WO2005086130A1 - Dispositif ameliore d'adressage de pixels - Google Patents

Dispositif ameliore d'adressage de pixels Download PDF

Info

Publication number
WO2005086130A1
WO2005086130A1 PCT/FR2005/050124 FR2005050124W WO2005086130A1 WO 2005086130 A1 WO2005086130 A1 WO 2005086130A1 FR 2005050124 W FR2005050124 W FR 2005050124W WO 2005086130 A1 WO2005086130 A1 WO 2005086130A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
control means
current
transistor
intensities
range
Prior art date
Application number
PCT/FR2005/050124
Other languages
English (en)
Inventor
Walid Benzarti
Original Assignee
Commissariat A L'energie Atomique
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat A L'energie Atomique filed Critical Commissariat A L'energie Atomique
Priority to EP05717722A priority Critical patent/EP1719102A1/fr
Priority to JP2007500275A priority patent/JP2007524872A/ja
Priority to US10/589,730 priority patent/US7554533B2/en
Publication of WO2005086130A1 publication Critical patent/WO2005086130A1/fr

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404—Matrix technologies
    • G09G2300/0417—Special arrangements specific to the use of low carrier mobility technology
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G09G2300/0443—Pixel structures with several sub-pixels for the same colour in a pixel, not specifically used to display gradations
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0262—The addressing of the pixel, in a display other than an active matrix LCD, involving the control of two or more scan electrodes or two or more data electrodes, e.g. pixel voltage dependent on signals of two data electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0223—Compensation for problems related to R-C delay and attenuation in electrodes of matrix panels, e.g. in gate electrodes or on-substrate video signal electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/2007—Display of intermediate tones
    • G09G3/2011—Display of intermediate tones by amplitude modulation
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/2007—Display of intermediate tones
    • G09G3/2074—Display of intermediate tones using sub-pixels

