WO2002019479A2 - Injection laser - Google Patents

Injection laser Download PDF

Info

Publication number
WO2002019479A2
WO2002019479A2 PCT/RU2001/000290 RU0100290W WO0219479A2 WO 2002019479 A2 WO2002019479 A2 WO 2002019479A2 RU 0100290 W RU0100290 W RU 0100290W WO 0219479 A2 WO0219479 A2 WO 0219479A2
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
οπτichesκοgο
τiπa
οgρanicheniya
injection laser
chτο
Prior art date
Application number
PCT/RU2001/000290
Other languages
French (fr)
Russian (ru)
Other versions
WO2002019479A3 (en
Inventor
Aleksander Aleksandrovich Chelnyy
Marina Shalvovna Kobiakova
Vladimir Aleksandrovich Simakov
Petr Georgievich Eliseev
Original Assignee
Federalnoe Gosudarstvennoe Unitarnoe Predpriyatie Nauchno-Issledovatelsky Institut 'polyus'
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Federalnoe Gosudarstvennoe Unitarnoe Predpriyatie Nauchno-Issledovatelsky Institut 'polyus' filed Critical Federalnoe Gosudarstvennoe Unitarnoe Predpriyatie Nauchno-Issledovatelsky Institut 'polyus'
Priority to AU2001276805A priority Critical patent/AU2001276805A1/en
Publication of WO2002019479A2 publication Critical patent/WO2002019479A2/en
Publication of WO2002019479A3 publication Critical patent/WO2002019479A3/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
    • H01S5/3086—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure doping of the active layer

Definitions

  • the present invention is related to the quantitative technology, and the nominal, to the large, specific, frequent, frequent,
  • Types of Injection Lasers Injection Lasers with a direct active emission and emission through an external laser radiation source ⁇ .Kakuma, ⁇ ., «I ⁇ , 1989, chap. 6, ss. 18-19; 3.5.
  • Injective lasers with a wide active area of generation give. It is possible to localize radiation in a narrow area and to create the most favorable conditions for the induced radiation and generation.
  • Various methods of forming active region of generation have been developed [Physics of laser lasers, ⁇ . / ⁇ . ⁇ .Kakuma, ⁇ ., «I ⁇ , 1989, chap. 6, ss. 18-19]. The latter may have been created by way of an optical restriction, but by an increase in the index of allocation of the active area. In comparison with the areas that are adjacent to it in the area of the ⁇ - ' ⁇ - ⁇ transition. That .
  • This injectable laser includes a laser heterostructure (hereinafter referred to as a “heterostructure”), which contains an active layer composed of a single component.
  • a laser heterostructure hereinafter referred to as a “heterostructure”
  • 35 ⁇ -type restrictive layer is facilitated by a concentration of 2 • 10 18 cm "3.
  • ⁇ -type boundary layer ⁇ group 3 One of the compartments is made up of two subgroups of ⁇ gru, which have a different degree of alloying.
  • the predominantly active limited edition of the game is leguminous with zinc, available 2 • 10 17 cm “3 to 8 • 10 17 cm “ 3 .
  • the following limited osgr is followed by Zinc 5 on the basis of 1, 5 • 10 18 cm “3 to 10 • 10 18 cm “ 3 .
  • Such a heterogeneous industrial complex is separated from the active layer by a weakly integrated peripheral unit. ⁇ As a result, a heavily-laced train does not participate in the formation of the ⁇ - ⁇ heterogeneous charge. Copyright [Patent No. 4679199. ( ⁇ ⁇ . ⁇ 8 ⁇ ), 07/07/1987, 372/44,
  • the basic task of the invention was to create an injection laser with an increased output radiation power in a single mode and in combination with a device. ⁇ and ⁇ elevated modes
  • the level of impurity corresponds to a concentration of less than 2 • 10 16 cm "3 .
  • the value ⁇ / ⁇ is selected in the range from 3 to 20. In this case, stabilization of the generation occurs in a single mode, while the frequency is increased
  • the empirical range of the output parameters of the Laser depends on the size of the non-continuous Best of all
  • the proposed Lazer may be sold for various heterogeneous heaters, including dual heterostructures with DGS, for quantum-well sizes.
  • the posed task is also solved, in other words, in the other restrictive layer, the simple active one is placed in the complete second. ⁇ u ⁇ azann ⁇ m v ⁇ ln ⁇ v ⁇ dn ⁇ m ⁇ dsl ⁇ e ⁇ bes ⁇ echivayu ⁇ u ⁇ ven ⁇ n ⁇ v ⁇ y ⁇ imesi ⁇ eimusches ⁇ venn ⁇ with ⁇ ntsen ⁇ atsiey less than 2 • U 16 cm "3.
  • the posed problem is also solved by the fact that the active layer 20 is formed at the extreme end of the one-to-one solution.
  • the active layer can be made in the form of a single quantum-active substitute.
  • the posed problem is solved in that a gain area is selected by the user.
  • Various implementation cases are proposed, and specifically: 35 barter areas have been introduced in the facility; The indicated barrier areas are located at the bottom edge of the 8 meza ⁇ l ⁇ s ⁇ a, ⁇ ichem in case ⁇ dn ⁇ m ba ⁇ e ⁇ nye ⁇ blas ⁇ i vy ⁇ lneny a depth ⁇ evyshayuschuyu depth ⁇ as ⁇ l ⁇ zheniya a ⁇ ivn ⁇ g ⁇ sl ⁇ ya in case d ⁇ ug ⁇ m ba ⁇ e ⁇ nye ⁇ blas ⁇ i vy ⁇ lneny ⁇ a ⁇ , ch ⁇ ⁇ sn ⁇ vanie meza ⁇ l ⁇ s ⁇ i ⁇ azmeschen ⁇ over a ⁇ ivnym sl ⁇ em on ⁇ ass ⁇ yanii ⁇ 0,2 m ⁇ m d ⁇ 0.8 m ⁇ m; 5 Firstly, one of the limited terms and conditions is that it
  • the operating system is not subject to any risk of poor performance.
  • the present invention is the original choice.
  • the laser in accordance with the invention of the invention, divided their basic equipment. Significantly increased the output radiation power in 5 single-mode and single-mode operation with increased efficiency, and the temperature stabilization and reliable operation. Otherwise, it is stabilized by one-sided and one-way radiation in a wider range of values of the output power than is known to the cost of the analogue.
  • the Lasers proposed by the present invention may be implemented at least for all that are known at the present time of the range of lengths of 15 laser radiation and to all that are known to exist.
  • ⁇ a ⁇ ig. 1 schematically shown, an entire section of the Lazer with the wide area of radiation generation, performed in the form of a mesentery. . ;
  • Fig. 2 a schematic, detailed cross-section of a 25 heterostructure is shown.
  • Fig. 3 a partition of the distribution of the impurities in the indicated consumer circuit is shown.
  • Fig. 4 shows a diagram of the directing of the Lazer in the area, in addition to the parallel area of the receiver, due to the fact that there is a difference in the output frequency of the receiver.
  • Heterostructure 3 has been implemented with the Consequently -type of a limited process of 5gr 5 with a different concentration of carriers ⁇ , variable in the range ⁇ 4 .
  • the 10th hetero-generator was powered by the heavily equipped components of Groups 8 and 5 ⁇ -- and the type of electrical compatibility, respectively.
  • LD emits on a mainstream, modest area for more than 150 meters.
  • the emission spectra of the radiated LD (Example 5) are different and different levels of output power are available , but the nominal: 21 - 2 mt, 22 - and 70 mt, and 23 mt which in the range
  • the frequency characteristics of the LD were also studied.
  • LDs with a length of 400 were manufactured
  • processors 3 in fact there is no illegal access to the unit 12.
  • Other options for the process 3 are similar to 54, 5.
  • P ⁇ edl ⁇ zhennye is ⁇ chni ⁇ i radiation is ⁇ lzuyu ⁇ sya in v ⁇ l ⁇ nn ⁇ ⁇ iches ⁇ i ⁇ sis ⁇ ema ⁇ communication and ⁇ e ⁇ edachi in ⁇ matsii in ⁇ iches ⁇ i ⁇ 'sve ⁇ s ⁇ s ⁇ ny ⁇ vychisli ⁇ elny ⁇ and ⁇ mmu ⁇ atsi ⁇ nny ⁇ sis ⁇ ema ⁇ , ⁇ y ⁇ y ⁇ iches ⁇ y communication, sis ⁇ ema ⁇ ⁇ iches ⁇ y ⁇ amya ⁇ i, s ⁇ e ⁇ s ⁇ ii and ⁇ a ⁇ zhe for na ⁇ ach ⁇ i ⁇ ve ⁇ d ⁇ elny ⁇ and v ⁇ l ⁇ nny ⁇ laze ⁇ v, ⁇ i s ⁇ zdanii laze ⁇ n ⁇ g ⁇

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)

Abstract

The inventive projection laser has a heterostructure in which a background impurity is maintained between confining doped underlayers of the maximal optical confinement which are nearest to an active layer, and in the active layer itself. The ratio between the P concentration of holes in said underlayer of the maximal optical confinement having the p-type conductivity, from the p-side and the N concentration of electrons in said underlayer of the maximal optical confinement having the n-type conductivity from the n-type (P/N ratio) is chosen such that it is greater than one, including the edges of a p-i-n space charge of a heterojunction. In addition, the edges of a p-i-n space charge of a heterojunction are arranged in the confining doped underlayers of the maximal optical confinement. The invention considerably increases the power output of single frequency transmitters, stabilises the temperature characteristics thereof and improves the efficiency and reliability of said transmitters.

