WO2003098689A1 - To-gehäuse für den hochfrequenzbereich - Google Patents

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WO2003098689A1
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conductors
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Robert Hettler
Neil Thomas Heeke
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Schott Glas
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Definitions

  • TO housing stands for transistor outline housing. These housings are used for electronic components such as transistors, but above all for optoelectronic components. This applies increasingly to the area of network technology in the computer area. It has a stamped part as a base which carries the electronic components and which is closed by means of a cup-shaped cover. Electrical connecting conductors are guided through through holes in the stamped part and in the lead-through area through the stamped part by hermetically separated from the stamped part and locked therein.
  • a digital signal has the shape of a square wave.
  • a fundamental frequency of 1 GHz of a square-wave signal With a fundamental frequency of 1 GHz of a square-wave signal, a minimum bandwidth of approximately 10 GHz must therefore be assumed, ie the 10-fold harmonics must also be transmitted.
  • Wave trains are entered. With a cluster in one "eye” it is now assumed that a signal change has taken place.
  • the wavelength of the signal is approximately 1.5 cm in the medium.
  • the medium in a TO housing is the melting glass of the glazing.
  • a tenth of this wavelength results in a glass section of approx. 1.5 mm, which corresponds to the actual thickness in the area of the melting glass in the TO housing. Therefore, not the corpuscular theory, but the wave theory is to be used in this application.
  • the connecting conductors have a substantially rectangular cross section and that they are arranged spatially next to one another in such a way that a signal-carrying connecting conductor is provided between two connecting conductors Ground potential is.
  • the specified geometries and arrangements ensure that the field lines primarily run in the intermediate area between a signal-carrying conductor and at least two ground conductors. Curved field lines in the space outside the space mentioned are thus largely prevented and the losses are thereby considerably reduced, so that clock rates of 10 Gbit / s and higher are not a problem.
  • connection conductors are parts of a so-called lead frame.
  • Lead frames are compartments made from a large number of conductors with a rectangular cross-section, which is usually made lithographically from metal foils. From a high-frequency point of view, a lead frame represents a so-called coplanar waveguide (CPW).
  • CPW coplanar waveguide
  • the adaptation is further improved in that one side of the connecting conductors is covered with a cover layer with a dielectric constant in the range from 2 to 4.
  • the dielectric number of the overall system is changed by applying a dielectric on one side.
  • the effective increase in the dielectric constant of the overall system ultimately leads to a reduction in the impedance of the overall system.
  • the goal as already explained above, is to set the impedance of the overall system to approximately 50 ohms. Without the additional increase in the electricity constants of the overall system, impedances of 60 to 65 ohms could be achieved. In comparison, the impedance of previous arrangements is approximately 250 ohms.
  • the cover layer can particularly preferably be designed as a film which spans both the one side of the connecting conductors and the spaces between adjacent connecting conductors.
  • the cover layer can be applied in an injection molding process.
  • the connecting conductors are preferably arranged as a so-called coplanar waveguide, which further improves the adaptation.
  • FIG. 1 the view of a lead frame in relation to the stamped part of the TO housing, according to its first embodiment
  • Figure 2 a view similar to Figure 1 of another
  • FIG. 4 the sectional view along the line BB in FIG. 3
  • FIG. 5 the side view of the arrangement from FIG. 3,
  • FIG. 6 a still further embodiment in a view similar to that in FIG. 3,
  • Figure 7 is a sectional view taken along line B-B in Figure 6 and
  • FIG. 8 a side view of the arrangement according to FIG. 6.
  • FIG. 1 provides a first overview. This clearly shows a lead frame 6 with connecting conductors 3 with a rectangular cross section. From the TO housing, only the stamped part 2 is shown here as a base, since the relevant arrangements of connection conductors 3 in relation to the stamped part 2 are of interest.
  • Two through bores 4 are provided in the stamped part 2. In the present case, two connecting conductors 3 are guided through the two through bores 4 in the stamped part 2. Glazes 5 keep the connecting conductors 3 hermetically separated from the stamped part 2 and lock them there at the same time. This is precisely the critical area in the impedance matching, namely the passage area of the connecting conductors 3 through the glazing 5.
  • the connecting conductors 3 are now spatially arranged side by side so that a connecting conductor carrying a signal lies between two connecting conductors 3 at ground potential.
  • the two connecting conductors 3, which are guided through the through holes 4 in the stamped part 2 would be the signal-carrying conductors.