Definitions

  • the present invention relates to a microelectronic device making it possible to emit light radiation and which can be used for example to form pixels for displays or screens, in particular pixels of OLED type (OLED for “Organic Light Emission Displays”, in French displays). organic electroluminescent).
  • OLED type screens are flat screens using the luminescence property of OLED organic diodes.
  • a current addressing device integrated into the pixel is generally provided.
  • An example according to the prior art of such an addressing device associated with a light-emitting diode 10, for example of the OLED type (OLED for “Organic Light Emission Diode”) is illustrated in FIG. 1.
  • This example of a device addressing comprises first of all a first transistor 11, functioning as a switch, and the opening or closing of which is controlled by a selection signal for example in the form of a voltage denoted vlin.
  • the addressing device further comprises a second transistor 12 making it possible to produce a current id at the input of the light-emitting diode 10, as a function of an adjustment voltage vdat, the current id causing the emission of radiation by the diode 10.
  • the adjustment voltage vdat is a function of a light intensity or luminance value at which one wishes fix the radiation emitted by the diode 10. For a certain value of the selection signal vlin, the first transistor 11 can be put in a “closed” state.
  • the adjustment voltage vdat is then applied to the drain of the first transistor 11, and transmitted to the gate of the second transistor 12, the latter then emitting the current id at the input of the light-emitting diode 10.
  • the second transistor 12 is generally biased in saturation mode, by a bias voltage denoted Vdd for example of the order of +16 V.
  • a pixel formed from the device described above has a contrast depending on the extent of the range of light intensities that the diode is capable of producing.
  • the second transistor 12 must preferably be able to deliver a wide range of currents, and be able to produce both "weak" currents, for example of the order of a few tens of nanoamps, for example of the order of 50 nA, as well as "strong" currents, for example example of the order of a few microamps, for example 5 ⁇ A in saturation regime.
  • "weak" currents for example of the order of a few tens of nanoamps, for example of the order of 50 nA
  • strong currents for example of the order of a few microamps, for example 5 ⁇ A in saturation regime.
  • the extent of said range of currents, as well as the values of intensities of this range are dependent in particular on the manner in which the first 11 and the second transistor 12 are polarized.
  • the first transistor 11 and the second transistor 12 can be transistors of the TFT type (TFT for “Thin Film Transistor” in French thin film transistor), made in poly-silicon technology lens.
  • TFT Thin Film Transistor
  • Such a TFT transistor is generally limited when it comes to the extent of the current range that it is capable of debiting, in particular compared to a MOS transistor in monocrystalline silicon technology. This limitation may adversely affect the performance, in particular in terms of contrast, of the pixels using this technology.
  • TFT transistors in poly-crystalline silicon technology also have the disadvantage of having a slow transition between their blocked regime which will be called "OFF” and their saturated regime which will be called "ON".
  • the adjustment voltage vdat in order for the diode 10 to be able to emit radiation at sufficiently high light intensities, the adjustment voltage vdat must preferably reach high levels. High values of the control voltage vdat induce a high consumption. Given the slow transition between the “ON” and “OFF” regimes of the TFT polycrystalline silicon transistors, so that the diode 10 can emit radiation according to a wide range of light intensities, the difference between the maximum value denoted Vdatmax of the adjustment voltage vdat and the minimum value Vdatmin of this same adjustment voltage is generally important. So that the diode 10 emits at extreme light intensities, the voltage between the drain and the source of the first transistor 11 is generally high.
  • Vdat2min can for example be of the order of 8.3 volts.
  • the maximum value of the adjustment voltage denoted Vdat2max may for example be of the order of 16.6 volts.
  • the invention relates to a microelectronic device for producing total light radiation comprising: - first light-emitting means capable of producing a first radiation of a first light intensity or of a first luminance, - first control means capable of controlling the first electroluminescent means using a first current of an intensity belonging to a first range of intensities, - second electroluminescent means capable of producing a second radiation of a second light intensity or of a second luminance, - second control means able to control the second electroluminescent means, using a second current of an intensity belonging to a second range of intensities different from the first, the total light radiation produced having a light intensity or total luminance combination of said first light intensity or luminance and said second light intensity or luminance.
  • the microelectronic device according to the invention can be used to form an improved display or screen pixel.
  • luminance will designate values of emitted light intensities related to the same value of a given surface, for example a value equal to the surface of said microelectronic device or of a pixel of display or of r screen formed from said microelectronic device.
  • first luminance is meant the ratio between said first light intensity and a given surface.
  • second luminance is meant the ratio between said second light intensity and said given surface. At least several intensities of said first range of intensities to which the first current belongs can be lower than the intensities of said second range of intensities to which the second current belongs.
  • said first range of intensities and second range of intensities can overlap.
  • said first range intensities and second range of intensities can be distinct and not overlap.
  • Said first range of intensities can then for example comprise values of intensities all lower than the values of intensities of said second range of intensities.
  • the first light-emitting means and second light-emitting means can for example be formed respectively by a first photodiode and a second photodiode, for example organic diodes of OLED type. These first and second electroluminescent means are capable of operating alternately or simultaneously.
  • one of said first or second light-emitting means can operate in a mode called "all or nothing", and be capable of producing radiation of a given light intensity or of a given luminance, or of not emit, while the other of said first or second electroluminescent means can operate in another mode which will be called “analog" and be capable of producing light radiation of luminous intensity or luminance varying between a value of minimum luminous intensity or luminance and a value of non-zero luminous intensity or maximum luminance.
  • the first electroluminescent means and the second electroluminescent means can be similar or different.
  • the first electroluminescent means and the second electroluminescent means can be produced using similar or different technologies.
  • the first and second electroluminescent means can have similar or different sizes.
  • the first light-emitting means and the second light-emitting means can be formed, for example, respectively from a first photodiode and from a second photodiode of identical or different sizes or of identical or different emitting surfaces.
  • the first light-emitting means and second light-emitting means are formed respectively by a first OLED-type photodiode and a second OLED-type photodiode stressed differently from one another in terms of frequency d 'use or / and average light intensity to provide, it may be useful to provide the first and second photodiode with different sizes.
  • said first and second photodiode, the photodiode least stressed in terms frequency of use or / and average light intensity or average luminance to be supplied can be designed so as to have a smaller size or a smaller emitting surface than the other photodiode most stressed in terms of frequency of use or / and average light intensity or average luminance to be provided.
  • This particular embodiment can make it possible to increase the lifetime of the microelectronic device according to the invention.
  • the first and / or second control means can be provided with switch means, for example in the form of a first and / or a second switch transistor, for example of the TFT type.
  • the first control means may include current modulating means, for example in the form of a transistor, such as a TFT type transistor, making it possible to modulate the current at the input of the first electroluminescent means.
  • the second control means may include current modulating means, for example in the form of another transistor, such as a TFT type transistor, making it possible to modulate the current at the input of the second electroluminescent means.
  • the current modulator transistor included in the first control means can be formed according to a ratio denoted (Wi / Li), of the width of its channel denoted Wi over the length of its channel denoted Li, the ratio (Wi / Li) being lower than another ratio noted ( 2 / L 2 ), of the width noted W 2 over the length noted L 2 of the channel of the other transistor, included in the second control means.
  • the switching means of the first control means and of the second control means can be controlled for example by the same signal, for example in the form of a so-called “selection” voltage.
  • the current modulating means of the first control means and of the second control means can be controlled by different signals, for example respectively by a first voltage called “adjustment” and a second voltage called “adjustment”.
  • the microelectronic device according to the invention may be capable of forming an improved display or screen pixel, first of all in terms of consumption.
  • the device according to the invention makes it possible to reduce the bias constraints on the current modulating means and on the electroluminescent means compared to pixel addressing devices according to the prior art.
  • the levels of the adjustment voltages making it possible to define the levels of the currents respectively at the input of the first electroluminescent means and of the second electroluminescent means of the device according to the invention can thus be reduced compared to the level of the adjustment voltages used for the devices addressing of pixels according to the prior art.
  • the consumption induced by a pixel used can be improved.
  • the minimum and maximum levels of the adjustment signals used to define the current levels at the input of the electroluminescent means can be reduced compared to those used with the pixel addressing devices according to the prior art. This has the consequence of facilitating the retention of these adjustment signals at the input of the current modulator means. At the level of a pixel, this can make it possible in particular to reduce the phenomenon of untimely variations in light intensity emitted by it.
  • This device firstly comprises first and second light-emitting means respectively in the form, for example, of a first diode light emitting 110, for example organic and OLED type, and a second light emitting diode 120 for example of the same type as the first diode 110.
  • the diodes 110 and 120 are controlled by current respectively by first control means 130 and second control means 140 and can operate alternately or simultaneously.
  • the first diode 110 is capable of receiving as input a current denoted idl, coming from the first control means 130 and the intensity of which belongs to a first range called “low intensities”, going from a minimum value Idlmin for example of l order of several tens of nanoamps, for example equal to 50 nA, at a maximum value Idlmax for example comprised between several hundred nanoamps and several microamps, for example of the order of 1 ⁇ A.
  • a current denoted idl coming from the first control means 130 and the intensity of which belongs to a first range called “low intensities”, going from a minimum value Idlmin for example of l order of several tens of nanoamps, for example equal to 50 nA, at a maximum value Idlmax for example comprised between several hundred nanoamps and several microamps, for example of the order of 1 ⁇ A.
  • the diode 110 Depending on the intensity of the current idl at its input, the diode 110 produces light radiation of low intensity and luminance, the luminance being included in a range known as “low luminances” situated between a minimum value denoted Llmin, by example of the order of 1 cd / m 2 , and a maximum value of Llmax, for example of the order of 20 cd / m 2 .
  • the first control means 130 producing the current id1 at the input of the first diode 110 firstly comprise switch means.
  • These switching means can be in the form for example of a first switching transistor 131, such as a TFT type transistor, the opening and closing of which are directed by a selection signal in the form of a voltage denoted vsel applied on his grid.
  • the first control means 130 also comprise means for modulating the current idl at the input of the first diode 110, as a function of an adjustment signal in the form of a voltage denoted vdatl.
  • the modulators of the current idl take for example the form of a second modulator transistor 132, such as a TFT type transistor, and polarized, preferably in saturation mode, by a bias voltage denoted Vdd, for example l '+ 16V order.