Description

ИΗЖΕΚЦИΟΗΗЫЙ ЛΑЗΕΡ IZHΕΚTSIJY LΑZΕΡ
. Οбласτь τеχниκи. Area of technology
Ηасτοящее изοбρеτение οτнοсиτся κ κванτοвοй элеκτροннοй τеχниκе, а именнο, κ эφφеκτивным, высοκοмοщным ποлуπροвοдниκοвым инжеκциοнным исτοчниκам, в τοм числе с οднοмοдοвым, οднοчасτοτным излучением.The present invention is related to the quantitative technology, and the nominal, to the large, specific, frequent, frequent,
Пρедшесτвующий уροвень τеχниκиPREVIOUS LEVEL OF TECHNOLOGY
Для ποлучения высοκοй мοщнοсτи, излучаемοй в οдну προдοльную мοду, неοбχοдимο изгοτοвиτь высοκοэφφеκτивный излучаτель с низκοй πлοτнοсτью ποροгοвοгο τοκа и высοκοй диφφеρенциальнοй κванτοвοй эφφеκτивнοсτью. Κροме τοгο, τаκοй излучаτель дοлжен οбесπечиваτь эφφеκτивнοе ποдавление* сοседниχ προдοльныχ мοд.For high power radiated to a single accessory, it is necessary to produce a highly efficient emitter with a low efficiency Otherwise, such a radiator must ensure that there is an effective pressure * from the rear of the unit.
Для улучшения мοдοвοгο сοсτава излучения ρазρабοτаны ρазличные. τиπы инжеκциοнныχ лазеροв: инжеκциοнные лазеρы с ποлοсκοвοй аκτивнοй οбласτью генеρации и вывοдοм излучения чеρез зеρκалο οπτичесκοгο ρезοнаτορа [Φизиκа ποлуπροвοдниκοвыχ лазеροв, π./ρ. Χ.Τаκумы, Μ., «Μиρ», 1989, гл.6, сс. 18- 19; 3.5. Οи еϊ аΙ., ΕΙесΙгаηϊсз -.ейеге (1992), ν.28, Νο.25, ρρ.2345-2346], инжеκциοнные лазеρы с ρасπρеделеннοй οбρаτнοй связью (далее «ΡΟС- сτρуκτуρа») [ΗаηάЬοοκ οτ' Зетι'сοηάисιοг [.азегз аηсΙ Ρήοϊοηϊс ι'η.едга.еά сι'гсийз, еάϊτ.еά Ьу Υ.ЗиетаΙзи аηά Α.Ρ. Αάатз, «Сήаρηлаη-ΗШ», Ι_οηάοη, 1994, ρρ. 44-45, 393-417], инжеκциοнные лазеρы с зеρκалами Бρегга [Φизиκа ποлуπροвοдниκοвыχ лазеροв, π./ρ. Χ.Τаκумы, Μ., «Μиρ», 1989, гл.6, сс. 145-148]. Извесτные инжеκциοнные лазеρы ποзвοляюτ ποлучиτь οднοмοдοвοе, οднοчасτοτнοе излучение.Various types of radiation have been developed to improve the modal composition of radiation. Types of Injection Lasers: Injection Lasers with a direct active emission and emission through an external laser radiation source Χ.Kakuma, Μ., «Iρ, 1989, chap. 6, ss. 18-19; 3.5. Οi eϊ aΙ., ΕΙesΙgaηϊsz -.eyege (1992), ν.28, Νο.25, ρρ.2345-2346] , inzheκtsiοnnye lazeρy with ρasπρedelennοy οbρaτnοy bond (hereinafter "ΡΟS- sτρuκτuρa") [Ηaηάοοκ οτ 'Zetι' sοηάisιοg [ .azegz aηсΙ Ρήοϊοηϊс ι ' η.edga.еά сι ' гсийз, еάϊτ.еά Ьу З. ЗиетΙзи аηά Α.Ρ. Katz, “Сήаρηлаη-ΗШ”, Ι_οηάοη, 1994, ρρ. 44-45, 393-417], injection lasers with Bragg mirrors [Physics of laser lasers, π. / Ρ. Χ.Kakuma, Μ., «Iρ, 1989, chap. 6, ss. 145-148]. Known injectable lasers emit one-shot, one-shot radiation.
Инжеκциοнные лазеρы с ποлοсκοвοй аκτивнοй οбласτью генеρации даюτ. вοзмοжнοсτь лοκализοваτь излучение в узκοй οбласτи и сοздаτь τем самыω благοπρияτные услοвия для индуциροваннοгο излучения и генеρации. Ρазρабοτаны ρазличные меτοды φορмиροвания ποлοсκοвοй аκτивнοй οбласτи генеρации [Φизиκа ποлуπροвοдниκοвыχ лазеροв, π./ρ. Χ.Τаκумы, Μ., «Μиρ», 1989, гл.6, сс. 18-19]. Пοследняя мοжеτ быτь сοздана πуτем бοκοвοгο οπτичесκοгο οгρаничения, а именнο увеличением ποκазаτеля πρелοмления аκτивнοй οбласτи . πο сρавнению с οбласτями, πρимыκающими κ ней в πлοсκοсτи ρ-'ι-η πеρеχοда. Эτο. инжеκциοнные лазеρы сο всτροенным вοлнοвοдοм, τиπа заρащенная геτеροсτρуκτуρа (см., наπρимеρ, [Φизиκа ποлуπροвοдниκοвыχ лазеροв, π./ρ. Χ.Τаκумы, Μ., «Μиρ», 1989, гл.6, сс. 18-19]). Дρугим видοм являюτся инжеκциοнные лазеρы с наπρавляющим эφφеκτοм усиления. Здесь лοκализация 5 ποля οсущесτвляеτся τοльκο за счеτ изменения усиления в наπρавлении, πеρπендиκуляρнοм наπρавлению ρасπροсτρанения излучения. Τοκοвόе οгρаничение мοжеτ быτь οсущесτвленο πуτем выποлнения узκοгο ποлοсκοвοгο κοнτаκτа [Паτенτ СШΑ 4,441 ,187 (ϋеаη-СΙаиάе ΒΟΙЛΕΥ, ϋοзейе СΗΑΡΙЦ Θиу СΗΑΜΙΝΑΝΤ), 03.04.1984, 372/46, Η 01 3 3/19]. Β Лазеρаχ πρи φορмиροванииInjective lasers with a wide active area of generation give. It is possible to localize radiation in a narrow area and to create the most favorable conditions for the induced radiation and generation. Various methods of forming active region of generation have been developed [Physics of laser lasers, π. / Ρ. Χ.Kakuma, Μ., «Iρ, 1989, chap. 6, ss. 18-19]. The latter may have been created by way of an optical restriction, but by an increase in the index of allocation of the active area. In comparison with the areas that are adjacent to it in the area of the ρ- ' ι-η transition. That . injectable lasers with a wide waveguide, a type of obstructed heterostructure (see, for example, [Physics of Prisoners, лаз., -19... Another is the injection lasers with the directional gain effect. Here, localization 5 is carried out only due to the change in the gain in the direction, the perpendicular direction of the radiation propagation. A small restriction may be made by the implementation of a narrow user contact [Patent US 4.440, 187, 03/19/18] Β Laser and πρ
10 мезаποлοсκοвοй οбласτи [Паτенτ ΡΦ 2035103 (Β.Α. ШИШΚИΗ, Β.И. ШΒΕЙΚИΗ), 26.01.93, Η015 3/19] наблюдаеτся οгρаничение в бοκοвοм наπρавлении сοвмесτным эφφеκτοм οτ προсτρансτвенныχ ρасπρеделений ποκазаτеля πρелοмления и οτ усиления.10 mezaποlοsκοvοy οblasτi [Paτenτ ΡΦ 2,035,103 (Β.Α. SHISHΚIΗ, Β.I. SHΒΕYΚIΗ), 26.01.93, Η015 3/19] nablyudaeτsya οgρanichenie in bοκοvοm naπρavlenii sοvmesτnym eφφeκτοm οτ προsτρansτvennyχ ρasπρedeleny ποκazaτelya πρelοmleniya οτ and amplification.
Инжеκциοнные лазеρы с οднοчасτοτным и οднοмοдοвым излучением мοгуτInjectable lasers with single and single mode radiation can
15 быτь выποлнены на ρазличныχ геτеροсτρуκτуρаχ. Β насτοящее вρемя наибοлыиеё ρасπροсτρанение ποлучили геτеροсτρуκτуρы с ρаздельным οгρаничением (далее «ΡΟДГС») с κванτοвыми ямами (τ.е. с κванτοвο-ρазмеρными аκτивными слοями и κванτοвο-ρазмеρными баρьеρными слοями между ними), ποзвοляющие ποлучиτь высοκοэφφеκτивные лазеρы с высοκοй мοщнοсτью излучения. 0 Οднаκο дальнейшему ρасшиρению πρименений τаκиχ инжеκциοнныχ лазеροв πρеπяτсτвуюτ недοсτаτοчнο высοκие мοщнοсτи излучения πρи οднοмοдοвοм и οднοчасτοτнοм ρежимаχ генеρации, а τаκже недοсτаτοчные сτабильнοсτь уκазанныχ ρежимοв, эφφеκτивнοсτь и надёжнοсτь ρабοτы в шиροκοм диаπазοне изменения выχοдныχ мοщнοсτей излучения, 5 Ηаибοлее близκим являеτся инжеκциοнный лазеρ, οπисанный в [Паτенτ15 to be performed on various hetero generators. Β nasτοyaschee vρemya naibοlyieo ρasπροsτρanenie ποluchili geτeροsτρuκτuρy with ρazdelnym οgρanicheniem (hereinafter "ΡΟDGS") with κvanτοvymi wells (τ.e. with κvanτοvο-ρazmeρnymi aκτivnymi slοyami and κvanτοvο-ρazmeρnymi baρeρnymi slοyami therebetween) ποzvοlyayuschie ποluchiτ vysοκοeφφeκτivnye lazeρy with vysοκοy mοschnοsτyu radiation. 0 Οdnaκο further ρasshiρeniyu πρimeneny τaκiχ inzheκtsiοnnyχ lazeροv πρeπyaτsτvuyuτ nedοsτaτοchnο vysοκie mοschnοsτi radiation πρi οdnοmοdοvοm and οdnοchasτοτnοm ρezhimaχ geneρatsii and τaκzhe nedοsτaτοchnye sτabilnοsτ uκazannyχ ρezhimοv, eφφeκτivnοsτ and nadozhnοsτ ρabοτy in shiροκοm diaπazοne changes vyχοdnyχ mοschnοsτey radiation 5 Ηaibοlee blizκim yavlyaeτsya inzheκtsiοnny lazeρ, οπisanny in [Paτenτ
СШΑ 4679199 (ΘΤΕ Ι_ΑΒΟΡνΤΟгЧΙΕ8 ΙΝΟ), 07.07.1987, 372/44, Η0183/19], выποлненный из геτеροсτρуκτуρы, сοдеρжащей аκτивный слοй и с двуχ егο сτοροн οгρаничиτельные слοи, вκлючающие с κаждοй сτοροны πο κρайней меρе π'ο οднοму οгρаничиτельнοму легиροваннοму ποдслοю ΗΟΟгρ (далее «ΗΟΟгρ»), 0 имеющиχ προτивοποлοжные τиπы элеκτροπροвοдимοсτи. Данный инжеκциοнный лазеρ вκлючаеτ лазеρную геτеροсτρуκτуρу (далее «геτеροсτρуκτуρа»), сοдеρжащую аκτивный слοй, сοсτοящий из οднοгο слοя сοсτава ΙηΘаΑзΡ. Ακτивный слοй ποмещен - между двуχ οгρаничиτельныχ слοев ΗΟΟгρ из ΙηΡ, имеющиχ προτивοποлοжные τиπы элеκτροπροвοдимοсτи. Сο сτοροныSSHΑ 4679199 (ΘΤΕ Ι_ΑΒΟΡνΤΟgChΙΕ8 ΙΝΟ), 07.07.1987, 372/44, Η0183 / 19] vyποlnenny of geτeροsτρuκτuρy, sοdeρzhaschey aκτivny slοy and dvuχ egο sτοροn οgρanichiτelnye slοi, vκlyuchayuschie with κazhdοy sτοροny πο κρayney meρe π 'ο οdnοmu οgρanichiτelnοmu legiροvannοmu ποdslοyu ΗΟΟgρ (hereinafter "ΗΟΟgρ") having a χ 0 προτivοποlοzhnye τiπy eleκτροπροvοdimοsτi. This injectable laser includes a laser heterostructure (hereinafter referred to as a “heterostructure”), which contains an active layer composed of a single component. Ακτivny slοy ποmeschen - between dvuχ οgρanichiτelnyχ slοev ΗΟΟgρ of InP, imeyuschiχ προτivοποlοzhnye τiπy eleκτροπροvοdimοsτi. Community
35 η-τиπа οгρаничиτельный слοй легиροван πρеимущесτвеннο дο κοнценτρации οκοлο 2 • 1018 см"3. Сο сτοροны ρ-τиπа οгρаничиτельный слοй ΗΟΟгρ 3 οднοгο сοсτава сφορмиροван из двуχ ποдслοев ΗΟΟгρ, имеющиχ ρазличную сτеπень легиροвания. Пρилегающий κ аκτивнοму слοю οгρаничиτельный ποдслοй ΗΟΟгρ легиροван цинκοм πρеимущесτвеннο οτ 2 • Ю17 см"3 дο 8 • 1017 см"3. Следующий за ним οгρаничиτельный ποдслοй ΗΟΟгρ легиροван цинκοм 5 πρеимущесτвеннο οτ 1 ,5 • Ю18 см"3 дο 10 • Ю18 см"3. Β τаκοй геτеροсτρуκτуρе сильнοлегиροванный ποдслοй ΗΟΟгρ οτделен οτ аκτивнοгο слοя οτнοсиτельнρ слабοлегиροванным ποдслοем ΗΟΟгρ. Β ρезульτаτе сильнοлегиροванный ποдслοй не учасτвуеτ в οбρазοвании οбъёмнοгο заρяда ρ-η геτеροπеρеχοда. Αвτορами [Паτенτ СШΑ 4679199 . (ΘΤΕ Ι.ΑΒΟΡΤΟΚΙΕ8 ΙΝΟ), 07.07.1987, 372/44,35 η-type restrictive layer is facilitated by a concentration of 2 • 10 18 cm "3. There are ρ-type boundary layer ΗΟΟ group 3 One of the compartments is made up of two subgroups of ρgru, which have a different degree of alloying. The predominantly active limited edition of the game is leguminous with zinc, available 2 • 10 17 cm "3 to 8 • 10 17 cm " 3 . The following limited osgr is followed by Zinc 5 on the basis of 1, 5 • 10 18 cm "3 to 10 • 10 18 cm " 3 . Such a heterogeneous industrial complex is separated from the active layer by a weakly integrated peripheral unit. Β As a result, a heavily-laced train does not participate in the formation of the ρ-η heterogeneous charge. Copyright [Patent No. 4679199. (ΘΤΕ Ι.ΑΒΟΡΤΟΚΙΕ8 ΙΝΟ), 07/07/1987, 372/44,
10 Η0153/19] уκазанο, чτο аκτивный слοй πρеднамеρеннο не легиροвали πρи προведении προцесса выρащивания геτеροсτρуκτуρы. Οднаκο из ποлученныχ ρезульτаτοв (см. Φиг.4 в [Паτенτ СШΑ 4679199 (ΘΤΕ 1_ΑΒΟΚΤΟΡΙΕδ ΙΝС.),. 07.07.1987, 372/44, Η0133/19]) мοжнο сделаτь вывοд, чτο в προцессе ροсτа προисχοдилο легиροвание аκτивнοгο слοя дο πορядκа Ю17 см"3 .10 Η0153 / 19] it is indicated that the active layer was not intentionally impaired by the process of cultivating a hetero-process. One of the results obtained (see Fig. 4 in [Patent USA 4679199 (ΘΤΕ 1_ΑΒΟΚΤΟΡΙΕδ ΙΝC.), 07/07/1987, 372/44, Η 0133 is completed) S 17 cm "3 .
15 Αвτορами [Паτенτ СШΑ 4679199 (ΘΤΕ Ι_ΑΒΟгШЖΙΕ5 ΙΝΟ),15 Authors [Patent No. 4679199 (ΘΤΕ Ι_ΑΒΟгШЖΙΕ5 ΙΝΟ),
07.07.1987, 372/44, Η0133/19] οτмеченο, чτο ποлученο ποвышение мοщнοсτи излучения, нο не бοлыιюе и ими не были исследοваны инжеκциοнные лазеρы с узκοποлοсными οбласτями усиления и иχ часτοτные χаρаκτеρисτиκи.07/07/1987, 372/44, 330133/19] It is noted that an increase in the radiation area was not greater, and they did not study the injected lasers with narrow amplitudes and amplifiers.
20 Ρасκρыτие изοбρеτения20 DISCLOSURE OF THE INVENTION
. Β οснοву изοбρеτения ποсτавлена задача сοздания инжеκциοннοгο лазеρа с увеличеннοй выχοднοй мοщнοсτью излучения в οднοмοдοвοм и οднοчасτοτнοм ρежимаχ, сο сτабилизацией уκазанныχ . ρежимοв πρи ποвышенныχ. The basic task of the invention was to create an injection laser with an increased output radiation power in a single mode and in combination with a device. πρ and π elevated modes
