WO2005072069A2 - 矩形導波管型導波路 - Google Patents

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/12—Hollow waveguides
    • H01P3/121—Hollow waveguides integrated in a substrate

Definitions

  • the description in the same gazette states that the portions corresponding to the H-plane and the E-plane of the dielectric waveguide are formed by the main conductor layer and the through conductor group for the side wall, respectively. From the description that "the portions corresponding to the E-plane and H-plane of the dielectric waveguide are formed by the main conductor layer and the through-hole conductor group for the side wall," respectively, it is considered that the target is the electromagnetic wave of the TE mode.
  • this rectangular waveguide type waveguide is different from a conventional rectangular waveguide type waveguide which essentially requires two rows of side wall through conductor groups formed by electrically connecting a pair of main conductor layers.
  • a waveguide type waveguide for the TM mode can be configured with a simpler configuration.
  • a waveguide type waveguide can be manufactured at low cost.
  • waveguide rectangular waveguide type waveguide (hereinafter, also referred to as “waveguide”) according to the present invention will be described with reference to the drawings.
  • the waveguide 1 includes a pair of main ground electrodes 2a and 2b (hereinafter, also referred to as “main ground electrode 2” unless otherwise distinguished) and a pair of side walls 3a and 3b. (Hereinafter referred to as “side wall 3” unless otherwise distinguished), and a dielectric block 4, and a rectangular cross section surrounded by each main ground electrode 2 and each side wall 3 of the dielectric block 4.
  • the TM mode electromagnetic wave is configured to be able to propagate in the region 5 formed in FIG.
  • each main ground electrode 2 is formed in a rectangular flat plate shape, and is parallel to each other with a dielectric block (dielectric in the present invention) 4 interposed therebetween. It is arranged facing.
  • Each side wall 3 is formed by a plurality of sub-ground electrodes 11 which are disposed below the dielectric block 4 and are formed in a rectangular plate shape in FIG. It is configured. More specifically, each side wall 3 has a direction perpendicular to the main ground electrode 2 between the pair of main ground electrodes 2a and 2b.
  • a plurality of sub-ground electrodes 11 are provided in the dielectric block 4 at predetermined intervals a along the Y direction (in the figure) and parallel to the main ground electrode 2 (five in the figure as an example).
  • each sub-ground electrode 11 on the side walls 3 are arranged so as to overlap each other when viewed from the Y direction. Further, the side walls 3 are arranged in two rows in parallel with each other along the propagation direction of the electromagnetic wave (the Z direction in the figure). Further, as shown in FIG. 2, for example, each sub-ground electrode 11 is electrically connected to the main ground electrode 2 by a through conductor 12 disposed so as to bridge between the pair of main ground electrodes 2a and 2b. It is connected to the.
  • the through conductor 12 does not confine the electromagnetic wave propagating in the region 5 in the region 5, and maintains each sub-ground electrode 11 on each side wall 3 at the same potential (ground potential) as the main ground electrode 2.
  • the number of through conductors 12 be about several.
  • the magnetic field H of the TM mode electromagnetic wave propagating in the Z direction is generated in a plane parallel to the XY plane, as shown in FIG. Therefore, when the magnetic field H reaches the formation region of each side wall 3, it intersects with each sub-ground electrode 11 forming each side wall 3. Therefore, the entry of the magnetic field H between the sub-ground electrodes 11 and 11 and between the sub-ground electrode 11 and the main ground electrode 2 is regulated by the respective sub-ground electrodes 11, so that each side wall 3 is in the TM mode. Acts as an electrical barrier to electromagnetic waves. That is, each side wall 3 has a function of confining the TM mode electromagnetic wave in the region 5 in cooperation with each main ground electrode 2. In FIGS. 1 and 2, the thicknesses of the main ground electrode 2 and the sub-ground electrode 11 are omitted for easy understanding of the description. In FIG. 2, the electric field of the electromagnetic wave in the TM mode is indicated by reference character E for reference.
