WO2003014410A1 - Dispositif de pulverisation - Google Patents

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WO2003014410A1
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cathodes
sputtering apparatus
sets
chamber
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Inventor
Toshiyuki Matsumoto
Etsuo Ogino
Norimasa Ishii
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Nippon Sheet Glass Co., Ltd.
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
    • H01J37/32761—Continuous moving
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3464—Sputtering using more than one target
    • H—ELECTRICITY
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    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3444—Associated circuits

Definitions

  • the present invention relates to a sputtering apparatus, and more particularly to a sputtering apparatus that applies a voltage to a plurality of force sources installed in the same chamber using a plurality of AC force source power supplies.
  • the sputtering device is equipped with a target mounted force source in the chamber, and the power source includes a DC (directcurrent) type or an AC (a1 er-natingcurrent) type.
  • the power source includes a DC (directcurrent) type or an AC (a1 er-natingcurrent) type.
  • One of the cathodic power supplies is connected.
  • the AC type power source has the characteristic that a stable discharge can be obtained by applying an opposite phase voltage to cancel the charge accumulated on the surface of the power source.
  • FIG. 1 is an explanatory view schematically showing a chamber of a conventional sputtering apparatus. As shown in FIG. 1, four target holding members (force sources) 2 are installed in a chamber 1 of the conventional sputtering apparatus, and each target holding member 2 The targets 3a, 3b, 3c, and 3d are attached, respectively.
  • Two sets of the target holding members 2 are opposed to each other so that two sets are arranged side by side so as to be located on both sides of the glass substrate 4 on which the film is to be formed.
  • the glass substrates 4 are arranged in pairs, and move between the opposing targets 3 (3a and 3c, 3b and 3d) such that the respective surfaces face the target 3 ( See arrow a).
  • two AC power supplies 5a and 5b are installed, and are provided with oscillators (oscillators) 6a and 6b, respectively.
  • One of the two sets of target holding members 2 facing each other is connected to one AC power supply 5a, and the other of the two sets of target holding members 2 is connected to the other AC power supply 5b. I have.
  • a voltage is applied to the target holding member 2 from an AC power supply 5.
  • one set of the target holding member 2 connected to the AC power supply 5a and reversing the polarity, and one set of the target holding member 2 connected to the AC power supply 5b and reversing the polarity are respectively opposed to the glass substrate 4. As shown in FIG.
  • the purpose of the present invention is to provide a sputtering apparatus in which a discharge does not fluctuate unstable even when a plurality of force sources connected to an AC power supply start a discharge at the same time. Disclosure of the invention
  • a sputtering apparatus includes: a chamber in which a film formation target is movably disposed; a plurality of force sources installed in the chamber as two sets of polarity inversion; Each group of power sources is individually connected, AC voltage is applied, and each group's power.When the sources discharge simultaneously, the output of each group is controlled so that the discharge of each group of power sources does not interfere. It has multiple AC power sources with synchronized frequency and phase.
  • FIG. 1 is an explanatory view showing a chamber of a conventional putting apparatus.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram showing a chamber of the sputtering apparatus according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 3A is a waveform diagram of one of two sine waves having different frequencies.
  • FIG. 3B is another waveform diagram of the two sine waves having different frequencies.
  • FIG. 3C is a waveform diagram of an image obtained by combining the two sine waves of FIGS. 3A and 3B.
  • FIG. 4A is a waveform diagram of one of two sine waves having a phase difference.
  • FIG. 4B is another waveform diagram of two sine waves having a phase difference.
  • FIG. 4C is a waveform diagram of an image obtained by combining the two sine waves of FIGS. 4A and 4B.
  • FIG. 5 is a plan view of a measurement substrate to be formed into a film, which is used in a simultaneous discharge experiment in the chamber of FIG.
  • Fig. 6A is a waveform diagram showing one frequency measurement waveform of two AC power source power supplies used in the simultaneous discharge experiment in the chamber of Fig. 2
  • Fig. 6B is a waveform diagram of the inside of the chamber of Fig. 2.
  • Fig. 7A is a waveform diagram showing the frequency measurement waveforms of the other two AC power source power supplies used in the simultaneous discharge experiment.
  • Fig. 7A shows the film before and after synchronizing the power supply during film formation. It is explanatory drawing by the table
  • FIG. 7B is an explanatory diagram of a graph showing a change in film thickness before and after synchronizing the power supply during film formation.
  • FIG. 8A is an explanatory diagram showing a first modification of the target arrangement in the chamber of FIG.
  • FIG. 8B is an explanatory diagram showing a second modification of the target arrangement in the chamber of FIG.
  • FIG. 8C is an explanatory diagram showing a third variation of the target arrangement in the chamber of FIG. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 2 is an explanatory diagram showing a jumper of the sputtering apparatus according to one embodiment of the present invention.
  • the chamber 10 of the sputtering apparatus has four backing plates (force sources) 11 for holding a target therein.
  • Targets 12a, 12b, 12c, and 12d are attached and fixed to each backing plate 11, respectively.
  • the backing plate 11 consists of a pair of two The two sets are opposed to each other so as to be positioned on both sides of the target glass substrate 13.
  • the glass substrates 13 are arranged in pairs attached to both sides of a pallet (not shown), and the opposing targets 1 2 (1 Move between 2a and 12c, and 12b and 12d) (see arrow a).
  • AC power sources 14a and 14b are installed, and have oscillators (oscillators) 15a and 15b, respectively.
  • One AC power source 14a has one of two sets of backing plates 11 facing each other, and the other AC power source 14b has the other of the two sets of backing plates 11 Are connected to each other. A voltage is applied to this backing plate 11 from an AC power source power supply 14.
  • a pair of backing plates 11 connected to the AC power source power supply 14a and inverting the polarity, and a pair of backing plates 11 connected to the AC power source power supply 14b and reversing the polarity are: They are arranged on both sides of the two glass substrates 13 so that they face the glass substrates 13, respectively.