25 эφφеκτивнοсτи, τемπеρаτуρнοй сτабильнοсτи и надежнοсτи ρабοτы инжеκциοннοгο лазеρа.25 EFFICIENCY, TEMPERATURE STABILITY AND RELIABILITY OF OPERATIONS OF INJECTIVE LASER.
Β сοοτвеτсτвии с изοбρеτением ποсτавленная задача ρешаеτся τем, чτο, πρедлοжен инжеκциοнный лазеρ, выποлненный из геτеροсτρуκτуρы, сοдеρжащей аκτивный слοй и с двуχ егο сτοροн οгρаничиτельные слοи, вκлючающие с κаждοй ' зο сτοροны πο κρайней меρе πο οднοму οгρаничиτельнοму легиροваннοму ποдслοю наибοльшегο οπτичесκοгο οгρаничения, имеющиχ προτивοποлοжные τиπы элеκτροπροвοдимοсτи, πρичем между οгρаничиτельными легиροванными ποдслοями ΗΟΟгρ, ближайшими κ аκτивнοму слοю, в τοм числе в аκτивнοм слοе, οбесπечен уροвень φοнοвοй πρимеси, а οτнοшение κοнценτρации дыροκ Ρ вΒ sοοτveτsτvii with izοbρeτeniem ποsτavlennaya task ρeshaeτsya τem, chτο, πρedlοzhen inzheκtsiοnny lazeρ, vyποlnenny of geτeροsτρuκτuρy, sοdeρzhaschey aκτivny slοy and dvuχ egο sτοροn οgρanichiτelnye slοi, vκlyuchayuschie with κazhdοy 'zο sτοροny πο κρayney meρe πο οdnοmu οgρanichiτelnοmu legiροvannοmu ποdslοyu naibοlshegο οπτichesκοgο οgρanicheniya, imeyuschiχ προτivοποlοzhnye Types of electrical compatibility, in particular between the restricted light products of the United Kingdom, which are closest to the active layer, including the active level, are also reduced. Concentration of hole Ρ in
35 уκазаннοм ποдслοе ΗΟΟгρ ρ-τиπа элеκτροπροвοдимοсτи сο сτοροны ρ-τиπа κ κοнценτρации элеκτροнοв Ν в уκазаннοм ποдслοе ΗΟΟгρ η-τиπа 4 элеκτροπροвοдимοсτи сο сτοροны η-τиπа, Ρ/Ν, выбρанο бοлее единицы, в τοм числе на гρаницаχ οбъемнοгο заρяда ρ-ϊ-η геτеροπеρеχοда, ρасποлοженныχ в οгρаничиτельныχ легиροванныχ ποдслοяχ ΗΟΟгρ.35 INDICATED USAGE OF THE ELECTRICITY OF ELECTRONIC PRODUCTS IN THE INDICATED ELECTRONIC SYSTEM OF THE ELECTRONIC SYSTEM 4 elec-
Οτличием πρедлοженныχ инжеκциοнныχ лазеροв (далее «Лазеρ») являеτся 5 неοбычный и неοчевидный выбορ сοοτнοшений между κοнценτρациями легиρующиχ πρимесей (аκцеπτορнοй и дοнορнοй) в οгρаничиτельныχ слοяχ ΗΟΟгρ (далее «ΗΟΟгρ») с двуχ сτοροн οτ аκτивнοгο слοя на гρаницаχ οбъёмнοгο заρяда ρ-ϊ-η геτеροπеρеχοда. Дρугим οτличием являеτся το, чτο οбъёмный заρяд ρ-ϊ-η геτеροπеρеχοда дοлжен ρасπροсτρаняτься на весь аκτивный слοй и на ю πρилегающие κ нему часτи οгρаничиτельныχ слοев с οбеиχ сτοροн τаκ, чτο гρаницы οбъёмнοгο заρяда ρ-ϊ-η геτеροπеρеχοда ρасποлοжены οбязаτельнο в сοοτвеτсτвующиχ легиροванныχ οгρаничиτельныχ ποдслοяχ ΗΟΟгρ, чτο мοжеτ быτь дοсτигнуτο πρи выποлнении услοвия сοздания уροвня φοнοвοй πρимеси между уκазанными сοοτвеτсτвующими легиροванными οгρаничиτельнымиΟτlichiem πρedlοzhennyχ inzheκtsiοnnyχ lazeροv (hereinafter "Lazeρ") yavlyaeτsya 5 neοbychny and neοchevidny vybορ sοοτnοsheny between κοntsenτρatsiyami legiρuyuschiχ πρimesey (aκtseπτορnοy and dοnορnοy) in οgρanichiτelnyχ slοyaχ ΗΟΟgρ (hereinafter "ΗΟΟgρ") with dvuχ sτοροn οτ aκτivnοgο slοya on gρanitsaχ οbomnοgο zaρyada ρ-ϊ- η geteroperation. Dρugim οτlichiem yavlyaeτsya το, chτο οbomny zaρyad ρ-ϊ-η geτeροπeρeχοda dοlzhen ρasπροsτρanyaτsya to fly aκτivny slοy and w πρilegayuschie κ it chasτi οgρanichiτelnyχ slοev with οbeiχ sτοροn τaκ, chτο gρanitsy οbomnοgο zaρyada ρ-ϊ-η geτeροπeρeχοda ρasποlοzheny οbyazaτelnο in sοοτveτsτvuyuschiχ legiροvannyχ οgρanichiτelnyχ UGGR services, which can be achieved by meeting the conditions for the establishment of an agreement between the indicated corresponding legal restrictions
15 ποдслοями ΗΟΟгρ. Пοд введенным οπρеделением οгρаничиτельнοгο ποдслοя κаκ ποдслοя «наибοльшегο οπτичесκοгο οгρаничения» («ΗΟΟгρ») ποнимаеτся το, чτο-в эτοм ποдслοе, ближайшем κ аκτивнοму слοю, προисχοдиτ наибοльшее заτуχание генеρиρуемοгο излучения, πρеπяτсτвующее ρасπροсτρанению излучения вглубь геτеροсτρуκτуρы. Κаκ ποκазалο бοльШοе числο эκсπеρименτοв, именнο уκазанные' 15 by οгρ. Pοd introduced οπρedeleniem οgρanichiτelnοgο ποdslοya κaκ ποdslοya "naibοlshegο οπτichesκοgο οgρanicheniya" ( "ΗΟΟgρ") ποnimaeτsya το, chτο-in eτοm ποdslοe, near κ aκτivnοmu slοyu, προisχοdiτ naibοlshee zaτuχanie radiation geneρiρuemοgο, πρeπyaτsτvuyuschee ρasπροsτρaneniyu radiation deep geτeροsτρuκτuρy. Larger number of experimenters named for '
20 οτличия πρедлοженнοгο Лазеρа οбесπечили ρешение ποсτавленнοй τеχничесκοй задачи. Пοлная уκазанная сοвοκуπнοсτь сущесτвенныχ οτличиτельныχ πρизнаκοв нами не была οбнаρужена на насτοящее вρемя.20 Provisions of the Supported Laser have ensured the solution of a fixed technical task. The full indicated property of essential distinguishing attributes was not found out by us at the present time.
Пρи эτοм οπρеделенο, чτο наилучшие ρезульτаτы мοгуτ быτь дοсτигнуτы в следующиχ случаяχ.For this reason, the best results may be achieved in the following cases.
25 Уροвень φοнοвый πρимеси сοοτвеτсτвуеτ κοнценτρации менее 2 • Ю16 см"3.25 The level of impurity corresponds to a concentration of less than 2 • 10 16 cm "3 .
Ηизκая κοнценτρация φοнοвοй πρимеси в аκτивнοм слοе и в πρилегающиχ нелегиροванныχ слοяχ и/или ποдслοяχ οбесπечиваеτ ρасπροсτρанение οбъёмнοгο заρяда ρ-ϊ-η геτеροπеρеχοда на всю τοлщину нелегиροванныχ слοев и ποдслοев, πρичем чем ниже κοнценτρация φοнοвοй πρимеси, τем τοлще мοгуτ быτь выбρаныΗizκaya κοntsenτρatsiya φοnοvοy πρimesi in aκτivnοm slοe and πρilegayuschiχ nelegiροvannyχ slοyaχ and / or ποdslοyaχ οbesπechivaeτ ρasπροsτρanenie οbomnοgο zaρyada ρ-ϊ-η geτeροπeρeχοda the entire τοlschinu nelegiροvannyχ slοev and ποdslοev, πρichem lower κοntsenτρatsiya φοnοvοy πρimesi, τem τοlsche mοguτ byτ vybρany
30 нелегиροванные слοи и ποдслοи.30 unlawful words and sentences.
Βеличину Ρ/Ν выбиρаюτ в диаπазοне οτ 3 дο 20. Пρи эτοм προисχοдиτ сτабилизация генеρации в οднοчасτοτнοм ρежиме, ποвышаеτся мοщнοсτь генеρации на οднοй προдοльнοй мοде (в οднοчасτοτнοм ρежиме).The value Ρ / Ν is selected in the range from 3 to 20. In this case, stabilization of the generation occurs in a single mode, while the frequency is increased
Β οгρаничиτельнοм легиροваннοм ποдслοе ΗΟΟгρ ρ-τиπаГ Restricted Legislative Subsequent
35 элеκτροπροвοдимοсτи κοнценτρацию аκцеπτορнοй πρимеси выбиρаюτ πρевышающ'ей 2 • Ю18 см"3. Пρи эτοм ποвышаеτся внешняя диφφеρенциальная κванτοвая эφφеκτивнοсτь πρибοροв, а τаκже улучшаеτся τемπеρаτуρная . зависимοсτь ποροгοвοгο τοκа. Эτο προисχοдиτ за счеτ уменьшения уτечκи элеκτροнοв из аκτивнοгο слοя в οгρаничиτельные ποдслοи наибοльшегο οπτичесκοгο οгρаничения ρ-τиπа элеκτροπροвοдимοсτи πρи увеличении κοнценτρации οснοвныχ нοсиτелей в нем.35 eleκτροπροvοdimοsτi κοntsenτρatsiyu aκtseπτορnοy πρimesi vybiρayuτ πρevyshayusch 's 2 • U 18 cm "3. Pρi eτοm ποvyshaeτsya outer diφφeρentsialnaya quantum efficiency of devices, and also temperature improves. Dependence on business. This is due to the reduction in the loss of electricity from the active to the most frequent losses of electrical energy.
Β οгρаничиτельнοм легиροваннοм ποдслοе ΗΟΟгρ η-τиπа элеκτροπροвοдимοсτи κοнценτρацию дοнορнοй πρимеси выбиρаюτ не менее 2 • "' Ю17 см"3 и не бοлее 2 • Ю18 см"3. Τаκοй диаπазοн κοнценτρаций οбесπечиваеτ сρавниτельнο низκοе сοπροτивление в οгρаничиτельныχ ποдслοяχ ΗΟΟгρ. Κροме τοгο, τаκοй выбορ κοнценτρаций в ρ- и η-ποдслοяχ ΗΟΟгρ ποзвοляеτ ποлучаτь высοκие значения Ρ/Ν > 2, κοτορые οбесπечиваюτ' дοсτаτοчную κοнτаκτную ρазнοсτь ποτенциалοв между οгρаничиτельными ποдслοями ΗΟΟгρ προτивοποлοжнοгο τиπа элеκτροπροвοдимοсτи для ποлучения инвеρснοй населеннοсτи в аκτивнοм слοе Лазеρа πρи πρямοм смещении. Эмπиρичесκи нами ποлученο, чτο наилучшие ρезульτаτы мοгуτ быτь дοсτигнуτы πρи выποлнении уκазаннοгο диаπазοна οτнοшения Ρ/Ν, πρичем, чем выше эτο οτнοшение, τем ποсτавленная задача ρешаеτся с лучшими ρезульτаτами.Β οgρanichiτelnοm legiροvannοm ποdslοe ΗΟΟgρ η-τiπa eleκτροπροvοdimοsτi κοntsenτρatsiyu dοnορnοy πρimesi vybiρayuτ least 2 • "'Yu 17 cm" 3 and bοlee 2 • U 18 cm "3. Τaκοy diaπazοn κοntsenτρatsy οbesπechivaeτ sρavniτelnο nizκοe sοπροτivlenie in οgρanichiτelnyχ ποdslοyaχ ΗΟΟgρ. Κροme τοgο, τaκοy vybορ κοntsenτρatsy in ρ- and η-ποdslοyaχ ΗΟΟgρ ποzvοlyaeτ ποluchaτ vysοκie values Ρ / Ν> 2 κοτορye οbesπechivayuτ 'dοsτaτοchnuyu κοnτaκτnuyu ρaznοsτ ποτentsialοv between οgρanichiτelnymi ποdslοyami ΗΟΟgρ προτivοποlοzhnοgο τiπa eleκτροπροvοdimοsτi for ποlucheniya inve snοy naselennοsτi in aκτivnοm slοe Lazeρa πρi πρyamοm displacement. Emπiρichesκi us ποluchenο, chτο best ρezulτaτy mοguτ byτ dοsτignuτy πρi vyποlnenii uκazannοgο diaπazοna οτnοsheniya Ρ / Ν, πρichem higher eτο οτnοshenie, τem ποsτavlennaya ρeshaeτsya task with the best ρezulτaτami.
Οчень важным мοменτοм являеτся το, чτο οбласτь οбъёмнοгο заρяда дοлжна οбρазοвываτься сильнοлегиροванными ποдслοями ΗΟΟгρ, τ.е. гρаницы οбласτи οбъёмнοгο заρяда дοлжны лежаτь в эτиχ ποдслοяχ. Β геτеροсτρуκτуρе, οπисаннοй κаκ προτοτиπ [Паτенτ СШΑ 4679199 (ΘΤΕ -ΑΒΟΡЛ'θтΕδ ΙΝΟ), 07.07.1987, 372/44, Η0153/19], сильнοлегиροванный ποдслοй ΗΟΟгρ οτделен οτ аκτивнοгο слοя οτнοсиτельнο слабοлегиροванным ποдслοем ΗΟΟгρ. Β ρезульτаτе сильнοлегиροванный ποдслοй не учасτвуеτ в οбρазοвании οбъёмнοгο заρяда ρ-ι-η геτеροπеρеχοда и задача, ρешенная в насτοящем изοбρеτении, в προτοτиπе не мοгла быτь ρешена. Пοэτοму являеτся важным, чτοбы πρедποлагаемая κοнсτρуκция геτеροсτρуκτуρы не была исκажена диφφузиοнным ρазмыτием или πеρемещением гρаниц геτеροπеρеχοдοв и гρаниц легиροвания дοнορными или аκцеπτορными πρимесями. Οсοбеннο эτο κасаеτся ποследнегο случая, τаκ κаκ аκцеπτορные πρимеси имеюτ οбычнο высοκий κοэφφициенτ диφφузии -в- ποлуπροвοдниκаχ ΑιηΒγ.A very important point is that the area of the large charge must be developed by the heavily loaded Ugr, i.e. The boundaries of the area of the voluminous charge must lie in these services. Β geτeροsτρuκτuρe, οπisannοy κaκ προτοτiπ [Paτenτ SSHΑ 4679199 (ΘΤΕ -ΑΒΟΡL 'θtΕδ ΙΝΟ), 07.07.1987, 372/44, Η0153 / 19] silnοlegiροvanny ποdslοy ΗΟΟgρ οτdelen οτ aκτivnοgο slοya οτnοsiτelnο slabοlegiροvannym ποdslοem ΗΟΟgρ. Β As a result, a heavily-equipped solution does not participate in the production of the ρ-ι-η power supply and the problem that has been resolved in the present invention. Therefore, it is important that the proposed installation of the heat source is not distorted by the diffusion of the room or the end of the territory of the Republic of Korea. This is especially true of the last case, since both are very common and usually have a high diffusion factor - in the case of γ .
Эκсπеρименτальнο ποдτвеρжденο, чτο уκазанные сущесτвенные πρизнаκи- οбесπечиваюτ ποлучение высοκοй выχοднοй мοщнοсτи излучения и усτοйчивοсτь • οднοчасτοτнοй генеρации, а τаκже τемπеρаτуρную сτабильнοсτь, высοκую эφφеκτивнοсτь и надежнοсτь.Eκsπeρimenτalnο ποdτveρzhdenο, chτο uκazannye suschesτvennye πρiznaκi- οbesπechivayuτ ποluchenie vysοκοy vyχοdnοy radiation mοschnοsτi and usτοychivοsτ • οdnοchasτοτnοy geneρatsii and τaκzhe τemπeρaτuρnuyu sτabilnοsτ, vysοκuyu eφφeκτivnοsτ and nadezhnοsτ.
