WO2004081993A1 - Einrichtung zum verbinden von elektronischen schaltungen - Google Patents

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WO2004081993A1
WO2004081993A1 PCT/AT2004/000082 AT2004000082W WO2004081993A1 WO 2004081993 A1 WO2004081993 A1 WO 2004081993A1 AT 2004000082 W AT2004000082 W AT 2004000082W WO 2004081993 A1 WO2004081993 A1 WO 2004081993A1
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membrane
pressure
heating
pressure plate
carrier
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PCT/AT2004/000082
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Inventor
Hannes Kostner
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Datacon Semiconductor Equipment Gmbh
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    • G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M17/00—Testing of vehicles
    • G01M17/007—Wheeled or endless-tracked vehicles
    • G01M17/0072—Wheeled or endless-tracked vehicles the wheels of the vehicle co-operating with rotatable rolls
    • G—PHYSICS
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    • G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/32—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C43/36—Moulds for making articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/3642—Bags, bleeder sheets or cauls for isostatic pressing
    • B29C2043/3647—Membranes, diaphragms

Definitions

  • the invention relates to a device for connecting electronic circuits, for example chips, and / or their contact tracks to a carrier such as a wafer, a printed circuit board, ceramic substrate or the like, which comprises a heating chamber with a heating device having a heating surface.
  • connection contacts are first produced in a wafer and provided with connection contacts.
  • semiconductor components are first produced in a wafer and provided with connection contacts.
  • connection contacts are already isolated and completely processed semiconductor chips with the connection contacts are arranged on the wafer in such a way that the connection contacts assigned to one another come to lie on one another. In this position, the semiconductor chips are held with a suction needle and permanently connected in an electrically conductive manner to the connection contacts of the semiconductor components in the wafer under the application of heat and pressure.
  • the object of the present invention is to provide a device for connecting or assembling electronic circuits with which, on the one hand, the above disadvantages are avoided and, on the other hand, rational production can be ensured.
  • the device according to the invention is characterized in that at least one electronic circuit or at least one carrier is arranged on the heating surface of the heating device and for connection the electronic circuits are positioned one above the other and / or the circuits on the carrier or the carrier on the circuits that a membrane or pressure plate is provided on the side opposite the heating surface and the electronic circuits or circuits and supports to be connected, the membrane or the pressure plate being in contact with the electronic circuits during the connection process, for example an alloying process, and the membrane or the pressure plate on the electronic
  • Circuit facing away from the pressure can be applied.
  • the main advantage can be seen in the fact that the production time is shortened enormously. A rational manufacturing is guaranteed with the device according to the invention.
  • Such a device is, according to the invention, an oven press which comprises a heating chamber with a heating device and in which a membrane or a pressure plate is provided with which a wafer equipped with chips can be pressed onto a heating surface of the heating device.
  • a wafer with semiconductor chips arranged thereon and intended for assembly is placed on a heating surface of the furnace press.
  • the membrane or the pressure plate intended for pressing the chips is arranged at such a distance from the heating surface that the membrane or the pressure plate is thus placed on the wafer or by generating a pressure on the side of the membrane or the pressure plate facing away from the heating surface the chips arranged thereon are pressed in such a way that the chips are held in their position on the wafer until a permanent connection is established between the chips and the wafer.
  • the heating surface of the heating device is provided in a hermetically sealed, preferably evacuable, heating chamber. This eliminates the influences that result from the environment, such as moisture, oxygen or the like for the manufacturing process. The result is high quality production.
  • an atmosphere containing formic acid and / or forming and / or inert gas for example a nitrogen atmosphere, is provided in the heating chamber during the connection process.
  • This advantageously ensures that the manufacturing process is carried out in an atmosphere free of oxygen and water vapor, as a result of which oxidation of the contact surfaces at high temperatures is avoided.
  • This not only contributes to increasing the quality of the products to be manufactured, but in principle enables a permanent connection to be established between the chip and the carrier.
  • the atmosphere containing formic acid which is provided before or during the connection process, advantageously has the effect that existing oxide layers are reduced and further oxidation of the contact surfaces at high temperatures is avoided.
  • the quality criteria set for the product can thus be met.
  • the heating chamber has a, preferably stepless, regulation for the temperature.
  • the production process involves the passing through of fast heating cycles, which are in particular between 20 ° C and 300 ° C. With an optimal Controlling the temperature minimizes the manufacturing time and optimizes the quality of the connection.
  • the heating surface consists of steel or a rigid, preferably extremely rigid material, for example silicon carbide.
  • a rigid, preferably extremely rigid material for example silicon carbide.
  • Such a material has a coefficient of thermal expansion similar to that of silicon.
  • Semiconductor components are heated without the risk of lateral displacement to the substrate.
  • the heating surface can be heated directly or indirectly by the heating device.
  • direct or indirect heating of the heating surface can be advantageous.
  • rapid heat dissipation and rapid warming, i.e. the time of a heating cycle are of great importance in this manufacturing process, since this specifies the manufacturing time.
  • a direct heating of the heating surface is given with a ceramic heating, an indirect one by a radiant heater.
  • the membrane consists of a flexible plastic, in particular of a polymer plastic or a fluororubber, and is preferably arranged in a prestressed manner in a frame.
  • the pretension greatly minimizes slackening of the membrane due to the effect of heat. Lateral displacement of the chips resulting from the slackening of the membrane during the manufacturing process is largely avoided. Due to a high pre-tension, no extreme deformation of the membrane occurs when pressed against the chips. The placement accuracy is therefore largely preserved.
  • the membrane or pressure plate on the side facing the connecting parts has a continuous or partial and elastic cushion layer corresponding to the arrangement of the electronic circuits. Such a cushion layer compensates for the height differences between the individual chips. These height differences between the chips can be up to 15 ⁇ m. The cushion layer ensures an even pressure distribution within the process window of 3 to 5 bar over the entire contact surface.
  • the cushion layer does not exert any lateral forces on the electronic circuits or carriers. This can be ensured on the one hand by a particularly friction-free surface or by the internal elasticity of the cushion layer. This would be advantageous for self-centering of the applied chips. In the case of a soldering process but also an alloying process, such an automatic centering usually takes place in that, as a result of the adhesive forces of the liquid solder material, the connection contact surfaces to be connected are drawn almost exactly one above the other.
  • the material of the cushion layer has an elasticity index that corresponds to the lower process pressure limit, preferably about 0.3 MPa / mm, and preferably consists of fluororubber or a perfluoroelastomer.
  • the elasticity index is defined by the compression characteristic, pressure-displacement diagram, the selected cushion material and corresponds to the initial slope of this characteristic. As already mentioned, no marks should appear in the pillow layer. Too strong
  • the cushion layer can consist of a fluororubber or a perfluoroelastomer with high temperature resistance, low swelling and high resistance to aggressive media.
  • a fluororubber or a perfluoroelastomer with high temperature resistance, low swelling and high resistance to aggressive media.
  • Such materials also meet the above conditions and are available on the market under the trade names "Viton” or “Viton extreme” or “Kalrez” and have proven themselves to be advantageous.
  • the membrane or pressure plate only just extends over the external arrangement of the electronic circuits. This ensures that the membrane is not pressed down at the peripheral edge of the chips provided for alloying or soldering. Pressing down the membrane at the edge could lead to the displacement of the outer chips. This could result in a severe loss of quality.
  • an intermediate plate which preferably consists of the same material as the electronic circuits or the carrier, is provided between the membrane or pressure plate and the cushion layer.
  • a membrane has the advantage that the application of force to the connection process takes place via the membrane and the intermediate plate provides a lateral rigidity which guarantees that the placement accuracy is maintained during the connection process.
  • the contact surface of the membrane on the intermediate plate is smaller than the surface of the intermediate plate or smaller than the contact surface of the intermediate plate on the electrical circuits. This prevents bending of the intermediate plate, which could result from lever forces at the edge area of the intermediate plate. On the one hand, this ensures an even pressure distribution and maintains the placement accuracy.
  • the membrane is designed as a laminate or composite membrane. This enables advantages of individual configurations to be combined in one membrane.
  • the membrane consists of metal, such as steel, nickel steel or a nickel alloy, and is preferably arranged in a frame. Even with such a membrane, the force for the connection process is applied through it. Furthermore, due to their lateral rigidity, the placement accuracy is preserved.
  • Another advantage of this membrane made of metal is that the expansion coefficient of that of the heating surface or that of the silicon wafer and that of the electronic Components corresponds, whereby practically no temperature-dependent relative change in position between chips and carrier results.
  • the center of gravity of the membrane lies in the center of gravity of the contacting surfaces of the circuits to be connected. This avoids a leverage effect on the parts to be connected and an even pressure or force is applied to all components supplied to the manufacturing process.
  • the pressure plate is formed from an intermediate plate, which preferably has a similar coefficient of thermal expansion as the electronic circuits or the carrier, and a cushion layer.
  • a pressure plate can also be used instead of the membrane. Especially with a large area
  • connection level of the electronic circuits this embodiment can have advantages.
  • the intermediate plate consists of nickel steel sheet, steel or an alloy with a corresponding one
  • Expansion coefficient and a corresponding stiffness and has a vulcanized cushion layer on the side facing the electrical circuits. This design ensures that the intermediate plate is subject to the same thermal expansion as the wafer, and so the relative placement accuracy is maintained. Through the layer of pillows they can
  • Chip thickness fluctuations are compensated for and a uniform pressure distribution can be achieved.
