14は有機半導体層 3の上側で、ゲート電極とする第 5導電層 10を有機半導体層 3の下側に形成することもできる。

[0062] 図 7および 8に示されるように、本発明による有機 EL表示装置によれば、有機 EL部上に駆動素子用 FETが設けられているため、有機 EL部と駆動素子との接続部における両者の電極を共用したり、両者の電極共に省略することができる。さらに、キャパシタも駆動素子のゲート電極上に形成されているため、両者の電極を共用することができる。また、スイッチング素子も駆動素子のゲート電極上に積層して形成されるか、駆動素子の各層と同時に形成されるため、単純に積層して、くだけでアクティブマトリタス型有機発光表示装置が得られる。

[0063] し力も、駆動素子、スイッチング素子およびキャパシタの全て力有機 EL部上に形成されているため、駆動素子などにより表示部の面積が減らされることがなぐ非常に開口率を向上させることができる。また、有機 EL部が発光面側の ITO電極上に先に形成されるため、透光性電極の抵抗を充分に下げることができ、発光効率を向上させることができる。

産業上の利用可能性

[0064] 本発明の有機半導体素子は、携帯ディスプレイや電子値札、電子荷札などの電子タグなどのように低価格で供給される電子機器の集積回路に利用することができ、また、本発明の有機 EL表示装置は、携帯電話機、携帯端末機、薄型テレビなどのディスプレイなどに利用することができる。

Claims

請求の範囲

[1] 基板と、該基板上に設けられるソース'ドレイン電極の一方とする第 1導電層と、該第 1導電層の上に設けられる有機半導体層と、該有機半導体層の上に設けられるソース'ドレイン電極の他方とする第 2導電層と、前記有機半導体層の側面または前記第 2導電層の一部が除去されて露出する前記有機半導体層の表面および前記第 2 導電層の側面に絶縁層を介して設けられるゲート電極とからなる FETを有する有機半導体素子。

[2] 前記第 1導電層と有機半導体層との間、および Zまたは前記第 2導電層と前記有機半導体層との間にエネルギー障壁を低くする有機半導体層が設けられてなる請求項 1記載の有機半導体素子。

[3] 前記第 1導電層が広い範囲に亘つて設けられ、該第 1導電層上に前記有機半導体層および前記第 2導電層がそれぞれの側面が揃って露出するように設けられ、該有機半導体層と第 2導電層の側面を覆うように前記絶縁層を介して前記ゲート電極が設けられてなる請求項 1記載の有機半導体素子。

[4] 前記第 1導電層、前記有機半導体層および前記第 2導電層がそれぞれの側面が揃って露出するように設けられ、該第 1導電層、有機半導体層および第 2導電層の側面を覆うように前記絶縁層を介して前記ゲート電極が設けられてなる請求項 1記載の有機半導体素子。

[5] 前記第 1導電層および前記有機半導体層が広い範囲に亘つて設けられ、該有機半導体層上に前記第 2導電層がその側面を露出するように設けられ、該第 2導電層の側面を覆うように前記絶縁層を介して前記ゲート電極が設けられてなる請求項 1記載の有機半導体素子。

[6] 透光性基板と、該透光性基板上に設けられる透光性電極と、該透光性電極上に設けられる EL有機層と、該 EL有機層の上に積層して設けられる駆動素子、スィッチング素子およびキャパシタとからなり、前記駆動素子が第 1導電層と有機半導体層と第 2導電層との積層構造で、少なくとも前記第 2導電層の側面に絶縁層を介してゲート電極が設けられる構造の縦型 FETにより形成されてなる有機 EL表示装置。

[7] 前記 EL有機層と前記駆動素子との間に、有機 EL部の上部電極および前記駆動素子のソース'ドレイン電極の一方とする導電層力共通の導電層として、または別々の導電層として設けられてなる請求項 6記載の構造の FETである有機 EL表示装置。