  • a discharge gas such as argon (Ar) is injected into the chamber 10 in a vacuum state, and a voltage is applied between the electrodes.
  • argon Ar
  • a voltage is applied, a glow discharge occurs, and ions in the plasma collide with the target 12 and eject target atoms.
  • the waveform is obtained by combining output waveforms output from the oscillators 15 and 15b of the two AC cathode power supplies 14a and 14b.
  • the number of packing plates 11 and AC power source power supplies 14 is not limited to two, even if they are arranged side by side in chamber 10 even if they are arranged in parallel. The same applies to more than one.
  • FIG. 3A is a waveform diagram of one of two sine waves having different frequencies
  • FIG. 3B is another waveform diagram of two sine waves having different frequencies
  • FIG. 3C is a diagram of FIG. 3A
  • FIG. 9 is a waveform diagram of an image obtained by combining two sine waves of 3B.
  • W a V e A shown in FIG. 3A and W ave B shown in FIG. 3B are sinusoidal waves having the same voltage and the same phase, but have slightly different frequencies. When these two sine waves are combined, it can be seen that the voltage changes with a constant periodicity, as in Wave (A + B) shown in Fig. 3C.
  • FIG. 4A is a waveform diagram of one of two sine waves having a phase difference
  • FIG. 4B is a waveform diagram of the other of two sine waves having a phase difference
  • FIG. 4C is a waveform diagram of FIG.
  • FIG. 5 is a waveform diagram of an image obtained by combining two sine waves of FIG. 4 and FIG. 4B.
  • Wave C shown in FIG. 4A and Wave D shown in FIG. 4B are sine waves of the same voltage and frequency, but with slightly different phases. When these two sine waves are combined, it can be seen that the voltage changes with a constant periodicity, as in Wave (C + D) shown in Fig. 4C. .
  • the change in voltage is consistent with the phenomenon of “fluctuations (repetition of light at regular intervals)” of the plasma discharge.
  • fluctuations repetition of light at regular intervals
  • the two AC power source power sources 14 a and 14 b It can be seen that the difference in frequency and phase in each oscillation output is the cause.
  • Such “fluctuations” of the plasma discharge also affect the film formation rate and may make stable film formation impossible.
  • the other AC power source power supply (master power supply) is used as a reference and the other AC power source power supplies are synchronized. Synchronize the frequency and phase of the oscillation output of the power source power supply, that is, do not use the oscillator provided in the AC power source power supply (slave power supply) other than the representative AC power supply, and Oscillation output from the slave power supply is performed using the oscillator provided in the power supply.
  • Each target .12 is composed of S i, and the gas conditions are Ar: 640 sccm, O 2: 320 sccm, and discharge node. One is 3.30 kw.
  • FIG. 5 is a plan view of a glass substrate used in a simultaneous discharge experiment in the chamber of FIG.
  • the glass substrate 13 on which the film is to be formed is made of soda-lime glass having a thickness of about 0.5 mm, and the surface of the substrate has a substrate traveling direction (see the arrow in the figure).
  • a plurality of chips 16 are arranged in a grid pattern of 7 rows in the horizontal direction and 8 rows in the vertical direction.
  • the glass substrate 13 travels in the chamber 10 at a transfer speed of about 21 cm, min, in the order of chip numbers 1 to 7 (represented by circled numbers in the figure). It passes between the targets 12a and 12b (see Fig. 2) that are placed opposite each other.
  • FIG. 6A is a waveform diagram showing a frequency measurement waveform of one of two AC power source power supplies used in the simultaneous discharge experiment in the chamber of FIG. 2, and FIG. 6B is a waveform diagram of the inside of the chamber of FIG.
  • FIG. 9 is a waveform diagram showing the other frequency measurement waveforms of two AC power source sources used in the simultaneous discharge experiment. This output voltage waveform was measured using the counter force source off, 1: 1000 probe.
  • the oscillation frequency of the AC power source power supply 14a connected to the knocking plate 11 holding the two targets 12a and 12b shown in Fig. 6A is 400 000 H z.
  • the oscillation frequency of the AC power source power supply 14 b connected to the backing plate 11 holding two targets 12 c and 12 d shown in FIG. 6B is 399998 Hz. is there.
  • the difference between the oscillation frequencies of both AC source power supplies 14a and 14b is 2Hz.
  • one power supply 14a is the master and the other power supply 14b is the slave.
  • the two AC power source power supplies 14a and 14b are discharged by the oscillator 15a of the master power supply 14a. Observing the frequency at the time of synchronization with a synchroscope, it was confirmed that the two AC power source power supplies 14a and 14b were both discharging at 400 Hz. I was able to confirm.
  • FIG. 7A is an explanatory diagram showing a comparison of a change in the film thickness before and after synchronizing the power supply during film formation.
  • FIG. 7B is an explanatory diagram showing a change in the film thickness before and after synchronizing the power supply during the film formation with a graph.
  • Film formation, to the glass substrate 1 3 5 were performed two-sided at the same time S i ⁇ 2 single film with a thickness of 2 5 nm aim.
  • the film thickness was measured by two-dimensional measurement using a level difference meter (surface roughness analyzer).
  • the maximum power is 27.5 nm
  • the minimum power is 23.5 nm.
  • the maximum power is 26.5 nm.
  • the force ranged from 5 nm to a minimum of 24.7 nm.
  • the average value was 25.1 nm in each case.
  • the standard deviation of the film thickness was 1.548 before synchronizing the two AC power source power supplies 14a and 14b, but became 0.26 after synchronizing.
  • the film thickness distribution was ⁇ 10% before synchronizing the two AC power source power supplies 14a and 14b, but became ⁇ 2% after synchronizing.