  • the intermediate plate is designed as a heating plate and optionally has a vulcanized cushion layer on the side facing the electrical circuits.
  • this heating plate can be adjustable.
  • the cushion layer can also be sucked in via vacuum forces and / or clamped on the frame.
  • a thermal separation for example thermal insulation, is arranged between the pressure plate and the intermediate plate. The thermal separation is advantageous for a rapidly changing temperature profile, since only small thermal masses have to be heated or cooled.
  • additional heating and / or cooling is provided in the pressure plate.
  • additional heating and / or cooling is provided in the pressure plate.
  • the pressure plate can be moved over at least one pressure stamp.
  • a pressure stamp With a pressure stamp, a very high application of force is not a significant problem.
  • three pressure stamps preferably arranged in an equilateral triangle, are provided.
  • the center of gravity of the force application can be elegantly and precisely predetermined and overlaid with the center of gravity of the chip distribution on the wafer.
  • the pressure stamps can be moved independently of one another. This allows the pressure plate to be set in any desired position.
  • the pressure is applied to the pressure plate with a pneumatic expansion body, for example a membrane or a bellows.
  • a pneumatic expansion body for example a membrane or a bellows.
  • This advantageous embodiment enables the contact pressure to be regulated from very low forces, from a few Newtons, to very high forces, from approximately 10000N.
  • the center of gravity of the pressure plate can be adjusted via at least one compensating pressure cylinder. As already mentioned, a central adjustment of the center of gravity is of particular importance. This is guaranteed with this training.
  • the pressure plate in the heating chamber has a lateral guide in the z direction, for example in the form of at least one leaf spring. This prevents radial displacement of the pressure plate.
  • the membrane, the pressure plate, the cushion layer, the intermediate plate, the heating surface and the electronic circuits or the carrier have approximately the same
  • Components are not changed even during the heating cycle.
  • the distance between the frame of the membrane and the heating surface, the edge distance, is preferably adjustable.
  • a uniform pressure or force distribution on the contact surfaces of the membrane can also be achieved. This means that the same pressure is exerted by the membrane on all components supplied to the manufacturing process during the joining process. This also means that the high quality criteria can be met.
  • Fig. 2 shows an arrangement of a wafer with chips when using the
  • FIG. 3 shows a further embodiment according to FIG. 2 in cross section
  • FIG. 4 shows a further exemplary embodiment according to FIG. 2 in cross section
  • FIG. 5 shows a further embodiment according to FIG. 2 in cross section
  • FIG. 6 shows a further exemplary embodiment with an alternative arrangement of the wafer in cross section
  • Fig. 7 shows a heating chamber with a movable via pressure stamp
  • Fig. 8 shows a heating chamber with a pressure plate, which is acted upon by a pneumatic expansion body.
  • FIG. 1 shows a device which has a heating chamber 1 in which a heating device 2 with a heating surface 3 is attached.
  • a heating device 2 with a heating surface 3 is attached to this heating surface 3 .
  • a carrier 4 for example a wafer, which is equipped with electronic circuits 5, for example chips, arranged thereon.
  • a suitable membrane 6 can, for example, be a membrane 6 made of a
  • the membrane 6 is, however, such that the circuits 5 on the carrier 4 are not displaced from their position, in particular not in a radial direction toward the edges of the wafer, when the entire arrangement is thermally expanded. Regardless of thermal expansion, the material of the membrane should be so largely rigid in a lateral direction that the accuracy is preserved when the carrier 4 is equipped with the electronic circuits 5. On the other hand, the membrane 6 should exert no lateral forces on the electronic circuits 5 or the carrier 4 if possible. This would be advantageous for self-centering of the applied chips.
  • the membrane 6 due to manufacturing tolerances slight height differences due to different thicknesses of the individual electronic Compensate circuits 5.
  • the material of the membrane 6 must not be completely rigid in the z direction. With a certain vertical deformability of the membrane 6, a lateral sealing of the arrangement of the chips on the wafer is also brought about. If, on the other hand, an evacuation of the heating chamber 1 is provided for the soldering process in question, the membrane 6 must not be deformed too much in the vertical direction, since the area between the membrane 6 and the carrier 4 can only be evacuated if the membrane 6 Edge of the carrier 4 is not completely sealed or only locally does not seal individual chips. Despite a slight deformability of the material of the membrane 6, however, no impressions of the contours of the semiconductor chips should remain on the membrane surface, which could have a disadvantageous effect when the device is subsequently used again.
  • Fig. 2 the arrangement of the carrier 4 on the heating surface 3 is shown in cross section.
  • the electronic circuits 5 are located on the carrier 4 and are to be fastened thereon.
  • the contacts to be connected to one another are not shown in detail.
  • the membrane 6 is pressed onto the arrangement of the electronic circuits 5 from the side facing away from the carrier 4 by generating an overpressure in the relevant chamber. This is indicated by the arrow pointing downward in FIG. 2.
  • the membrane 6 is prestressed in a frame 11 and arranged just above the electronic circuits 5. This ensures that the membrane 6 remains in one plane, if possible, under pressure, at least over the surface of the wafer, so that all the chips are pressed on uniformly and firmly.
  • the distance between the clamping frame of the membrane 6 and the heating surface 3 is variable and can be set depending on the required process pressure.
  • the membrane 6 initially rests in a central region of the carrier 4 and, as the overpressure increases, a uniform contact pressure of the membrane 6 is gradually established over the entire surface of the wafer.
  • the membrane 6 is a uniformly flexible material
  • elastic pressure stamps 7 are provided for the electronic circuits 5, which correspond to the size of the electronic circuits 5 in their dimensions.
  • the thickness of the pressure stamp 7 should be 1.5 times the chip thickness.
  • the pressure stamps 7 also make it easier to adapt the membrane 6 to different semiconductor chip thicknesses.
  • the membrane 6 is arranged biased in a frame 11.
  • the further exemplary embodiment according to FIG. 3 likewise comprises a membrane 6 made of a polymer or fluororubber.
  • an intermediate plate 8 which is rigid relative to the membrane material, is attached as a pressure plate on its upper side facing the carrier 4.
  • This intermediate plate 8 preferably has a thermal expansion matched to the semiconductor material of the carrier 4, so that there is no radial displacement of the electronic circuits 5 on the carrier 4 when the device is heated.
  • the membrane 6 remains rigid in the vertical direction.
  • an elastic cushion layer 9 made of a softer material can be provided on the upper side of the intermediate plate 8 facing the wafer. If the cushion layer 9 is formed from a sufficiently elastic material, the semiconductor chips in the cushion layer 9 are prevented from leaving imprints. Ideally, a material is selected for the cushion layer 9, the elasticity index of which corresponds to the lower pressure limit required for the connection process.
  • the coefficient of thermal expansion of the intermediate plate 8 should preferably be when a wafer is used Silicon should not be very different from the coefficient of thermal expansion of silicon.
  • the above-mentioned pressure stamps 7 are a partially applied cushion layer 9. However, they have the advantage that the chips can be made to leave no permanent marks in the long term if they are suitably chosen.
  • the membrane 6 is made of nickel or a nickel steel.
  • the membrane 6 is prestressed and arranged at the edges in a frame 11, which frame 11 can again be moved and positioned in height relative to the heating surface 3, but also parallel to the heating surface 3. It is necessary to adjust the metal membrane parallel to the heating surface 3, since in this embodiment the center of force of the membrane 6 must overlap with the center of gravity of the contacting surfaces of the circuits to be connected on the carrier substrate. Otherwise, no even pressure distribution is guaranteed for the connection process.
  • a relatively rigid membrane 6 is provided in comparison to the polymer; nevertheless, a certain flexibility of the membrane 6 can be maintained, so that with a sufficiently tight arrangement of the membrane above the carrier 4 and possibly despite a rigid lateral attachment of the membrane 6, an overpressure can be generated on the side of the membrane 6 opposite the wafer, which the membrane 6 is sufficiently deformed for a high contact pressure of the chips on the wafer.
  • the thermal expansion coefficient of the membrane 6 can be selected so that it corresponds to the thermal expansion coefficient of silicon or comes very close. In the case of thicker steel membranes, this corresponds to a thickness of approximately 300 ⁇ m to 400 ⁇ m, the membrane 6 is also to be provided with a cushion layer 9.
  • the elastic cushion layer 9 is vulcanized onto the steel membrane, for example.
  • the membrane 6 comprises at least one carrier film 8. This carrier film 8 should also be sufficiently flexible to enable the membrane 6 to be pressed onto the semiconductor chips.
  • a rigid intermediate layer 10 for example a carbon fiber layer, with a coefficient of thermal expansion that comes close to the coefficient of thermal expansion of silicon.
  • This intermediate layer 10 it is achieved that the membrane 6 does not expand significantly more or weaker than the carrier 4 during thermal expansion.
  • the laminate also provides sufficient lateral rigidity for the membrane 6. By adjusting the material and the thickness of these layers it can also be achieved that a certain lateral rigidity
  • Another layer is provided as a compressible cushion layer 9 on the upper side of the membrane 6 facing the wafer. So that becomes a
  • Wafer lies here on the upper side of the membrane 6, which presses the wafer against the heating surface 3 from below, so that the electronic circuits 5 are pressed onto the carrier 4.
  • the heating surface 3 can preferably be provided with a thin compressible layer for height compensation of the semiconductor chips. It is also possible to produce the heating surface 3 from nickel or a nickel steel and optionally to provide it with pressure stamps 7.