  • each sub-ground electrode 11 is defined to be not less than the length L
  • the frequency of the propagating electromagnetic wave is f
  • the relative permittivity of the dielectric block 4 is ⁇ .
  • each radio wave absorber layer 14 is formed outside the side walls 3a, 3b so as to sandwich the pair of side walls 3 and the dielectric block 4 therebetween. ing. In this case, each radio wave absorber layer 14 is formed such that each edge in the Y direction is in contact with each edge in the X direction of each main ground electrode 2a, 2b.
  • each radio wave absorber layer 14 is formed so as to be bridged between the main ground electrodes 2a and 2b.
  • the radio wave absorber layer 14 has a function of absorbing electromagnetic wave energy (radio waves).
  • one or more types of materials such as conductive loss material, magnetic loss material, and dielectric loss material are used. It is formed as a material.
  • the conductive loss material for example, carbon is used as a main material.
  • the magnetic loss material for example, a force metal magnetic material in which an oxide magnetic material is used as a main material can be used.
  • the dielectric loss material for example, barium titanate is used as a main material.
  • the material of the radio wave absorber layer 14 is not limited to this, and any material that will be developed in the future as well as the currently existing material can be appropriately used.
  • the TM mode electromagnetic wave input into the region 5 surrounded by the pair of main ground electrodes 2a and 2b and the pair of side walls 3a and 3b is applied to the Y direction by each main ground electrode 2.
  • the propagation in the X direction is regulated by each side wall 3. Therefore, the electromagnetic wave is reflected in each main ground electrode 2 and each side wall 3 while being reflected in the region 5.
  • a TE mode electromagnetic wave may be generated in the region 5.
  • an H plane is formed on a plane (X—Z plane) parallel to the main ground electrode 2, and a magnetic field is generated in the H plane.
  • the magnetic field of the TE mode electromagnetic wave reaches the formation region of each side wall 3, it may enter the region outside each sub-ground electrode 11 without crossing each sub-ground electrode 11. .
  • the magnetic field of the TE mode electromagnetic wave that has entered the outer region is caused by the resistance layer 13 formed in the outer region on both surfaces of each sub-ground electrode 11 and the respective opposing regions facing the outer region.
  • a plurality of sub-ground electrodes 11 are arranged at predetermined intervals a between each main ground electrode 2a and 2b in a state parallel to the main ground electrode 2.
  • the magnetic field is generated only in the direction orthogonal to the propagation direction (Z direction). This can be realized with only a plurality of sub-ground electrodes 11. This eliminates the need for a side wall through conductor group composed of a large number of side wall through conductors required in the conventional rectangular waveguide type waveguide.
  • the wave path can be easily configured. Therefore, the waveguide 1 can be manufactured at low cost.
  • each sub-ground electrode 11 with a lateral width that satisfies the above equation (1) and arranging each sub-ground electrode 11 at a predetermined interval a that satisfies the equation (1), the TM mode of each side wall 3
  • the shielding performance against electromagnetic waves can be further improved.
  • the present invention is not limited to the above-described configuration.
  • a configuration is adopted in which each sub-ground electrode 11 and the main ground electrode 2 are electrically connected using the through conductor 12, but the present invention is not limited to this.
  • a configuration in which each end surface side of each sub-ground electrode 11 and each main ground electrode 2 is electrically connected by a wiring pattern or a connecting conductor may be adopted. According to this configuration, it is not necessary to form the through conductors 12 in the dielectric block 4, so that the structure can be further simplified. Further, the waveguide 1 can be formed using a multilayer substrate.
  • a main ground electrode 2 is formed on both surfaces (the uppermost surface and the lowermost surface) of the seven-layer multi-layer substrate, respectively.
  • Each sub-ground electrode 11 constituting the side wall 3 is formed on each inner layer.
  • the through conductor 12 is constituted by a through hole.
  • the waveguide 1 is formed by the multilayer substrate.