  • the connecting conductor 3 in the center and the two connecting conductors 3 on the right and left outside would lead to ground potential. This ensures that field lines largely between the ground-carrying and the signal-carrying connecting conductor 3 only in the The space between them is rectangular and there are practically no losses.
  • connection conductors 3 are predetermined and constant and the handling during assembly of the arrangement is thereby considerably simplified compared to the arrangement of individual parts.
  • ground-leading conductors end on the underside of the stamped part 2, where at the points H the connecting conductors 3 are brazed to the stamped part 2.
  • the base plate of the lead frame 6 is removed so that individual conductors with the stamped part 2 actually form the functional unit.
  • FIG. 2 shows a modification of the TO housing according to FIG. 1. Again, only the essential components stamped part 2 and lead frame 6 are shown. In contrast to the embodiment according to FIG. 1, the middle part 3 of the lead frame is guided completely through the metallic stamped part 2 of the TO base. So there is no change of geometry from the strip-line design to the so-called coaxial design. The two outer connecting leads lead to ground and, as in the case of the embodiment according to FIG. 1, are trimmed and brazed to the underside of the stamped part 2.
  • FIG. 3 shows an embodiment very similar to the embodiment according to FIG. 2.
  • the main difference can be seen in the fact that in the present case one side of the connecting conductors 3 is covered with a cover layer 7 (FIGS. 4 and 5).
  • This cover layer 7 has the highest possible dielectric constant.
  • the cover layer 7 is as a film is formed, which spans both the one side of the lead 3 and the spaces 8 between adjacent leads 3.
  • FIG. 6 shows a further embodiment, which basically corresponds to the embodiment according to FIG. 1.
  • the connecting conductors 3 are provided on one side with a cover layer 7 (FIGS. 7 and 8) with the corresponding properties as described above.
  • Embodiments have been presented above which have two signal-carrying connecting conductors 3.
  • the system is not limited to this. Rather, it can be constructed in the same way for only one connecting conductor 3 or even several connecting conductors 3.

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Abstract

Es wird ein TO-Gehäuse für Hochfrequenzanwendungen mit einem Stanzteil (2) als Sockel, welcher die elektronischen Bauelemente trägt, beschrieben, das mittels einer tassenförmigen Abdeckung verschlossen ist. Elektrische Anschlußleiter (3) werden durch Durchgangsbohrungen (4) in dem Stanzteil (2) geführt und sind im Durchführungsbereich durch das Stanzteil (2) durch Einglasungen (5) hermetisch vom Stanzteil (2) getrennt und darin arretiert. Es wird zur optimalen Impedanzanpassung vorgeschlagen, daß die Anschlußleiter (3) einen im wesentlichen rechteckigen Querschnitt aufweisen und daß die Anschlußleiter (3) räumlich nebeneinander so angeordnet sind, daß zwischen zwei Anschlußleitungen auf Massepotential ein signalführender Anschlußleiter (3) liegt.

Description

TO-Gehäuse für den Hochfrequenzbereich
Beschreibung
Die vorliegende Erfindung betrifft ein TO-Gehäuse für Hochfrequenzanwendungen. TO-Gehäuse steht für Transistor Outline-Gehäuse. Diese Gehäuse werden für elektronische Bauelemente wie beispielsweise Transistoren, aber vor allem auch für optoelektronische Bauelemente verwendet. In zunehmenden Maße trifft dies zu für den Bereich der Netzwerktechnik im Computerbereich. Es weist ein Stanzteil als Sockel auf, welcher die elektronischen Bauelemente trägt, das mittels einer tassenförmigen Abdeckung verschlossen ist. Elektrische Anschlußleiter sind durch Durchgangsbohrungen in dem Stanzteil geführt und im Durchführungsbereich durch das Stanzteil durch Einglasungen hermetisch vom Stanzteil getrennt und darin arretiert.
Das Design dieser Gehäuse datiert aus den fünfziger Jahren. Der Grund dafür, weswegen diese Gehäuse bei der heutigen Hochtechnologie immer noch Einsatz findet, ist darin zu sehen, daß sie zum einen sehr verläßlich sind, vor allem aber auch sehr bekannt sind und die betreffenden Industriebereiche entsprechend mit den notwendigen Werkzeugen ausgestattet sind.
Dies trifft auch zu bei den heute zum Einsatz kommenden Übertragungsraten von 1 ,25 oder 2,5 Gbit/s.