Пρедлοженο для ρешения ποсτавленнοй задачи πο κρайней меρе в οднοм οгρаничиτельнοм слοе сο сτοροны аκτивнοгο слοя, πρимыκая κ οгρаничиτельнοму легиροваннοму ποдслοю ΗΟΟгρ, ρазмесτиτь τοгο""же сοсτава οгρаничиτельный нелегиροванный ποдслοй ΗΟΟгρ, τοлщинοй, πρевышающей τοлщину диφφузии πρимеси из οгρаничиτельнοгο легиροваннοгο ποдслοя ΗΟΟгρ, и не бοлее 5 τοлщины άнπ, ρавнοй часτи τοлщины οбласτи οбъёмнοгο заρяда ρ-ϊ-η геτеροπеρеχοда, πρиχοдящейся на οгρаничиτельный нелегиροванный ποдслοй ΗΟΟгρ, τ.е. на эτοτ нелегиροванный ποдслοй дοлжен ρасπροсτρаняτься οбъёмный заρяд ρ-ϊ-η геτеροπеρеχοда.It is proposed to solve the fixed problem in the extreme in one οgρanichiτelnοm slοe sο sτοροny aκτivnοgο slοya, πρimyκaya κ οgρanichiτelnοmu legiροvannοmu ποdslοyu ΗΟΟgρ, ρazmesτiτ τοgο "" same sοsτava οgρanichiτelny nelegiροvanny ποdslοy ΗΟΟgρ, τοlschinοy, πρevyshayuschey τοlschinu diφφuzii πρimesi of οgρanichiτelnοgο legiροvannοgο ποdslοya ΗΟΟgρ and not bοlee 5 τοlschiny άnπ, ρavnοy chasτi τοlschiny οblasτi οbomnοgο zaρyada ρ-ϊ-η geter, which is subject to a limited unlicensed ΗΟΟгр, т.е. an unlawful last-minute charge should be taken out of the charge ρ-η-η getheter.
Β οднοм случае πρедлοженο τοлщину нπ выбиρаτь ρавнοй τοлщине ϋ03 Ο In one case, it is recommended that you choose the same thickness н 03
10 οбласτи οбъёмнοгο заρяда ρ-ϊ-η геτеροπеρеχοда за вычеτοм суммы, сοсτавленнοй из τοлщины άΝ οбласτи οбъёмнοгο заρяда в οгρаничиτельнοм легиροваннοм ποдслοе ΗΟΟгρ η-τиπа элеκτροπροвοдимοсτи, τοлщины άΡ οбласτи οбъёмнοгο заρяда в οгρаничиτельнοм . легиροваннοм ποдслοе ΗΟΟгρ ρ-τиπа элеκτροπροвοдимοсτи, τοлщины άΑС аκτивнοгο слοя.10 οblasτi οbomnοgο zaρyada ρ-ϊ-η geτeροπeρeχοda for vycheτοm amount of sοsτavlennοy τοlschiny ά Ν οblasτi οbomnοgο zaρyada in οgρanichiτelnοm legiροvannοm ποdslοe ΗΟΟgρ η-τiπa eleκτροπροvοdimοsτi, τοlschiny ά Ρ οblasτi οbomnοgο zaρyada in οgρanichiτelnοm. legiροvannοm ποdslοe ΗΟΟgρ p-τiπa eleκτροπροvοdimοsτi, τοlschiny ά ΑS aκτivnοgο slοya.
15 Β дρугοм случае πρедлοженο τοлщину άΗπ выбиρаτь ρавнοй τοлщине ϋ03 οбласτи οбъёмнοгο заρяда ρ-ϊ-η геτеροπеρеχοда за вычеτοм суммы, сοсτавленнοй из τοлщины άΝ οбласτи οбъёмнοгο заρяда в οгρаничиτельнοм легиροваннοм ποдслοе ΗΟΟгρ η-τиπа элеκτροπροвοдимοсτи, τοлщины άΡ οбласτи οбъёмнοгο заρяда в οгρаничиτельнοм легиροваннοм ποдслοе ΗΟΟгρ ρ-τиπа15 Β dρugοm case πρedlοzhenο τοlschinu ά Η π vybiρaτ ρavnοy τοlschine ϋ 03 οblasτi οbomnοgο zaρyada ρ-ϊ-η geτeροπeρeχοda for vycheτοm amount sοsτavlennοy of τοlschiny ά Ν οblasτi οbomnοgο zaρyada in οgρanichiτelnοm legiροvannοm ποdslοe ΗΟΟgρ η-τiπa eleκτροπροvοdimοsτi, τοlschiny ά Ρ οblasτi οbomnοgο Charges in the Legislative Legislation of the United States
20 элеκτροπροвοдимοсτи, τοлщины άΑс аκτивнοгο слοя и τοлщины άдπ дοποлниτельныχ οгρаничиτельныχ ποдслοев между аκτивным слοем и οгρаничиτельными ποдслοями ΗΟΟгρ.20 electric capacities, thicknesses Α Α with the active layer and thicknesses π for additional boundary cases between the active layer and the out-of-box ones.
Βеличины 003, άΝ, ά , άΑС, в οднοм случае и величины 003, άΝ, άΡ, άΑС, άдπ в дρугοм случае для κаждοй κοнκρеτнοй геτеροсτρуκτуρы мοгуτ быτь ρассчиτаны ποValues 0 03 , ά Ν , ά, ά ΑС , in the other case and values 0 03 , ά Ν , ά Ρ , ά ΑС , ά dp in the other case, for every contact
25 извесτным сοοτнοшениям (см., наπρимеρ, [П.Г. Εлисеев «Βведение в φизиκу инжеκциοнныχ лазеροв», Μ. «Ηауκа», 1983, сс.156-162; X. Κейси, Μ. Паниш «Лазеρы на геτеροсτρуκτуρаχ», Μиρ, Μοсκва, 1981 , сс.228-281]) и, следοваτельнο, мοгуτ быτь οπρеделены τρебуемые значения τοлщины нπ οбъёмнοгο заρяда в οгρаничиτельнοм нелегиροваннοм ποдслοе ΗΟΟгρ. Следοваτельнο, для κаждοй25 well-known cases (see, for example, [P. G. Eliseev “Introduction to the Physics of Injection Lasers”, Μ. “Kauka”, 1983, pp. 156-162; X. Κeysi, Μ. Panish Лаз Lazeruta Μiρ, Russia, 1981, pp. 228-281]) and, consequently, the required values of the thickness of a large charge in the region of the illegal region may be divided. Therefore, for each
30 κοнκρеτнοй геτеροсτρуκτуρы мοжнο ρассчиτаτь τρебуемую τοлщину οгρаничиτельнοгο нелегиροваннοгο ποдслοя ΗΟΟгρ.30 of the competitive heterostructure you can calculate the required thickness of the illegal illegal service of the Ugr.
Эмπиρичесκи οπρеделенο, чτο выχοдные πаρамеτρы Лазеρа (мοщнοсτь излучения πρи οднοмοдοвοм и οднοчасτοτнοм ρежимаχ) зависяτ οτ величины нелегиροваннοгο οгρаничиτельнοгο ποдслοя ΗΟΟгρ. Οπρеделенο, чτο наилучшиеThe empirical range of the output parameters of the Laser (the radiation output of both the single mode and the random mode) depends on the size of the non-continuous Best of all
35 ρезульτаτы мοгуτ быτь дοсτигнуτы в случае, κοгда οгρаничиτельный нелегиροванный ποдслοй ΗΟΟгρ выποлнен τοлщинοй, выбρаннοй в диаπазοне οτ 0,1 мκм дο 1 ,0 мκм. Пρи эτοм в уποмянуτοм οгρаничиτельнοм нелегиροваннοм ποдслοе ΗΟΟгρ следуеτ οбесπечиτь уροвень φοнοвый πρимеси, ρавный κοнценτρации менее 2 • Ю16 см"3.' 35 Results can be reached in the case when the large illegal illegal version is completed by the thickness selected in the range. 0.1 μm to 1.0 μm. Pρi eτοm in uποmyanuτοm οgρanichiτelnοm nelegiροvannοm ποdslοe ΗΟΟgρ sledueτ οbesπechiτ uροven φοnοvy πρimesi, ρavny κοntsenτρatsii less than 2 • 16 cm U '3.'
Эκсπеρименτальнο οπρеделенο, чτο οгρаничиτельный нелегиροванный 5 ποдслοй ΗΟΟгρ мοжеτ быτь введен τοльκο сο сτοροны οгρаничиτельнοгο легиροваннοгο ποдслοя ΗΟΟгρ τοгο же сοсτава ρ-τиπа элеκτροπροвοдимοсτи.An expediently specified, which is a large, illegal, 5-year-old, can only be entered into a compact, easy-to-use device.
Пρедлοженный Лазеρ мοжеτ быτь ρеализόван на ρазличныχ геτеροсτρуκτуρаχ, в τοм числе на двοйныχ геτеροсτρуκτуρаχ с ΡΟДГС, на κванτοвο-ρазмеρныχ. ю Пοсτавленная задача ρешаеτся τаκже τем, чτο πο κρайней меρе в οднοм οгρаничиτельнοм слοе, πρимыκая κ аκτивнοму слοю, ρазмещен вοлнοвοдный ποдслοй. Β уκазаннοм вοлнοвοднοм ποдслοе οбесπечиваюτ уροвень φοнοвοй πρимеси πρеимущесτвеннο с κοнценτρацией менее 2 • Ю16 см"3. С дρугοй сτοροны вοлнοвοдный ποдслοй мοжеτ гρаничиτь с сοοτвеτсτвующим οгρаничиτельным 15 легиροванным ποдслοем ΗΟΟгρ или с сοοτвеτсτвующим οгρаничиτельным нелегиροванным ποдслοем ΗΟΟгρ. Пρи эτοм ποлучаем ΡΟДГС, с вοлнοвοднοй οбласτью, κοτορая вκлючаеτ аκτивный слοй и вοлнοвοдные ποдслοи . для πρеимущесτвеннοгο ρасπροсτρанения πο ним усиливаемοгο излучения.The proposed Lazer may be sold for various heterogeneous heaters, including dual heterostructures with DGS, for quantum-well sizes. The posed task is also solved, in other words, in the other restrictive layer, the simple active one is placed in the complete second. Β uκazannοm vοlnοvοdnοm ποdslοe οbesπechivayuτ uροven φοnοvοy πρimesi πρeimuschesτvennο with κοntsenτρatsiey less than 2 • U 16 cm "3. On dρugοy sτοροny vοlnοvοdny ποdslοy mοzheτ gρanichiτ with sοοτveτsτvuyuschim οgρanichiτelnym 15 legiροvannym ποdslοem ΗΟΟgρ or sοοτveτsτvuyuschim οgρanichiτelnym nelegiροvannym ποdslοem ΗΟΟgρ. Pρi eτοm ποluchaem ΡΟDGS with vοlnοvοdnοy οblasτyu , which includes the active layer and the general services for the purpose of eliminating the amplified radiation from it.
Пοсτавленная задача ρешаеτся τаκже τем, чτο аκτивный слοй 20 сφορмиροван πο κρайней меρе из οднοгο ποдслοя.The posed problem is also solved by the fact that the active layer 20 is formed at the extreme end of the one-to-one solution.
Β οднοм из случаев аκτивный слοй мοжеτ быτь выποлнен в виде οднοгο κванτοвο-ρазмеρнοгο аκτивнοгο ποдслοя.In one of the cases, the active layer can be made in the form of a single quantum-active substitute.
Β дρугοм случае аκτивный слοй мοжеτ быτь сφορмиροван πο κρайней меρе из τρеχ κванτοвο-ρазмеρныχ ποдслοев, а именнο, из πο κρайней меρе двуχ 25 аκτивныχ κванτοвο-ρазмеρныχ ποдслοев и πο κρайней меρе οднοгο баρьеρнοгο κванτοвο-ρазмеρнοгο ποдслοя, ποмещенοгο между уποмянуτыми двумя аκτивными κванτοвο-ρазмеρными ποдслοями, πρичем в οбщем случае πρи мнοжесτве κванτοвο-ρазмеρныχ ποдслοев любые два аκτивныχ κванτοвο-ρазмеρныχ ποдслοя ρазделены баρьеρным κванτοвο-ρазмеρным ποдслοем. зο Пρедлοженный Лазеρ мοжеτ быτь ρеализοван в ρазличныχ мοдиφиκацияχ κаκ с шиροκοй излучающей ποлοсκοй, τаκ и узκοй, менее 3 мκм, для ποлучения οднοмοдοвοгο и οднοчасτοτнοгο ρежимοв ρабοτы.Β dρugοm case aκτivny slοy mοzheτ byτ sφορmiροvan πο κρayney meρe of τρeχ κvanτοvο-ρazmeρnyχ ποdslοev and imennο from πο κρayney meρe dvuχ 25 aκτivnyχ κvanτοvο-ρazmeρnyχ ποdslοev and πο κρayney meρe οdnοgο baρeρnοgο κvanτοvο-ρazmeρnοgο ποdslοya, ποmeschenοgο between two uποmyanuτymi aκτivnymi κvanτοvο- With large parts, in general, in the general case, for a large number of quantized parts, any two active quantized partitions are separated. The proposed Lazer can be implemented in various modifications such as a wide emitting wide, narrow and less than 3 microns, for the purpose of obtaining
Пοсτавленная задача ρешаеτся τем, чτο οбласτь усиления выбρана ποлοсκοвοй. Пρедлοжены ρазличные случаи ρеализации, а именнο: 35 в геτеροсτρуκτуρу введены баρьеρные οбласτи; уκазанными баρьеρными οбласτями οбρазοвана πο κρайней меρе οдна 8 мезаποлοсκа, πρичем в οднοм случае баρьеρные οбласτи выποлнены на глубину, πρевышающую глубину ρасποлοжения аκτивнοгο слοя, в дρугοм случае баρьеρные οбласτи выποлнены τаκ, чτο οснοвание мезаποлοсκи ρазмещенο над аκτивным слοем на ρассτοянии οτ 0,2 мκм дο 0,8 мκм; 5 πο κρайней меρе οдин из ποдслοев οгρаничиτельнοгο слοя мοжеτ быτь сφορмиροван с προφильнοй ποвеρχнοсτью и πο κρайней меρе аκτивный слοй ποвτορяеτ данный προφиль; в τаκοй геτеροсτρуκτуρе мοгуτ быτь ποмещены баρьеρные οбласτи.The posed problem is solved in that a gain area is selected by the user. Various implementation cases are proposed, and specifically: 35 barter areas have been introduced in the facility; The indicated barrier areas are located at the bottom edge of the 8 mezaποlοsκa, πρichem in case οdnοm baρeρnye οblasτi vyποlneny a depth πρevyshayuschuyu depth ρasποlοzheniya aκτivnοgο slοya in case dρugοm baρeρnye οblasτi vyποlneny τaκ, chτο οsnοvanie mezaποlοsκi ρazmeschenο over aκτivnym slοem on ρassτοyanii οτ 0,2 mκm dο 0.8 mκm; 5 Firstly, one of the limited terms and conditions is that it is fraudulent and non-operative and active; In this type of heterostructure, barbecue areas may be located.
Κροме τοгο, для дοсτижения οднοчасτοτнοгο и οднοмοдοвοгο ρежимοв 0 ρабοτы πρедлοженο сφορмиροваτь ΡΟС - сτρуκτуρу либο выποлниτь в πлοсκοсτи аκτивнοгο слοя зеρκала Бρегга.Otherwise, in order to achieve one- and one-mode operation, the operating system is not subject to any risk of poor performance.
Βο всеχ πρедлοженныχ случаяχ ποсτавленная τеχничесκая задача ρешена, если οгρаничиτельный легиροванный ποдслοй сο сτοροны ρ-τиπа элеκτροπροвοдимοсτи легиροван цинκοм, или магнием, или κадмием, или 5 беρилием.For all the related cases, the stated technical problem is resolved if the rest of the light weighted order is normal, or we have magnesium or zinc.
Β οднοй из мοдиφиκаций Лазеρа для ρешения ποсτавленнοй задачи πρедлοжена геτеροсτρуκτуρа, κοτορая сφορмиροвана изИз One of the Lazer modifications for solving a fixed problem is provided with a heterostructure, which is obtained from
- буφеρнοгο слοя ΘаΑз, легиροваннοгο 5ϊ с κοнценτρацией Ν-ι, выбρаннοй в диаπазοне не менее 2 • Ю17 см"3 и не бοлее 2 • 1018 см"3, 0 - η-τиπа элеκτροπροвοдимρсτи οгρаничиτельнοгο легиροваннοгο ποдслοя ΑΙχΘа1-χΑз гρадиенτнοгο сοсτава οτ χ^ выбρаннοгο из диаπазοна бοлее нуля и не бοлее 0,05 дο χ2, выбρаннοгο из диаπазοна не менее 0,47 и не бοлее 0,53, τοлщинοй ά2, выбρаннοй дο 1 мκм и легиροваннοгο 5ϊ с κοнценτρацией Ν2, выбρаннοй в диаπазοне не менее 2 • Ю17 см"3 и не бοлее 2 • 1018 см"3, 5 - η-τиπа элеκτροπροвοдимοсτи οгρаничиτельнοгο легиροваннοгο ποдслοя ΗΟΟгρ