  • synchronizing the two AC power source power supplies 14a and 14b is equivalent to the pair of targets 12a and 12b and the pair of targets 12c and 12b. This is effective when one-sided and double-sided film formation is performed with d facing each other (see Fig. 2). Furthermore, not only in the case of one-sided and double-sided film formation, but also in the case where the targets 12 are arranged side by side or facing each other in the same chamber 10, it is effective for all of a plurality of AC power source power supplies 14. It is.
  • FIG. 8A shows a variation 1 of the target arrangement in the chamber of FIG.
  • FIG. 8B is an explanatory view showing a second modification of the target arrangement in the chamber of FIG.
  • FIG. 8C is an explanatory diagram showing a third variation of the target arrangement in the chamber of FIG.
  • the target 12 is a pair of two side by side, along the traveling direction of two back-to-back glass substrates 13 (see arrow a in the figure), and A plurality of glass substrates 13 are arranged so as to face each other so as to sandwich them from both sides. With this arrangement, two glass substrates 13 are formed simultaneously.
  • a pair of backing plates 11 holding the targets 12 arranged in such a many-to-two-sided manner is arranged in pairs outside the chamber 10.
  • the target 12 is placed on one side of the glass substrate 13 along the traveling direction of the glass substrate 13 (see arrow a in the figure).
  • a plurality are arranged. With this arrangement, the glass substrates 13 are formed one by one.
  • One set of the backing plates 11 holding the targets 12 arranged in such a large number on one side is provided with a plurality of AC power source power sources 1 (A 1 to An ) arranged outside the chamber 10. 4 respectively connected.
  • the target 12 is provided on one side of the glass substrate 13 along the traveling direction of the glass substrate 13 (see the arrow a in the figure). And the other side are not alternately opposed to each other and are shifted from one another, and are arranged in a so-called staggered pattern. With this arrangement, two glass substrates 13 are formed simultaneously. In this manner, a plurality of backing plates 11 each holding the target 12 arranged diagonally on both sides are arranged outside the chamber 10.
  • the (A B) connected AC power source 14 is connected to each.
  • a plurality of AC power source power supplies 14 discharge the slave power supply (B) using the oscillator (not shown) of the master power supply (A).
  • the arrangement of the targets 12 is not limited to using the above arrangement example alone, and may be used in any combination.
  • synchronizing a plurality of AC power source power supplies 14 one is used as a master, all others are used as slaves, and two are connected to side-by-side or facing cathodes.
  • One or a plurality of slave power supplies 14 may be discharged by the oscillator 15 of one master power supply 14 such that one of them is used as a master and the other is used as a slave.