  • a resonator filter can be configured using the above waveguide 1.

Landscapes

  • Waveguides (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)

Abstract

　より簡易な構成のＴＭモード用の導波管型導波路を提供する。誘電体ブロック（４）を挟んで互いに平行に対向して配設された一対の主グランド電極（２ａ），（２ｂ）と、一対の主グランド電極（２ａ），（２ｂ）間において主グランド電極（２ａ），（２ｂ）に対して直交する方向に沿って所定間隔毎に主グランド電極（２ａ），（２ｂ）と平行な状態で配設された複数の副グランド電極（１１）でそれぞれ構成される２列の側壁（３ａ），（３ｂ）とを備え、一対の主グランド電極（２ａ），（２ｂ）と各側壁（３ａ），（３ｂ）とで囲まれた領域（５）内をＴＭモードの電磁波が伝搬可能に構成されている。  

Description

明 細 書
矩形導波管型導波路
技術分野
[0001] 本発明は、例えばマイクロ波やミリ波などの電磁波（高周波信号）のうちの TMモー ドの電磁波を伝搬対象とする矩形導波管型導波路に関するものである。
背景技術
[0002] マイクロ波やミリ波などの電磁波（高周波信号)を伝送する導波管型導波路として、 特開平 11一 284409号公報に開示された導波管型導波路が知られている。この導 波管型導波路は、誘電体基板を挟持する一対の主導体層と、一対の主導体層間を 電気的に接続して形成された 2列の側壁用貫通導体群と、側壁用貫通導体群と電気 的に接続されると共に主導体層と平行な状態で一対の主導体層間に形成された副 導体層とを備えて構成されている。この場合、この導波管型導波路では、同公報中 における「誘電体導波管の H面と E面に当たる部分がそれぞれ主導体層と側壁用貫 通導体群で形成され」との記載、および「誘電体導波管の E面と H面に当たる部分が それぞれ主導体層と側壁用貫通導体群で形成され」との記載から TEモードの電磁 波を対象としてレ、ると考えられる。
[0003] ところで、本願発明者は、 TMモードの電磁波のための導波管型導波路について 研究を行っている。この場合、上記公報に開示された構成を用いて TMモード用の 導波管型導波路を構成することも可能である。し力 ながら、この従来の導波管型導 波路には、数多くの側壁用貫通導体からなる側壁用貫通導体群を誘電体内に形成 しなければならず、構造が複雑化して製造コストが高騰するという問題点がある。 発明の開示
[0004] 本願は、力かる問題点を解決すべくなされたものであり、より簡易な構成の TMモー ド用の導波管型導波路を提供することを主目的とする。
[0005] 本発明に係る矩形導波管型導波路は、誘電体を挟んで互いに平行に対向して配 設された一対の主グランド電極と、この一対の主グランド電極間においてこの主ダラ ンド電極に対して直交する方向に沿って所定間隔毎にこの主グランド電極と平行な 状態で配設された複数の副グランド電極でそれぞれ構成される 2列の側壁とを備え、 一対の主グランド電極と各側壁とで囲まれた領域内を TMモードの電磁波が伝搬可 能に構成されている。
[0006] この場合、各副グランド電極の横幅を長さ L以上に規定し、所定間隔を a、電磁波の 周波数を f、誘電体の比誘電率を ε r、光速を c、 自然対数を eとしたときに、下記式（1 )を満たすように所定間隔 aおよび長さ Lをそれぞれ規定するのが好ましい。
L X ( ( π /a) 2— (2 X π X f/c) 2 X ε r) 1 2≥l/log e - - ( l )
10
[0007] また、各副グランド電極の両面における内端面から長さ Lを超える領域と、各主ダラ ンド電極における領域に対向する領域とに形成された抵抗体層を備えているのが好 ましい。