Gegenwärtig ist ein technologischer Quantensprung zu bemerken, insbesondere im Bereich der schon erwähnten Netz wer ktechnik. Hier sind Taktraten von 10 Gbit/s üblich. An den sogenannten Switches im Netzwerk findet stets eine Umwandlung der elektrischen Signale in optische Signale und umgekehrt in Wandlern, sogenannten Transceivern, statt. In diesem Zusammenhang wird auch von einer Vernetzung durch optische Verbindungen gesprochen. Insbesondere in dieser Technologie kommen die TO-Gehäuse zur Anwendung. Aufgrund der schon genannten Zuverlässigkeit und Bekanntheit der TO- Gehäuse besteht ein breites Interesse daran, die TO-Gehäuse auch weiterhin zu verwenden, insbesondere bei den hohen zur Anwendung kommenden Taktraten.
Dieses Interesse spiegelt sich schon darin wider, daß in der Industrie heute bei Taktraten von 2,5 Gbit/s TO-Gehäuse zur Anwendung kommen, obwohl diese bauartbedingt hohe Signal Verluste mit sich bringen, die bis zu 50 % ( ~ 3 db) liegen.
Das zugrunde liegende Problem bei noch höheren Taktraten besteht darin, daß die Frequenzen so hoch sind, daß die Gesetze der klassischen Elektrotechnik keine Anwendung mehr finden, sondern vielmehr Hochfrequenztechnologie gefordert ist, so daß man im theoretischen Bereich sich im Übergang von der Korpuskulartheorie hin zur Wellentheorie bewegt. Eine weitverbreitete Faustformel besagt, daß die Wellentheorie dann anzuwenden ist, wenn die Pfadlänge des Wellenleiters größer als 1/10 der Wellenlänge λ der Frequenz ist.
Gemäß der Idealvorstellung der klassischen Nachrichtentechnik hat ein Digitalsignal die Form eines Rechteckzuges. Man rechnet etwa mit der 10-fachen Bandbreite, damit die Grundfrequenz des Signals überhaupt als Rechteck darstellbar ist. Bei einer Grundfrequenz von 1 GHz eines Rechtecksignales ist daher von einer Mindestbandbreite von etwa 10 GHz auszugehen, d. h. daß die 10-fachen Harmonischen ebenfalls mit übertragen werden müssen. Diese Gesetze gelten im vorliegenden Anwendungsfalle nicht mehr. Vielmehr geht man in der Optoelektronik von einer hinreichenden
Wahrscheinlichkeit aus, daß ein Signalwechsel stattgefunden hat. Hierzu wird ein sogenanntes Augendiagramm erzeugt, in welchem die noch übertragenen
Wellenzüge eingetragen werden. Bei einer Häufung in einem "Auge" geht man nun davon aus, daß ein Signalwechsel stattgefunden hat.
Diese Unscharfe dieser Aussage bedeutet jedoch die Reduzierung einer
Bandbreite, so daß man bei einem Signal mit einer Taktfrequenz von
2,5 Gbit/s davon ausgeht, daß ungefähr 2,5 GHz Bandbreite vorhanden sein muß. In der Nachrichtentechnik müßten theoretisch eine Mindestbandbreite von
25 GHz bereitgestellt werden.
In Anwendung der oben erwähnten λ/ 10- Regel ergibt sich nun folgendes: Bei einer Taktfrequenz von 10 Gbit/s ergibt sich eine Wellenlänge des Signals von ca. 1,5 cm im Medium. Das Medium bei einem TO-Gehäuse ist das Medium das Einschmelzglas der Einglasungen. Ein Zehntel dieser Wellenlänge ergibt eine Glasstrecke von ca. 1 ,5 mm, was durchaus der tatsächlichen Dicke im Bereich des Einschmelzglases im TO-Gehäuse entspricht. Daher ist in diesem Anwendungsfall nicht die Korpuskeltheorie, sondern die Wellentheorie anzuwenden.
Ein wichtiger Parameter in der Wellentheorie ist die Impedanz. Deren Grunddefinition lautet: Z = elektrische Feldstärke/magnetische Feldstärke. Wie in der Optik ist in der Wellentheorie davon auszugehen, daß jeder Impedanzwechsel aufgrund einer Reflexion mit einem Signalverlust verbunden ist. Hier läßt sich durchaus eine Parallele ziehen zum Übertritt von Licht von einem optischen Medium in ein anderes optisches Medium.