  • a very efficient manufacturing process can be carried out with the device shown above. If semiconductor chips are to be arranged one above the other and to be soldered to one another at connection contact surfaces, semiconductor components are first produced in a wafer and then with
  • connection contacts With an automatic placement machine, further, already isolated and fully processed semiconductor chips are placed on the wafer in such a way that the mutually assigned connection contacts come to lie on one another.
  • a permanent connection between the connection contacts of the chips is produced by supplying heat, predominantly 250 ° C. to 350 ° C., or by applying a pressure, preferably 3 to 5 bar, to the wafer chip stack.
  • the permanent connection between the chips placed on the wafer and the wafer is only established in a second process step, which takes place in an oven - described above - provided for this purpose with a pressure device, in particular this specially adapted vacuum oven.
  • An advantage of this method is that the connection of all the chips placed on the wafer chips can be established simultaneously.
  • the thickness of the chips placed on the wafer can fluctuate within a tolerance range of 615 ⁇ m. This impairment is also eliminated with the device shown and an even pressure distribution achieved, so that the connection contacts, especially in alloy processes, are connected with one another with sufficient reliability.
  • Heating cycles with rapid heating and cooling phases are especially necessary in alloy processes.
  • the wafer support of the heating device 2 must have a low thermal mass.
  • the heating plate 3 must have a high rigidity so that the support plate does not deform under the high bonding pressure.
  • the placed chips are pressed through the membrane 6 onto the wafer.
  • the selection of materials with approximately the same thermal expansion coefficients of the heating plate 3, the wafer or chip material and the printing unit also contribute to increasing the quality of the manufacturing process.
  • Silicon for example, has an expansion coefficient of about 3ppm / ° C. A coefficient of expansion in this range can be achieved with a nickel-steel alloy. Due to the approximately the same coefficients, the thermal expansion between the printing unit and the chips or the wafer and the heating surface 3 naturally differs only very slightly, as a result of which the position of the chips on the wafer practically does not change before the connection is established.
  • the edge lengths or diameters of the connection contact surfaces are on the order of about 10 ⁇ m. The device described above minimizes the thermal offset of the chips in such a way that a qualitatively perfect production is guaranteed.
  • the heating device 2 with the heating surface 3 is provided in a heating chamber 1, which is preferably evacuable and is resistant to formic acid.
  • the carrier 4 with the electrical circuits 5 is arranged on the heating surface 3. One is above the electrical circuits 5
  • Pressure plate 12 is provided, which has an intermediate plate 8 with a cushion layer 9 on the side facing the circuits 5. To move the pressure plate 12, three pressure stamps 13 are provided, which are arranged in an equilateral triangle. With this pressure stamp 13 press forces of a few Newtons up to 10,000 N can be controlled.
  • the pressure plate 12 also has an additional heating and / or cooling 14, so that the temperature profile for the
  • either the upper part of the heating chamber 1 can be lowered or the lower part of the heating chamber 1 can be raised, the stroke being at least so great that fully automatic loading is possible.
  • the upper and lower parts of the heating chamber 1 can be mechanically centered. The centering takes place via a suitable design of the sealing edges 15.
  • the heating chamber 1 has in its interior the heating device 2, the heating surface 3 of which is formed from ceramic heating elements, the electrical circuits 5 being positioned on the heating surface 3.
  • a thermal separation 16 in the form of thermal insulation, is provided between the ceramic heating elements for the heating surface 3 and the holder of the heating device 2.
  • the heating device 2 is arranged on support elements 17.
  • a feed 22 is provided for operating the bellows.
  • the pressure plate 12 On the side facing the electronic circuits 5, the pressure plate 12 has an intermediate plate 8 made of nickel steel, steel or an alloy vulcanized with a cushion layer 9, the thermal expansion coefficient of which corresponds to that of silicon.
  • the intermediate plate 8 can also be designed as a heating plate and the thermal expansion can be adjusted via a temperature control. Of course, ceramic heating elements could also be used here. With the heating plate, the The cushion layer 9 is held on the heating plate via vacuum forces and / or it is clamped on the edge of the pressure plate 12.
  • the pressure plate 12 is moved via a pneumatic expansion body 18, in this case by a bellows. Instead of the bellows, a membrane 6 could also be used. The mode of operation would then correspond to the mode of operation in the previous exemplary embodiments.
  • the pressure plate 12 is set via at least one compensating pressure cylinder 19. Preferably, three compensating pressure cylinders 19 arranged in an equilateral triangle are provided. Furthermore, the pressure plate 12 is guided for lateral fixation in a lateral guide 20, for example with a leaf spring.
  • a spacer 21 can be provided to fix the pressure plate 12 in its rest position.

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zum Verbinden von elektronischen Schaltungen (5), beispielsweise Chips, und/oder deren Kontaktbahnen mit einem Träger (4) wie beispielsweise einem Wafer, einer Leiterplatte, Keramiksubstrat od. dgl. Die Einrichtung umfasst eine Heizkammer (1) mit einer, eine Heizfläche (3) aufweisenden, Heizvorrichtung (2). Mindestens eine elektronische Schaltung (5) bzw. mindestens ein Träger (4) ist auf der Heizfläche (3) der Heizvorrichtung (2) angeordnet. Zum Verbinden sind die elektronischen Schaltungen (5) übereinander und/oder die Schaltungen (5) auf dem Träger (4) oder der Träger (4) auf den Schaltungen (5) positioniert. Auf der der Heizfläche (3) und den zu verbindenden elektronischen Schaltungen (5) bzw. Schaltungen (5) und Träger (4) gegenüberliegenden Seite ist eine Membran (6) bzw. Druckplatte (12) vorgesehen. Die Membran bzw. die Druckplatte (12) liegt während des Verbindungsprozesses, beispielsweise eines Legierungsprozesses, an den elektronischen Schaltungen (5) an. Die Membran (6) bzw. die Druckplatte (12) ist an der den elektronischen Schaltungen (5) abgewandten Seite mit Druck beaufschlagbar.

Description

Einrichtung zum Verbinden von elektronischen Schaltungen
Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zum Verbinden von elektronischen Schaltungen, beispielsweise Chips, und/oder deren Kontaktbahnen mit einem Träger wie beispielsweise einem Wafer, einer Leiterplatte, Keramiksubstrat od. dgl., die eine Heizkammer mit einer, eine Heizfläche aufweisenden, Heizvorrichtung umfasst.
Wenn Halbleiterchips beispielsweise übereinander angeordnet und direkt über ihre Anschlusskontaktflächen verbunden werden sollen, werden zunächst in einem Wafer Halbleiterbauelemente hergestellt und mit Anschlusskontakten versehen. Mit einem Bestückungsautomaten werden weitere, bereits vereinzelte und fertig prozessierte Halbleiterchips mit den Anschlusskontakten derart auf dem Wafer angeordnet, dass die einander zugeordneten Anschlusskontakte aufeinander zu liegen kommen. In dieser Position werden die Halbleiterchips mit einer Saugnadel gehalten und unter Wärmezufuhr und Druck dauerhaft elektrisch leitend mit den Anschlusskontakten der Halbleiterbauelemente in dem Wafer verbunden.
Dabei tritt das Problem auf, dass nicht alle aufgebrachten Chips gleichzeitig mit den entsprechenden Waferstrukturen verbunden werden können, sonder die Chips einzeln und hintereinander auf den Wafer aufgelegt und verbunden werden müssen. Aufgrund dieses sequentiellen Verfahrens und den langen Heiz- bzw. Druckzeiten, die für die Herstellung einer zuverlässigen und dauerhaften Verbindung nötig sind, ergeben sich lange Prozesszeiten. Eine rationelle Fertigung ist aus diesen Gründen nicht möglich.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Einrichtung zum Verbinden bzw. zur Montage von elektronischen Schaltungen zu schaffen, mit der einerseits die obigen Nachteile vermieden werden und mit der anderseits eine rationelle Fertigung gewährleistet werden kann.
Die Aufgabe wird durch die Erfindung gelöst. Die erfindungsgemäße Einrichtung ist dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine elektronische Schaltung bzw. mindestens ein Träger auf der Heizfläche der Heizvorrichtung angeordnet ist und zum Verbinden die elektronischen Schaltungen übereinander und/oder die Schaltungen auf dem Träger oder der Träger auf den Schaltungen positioniert sind bzw. ist, dass auf der der Heizfläche und den zu verbindenden elektronischen Schaltungen bzw. Schaltungen und Träger gegenüberliegenden Seite eine Membran bzw. Druckplatte vorgesehen ist, wobei die Membran bzw. die Druckplatte während des Verbindungsprozesses, beispielsweise eines Legierungsprozesses, an den elektronischen Schaltungen anliegt und die Membran bzw. die Druckplatte an der den elektronischen
Schaltungen abgewandten Seite mit Druck beaufschlagbar ist. Mit der Erfindung ist es erstmals möglich, mehrere Chips beispielsweise mit einem Bestückautomat auf einem Wafer anzuordnen und in einem Verfahrensschritt, der den Erwärmungsprozess und die Druckaufbringung umfasst, mit diesem zu verbinden. Der gravierende Vorteil ist vor allem darin zu sehen, dass die Fertigungszeit enorm verkürzt wird. Ein rationelles Herstellen ist mit der erfindungsgemäßen Einrichtung gewährleistet.