[0008] さらに、各副グランド電極の各外端面側にぉレ、て各主グランド電極間に架け渡され て形成された電波吸収体層を備えているのが好ましい。
[0009] 本発明に係る矩形導波管型導波路によれば、誘電体を挟んで互いに平行に対向 して配設された一対の主グランド電極と、一対の主グランド電極間において主グラン ド電極に対して直交する方向に沿って所定間隔毎に主グランド電極と平行な状態で 配設された複数の副グランド電極でそれぞれ構成される 2列の側壁とを備えて構成し たことにより、磁界が伝搬方向に対して直交する方向にのみ発生する TMモードの電 磁波の特性を利用して、複数の副グランド電極のみで電磁波を遮蔽し得る矩形導波 管型導波路の側壁を形成することができる。したがって、この矩形導波管型導波路で は、一対の主導体層間を電気的に接続して形成された 2列の側壁用貫通導体群を 必須とする従来の矩形導波管型導波路と比較して、側壁用貫通導体群を不要にす ることができるため、より簡易な構成で TMモード用の導波管型導波路を構成すること ができる。この結果、導波管型導波路を安価に製造することができる。
[0010] また、本発明に係る矩形導波管型導波路によれば、各副グランド電極の横幅を長さ L以上に規定し、所定間隔を a、電磁波の周波数を f、誘電体の比誘電率を ε r、光速 を 自然対数を eとしたときに、上記の式（1 )を満たすように所定間隔 aおよび長さ L をそれぞれ規定したことにより、各副グランド電極の内端面から長さ（距離) Lだけ離 間した位置での電磁波を 20dB以上確実に減衰させることができる結果、電磁波の 遮蔽性を十分に高めることができる。
[0011] さらに、本発明に係る矩形導波管型導波路によれば、各副グランド電極の両面に おける内端面から長さ Lを超える領域と、各主グランド電極におけるその領域に対向 する領域とに抵抗体層を形成したことにより、矩形導波管型導波路内に発生した TE モードの電磁波を抵抗体層によって十分に減衰させることができる。
[0012] また、本発明に係る矩形導波管型導波路によれば、各副グランド電極の各外端面 側において各主グランド電極間に架け渡して電波吸収体層を形成したことにより、 T Mモードの電磁波や TEモードの電磁波に対する遮蔽性能を一層高めることができる 図面の簡単な説明
[0013] [図 1]本発明の一実施の形態における導波路の構成を示す斜視図である。
[図 2]図 1の導波路を Z方向から見た正面図である。
発明を実施するための最良の形態
[0014] 以下、添付図面を参照して、本発明に係る矩形導波管型導波路の好適な形態に ついて説明する。
[0015] 最初に、本発明に係る矩形導波管型導波路 (以下、「導波路」ともいう）の構成につ いて、図面を参照して説明する。
[0016] 導波路 1は、図 1 , 2に示すように、一対の主グランド電極 2a, 2b (以下、特に区別し ないときは「主グランド電極 2」ともいう）、一対の側壁 3a, 3b (以下、特に区別しないと きは「側壁 3」ともレ、う）、および誘電体ブロック 4を備え、誘電体ブロック 4のうちの各主 グランド電極 2と各側壁 3とで囲まれて断面矩形に形成された領域 5内を TMモードの 電磁波が伝搬可能に構成されている。
[0017] 各主グランド電極 2は、図 1， 2に示すように、それぞれ長方形の平板状に形成され ると共に、誘電体ブロック（本発明における誘電体) 4を挟んで互いに平行に、かつ対 向して配設されている。各側壁 3は、それぞれ、誘電体ブロック 4を挟むようにして、言 い換えれば、同図において誘電体ブロック 4の下側に配設されて長方形の平板状に 形成された複数の副グランド電極 11で構成されている。より具体的には、各側壁 3は 、一対の主グランド電極 2a, 2b間において、主グランド電極 2に対して直交する方向 (同図中の Y方向）に沿って所定間隔 aで、かつ主グランド電極 2と平行な状態であつ て誘電体ブロック 4の内部に副グランド電極 11を複数（同図では一例として 5つ）配設 してそれぞれ構成されている。