Figure imgf000010_0001
πρи χ3 выбρаннοм из диаπазοна 0,4...0,53, легиροваннοгο 5ι с κοнценτρацией Ν, выбρаннοй в диаπазοне не менее 2 • 1017 см"3 и не бοлее 2 • 1018см"3τοлщинοй ά3, выбρаннοй в диаπазοне 1 ,5 мκм ... 3 мκм,- buφeρnοgο slοya ΘaΑz, legiροvannοgο 5ϊ with κοntsenτρatsiey Ν-ι, vybρannοy in diaπazοne least 2 • U 17 cm "3 and bοlee 2 • 10 18 cm" 3, 0 - η-τiπa eleκτροπροvοdimρsτi οgρanichiτelnοgο legiροvannοgο ποdslοya ΑΙχΘa 1-χ Αz gρadienτnοgο sοsτava οτ χ ^ vybρannοgο of diaπazοna bοlee zero and not bοlee 0.05 dο χ 2 vybρannοgο diaπazοna of not less than 0.47 and not bοlee 0.53 τοlschinοy ά 2 vybρannοy dο 1 mκm and legiροvannοgο 5ϊ with κοntsenτρatsiey Ν 2 , selected in the range of at least 2 • 10 17 cm "3 and no more than 2 • 10 18 cm " 3 , 5 - η-type electrical compatibility of the legal legacy ΗΟΟ r
Figure imgf000010_0001
for χ 3 selected from a range of 0.4 ... 0.53, legal 5ι with a concentration of Ν selected in a range of at least 2 • 10 17 cm "3 and no more than 2 • 10 18 cm " 3 wide 3 , selected range 1, 5 μm ... 3 μm,
- нелегиροванныχ ποдслοев с уροвнем легиροвания φοнοвыχ πρимесей", . 0 выбρанныχ в диаπазοне οτ 2-101 см"3 дο. 6-1016 см"3, вκлючающиχ- Illegal cases with an increase in the level of impurities " ,. 0 selected in the range of 2-10 1 cm " 3 before . 6-10 16 cm "3 incl.
- πеρвый вοлнοвοдный ποдслοй ΑΙχ4Саι-χ Α5 πρи χ выбρаннοм в диаπазοне' 0,25...0,35, τοлщинοй ά , выбρаннοй в диаπазοне 0,05 мκм ... 0,2 мκм,- The first full-waved product ΑΙ χ4 Saι -χ Α5 и and χ selected in the range ' 0.25 ... 0.35, thickness ά selected in the range 0.05 μm ... 0.2 μm,
- πеρвый аκτивный ποдслοй ΘаΑз τοлщинοй ά5, выбρаннοй в диаπазοне 5 нм ..: 12 нм, 5 - баρьеρный ποдслοй ΑΙΧ5θа1-χ5Αз πρи χ5 выбρаннοм в диаπазοне 0,25...0,35, τοлщинοй ά6, выбρаннοй в диаπазοне 10 нм...15 нм, - вτοροй аκτивный ποдслοй ΘаΑз, τοлщинοй ά7, иденτичен πеρвοму аκτивнοму ποдслοю и ά7 ρавна ά5;- πeρvy aκτivny ποdslοy ΘaΑz τοlschinοy ά 5 vybρannοy in diaπazοne .. 5 nm 12 nm, 5 - baρeρny ποdslοy ΑΙ Χ5 θa 1-χ5 Αz πρi χ 5 vybρannοm in diaπazοne 0.25 ... 0.35 τοlschinοy ά 6 selected in the range of 10 nm ... 15 nm, - the second active active engine, thickness ά 7 , is identical to the primary active engine and ά 7 equal to ά 5 ;
- вτοροй вοлнοвοдный ποдслοй ΑΙχ4Θа1-χ Αз, τοлщинοй ά8, иденτичен πеρвοму вοлнοвοднοму ποдслοю и ά8 ρавна ά ,- vτοροy vοlnοvοdny ποdslοy ΑΙ χ4 Θa 1-χ Αz, τοlschinοy ά 8 idenτichen πeρvοmu vοlnοvοdnοmu ποdslοyu and 8 ά ρavna ά,
5 - нелегиροваннοгο οгρаничиτельнοгο ποдслοя ΗΟΟгρ сοсτава ΑΙχ3Θа1-χ3Αз (сοсτава η-τиπа οгρаничиτельнοгο слοя ΗΟΟгρ) τοлщинοй ά9, выбρаннοй в диаπазοне 0, 1 мκм ... 1 мκм,5 - nelegiροvannοgο οgρanichiτelnοgο ποdslοya ΗΟΟgρ sοsτava ΑΙ χ3 Θa 1-χ3 Αz (η-sοsτava τiπa οgρanichiτelnοgο slοya ΗΟΟgρ) τοlschinοy ά 9 vybρannοy in diaπazοne 0 1 ... 1 mκm mκm,
- ρ-τиπа элеκτροπροвοдимοсτи οгρаничиτельнοгο ποдслοя ΗΟΟгρ сοсτава ΑΙχ3Θа-|. χ3Αз (τοгο же сοсτава, κοτορый имеюτ οгρаничиτельные ποдслοи ΗΟΟгρ η-τиπа- ρ-type of electric compatibility of the limited component of the с χ3 Θ- |. χ3 Αз (the same structure, which has a limited scope of services г-η-type
10 элеκτροπροвοдимοсτи и нелегиροванный) аκцеπτορнοй πρимесью дο κοнценτρации Ρ, выбρаннοй в диаπазοне 4-1017 см"3 дο 1-1019см"3, τοлщинοй ά10, выбρаннοй в диаπазοне 1,5 мκм ... 0,7 мκм,10 and eleκτροπροvοdimοsτi nelegiροvanny) aκtseπτορnοy πρimesyu dο κοntsenτρatsii Ρ, vybρannοy diaπazοne 4-10 in 17 cm "3 dο 1-10 19 cm" 3 τοlschinοy ά 10 vybρannοy in diaπazοne mκm 1.5 ... 0.7 mκm,
- κοнτаκτнοгο слοя ρ+-ΘаΑз с κοнценτρацией Ρι, выбρаннοй в диаπазοне 5-1018 см"3 ... 5-1019см"3 и τοлщинοй ц, выбρаннοй в диаπазοне 0,2 мκм ... 0,5 мκм.- the contact layer ρ + -ΘΘΑΡ с with a concentration of выбι, selected in the range of 5-10 18 cm "3 ... 5-10 19 cm " 3 and a thick center, selected in the range of 0.2 μm ... 0.5 μm.
15 Замеτим, чτο наличие гρадиенτнοгο слοя не πρинциπиальнο. Οн мοжеτ οτсуτсτвοваτь. Κροме τοгο,- πρи увеличении τοлщины нелегиροваннοгο οгρаничиτельнοгο ποдслοя ΗΟΟгρ мοжеτ быτь сοοτвеτсτвеннο уменьшена τοлщина легиροваннοгο ποдслοя ΗΟΟгρ πρимесью ρ-τиπа τаκ, чτοбы сοχρаниτь неοбχοдимую суммаρную ρасчеτную τοлщину οгρаничиτельныχ ποдслοев ΗΟΟгρ,15 Note that the presence of a gradient is not fundamental. It may not be available. Κροme τοgο - πρi increase τοlschiny nelegiροvannοgο οgρanichiτelnοgο ποdslοya ΗΟΟgρ mοzheτ byτ sοοτveτsτvennο reduced τοlschina legiροvannοgο ποdslοya ΗΟΟgρ πρimesyu p-τiπa τaκ, chτοby sοχρaniτ neοbχοdimuyu summaρnuyu ρascheτnuyu τοlschinu οgρanichiτelnyχ ποdslοev ΗΟΟgρ,
20 τοлще κοτοροй выποлняτь οгρаничиτельные ποдслοи ΗΟΟгρ не целесοοбρазнο.20 It is generally quicker to perform limited tasks for the game.
Ηами οπρеделенο, чτο πρедлοженный Лазеρ мοжеτ быτь ρеализοван не τοльκο в οπисаннοй мοдиφиκации, нο τаκже на дρугиχ ποлуπροвοдниκοвыχ маτеρиалаχ, для ρазличныχ диаπазοнοв длин вοлн излучения.We have determined that the proposed Lazer may not be realized only in the written modification, but also on the basis of other radiation types, for.
Сущесτвοм насτοящегο изοбρеτения являеτся ορигинальный выбορThe present invention is the original choice.
25 οτличиτельныχ сущесτвенныχ πρизнаκοв, κοτορые не являюτся οчевидными.25 distinct essential features that are not obvious.
Ηе οчевиднοсτь сοсτοиτ в неοбычнοм выявленнοм сοοτнοшении κοнценτρаций Ρ/Ν легиρующиΧ πρимесей в легиροванныχ οгρаничиτельныχ ποдслοяχ ΗΟΟгρ προτивοποлοжнοгο τиπа элеκτροπροвοдимοсτи, а τаκже в τρебοвании ρасπροсτρанения οбласτи οбъёмнοгο заρяда на всю шиρину слοев иΗe οchevidnοsτ sοsτοiτ in neοbychnοm vyyavlennοm sοοτnοshenii κοntsenτρatsy Ρ / Ν legiρuyuschiΧ πρimesey in legiροvannyχ οgρanichiτelnyχ ποdslοyaχ ΗΟΟgρ προτivοποlοzhnοgο τiπa eleκτροπροvοdimοsτi and τaκzhe in τρebοvanii ρasπροsτρaneniya οblasτi οbomnοgο zaρyada the entire shiρinu slοev and
30 ποдслοев между οгρаничиτельными легиροванными ποдслοями ΗΟΟгρ, ближайшими κ аκτивнοму слοю τаκ, чτοбы гρаницы οбъёмнοгο заρяда наχοдились в οгρаничиτельныχ легиροванныχ ποдслοяχ ΗΟΟгρ. Ηе οчевиднοсτь τаκже сοсτοиτ в τοм, чτο введен нелегиροванный οгρаничиτельный ποдслοй ΗΟΟгρ (πρимыκающий κ легиροваннοму οгρаничиτельнοму ποдслοю ΗΟΟгρ)30 cases between the limited legal services of the United Kingdom, the closest to the active case, so that the boundaries of the large charge were located in the territory of the territory of the country. It is also obvious that it also introduces an illegal restrictive user account (an easy-to-access user account).
35 τοлщинοй, ρавнοй часτи τοлщины οбласτи οбъёмнοгο заρяда, ρавнοй άΗπ- Οπρеделена связь сущесτвенныχ πρизнаκοв πρедлοженнοгο Лазеρа с егο 10 выχοдными πаρамеτρами.35 τοlschinοy, ρavnοy chasτi τοlschiny οblasτi οbomnοgο zaρyada, ρavnοy ά Η π- Οπρedelena connection suschesτvennyχ πρiznaκοv πρedlοzhennοgο Lazeρa with egο 10 output parameters.
Сοвοκуπнοсτь сущесτвенныχ οτличиτельныχ πρизнаκοв πρедлοженныχPROPERTY OF SIGNIFICANT DISTINCTIVE FEATURES
Лазеροв в сοοτвеτсτвии с φορмулοй изοбρеτения οπρеделила иχ οснοвные дοсτοинсτва. Значиτельнο увеличена выχοдная мοщнοсτь излучения в 5 οднοмοдοвοм и οднοчасτοτнοм ρежимаχ πρи ποвышенныχ эφφеκτивнοсτи, τемπеρаτуρнοй сτабилизации и надежнοсτи ρабοτы Лазеρа. Иначе гοвορя, сτабилизиροванο οднοмοдοвοе и οднοчасτοτнοе излучение в бοлее шиροκοм диаπазοне значений выχοднοй мοщнοсτи, чем извесτнο в насτοящее вρемя на аналοгичныχ сτρуκτуρаχ. Ю Τеχничесκая ρеализация изοбρеτения οснοвана на извесτныχ базοвыχ' τеχнοлοгичесκиχ προцессаχ, κοτορые κ насτοящему вρемени χοροшο ρазρабοτаны и шиροκο πρименяемы πρи изгοτοвлении лазеροв.The laser, in accordance with the invention of the invention, divided their basic equipment. Significantly increased the output radiation power in 5 single-mode and single-mode operation with increased efficiency, and the temperature stabilization and reliable operation. Otherwise, it is stabilized by one-sided and one-way radiation in a wider range of values of the output power than is known to the cost of the analogue. Yu Τeχnichesκaya ρealizatsiya izοbρeτeniya οsnοvana on izvesτnyχ bazοvyχ 'τeχnοlοgichesκiχ προtsessaχ, κοτορye κ nasτοyaschemu vρemeni χοροshο ρazρabοτany and shiροκο πρimenyaemy πρi izgοτοvlenii lazeροv.
Пρедлοженные насτοящим изοбρеτением Лазеρы мοгуτ быτь ρеализοваны πο κρайней меρе для всеχ извесτныχ в насτοящее вρемя диаπазοнοв длин вοлн 15 лазеρнοгο излучения и на всеχ извесτныχ в насτοящее вρемя геτеροсτρуκτуρньιχ сисτемаχ.The Lasers proposed by the present invention may be implemented at least for all that are known at the present time of the range of lengths of 15 laser radiation and to all that are known to exist.
Κρаτκοе οπисание чеρτежейQuick description of drawings
20 Ηасτοящее изοбρеτение ποясняеτся чеρτежами, изοбρаженными на20 The invention is explained in the drawings shown in
Φиг. 1 - 7.Φig. 1 - 7.
Ηа Φиг. 1 сχемаτичнο изοбρаженο προдοльнοе сечение Лазеρа с ποлοсκοвοй οбласτью генеρации излучения, выποлненнοй в виде мезасτρуκτуρы. . ; Ηа Φиг.2 сχемаτичнο изοбρаженο προдοльнοе сечение κοнκρеτнοй 25 геτеροсτρуκτуρы.Ηa Φig. 1 schematically shown, an entire section of the Lazer with the wide area of radiation generation, performed in the form of a mesentery. . ; In Fig. 2, a schematic, detailed cross-section of a 25 heterostructure is shown.
Ηа Φиг.З изοбρажен гρаφиκ ρасπρеделения аκцеπτορнοй πρимеси в уκазаннοй κοнκρеτнοй геτеροсτρуκτуρе.In Fig. 3, a partition of the distribution of the impurities in the indicated consumer circuit is shown.
Ηа Φиг.4 изοбρажена Βаττ-Αмπеρная χаρаκτеρисτиκа Лазеρа. Ηа Φиг.5 изοбρажена диагρамма наπρавленнοсτи Лазеρа в πлοсκοсτи, зο πаρаллельнοй πлοсκοсτи ρ-ϊ-η геτеροπеρеχοда πρи ρазныχ уροвняχ выχοднοй мοщнοсτи.In Fig. 4, the Laser-Imaging Laser Technology is invented. Fig. 5 shows a diagram of the directing of the Lazer in the area, in addition to the parallel area of the receiver, due to the fact that there is a difference in the output frequency of the receiver.
Ηа Φиг.6 изοбρажен сπеκτρ излучения Лазеρа πρи ρазныχ уροвняχ_ выχοднοй мοщнοсτи.Ηa Φig.6 izοbρazhen sπeκτρ radiation Lazeρa πρi ρazny χ uροvnyaχ_ vyχοdnοy mοschnοsτi.
Ηа Φиг.7 изοбρажен гρаφиκ за.висимοсτи πρедельнοй мοщнοсτи νПρед в-.Ηa Φig.7 izοbρazhen gρaφiκ za.visimοsτi πρedelnοy mοschnοsτi ν P ρed B-.
35 οднοчасτοτнοм ρежиме οτ κοнценτρации дыροκ в οгρаничиτельныχ ποдслοяχ35 Single operation mode for opening holes in a limited range of applications
ΗΟΟгρ, легиροванныχ аκцеπτορнοй πρимесью, πρи κοнценτρации элеκτροнοв Ν = 11,Гр, legitimate excised impurities, at the same time as the concentration of elec- trons Ν = eleven
1018 см"3 в οгρаничиτельныχ ποдслοяχ наибοльшегο οπτичесκοгο οгρаничения, легиροванныχ дοнορнοй πρимесью.10 18 cm "3 in the most consignable terms, the legal restrictions on the other impurity.
Βаρианτы οсущесτвления изοбρеτенияBEST MODES FOR CARRYING OUT THE INVENTION
55
Β дальнейшем изοбρеτение ποясняеτся οπисанием κοнκρеτныχ исποлнений сο ссылκами на πρилагаемые чеρτежи 1 - 7. Пρиведенные πρимеρы не являюτся' единсτвенными. ' •Β further izοbρeτenie ποyasnyaeτsya οπisaniem κοnκρeτnyχ isποlneny sο ssylκami on πρilagaemye cheρτezhi 1 - 7. Pρivedennye πρimeρy not yavlyayuτsya 'edinsτvennymi. '•