Bei einer derartigen Einrichtung handelt es sich erfindungsgemäß um eine Ofenpresse, die eine Heizkammer mit einer Heizvorrichtung umfasst und bei der eine Membran oder eine Druckplatte vorgesehen ist, mit der ein mit Chips bestückter Wafer auf eine Heizfläche der Heizvorrichtung gepresst werden kann. Ein Wafer mit darauf angeordneten, für eine Montage vorgesehenen Halbleiterchips wird auf eine Heizfläche der Ofenpresse gebracht. Die für das Anpressen der Chips vorgesehene Membran oder die Druckplatte wird in einem solchen Abstand von der Heizfläche angeordnet, dass durch Erzeugen eines Druckes auf der von der Heizfläche abgewandten Seite der Membran bzw. der Druckplatte die Membran bzw. die Druckplatte so auf den Wafer bzw. die darauf angeordneten Chips gepresst wird, dass die Chips in ihrer Position auf dem Wafer gehalten werden, bis eine dauerhafte Verbindung zwischen den Chips und dem Wafer hergestellt ist. Nach einem weiteren Merkmal der Erfindung ist die Heizfläche der Heizvorrichtung in einer hermetisch abgeschlossenen, vorzugsweise evakuierbaren, Heizkammer vorgesehen. Dadurch werden die Einflüsse, die aus der Umwelt resultieren, wie Feuchtigkeit, Sauerstoff oder dergleichen für den Fertigungsprozess ausgeschaltet. Eine qualitativ hoch stehende Produktion ist die Folge.
Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung ist in der Heizkammer eine ameisensäurehältige und/oder Formier- und/oder Inertgas-Atmosphäre, beispielsweise eine Stickstoff-Atmosphäre, während des Verbindungsprozesses vorgesehen. Dadurch wird vorteilhafterweise erreicht, dass der Fertigungsprozess in einer Atmosphäre, frei von Sauerstoff und Wasserdampf, durchgeführt wird, wodurch ein Oxidieren der Kontaktflächen bei hohen Temperaturen vermieden wird. Dies trägt nicht nur zur Erhöhung der Qualität der herzustellenden Produkte bei, sondern ermöglicht prinzipiell die Herstellung einer dauerhaften Verbindung zwischen Chip und Träger. Durch die ameisensäurehältige Atmosphäre, die vor bzw. während des Verbindungsprozesses vorgesehen ist, wird vorteilhafterweise erreicht, dass bereits bestehende Oxidschichten reduziert und ein weiteres Oxidieren der Kontaktflächen bei hohen Temperaturen vermieden wird.
Nach einer besonderen Ausgestaltung der Erfindung ist in der Heizkammer während des Verbindungsprozesses ein die Membran bzw. Druckkammer beaufschlagbarer, vorzugsweise stufenlos einstellbarer, Druck, vorzugsweise von 0 bis 5 bar, vorgesehen, der abhängig vom Druck in der Heizkammer regelbar ist. Dadurch kann der Verbindungsprozess entsprechend den erforderlichen
Parametern durchgeführt werden. Die gestellten Qualitätskriterien an das Produkt können damit erfüllt werden.
Gemäß einem weiteren Merkmal der Erfindung weist die Heizkammer eine, vorzugsweise stufenlose, Regelung für die Temperatur auf. Für den
Fertigungsablauf ist das Durchfahren von schnellen Heizzyklen, die insbesondere zwischen 20°C und 300° C liegen, von großer Bedeutung. Mit einer optimalen Regelung der Temperatur wird die Fertigungszeit minimiert und die Qualität der Verbindung optimiert.
Nach einem besonderen Merkmal der Erfindung besteht die Heizfläche aus Stahl oder einem starrem, vorzugsweise extrem biegesteifen, Material, beispielsweise Siliziumkarbid. Ein derartiges Material weist einen ähnlichen Wärme- Ausdehnungskoeffizienten wie Silizium auf. Dadurch sind beim Durchfahren der oben zitierten Heizzyklen nur geringe Wärmedehnungsdifferenzen gegeben, wodurch eine genaue Positionierung der Chips während des gesamten Ablaufes des Fertigungsprozesses gewährleistet ist. Es können also die
Halbleiterbauelemente erwärmt werden, ohne dass die Gefahr einer seitlichen Verschiebung zum Substrat gegeben ist.
Gemäß einer weiteren besonderen Ausgestaltung der Erfindung ist die Heizfläche direkt oder indirekt von der Heizvorrichtung beheizbar. Entsprechend dem gewünschten Heizzyklus kann eine direkte oder auch indirekte Erwärmung der Heizfläche Vorteile nach ziehen. Wie bereits erwähnt, sind bei diesem Fertigungsprozess ein schneller Abbau der Hitze und eine schnelle Erwärmung, also die Zeit eines Heizzyklus von großer Bedeutung, da dadurch die Fertigungszeit vorgegeben wird. Eine direkte Beheizung der Heizfläche ist bei einer Keramikheizung, eine indirekte durch einen Wärmestrahler, gegeben.
Nach einem besonderen Merkmal der Erfindung besteht die Membran aus einem flexiblen Kunststoff, insbesondere aus einem Polymer-Kunststoff oder einem Fluorkautschuk, und ist vorzugsweise in einem Rahmen vorgespannt angeordnet. Durch die Vorspannung wird ein Erschlaffen der Membran auf Grund der Wärmeeinwirkung stark minimiert. Ein seitliches Verschieben der Chips resultierend aus dem Erschlaffen der Membran, während des Fertigungsprozesses, wird weitgehenst vermieden. Durch eine hohe Vorspannung tritt auch keine extreme Verformung der Membran bei einer Anpressung an die Chips auf. Die Bestückungsgenauigkeit wird daher weitgehenst erhalten. Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung weist die Membran bzw. Druckplatte auf der den verbindenden Teilen zugewandten Seite eine durchgehende oder der Anordnung der elektronischen Schaltungen entsprechende partielle und elastische Kissenschicht auf. Eine derartige Kissenschicht gleicht die Höhendifferenzen der einzelnen Chips aus. Diese Höhendifferenzen zwischen den Chips können bis zu 15μm betragen. Durch die Kissenschicht wird eine gleichmäßige Druckverteilung innerhalb des Prozessfensters von 3 bis 5bar über die gesamte Anpressfläche sichergestellt.
Die Kissenschicht übt keine lateralen Kräfte auf die elektronischen Schaltungen bzw. Träger aus. Dies kann einerseits durch eine besonders reibfreie Oberfläche oder durch die innere Elastizität der Kissenschicht gewährleistet werden. Dies wäre für eine Selbstzentrierung der aufgebrachten Chips von Vorteil. Bei einem Lötprozess aber auch einem Legierungsprozess erfolgt nämlich in der Regel eine solche selbsttätige Zentrierung dadurch, dass infolge der Adhäsionskräfte des flüssigen Lotmaterials die miteinander zu verbindenden Anschlusskontaktflächen fast genau übereinander gezogen werden.
Gemäß einem weiteren Merkmal der Erfindung weist das Material der Kissenschicht eine Elastizitätskennzahl auf, die der unteren Prozessdruckgrenze, vorzugsweise etwa 0,3 MPa/mm, entspricht und vorzugsweise aus Fluorkautschuk oder einem Perfluorelastomer besteht. Die Elastizitätskennzahl ist definiert durch die Kompressionskennlinie, Druck-Weg-Diagramm, des gewählten Kissenmaterials und entspricht der Anfangssteigung dieser Kennlinie. Wie bereits erwähnt, sollen keine Abdrücke in der Kissenschicht auftreten. Zu starke
Einschnürungen könnten Nachverformungen in der Kissenschicht hervorrufen, die bei weiteren Fertigungsvorgängen sich störend auf die Qualität auswirken würden.
Die Kissenschicht kann aus einem Fluorkautschuk oder einem Perfluorelastomer mit hoher Temperaturbeständigkeit, geringer Quellung und hoher Beständigkeit gegen aggressive Medien bestehen. Derartige Materialien erfüllen auch die obigen Bedingungen und sind unter der Handelsbezeichnung „Viton" bzw. „Viton extrem" bzw. „Kalrez" am Markt erhältlich und haben sich vorteilhaft bewährt. Nach einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung reicht die Membran bzw. Druckplatte nur knapp über die äußere Anordnung der elektronischen Schaltungen. Dadurch wird gewährleistet, dass am Umfangsrand der zum Legieren bzw. Löten vorgesehenen Chips kein Herunterdrücken der Membran erfolgt. Ein am Rand stattfindendes Herunterdrücken der Membran könnte zum Verschieben der äußeren Chips führen. Ein starker Qualitätsverlust könnte daraus resultieren.
Gemäß einer besonderen Weiterbildung der Erfindung ist zwischen der Membran bzw. Druckplatte und der Kissenschicht eine Zwischenplatte, die vorzugsweise aus dem gleichen Material wie die elektronischen Schaltungen bzw. der Träger besteht, vorgesehen. Eine derartige Membran hat den Vorteil, dass die Kraftaufbringung zum Verbindungsprozess über die Membran erfolgt und durch die Zwischenplatte eine laterale Starrheit vorgegeben ist, die die Erhaltung der Bestückungsgenauigkeit während des Verbindungsprozesses garantiert.