また、各側壁 3の各副グランド電極 11は、それぞれ Y 方向から見た状態において、互いに重なるようにして配設されている。さらに、各側壁 3は、電磁波の伝搬方向（同図中の Z方向）に沿って、互いに平行な状態で 2列に配 設されている。また、各副グランド電極 11は、例えば、図 2に示すように、一対の主グ ランド電極 2a, 2b間に架け渡すようにして配設された貫通導体 12によってそれぞれ 主グランド電極 2と電気的に接続されている。なお、貫通導体 12は、領域 5内を伝搬 する電磁波を領域 5内に閉じ込めるためのものではなぐ各側壁 3の各副グランド電 極 11を主グランド電極 2と同電位（グランド電位）に維持するためのものとして機能す る。したがって、従来の導波路とは異なり、電磁波の伝搬方向に沿って数多くの貫通 導体 12を等間隔で列状に配設する必要はない。このため、貫通導体 12は、各側壁 3に少なくとも 1っ配設すればよぐ導波路 1の構造を簡略化するとの観点では、数個 程度とするのが好ましい。
[0018] ここで、 Z方向に伝搬する TMモードの電磁波の磁界 Hは、同図に示すように、 X- Y平面と平行な平面内で発生する。このため、この磁界 Hは、各側壁 3の形成領域に 達したときには、各側壁 3を形成する各副グランド電極 11と交差する。したがって、各 副グランド電極 11 , 11間、並びに副グランド電極 11および主グランド電極 2の間への 磁界 Hの進入が各副グランド電極 11によって規制される結果、各側壁 3は、 TMモー ドの電磁波に対して電気的な壁として機能する。すなわち、各側壁 3は、各主グランド 電極 2と相俟って、 TMモードの電磁波を領域 5内に閉じ込める機能を有する。なお、 図 1 , 2中では、説明の理解を容易にするために、主グランド電極 2および副グランド 電極 11の厚みを省略して記載している。また、図 2中では、参考のために TMモード の電磁波の電界を符号 Eで示して表示してレ、る。
[0019] さらに、各副グランド電極 11の横幅 (X方向に沿った長さ）は長さ L以上に規定され ると共に、伝搬する電磁波の周波数を f、誘電体ブロック 4の比誘電率を ε r、光速を c 、自然対数を eとしたときに、所定間隔 aおよび長さ Lは、それぞれ下記式（1)を満た すように規定されている。以上の構成により、各側壁 3は、各副グランド電極 11間、並 びに主グランド電極 2および副グランド電極 11の間に進入した TMモードの電磁波を 、各副グランド電極 11の内端面から長さ（距離) Lだけ離間した位置において 20dB 以上減衰させることで、 TMモードの電磁波に対する遮蔽性能を高めている。なお、 副グランド電極 11の内端面とは、各副グランド電極 11における領域 5に臨む端面を いう。
L X ( ( π /a) 2— (2 X π X f/c) 2 X ε r) 1 2≥l/log e - - (l)
10
[0020] また、図 1 , 2に示すように、各副グランド電極 11の両面における内端面から長さ L を超える外側領域、およびこの外側領域に対向する各主グランド電極 2の各一面に は、抵抗体層 13がそれぞれ形成されている。この場合、抵抗体層 13は、例えば、損 失の大きい吸収抵抗で形成することができる。さらに、各副グランド電極 1 1の各外端 面側には、相互間で一対の側壁 3および誘電体ブロック 4を挟むようにして電波吸収 体層 14, 14が側壁 3a， 3bの外側にそれぞれ形成されている。この場合、各電波吸 収体層 14は、その Y方向の各端縁が各主グランド電極 2a, 2bの X方向の各端縁に 接するようにして形成されている。言い換えれば、各電波吸収体層 14は、各主グラン ド電極 2a, 2b間に架け渡された状態で形成されている。