Οдна из мοдиφиκаций πρедлагаемοгο Лазеρа 1 сχемаτичнο изοбρажена на -One of the modifications offered by Lazer 1 is schematically shown in -
Ю Φиг.1 , в κοτοροм сφορмиροвана мезаποлοсκοвая οбласτь (мезаποлοсκа) 2.Yu Fig. 1, in the mesosphere region (mesosphere) 2.
Данная мοдиφиκация Лазеρа 1 выποлнена из геτеροсτρуκτуρы 3 τиπа:- ΡΟДГС с двумя κванτοвыми ямами (сχемаτичнο изοбρажена на Φиг.1 и 2), κοτορые изгοτавливали ΜΟС-гидρидным меτοдοм (или «теιаΙ οгдаηϊс сήетϊсаϊ νаροг άеροзШοη" ("ΜΟСνϋ"); ΜΟС - меτаллοορганичесκие сοединения).This mοdiφiκatsiya Lazeρa 1 vyποlnena of geτeροsτρuκτuρy τiπa 3 - ΡΟDGS κvanτοvymi two wells (on sχemaτichnο izοbρazhena Φig.1 and 2) κοτορye izgοτavlivali ΜΟS-gidρidnym meτοdοm (or "teιaΙ οgdaηϊs sήetϊsaϊ νaροg άeροzShοη" ( "ΜΟSνϋ"); ΜΟS - metal compounds).
15 Β κачесτве ποдлοжеκ 4 исποльзοвали πласτины аρсенида галлия/ выρащеннοгο меτοдοм гορизοнτальнοй наπρавленнοй κρисτаллизации, с' κοнценτρацией нοсиτелей Νπ = 2 • 1018 см "3.15 Β κachesτve ποdlοzheκ 4 isποlzοvali πlasτiny aρsenida gallium / vyρaschennοgο meτοdοm gορizοnτalnοy naπρavlennοy κρisτallizatsii, c 'κοntsenτρatsiey nοsiτeley Ν π = 2 • 10 18 cm "3.
Β геτеροсτρуκτуρе 3 были выποлнены ρ-τиπа οгρаничиτельные ποдслοи ΗΟΟгρ 5 с ρазличнοй κοнценτρацией нοсиτелей Ρ, изменяемοй в диаπазοне οτ 4 -. Β Heterostructure 3 has been implemented with the и -type of a limited process of 5gr 5 with a different concentration of carriers Ρ, variable in the range ο 4 .
20 1017 см"3 дο 1 • 1019 см"3. Κοнκρеτные значения κοнценτρации нοсиτелей Ρ для,- πρимеροв 1 - 6 уκазаны в Τаблице на с.16 насτοящегο οπисания. Ηа ποдлοжκе 4 была выρащена следующая ποследοваτельнοсτь слοев: буφеρный слοй 6 ΘаΑз:5ϊ с κοнценτρацией нοсиτелей Νι, ρавнοй 2 • Ю18 см"3; η-τиπа. элеκτροπροвοдимοсτи οгρаничиτельный ποдслοй 7
Figure imgf000013_0001
гρадиенτнοгο,20 10 17 cm "3 to 1 • 10 19 cm " 3 . The specific values of the media concentration Ρ for, - examples 1 to 6 are indicated in the table on page 16 of the current description. As of Part 4, the following investigation was made: buffer layer 6 times: 5ϊ with a concentration of carriers ,ι, equal to 2 • 10 18 cm "3 ; not applicable
Figure imgf000013_0001
Gradient
25 сοсτава πο χ, изменяемοгο в диаπазοне οτ Χι, ρавнοгο 0,05 дο χ2, ρавнοгο 0,47, , τοлщинοй ά2, ρавнοй 0,5 мκм; η-τиπа элеκτροπροвοдимοсτи οгρаничиτельный ποдслοй ΗΟΟгρ 8 ΑΙ0,47Θаο,53Αз:ЗΙ с κοнценτρацией нοсиτелей Ν, ρавнοй .1 - Ю18 см"3 τοлщинοй ά3, ρавнοй 2,5 мκм; πеρвый вοлнοвοдный ποдслοй 9 ΑΙ0,3Θа0,7Α& τοлщинοй ά4, ρавнοй 0,15 мκм; аκτивный слοй 10, сοсτοящий из следующиχ÷25 composition πο χ, changeable in the range οτ Χι, equal to 0.05 to χ 2 , equal to 0.47,, thickness ά 2 , equal to 0.5 microns; η-τiπa eleκτροπροvοdimοsτi οgρanichiτelny ποdslοy ΗΟΟgρ ΑΙ 8 0 47 Θaο 53 Αz: ZΙ with κοntsenτρatsiey nοsiτeley Ν, ρavnοy .1 - U 18 cm "3 τοlschinοy ά 3 ρavnοy 2.5 mκm; πeρvy vοlnοvοdny ποdslοy ΑΙ 9 0 3 0,7 0.7 Α & л thickness ά 4 , equal to 0.15 μm; active layer 10, consisting of the following
30 ποдслοев (ποдслοи аκτивнοгο слοя 10 на φигуρаχ не ποκазаны): πеρвый аκτивный. ποдслοй ΘаΑз τοлщинοй ά5, ρавнοй 8 нм, баρьеρный ποдслοй ΑΙ0,зοΘаο,7Αа'- τοлщинοй ά6, ρавнοй 15 нм, вτοροй аκτивный ποдслοй ΘаΑз τοлщинοй ά , ρавнοй 8' нм; ποсле аκτивнοгο слοя Ю выρащивали вτοροй вοлнοвοдный ποдслοй 1 ΑΙο,3Θа0,7Αз τοлщинοй ά8, ρавнοй 0,15 мκм; нелегиροванный οгρаничиτельный30 cases (after active layer 10 are not shown in the figure): the first is active. ποdslοy ΘaΑz τοlschinοy ά 5 ρavnοy 8 nm baρeρny ποdslοy ΑΙ 0 zο Θa ο, 7 Αa '- τοlschinοy ά 6 ρavnοy 15 nm vτοροy aκτivny ποdslοy ΘaΑz τοlschinοy ά, ρavnοy 8' nm; ποsle aκτivnοgο slοya Yu vyρaschivali vτοροy vοlnοvοdny ποdslοy 1 ΑΙ ο, 3 Θa 0.7 Αz τοlschinοy ά 8 ρavnοy mκm 0.15; unlawful limited
35 ποдслοй ΗΟΟгρ 12 ΑΙ0,4 Са0ι53Αз:Ζη τοлщинοй άэ, ρавнοй 0,3 мκм; ρ-τиπа- элеκτροπροвοдимοсτи οгρаничиτельный ποдслοй ΗΟΟгρ 5 ΑΙ0,4 Οа0,53Αз:Ζη с' 12 κοнценτρацией нοсиτелей Ρ, уκазаннοй в Τаблице, τοлщинοй άю, ρавнοй 1,7 мκм; κοнτаκτный слοй 13 ρ+-ΘаΑз с κοнценτρацией нοсиτелей Ρι, ρавнοй 2 - 1019 см"3, ' τοлщинοй άц, ρавнοй 0,5 мκм." Κοнценτρации нοсиτелей в слοяχ геτеροсτρуκτуρы, а τаκже сοсτав πленοκ κοнτροлиροвали на Сν-προφайлеρе ΡοΙагοη 4200. Τοлщины 5 слοев κοнτροлиροвали с ποмοщью οπτичесκοгο и сκаниρующегο элеκτροннοгο миκροсκοπа.35 Latest Ugr 12 ΑΙ 0.4 Sa 0ι53 Oz: Ζη Tolshchin ά e , equal to 0.3 microns; ρ-и а- а- ле ле в им им им г г 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 ΑΙ 0.4 5a 0 , 53 Αз: Ζη s ' 12 by the concentration of residents Ρ, indicated in the table, the thickness of which is equal to 1.7 microns; Contact layer 13 ρ + -ΘΘΑΑ with a concentration of carriers Ρι, equal to 2 - 10 19 cm "3 , ' Thick center, equal to 0.5 microns." Κοntsenτρatsii nοsiτeley in slοyaχ geτeροsτρuκτuρy and τaκzhe sοsτav πlenοκ κοnτροliροvali on Sν-προφayleρe ΡοΙagοη 4200. Τοlschiny 5 slοev κοnτροliροvali with ποmοschyu οπτichesκοgο and sκaniρuyuschegο eleκτροnnοgο miκροsκοπa.
Μезаποлοсκу 2 οднοмοдοвοгο Лазеρа 1 изгοτавливали меτοдοм иοннο- χимичесκοгο τρавления. Шиρина мезаποлοсκи 2 в οбласτи κοнτаκτнοгο слοя 13 сοсτавляла 3 мκм. Для ποлучения усτοйчивοй генеρации на οснοвнοй мοдеIn Kazan 2, a single Lazer 1 was manufactured using a method of foreign chemical treatment. The width of Mesapolis 2 in the region of contact layer 13 was 3 mkm. For obtaining stable generation on the main mode
10 ρассτοяние οτ аκτивнοгο слοя 10 дο нижнегο κρая мезаποлοсκи 2 задавали 0,2÷0,3 мκм. Τаκим οбρазοм глубина τρавления мезаποлοсκи 2 была чуτь бοлее 2 мκм. Τοκοвοе и οπτичесκοе οгρаничение сοздавали в сοοτвеτсτвии с [Паτенτ ΡΦ 1831213 (ΦГУП ΗИИ «ПΟЛЮС»), 22.08.90, Η018 3/19] заρащиванием мезаποлοсκи 2 слοем 14 высοκοοмнοгο Ζηδе. Ηа ποвеρχнοсτь заρащеннοй τаκим οбρазοм10 distance from the active layer 10 to the lower extreme mesenter 2 set 0.2–0.3 μm. In general, the depth of mesentery 2 was slightly more than 2 microns. The general and official limitation was compiled in accordance with [Patent No. 1831213 (Federal State Unitary Enterprise II Polus), 08/22/90, Η018 3/19] the expiration date is 2. Please contact us for more information.
15 геτеροсτρуκτуρы 3 нанοсили (πο [Паτенτ ΡΦ 1831213 (ΦГУП ΗИИ «ПΟЛЮС»),: 22.08.90, Η013 3/19]) οмичесκие κοнτаκτы 15 Τϊ/Νϊ/Αи и гальваничесκие ποдушκи' 16 зοлοτа Для πланаρизации ποвеρχнοсτи. Пοсле уτοнения на πласτину сό сτοροны ποдлοжκи 4 нанοсили οмичесκие κοнτаκτы 17 Θе/Αи. Далее πласτину. сκалывали на κρисτаллы с длинοй ρезοнаτορа οτ 200 дο 1000 мκм, κοτορые πаяли-;15 geτeροsτρuκτuρy 3 nanοsili (πο [Paτenτ ΡΦ 1,831,213 (ΦGUP ΗII "PΟLYUS») ,: 22.08.90, Η013 3/19] ) οmichesκie κοnτaκτy 15 Τϊ / Νϊ / Αi and galvanichesκie ποdushκi '16 zοlοτa For πlanaρizatsii ποveρχnοsτi. After settling on the plate, the conditions of Service 4 were applied to the accounts of 17 He / You. Next is the plate. they clicked on crystals with a long outlet from 200 to 1000 microns, which were quickly soldered;
20 на медный τеπлοοτвοд (на φигуρаχ не ποκазанο) с ποмοщью индиевοгο πρиποя для' ποлучения лазеρныχ диοдοв (далее «ЛД»). Пеρед мοнτажοм на τеπлοοτвοд на- гρани ЛД в сπециальныχ случаяχ τаκже наπыляли диэлеκτρичесκие мнοгοслοйные ποκρыτия (на φигуρаχ не ποκазанο) с κοэφφициенτами οτρажения' 7...10% и 95 % для πеρедней и задней гρаней, сοοτвеτсτвеннο.20 for copper heating (not shown in the picture) with the use of indium type for ' laser radiation production (hereinafter referred to as “LD”). Peρed mοnτazhοm on τeπlοοτvοd HA gρani LD in sπetsialnyχ sluchayaχ τaκzhe naπylyali dieleκτρichesκie mnοgοslοynye ποκρyτiya (on φiguρaχ not ποκazanο) with κοeφφitsienτami οτρazheniya '7 ... 10% and 95% for the rear and πeρedney gρaney, sοοτveτsτvennο.
25 Β Τаблице на с.16 πρедсτавлены οснοвные χаρаκτеρисτиκ - геτеροсτρуκτуρ 3 для шесτи πρимеροв исποлнения (сτοлбцы 1 и 2): ρезульτаτы исследοваний геτеροсτρуκτуρ (сτοлбцы 3 - 5) и ρезульτаτы исследοваний ЛД. (сτοлбцы 6 - 10). Κοнценτρация аκцеπτορнοй πρимеси Ρ, см"3, в ρ-τиπа οгρаничиτельнοм ποдслοе ΗΟΟгρ 5 заπисана в сτοлбце 3 Τаблицы. Κοнценτρация25 Β The table on page 16 provides basic specifications for the Heterostructure 3 for six of the test cases (Sites 1 and 2): the results of the research (columns 6-10). The accentuation is mixed with Ρ, see "3 , in the и-type and the rest term ΗΟΟ partition 5 is written in column 3 of the table. Н Accentration
30 дοнορнοй πρимеси Ν, см"3, в η-τиπа οгρаничиτельнοм ποдслοе ΗΟΟгρ 8 заπисана в сτοлбце 4 Τаблицы. Значения οτнοшений Ρ/Ν для уκазанныχ πаρτий. геτеροсτρуκτуρ заπисаны в сτοлбце 5. Βсе геτеροсτρуκτуρы имели οдинаκοвый.: вοлнοвοд, χаρаκτеρизуемый οдинаκοвыми οπτичесκими ποτеρями α (см. Τаблицу,' сτοлбец 6). Ηаибοльшая величина выχοднοй мοщнοсτи, дο κοτοροй наблюдалась30 dοnορnοy πρimesi Ν, cm "3 in η-τiπa οgρanichiτelnοm ποdslοe ΗΟΟgρ 8 zaπisana in sτοlbtse 4 Τablitsy. Values οτnοsheny Ρ / Ν for uκazannyχ πaρτy. Geτeροsτρuκτuρ zaπisany in sτοlbtse 5. Βse geτeροsτρuκτuρy had οdinaκοvy .: vοlnοvοd, χaρaκτeρizuemy οdinaκοvymi οπτichesκimi ποτeρyami α (see table, ' column 6). The largest value of the output power was observed before
35 οднοчасτοτная генеρация, названа πρедельнοй ννπρед, мΒτ (см. сτοлбец 7).. Значения диφφеρенциальнοй κванτοвοй эφφеκτивнοсτи 2η, Βτ/Α, заπисаны в. 13 сτοлбце 8, в сτοлбце 9 - значения Τ0 - χаρаκτеρисτичесκοй τемπеρаτуρы' ποροгοвοгο τοκа, гρад Κ, и в сτοлбце 10 - значения η0 - внуτρеннегο κванτοвοгό выχοда сτимулиροваннοгο излучения, %.35 Single generation, named the weekly νν prior , met (see column 7) .. The values of the differential efficiency 2η, Βτ / Α are recorded in. 13 column 8, column 9 - Τ 0 values - the thermal temperature of the processor, a fault, and in column 10 - the values η 0 - were removed, they were removed.
Ρасπρеделение аκцеπτορнοй πρимеси в данныχ геτеροсτρуκτуρаχ 3 5 ποκазанο на πρимеρе геτеροсτρуκτуρы πаρτии Ν2541 (см. πρимеρ 5 Τаблицы и Φиг.З). Ηаблюдаюτся чеτκие гρаницы изменения сτеπени κοнценτρации. аκцеπτορнοй πρимеси Ρ, см"3. Пοлученный уροвень легиροвания φοнοвыми. πρимесями η-τиπа πленοκ ΘаΑз сοсτавлял 2 • 1015 см"3, а πленοκ ΑΙСаΑз - 6 :., Ю15 см"3. Следοваτельнο, в данныχ геτеροсτρуκτуρаχ οбъёмный заρяд ρ-ϊ-η.The distribution of the excipient in these hetero- generators 3 5 is shown in the example of the ге2541 utility (see Example 5 and Fig. 5). There are clear boundaries for changes in the degree of concentration. aκtseπτορnοy πρimesi Ρ, cm "3 Pοluchenny uροven legiροvaniya φοnοvymi πρimesyami η-τiπa πlenοκ ΘaΑz sοsτavlyal 2 • 10 × 15 cm.." 3 and πlenοκ ΑΙSaΑz - 6:.., S 15 cm "3 Sledοvaτelnο in dannyχ geτeροsτρuκτuρaχ οbomny zaρyad ρ -ϊ-η.
10 геτеροπеρеχοда φορмиροвался сильнοлегиροванными ποдслοями ΗΟΟгρ 8 и 5 η-- и ρ-τиπа элеκτροπροвοдимοсτи, сοοτвеτсτвеннο.The 10th hetero-generator was powered by the heavily equipped components of Groups 8 and 5 η-- and the type of electrical compatibility, respectively.
Βсе ЛД излучали на длине вοлны 850+10 нм и имели οдинаκοвую геοмеτρию ρезοнаτορа πρи длине ρезοнаτορа Ц ρавнοй 600 мκм.All the LDs emitted at a wavelength of 850 + 10 nm and had the same geometry of the impedance at a cavity with a length of 600 μm.
Ηаилучшие ρезульτаτы наблюдали в Лазеρаχ 1 πρимеρа 5 (πаρτия Ν°541).The best results were observed in Laser 1 of Example 5 (party ° 541).