Nach einer besonderen Ausführung ist die Anpressfläche der Membran auf die Zwischenplatte kleiner als die Fläche der Zwischenplatte bzw. kleiner als die Auflagefläche der Zwischenplatte auf die elektrischen Schaltungen. Dadurch wird ein Verbiegen der Zwischenplatte, das aus Hebelkräften am Randbereich der Zwischenplatte resultiert könnte, vermieden. Damit werden einerseits eine gleichmäßige Druckverteilung sowie die Erhaltung der Platziergenauigkeit erreicht. Nach einem besonderen Merkmal der Erfindung ist die Membran als Laminatoder Verbundmembran ausgebildet. Dadurch können Vorteile einzelner Ausgestaltungen in einer Membran vereinigt werden.
Gemäß einem weiteren besonderen Merkmal der Erfindung besteht die Membran aus Metall, wie beispielsweise Stahl, Nickel-Stahl oder einer Nickellegierung, und ist vorzugsweise in einem Rahmen angeordnet. Auch mit einer derartigen Membran erfolgt die Kraftaufbringung für den Verbindungsprozess durch diese. Weiters wird durch ihre laterale Starrheit die Bestückungsgenauigkeit erhalten. Ein weiterer Vorteil dieser Membran aus Metall ist, dass der Ausdehnungs-Koeffizient dem der Heizfläche bzw. dem des Silizium-Wafers sowie dem der elektronischen Bauteile entspricht, wodurch praktisch keine temperaturabhängige relative Lageveränderung zwischen Chips und Träger resultiert.
Nach einer sehr vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung liegt der Kräfteschwerpunkt der Membran im Flächenschwerpunkt der sich berührenden Flächen der zu verbindenden Schaltungen. Damit wird eine Hebelwirkung auf die zu verbindenden Teile vermieden und eine gleichmäßige Druck- bzw. Kraftaufbringung auf alle dem Fertigungsprozess zugeführten Bauteile ist gewährleistet.
Gemäß einem besonderen Merkmal der Erfindung ist die Druckplatte aus einer Zwischenplatte, die vorzugsweise einen ähnlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten wie die elektronischen Schaltungen bzw. der Träger aufweist, und einer Kissenschicht gebildet. Statt der Membran kann auch eine Druckplatte Verwendung finden. Insbesondere bei einer großflächigen
Verbindungsebene der elektronischen Schaltungen kann diese Ausführung Vorteile nach sich ziehen.
Nach einer besonderen Ausführung der Erfindung besteht die Zwischenplatte aus Nickelstahlblech, Stahl oder einer Legierung mit einem entsprechenden
Ausdehnungskoeffizienten und einer entsprechenden Steifigkeit und weist auf der den elektrischen Schaltungen zugewandten Seite eine vulkanisierte Kissenschicht auf. Durch diese Ausführung wird gewährleistet, dass die Zwischenplatte der gleichen thermischen Ausdehnung unterliegt wie der Wafer, und so die relative Platziergenauigkeit erhalten bleibt. Durch die Kissenschicht können die
Chipdickenschwankungen kompensiert und eine gleichmäßige Druckverteilung erreicht werden.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung ist die Zwischenplatte als Heizplatte ausgebildet ist und weist gegebenenfalls auf der den elektrischen Schaltungen zugewandten Seite eine vulkanisierte Kissenschicht auf. Natürlich kann diese Heizplatte regelbar sein. Die Kissenschicht kann auch über Vakuumkräfte angesaugt sein und/oder am Rahmen eingespannt werden. Nach einer Ausgestaltung der Erfindung ist zwischen der Druckplatte und der Zwischenplatte eine thermische Trennung, beispielsweise eine thermische Isolierung, angeordnet. Die thermische Trennung ist für ein rasch wechselndes Temperaturprofil von Vorteil, da nur geringe thermische Massen aufgeheizt bzw. abgekühlt werden müssen.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist in der Druckplatte eine zusätzliche Heizung und/oder Kühlung vorgesehen. Wie bereits erwähnt, ist es für einen rationellen Verbindungsprozess notwendig, ein bestimmtes Temperaturprofil rasch zu durchfahren. Mit dieser Ausgestaltung ist dies noch leichter möglich.
Nach einem weiteren besonderen Merkmal der Erfindung ist die Druckplatte über mindestens einem Druckstempel bewegbar. Mit einem Druckstempel ist eine sehr hohe Kraftaufbringung kein nennenswertes Problem.
Gemäß einer besonderen Ausgestaltung der Erfindung sind drei, vorzugsweise in einem gleichseitigen Dreieck angeordnete, Druckstempel vorgesehen. Auch mit dieser Methode kann der Schwerpunkt der Kraftaufbringung elegant und exakt vorausbestimmt und mit dem Flächenschwerpunkt der Chipverteilung am Wafer zur Überlagerung gebracht werden.
Nach einer Weiterbildung der Erfindung sind die Druckstempel unabhängig voneinander bewegbar. Dadurch kann die Druckplatte in jede gewünschte Lage eingestellt werden.
Gemäß einer besonderen Ausgestaltung der Erfindung erfolgt die Druckaufbringung auf die Druckplatte mit einem pneumatischen Ausdehnungskörper, beispielsweise einer Membran oder einem Blasbalg. Durch diese vorteilhafte Ausführung ist eine Regelung der Anpresskraft von sehr geringen Kräften, von einigen Newton, bis sehr hohe Kräfte, von etwa 10000N, möglich. Nach einer Weiterbildung der Erfindung ist der Kraftschwerpunkt der Druckplatte über mindestens einen Ausgleichsdruckzylinder einstellbar. Wie bereits erwähnt, ist eine zentrische Einstellung des Kraftschwerpunktes von besonderer Wichtigkeit. Mit dieser Weiterbildung ist dies gewährleistet.
Gemäß einer besonderen Weiterbildung der Erfindung sind drei, vorzugsweise in einem gleichseitigen Dreieck angeordnete, Ausgleichsdruckzylinder vorgesehen. Auch diese Weiterbildung dient der exakten Einstellung des Kraftschwerpunktes. Nach einer besonderen Ausgestaltung der Erfindung weist die Druckplatte in der Heizkammer in z-Richtung eine laterale Führung, beispielsweise in Form mindestens einer Blattfeder, auf. Dadurch wird eine radiale Verschiebung der Druckplatte vermieden.
Gemäß einem ganz besonderen Merkmal der Erfindung weisen die Membran, die Druckplatte, die Kissenschicht, die Zwischenplatte, die Heizfläche und die elektronischen Schaltungen bzw. der Träger annähernd einen gleichen
Temperatur-Ausdehnungskoeffizienten auf. Es werden für diese Baugruppen
Materialien gewählt, deren Ausdehnungskoeffizienten dem
Ausdehnungskoeffizienten der elektronischen Bauteile entsprechen oder diesem zumindest sehr nahe kommen. Dadurch wird gewährleistet, dass die
Bestückungsgenauigkeit bezogen auf die Positionierung der zu verbindenden
Bauteile auch während des Heizzyklus nicht verändert wird.
Nach einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist der Abstand zwischen dem Rahmen der Membran und der Heizfläche, der Randabstand, vorzugsweise stufenlos, einstellbar. Entsprechend dieser Ausführung kann ebenfalls eine gleichmäßige Druck- bzw. Kraftverteilung an den Auflageflächen der Membran erreicht werden. Das heißt, auf alle dem Fertigungsprozess zugeführten Bauteile wird der gleiche Druck von der Membran beim Verbindungsprozess ausgeübt. Darauf ist auch zurückzuführen, dass die hochgesteckten Qualitätskriterien erfüllt werden können. Die Erfindung wird an Hand von Ausführungsbeispielen, die in den Zeichnungen dargestellt sind, näher erläutert.
Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung der Einrichtung,
Fig. 2 eine Anordnung eines Wafers mit Chips bei Verwendung der
Einrichtung im Querschnitt,
Fig. 3 ein weiteres Ausführungsbeispiel gemäß der Fig. 2 im Querschnitt,
Fig. 4 ein weiteres Ausführungsbeispiel gemäß der Fig. 2 im Querschnitt,
Fig. 5 ein weiteres Ausführungsbeispiel gemäß der Fig. 2 im Querschnitt,
Fig. 6 ein weiteres Ausführungsbeispiel mit einer alternativen Anordnung des Wafers im Querschnitt,
Fig. 7 eine Heizkammer mit einer über Druckstempel bewegbaren
Druckplatte und
Fig. 8 eine Heizkammer mit einer Druckplatte, die mit einem pneumatischen Ausdehnungskörper beaufschlagt wird.
Einführend sei festgehalten, dass gleiche Teile mit gleichen Bezugszeichen bzw. gleichen Bauteilbezeichnungen versehen werden, wobei die in der gesamten Beschreibung enthaltenen Offenbarungen sinngemäß auf gleiche Teile mit gleichen Bezugszeichen bzw. gleichen Bauteilbezeichnungen übertragen werden können. Auch sind die in der Beschreibung gewählten Lageangaben, wie z.B. oben, unten, seitlich, usw. auf die unmittelbar beschriebene sowie dargestellte Figur bezogen und sind bei einer Lageänderung sinngemäß auf die neue Lage zu übertragen. In der Fig. 1 ist eine Einrichtung dargestellt, die eine Heizkammer 1 aufweist, in der eine Heizvorrichtung 2 mit einer Heizfläche 3 angebracht ist. Auf dieser Heizfläche 3 ist ein Träger 4, beispielsweise ein Wafer, vorgesehen, der mit darauf angeordneten elektronischen Schaltungen 5, beispielsweise Chips, bestückt ist. Im Deckel dieser Einrichtung befindet sich eine Druckeinheit mit einer Membran 6, die beim Schließen des Deckels direkt über dem Träger 4 angeordnet wird. Durch Anschluss der Druckeinheit an eine Druckleitung kann durch einströmendes Gas ein Überdruck erzeugt werden, der die Membran 6 auf die auf dem Träger 4 angeordneten elektronischen Schaltungen 5 presst. Eine derartige Einrichtung kann für eine automatische Produktion in großer Stückzahl eingerichtet werden. Das in der Fig. 1 schematisch dargestellte Ausführungsbeispiel dient nur zur Verdeutlichung der wesentlichen Komponenten der Einrichtung.