この場合、電波吸収体層 14 は、電磁波エネルギー（電波）を吸収する機能を有し、例えば、導電損失材、磁性損 失材および誘電損失材などの材料のうちから 1種類または 2種類以上を材料として形 成されている。なお、導電損失材としては、例えば、主材料としてカーボンが用いられ る。また、磁性損失材としては、例えば、主材料として酸化物磁性材料が用いられる 力 金属磁性材料を用いることもできる。さらに、誘電損失材としては、例えば、主材 料としてチタン酸バリウムが用いられる。また、電波吸収体層 14の材料はこれに限定 されず、現在存在する材料のみならず、今後開発される任意の材料を適宜用いるこ とができる。
[0021] 次に、導波路 1の動作について、図 1， 2を参照して説明する。
[0022] この導波路 1では、一対の主グランド電極 2a， 2bおよび一対の側壁 3a, 3bで囲ま れた領域 5内に入力された TMモードの電磁波は、各主グランド電極 2によって Y方 向への伝搬が規制されると共に、各側壁 3によって X方向への伝搬が規制される。し たがって、電磁波は、各主グランド電極 2および各側壁 3で反射されつつ、領域 5内 を z方向に向けて伝搬する。
[0023] 一方、導波路 1に供給される電磁波の周波数によっては、領域 5内に TEモードの 電磁波が発生することもある。この場合、 TEモードの電磁波では、主グランド電極 2と 平行な面 (X— Z平面）に H面が形成されて、この H面内に磁界が発生する。また、こ の TEモード電磁波の磁界は、各側壁 3の形成領域に達したとしても、各副グランド電 極 11と交差することなく各副グランド電極 11の外側領域内に進入することもあり得る 。 ところが、この導波路 1では、この外側領域内に進入した TEモード電磁波の磁界が 、各副グランド電極 11の両面における外側領域に形成された抵抗体層 13と、この外 側領域に対向する各主グランド電極 2の一面に形成された抵抗体層 13とを通過する 際に弱められる。したがって、導波路 1の領域 5内に発生した TEモードの電磁波は、 抵抗体層 13によって減衰させられる。また、各副グランド電極 11 , 11間、並びに副グ ランド電極 11および主グランド電極 2の間に進入した TMモードの電磁波や TEモー ドの電磁波が、減衰させられつつ各副グランド電極 11の外端面側に達することもあり 得る。この際には、各電波吸収体層 14が、各副グランド電極 11の外端面側に達した TMモードの電磁波や TEモードの電磁波を吸収する。したがって、 TMモードの電 磁波ゃ TEモードの電磁波の導波路 1外部への漏洩が防止される。
[0024] このように、この導波路 1によれば、各主グランド電極 2a, 2b間において主グランド 電極 2と平行な状態で複数の副グランド電極 11を所定間隔 a毎に配置して 2列の側 壁 3を形成したことにより、磁界が伝搬方向（Z方向）に対して直交する方向にのみ発 生する TMモードの電磁波の特性を利用して、この電磁波に対する各側壁 3の遮蔽 機能を複数の副グランド電極 11のみで実現することができる。このため、従来の矩形 導波管型導波路において必要とされた数多くの側壁用貫通導体で構成された側壁 用貫通導体群を不要にすることができる結果、 TMモード用の導波管型導波路を簡 易に構成することができる。したがって、導波路 1を安価に製造することができる。また 、上記式（1)を満たす横幅で各副グランド電極 11を形成すると共に、式（1)を満たす 所定間隔 aで各副グランド電極 11を配設することにより、各側壁 3の TMモードの電磁 波に対する遮蔽性能を一層高めることができる。