  • the adjustment voltage vdatl can be applied to the drain of the first transistor 131.
  • the adjustment voltage vdatl can be transmitted to the gate of the second transistor 132, the latter then emitting the current idl at the input of the first diode 110, as a function of the value of the adjustment voltage vdatl received on its wire rack.
  • the intensity and the luminance of a light radiation emitted by the first diode 110 is a function of the intensity of the current idl, itself controlled by the adjustment voltage vdatl.
  • the adjustment voltage vdatl is emitted by a circuit external to the device illustrated in FIG. 2 and preferably bounded between a minimum value Vdatl m i n and a maximum value Vdatl max .
  • These minimum values Vdatl raln and maximum Vdatl max respectively define the light intensity and the minimum luminance Llmin and the light intensity and the maximum luminance Llmax at which the first diode 110 is capable of producing.
  • Vdatlmin can be around 9.05 volts to obtain an Idlmin current of around 50 nA and Vdatlmax around 13.75 volts to obtain an Idlmax current around 1 ⁇ A
  • Integrated means to the first control means 130 taking for example the form of a capacitor 133, for example of capacitance of the order of 0.5 pF, connected to the gate of the second transistor 132, are also provided to make it possible to retain the adjustment signal vdatl at the input of the second transistor 132 when the first transistor 131 is in the "open" state.
  • the second diode 120 is capable of receiving a current denoted id2 from the second control means 140.
  • the current id2 at the input of the second diode 120 has an intensity belonging to another range of intensities higher than those of said first range of intensities to which the current idl belongs to the input of the first diode 110.
  • This other range of intensities is between a minimum value denoted Id2min, for example of the order of 1 ⁇ A and a maximum value noted Id2max, for example of the order of several microamps, for example of 4 ⁇ A.
  • the range of intensities to which the current id1 belongs to the input of the first diode 110 and the other range of intensities to which the current id2 belongs to the input of the first diode 110 are distinct. According to a variant, it can be provided that the range of intensities to which the current id1 belongs and the other range of intensities to which the current id2 belongs to overlap.
  • the second diode 120 can produce light radiation of intensity and luminance included in a second range of intensities and luminances, the second range of luminance ranging from a value minimum luminance noted L2min for example of around 20 cd / m 2 at a maximum luminance value denoted L2max, for example around 80 cd / m 2 .
  • the second control means 140 making it possible to control the illumination of the second diode 120, are of the same type as the first control means 130 making it possible to control the lighting of the first diode 110.
  • the second control means 140 also include switch means, the opening and closing of which are controlled by the selection voltage vsel.
  • the switch means of the second control means take the form, for example, of another first switch transistor 141, for example of the TFT type.
  • the second control means 140 also comprise means making it possible to modulate the current id2 at the input of the second diode 120 as a function of the value of another adjustment signal in the form of a voltage denoted vdat2 applied to the drain of the other first transistor 141.
  • the means modulating the current id2 at the input of the second diode 120 may take the form of another second transistor 142 whose source is connected to the second diode 120 and which, when receives on its grid the other adjustment voltage vdat2, emits the current id2 at the input of said second diode 120.
  • the other second transistor 142 can for example be a transistor of TFT type (TFT for "Thin Film Transistor”) . It is preferably biased in saturation mode, for example by the bias voltage Vdd.
  • the other second modulating transistor 142 is capable of receiving the other voltage adjustment vdat2 when the other first transistor 141 is set to the “closed” state by the voltage vsel. This voltage vdat2 is emitted by a circuit external to the device illustrated in FIG. 2 and preferably bounded between a minimum value denoted Vdat2 m i n and a maximum value denoted Vdat2 max .
  • the minimum and maximum values of the voltage vdat2 respectively determine the minimum luminance denoted L2min and the maximum luminance denoted L2max that the second diode 120 is capable of producing.
  • the minimum value Vdat2min of the other adjustment voltage can be of the order of 12.8 volts to allow a minimum current Id2min to be obtained at the input of the second diode of the order of 1 ⁇ A.
  • the maximum value Vdat2max of the other control voltage vdat2 can be of the order of 15.3 volts to allow obtaining a current of maximum value Id2max of the order of 4 ⁇ A at the input of the second diode 120.
  • the other adjustment voltage vdat2 at the input of the second control means 140 may belong to a range of voltages different from the range of voltages to which the voltage belongs.
  • adjusting vdatl at the input of the first control means 140 Means are also provided to enable the other adjustment voltage vdat2 to be retained at the input of the other second transistor 142, when the other first transistor 141 is in the "open" state.
  • the first capacitor 133 and the second capacitor 143 may have different capacitances and the values of which are chosen respectively as a function of the respective ranges to which the adjustment voltages vdatl and vdat2 belong.
  • the first capacitor 133 can be provided to have a capacitance value lower than that of the second capacitor 143.
  • the armatures of the first capacitor 133 may for example occupy a smaller area than those of the second capacitor 143.
  • the control means 130 and 140 of the diodes 110 and 120 differ from one another in particular by their current modulating means.
  • the current modulator means of the first control means 130 are provided for emitting a current idl in a range of intensities lower than that of the current id2 which can be emitted by the other current modulator means of the second control means 140.
  • the other second transistor 142 current modulator, belonging to the first control means 140 can be produced for example so as to comprise a channel shorter than the channel of the second transistor 132 current modulator belonging to the first control means 130.
  • the second transistor 132 can be formed with a noted ratio (i Li) of the width of its channel Wi over the length i of its channel, for example of the order of (10/60), while the other second transistor 142, can be formed with a other noted ( 2 / L 2 ) for example of the order of (10/20) of the width W 2 of its channel over the length L 2 of its channel, higher than the ratio (Wi Li).
  • the microelectronic device described above can be used for example to form a pixel of a screen or a display.
  • the pixel can produce a light radiation of intensity and luminance belonging to a wide range, respectively of intensity and luminances, the range of luminance being able to be comprised between a minimum value of luminance noted Lmin, for example of 1 'order of 12 cd / m 2 and a maximum luminance value Lmax, for example of the order of 120 cd / m 2 , while keeping consumption reduced.
  • Said pixel can be shared between a first sub-pixel, formed for example from the first diode 110 associated with the first control means 130, and a second sub-pixel formed from the second diode 120 associated with the second control means 140.
  • the selection of said pixel from a set of screen or display pixels can be carried out by means of the selection signal vsel common to the first sub-pixel and to the second sub-pixel, and coming from a circuit external to the screen or display.
  • the value of the total intensity or luminance of a light radiation emitted by said pixel can be controlled by the adjustment signal vdatl and the other adjustment signal vdat2 applied respectively to the first sub-pixel and to the second sub-pixel , coming from a circuit outside the screen or display.
  • the first sub-pixel can be developed for example to produce radiations of intensity or so-called "weak" luminances included in a first range of intensities or luminances, the value of which is a function of the adjustment signal vdatl.
  • the second sub-pixel can be provided to produce radiation of intensities or so-called “high” luminances included in a second range of intensities or luminances higher than those of the first range of intensities or luminances, and whose the value is a function of the other adjustment signal vdat2.
  • the first sub-pixel and the second sub-pixel may operate alternately or simultaneously depending on the value of the adjustment signals vdatl and vdat2 and on the value of total intensity or luminance which it is desired to assign to said pixel.
  • An example of an operating diagram of a pixel implemented according to the invention and those of a first sub-pixel and a second sub-pixel forming said pixel are illustrated in FIG. 3, respectively by the curves C 2 , C 3 and C.
  • the total luminance emitted by the pixel is between a minimum luminance value noted Lmin for example of the order of 12 cd / m 2 and a maximum luminance value noted Lmax for example of the order of 120 cd / m 2 .
  • the first sub-pixel and the second sub-pixel produce distinct and contiguous ranges of intensities or luminances.
  • the pixel When the pixel produces “low intensities or luminances” included in a first range, for example situated between Lmin for example of the order of 12 cd / m 2 and Lmax / 5, for example of the order of 24 cd / m 2 (Cil portion of the increasing Cl curve), it may be the first sub-pixel which emits light radiation (C21 portion of the increasing C2 curve) while the second sub-pixel does not emit (C31 portion of the curve C3 constant).
  • This first range called “low intensity or low luminance” is produced for radiation coming from the first diode 110 when the latter receives an input current idl belonging to a range of low intensity currents ranging for example from 50 nA to 1 uA.
  • the second range of intensities or luminances called “high intensities or luminances” is thus produced for light radiation coming from the second diode 120 when the latter receives an input current id2 belonging to a second range of currents intensities ranging for example from 1 ⁇ A to 4 ⁇ A.
  • the highest of intensities or luminances can be included in a third range of luminances, for example situated between (4Lmax / 5) for example of the order of 96 cd / m 2 and (Lmax), by example of the order of 120 cd / m 2 (portion C13 of the curve Cl), can be provided both by an illumination of the first sub-pixel and an illumination of the second sub-pixel.
  • the third range known as “highest” intensities or luminances can be obtained by radiation from the first diode 110
  • portion C23 of the constant curve C2 triggered by a first current idl at the input of the latter of, for example, between 50 nA and 1 ⁇ A, and by radiation coming from the second diode 120 (portion C33 of the curve C3 increasing) triggered by a second current id2 at the input of the latter, for example between 1 ⁇ A to 4 ⁇ A.
  • light radiation emitted by the pixel according to the invention can be constantly formed from a combination of radiation from the first sub-pixel and another light radiation from the second sub-pixel.
  • a pixel implemented according to the invention is formed first of all of a first sub-pixel operating according to a mode that l 'we will call “all or nothing” and a second sub-pixel operating in another mode which we will call “analog”.
  • the first sub-pixel will be able to emit radiation of a given luminance or not to emit, while the second sub-pixel will constantly emit a value of intensity or luminance likely to vary.
  • a screen or display pixel is generally associated with an elementary surface, capable of producing light radiation according to a given wavelength and a given intensity or luminance.
  • a pixel P implemented according to the invention of a screen or display is divided into a first zone and a second associated zone respectively to a first sub-pixel denoted Pi and to a second sub-pixel denoted P2.
  • the first sub-pixel PI and the second sub-pixel P2 respectively comprise a first surface SI capable of emitting radiation of a certain light intensity, and a second surface S2 capable of emitting radiation of another light intensity .
  • the surfaces S1 and S2 are capable of emitting according to near or identical wavelengths.
  • the first surface S1 and the second surface S2 can be equal or different.
  • the surfaces S1 and S2 correspond respectively to an emitting surface of the first organic photodiode and to an emitting surface of the second organic photodiode.
  • emitting surface is meant a surface capable of emitting light radiation.
  • the surfaces Si and S2 are each capable of emitting light radiation simultaneously or alternately.
  • the pixel emits according to the first range of "low luminances” or low intensities, it is for example the first surface SI which emits a light radiation while the second surface S2 does not emit (FIG. 4A). So that the pixel emits according to the second range of "high luminances” or of high intensities, it is for example the second surface S2 which emits light radiation, while the first surface S1 does not emit (FIG. 4B). So that the pixel emits according to the third range of "highest luminances or intensities" the second surface S2 and the first surface SI emit at the same time (FIG. 4C).