[8] 前記駆動素子が前記 EL有機層の上に設けられ、該駆動素子の上面に形成されるゲート電極用の第 3導電層の一部を前記スイッチング素子のソース'ドレイン電極の一方とし、該第 3導電層の一部上に有機半導体層およびソース'ドレイン電極の他方とする第 4導電層が積層されることにより形成される縦型 FETにより前記スイッチング素子が形成されてなる請求項 6記載の有機 EL表示装置。

[9] 前記駆動素子およびスイッチング素子が、前記 EL有機層の上に平面的に駆動素子領域とスイッチング素子領域とに分けて設けられ、前記スイッチング素子は、スイツチング素子用有機半導体層が前記駆動素子の有機半導体層と連続して、または同時に形成され、該有機半導体層の同じ面に接して、一対のソース'ドレイン電極が離間して設けられる横型 FETである請求項 6記載の有機 EL表示装置。

[10] 前記 EL有機層の上に前記駆動素子用の第 1有機半導体層が設けられ、該第 1有機半導体層上に部分的に駆動素子用ソース'ドレイン電極の 1つとする第 2導電層が設けられ、露出する表面に前記駆動素子用のゲート絶縁膜とする第 1絶縁層が設けられ、該第 1絶縁層上に前記駆動素子用のゲート電極および前記スイッチング素子用のソース ·ドレイン電極の一方とする第 3導電層が設けられ、前記スイッチング素子が設けられるスイッチング素子領域における該第 3導電層上に前記スイッチング素子用の第 2有機半導体層が設けられ、該第 2有機半導体層上に部分的に前記スィッチング素子用のソース'ドレイン電極の他方とする第 4導電層が設けられ、前記駆動素子が設けられる駆動素子領域における前記第 3導電層上、および前記スイッチング素子領域における前記第 2有機半導体層の露出部および前記第 4導電層の上に、前記キャパシタの誘電体層および前記スイッチング素子用のゲート絶縁膜とする第 2 絶縁層が設けられ、前記スイッチング素子領域における該第 2絶縁層上に前記スイツチング素子用のゲート電極とする第 5導電層、および前記駆動素子領域における前記第 2絶縁層上に前記キャパシタの電極とする第 6導電層がそれぞれ設けられてなる請求項 8記載の有機 EL表示装置。

[11] 前記スイッチング素子領域における前記 EL有機層の上に第 3絶縁層が設けられ、該第 3絶縁層上および前記駆動素子領域における前記 EL有機層の上に、前記駆動素子用およびスイッチング素子用の第 1有機半導体層が設けられ、前記駆動素子領域における該第 1有機半導体層上に部分的に駆動素子用ソース'ドレイン電極の他方とする第 2導電層が設けられると共に、前記スイッチング素子領域における前記第 1有機半導体層上に前記スイッチング素子用のソース電極およびドレイン電極とする第 7および第 8の導電層が分離して設けられ、前記駆動素子領域における前記第 1有機半導体層の露出部および前記第 2導電層上に前記駆動素子用のゲート絶縁膜とする第 1絶縁層が設けられると共に、前記スイッチング素子領域における前記第 1有機半導体層の露出部および前記第 7および第 8の導電層上に前記スイッチング素子用のゲート絶縁膜である第 4絶縁層が前記第 7または第 8の導電層のいずれか一方の一部が露出するように設けられ、前記第 1絶縁層上に前記駆動素子用のゲート電極とする第 3導電層が前記第 7または第 8の導電層の露出部と電気的に接続されるように設けられると共に、前記第 4絶縁層上に前記スイッチング素子用のゲート電極とする第 5導電層が設けられ、前記第 3導電層上に前記キャパシタの誘電体層とする第 2絶縁層が設けられ、該第 2絶縁層上に前記キャパシタの電極とする第 6導電層がそれぞれ設けられてなる請求項 9記載の有機 EL表示装置。

前記 EL有機層と前記第 1有機半導体層との間に有機 EL部の上部電極および前記駆動素子のソース'ドレイン電極の一方とする導電層力共通の導電層として、または別々の導電層として設けられてなる請求項 10または 11記載の有機 EL表示装置。