  • the present invention even when a plurality of power sources arranged side by side or facing each other in the same chamber 10 are simultaneously discharged, a stable discharge can be performed by all the power sources. This enables stable film formation for the film formation target. As a result, the target is
  • one of a plurality of AC power source power supplies is used as a master power supply, and the output from the slave power supply is also performed using an oscillator provided in the power supply.
  • the difference between the characteristics of each AC cathode power supply, which occurs when each oscillator provided in the power supply is used, can eliminate the frequency shift and phase shift caused by each oscillator. It is. Industrial applicability
  • a plurality of force sources arranged in the same chamber start discharging simultaneously.
  • the discharge does not fluctuate unstablely, stable film formation can be performed on the film formation target.
  • it is suitable for forming a film using a sputtering device to which an AC type power source power source is connected.
  • stable film formation can be achieved, so that productivity is almost two times as compared with the case where films are formed one by one. The cost is doubled, and a significant cost reduction is possible.

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Description

明 細 書
スパッタ リ ング装置 技 術 分 野
この発明は、 スパッタ リ ング装置に関し、 特に、 同一のチャンバ 内に設置された複数の力 ソー ドに、 複数の A C力ソー ド電源を用い て電圧を印加するスパッタ リ ング装置に関する。 背 景 技 術
従来、 真空中で加速したイオンをターゲッ トに衝突させ、 その衝 擊で弹き出されたターゲッ トの原子を、 例えばゥエ ーハ等の成膜対 象上に堆積させ成膜するスパッタ リ ング装置が知られている。
スパッ タ リ ング装置は、 チャ ンバ内に、 ターゲッ トを装着した力 ソー ドを備えており、 力 ソー ドには、 D C ( d i r e c t c u r r e n t ) タイプ或い {ま A C ( a 1 e r- n a t i n g c u r r e n t ) タイプの何れかのカソー ド電源が接続される。 特に、 A C タイプの力ソー ド電源においては、 力ソー ド表面に蓄積する電荷を 反対の位相電圧を印加し打ち消すことによ り、 安定的な放電が得ら れる という特徴がある。
しかしながら、 このス ノ、。ッタ リ ング装置を用いて成膜を行うため チャンバ内に配置された複数の力ソー ドそれぞれに A C電源を接続 し、 同時にグロ一放電を開始した場合、 放電が不安定に揺ら ぐ現象 が発生してしま う。
これは、 各々の A C力ソー ド電源に備えられた各発振器の持つ固 有周波数の微小な差異や位相の差異によって、 もたらされるもので ある。 即ち、 各発振器が持つ固有周波数の微小な差異や位相の差異 が合成されて、 出力正弦波形を形成し、 波形の山と 山、 谷と谷が重 なった部分はピークが増大して、 放電が揺ら ぐこ と になるからであ る。 この放電が揺らぐ現象は、 2枚の成膜対象を同時に成膜するため にカソー ドを対向配置した場合等、 複数のカソー ドがスパッタ リ ン グ装置の同一チャンバ内に配置されている場合、 特に顕著である。 図 1 は、 従来のスパッタ リ ング装置のチャンバを概略的に示す説 明図である。 図 1 に示すよ う に、 従来のスパッタ リ ング装置のチヤ ンバ 1 内には、 4個のターゲッ ト保持部材 （力ソー ド） 2が設置さ れており 、 各ターゲッ ト保持部材 2には、 それぞれターゲッ ト 3 a 3 b , 3 c , 3 dが取り付けられている。
ターゲッ ト保持部材 2は、 並設された 2個を一組と して、 成膜対 象であるガラス基板 4を挟んで両側に位置するよ う に、 二組が対向 配置されている。 ガラス基板 4は、 2枚一組で配置され、 それぞれ の表面がターゲッ ト 3 に向き合 う よ う に、 対向するターゲッ ト 3 ( 3 a と 3 c 、 3 b と 3 d ) 間を移動 （矢印 a参照） する。
チャンバ 1 の外には、 2台の A C電源 5 a , 5 bが設置されてお り 、 それぞれ発振器 （オシレータ） 6 a , 6 b を備えている。 一方 の A C電源 5 a には、 対向配置された二組のターゲッ ト保持部材 2 の一方が、 他方の A C電源 5 b には、 二組のターゲッ ト保持部材 2 の他方が、 それぞれ接続されている。 このターゲッ ト保持部材 2 に は、 A C電源 5から電圧が印加される。
即ち、 A C電源 5 a に接続され極性反転する一組のターゲッ ト保 持部材 2 と、 A C電源 5 b に接続され極性反転する一組のターゲッ ト保持部材 2は、 それぞれがガラス基板 4に対向するよ うに、 2枚 のガラス基板 4 の両側に配置されている。
このチャンバ 1 においては、 各 A C電源 5 a , 5 b に固有の各発 振器 6 a , 6 b の周波数が微妙に異なるため、 各ターゲッ ト保持部 材 2の対向面同士の放電が互いに干渉し合うのが避けられない。 従 つて、 干渉によって周波数が異なった分だけ揺らぎ現象が生じ、 放 電の揺らぎが発生してしま う。 2つの異なる周波数の合成における 揺らぎの回数 Sは、 S = I 発振器 6 a の周波数一発振器 6 b の周波 数 I (回 z秒） で表わされる。
この発明は、 同一チャンバ内に隣接配置され、 それぞれ異なった
A C電源に接続された複数の力ソー ドが、 同時に放電を開始しても 放電が不安定に揺らぐことのないスパッタ リ ング装置を提供する こ とを目的と している。 発 明 の 開 示