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

L'invention concerne un dispositif microélectronique permettant de produire un rayonnement lumineux selon une large gamme de luminances et pouvant être utilisé notamment pour former des pixels améliorés d'écrans ou d'afficheurs par exemple de type OLED.

Description

DISPOSITIF AMELIORE D'ADRESSAGE DE PIXELS
DESCRIPTION
DOMAINE TECHNIQUE ET ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE
La présente invention concerne un dispositif microélectronique permettant d' émettre un rayonnement lumineux et pouvant être utilisé par exemple pour former des pixels d'afficheurs ou d'écrans notamment des pixels de type OLED (OLED pour « Organic Light Emission Displays », en français afficheurs organiques électroluminescents) . Les écrans de type OLED sont des écrans plats utilisant la propriété de luminescence de diodes organiques OLED. Pour régler la luminescence d'une diode OLED associée à un pixel d'écran ou d'afficheur, un dispositif d'adressage en courant, intégré au pixel est généralement prévu. Un exemple suivant l'art antérieur d'un tel dispositif d'adressage associé à une diode électroluminescente 10, par exemple de type OLED (OLED pour « Organic Light Emission Diode ») est illustré sur la figure 1. Cet exemple de dispositif d'adressage comporte tout d'abord un premier transistor 11, fonctionnant comme un interrupteur, et dont l'ouverture ou la fermeture est contrôlée par un signal de sélection par exemple sous forme d'une tension notée vlin. Le dispositif d'adressage comporte en outre un second transistor 12 permettant de produire un courant id à l'entrée de la diode électroluminescente 10, en fonction d'une tension de réglage vdat, le courant id provoquant l'émission d'un rayonnement par la diode 10. La tension de réglage vdat est fonction d'une valeur d'intensité lumineuse ou de luminance à laquelle on souhaite fixer le rayonnement émis par la diode 10. Pour une certaine valeur du signal de sélection vlin, le premier transistor 11 peut être mis dans un état « fermé ». La tension de réglage vdat est alors appliquée sur le drain du premier transistor 11, et transmise sur la grille du second transistor 12, ce dernier émettant alors le courant id à l'entrée de la diode électroluminescente 10. Afin de bénéficier d'un maximum de stabilité en courant et d' un minimum de sensibilité aux fluctuations de tension entre son drain et sa source, le second transistor 12 est généralement polarisé en régime de saturation, par une tension de polarisation notée Vdd par exemple de l'ordre de +16 V. Un condensateur 13, par exemple de l'ordre de 1 pF relié à la grille du second transistor 12, est en outre prévu pour permettre de retenir le signal de réglage vdat, lorsque ce dernier est transmis sur la grille du second transistor 12. Un pixel formé à partir du dispositif précédemment décrit, a un contraste dépendant de l'étendue de la gamme d'intensités lumineuses que la diode est susceptible de produire. Pour permettre à la diode 10 d'atteindre une importante gamme d'intensités lumineuses, le second transistor 12 doit de préférence être capable de débiter une large gamme de courants, et pouvoir produire aussi bien des courants « faibles » par exemple de l'ordre de quelques dizaines de nanoampères, par exemple de l'ordre de 50 nA, que des courants « forts », par exemple de l'ordre de quelques microampères, par exemple 5 μA en régime de saturation. L'étendue de ladite gamme de courants, ainsi que les valeurs d'intensités de cette gamme sont dépendantes notamment de la manière dont sont polarisés le premier 11 et le second transistor 12. Dans un dispositif d'adressage de pixel d' écran ou d' afficheur du type de celui qui vient d'être décrit, le premier transistor 11 et le second transistor 12 peuvent être des transistors de type TFT (TFT pour « Thin Film Transistor » en français transistor couche mince) , réalisés en technologie silicium poly-cristallin. Ce type de transistor, souvent utilisé dans les dispositifs d'adressage de pixels, présente quelques limitations. Un tel transistor TFT, est généralement limité quand à l'étendue de la gamme de courant qu'il est susceptible de débiter, notamment par rapport à un transistor MOS en technologie silicium monocristallin. Cette limitation peut nuire aux performances, notamment en termes de contraste, des pixels utilisant cette technologie. Les transistors TFT en technologie silicium poly-cristallin ont par ailleurs pour inconvénient de présenter une transition lente entre leur régime bloqué que l'on nommera « OFF » et leur régime saturé que l'on appellera « ON ». Si l'on rapporte ce problème au cas du dispositif d'adressage illustré sur la figure 1, pour que la diode 10 puisse émettre des rayonnements selon des intensités lumineuses suffisamment élevées, la tension de réglage vdat doit de préférence atteindre des niveaux importants. Des valeurs élevées de la tension de réglage vdat induisent une consommation importante. Etant donné la transition lente entre les régimes « ON » et « OFF » des transistors TFT en silicium polycristallin, pour que la diode 10 puisse émettre des rayonnements selon une gamme étendue d'intensités lumineuses, l'écart entre la valeur maximale notée Vdatmax de la tension de réglage vdat et la valeur minimale Vdatmin de cette même tension de réglage, est généralement important. Pour que la diode 10 émette selon des intensités lumineuses extrêmes, la tension entre le drain et la source du premier transistor 11 est généralement importante. Cela peut avoir pour conséquence d'entraîner des courants de fuite au niveau du premier transistor 11. Le condensateur 13 permettant le maintien du signal de réglage vdat à l'entrée du second transistor 12 peut alors avoir tendance à se décharger. Or une mauvaise rétention du signal de réglage vdat à l'entrée du second transistor 12 peut se traduire, au niveau d'un pixel, par une variation intempestive de l'intensité lumineuse émise par ledit pixel. Par exemple, lorsque le second transistor est de type TFT, polarisé à l'aide d'une tension Vdd égale à 16 volts, pour atteindre une valeur minimale de courant à l'entrée de la diode 10 de l'ordre de 50 nA, Vdat2min peut être par exemple de l'ordre de 8,3 volts. Pour atteindre une valeur maximale de courant à l'entrée de la diode 10 de l'ordre de 5 μA, la valeur maximale de la tension de réglage notée Vdat2max peut être par exemple de l'ordre de 16,6 volts. II se pose le problème d'améliorer les performances des pixels d'écrans ou d'afficheurs, par exemple de type OLED, notamment en termes de contraste et de consommation. Il se pose également le problème d'empêcher des variations intempestives de l'intensité lumineuse produite par ces pixels.
EXPOSÉ DE L'INVENTION
L'invention concerne un dispositif microélectronique permettant de produire un rayonnement lumineux total comprenant : - des premiers moyens électroluminescents aptes à produire un premier rayonnement d'une première intensité lumineuse ou d'une première luminance, - des premiers moyens de commande aptes à commander les premiers moyens électroluminescents à l'aide d'un premier courant d'une intensité appartenant à une première gamme d'intensités, - des seconds moyens électroluminescents aptes à produire un second rayonnement d' une deuxième intensité lumineuse ou d'une deuxième luminance, - des seconds moyens de commande aptes à commander les seconds moyens électroluminescents, à l'aide d'un second courant d'une intensité appartenant à une seconde gamme d' intensités différente de la première, le rayonnement lumineux total produit ayant une intensité lumineuse ou luminance totale combinaison de ladite première intensité lumineuse ou luminance et de ladite deuxième intensité lumineuse ou luminance. Le dispositif microélectronique suivant l'invention peut être utilisé pour former un pixel d'afficheur ou d'écran amélioré. Tout au long de la présente description le terme luminance désignera des valeurs d' intensités lumineuses émises rapportées à une même valeur d'une surface donnée, par exemple une valeur égale à la surface dudit dispositif microélectronique ou d'un pixel d' afficheur ou dr écran formé à partir dudit dispositif microélectronique. Ainsi on entend par ladite première luminance le rapport entre ladite première intensité lumineuse et une surface donnée. On entend par ladite seconde luminance le rapport entre ladite seconde intensité lumineuse et ladite surface donnée . Au moins plusieurs intensités de ladite première gamme d'intensités à laquelle appartient le premier courant peuvent être plus faibles que les intensités de ladite seconde gamme d'intensités à laquelle appartient le second courant. Ainsi, selon une variante, lesdites première gamme d'intensités et seconde gamme d'intensités peuvent se recouvrir. Selon une autre variante, lesdites première gamme d'intensités et seconde gamme d'intensités peuvent être distinctes et ne pas se recouvrir. Ladite première gamme d' intensités peut alors par exemple comprendre des valeurs d'intensités toutes plus faibles que les valeurs d' intensités de ladite seconde gamme d' intensités . Utiliser des premiers moyens de commande prévus pour émettre des courants appartenant à une première gamme de courants et des seconds moyens de commande prévus pour émettre des courants appartenant à une autre gamme de courants, différente de la première, permet de faciliter la définition du contraste d'un pixel formé à partir du dispositif microélectronique suivant l'invention sans augmenter les contraintes de polarisation du dispositif d'adressage de ce pixel. Les premiers moyens électroluminescents et seconds moyens électroluminescents peuvent être par exemple formés respectivement par une première photodiode et une seconde photodiode, par exemple des diodes organiques de type OLED. Ces premiers et seconds moyens électroluminescents sont susceptibles de fonctionner alternativement ou simultanément. Selon une variante de mise en oeuvre, un desdits premiers ou seconds moyens électroluminescents peut fonctionner selon un mode nommé « tout ou rien », et être susceptible de produire un rayonnement d'une intensité lumineuse ou d'une luminance donnée, ou de ne pas émettre, tandis que l'autre desdits premiers ou seconds moyens électroluminescents peut fonctionner selon un autre mode que l'on nommera « analogique » et être susceptible de produire un rayonnement lumineux d'intensité lumineuse ou de luminance variant entre une valeur d'intensité lumineuse ou de luminance minimale et une valeur d' intensité lumineuse ou de luminance maximale non nulles. Les premiers moyens électroluminescents et les seconds moyens électroluminescents peuvent être semblables ou différents. Les premiers moyens électroluminescents et les seconds moyens électroluminescents peuvent être réalisés selon des technologies semblables ou différentes . Les premiers et seconds moyens électroluminescents peuvent avoir des tailles semblables ou différentes . Ainsi, les premiers moyens électroluminescents et les seconds moyens électroluminescents peuvent être formés par exemple respectivement d'une première photodiode et d'une seconde photodiode de tailles identiques ou différentes ou de surfaces émettrices identiques ou différentes. Dans le cas par exemple où les premiers moyens électroluminescents et seconds moyens électroluminescents sont formés respectivement d'une première photodiode de type OLED et d'une seconde photodiode de type OLED sollicitées différemment l'une par rapport à l'autre en termes de fréquence d'utilisation ou/et d'intensité lumineuse moyenne à fournir, il peut s'avérer utile de prévoir la première et la seconde photodiode avec des tailles différentes. Par exemple, desdites