[0025] また、この導波路 1によれば、各副グランド電極 11の両面および各主グランド電極 2 の一面（表面）に抵抗体層 13を形成したことにより、各副グランド電極 11の外側領域 内に進入した TEモード電磁波の磁界を抵抗体層 13で弱めることができる。このため 、導波路 1の領域 5内に発生した TEモード電磁波を十分に減衰させることができる。 さらに、各副グランド電極 11の各外端面側に電波吸収体層 14を形成したことにより、 各副グランド電極 11の外端面側に達した TMモードの電磁波や TEモードの電磁波 をこの電波吸収体層 14で吸収させることができる。したがって、 TMモードの電磁波 および TEモードの電磁波の導波路 1からの漏洩を一層良好に防止することができる なお、本発明は、上記した構成に限定されなレ、。例えば、上記の導波路 1では、貫 通導体 12を用いて各副グランド電極 11と主グランド電極 2とを電気的に接続する構 成が採用されているが、これに限らなレ、。例えば、各副グランド電極 11および主ダラ ンド電極 2の各端面側を配線パターンや接続用導体で電気的に接続する構成を採 用することもできる。この構成によれば、誘電体ブロック 4内に貫通導体 12を形成する 必要がなくなる結果、構造を一層簡略化することができる。また、多層基板を用いて 導波路 1を形成することもできる。具体的には、多層基板で上記の導波路 1を形成す る場合、 7層多層基板を用いて、その両面 (最上位面および最下位面）に主グランド 電極 2をそれぞれ形成すると共に、各側壁 3を構成する各副グランド電極 11をその各 内層にそれぞれ形成する。また、貫通導体 12をスルーホールで構成する。以上によ り、多層基板で導波路 1が形成される。また、上記の導波路 1を用いて、共振器ゃフィ ルタを構成することもできる。

Claims

請求の範囲
[1] 誘電体を挟んで互いに平行に対向して配設された一対の主グランド電極と、前記 一対の主グランド電極間において前記主グランド電極に対して直交する方向に沿つ て所定間隔毎に前記主グランド電極と平行な状態で配設された複数の副グランド電 極でそれぞれ構成される 2列の側壁とを備え、前記一対の主グランド電極と前記各側 壁とで囲まれた領域内を TMモードの電磁波が伝搬可能に構成されている矩形導波 管型導波路。
[2] 前記各副グランド電極の横幅は、長さ L以上に規定され、
前記所定間隔を a、前記電磁波の周波数を f、前記誘電体の比誘電率を ε r、光速 を 自然対数を eとしたときに、下記式（1 )を満たすように前記所定間隔 aおよび前 記長さ Lがそれぞれ規定されている請求の範囲第 1項記載の矩形導波管型導波路。
L X ( ( 7i /a) 2_ (2 X π X f/c) 2 X ε r) 1/2≥l/log e - - ( l )
10
[3] 前記各副グランド電極の両面における内端面から前記長さ Lを超える領域と、前記 各主グランド電極における前記領域に対向する領域とに形成された抵抗体層を備え ている請求の範囲第 1項記載の矩形導波管型導波路。
[4] 前記各副グランド電極の両面における内端面から前記長さ Lを超える領域と、前記 各主グランド電極における前記領域に対向する領域とに形成された抵抗体層を備え ている請求の範囲第 2項記載の矩形導波管型導波路。
[5] 前記各副グランド電極の各外端面側にぉレ、て前記各主グランド電極間に架け渡さ れて形成された電波吸収体層を備えている請求の範囲第 1項記載の矩形導波管型 導波路。
[6] 前記各副グランド電極の各外端面側にぉレ、て前記各主グランド電極間に架け渡さ れて形成された電波吸収体層を備えている請求の範囲第 2項記載の矩形導波管型 導波路。
[7] 前記各副グランド電極の各外端面側にぉレ、て前記各主グランド電極間に架け渡さ れて形成された電波吸収体層を備えている請求の範囲第 3項記載の矩形導波管型 導波路。
[8] 前記各副グランド電極の各外端面側にぉレ、て前記各主グランド電極間に架け渡さ れて形成された電波吸収体層を備えている請求の範囲第 4項記載の矩形導波管型 導波路。
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