この発明に係るスパッタ リ ング装置は、 成膜対象が移動可能に配 置されたチャンバと、 極性反転の 2個を一組と して前記チャンバ内 に設置された複数組の力ソー ドと、 各組の力ソー ドが個別に接続さ れ、 交流電圧が印加されて各組の力.ソー ドが同時放電する際、 各組 の力ソー ドの放電が干渉しないよ うに、 それぞれの出力の周波数及 び位相を同期させた複数の A C力 ソー ド電源とを有している。
これによ り 、 複数組の力ソー ドには、 それぞれの出力の周波数及 ぴ位相を同期させた複数の A C力 ソー ド電源から電圧が印加される ので、 同一チャンバ内に隣接配置され、 それぞれ異なった A Cカ ソ ー ド電源に接続された複数の力 ソードが、 同時に放電を開始しても 放電が不安定に揺ら ぐこ とがない。 図面の簡単な説明
図 1 は、 従来の パッタ リ ング装置のチャンバを示す説明図であ る。
図 2は、 この発明の一実施の形態に係るスパッタ リ ング装置のチ ヤンバを示す説明図である。
図 3 Aは、 周波数が異なる 2つの正弦波の一方の波形図である。 図 3 Bは、 周波数が異なる 2つの正弦波の他方の波形図である。 図 3 Cは、 図 3 Aと図 3 Bの 2つの正弦波を合成したイメージの 波形図である。
図 4 Aは、 位相差のある 2つの正弦波の一方の波形図である。 図 4 Bは、 位相差のある 2つの正弦波の他方の波形図である。
図 4 Cは、 図 4 Aと図 4 Bの 2つの正弦波を合成したイメージの 波形図である。
図 5 は、 図 2 のチャンバ内における同時放電実験に用いた、 成膜 対象となる測定基板の平面図である。
図 6 Aは、 図 2のチャンバ内における同時放電実験に用いた、 2 台の A C力ソー ド電源の一方の周波数測定波形を示す波形図である, 図 6 Bは、 図 2 のチャンバ内における同時放電実験に用いた、 2 台の A C力 ソー ド電源の他方の周波数測定波形を示す波形図である , 図 7 Aは、 成膜に際し電源の同期を取る前と同期を取った後の膜 厚の変化を比較して示した表による説明図である。
図 7 Bは、 成膜に際し電源の同期を取る前と同期を取った後の膜 厚の変化を比較して示したグラフによる説明図である。
図 8 Aは、 図 2のチャンバ内におけるターゲッ ト配置の変形例 1 を示す説明図である。
図 8 Bは、 図 2のチャンバ内におけるターゲッ ト配置の変形例 2 を示す説明図である。
図 8 Cは、 図 2のチャ ンバ内におけるターゲッ ト配置の変形例 3 を示す説明図である。 発明を実施するための最良の形態
次に、 この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。 図 2は、 この発明の一実施の形態に係るスパッタ リ ング装置のチ ヤンパを示す説明図である。 図 2 に示すよ う に、 スパッタ リ ング装 置のチャンバ 1 0は、 内部に、 ターゲッ トを保持するためのバツキ ングプレー ト （力 ソー ド） 1 1 を 4個備えている。 各バッキングプ レー ト 1 1 には、 それぞれターゲッ ト 1 2 a， 1 2 b , 1 2 c , 1 2 dが取り付け固定されている。
バッキングプレー ト 1 1 は、 並設された 2個を一組と して、 成膜 対象であるガラス基板 1 3 を挟んで両側に位置するよ うに、 二組が 対向配置されている。 ガラス基板 1 3は、 パレッ ト （図示しない） の両面に取り付けられた 2枚一組で配置され、 それぞれの表面がタ 一ゲッ ト 1 2に向き合う よ う に、 対向するターゲッ ト 1 2 ( 1 2 a と 1 2 c、 1 2 b と 1 2 d ) 間を移動 （矢印 a参照） する。
チャンバ 1 0の外には、 2台の A C力ソー ド電源 （A C電源） 1 4 a , 1 4 bが設置されており、 それぞれ発振器 （オシレータ） 1 5 a , 1 5 bを備えている。 一方の A C力 ソード電源 1 4 a には、 対向配置された二組のバッキングプレー ト 1 1 の一方が、 他方の A C力ソード電源 1 4 bには、 二組のバッキングプレー ト 1 1 の他方 が、 それぞれ接続されている。 このバッキングプレー ト 1 1 には、 A C力ソー ド電源 1 4力 ら電圧が印加される。
即ち、 A C力ソー ド電源 1 4 a に接続され極性反転する一組のバ ッキングプレー ト 1 1 と、 A C力ソー ド電源 1 4 b に接続され極性 反転する一組のバッキングプレー ト 1 1 は、 それぞれがガラス基板 1 3 に対向するよ う に、 2枚のガラス基板 1 3 を挟んで両側に配置 されている。
このスパッタ リ ング装置によ り スパッタを行う場合、 真空状態の チャンバ 1 0内に、 例えばアルゴン （ A r ) 等の放電用ガスを注入 し、 電極間に電圧を印加する。 電圧を印加するこ とでグロ一放電が 起こ り 、 プラズマ中のイオンがターゲッ ト 1 2に衝突してターゲッ ト原子を弾き出す。
このとき、 チャンバ 1 0内に対向して配置された二組のバッキン グプレー ト 1 1 に対し、 それぞれ異なった A C力ソー ド電源 （ 1 4 a と 1 4 b ) で同時に放電を行う と、 放電波形は、 2つの A Cカソ ー ド電源 1 4 a , 1 4 b の各発振器 1 5 , 1 5 bから出力された出 力波形を合成したものになる。
これは、 2つの発振器 （ 1 5 a， 1 5 b ) からそれぞれ出力され る周波数や位相の差異に基づく ものであり 、 二組のバッキングプレ 一.ト 1 1 がチャンバ 1 0内で対向配置された場合に限らず、 並列配 置された場合でも、 パッキングプレー ト 1 1及び A C力ソー ド電源 1 4の数が 2つに限らず 3つ以上でも、 同様である。
図 2 に示す 2台の A Cカソー ド電源 1 4 a , 1 4 bの電源周波数 測定結果である出力波形を観測する と、 予想通り 、 ある一定の周期 を持った歪みを含む波形になる こ とが判明した。
図 3 Aは、 周波数が異なる 2つの正弦波の一方の波形図であり 、 図 3 Bは、 周波数が異なる 2つの正弦波の他方の波形図であり、 図 3 Cは、 図 3 Aと図 3 Bの 2つの正弦波を合成したイメージの波形 図である。
図 3 Aに示す W a V e Aと図 3 Bに示す W a v e Bは、 同電圧、 同位相の正弦波であるが、 周波数が微妙に異なっている。 この 2つ の正弦波を合成すると、 図 3 Cに示す W a v e (A + B ) のよ う に 電圧が一定の周期性を持って変化するこ とが分かる。
図 4 Aは、 位相差のある 2つの正弦波の一方の波形図であり、 図 4 Bは、 位相差のある 2つの正弦波の他方の波形図であり 、 図 4 C は、 図 4 Aと図 4 Bの 2つの正弦波を合成したィ メージの波形図で ある。
図 4 Aに示す W a v e C と図 4 Bに示す W a v e Dは、 同電圧、 同周波数の正弦波であるが、 位相が微妙に異なっている。 この 2つ の正弦波を合成する と、 図 4 Cに示す W a v e ( C + D) のよ う に 電圧が一定の周期性を持って変化することが分かる。 .