première et seconde photodiode, la photodiode la moins sollicitée en termes de fréquence d'utilisation ou/et d'intensité lumineuse moyenne ou de luminance moyenne à fournir peut être conçue de manière à avoir une taille plus faible ou une surface émettrice plus faible que l'autre photodiode la plus sollicitée en termes de fréquence d'utilisation ou/et d'intensité lumineuse moyenne ou de luminance moyenne à fournir. Ce mode de réalisation particulier peut permettre d' augmenter la durée de vie du dispositif microélectronique suivant l'invention. Les premiers et/ou seconds moyens de commande peuvent être dotés de moyens interrupteurs, par exemple sous forme d'un premier et/ou d'un deuxième transistor interrupteur, par exemple de type TFT. Les premiers moyens de commande peuvent comporter des moyens modulateurs de courant par exemple sous forme d'un transistor, tel qu'un transistor de type TFT, permettant de moduler le courant à l'entrée des premiers moyens électroluminescents. Les seconds moyens de commande peuvent comporter des moyens modulateurs de courant par exemple sous forme d'un autre transistor, tel qu'un transistor de type TFT, permettant de moduler le courant à l'entrée des seconds moyens électroluminescents. Selon un mode de réalisation avantageux, le transistor modulateur de courant compris dans les premiers moyens de commande peut être formé selon un rapport noté (Wi/Li) , de la largeur de son canal noté Wi sur la longueur de son canal notée Li, le rapport (Wi/Li) étant inférieur à un autre rapport noté ( 2/L2) , de la largeur notée W2 sur la longueur notée L2 du canal de l'autre transistor, compris dans les seconds moyens de commande. Les moyens interrupteurs des premiers moyens de commande et des seconds moyens de commande peuvent être commandés par exemple par un même signal, sous forme par exemple d'une tension dite « de sélection ». Les moyens modulateurs de courant des premiers moyens de commande et des seconds moyens de commande peuvent être commandés par des signaux différents, par exemple respectivement par une première tension dite « de réglage » et une seconde tension dite « de réglage ». Le dispositif microélectronique suivant l'invention peut être susceptible de former un pixel d'afficheur ou d'écran, amélioré, tout d'abord au niveau de la consommation. Le dispositif suivant l'invention permet de diminuer les contraintes de polarisation sur les moyens modulateurs de courant et sur les moyens électroluminescents par rapport à des dispositifs d'adressage de pixels suivant l'art antérieur. Les niveaux des tensions de réglages permettant de définir les niveaux des courants respectivement à l'entrée des premiers moyens électroluminescents et des seconds moyens électroluminescents du dispositif suivant l'invention peuvent être ainsi diminués par rapport au niveau des tensions de réglages utilisés pour les dispositifs d'adressage de pixels suivant l'art antérieur. Ainsi la consommation induite par un pixel mis en oeuvre peut être améliorée. Avec le dispositif suivant l'invention, les niveaux minimum et maximum des signaux de réglages permettant de définir les niveaux de courant à l'entrée des moyens électroluminescents, peuvent être réduits par rapport à ceux utilisés avec les dispositifs d'adressage de pixels suivant l'art antérieur. Ceci a pour conséquence de faciliter la rétention de ces signaux de réglages à l'entrée des moyens modulateurs de courant. Au niveau d'un pixel, cela peut permettre notamment de réduire le phénomène de variations intempestives d'intensité lumineuse émise par celui-ci.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS
La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - la figure 1, illustre un exemple de dispositif suivant l'art antérieur, - la figure 2, illustre un exemple de dispositif suivant l'invention, - la figure 3, illustre un exemple de diagramme de fonctionnement d'un pixel comprenant le dispositif suivant l'invention, - les figures 4A, 4B, 4C illustrent le principe de fonctionnement d'un pixel d'écran ou d'afficheur mis en œuvre suivant l'invention, Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles .
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE REALISATION PARTICULIERS
Un exemple de dispositif microélectronique mis en oeuvre suivant l'invention va à présent être décrit en liaison avec la figure 2. Ce dispositif comprend tout d' abord des premiers et des seconds moyens électroluminescents respectivement sous formes, par exemple, d'une première diode électroluminescente 110, par exemple organique et de type OLED, et d'une seconde diode électroluminescente 120 par exemple du même type que la première diode 110. Les diodes 110 et 120 sont commandées en courant respectivement par des premiers moyens de commande 130 et des seconds moyens de commande 140 et peuvent fonctionner alternativement ou simultanément . La première diode 110 est susceptible de recevoir en entrée un courant noté idl, provenant des premiers moyens de commande 130 et dont l'intensité appartient à une première gamme dite « de faibles intensités », allant d'une valeur minimale Idlmin par exemple de l'ordre de plusieurs dizaines de nanoampères par exemple égal à 50 nA, à une valeur maximale Idlmax par exemple comprise entre plusieurs centaines de nanoampères et plusieurs microampères, par exemple de l'ordre de 1 μA. En fonction de l'intensité du courant idl à son entrée, la diode 110 produit un rayonnement lumineux d'intensité et de luminance faibles, la luminance étant comprise dans une gamme dite de « faibles luminances » située entre une valeur minimale notée Llmin, par exemple de l'ordre de 1 cd/m2, et une valeur maximale de Llmax, par exemple de l'ordre de 20 cd/m2. Les premiers moyens de commande 130 produisant le courant idl à l'entrée de la première diode 110, comportent tout d'abord des moyens interrupteurs . Ces moyens interrupteurs peuvent se présenter sous forme par exemple d'un premier transistor 131 interrupteur, tel qu'un transistor de type TFT, dont l'ouverture et la fermeture sont dirigées par un signal de sélection sous forme d'une tension notée vsel appliquée sur sa grille. Les premiers moyens de commande 130 comportent en outre des moyens modulateurs du courant idl à l'entrée de la première diode 110, en fonction d'un signal de réglage sous forme d'une tension notée vdatl. Les moyens modulateurs du courant idl prennent par exemple la forme d'un second transistor 132 modulateur, tel qu'un transistor de type TFT, et polarisé, de préférence en régime de saturation, par une tension de polarisation notée Vdd, par exemple de l'ordre de +16V. La tension de réglage vdatl peut être appliquée sur le drain du premier transistor 131. Lorsque ce dernier est mis à l'état « fermé », par la tension de sélection vsel par exemple de l'ordre de 18 volts, la tension de réglage vdatl peut être transmise sur la grille du second transistor 132, celui-ci émettant alors le courant idl à l'entrée de la première diode 110, en fonction de la valeur de la tension de réglage vdatl reçue sur sa grille. Ainsi, l'intensité et la luminance d'un rayonnement lumineux émis par la première diode 110 est fonction de l'intensité du courant idl, elle-même commandée par la tension de réglage vdatl. La tension de réglage vdatl est émise par un circuit extérieur au dispositif illustré sur la figure 2 et de préférence bornée entre une valeur minimale Vdatlmin et une valeur maximale Vdatlmax. Ces valeurs minimale Vdatlraln et maximale Vdatlmax définissent respectivement l'intensité lumineuse et la luminance minimale Llmin et l'intensité lumineuse et la luminance maximale Llmax à laquelle la première diode 110 est susceptible de produire. Par exemple, pour un second transistor 132 de type TFT, de rapport de largeur de canal sur longueur de canal de l'ordre de 10/60, polarisé à l'aide d'une tension Vdd égale à 16 volts, Vdatlmin peut être de l'ordre de 9,05 volts afin d'obtenir un courant Idlmin de l'ordre de 50 nA et Vdatlmax de l'ordre de 13,75 volts afin d'obtenir un courant Idlmax de l'ordre de 1 μA Des moyens intégrés aux premiers moyens de commande 130, prenant par exemple la forme d'un condensateur 133, par exemple de capacité de l'ordre de 0,5 pF, relié à la grille du second transistor 132, sont également prévus pour permettre de retenir le signal de réglage vdatl à l'entrée du second transistor 132 lorsque le premier transistor 131 est à l'état « ouvert » . En ce qui concerne la seconde diode 120, cette dernière est susceptible de recevoir un courant noté id2 provenant des seconds moyens de commande 140. Le courant id2 à l'entrée de la seconde diode 120 a une intensité appartenant à une autre gamme d' intensités plus élevées que celles de ladite première gamme d'intensités à laquelle appartient le courant idl à l'entrée de la première diode 110. Cette autre gamme d'intensités est comprise entre une valeur minimale notée Id2min, par exemple de l'ordre de 1 μA et une valeur maximale notée Id2max, par exemple de l'ordre de plusieurs microampères, par exemple de 4 μA. Il peut être prévu par exemple que la gamme d' intensités à laquelle appartient le courant idl à l'entrée de la première diode 110 et l'autre gamme d' intensités à laquelle appartient le courant id2 à l'entrée de la première diode 110 soient distinctes. Selon une variante, il peut être prévu que la gamme d'intensités à laquelle appartient le courant idl et l'autre gamme d'intensités à laquelle appartient le courant id2 se recouvrent . En fonction de l'intensité du courant id2 à son entrée, la seconde diode 120 peut produire un rayonnement lumineux d' intensité et de luminance comprises dans une seconde gamme d'intensités et de luminances, la seconde gamme de luminance allant d'une valeur minimale de luminance notée L2min par exemple de l'ordre de 20 cd/m2 à une valeur maximale de luminance notée L2max par exemple de l'ordre de 80 cd/m2. Les seconds moyens de commande 140 permettant de contrôler l' éclairement de la seconde diode 120, sont du même type que les premiers moyens de commande 130 permettant de contrôler l' éclairement de la première diode 110. Les seconds moyens de commande 140 comprennent également des moyens interrupteurs dont l'ouverture et la fermeture sont dirigées par la tension de sélection vsel. Les moyens interrupteurs des seconds moyens de commande prennent la forme par exemple d'un autre premier transistor 141 interrupteur, par exemple de type TFT . Les seconds moyens de commande 140 comportent en outre des moyens permettant de moduler le courant id2 à l'entrée de la seconde diode 120 en fonction de la valeur d'un autre signal de réglage sous forme d' ne tension notée vdat2 appliquée sur le drain de l'autre premier transistor 141. Les moyens modulateurs du courant id2 à l'entrée de la seconde diode 120 peuvent prendre la forme d'un autre second transistor 142 dont la source est reliée à la seconde diode 120 et qui, lorsqu'il reçoit sur sa grille l'autre tension de réglage vdat2, émet le courant id2 à l'entrée de ladite seconde diode 120. L'autre second transistor 142 peut être par exemple un transistor de type TFT (TFT pour « Thin Film Transistor ») . Il est de préférence polarisé en régime de saturation, par exemple par la tension de polarisation Vdd. L'autre second transistor 142 modulateur est susceptible de recevoir l'autre tension de réglage vdat2 lorsque l'autre premier transistor 141 est mis à l'état « fermé » par la tension vsel. Cette tension vdat2 est émise par un circuit extérieur au dispositif illustré sur la figure 2 et de préférence bornée entre une valeur minimale notée Vdat2min et une valeur maximale notée Vdat2max. Les valeurs minimale et maximale de la tension vdat2 déterminent respectivement