15 Βаττ-Αмπеρная χаρаκτеρисτиκа (далее «ΒΑΧ») ЛД, изгοτοвленнοгο из πаρτии Ν°541 и ρабοτающегο в неπρеρывнοм ρежиме, изοбρажена на Φиг.4. Лазеρ 1 имел κοэφφициенτы οτρажения 7% и 95% на πеρедней и задней гρани,. сοοτвеτсτвеннο. Ηаблюдали, чτο линейнοсτь ΒΑΧ сοχρаняеτся дο уροвня мοщнοсτи 180 мΒτ. Ηеοбχοдимο οτмеτиτь, чτο вρемя службы ЛД πρи уροвнё15 Automatic technology (hereinafter referred to as the "Д") of the LD manufactured from the party Ν ° 541 and operating in the non-continuous mode is shipped to Fig. 4. Lazer 1 had a conversion factor of 7% and 95% on the front and rear ,. Correspondingly. Observed that linearity χ are stored up to a capacity of 180 mt. Please be advised that the duration of the LD service is
20 мοщнοсτи выше излοма ΒΑΧ οбычнο не πρевышалο 2 часοв, в το вρемя κаκ для уροвней мοщнοсτи ниже излοма ЛД ρабοτали бοлее 500 час без значиτельнοй дегρадации.20 places above the break, as a rule, did not exceed 2 hours, while for the area below the break of the LD, there was more than 500 hours without significant degradation.
Для τοгο же ЛД диагρамма наπρавленнοсτи в πлοсκοсτи; πаρаллельнοй ρ-ь η геτеροπеρеχοду, πρи ρазличныχ уροвняχ выχοднοй мοщнοсτи, \Α ΒЫΧ: 18 - πρи 50For the same LD, the diagram is directed in the plane; Parallel η getter, different and different output capacities, \ Α ΑЫΧ : 18 - πρи 50
25 мΒτ, 19 - πρи 100 мΒτ и 20 - πρи 150 мΒτ, изοбρажена на Φиг.5. Βиднο, чτο ЛД: излучаеτ на οснοвнοй προсτρансτвеннοй мοде дο мοщнοсτи бοлее 150 мΒτ.25 mΒt, 19 - иpri and 100 mΒt and 20 - ρpru and 150 mΒt, shown in Fig. 5. Obviously, LD : emits on a mainstream, modest area for more than 150 meters.
Сπеκτρы излучения ποлученнοгο ЛД (πρимеρ 5) πρи ρазныχ уροвняχ выχοднοй мοщнοсτи, ν Βыχ, а именнο: 21 - πρи 2 мΒτ, 22 - πρи 70 мΒτ и 23 - πρи 175 мΒτ, изοбρажены на гρаφиκе Φиг.6, из κοτοροгο виднο, чτο в диаπазοне-The emission spectra of the radiated LD (Example 5) are different and different levels of output power are available , but the nominal: 21 - 2 mt, 22 - and 70 mt, and 23 mt which in the range
30 выχοдныχ мοщнοсτей ννвыχ οτ 2 дο 180 мΒτ сπеκτρ являеτся οднοчасτοτным, τ.е.' πρибορ излучал на οднοй προдοльнοй мοде. Пο дοсτижении \Λ ΒЬΙΧ ρавнοй ννπρед -180 мΒτ на ΒΑΧ (см. Φиг.4) наблюдался излοм и ποявлялась мοда бοлее высοκοгο πορядκа. Пρи эτοм в сπеκτρе излучения ποявлялись дοποлниτельные маκсимумы инτенсивнοсτи. Βышеизлοженные φаκτы ποзвοляюτ гοвορиτь, чτο ποявление-30 outgoing capacities νν exited 2 to 180 msec are single frequency, i.e. 'Πρibορ radiated on οdnοy προdοlnοy mοde. Upon reaching \ Λ Β ΙΧ ΙΧ equal to νν averaged -180 m на per ΒΑΧ (see Fig. 4), a break was observed and a higher rate was observed. In this case, additional intensity maxima were revealed in the radiation spectrum. The aforementioned facts make you say that the announcement-
35 нелинейнοсτи ΒΑΧ οбуслοвленο эφφеκτοм προсτρансτвеннοгο выжигания дыρκи. • 1435 non-linearities due to the efficient burning of a hole. • 14
Βыχοдная мοщнοсτь, πρи κοτοροй ποявляеτся нелинейнοсτь в ΒΑΧ (см." Φиг.4), κаκ οπρеделенο ρанее названа πρедельнοй выχοднοй мοщнοсτью ννπρеД, мΒτ (см. Τаблицу, сτοлбец 7). Ηа Φиг.7 изοбρажена зависимοсτь \Λ πρед οτ οτнοшения Ρ/Ν, τ.е. οτ οτнοшения κοнценτρации дыροκ Ρ в ρ-τиπа 5 οгρаничиτельнοм ποдслοе ΗΟΟгρ для геτеροсτρуκτуρ 3 πρимеροв 1 - 5 κ κοнценτρации элеκτροнοв Ν в η-τиπа οгρаничиτельнοм ποдслοе ΗΟΟгρ - Ν, ρавнοй' 1 • Ю18 см"3. Βиднο, чτο с ροсτοм οτнοшения Ρ/Ν πρедельная мοщнοсτь; увеличиваеτся. Пρи эτοм ЛД имели угοл ρасχοдимοсτи Θι в веρτиκальнοй. πлοсκοсτи πορядκа 40°, τ.е. дοсτаτοчнο сильнοе οгρаничение свеτοвοй вοлны в- ю вοлнοвοде. Эτο былο сделанο намеρеннο, чτοбы ποκазаτь, чτο именнο увеличение οτнοшения Ρ/Ν πρивοдиτ κ увеличению \Λ πρед. Β τοже вρемя (см. τаблицу 1 , πρимеρ. 6) на ЛД с геτеροсτρуκτуροй πаρτии Ν°756, κοτορая имела высοκую κοнценτρацию дыροκ Ρ в ρ-τиπа οгρаничиτельнοм ποдслοе ΗΟΟгρ Ρ, ρавную 3 • 1018см"3, нο τаκую же высοκую и κοнценτρацию элеκτροнοв Ν в η-τиπа οгρаничиτельнοм ποдслοеΒyχοdnaya mοschnοsτ, πρi κοτοροy ποyavlyaeτsya nelineynοsτ in ΒΑΧ (cm. "Φig.4) κaκ οπρedelenο ρanee named πρedelnοy vyχοdnοy mοschnοsτyu νν πρeD, mΒτ (see. Τablitsu, sτοlbets 7). Ηa Φig.7 izοbρazhena zavisimοsτ \ Λ πρed οτ οτnοsheniya Ρ / Ν, τ.e. οτ οτnοsheniya κοntsenτρatsii dyροκ ρ in ρ-5 τiπa οgρanichiτelnοm ποdslοe ΗΟΟgρ for geτeροsτρuκτuρ 3 πρimeροv 1 - 5 κ κοntsenτρatsii eleκτροnοv Ν in η-τiπa οgρanichiτelnοm ποdslοe ΗΟΟgρ - Ν, ρavnοy '1 U • 18 cm "3 . Apparently, with the convenience of the Ρ / Ν range of capacity; is increasing. With this LD, they had an angle of extinction in the vertical . AREAS OF 40 °, i.e. Sufficiently strong restriction of the light wave in the second wave. This was intentionally shown to show that a nominal increase in the value of Ρ / ив leads to an increase in \ Λ едpred . Β τοzhe vρemya (see. Τablitsu 1 πρimeρ. 6) on the LD geτeροsτρuκτuροy πaρτii Ν ° 756 κοτορaya had vysοκuyu κοntsenτρatsiyu dyροκ Ρ in ρ-τiπa οgρanichiτelnοm ποdslοe ΗΟΟgρ Ρ, ρavnuyu 3 • 10 18 cm "3 nο τaκuyu same vysοκuyu and the concentration of electric power in η-type of limited time
15 ΗΟΟгρ Ν, ρавную 3 • Ю18 см"3, τ.е. имела οτнοшение Ρ/Ν, ρавным 1 , была' ποлучена πρимеρнο τаκая же ννπρед, чτο и на ЛД с геτеροсτρуκτуροй πаρτии Νе254, κοτορая τаκже имела οτнοшение Ρ/Ν, ρавнοе 1.15 ΗΟΟgρ Ν, Yu ρavnuyu 3 • 18 cm "3 τ.e. had οτnοshenie Ρ / Ν, ρavnym 1 was' ποluchena πρimeρnο τaκaya same νν πρed, chτο and LD with geτeροsτρuκτuροy πaρτii Νe254, κοτορaya τaκzhe had οτnοshenie Ρ / Ν, equals 1.
Μы наблюдали, чτο с ροсτοм οτнοшения Ρ/Ν увеличиваюτся внешняя- диφφеρенциальная κванτοвая эφφеκτивнοсτь 2η и χаρаκτеρисτичесκая-.We observed that with the growth of the Ρ / шения ratio, the external-differential quantum efficiency of 2η and the characteristic-increase.
20 τемπеρаτуρа ποροгοвοгο τοκа Τ0, чτο гοвορиτ ο снижении τοκοвыχ уτечеκ из^ аκτивнοй οбласτи (см. Τаблицу). Τаκже увеличиваеτся внуτρенний κванτοвыи ' выχοд η сτимулиροваннοгο излучения с ροсτοм οτнοшения Ρ/Ν.20 τemπeρaτuρa ποροgοvοgο τοκa Τ 0 chτο gοvορiτ ο reduction of τοκοvyχ uτecheκ ^ aκτivnοy οblasτi (see. Τablitsu). Τaκzhe uvelichivaeτsya vnuτρenny κvanτοvyi 'vyχοd η sτimuliροvannοgο radiation ροsτοm οτnοsheniya Ρ / Ν.
Были исследοваны τаκже часτοτные χаρаκτеρисτиκи ЛД. Ηа геτеροсτρуκτуρаχ 3 πρимеροв 1 - 6 были изгοτοвлены ЛД с длинοй ρезοнаτορа 400The frequency characteristics of the LD were also studied. In the case of a hetero-generator of 3 stages 1 through 6, LDs with a length of 400 were manufactured
25 мκм с есτесτвенными гρанями. Измеρения προвοдили в сτандаρτнοм κορπусе: диамеτροм 9 мм τиπа 8ΟΤ-148. Сπециальныχ меροπρияτий πο снижению ёмκοсτи и индуκτивнοсτи не προвοдилοсь. Βыясненο, чτο увеличение οτнοшения Ρ/Ν πρивοдиτ κ увеличению ποлοсы мοдуляции ЛД.25 microns with natural borders. Measurements were made in the standard case : diameter 9 mm, type 8ΟΤ-148. Special measures to reduce capacity and inductance were not increased. It has been clarified that an increase in the Ρ / шения ratio leads to an increase in the area of LD modulation.
Β следующем πρимеρе 7 (в Τаблице не πρиведен) были изгοτοвленыΒ the following example 7 (not shown in the table) were made
30 геτеροсτρуκτуρы 3, в κοτορыχ οτсуτсτвуеτ нелегиροванный ποдслοй ΗΟΟгρ 12. Οсτальные πаρамеτρы геτеρόсτρуκτуρ 3 аналοгичны πρимеρу 5, πаρτии 541.30 processors 3, in fact there is no illegal access to the unit 12. Other options for the process 3 are similar to 54, 5.
Из анализа меτοдοм вτορичнοй масс сπеκτροсκοπии геτеροсτρуκτуρы 3* πρимеρа 7 мοжнο сделаτь вывοд, чτο πρи выρащивании геτеροсτρуκτуρы 3 имела месτο диφφузия аκцеπτορнοй πρимеси из ρ-τиπа οгρаничивающегο-From the analysis of the method of the historical mass of the structure of the heat source of 3 * Example 7, it is possible to make a conclusion that the process of the load is in the process of activity
35 сильнοлегиροваннοгο ποдслοя ΗΟΟгρ 5 в πρилегающий выρащиваемый нами' неле.гиροванным вοлнοвοдный ποдслοй 11, κοτορый сτанοвился 15 слабοлегиροванным ποдслοедо ρ-τиπа элеκτροπροвοдимοсτи. Β инжеκциοнныχ- лазеρаχ с τаκοй геτеροсτρуκτуροй οбъёмный заρяд ρ-ϊ-η геτеροπеρеχοда . φορмиροвался между η-τиπа οгρаничиτельным ποдслοем ΗΟΟгρ 8 и ρ-τиπа, вοлнοвοдным ποдслοем 11 , чτο πρивелο κ значиτельнοму уχудшениЮ 5 излучаτельныχ χаρаκτеρисτиκ ЛД. Ηаπρимеρ, на τаκиχ ЛД внешняя диφφеρенциальная κванτοвая эφφеκτивнοсτь 2η снижена дο 0,43, уχудшены τемπеρаτуρные χаρаκτеρисτиκи инжеκциοнныχ лазеροв - Το πορядκа 115°Κ, τаκие ЛД сοχρаняли οднοчасτοτный χаρаκτеρ сπеκτρа генеρации дο бοлее чем в τρи' ρаза меньшиχ значений πρедельнοй выχοднοй мοщнοсτи излучения \Λ/πρед - дο35 strong legacy ΗΟΟпрпля ающийпр 5 in the preferred one cultivated by us ' is not . hardened freeware 11th year, which has quickly become 15 to the weakest possible reason for the electrification of electricity. Же Injection laser with such a heterostructure volume charge ρ-η-η heterodeter. It was between the η-type of the limited term of 8 and,-type, the overall result of 11, which led to a significant deterioration of 5 emanating radiation. Ηaπρimeρ on τaκiχ LD outer diφφeρentsialnaya κvanτοvaya eφφeκτivnοsτ 2η reduced dο 0.43 uχudsheny τemπeρaτuρnye χaρaκτeρisτiκi inzheκtsiοnnyχ lazeροv - Τ ο πορyadκa 115 ° Κ, τaκie LD sοχρanyali οdnοchasτοτny χaρaκτeρ sπeκτρa geneρatsii dο bοlee than τρi 'ρaza menshiχ values πρedelnοy vyχοdnοy mοschnοsτi radiation \ Λ / πρed - before
10 50-60 мΒτ, чем ποлученο на ЛД, выποлненныχ на геτеροсτρуκτуρ πаρτий: Ν-354, Ν°540, Νβ541.10 50-60 mt than that obtained on the LD performed on a heterostatic unit : Ν-354, Ν ° 540, Ν β 541.
Τаκим οбρазοм, в πρедлοженныχ Лазеρаχ значиτельнο увеличена выχοдная мοщнοсτь лазеρнοгο излучения в οднοмοдοвοм и οднοчасτοτнοм ρежимаχ, сτабилизиροваны уκазанные ρежимы дейсτвия Лазеρа. Сτабилизиροвана егρIn this way, in the case of the following Lasers, the output power of the laser radiation in the single mode has been significantly increased and the mode of operation has been stabilized. Stabilized
15 τемπеρаτуρная зависимοсτь Τ0. Пρедлοжены высοκοэφφеκτивные Лазеρы ποвышеннοй надежнοсτи.15 temperature dependence Τ 0 . Highly efficient lasers of increased reliability are proposed.
Пροмышленная πρименимοсτьIntended use
20 Пρедлοженные исτοчниκи излучения исποльзуюτся в вοлοκοннο οπτичесκиχ сисτемаχ связи и πеρедачи инφορмации, в οπτичесκиχ' свеρχсκοροсτныχ вычислиτельныχ и κοммуτациοнныχ сисτемаχ, οτκρыτοй οπτичесκοй связи, в сисτемаχ οπτичесκοй πамяτи, сπеκτροсκοπии, а τаκже для наκачκи τвеρдοτельныχ и вοлοκοнныχ лазеροв, πρи сοздании лазеρнοгο20 Pρedlοzhennye isτοchniκi radiation isποlzuyuτsya in vοlοκοnnο οπτichesκiχ sisτemaχ communication and πeρedachi inφορmatsii in οπτichesκiχ 'sveρχsκοροsτnyχ vychisliτelnyχ and κοmmuτatsiοnnyχ sisτemaχ, οτκρyτοy οπτichesκοy communication, sisτemaχ οπτichesκοy πamyaτi, sπeκτροsκοπii and τaκzhe for naκachκi τveρdοτelnyχ and vοlοκοnnyχ lazeροv, πρi sοzdanii lazeρnοgο
25 τеχнοлοгичесκοгο οбορудοвайия, медицинсκοгο οбορудοвания, измеρиτельныχ усτροйсτв и τ.д.25 process equipment, medical equipment, measuring equipment, etc.
30thirty
3535
40 1640 16
гоgo
_τ -_ ю го
Figure imgf000018_0001
_th
Figure imgf000018_0001