Grundsätzlich spielen hierbei die gegebenen Geometrien eine entscheidende Rolle. Die Fachwelt ist bestrebt, bei Übergängen von einem Medium in ein anderes Medium die Impedanz nach der oben wiedergegebenen Grunddefinition möglichst gleich zu halten. In der Praxis spricht man in den meisten Fällen von 50 Ohm-Abschlüssen.
Aus impedanztechnischen Betrachtungen lassen sich dann theoretische Geometrien angeben, welche bei Leitern, wie sie beim TO-Gehäuse Einsatz finden, einzuhalten wären, um eben einen optimalen Abschluß zu garantieren. Diese Geometrien lassen sich jedoch praktisch nicht in die Realität zu einem vertretbaren Aufwand umsetzen. So sind die Pins eines idealen TO-Gehäuses kaum fertigungstechnisch herstellbar, da diese Pins nämlich gestufte Pins sein müßten, welche zwischen sich einen konstanten Abstand von etwa 0,1 mm - in Luft - aufweisen müßten. Darüber hinaus ist diese Geometrie im Anschluß problematisch wegen der Geometriewechsel, die zu Fehlanpassungen fuhren. Darüber hinaus aber wirken die Pins wie kleine Antennen, und zwar aufgrund des Feldlinienverlaufs. Die Feldlinien bei sogenannten PIN-PIN Geometrien verlaufen nämlich nicht nur direkt zwischen den Signalleitern und dem masseführenden Leiter, sondern auch auf gekrümmtem Verlauf außerhalb hiervon. Dies führt zu einem Übersprechen der Signale, welches bei der schon oben erwähnten Taktrate von 2,5 Gbit/s gerade noch tolerabel erscheint. Bei höheren Frequenzen sind die Verluste zu hoch.
Vor diesem Hintergrund ist es nun die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein impedanzangepaßtes TO-Gehäuse zu schaffen, welches für wesentlich höhere Frequenzen oder Taktraten geeignet ist.
Gelöst wird diese Aufgabe durch ein TO-Gehäuse des Anspruchs 1. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Dementsprechend ist bei einem TO-Gehäuse der eingangs genannten Art vorgesehen, daß die Anschlußleiter einen im wesentlichen rechteckigen Querschnitt aufweisen und daß sie räumlich nebeneinander so angeordnet sind, daß ein signalführender Anschlußleiter zwischen zwei Anschlußleitern mit Massepotential liegt. Durch die angegebenen Geometrien und Anordnungen ist sichergestellt, daß die Feldlinien vorrangig in dem Zwischenbereich zwischen einem signalführenden Leiter und wenigstens zwei Masseleitern verlaufen. Gekrümmte Feldlinien im Raum außerhalb des erwähnten Zwischenraumes werden somit weitgehend unterbunden und hierdurch die Verluste erheblich reduziert, so daß auch Taktraten von 10 Gbit/s und höher kein Problem darstellen.
Gemäß einer besonders bevorzugten Ausfuhrungsform sind die Anschlußleiter Teile eines sogenannten Lead-Frames. Lead-Frames sind Fächer aus einer Vielzahl von Leitern mit rechtwinkligem Querschnitt, der in der Regel lithographisch aus Metallfolien hergestellt wird. Hochfrequenztechnisch gesehen stellt ein Lead-Frame einen sogenannten Coplanar Waveguide (CPW) dar.
Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform des TO-Gehäuses wird die Anpassung noch weiter dadurch verbessert, daß eine Seite der Anschlußleiter mit einer Deckschicht mit einer die Dielektrizitätkonstanten im Bereich von 2 bis 4 bedeckt ist. Durch das einseitige Aufbringen eines Dielektrikums wird die Dielektrizitätszahl des Gesamtsystems verändert. Die effektive Erhöhung der Dielektrizitätskonstanten des Gesamtsystems führt schließlich zur Absenkung der Impedanz des Gesamtsystems. Ziel ist es dabei, wie weiter oben schon ausgeführt, die Impedanz des Gesamtsystems auf ca. 50 Ohm einzustellen. Ohne die zusätzliche Erhöhung der Elektrizitätskonstanten des Gesamtsystems wären Impedanzen von 60 bis 65 Ohm realisierbar. Im Vergleich hierzu trägt die Impedanz bisheriger Anordnungen ca. 250 Ohm.
Besonders bevorzugt kann die Deckschicht als Folie ausgebildet sein, die sowohl die eine Seite der Anschlußleiter als auch die Zwischenräume zwischen benachbarten Anschlußleitern überspannt. Alternativ hierzu kann die Deckschicht in einem Spritzgießverfahren aufgetragen sein.