Eine geeignete Membran 6 kann beispielsweise eine Membran 6 aus einem
Polymer sein. Die Membran 6 ist allerdings so beschaffen, dass die Schaltungen 5 auf dem Träger 4 bei einer thermischen Ausdehnung der gesamten Anordnung nicht aus ihrer Position, insbesondere nicht in einer radialen Richtung zu den Rändern des Wafers hin, verschoben werden. Unabhängig von einer thermischen Ausdehnung soll das Material der Membran so weitgehend starr in einer lateralen Richtung sein, dass die Genauigkeit bei der Bestückung des Trägers 4 mit den elektronischen Schaltungen 5 nach Möglichkeit erhalten bleibt. Andererseits sollte die Membran 6 möglichst keine lateralen Kräfte auf die elektronischen Schaltungen 5 bzw. den Träger 4 ausüben. Dies wäre für eine Selbstzentrierung der aufgebrachten Chips von Vorteil. Bei einem Lötprozess erfolgt nämlich in der Regel eine solche selbsttätige Zentrierung dadurch, dass infolge der Adhäsionskräfte des Lotmaterials die miteinander zu verbindenden Anschlusskontaktflächen fast genau übereinander gezogen werden. Es ist daher von Vorteil, wenn die Membran 6 eine geringfügige seitliche Bewegung der auf dem Wafer angeordneten Chips zulässt.
Außerdem soll die Membran 6 durch Fertigungstoleranzen bedingte geringfügige Höhenunterschiede infolge unterschiedlicher Dicken der einzelnen elektronischen Schaltungen 5 ausgleichen. Das Material der Membran 6 darf zu diesem Zweck in der z-Richtung nicht vollständig starr sein. Mit einer gewissen vertikalen Deformierbarkeit der Membran 6 wird auch eine laterale Abdichtung der Anordnung der Chips auf dem Wafer bewirkt. Falls dagegen für den betreffenden Lötprozess eine Evakuierung der Heizkammer 1 vorgesehen ist, darf die Membran 6 in der vertikalen Richtung nicht zu stark deformiert werden können, da der Bereich zwischen der Membran 6 und dem Träger 4 nur evakuiert werden kann, wenn die Membran 6 den Rand des Trägers 4 nicht vollständig bzw. auch lokal nur einzelne Chips nicht abdichtet. Trotz einer geringfügigen Verformbarkeit des Materials der Membran 6 sollen aber keine Abdrücke der Konturen der Halbleiterchips auf der Membranoberfläche zurückbleiben, die sich bei der nachfolgenden erneuten Verwendung der Einrichtung nachteilig auswirken könnten.
In Fig. 2 ist die Anordnung des Trägers 4 auf der Heizfläche 3 im Querschnitt dargestellt. Auf dem Träger 4 befinden sich die elektronischen Schaltungen 5, die darauf befestigt werden sollen. Die aufeinander zu verbindenden Kontakte sind nicht im Einzelnen dargestellt. Die Membran 6 wird von der dem Träger 4 abgewandten Seite her durch Erzeugung eines Überdrucks in der betreffenden Kammer auf die Anordnung der elektronischen Schaltungen 5 gepresst. Das ist durch den in der Fig. 2 nach unten weisenden Pfeil angedeutet.
Ferner ist die Membran 6 in einem Rahmen 11 vorgespannt und knapp über den elektronischen Schaltungen 5 angeordnet. Damit ist vorgesorgt, dass die Membran 6 unter Druck zumindest über der Fläche des Wafers möglichst in einer Ebene bleibt, so dass alle Chips gleichmäßig fest angepresst werden. Der Abstand zwischen dem Spannrahmen der Membran 6 und der Heizfläche 3 ist variabel und kann abhängig vom nötigen Prozessdruck eingestellt werden.
Es kann auch genügen, dass die Membran 6 zunächst in einem mittleren Bereich des Trägers 4 aufliegt und sich bei Erhöhung des Überdrucks nach und nach ein gleichmäßiger Anpressdruck der Membran 6 über die gesamte Fläche des Wafers einstellt. In diesem Fall eines gleichmäßig flexiblen Materials der Membran 6 ist jedoch damit zu rechnen, dass nach dem Aufliegen der Membran 6 auf den am Rand des Halbleiterwafers angeordneten Halbleiterchips sich eine gewisse radiale Kraft auf die Halbleiterchips bemerkbar macht. Es kann daher zu einer radialen Verschiebung infolge einer radialen Verformung der Membran kommen.
Bei dem in Fig. 2 dargestellten Ausführungsbeispiel sind für die elektronischen Schaltungen 5 an der Membran 6 befestigte, elastische Andruckstempel 7 vorgesehen, die in ihren Ausmaßen der Größe der elektronischen Schaltungen 5 entsprechen. Die Dicke der Andruckstempel 7 sollte das 1 ,5-fachen der Chipdicke betragen. Mit den Andruckstempeln 7 wird außerdem eine Anpassung der Membran 6 an unterschiedliche Halbleiterchipdicken erleichtert.
Ferner ist die Membran 6 in einem Rahmen 11 vorgespannt angeordnet.
Das weitere Ausführungsbeispiel gemäß der Fig. 3 umfasst ebenfalls eine Membran 6 aus einem Polymer oder Fluorkautschuk. Gegen eine radiale Dehnung der Membran 6 ist auf deren, dem Träger 4 zugewandter, Oberseite eine relativ zu dem Membranmaterial starre Zwischenplatte 8 als Druckplatte angebracht. Diese Zwischenplatte 8 besitzt vorzugsweise eine an das Halbleitermaterial des Trägers 4 angepasste thermische Ausdehnung, so dass es beim Erwärmen der Einrichtung nicht zu einer radialen Verschiebung der elektronischen Schaltungen 5 auf dem Träger 4 kommt. Gleichzeitig bleibt die Membran 6 in der vertikalen Richtung starr.
Zur Anpassung der Andruckkraft an die unterschiedlichen Dicken der einzelnen Chips kann eine elastische Kissenschicht 9 aus einem weicheren Material auf der dem Wafer zugewandten Oberseite der Zwischenplatte 8 vorgesehen werden. Wenn die Kissenschicht 9 aus einem ausreichend elastischen Material ausgebildet wird, wird verhindert, dass die Halbleiterchips in der Kissenschicht 9 Abdrücke hinterlassen. Idealerweise wird für die Kissenschicht 9 ein Material gewählt, dessen Elastizitätskennzahl der unteren, für den Verbindungsprozess nötigen, Druckgrenze entspricht. Vorzugsweise soll der thermische Ausdehnungskoeffizient der Zwischenplatte 8 bei Verwendung eines Wafers aus Silizium von dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Silizium nicht sehr verschieden sein.
Die vorhin erwähnten Andruckstempel 7 sind eine partiell aufgebrachte Kissenschicht 9. Sie haben aber den Vorteil, dass geeigneter Wahl ihrer Ausmaße die Chips auf Dauer keine bleibenden Abdrücke hinterlassen können.
In der Fig. 4 ist ein Querschnitt der Anordnung gemäß der Fig. 2 für ein weiteres Ausführungsbeispiel der Anordnung dargestellt. Hier ist die Membran 6 aus Nickel oder einem Nickel-Stahl. Die Membran 6 ist vorgespannt und an den Rändern in einem Rahmen 11 angeordnet, wobei dieser Rahmen 11 wieder in der Höhe relativ zur Heizfläche 3, aber auch parallel zur Heizfläche 3 bewegt und positioniert werden kann. Eine Verstellmöglichkeit der Metallmembran parallel zur Heizfläche 3 ist nötig, da sich in dieser Ausführungsvariante das Kräftesymmetriezentrum der Membran 6 mit dem Flächenschwerpunkt der sich berührenden Flächen der zu verbindenden Schaltungen am Trägersubstrat überdecken muss. Ansonsten ist keine gleichmäßige Druckverteilung für den Verbindungsprozess gewährleistet. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist vergleichsweise zum Polymer eine relativ starre Membran 6 vorgesehen; trotzdem kann eine gewisse Flexibilität der Membran 6 beibehalten sein, so dass bei einer ausreichend dichten Anordnung der Membran über dem Träger 4 und eventuell trotz einer starren seitlichen Befestigung der Membran 6 ein Überdruck auf der dem Wafer gegenüberliegenden Seite der Membran 6 erzeugt werden kann, der die Membran 6 für einen hohen Anpressdruck der Chips auf dem Wafer ausreichend stark verformt. Insbesondere bei der Verwendung eines Nickel-Stahls geeigneter Zusammensetzung kann der thermische Ausdehnungskoeffizient der Membran 6 so gewählt werden, dass er dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Silizium entspricht bzw. sehr nahe kommt. Bei dickeren Stahlmembranen, dies entspricht einer Dicke von etwa 300 μm bis 400 μm, ist die Membran 6 ebenfalls mit einer Kissenschicht 9 zu versehen. Die elastische Kissenschicht 9 wird zum Beispiel auf die Stahlmembran aufvulkanisiert. Das in Fig. 5 dargestellte Ausführungsbeispiel, bei dem die Membran 6 ein Laminat mehrerer Schichten ist (Verbund- bzw. Sandwich-Membran), ermöglicht es, die Membran 6 auf die unterschiedlichen Anforderungen hin zu optimieren. Die Membran 6 umfasst in diesem Beispiel mindestens eine Trägerfolie 8. Diese Trägerfolie 8 soll außerdem ausreichend flexibel sein, um ein Anpressen der Membran 6 auf die Halbleiterchips zu ermöglichen.