このよ う に、 電圧の変化が、 プラズマ放電の 「揺らぎ （一定周期 で明喑を繰り返す） 」 現象と一致することから、 これは、 2台の A C力ソー ド電源 1 4 a , 1 4 bそれぞれの発振出力における、 周波 数や位相の違いが原因になっていることが分かる。 このよ うなブラ ズマ放電の 「揺らぎ」 現象は、 成膜レー トにも影響を及ぼし、 安定 した成膜を不可能にしてしま うおそれがある。
そこで、 「揺らぎ」 現象への対策と して、 2台の A C力ソード電 源 1 4 a ， 1 4 b に備えられた各発振器 1 5 a , 1 5 b の原周波数 の同期を取って、 周波数のずれ及び位相差を無くすこ とが必要とな る。 つま り 、 A C力ソー ド電源が複数個ある場合、 各発振器の出力 周波数が同期していないと放電電圧波形は必ず歪んでしま うので、 歪みの無い放電を得るためには各発振器の出力周波数を同期させる こ とが必要になる。
従って、 複数の A C力ソ^" ド電源のそれぞれ異なった発振周波数 を同期させるために、 代表する A C力 ソー ド電源 （マスタ一電源） に備えられた発振器を基準と して、 その他の各 A C力ソー ド電源の 発振出力の周波数及び位相を同期させる。 即ち、 代表する A Cカ ソ ー ド電源以外の他の A C力ソー ド電源 （ス レーブ電源） に備えられ た発振器を使用 しないで、 マスター電源に備えられた発振器を使用 して、 ス レーブ電源からの発振出力を行う。
次に、 同一チャンバ 1 0内にターゲッ ト 1 2 を対向配置した （図 2参照） スパッタ リ ング装置における同時放電実験について説明す る。 ターゲッ ト 1 2 a ， 1 2 b が保持されたバッキングプレー ト 1 1 には、 A C力ソー ド電源 1 4 aが接続され、 ターゲッ ト 1 2 a , 1 2 b に対向配置されたターゲッ ト 1 2 c , 1 2 dが保持されたバ ッキングプレー ト 1 1 には、 A C力ソー ド電源 1 4 bが接続されて いる。 各ターゲッ ト .1 2は、 S i からなり、 ガス条件は、 A r ： 6 4 0 s c c m, O 2 : 3 2 0 s c c m、 放電ノヽ。ヮ一は、 3 . 3 0 k wである。
図 5 は、 図 2のチャンバ内における同時放電実験に用いたガラス 基板の平面図である。 図 5 に示すよ う に、 成膜対象であるガラス基 板 1 3 は、 厚さが約 0. 5 m mのソーダライムガラスからなり 、 基 板表面には、 基板進行方向 （図中矢印参照） である横方向に 7列と 縦方向に 8列の格子状に、 複数のチップ 1 6が配置されている。
このガラス基板 1 3は、 約 2 1 c m,分の搬送速度でチャンバ 1 0内を進行し、 チップ番号 1 〜 7 (図中、 丸数字で表わす） の順に. 対向配置された両ターゲッ ト 1 2 a ， 1 2 b (図 2参照） の間を通 過する。
図 6 Aは、 図 2 のチャンバ内における同時放電実験に用いた、 2 台の A C力ソー ド電源の一方の周波数測定波形を示す波形図である , 図 6 Bは、 図 2 のチャンバ内における同時放電実験に用いた、 2台 の A C力 ソード電源の他方の周波数測定波形を示す波形図である。 この出力電圧波形は、 対向力ソー ドオフ、 1 ： 1 0 0 0プローブ使 用で測定したものである。
図 6 Aに示す、 2つのターゲッ ト 1 2 a , 1 2 b を保持するノ ッ キングプレー ト 1 1 に接続された A C力ソー ド電源 1 4 a の発振周 波数は、 4 0 0 0 0 H z である。 図 6 Bに示す、 2つのターゲッ ト 1 2 c , 1 2 d を保持するバッキングプレー ト 1 1 に接続された A C力ソー ド電源 1 4 b の発振周波数は、 3 9 9 9 8 H z である。 両 A C力 ソー ド電源 1 4 a ， 1 4 bの発振周波数の差は、 2 H z であ る。
この状況での放電状態を目視で観測する と、 約 2回/秒の放電に 「揺らぎ」 現象が観測された。 その状態で成膜されたガラス基板 1 3の膜厚を測定した結果、 異なった膜厚の面内分布が発生し膜厚が 不均一であった。
そこで、 放電周波数の同期を取る方法と して、 2台の A Cカソー ド電源 1 4 a , 1 4 bの内、 一方の電源 1 4 a をマスター、 他方の 電源 1 4 b をス レーブと し、 マスター電源 1 4 a の発振器 1 5 a に よって 2台の A C力ソー ド電源 1 4 a , 1 4 b を放電させるこ と に した。 同期を取った際の周波数をシンク ロスコープで観測したと こ ろ、 2台の A C力 ソー ド電源 1 4 a , 1 4 bが、 共に 4 0 0 0 0 H zで放電している こ とを確認するこ とができた。
2台の A C力ソー ド電源 1 4 a , 1 4 b の同期を取った後に、 放 電状態を目視観測したと ころ、 「揺らぎ」 現象は無く な り良好な放 電状態にあるこ とが確認できた。 同期状態で成膜されたガラス基板 1 3の膜厚についても、 異なった膜厚の面内分布が無く なり膜厚が 均一になった。
図 7 Aは、 成膜に際し電源の同期を取る前と同期を取った後の膜 厚の変化を比較して表によ り示した説明図である。 図 7 Bは、 成膜 に際し電源の同期を取る前と同期を取った後の膜厚の変化を比較し てグラフによ り示した説明図である。
成膜は、 図 5 のガラス基板 1 3 に対し、 S i 〇 2 単膜を膜厚 2 5 n m狙いで両面同時に行った。 膜厚測定は、 段差計 （表面粗さ解 析装置） を用いた 2次元測定によ り行った。
図 7 A及び図 7 Bに示すよ うに、 測定対象であるチップ 1 6の位 置がチップ番号 1 から 7へと変化するのに応じて、 膜厚が変化した, 膜厚の変化は、 2台の A C力ソー ド電源 1 4 a， 1 4 b の同期を取 る前は最大 2 7. 5 n m力、ら最小 2 3 . 5 n mまでとなり、 電源の 同期を取った後は最大 2 6 . 5 n m力 ら最小 2 4. 7 n mまでとな つた。 平均値は、 何れの場合も 2 5 . 1 n mだった。
この結果、 膜厚の標準偏差と膜厚の分布は、 何れも大幅に改善さ れた。 膜厚の標準偏差は、 2台の A C力 ソー ド電源 1 4 a , 1 4 b の同期を取る前に 1 . 5 4 8だったのが、 同期を取った後には 0 . 2 6 となり、 膜厚の分布は、 2台の A C力ソー ド電源 1 4 a , 1 4 bの同期を取る前に ± 1 0 %だったのが同期を取った後には ± 2.% となった。
上述したよ う に、 2台の A C力ソー ド電源 1 4 a , 1 4 bの同期 を取ることは、 一対のターゲッ ト 1 2 a , 1 2 b と一対のターゲッ ト 1 2 c , 1 2 d が対向配置される一対両面成膜の場合 （図 2参 照） に効果的である。 更に、 一対両面成膜の場合に限らず、 同一の チャンバ 1 0 内にターゲッ ト 1 2が横並びに或いは向き合って隣接 配置される場合の、 複数の A C力ソー ド電源 1 4全てに対し効果的 である。