la luminance minimale notée L2min et la luminance maximale notée L2max que la seconde diode 120 est susceptible de produire. Par exemple, lorsque l'autre second transistor 142 est de type TFT, de rapport de largeur de canal sur longueur de canal de l'ordre de 10/20, polarisé à l'aide d'une tension Vdd égale à 16 volts, la valeur minimale Vdat2min de l'autre tension de réglage peut être de l'ordre de 12,8 volts pour permettre d' obtenir un courant minimum Id2min à l'entrée de la seconde diode de l'ordre de 1 μA. La valeur maximale Vdat2max de l' autre tension de réglage vdat2, peut être de l'ordre de 15,3 volts pour permettre d' obtenir un courant de valeur maximale Id2max de l'ordre de 4 μA à l'entrée de la seconde diode 120. Ainsi, selon un mode de réalisation particulier de l'invention, l'autre tension de réglage vdat2 à l'entrée des seconds moyens de commande 140 peut appartenir à une gamme de tensions différente de la gamme de tensions à laquelle appartient la tension de réglage vdatl à l'entrée des premiers moyens de commande 140. Des moyens sont également prévus pour permettre de retenir l'autre tension de réglage vdat2 à l'entrée de l'autre second transistor 142, lorsque l'autre premier transistor 141 est à l'état « ouvert ». Ces moyens prennent par exemple, la forme d'un deuxième condensateur 143, par exemple de capacité de l'ordre de 0,5 pF. Le premier condensateur 133 et le deuxième condensateur 143 peuvent avoir des capacités différentes et dont les valeurs sont choisies respectivement en fonction des gammes respectives auxquelles appartiennent les tensions de réglage vdatl et vdat2. Par exemple, dans le cas où vdat2 appartient à une gamme de tensions plus élevées que celles de la gamme à laquelle appartient la tension vdatl, le premier condensateur 133 peut être prévu pour avoir une valeur de capacité inférieure à celle du deuxième condensateur 143. Ainsi, les armatures du premier condensateur 133 pourront par exemple occuper une surface plus faible que celles du deuxième condensateur 143. Les moyens de commande 130 et 140 des diodes 110 et 120 diffèrent entre eux notamment par leurs moyens modulateurs de courant. Les moyens modulateurs de courant des premiers moyens de commande 130 sont prévus pour émettre un courant idl dans une gamme d' intensités plus faibles que celles du courant id2 pouvant être émis par les autres moyens modulateurs de courant des seconds moyens de commande 140. Pour permettre cela, selon un mode de réalisation particulier, l'autre second transistor 142 modulateur de courant, appartenant aux premiers moyens de commande 140, peut être réalisé par exemple de manière à comporter un canal plus court que le canal du second transistor 132 modulateur de courant appartenant aux premiers moyens de commande 130. Le second transistor 132 peut être formé avec un rapport noté ( i Li) de la largeur de son canal Wi sur la longueur i de son canal, par exemple de l'ordre de (10/60), tandis que l'autre second transistor 142, peut être formé avec un autre noté ( 2/L2) par exemple de l'ordre de (10/20) de la largeur W2 de son canal sur la longueur L2 de son canal, plus élevé que le rapport (Wi Li) . Le dispositif microélectronique précédemment décrit peut être utilisé par exemple pour former un pixel d'un écran ou d'un afficheur. Il peut permettre au pixel de produire un rayonnement lumineux d' intensité et de luminance appartenant à une large gamme, respectivement d'intensité et de luminances, la gamme de luminance pouvant être comprise entre une valeur minimale de luminance notée Lmin, par exemple de 1' ordre de 12 cd/m2 et une valeur maximale de luminance Lmax, par exemple de l'ordre de 120 cd/m2, tout en gardant une consommation réduite. Ledit pixel peut être partagé entre un premier sous-pixel, formé par exemple à partir de la première diode 110 associée aux premiers moyens de commande 130, et un second sous-pixel formé à partir de la seconde diode 120 associée aux seconds moyens de commande 140. La sélection dudit pixel parmi un ensemble de pixels d'écran ou d'afficheur, peut être effectuée au moyen du signal de sélection vsel commun au premier sous-pixel et au second sous-pixel, et provenant d'un circuit extérieur à l'écran ou à l'afficheur. La valeur de l'intensité ou de la luminance totale d'un rayonnement lumineux émis par ledit pixel peut être commandée par le signal de réglage vdatl et l'autre signal de réglage vdat2 appliqués respectivement au premier sous-pixel et au second sous-pixel, provenant d'un circuit extérieur à l'écran ou à l'afficheur. Le premier sous-pixel peut être élaboré par exemple pour produire des rayonnements d'intensité ou de luminances dites « faibles » comprises dans une première gamme d'intensités ou de luminances, dont la valeur est fonction du signal de réglage vdatl. Le second sous-pixel peut être prévu pour produire des rayonnements d'intensités ou de luminances dites « élevées » comprises dans une seconde gamme d'intensités ou de luminances plus élevées que celles de la première gamme d'intensités ou de luminances, et dont la valeur est fonction de l'autre signal de réglage vdat2. Le premier sous-pixel et le second sous-pixel pourront fonctionner alternativement ou simultanément en fonction de la valeur des signaux de réglage vdatl et vdat2 et de la valeur d'intensité ou de luminance totale que l'on souhaite affecter audit pixel. Un exemple de diagramme de fonctionnement d'un pixel mis en oeuvre suivant l'invention et ceux d'un premier sous-pixel et d'un second sous-pixel formant ledit pixel sont illustrés sur la figure 3, respectivement par les courbes C2, C3 et C . Dans cet exemple, la luminance totale émise par le pixel est comprise entre une valeur de luminance minimale notée Lmin par exemple de l'ordre de 12 cd/m2 et une valeur de luminance maximale notée Lmax par exemple de l'ordre de 120 cd/m2. Dans cet exemple, le premier sous-pixel et le second sous-pixel produisent des gammes d' intensités ou de luminances distinctes et contiguës. Lorsque le pixel produit des « basses intensités ou luminances » comprises dans une première gamme, par exemple située entre Lmin par exemple de l'ordre de 12 cd/m2 et Lmax/5, par exemple de l'ordre de 24 cd/m2 (portion Cil de la courbe Cl croissante) , ce peut être le premier sous-pixel qui émet un rayonnement lumineux (portion C21 de la courbe C2 croissante) tandis que le deuxième sous-pixel n'émet pas (portion C31 de la courbe C3 constante) . Cette première gamme, dite de « basses intensités ou basses luminances » est produite pour un rayonnement provenant de la première diode 110 lorsque cette dernière reçoit un courant idl en entrée appartenant à une gamme de courants de faibles intensités allant par exemple de 50 nA à 1 μA. Lorsque le pixel produit des intensités ou luminances « élevées », appartenant à une seconde gamme d'intensités ou de luminances, cette dernière étant comprise par exemple entre (Lmax/5) par exemple de l'ordre de 24 cd/m2 et (4Lmax/5) (portion C12 de la courbe Cl), par exemple de l'ordre de 96 cd/m2, ce peut être le second sous-pixel qui émet un rayonnement lumineux (portion C32 de la courbe C3 croissante) tandis que le premier sous-pixel n'émet pas (portion C22 de la courbe C2 constante) . La seconde gamme d' intensités ou de luminances dite « d' intensités ou de luminances élevées », est ainsi produite pour un rayonnement lumineux provenant de la seconde diode 120 lorsque cette dernière reçoit un courant id2 en entrée appartenant à une seconde gamme de courants d'intensités allant par exemple de 1 μA à 4 μA. Un éclairement du pixel selon des valeurs
« les plus élevées » d'intensités ou de luminances, ces dernières étant comprises dans une troisième gamme de luminances, par exemple située entre (4Lmax/5) par exemple de l'ordre de 96 cd/m2 et (Lmax), par exemple de l'ordre de 120 cd/m2 (portion C13 de la courbe Cl), peut être assurée à la fois par un éclairement du premier sous-pixel et un éclairement du second sous-pixel. La troisième gamme dite d'intensités ou de luminances « les plus élevées » peut être obtenue par un rayonnement provenant de la première diode 110
(portion C23 de la courbe C2 constante) , déclenché par un premier courant idl à l'entrée de cette dernière compris par exemple entre 50 nA et 1 μA, et par un rayonnement provenant de la seconde diode 120 (portion C33 de la courbe C3 croissante) déclenché par un second courant id2 à l'entrée de cette dernière compris par exemple entre 1 μA à 4 μA. Selon un exemple de fonctionnement différent de celui qui vient d'être décrit, il peut être prévu que le premier sous-pixel et le second sous-pixel émettent constamment de manière simultanée. Ainsi, un rayonnement lumineux émis par le pixel suivant l'invention peut être formé constamment d'une combinaison d'un rayonnement provenant du premier sous-pixel et d'un autre rayonnement lumineux provenant du second sous-pixel. Selon une autre exemple de fonctionnement différent de ceux qui viennent d'être décrits, il peut être prévu qu'un pixel mis en œuvre selon l'invention soit formé tout d'abord d'un premier sous-pixel fonctionnant selon un mode que l'on nommera « tout ou rien » et d'un second sous-pixel fonctionnant selon un autre mode que l'on nommera « analogique ». Ainsi, le premier sous-pixel sera susceptible d'émettre un rayonnement d'une luminance donnée ou de ne pas émettre, tandis que le second sous-pixel émettra constamment d'une valeur d'intensité ou de luminance susceptible de varier. Un pixel d'écran ou d'afficheur est généralement associé à une surface élémentaire, susceptible de produire un rayonnement lumineux selon une longueur d'onde donnée et une intensité ou une luminance donnée . Un pixel P mis en œuvre suivant l'invention d'un écran ou d'un afficheur, est divisé en une première zone et une seconde zone associées respectivement à un premier sous-pixel noté Pi et à un second sous-pixel noté P2. Le premier sous-pixel PI et le second sous-pixel P2, comportent respectivement une première surface SI susceptible d'émettre un rayonnement d'une certaine intensité lumineuse, et une seconde surface S2 susceptible d'émettre un rayonnement d'une autre intensité lumineuse. Les surfaces SI et S2 sont susceptibles d'émettre selon des longueurs d'onde proches ou identiques . La première surface SI et la seconde surface S2 peuvent être égales ou différentes. Par exemple, dans le cas où le premier sous-pixel Pi et le second sous-pixel P2 comprennent respectivement une première photodiode organique et une seconde photodiode organique, les surfaces SI et S2 correspondent respectivement à une surface emettrice de la première photodiode organique et à une surface emettrice de la seconde photodiode organique. Par surface emettrice, on entend une surface susceptible d' émettre un rayonnement lumineu . Les surfaces Si et S2 sont susceptibles d' émettre chacune un rayonnement lumineux de manière simultanée ou alternée. Considérons un pixel P mis en œuvre suivant l'invention et dont le principe de fonctionnement est du type de celui qui a été décrit en liaison avec la figure 3. Pour que le pixel émette selon la première gamme de "basses luminances" ou de basses intensités, c'est par exemple la première surface SI qui émet un rayonnement lumineux tandis que la seconde surface S2 n'émet pas (figure 4A) . Pour que le pixel émette selon la seconde gamme de "luminances élevées" ou d'intensités élevées, c'est par exemple la seconde surface S2 qui émet un rayonnement lumineux, tandis que la première surface SI n'émet pas (figure 4B) . Pour que le pixel émette selon la troisième gamme de "luminances ou d'intensités les plus élevées" la seconde surface S2 et la première surface SI émettent en même temps (figure 4C) .