Auf der Trägerfolie 8 befindet sich eine starre Zwischenschicht 10, zum Beispiel eine Kohlefaserschicht, mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten, der dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Silizium nahe kommt. Mit dieser Zwischenschicht 10 wird erreicht, dass die Membran 6 sich bei einer thermischen Ausdehnung nicht wesentlich stärker oder schwächer ausdehnt als der Träger 4. Durch das Laminat wird außerdem eine ausreichende laterale Steifigkeit der Membran 6 bewirkt. Durch die Anpassung des Materials und der Dicke dieser Schichten kann außerdem erreicht werden, dass ein gewisser seitlicher
Bewegungsspielraum für die bereits oben beschriebene Selbstzentrierung der Chips auf dem Wafer 4 erreicht wird.
Eine weitere Schicht ist als kompressible Kissenschicht 9 auf der dem Wafer zugewandten Oberseite der Membran 6 vorgesehen. Damit wird ein
Höhenausgleich bei unterschiedlich dicken Halbleiterchips bewirkt, und die Chips können seitlich ausreichend gut fixiert werden. Dabei wird jedoch wieder dafür gesorgt, dass die Halbleiterchips in dieser kompressiblen Kissenschicht 9 keine Abdrücke hinterlassen. Je nach Erfordernis kann mit einer derartigen Membran 6 eine seitliche Abdichtung der Anordnung der Halbleiterchips bewirkt werden, wobei jedoch auch eine vollständige Evakuierung des Zwischenraumes ermöglicht werden kann.
In der Fig. 6 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel dargestellt mit einer alternativen Anordnung des Trägers 4 zwischen der Heizfläche 3 und der Membran 6. Der
Wafer liegt hier auf der Oberseite der Membran 6, die den Wafer von unten gegen die Heizfläche 3 drückt, so dass die elektronischen Schaltungen 5 auf den Träger 4 gepresst werden. Für einen Höhenausgleich der Halbleiterchips kann bei diesem Ausführungsbeispiel vorzugsweise die Heizfläche 3 mit einer dünnen kompressiblen Schicht versehen werden. Auch ist es möglich, die Heizfläche 3 aus Nickel oder einem Nickel-Stahl herzustellen und gegebenenfalls mit Andruckstempeln 7 zu versehen.
Mit der oben aufgezeigten Einrichtung kann ein sehr rationelles Fertigungsverfahren durchgeführt werden. Wenn Halbleiterchips übereinander angeordnet und an Anschlusskontaktflächen miteinander verlötet werden sollen, werden zunächst in einem Wafer Halbleiterbauelemente hergestellt und mit
Anschlusskontakten versehen. Mit einem Bestückungsautomaten werden weitere, bereits vereinzelte und fertig prozessierte Halbleiterchips so auf den Wafer gesetzt, dass die einander zugeordneten Anschlusskontakte aufeinander zu liegen kommen. Die Herstellung einer dauerhaften Verbindung zwischen den Anschlusskontakten der Chips erfolgt durch Wärmezufuhr, voi'wiegend 250°C bis 350°C, bzw. durch Aufbringung eines Druckes, vorzugsweise 3 bis 5 bar auf den Wafer-Chip-Stapel. Um die Produktivität des Bestückungsautomaten erhöhen zu können, wird die dauerhafte Verbindung zwischen den aufgelegten Chips und dem Wafer erst in einem zweiten Verfahrensschritt hergestellt, was in einem - oben beschriebenen - dafür vorgesehenen Ofen mit einer Druckeinrichtung, insbesondere diesem speziell adaptierten Vakuumofen geschieht. Vorteilhaft an diesem Verfahren ist, dass die Verbindung aller aufgelegten Chips mit den Waferchips gleichzeitig hergestellt werden kann.
Das Problem, dass bei dem erforderlichen Ausüben eines Anpressdrucks, der bis zu einem für das Fixieren der Halbleiterchips auf dem Wafer ausreichend starken Anpressdruck erhöht wird, eine gleichmäßige Druckverteilung über die gesamten Wafer-Chip-Stapel erzielt werden muss, wird in optimaler Art und Weise mit der oben beschriebenen Einrichtung gelöst.
Weiters können die Dicken, der auf den Wafer aufgelegten Chips, in einem Toleranzbereich von 615μm schwanken. Auch diese Beeinträchtigung wird mit der aufgezeigten Einrichtung ausgeräumt und eine gleichmäßige Druckverteilung erreicht, sodass die Anschlusskontakte, vor allem bei Legierungsprozessen, mit einer ausreichenden Zuverlässigkeit miteinander verbunden werden.
Speziell bei Legierungsprozessen sind Heizzyklen mit raschen Heiz- und Abkühlphasen nötig. Um diese Heizzyklen garantieren zu können, muss die Waferauflage der Heizvorrichtung 2 eine geringe thermische Masse aufweisen. Andererseits muss die Heizplatte 3 eine hohe Steifigkeit besitzen, sodass sich die Auflageplatte unter den hohen Bonddruck nicht verformt.
Während des Heizzykluses werden die aufgelegten Chips durch die Membran 6 auf den Wafer gepresst.
Auch die Auswahl von Materialien mit annähernd gleichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Heizplatte 3, des Wafer- bzw. Chipmateriales und der Druckeinheit tragen zur Qualitätserhöhung des Fertigungsprozesses bei. Silizium hat beispielsweise einen Ausdehnungskoeffizienten von etwa 3ppm/°C. Mit einer Nickel-Stahl-Legierung kann ein Ausdehnungskoeffizient in diesen Bereich erreicht werden. Durch die annähernd gleichen Koeffizienten differiert natürlich auch die thermische Ausdehnung zwischen Druckeinheit und Chips bzw. Wafer und Heizfläche 3 nur äußerst gering, wodurch sich die Lage der Chips auf dem Wafer vor der Herstellung der Verbindung praktisch nicht verändern. Die Kantenlängen bzw. Durchmesser der Anschlusskontaktflächen liegen in der Größenordnung von etwa 10μm. Durch die oben beschriebene Einrichtung wird der thermische Versatz der Chips derart minimiert, dass eine qualitativ einwandfreie Herstellung gewährleistet ist.
Gemäß der Fig. 7 ist in einer, vorzugsweise evakuierbaren und ameisensäurefesten Heizkammer 1 die Heizvorrichtung 2 mit der Heizfläche 3 vorgesehen. Auf der Heizfläche 3 wird der Träger 4 mit den elektrischen Schaltungen 5 angeordnet. Über den elektrischen Schaltungen 5 ist eine
Druckplatte 12 vorgesehen, die an der den Schaltungen 5 zugewandten Seite eine Zwischenplatte 8 mit einer Kissenschicht 9 aufweist. Zur Bewegung der Druckplatte 12 sind drei Druckstempel 13 vorgesehen, die in einem gleichseitigen Dreieck angeordnet sind. Mit diesen Druckstempel 13 sind Pressenkräfte von wenigen Newton bis zu 10 000 N beherrschbar. Die Druckplatte 12 weist auch noch eine zusätzliche Heizung und/oder Kühlung 14 auf, wodurch ein rasches Durchfahren des Temperaturprofiles für die
Verbindung von Träger 4 und Schaltungen 5 beschleunigt wird bzw. eine aktive Anpassung der unterschiedlichen thermischen Materialausdehnungen erreicht werden kann.
Bei dieser Ausführung der Heizkammer 1 ist entweder der obere Teil der Heizkammer 1 absenkbar oder der untere Teil der Heizkammer 1 anhebbar, wobei der Hub mindestens so groß ist, dass eine vollautomatische Beschickung möglich ist. Darüber hinaus sind der Ober- und der Unterteil der Heizkammer 1 mechanisch zentrierbar. Die Zentrierung erfolgt über eine geeignete Ausbildung der Dichtkanten 15.
Entsprechend der Fig. 8 weist die Heizkammer 1 in ihrem Inneren die Heizvorrichtung 2 auf, deren Heizfläche 3 aus Keramikheizelementen gebildet ist, wobei auf der Heizfläche 3 die elektrischen Schaltungen 5 positioniert sind. Zwischen den Keramikheizelementen für die Heizfläche 3 und der Halterung der Heizvorrichtung 2 ist eine thermische Trennung 16, in Form einer thermischen Isolierung, vorgesehen. Die Heizvorrichtung 2 ist auf Auflageelementen 17 angeordnet.
Zum Betrieb des Blasbalgs ist eine Zuführung 22 vorgesehen.