図 8 Aは、 図 2のチャンバ内におけるターゲッ ト配置の変形例 1 を示す説明図である。 図 8 Bは、 図 2のチャンバ内におけるターグ ッ ト配置の変形例 2 を示す説明図である。 図 8 Cは、 図 2のチャン バ内におけるターゲッ ト配置の変形例 3 を示す説明図である。
図 8 Aに示すよ う に、 ターゲッ ト 1 2は、 2つ並んだ一組ずつ、 背中合わせにした 2枚のガラス基板 1 3 の進行方向 （図中矢印 a参 照） に沿って、 且つ、 2枚のガラス基板 1 3 を両側から挟むよ う に 対向して、 複数対配置されている。 この配置によ り 、 ガラス基板 1 3は 2枚同時に成膜される。
このよ うに多対両面配置されたターゲッ ト 1 2を保持するバツキ ングプレー ト 1 1 の 1組ずつが、 チヤンバ 1 0 の外側に複数対配置
( A 1 〜A n , B 1 - B n ) された A C力ソー ド電源 1 4に、 それぞれ接続される。 複数の A C力ソー ド電源 1 4は、 マスター電 源 ) の発振器 （図示しない） を用いてス レーブ電源 （A 2 ••• , Β ι - Β η ) を放電させる。
図 8 Βに示すよ う に、 ターゲッ ト 1 2は、 2つ並んだ一組ずつ、 ガラス基板 1 3 の進行方向 （図中矢印 a参照） に沿ってガラス基板 1 3の一方の側に、 複数個配置されている。 この配置によ り、 ガラ ス基板 1 3は 1枚ずつ成膜される。
このよ う に片面多数配置されたターゲッ ト 1 2を保持するバツキ ングプレー ト 1 1 の一組ずつが、 チャンバ 1 0の外側に複数個配置 ( A 1 〜A n ) された A C力ソード電源 1 4に、 それぞれ接続さ れる。 複数の A C力 ソー ド電源 1 4は、 マスター電源 ) の 発振器 （図示しない） を用いてス レーブ電源 （A 2 〜A n ) を放 電させる。
図 8 Cに示すよ う に、 ターゲッ ト 1 2は、 2つ並んだ一組ずつ、 ガラス基板 1 3の進行方向 （図中矢印 a参照） に沿って、 ガラス基 板 1 3の一方の側と他方の側に交互にそれぞれが対向せず 1個おき にずれて、 所謂千鳥状に複数個配置されている。 この配置によ り、 ガラス基板 1 3 は 2枚同時に成膜される。 このよ う に両面斜め配置されたターゲッ ト 1 2 を保持するバツキ ングプレー ト 1 1 の一 ,袓ずつが、 チャンバ 1 0 の外側に複数個配置
( A B ) された A C力ソー ド電源 1 4に、 それぞれ接続される。 複数の A C力ソー ド電源 1 4は、 マスター電源 （A ) の発振器 （図 示しない） を.用いてス レーブ電源 （B ) を放電させる。
なお、 ターゲッ ト 1 2の配置は、 上述した配置例を単独で用いる ばかりでなくそれぞれを任意に組み合わせて用いても良い。 また、 複数の A C力ソー ド電源 1 4の同期を取る場合、 一つをマスターと し、 他の全てをス レーブとする他、 横並び或いは向き合って隣接配 置されたカソー ドに接続された 2個の内、 一方をマスターに他方を ス レーブとする等、 1 台のマスター電源 1 4の発振器 1 5 によって 1台或いは複数台のス レープ電源 1 4 を放電させても良い。
このよ う に、 この発明によれば、 同一チャンバ 1 0内で横並び或 いは対向して隣接する複数の力 ソードを同時に放電させる場合でも 全ての力ソー ドが安定した放電を行う こ とができ、 成膜対象に対し 安定した成膜が可能になる。 この結果、 ターゲッ トを対向配置して
2枚の成膜対象を同時に成膜する場合も、 安定した成膜ができるた め、 成膜対象を 1枚ずつ成膜する場合に比べて生産性がほぼ 2倍に なり 、 大幅なコス トダウンが可能になる。
これは、 複数の A C力 ソー ド電源の 1つをマスター電源と し、 そ の電源に備えられた発振器を利用してス レーブ電源からも出力させ るよ う にしたので、 複数の A Cカソー ド電源に備えられたそれぞれ の発振器を使用した場合に発生する、 各 A Cカソー ド電源の持つ特 性の違いと して各発振器によってもたらされる周波数ずれや位相ず れそのものを、 無くすこ とができるからである。 産業上の利用可能性
以上説明したよ う に、 この発明にかかるスパッタ リ ング装置は、 同一チャンバ内に配置された複数の力ソー ドが同時に放電を開始し ても、 放電が不安定に揺ら ぐことはないので、 成膜対象に対し安定 した成膜が可能となる。 特に、 A Cタイプの力ソー ド電源が接続さ れたスパッタ リ ング装置を用いて成膜を行う場合に、 適している。 また、 ターゲッ トを対向配置して 2枚の成膜対象を同時に成膜する 場合も、 安定した成膜ができるため、 成膜対象を 1枚ずつ成膜する 場合に比べて生産性がほぼ 2倍になり、 大幅なコス トダウンが可能 になる。

Claims

求 の 範 囲
1 . 成膜対象が移動可能に配置されたチャンバと、
極性反転の 2個を一組と して前記チャンバ内に設置された複数組 のカソー ドと、
各組のカ ソー ドが個別に接続され、 交流電圧が印加されて各組の カ ソー ドが同時放電する際、 各組のカソー ドの放電が干渉しないよ う に、 それぞれの出力の周波数及ぴ位相を同期させた複数の A C力 ソ一ド電源と
を有するこ と を特徴とするスパッタ リ ング装置。
2 . 前記複数の A C力ソー ド電源は、
それぞれが有する発振器の内、 代表する一つの A Cカソー ド電源 以外の A C力ソー ド電源に備えられた発振器は用いず、 代表する一 つの A C力 ソー ド電源に備えられた発振器を用いて出力する こ と を 特徴とする請求項 1 に記載のスパッタ リ ング装置。
3 . 前記複数組の力ソー ドは、
前記成膜対象の進行方向に沿い、 前記成膜対象の片側に並んで配 置されているこ とを特徴とする請求項 1 または 2に記載のスパッタ リ ング装置。
4 . 並列配置された複数組の力ソー ドの一組に接続された A C力 ソ ー ド電源を、 代表する一つの A C力ソー ド電源と し、 前記複数組の カ ソー ドの一組以外に接続された A C力ソー ド電源を、 代表する一 つの A Cカソー ド電源以外の A Cカソー ド電源とすることを特徴と する請求項 2に記載のスパッタ リ ング装置。
5 . 前記複数組の力ソー ドは、 前記成膜対象の進行方向に沿い、 それぞれが対向するよ う に前記 成膜対象の両側に並んで配置されているこ とを特徴とする請求項 1 または 2 に記載のスパッタ リ ング装置。
6 . 前記複数組の力ソー ドは、
前記成膜対象の進行方向に沿い、 それぞれが対向せず 1個おきに ずれて前記成膜対象の両側に配置されていることを特徴とする請求 項 1 または 2に記載のスパ ッ タ リ ング装置。
7 . 前記成膜対象の両側に配置された複数組のカソー ドの一組に接 続された A C力ソー ド電源を、 代表する一つの A C力 ソー ド電源と し、 前記複数組のカソー ドの一組以外に接続された A Cカソー ド電 源を、 代表する一つの A C力 ソー ド電源以外の A C力 ソー ド電源と するこ と を特徴とする請求項 2に記載のスパ ッタ リ ング装置。