Einige Anschlußleiter enden meist am Stanzteil, d. h. sie werden nicht durch dieses durch eine Durchgangsbohrung hindurch geführt. Meist werden es die Masseleiter sein, die am Stanzteil enden. Besonders bevorzugt wird dann vorgesehen, daß diese Anschlußleiter mit der Außenseite des Stanzteils hartverlötet sind.
Es kann auch vorgesehen sein, zumindest einen masseführenden Anschlußleiter in das Innere des Gehäuses zu fuhren, und zwar ebenfalls durch eine Durchbrechung im Stanzteil, wobei dann der Anschlußleiter ebenfalls durch eine Einglasung arretiert wird.
Vorzugsweise sind die Anschlußleiter als sogenannte coplanar Waveguide angeordnet, wodurch noch die Anpassung weiter verbessert wird.
Die Erfindung wird anhand einiger Ausführungsbeispiele gemäß der Zeichnungsfiguren näher erläutert. Hierbei zeigt:
Figur 1 : Die Ansicht eines Lead-Frames in Relation zu dem Stanzteil des TO-Gehäuses, gemäß seiner ersten Ausführungsform,
Figur 2: eine ähnliche Ansicht wie Figur 1 einer anderen
Ausführungsform,
Figur 3: eine noch weitere Ausfuhrungsform in ähnlicher
Ansicht wie in den Figuren 1 und 2,
Figur 4: die Schnittansicht entlang der Linie B-B in Figur 3, Figur 5: die Seitenansicht der Anordnung aus Figur 3,
Figur 6: eine noch weitere Ausfuhrungsform in ähnlicher Ansicht wie in Figur 3,
Figur 7: eine Schnittansicht entlang der Linie B-B in Figur 6 und
Figur 8: eine Seitenansicht der Anordnung gemäß Figur 6.
Nachfolgend bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche Teile.
Einen ersten Überblick verschafft Figur 1. Darin deutlich erkennbar ist ein Lead-Frame 6 mit Anschlußleitern 3 mit rechteckigem Querschnitt. Von dem TO-Gehäuse ist vorliegend lediglich das Stanzteil 2 als Sockel dargestellt, da die insofern relevanten Anordnungen von Anschluß leitern 3 im Verhältnis zum Stanzteil 2 von Interesse sind. Im Stanzteil 2 sind vorliegend zwei Durchgangsbohrungen 4 vorgesehen. Zwei Anschlußleiter 3 sind im vorliegenden Fall durch die beiden Durchgangsbohrungen 4 im Stanzteil 2 geführt. Einglasungen 5 halten die Anschlußleiter 3 hermetisch vom Stanzteil 2 getrennt und arretieren sie dort gleichzeitig. Genau dies ist der kritische Bereich bei der Impedanzanpassung, nämlich der Durchgangsbereich der Anschlußleiter 3 durch die Einglasungen 5.
Die Anschlußleiter 3 sind nun räumlich nebeneinander so angeordnet, daß ein Anschlußleiter, der ein Signal führt, zwischen zwei Anschlußleitern 3 auf Massepotential liegt. Im vorliegenden Fall wären die beiden Anschlußleiter 3, welche durch die Durchgangsbohrungen 4 im Stanzteil 2 geführt sind, die signalführenden Leiter. Der mittig gelegene Anschlußleiter 3 sowie die beiden rechts und links außen liegenden Anschlußleiter 3 würden Massepotential führen. Dadurch wird sichergestellt, daß Feldlinien weitgehend zwischen dem masseführenden und dem signalführendem Anschlußleiter 3 lediglich in dem rechteckig dazwischen befindlichen Zwischenraum verlaufen und ansonsten praktisch keinerlei Verluste auftreten.
Die Verwendung eines Lead-Frames 6 für diese Anordnung ist ideal, da die Abstände zwischen den Anschlußleitern 3 vorgegeben und konstant sind und dadurch die Handhabung während der Montage der Anordnung erheblich vereinfacht wird im Vergleich zu der Anordnung von Einzelteilen. Vorliegend enden die masseführenden Leiter an der Unterseite des Stanzteils 2, wo an den Stellen H die Anschlußleiter 3 mit dem Stanzteil 2 hartverlötet sind.