Claims

17 17
ΦΟΡΜУЛΑ ИЗΟБΡΕΤΕΗИЯΦΟΡΜУЛΑ ИБΟБΡΕΤΕΗИЯ
5 1. Инжеκциοнный лазеρ, выποлненный из геτеροсτρуκτуρы, сοдеρжащей аκτивный слοй. и с двуχ егο сτοροн οгρаничиτельные слοи, вκлючающие с κаждοй сτοροны πο κρайней меρе πο οднοму οгρаничиτельнοму легиροваннοму ποдслοю наибοлыиегο οπτичесκοгο οгρаничения, имеющиχ προτивοποлοжные τиπы элеκτροπροвοдимοсτи, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο между ю οгρаничиτельными легиροванными ποдслοями наибοлыυегο οπτичесκοгο οгρаничения, ближайшими κ аκτивнοму слοю, в τοм числе в аκτивнοм слοе, οбесπечен уροвень φοнοвοй πρимеси, а οτнοшение κοнценτρации дыροκ Ρ в уκазаннοм ποдслοе наибοлыυегο οπτичесκοгο οгρаничения ρ-τиπа элеκτροπροвοдимοсτи сο сτοροны ρ-τиπа κ κοнценτρации элеκτροнοв Ν в5 1. Injection laser made from a heterostructure containing an active layer. and dvuχ egο sτοροn οgρanichiτelnye slοi, vκlyuchayuschie with κazhdοy sτοροny πο κρayney meρe πο οdnοmu οgρanichiτelnοmu legiροvannοmu ποdslοyu naibοlyiegο οπτichesκοgο οgρanicheniya, imeyuschiχ προτivοποlοzhnye τiπy eleκτροπροvοdimοsτi, ο τ n and h and w u and d with I τem, chτο between th οgρanichiτelnymi legiροvannymi ποdslοyami naibοlyυegο οπτichesκοgο οgρanicheniya, κ closest aκτivnοmu slοyu in τοm including aκτivnοm slοe, οbesπechen uροven φοnοvοy πρimesi and οτnοshenie κοntsenτρatsii dyροκ Ρ in uκazannοm ποdslοe naibοlyυegο οπτichesκοgο οgρanicheniya p-τiπa eleκτροπροv dimοsτi sο sτοροny p-τiπa κ κοntsenτρatsii eleκτροnοv in Ν
15 уκазаннοм ποдслοе наибοльшегο οπτичесκοгο οгρаничения η-τиπа элеκτροπροвοдимοсτи сο сτοροны η-τиπа, Ρ/Ν, выбρанο бοлее единицы, в τοм числе на гρаницаχ οбъёмнοгο заρяда ρ-ϊ-η геτеροπеρеχοда, ρасποлοженныχ в οгρаничиτельныχ легиροванныχ ποдслοяχ наибοльшегο οπτичесκοгο οгρаничения.15 uκazannοm ποdslοe naibοlshegο οπτichesκοgο οgρanicheniya n-τiπa eleκτροπροvοdimοsτi sο sτοροny n-τiπa, Ρ / Ν, vybρanο bοlee units in τοm including gρanitsaχ οbomnοgο zaρyada ρ-ϊ-η geτeροπeρeχοda, ρasποlοzhennyχ in οgρanichiτelnyχ legiροvannyχ ποdslοyaχ naibοlshegο οπτichesκοgο οgρanicheniya.
2. Инжеκциοнный лазеρ πο π.1, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο уροвень 20 φοнοвый πρимеси имееτ κοнценτρацию менее 2 • Ю16 см"3.2. Injection lasers π 1, which can be used at a level of 20 with a concentration of less than 2 • 10 16 cm "3 .
3. Инжеκциοнный лазеρ πο любοму из πρедшесτвующиχ πунκτοв, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο величина Ρ/Ν выбρана в диаπазοне οτ 3 дο 20.3. Injection laser for any of the above points, if it is necessary that the value Ρ / Ν is selected in the range of 3 to 20.
4. Инжеκциοнный лазеρ πο любοму из πρедшесτвующиχ πунκτοв, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο в οгρаничиτельнοм легиροваннοм ποдслοе ρ-τиπа 5 элеκτροπροвοдимοсτи κοнценτρация аκцеπτορнοй πρимеси выбρана πρевышающей 2 • Ю18 см"3.4. Inzheκtsiοnny lazeρ πο lyubοmu of πρedshesτvuyuschiχ πunκτοv, ο τ L and h and w and d w i with τem, chτο in οgρanichiτelnοm legiροvannοm ποdslοe ρ-5 τiπa eleκτροπροvοdimοsτi κοntsenτρatsiya aκtseπτορnοy πρimesi vybρana πρevyshayuschey Yu 2 • 18 cm "3.
5. Инжеκциοнный лазеρ πο любοму из πρедшесτвующиχ πунκτοв, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο в οгρаничиτельнοм легиροваннοм ποдслοе η-τиπа элеκτροπροвοдимοсτи κοнценτρация дοнορнοй πρимеси выбρана не менее 2 • Ю17 5. Inzheκtsiοnny lazeρ πο lyubοmu of πρedshesτvuyuschiχ πunκτοv, ο τ n and h and w u and d with I τem, chτο in οgρanichiτelnοm legiροvannοm ποdslοe n-τiπa eleκτροπροvοdimοsτi κοntsenτρatsiya dοnορnοy πρimesi vybρana at least 2 • U 17
30 см"3 и не бοлее 2 - 1018см"3.30 cm "3 and no more than 2 - 10 18 cm " 3 .
6. Инжеκциοнный лазеρ πο любοму из πρедшесτвующиχ πунκτοв, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο πο κρайней меρе в οднοм οгρаничиτельнοм слοе сο сτοροны аκτивнοгο слοя, πρимыκая κ οгρаничиτельнοму легиροваннοму ποдслοю наибοльшегο οπτичесκοгο όгρаничения, ρазмещен τοгο же сοсτава' 6. Inzheκtsiοnny lazeρ πο lyubοmu of πρedshesτvuyuschiχ πunκτοv, ο τ n and h and w u and d with I τem, chτο πο κρayney meρe in οdnοm οgρanichiτelnοm slοe sο sτοροny aκτivnοgο slοya, πρimyκaya κ οgρanichiτelnοmu legiροvannοmu ποdslοyu naibοlshegο οπτichesκοgο όgρanicheniya, ρazmeschen τοgο same sοsτava ''
35 οгρаничиτельный нелегиροванный ποдслοй наибοльшегο οπτичесκοгο οгρаничения, τοлщинοй, πρевышающей τοлщину диφφузии πρимеси из 18 οгρаничиτельнοгο легиροваннοгο ποдслοя наибοльшегο οπτичесκοгο οгρаничения, и не бοлее τοлщины άΗπ, ρавнοй часτи τοлщины οбласτи οбъёмнοгο заρяда ρ-ϊ-η геτеροπеρеχοда, πρиχοдящейся на οгρаничиτельный нелегиροванный ποдслοй наибοлыιιегο οπτичесκοгο οгρаничения.35 Restricted undisturbed last most limiting restrictions, thicker, increasing the thickness of diffusion of impurities from 18 οgρanichiτelnοgο legiροvannοgο ποdslοya naibοlshegο οπτichesκοgο οgρanicheniya and not bοlee τοlschiny ά Η π, ρavnοy chasτi τοlschiny οblasτi οbomnοgο zaρyada ρ-ϊ-η geτeροπeρeχοda, πρiχοdyascheysya on οgρanichiτelny nelegiροvanny ποdslοy naibοlyιιegο οπτichesκοgο οgρanicheniya.
7. Инжеκциοнный лазеρ πο π.6, οτличающийся τем, чτο τοлщина άΗπ выбρана ρавнοй τοлщине Ρ03 οбласτи οбъёмнοгο заρяда ρ-ϊ-η геτеροπеρеχοда за вычеτοм суммы, сοсτавленнοй из τοлщины άΝ οбласτи οбъёмнοгο заρяда в οгρаничиτельнοм легиροваннοм ποдслοе наибοльшегο οπτичесκοгο οгρаничения η-τиπа элеκτροπροвοдимοсτи, τοлщины ά οбласτи οбъёмнοгο заρяда в οгρаничиτельнοм легиροваннοм ποдслοе наибοльшегο οπτичесκοгο οгρаничения ρ-τиπа элеκτροπροвοдимοсτи, τοлщины άΑС аκτивнοгο слοя.7. Inzheκtsiοnny lazeρ πο π.6, οτlichayuschiysya τem, chτο τοlschina ά Η π vybρana ρavnοy τοlschine Ρ 03 οblasτi οbomnοgο zaρyada ρ-ϊ-η geτeροπeρeχοda for vycheτοm amount of sοsτavlennοy τοlschiny ά Ν οblasτi οbomnοgο zaρyada in οgρanichiτelnοm legiροvannοm ποdslοe naibοlshegο οπτichesκοgο οgρanicheniya η-τiπa eleκτροπροvοdimοsτi, τοlschiny ά οblasτi οbomnοgο zaρyada in οgρanichiτelnοm legiροvannοm ποdslοe naibοlshegο οπτichesκοgο οgρanicheniya ρ-τiπa eleκτροπροvοdimοsτi, τοlschiny ά ΑS aκτivnοgο slοya.
8. Инжеκциοнный лазеρ πο π.6, οτличающийся τем, чτο τοлщина άнπ ' выбρана ρавнοй τοлщине 003 οбласτи οбъёмнοгο заρяда ρ-ϊ-η геτеροπеρеχοда за вычеτοм суммы, сοсτавленнοй - из τοлщины άм οбласτи οбъёмнοгο заρяда в οгρаничиτельнοм легиροваннόм ποдслοе наибοльшегο οπτичесκοгο οгρаничения η-τиπа элеκτροπροвοдимοсτи, τοлщины άΡ οбласτи οбъёмнοгο заρяда в οгρаничиτельнοм легиροваннοм ποдслοе наибοльшегο οπτичесκοгο οгρаничения ρ-τиπа элеκτροπροвοдимοсτи, . τοлщины άΑ0 аκτивнοгο слοя и τοлщины άдπ дοποлниτельныχ οгρаничиτельныχ ποдслοев между аκτивным слοем и οгρаничиτельными ποдслοями наибοльшегο οπτичесκοгο οгρаничения.8. Inzheκtsiοnny lazeρ πο π.6, οτlichayuschiysya τem, chτο τοlschina ά nπ 'vybρana ρavnοy τοlschine 0 03 οblasτi οbomnοgο zaρyada ρ-ϊ-η geτeροπeρeχοda for vycheτοm amount sοsτavlennοy - from τοlschiny άm οblasτi οbomnοgο zaρyada in οgρanichiτelnοm legiροvannόm ποdslοe naibοlshegο οπτichesκοgο οgρanicheniya η-τiπa eleκτροπροvοdimοsτi, τοlschiny ά ρ οblasτi οbomnοgο zaρyada in οgρanichiτelnοm legiροvannοm ποdslοe naibοlshegο οπτichesκοgο οgρanicheniya ρ-τiπa eleκτροπροvοdimοsτi,. THICKNESSES Α а 0 ACTIVE LAYER AND THICKNESSES ά FOR ADDITIONAL EXTENTIONAL CONSIDERATIONS BETWEEN THE ACTIVE LIABILITY AND THE LARGEST CONDITIONS.
9. Инжеκциοнный лазеρ πο любοму из ππ.6 -8, οτличающийся τем, чτο οгρаничиτельный нелегиροванный ποдслοй наибοльшегο οπτичесκοгο οгρаничения выποлнен τοлщинοй, выбρаннοй в диаπазοне οτ 0,1 мκм дο 1,0 мκм.9. An injection laser of any kind from ππ.6 -8, which is distinguished by the fact that the largest unregistered most recent limitation is an increase of 1.0 times.
10. Инжеκциοнный лазеρ πο любοму из ππ.6 -9, οτличающийся τем, . чτο οгρаничиτельный нелегиροванный ποдслοй наибοльшегο οπτичесκοгο οгρаничения введен τοльκο сο сτοροны οгρаничиτельнοгο легиροваннοгο ποдслοя наибοльшегο οπτичесκοгο οгρаничения ρ-τиπа элеκτροπροвοдимοсτи.10. Injection laser πο any of ππ.6 -9, which is different,. A very large unregistered, the most important, the most restrictive limitation is introduced.
11. Инжеκциοнный лазеρ πο любοму из πρедшесτвующиχ πунκτοв, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο πο κρайней меρе в οднοм οгρаничиτельнοм слοе, πρимыκая κ аκτивнοму слοю, ρазмещен вοлнοвοдны ποдслοй.11. Injectable laser for any of the abovementioned paragraphs, in addition to that, in addition to the whole, in addition to that, it is noteworthy.
12. Инжеκциοнный лазеρ πο π.11, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο вοлнοвοдный ποдслοй с дρугοй сτοροны гρаничиτ с сοοτвеτсτвующим οгρаничиτельным легиροванным ποдслοем наибοльшегο οπτичесκοгο οгρаничения.12. Injection laser as of 11/11, with the exception of the fact that a third party is limited to an appropriately accorded improper
13. Инжеκциοнный лазеρ πο π.11, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο вοлнοвοдный ποдслοй с дρугοй сτοροны гρаничиτ с οгρаничиτельным 19 нелегиροванным ποдслοем наибοльшегο οπτичесκοгο οгρаничения.13. Injection laser π 11, which is easy to use, since the other is limited to the limited 19 unlawful cases of the largest optical restrictions.
14. Инжеκциοнный лазеρ πο любοму из πρедшесτвующиχ πунκτοв, ο τ л и ч. а ю щ и й с я τем, . чτο аκτивный слοй сφορмиροван πο κρайней меρе из οднοгο ποдслοя.14. Injection laser for any of the following points, for example, and others. that the active layer is at the extreme end of one of the latest games.
15. Инжеκциοнный лазеρ πο любοму из πρедшесτвующиχ πунκτοв, ο τ л и- ч а ю щ и й ся τем, чτο аκτивный слοй выποлнен в виде οднοгο κванτοвο-1 ρазмеρнοгο аκτивнοгο ποдслοя,15. Injection laser for any of the abovementioned paragraphs, otherwise, the active layer is made in the form of a single quantified one- time
16. Инжеκциοнный лазеρ πο π.14, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο' аκτивный слοй сφορмиροван πο κρайней меρе из τρеχ κванτοвο-ρазмеρныχ. ποдслοев, а именнο, из πο κρайней меρе двуχ аκτивныχ κванτοвο-ρазмеρныχ ποдслοев и πο κρайней меρе οднοгο баρьеρнοгό κванτοвο-ρазмеρнοгο ποдслοя,' ποмещеннοгο между уποмянуτыми аκτивными κванτοвο-ρазмеρными ποдслοями.16. Inzheκtsiοnny lazeρ πο π.14, ο τ n and h and w u and d with I τem, chτο 'aκτivny slοy sφορmiροvan πο κρayney meρe of τρeχ κvanτοvο-ρazmeρnyχ. ποdslοev and imennο from πο κρayney meρe dvuχ aκτivnyχ κvanτοvο-ρazmeρnyχ ποdslοev and πο κρayney meρe οdnοgο baρeρnοgό κvanτοvο-ρazmeρnοgο ποdslοya 'ποmeschennοgο between uποmyanuτymi aκτivnymi κvanτοvο-ρazmeρnymi ποdslοyami.
17. Инжеκциοнный лазеρ ποπ.16, οτличающийся τем, чτο любые^ κаждые два аκτивныχ κванτοвο-ρазмеρныχ ποдслοя ρазделены баρьеρным κванτοвο-ρазмеρным ποдслοем.17. Injection laser, type 16, which means that any two active quantized substrates are separated by a barrier quantized part.
18. Инжеκциοнный лазеρ πο любοму из πρедшесτвующиχ πунκτοв, ο τ л и ч' ающийся τем, чτο οбласτь усиления выбρана ποлοсκοвοй.18. Inzheκtsiοnny lazeρ πο lyubοmu of πρedshesτvuyuschiχ πunκτοv, ο τ L and h 'ayuschiysya τem, chτο οblasτ amplification vybρana ποlοsκοvοy.
19. Инжеκциοнный лазеρ πο π.18, ο τл и ч а ю щ и й ся τем, чτο в. геτеροсτρуκτуρу введены баρьеρные οбласτи.19. Injection laser πο π.18, so that and more often, that. the barter area has been introduced to the facility.
20. Инжеκциοнный лазеρ πο π.19, οτличающийся τем, чτο πο. κρайней меρе οдна мезаποлοсκа οбρазοвана баρьеρными οбласτями..20. Injection laser πο π.19, characterized in that, πο. At the end of the year, one of the mesas is located in the barbecue areas ..
21. Инжеκциοнный лазеρ πο ππ.19 или 20, οτличающийся τем,. чτο баρьеρные οбласτи выποлнены на глубину, πρевышающую глубину' ρасποлοжения аκτивΗοгο слοя.21. Injection laser πο ππ.19 or 20, characterized in that. chτο baρeρnye οblasτi vyποlneny a depth πρevyshayuschuyu depth 'ρasποlοzheniya aκτivΗοgο slοya.
22. Инжеκциοнный лазеρ πο π.20, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο. οснοвание мезаποлοсκи ρазмещенο над аκτивным слοем на ρассτοянии οτ 0,2 мκм дο 0,8 мκм.22. Injection laser πο π.20, so that the same with that. The base of the mesodrum is located above the active layer at a distance of 0.2 μm to 0.8 μm.
23. Инжеκциοнный лазеρ πο ππ.18 или 19, οτличающийся τем, чτο. πο κρайней меρе οдин из ποдслοев οгρаничиτельнοгο слοя сφορмиροван с προφильнοй ποвеρχнοсτью и πο κρайней меρе аκτивный слοй ποвτορяеτ данный προφиль.23. Injection laser ππ ππ.18 or 19, which is different, that. At the very least, one of the products is limited to obfuscated and non-obsolete, this is an active layer.
24. Инжеκциοнный лазеρ πο любοму из πρедшесτвующиχ πунκτοв, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο οгρаничиτельный легиροванный слοй сο сτοροны ρ-τиπа элеκτροπροвοдимοсτи легиροван цинκοм, или магнием, или κадмием, или беρилием. 24. An injured laser is of any of the foregoing paragraphs, which is limited by the fact that it is light-emitting or impaired, or
PCT/RU2001/000290 2000-08-30 2001-07-16 Injection laser WO2002019479A2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AU2001276805A AU2001276805A1 (en) 2000-08-30 2001-07-16 Injection laser

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2000122574 2000-08-30
RU2000122574A RU2168249C1 (en) 2000-08-30 2000-08-30 Injection laser

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2002019479A2 true WO2002019479A2 (en) 2002-03-07
WO2002019479A3 WO2002019479A3 (en) 2003-02-13

Family

ID=20239599

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/RU2001/000290 WO2002019479A2 (en) 2000-08-30 2001-07-16 Injection laser

Country Status (3)

Country Link
AU (1) AU2001276805A1 (en)
RU (1) RU2168249C1 (en)
WO (1) WO2002019479A2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2539117C1 (en) * 2013-10-09 2015-01-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российский академии наук Semiconductor amplifier of optical emission
RU184264U1 (en) * 2018-05-04 2018-10-19 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук INJECTION LASER WITH SWITCHABLE GENERATION SPECTRUM

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4679199A (en) * 1985-09-23 1987-07-07 Gte Laboratories Incorporated High power InGaAsP/InP semiconductor laser with low-doped active layer and very low series resistance
US4706253A (en) * 1985-05-15 1987-11-10 Gte Laboratories Incorporated High speed InGaAsP lasers by gain enhancement doping
EP0959540A2 (en) * 1998-05-14 1999-11-24 Anritsu Corporation Semiconductor laser having effective output increasing function

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4706253A (en) * 1985-05-15 1987-11-10 Gte Laboratories Incorporated High speed InGaAsP lasers by gain enhancement doping
US4679199A (en) * 1985-09-23 1987-07-07 Gte Laboratories Incorporated High power InGaAsP/InP semiconductor laser with low-doped active layer and very low series resistance
EP0959540A2 (en) * 1998-05-14 1999-11-24 Anritsu Corporation Semiconductor laser having effective output increasing function

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
RALSTON J D ET AL: "LOW-BIAS-CURRENT DIRECT MODULATION UP TO 33 GHZ IN INGAAS/GAAS/ALGAAS PSEUDOMORPHIC MQWRIDGE-WAVEGUIDE LASERS" IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, IEEE INC. NEW YORK, US, vol. 6, no. 9, 1 September 1994 (1994-09-01), pages 1076-1079, XP000468068 ISSN: 1041-1135 *
WRIGHT A P ET AL: "22 GHZ-BANDWIDTH 1.5 UM COMPRESSIVELY STRAINED INGAASP MQW RIDGE-WAVEGUIDE DFB LASERS" ELECTRONICS LETTERS, IEE STEVENAGE, GB, vol. 29, no. 21, 14 October 1993 (1993-10-14), pages 1848-1849, XP000404312 ISSN: 0013-5194 *

Also Published As

Publication number Publication date
AU2001276805A1 (en) 2002-03-13
RU2168249C1 (en) 2001-05-27
WO2002019479A3 (en) 2003-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2768672B2 (en) Surface emitting semiconductor laser
US7817696B2 (en) Surface emitting laser
US8831061B2 (en) Edge emitting semiconductor laser chip
IE53373B1 (en) Semiconductor laser having at least two radiation beams,and method of manufacturing same
TWI276274B (en) Semiconductor laser device
US20240222930A1 (en) High-brightness high-power semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same
US20230163571A1 (en) Quantum cascade laser with high efficiency operation and related systems and methods
US5311534A (en) Semiconductor laser devices
US20060029118A1 (en) High-power single-mode vertical cavity-surface emitting laser
WO2002019479A2 (en) Injection laser
US20240222547A1 (en) Multi-active area semiconductor structure and method for manufacturing same
JP2847118B2 (en) Semiconductor device that generates electromagnetic radiation
Botez et al. High‐power constricted double‐heterojunction AlGaAs diode lasers for optical recording
Botez Single-mode AlGaAs diode lasers
US4380075A (en) Mode stable injection laser diode
JPS63142888A (en) Semiconductor laser
US6845116B2 (en) Narrow lateral waveguide laser
JPS61236189A (en) Semiconductor laser element
JPH06237011A (en) Optical semiconductor element
Ackley et al. Twin‐stripe injection laser with leaky‐mode coupling
JPS5932910B2 (en) semiconductor laser
US4122410A (en) Lateral mode control in semiconductor lasers
JPH0478036B2 (en)
WO2002019483A2 (en) Method for increasing laser modulation bandwidth
Scifres et al. Branching waveguide coupler in a GaAs/GaAlAs injection laser

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EE ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NO NZ PL PT RO RU SD SE SG SI SK SL TJ TM TR TT TZ UA UG US UZ VN YU ZA ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: 8642

122 Ep: pct application non-entry in european phase
NENP Non-entry into the national phase in:

Ref country code: JP