Claims

REVENDICATIONS
1. Dispositif microélectronique permettant de produire un rayonnement lumineux comprenant : - des premiers moyens électroluminescents aptes à produire un premier rayonnement d'une certaine luminance, - des premiers moyens de commande (130) aptes à commander les premiers moyens électroluminescents à l'aide d'un premier courant (idl) d'une intensité appartenant à une première gamme d' intensités, - des seconds moyens électroluminescents aptes à produire un second rayonnement d'une autre luminance, - des seconds moyens de commande (140) aptes à commander les seconds moyens électroluminescents, à l'aide d'un second courant (id2) d'une intensité appartenant à une seconde gamme d'intensités différente de la première, le rayonnement lumineux ayant une luminance totale, combinaison de ladite certaine luminance et de ladite autre luminance.
2. Dispositif selon la revendication 1, au moins plusieurs intensités de ladite première gamme d' intensités à laquelle appartient le premier courant
(idl) étant plus faibles que les intensités de ladite seconde gamme d'intensités à laquelle appartient le second courant (id2) .
3. Dispositif selon l'une des revendications 1 ou 2, les premiers et seconds moyens de commande étant chacun dotés de moyens interrupteurs.
4. Dispositif selon la revendication 3, les moyens interrupteurs des premiers moyens de commande (130) et des seconds moyens de commande (140) étant dirigés par un même signal (vsel) .
5. Dispositif selon l'une des revendications 3 ou 4, les moyens interrupteurs des premiers moyens de commande (130) comportant au moins un transistor (131) interrupteur.
6. Dispositif selon l'une des revendications 3 à 5, les moyens interrupteurs des seconds moyens de commande (140) comportant au moins un autre transistor (141) interrupteur.
7. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 6, les premiers et seconds moyens de commande (130,140) comportant chacun des moyens modulateurs de courant .
8. Dispositif selon la revendication 7, les moyens modulateurs de courant des premiers moyens de commande (130) comprenant au moins un transistor (132) modulateur de courant.
9. Dispositif selon la revendication 8, les moyens modulateurs des seconds moyens de commande (140) comprenant au moins un autre transistor (142) modulateur de courant .
10. Dispositif selon la revendication 9, dans lequel les premiers moyens de commande (130) comprennent un transistor modulateur de courant (132) doté d'un canal de longueur Li et de largeur i, les seconds moyens de commande (140) comprennent un autre transistor modulateur de courant (142) doté d'un canal de longueur L2 et de largeur W2, le rapport W2/L2 étant supérieur au rapport V}χ/Lχ .
11. Dispositif selon l'une des revendications 7 à 10, les moyens modulateurs de courant des premiers moyens de commande (130) étant commandés par un signal de réglage (vdatl) , les moyens modulateurs de courant des seconds moyens de commande (140) étant commandés par un autre signal de réglage (vdat2) .
12. Dispositif selon la revendication 11, le signal de réglage (vdatl) appartenant à une certaine gamme de tensions, l'autre signal de réglage (vdat2) appartenant à une autre gamme de tensions différente de ladite certaine gamme de tensions.
13. Dispositif selon la revendication 11 ou 12, les premiers moyens de commande comportant en outre au moins un premier condensateur (133) apte à retenir le signal de réglage (vdatl) .
14. Dispositif selon la revendication 13, les seconds moyens de commande comportant en outre au moins un deuxième condensateur (143) apte à retenir l'autre signal de réglage (vdat2) .
15. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 14, les premiers et seconds moyens électroluminescents comprenant chacun une photodiode organique (110,120).
16. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 15, dans lequel les premiers moyens électroluminescents comprennent une première photodiode, les seconds moyens électroluminescents comprennent une seconde photodiode, la première photodiode et la seconde photodiode ayant des surfaces émettrices différentes.
17. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 16, les premiers moyens électroluminescents et les seconds moyens électroluminescents étant susceptibles de fonctionner alternativement ou simultanément.
18. Pixel d'afficheur ou d'écran, comprenant un dispositif microélectronique selon l'une des revendications 1 à 17.
PCT/FR2005/050124 2004-02-27 2005-02-24 Dispositif ameliore d'adressage de pixels WO2005086130A1 (fr)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP05717722A EP1719102A1 (fr) 2004-02-27 2005-02-24 Dispositif ameliore d'adressage de pixels
JP2007500275A JP2007524872A (ja) 2004-02-27 2005-02-24 画素のアドレシングを改善するための装置
US10/589,730 US7554533B2 (en) 2004-02-27 2005-02-24 Device for improving pixel addressing