8 . 前記成膜対象は、 背中合わせに 2枚が配置され、
前記複数組の力ソー ドは、 装着されたターゲッ トが前記成膜対象 の各表面に対向するよ う に、 2枚の前記成膜対象を挟んで両側に配 置される こ とを特徴とする請求項 5 に記載のスパッタ リ ング装置。
9 . 前記成膜対象は、 背中合わせに 2枚が配置され、
前記複数組の力ソー ドは、 装着されたターゲッ トが前記成膜対象 の各表面に対向するよ う に、 2枚の前記成膜対象を挟んで両側に配 置される こ とを特徴とする請求項 6 に記載のスパッタ リ ング装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008032570A1 (fr) * 2006-09-14 2008-03-20 Ulvac, Inc. procédé de formation de film mince et appareil de formation de film mince
JP5231573B2 (ja) * 2008-12-26 2013-07-10 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタ装置及び磁気記憶媒体の製造方法
JP2014105368A (ja) * 2012-11-28 2014-06-09 Ulvac Japan Ltd スパッタリング装置、薄膜製造方法
JP2014159614A (ja) * 2013-02-19 2014-09-04 Ulvac Japan Ltd スパッタリング装置及びスパッタリング方法
WO2015125193A1 (ja) * 2014-02-21 2015-08-27 キヤノンアネルバ株式会社 処理装置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7678198B2 (en) * 2004-08-12 2010-03-16 Cardinal Cg Company Vertical-offset coater
CA2556573A1 (en) * 2004-09-03 2006-03-16 Cardinal Cg Company Coater having interrupted conveyor system
KR101010198B1 (ko) * 2008-12-08 2011-01-21 (주)밴플러스 플랫트 랙 컨테이너의 엔드 월의 폴딩 자동 유량조절 일체형 완충장치
WO2016017510A1 (ja) * 2014-07-31 2016-02-04 株式会社 アルバック 基板処理装置
US11823859B2 (en) 2016-09-09 2023-11-21 Ionquest Corp. Sputtering a layer on a substrate using a high-energy density plasma magnetron
US11359274B2 (en) * 2015-12-21 2022-06-14 IonQuestCorp. Electrically and magnetically enhanced ionized physical vapor deposition unbalanced sputtering source
US20170178878A1 (en) 2015-12-21 2017-06-22 IonQuest LLC Electrically and Magnetically Enhanced Ionized Physical Vapor Deposition Unbalanced Sputtering Source
US11482404B2 (en) 2015-12-21 2022-10-25 Ionquest Corp. Electrically and magnetically enhanced ionized physical vapor deposition unbalanced sputtering source

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1129860A (ja) * 1997-07-14 1999-02-02 Bridgestone Corp スパッタ膜の作製方法及び対向ターゲット式スパッタリング装置
JP2000096227A (ja) * 1998-09-28 2000-04-04 Sharp Corp マグネトロンスパッタリング装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0449523A (ja) * 1990-06-18 1992-02-18 Denki Kagaku Kogyo Kk 磁気記録媒体の製造法及びその装置
US6338777B1 (en) * 1998-10-23 2002-01-15 International Business Machines Corporation Method and apparatus for sputtering thin films

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1129860A (ja) * 1997-07-14 1999-02-02 Bridgestone Corp スパッタ膜の作製方法及び対向ターゲット式スパッタリング装置
JP2000096227A (ja) * 1998-09-28 2000-04-04 Sharp Corp マグネトロンスパッタリング装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008032570A1 (fr) * 2006-09-14 2008-03-20 Ulvac, Inc. procédé de formation de film mince et appareil de formation de film mince
JP5231573B2 (ja) * 2008-12-26 2013-07-10 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタ装置及び磁気記憶媒体の製造方法
JP2014105368A (ja) * 2012-11-28 2014-06-09 Ulvac Japan Ltd スパッタリング装置、薄膜製造方法
JP2014159614A (ja) * 2013-02-19 2014-09-04 Ulvac Japan Ltd スパッタリング装置及びスパッタリング方法
WO2015125193A1 (ja) * 2014-02-21 2015-08-27 キヤノンアネルバ株式会社 処理装置
JPWO2015125193A1 (ja) * 2014-02-21 2017-03-30 キヤノンアネルバ株式会社 処理装置

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Publication number Publication date
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