Die Druckplatte 12 weist an der den elektronischen Schaltungen 5 zugewandten Seite eine, mit einer Kissenschicht 9 vulkanisierte Zwischenplatte 8 aus Nickelstahl, Stahl oder einer Legierung auf, deren thermische Ausdehnungskoeffizient jenen von Silizium entspricht. Die Zwischenplatte 8 kann auch als Heizplatte ausgebildet sein und die thermische Ausdehnungsanpassung über eine Temperaturregelung erfolgen. Natürlich könnten auch hier Keramikheizelemente Verwendung finden. Bei der Heizplatte wird die Kissenschicht 9 über Vakuumkräfte an der Heizplatte gehalten und/oder sie wird am Rand der Druckplatte 12 eingespannt.
In Fig. 8 werden beide Ausführungsvarianten gezeigt. In der rechten Abbildungshälfte sieht man das vulkanisierte Stahlblech, welches von unten an die Druckplatte 12 geklemmt wird. In der linken Abbildungshälfte ist die Heizplatte als Zwischenplatte 8 dargestellt, wobei die Kissenschicht 9 seitlich in die Druckplatte 12 eingeklemmt und gespannt wird
Die Druckplatte 12 wird über einen pneumatischen Ausdehnungskörper 18, in diesem Fall von einem Blasbalg, bewegt. Statt dem Blasbalg könnte auch eine Membran 6 Verwendung finden. Die Funktionsweise würde dann der Funktionsweise in den vorangegangenen Ausführungsbeispielen entsprechen. Um nun den Kraftschwerpunkt exakt festlegen zu können, wird die Druckplatte 12 über mindestens einen Ausgleichsdruckzylinder 19 eingestellt. Vorzugsweise werden drei, in einem gleichseitigen Dreieck angeordnete, Ausgleichsdruckzylinder 19 vorgesehen. Ferner wird die Druckplatte 12 zur lateralen Fixierung in einer lateralen Führung 20, beispielsweise mit einer Blattfeder, geführt.
Zur Fixierung der Druckplatte 12 in ihrer Ruhelage kann ein Abstandshalter 21 vorgesehen werden.
Abschließend sei darauf hingewiesen, dass in den zuvor beschriebenen Ausführungsbeispielen einzelne Teile unproportional vergrößert bzw. schematisch dargestellt sind, um das Verständnis der erfindungsgemäßen Lösung zu verbessern.

Claims

Patentansprüche
1. Einrichtung zum Verbinden von elektronischen Schaltungen, beispielsweise
Chips, und/oder deren Kontaktbahnen mit einem Träger wie beispielsweise einem Wafer, einer Leiterplatte, Keramiksubstrat od. dgl., die eine Heizkammer mit einer, eine Heizfläche aufweisenden, Heizvorrichtung umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine elektronische Schaltung (5) bzw. mindestens ein Träger (4) auf der Heizfläche (3) der
Heizvorrichtung (2) angeordnet ist und zum Verbinden die elektronischen Schaltungen (5) übereinander und/oder die Schaltungen (5) auf dem Träger (4) oder der Träger (4) auf den Schaltungen (5) positioniert sind bzw. ist, dass auf der der Heizfläche (3) und den zu verbindenden elektronischen Schaltungen (5) bzw. Schaltungen (5) und Träger (4) gegenüberliegenden Seite eine Membran (6) bzw. Druckplatte (12) vorgesehen ist, wobei die Membran (6) bzw. die Druckplatte (12) während des Verbindungsprozesses, beispielsweise eines Legierungsprozesses, an den elektronischen Schaltungen (5) anliegt und die Membran (6) bzw. die Druckplatte (12) an der den elektronischen Schaltungen (5) abgewandten
Seite mit Druck beaufschlagbar ist.
2. Einrichtung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Heizfläche (3) der Heizvorrichtung (2) in einer hermetisch abgeschlossenen, vorzugsweise evakuierbaren, Heizkammer (1) vorgesehen ist.
3. Einrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass in der Heizkammer (1) eine ameisensäurehältige und/oder Formier- und/oder Inertgas-Atmosphäre, beispielsweise eine Stickstoff-Atmosphäre, während des Verbindungsprozesses vorgesehen ist.
4. Einrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass in der Heizkammer (1 ) während des Verbindungsprozesses ein die Membran (6) bzw. Druckplatte (12) beaufschlagbarer, vorzugsweise stufenlos einstellbarer, Druck, vorzugsweise von 0 bis 5 bar, vorgesehen ist, der abhängig vom Druck in der Heizkammer (1 ) regelbar ist.
5. Einrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Heizkammer (1) eine, vorzugsweise stufenlose, Regelung für die Temperatur aufweist.
6. Einrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Heizfläche (3) aus Stahl oder einem starrem, vorzugsweise extrem biegesteifen Material, beispielsweise Siliziumkarbid, besteht.
7. Einrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Heizfläche (3) direkt oder indirekt von der
Heizvorrichtung (2) beheizbar ist.
8. Einrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran (6) aus einem flexiblen Kunststoff, insbesondere aus einem Polymer-Kunststoff und/oder Fluorkautschuk, besteht und vorzugsweise in einem Rahmen (11 ) vorgespannt angeordnet ist.
9. Einrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran (6) bzw. die Druckplatte (12) auf der den verbindenden Teilen zugewandten Seite eine durchgehende oder der Anordnung der elektronischen Schaltungen (5) entsprechende partielle und elastische Kissenschicht (9), beispielsweise Andruckstempel (7), aufweist.
10. Einrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Material der Kissenschicht (9) eine Elastizitätskennzahl aufweist, die der unteren Druckgrenze in der Heizkammer (1 ), vorzugsweise etwa 0,3 MPa/mm, entspricht und vorzugsweise aus Fluorkautschuk oder einem Perfluorelastomer besteht.
11. Einrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran (6) bzw. die Druckplatte (12) nur knapp über die äußere Anordnung der elektronischen Schaltungen (5) reicht.
12. Einrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11 , dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Membran (6) bzw. der Druckplatte (12) und der Kissenschicht (9) eine Zwischenplatte (8), die vorzugsweise aus dem gleichen Material wie die elektronischen Schaltungen (5) bzw. der Träger (4) besteht, vorgesehen ist.
13. Einrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran (6) als Laminat- oder
Verbundmembran ausgebildet ist.
14. Einrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran (6) aus Metall, wie beispielsweise Stahl, Nickel-Stahl oder einer Nickellegierung, besteht und vorzugsweise in einem Rahmen (11 ) angeordnet ist.
15. Einrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Kräfteschwerpunkt der Membran (6) im Flächenschwerpunkt der sich berührenden Flächen der zu verbindenden Schaltungen (5) liegt.
16. Einrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Druckplatte (12) aus einer Zwischenplatte (8), die vorzugsweise einen ähnlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten wie die elektronischen Schaltungen (5) bzw. der Träger (4) aufweist und einer
Kissenschicht (9) gebildet ist.
17. Einrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenplatte (8) aus Nickelstahlblech, Stahl oder einer Legierung mit einem entsprechenden Ausdehnungskoeffizienten und einer entsprechenden Steifigkeit besteht und auf der den elektrischen Schaltungen (5) zugewandten Seite eine vulkanisierte oder über
Vakuumkräfte gehaltene bzw. am Rand der Druckplatte (12) eingespannte Kissenschicht (9) aufweist.
18. Einrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenplatte (8) als Heizplatte ausgebildet ist und gegebenenfalls auf der den elektrischen Schaltungen (5) zugewandten Seite eine Kissenschicht (9) aufweist.
19. Einrichtung nach Anspruch 16 oder 18, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Druckplatte (12) und der Zwischenplatte (8) bzw. der
Membran (18, 19) eine thermische Trennung (16), beispielsweise eine thermische Isolierung, angeordnet ist.
20. Einrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass in der Druckplatte (12) eine zusätzliche Heizung und/oder Kühlung (14) vorgesehen ist.
21. Einrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Druckplatte (12) über mindestens einem Druckstempel (13) bewegbar ist.
22. Einrichtung nach Anspruch 21 , dadurch gekennzeichnet, dass drei, vorzugsweise in einem gleichseitigen Dreieck angeordnete, Druckstempel (13) vorgesehen sind.
23. Einrichtung nach Anspruch 21 oder 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Druckstempel (13) unabhängig voneinander bewegbar sind. 0/4
24. Einrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Druckaufbringung auf die Druckplatte (12) mit einem pneumatischen Ausdehnungskörper (18), beispielsweise einer Membran oder einem Blasbalg, erfolgt.
25. Einrichtung nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass der Kraftschwerpunkt der Druckplatte (12) über mindestens einen Ausgleichsdruckzylinder (19) einstellbar ist.
26. Einrichtung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass drei, vorzugsweise in einem gleichseitigen Dreieck angeordnete, Ausgleichsdruckzylinder (19) vorgesehen sind.
27. Einrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass die Druckplatte (12) in der Heizkammer (1 ) in z-
Richtung eine laterale Führung (20), beispielsweise in Form mindestens einer Blattfeder, aufweist.
28. Einrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran (6), die Druckplatte (12), die
Kissenschicht (9), die Zwischenplatte (8), die Heizfläche (3) und die elektronischen Schaltungen (5) bzw. Träger (4) annähernd einen gleichen Temperatur-Ausdehnungskoeffizienten aufweisen.
29. Einrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand zwischen dem Rahmen (1 1 ) der Membran (6) und Heizfläche (3), der Randabstand, vorzugsweise stufenlos, einstellbar ist.
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