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0450383A FR2866973B1 (fr) 2004-02-27 2004-02-27 Dispositif ameliore d'adressage de pixels
FR0450383 2004-02-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005086130A1 true WO2005086130A1 (fr) 2005-09-15

Family

ID=34834261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/FR2005/050124 WO2005086130A1 (fr) 2004-02-27 2005-02-24 Dispositif ameliore d'adressage de pixels

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7554533B2 (fr)
EP (1) EP1719102A1 (fr)
JP (1) JP2007524872A (fr)
FR (1) FR2866973B1 (fr)
WO (1) WO2005086130A1 (fr)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2871939B1 (fr) * 2004-06-18 2007-01-26 Commissariat Energie Atomique Agencement ameliore des composants d'un pixel oled
US8264157B2 (en) * 2008-03-26 2012-09-11 Dmitry Kolosov Electronic device including an organic diode and a shunt and a process of forming the same
KR101331750B1 (ko) * 2009-09-04 2013-11-20 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
JP6285158B2 (ja) * 2013-11-26 2018-02-28 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
KR102150039B1 (ko) * 2014-07-14 2020-09-01 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
CN208045072U (zh) * 2018-04-27 2018-11-02 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路、显示装置
CN110021260B (zh) * 2018-06-27 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路及其驱动方法、显示装置
DE102018122545A1 (de) * 2018-09-14 2020-03-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Display und Verfahren zum Betrieb eines LED-Displays
US11145251B2 (en) * 2018-10-23 2021-10-12 Innolux Corporation Display device
DE102019112456B4 (de) 2019-05-13 2023-05-25 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Anzeigevorrichtung und betriebsverfahren für eine anzeigevorrichtung
WO2021149237A1 (fr) * 2020-01-24 2021-07-29 シャープ株式会社 Écran d'affichage et procédé d'attaque d'écran d'affichage
JP7517869B2 (ja) * 2020-06-09 2024-07-17 武漢天馬微電子有限公司 表示装置
US20230011754A1 (en) * 2021-07-01 2023-01-12 Universal Display Corporation Means to Reduce OLED Transient Response

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0949603A1 (fr) * 1997-08-28 1999-10-13 Seiko Epson Corporation Dispositif d'affichage
EP1288903A2 (fr) * 1999-01-29 2003-03-05 Seiko Epson Corporation Dispositif d'affichage électroluminescent organique
US20030222840A1 (en) * 2002-04-15 2003-12-04 Nec Lcd Technologies, Ltd. Liquid crystal display device and driving method for liquid crystal display device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4042854A (en) * 1975-11-21 1977-08-16 Westinghouse Electric Corporation Flat panel display device with integral thin film transistor control system
JPH11311971A (ja) * 1998-04-30 1999-11-09 Fuji Photo Film Co Ltd モノクロ画像表示装置
EP1207512A4 (fr) * 2000-03-30 2005-10-12 Seiko Epson Corp Afficheur
US6825820B2 (en) * 2000-08-10 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP4822590B2 (ja) * 2001-02-08 2011-11-24 三洋電機株式会社 有機ｅｌ回路
US6693385B2 (en) * 2001-03-22 2004-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving a display device
JP4083450B2 (ja) * 2002-03-27 2008-04-30 シャープ株式会社 駆動装置およびそれを用いた表示装置
KR100832613B1 (ko) * 2003-05-07 2008-05-27 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 Ｅｌ 표시 장치
FR2871939B1 (fr) 2004-06-18 2007-01-26 Commissariat Energie Atomique Agencement ameliore des composants d'un pixel oled

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0949603A1 (fr) * 1997-08-28 1999-10-13 Seiko Epson Corporation Dispositif d'affichage
EP1288903A2 (fr) * 1999-01-29 2003-03-05 Seiko Epson Corporation Dispositif d'affichage électroluminescent organique
US20030222840A1 (en) * 2002-04-15 2003-12-04 Nec Lcd Technologies, Ltd. Liquid crystal display device and driving method for liquid crystal display device

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1719102A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
FR2866973B1 (fr) 2006-08-04
JP2007524872A (ja) 2007-08-30
FR2866973A1 (fr) 2005-09-02
EP1719102A1 (fr) 2006-11-08
US20080197784A1 (en) 2008-08-21
US7554533B2 (en) 2009-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2005086130A1 (fr) Dispositif ameliore d'adressage de pixels
EP0364351B1 (fr) Procédé de détection photoélectrique avec réduction de rémanence de photo-transistor, notamment de type NIPIN
EP1644913B1 (fr) Dispositif d'affichage et circuit de commande d'un modulateur de lumiere
FR2689312A1 (fr) Cathode à émission de champ.
FR2884639A1 (fr) Panneau d'affichage d'images a matrice active, dont les emetteurs sont alimentes par des generateurs de courant pilotables en tension
FR2757676A1 (fr) Dispositif d'emission de champ a faible tension d'excitation
WO2009141530A1 (fr) Dispositif d'affichage amélioré à base de pixels à coordonnées chromatiques variables
EP1010162A1 (fr) Commande d'un ecran a cathodes a faible affinite electronique
EP1700290B1 (fr) Ecran d'affichage d'images et procede d'adressage de cet ecran
FR2748146A1 (fr) Dispositif d'affichage
EP1771838B1 (fr) Dispositif d'affichage d'images et procede de commande d'un dispositif d'affichage
FR2695215A1 (fr) Tête optique d'émission-réception pour transmission de données par système optique, et circuit de commutation pour cette tête.
FR2766602A1 (fr) Agencement de commande de cellule d'un affichage a emission de champs
WO2007071681A1 (fr) Panneau d'affichage et procede de pilotage avec couplage capacitif transitoire
EP1964094A1 (fr) Procede de pilotage d'un panneau d'affichage par couplage capacitif
FR2811799A1 (fr) Procede et dispositif de commande d'une source d'electrons a structure matricielle, avec regulation par la charge emise
FR2832537A1 (fr) Procede et dispositif de commande en tension d'une source d'electrons a structure matricielle, avec regulation de la charge emise
EP1697920B1 (fr) Dispositif d'affichage d'images a matrice active oled
FR2915018A1 (fr) Commande d'un ecran electroluminescent.
EP1697919B1 (fr) Ecran d'affichage d'images
EP1756797A1 (fr) Layout de pixel oled
EP2463632A1 (fr) Dispositif de détection comportant un circuit de test robuste
FR2846794A1 (fr) Panneau organique electroluminescent bi-stable ou chaque cellule comprend une diode de shockley
WO2023110604A1 (fr) Pixel d'affichage a diodes electroluminescentes pour ecran d'affichage
WO2005071755A1 (fr) Ecran d'affichage d'images et procede de pilotage de cet ecran

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
DPEN Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005717722

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10589730

Country of ref document: US

Ref document number: 2007500275

Country of ref document: JP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2005717722

Country of ref document: EP