Im weiteren Herstellungsschritt, der aber vorliegend nicht weiter beschrieben wird, wird die Basisplatte des Lead-Frames 6 entfernt, so daß tatsächlich Einzelleiter mit dem Stanzteil 2 die funktionelle Einheit bilden.
In Figur 2 ist eine Abwandlung des TO-Gehäuses gemäß Figur 1 dargestellt. Auch hier wiederum sind lediglich die wesentlichen Bauteile Stanzteil 2 und Lead-Frame 6 dargestellt. Im Unterschied zur Ausführungsform gemäß Figur 1 ist vorliegend der mittlere Teil 3 des Lead-Frames vollständig durch das metallische Stanzteil 2 des TO-Sockels geführt. Somit findet dann kein Geometriewechsel vom Strip-Line Design auf das sogenannte Koaxialdesign statt. Die beiden äußeren Anschlußleiter fuhren Masse und werden wie schon im Falle der Ausführungsform gemäß Figur 1 beschnitten und mit der Unterseite des Stanzteils 2 hartverlötet.
Figur 3 zeigt eine der Ausfuhrungsform gemäß Figur 2 recht ähnliche Ausführung. Der wesentliche Unterschied aber ist darin zu sehen, daß vorliegend die eine Seite der Anschlußleiter 3 mit einer Deckschicht 7 bedeckt ist (Figuren 4 und 5). Diese Deckschicht 7 weist eine möglichst hohe Dielektrizitätskonstante auf. Hierdurch wird die effektive Dielektrizitätskonstante des Gesamtsystems erhöht, was zu einer Absenkung der Impedanz des Gesamtsystems führt. Vorliegend ist die Deckschicht 7 als eine Folie ausgebildet, die sowohl die eine Seite der Anschlußleiter 3 als auch die Zwischenräume 8 zwischen benachbarten Anschlußleitern 3 überspannt.
Figur 6 zeigt eine weitere Ausführungsform, die dem Grunde nach jener Ausführungsform gemäß Figur 1 entspricht. Allerdings sind auch hier die Anschlußleiter 3 auf einer Seite mit einer Deckschicht 7 (Figuren 7 und 8) versehen mit den entsprechenden Eigenschaften wie vorstehend beschrieben.
Vorstehend wurden Ausführungsformen vorgestellt, die zwei signalführende Anschlußleiter 3 aufweisen. Hierauf ist das System nicht beschränkt. Vielmehr läßt es sich analog ebenso für nur einen Anschlußleiter 3 oder eben noch mehrere Anschlußleiter 3 aufbauen.

Claims

Patentansprüche
1. TO-Gehäuse für Hochfrequenzanwendungen mit einem Stanzteil (2) als Sockel, welcher die elektronischen Bauelemente trägt, das mittels einer tassenförmigen Abdeckung verschlossen ist, bei dem elektrische Anschlußleiter (3) durch Durchgangsbohrungen (4) in dem Stanzteil (2) geführt sind und im Durchführungsbereich durch das Stanzteil (2) durch Einglasungen (5) hermetisch vom Stanzteil (2) getrennt und darin arretiert sind,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Anschlußleiter (3) einen im wesentlichen rechteckigen Querschnitt aufweisen, und
daß die Anschlußleiter (3) räumlich nebeneinander so angeordnet sind, daß zwischen zwei Anschlußleitern (3) auf Massepotential ein signalführender Anschlußleiter (3) liegt.
2. TO-Gehäuse nach Anspruch 1, bei dem die Anschlußleiter (3) Teile eines Lead-Frames (6) sind.
3. TO-Gehäuse nach Anspruch 1 oder 2, bei dem eine Seite der Anschlußleiter (3) mit einer Deckschicht (7) mit einer Dielektrizietätskonstanten e im Bereich von zwei bis vier bedeckt sind.
4. TO-Gehäuse nach Anspruch 4, bei dem die Deckschicht (7) als Folie ausgebildet ist, die sowohl die eine Seite der Anschlußleiter (3) als auch die Zwischenräume (8) zwischen benachbarten Anschlußleitern (3) überspannt.
5. TO-Gehäuse nach Anspruch (3), bei dem die Deckschicht (7) im Spritzgießverfahren aufgetragen ist.
6. TO-Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem Anschlußleiter (3) mit der Außenseite des Stanzteils (2) hartverlötet sind.
7. TO-Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem zumindest ein masseführender Anschlußleiter (3) in das Innere des Gehäuses geführt ist.
8. TO-Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem die Anschußleiter (3) coplanar Waveguide angeordnet sind.
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