WO2001057918A1 - Formation de couches minces de composes de silicium et de germanium - Google Patents

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gas
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germanium
chamber
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Chun-Hao Ly
Jean-Marc Girard
Patrick Mauvais
Daniel Bensahel
Yves Campidelli
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L'air Liquide, Societe Anonyme A Directoire Et Conseil De Surveillance Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude
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Definitions

  • the invention relates to the field of microelectronics, and in particular the processes for forming silicon compounds in the form of thin layers.
  • silicon-based compounds could not be used in applications implementing high-speed switching as well as in the optoelectronic field, for the production of light emitters and receivers, or light detectors.
  • the III-V compounds were used exclusively, and in particular the GaAs compounds, because of the particular characteristics of their forbidden bands, and the possibilities of varying the bandwidths by combining or using alloys of compositions slightly different from each other.
  • the subject of the invention is a process for producing epitaxial layers of silicon (Si) and Germanium (Ge) compounds, comprising:
  • the humidity level in the mixture of carrier gas and reactive gases is less than 1 ppm (by volume).
  • Such concentrations allow crystal growth of the epitaxial layer to be obtained, growth which is not observed for humidity levels above 2 ppm.
  • the invention therefore proposes new operating conditions for the production of silicon and germanium compounds, by epitaxial growth.
  • the invention also applies to a process for producing epitaxial layers of compounds of Silicon (Si), Germanium (Ge) and Carbon (C), comprising:
  • the invention also relates to a device for implementing the method according to the invention. It therefore relates to a device for producing an epitaxial layer, comprising:
  • an epitaxy chamber - means for supplying the epitaxy chamber with a carrier gas, and, at least, a silicon compound and a germanium compound, the humidity in the mixture of these gases being lower at 2 ppm,
  • FIG. 1 shows a device for achieving epitaxial growth according to the invention
  • FIGS. 2A and 2B are examples of changes in the humidity concentration in an epitaxial growth chamber, as a function of time;
  • FIG. 3A and 3B are examples of layers obtained, with different humidity levels.
  • reference 2 designates an introductory airlock, reference 4 a bedroom transfer and reference 6 a quartz chamber inside which the epitaxial growth is carried out.
  • a door 12 separates the transfer chamber 4 and the quartz chamber 6.
  • Lamps 8, 10 arranged on either side of the quartz chamber make it possible to heat the plate (the "wafer” in English terminology) on which the growth is carried out, and to reach the desired temperature during the epitaxial growth.
  • This temperature is preferably between 750 ° C and 400 ° C, it is for example equal to 450 ° C or 650 ° C or 700 ° C. At these temperatures, the diffusion of impurities or dopants in the silicon is reduced. In addition, the process of epitaxial growth of silicon, germanium and possibly carbon compounds is easier to carry out than at temperatures of the order of 900 ° C. or 1000 ° C.
  • the quartz chamber 6 is connected to an evacuation duct 22.
  • a pump 26 makes it possible to evacuate the gases from the chamber.
  • the injection of a mixture of carrier gas and reactive gases takes place using an injection pipe 13, located on the side of the chamber 6 where the door 12 is located.
  • the reference 15 designates a set of gas cylinders (carrier gas and reactive gases) as well as the apparatus for regulating pressure and flow.
  • a hygrometer 16 is installed at the outlet of the chamber 6.
  • the calibration of the hygrometer is obtained using samples with known concentration or moisture content. This calibration is carried out under the same temperature and pressure conditions as those of the analysis.
  • a process for growing a SiGe layer is carried out at low pressure (for example: 30 Torr) and at a temperature in the range indicated above, for example equal to around 650 ° C.
  • the preliminary cleaning step is carried out with HCl gas, at atmospheric pressure.
  • high temperature above 1000 ° C
  • the HCI removes all the layers that can be deposited on the interior surface of the chamber. This eliminates any subsequent contamination of the substrate by particles coming from a layer previously deposited.
  • This cleaning step depends on the cleanliness of the chamber, and it has a duration of the order of a few minutes which depends on the thickness of the layer to be cleaned.
  • the concentration of HCI in H 2 is between 20% and 100%.
  • the temperature is reduced to the value it will have during the growth process (at 650 ° C, in the example given above).
  • the chamber is purged with hydrogen, at atmospheric pressure.
  • a substrate is loaded into the load lock 2, and transferred to the chamber 6 via the transfer chamber 4.
  • the lock and the transfer chamber 4 are purged with nitrogen at atmospheric pressure.
  • the door 12 is opened only when the chamber 6 is at atmospheric pressure, under a hydrogen atmosphere. Once the substrate is loaded into the chamber 6, the pressure in the latter is reduced to about 30 Torr, by pumping.
  • the substrate is protected by a thin native layer of SiO 2 , formed on its surface by reaction with air. Before starting the epitaxial growth step, this layer is removed by heating the substrate, to a temperature of between approximately 1200 ° C. and 1000 ° C., under a stream of hydrogen. This degassing step lasts about a few minutes, its exact duration depending on the thickness of the native oxide layer.
  • the pressure in the chamber is reduced to atmospheric pressure.
  • the substrate can then be transferred again to chamber 4, then to the airlock 2.
  • the growth step of the SiGe film implements a reaction, in the chamber 6, between reactive gases mixed with a carrier gas.
  • the reactive gases are respectively Silane
  • SiH 4 SiH 4
  • GeH Germane
  • Germane and Silane are of the order of a hundred standard cm 3 / minute, in a hydrogen carrier gas at a flow rate of between 20 and 50 standard liters / minute.
  • the growth stage generally lasts a few minutes. In the example above, it takes about 5 minutes. As an indication, the layers obtained have a thickness of, for example, a few nanometers to a few hundred nanometers.
  • FIGS. 2A and 2B both represent the temporal evolution of the humidity concentration, in the chamber 6, before, during, and after the stage of crystal growth.
  • the humidity of the gases used could be tested.
  • the nitrogen used to purge the airlock 2 and the transfer chamber 4 was controlled at less than 20 ppb of humidity.
  • a first part of the curve corresponds to the concentration of humidity in the carrier gas, when the latter is present in the chamber, at atmospheric pressure.
  • the humidity concentration is between 10 and 20 ppm (by volume). It is less than 1 ppm (by volume) in the second case.
  • the peaks B1 and B2 correspond to the establishment of a low pressure (a few tens of Torr) in the chamber 6: traces of humidity, adsorbed on the walls of the chamber, are still present, but are no longer diluted in the carrier gas atmosphere, which explains their greater relative importance.
  • Zones C1 and C2 correspond to the epitaxial growth stage.
  • the reactive gases, mixed with the carrier gas, are introduced into the chamber 6, which decreases the total concentration of humidity in the latter.
  • zones D1 and D2 the pressure in the chamber is reduced to atmospheric pressure, which again decreases the concentration of impurities in the whole of chamber 6.
  • Each of these two curves corresponds to a certain rate of humidity in the carrier gas, or more precisely in the mixture of carrier gas and reactive gas (s) introduced into the chamber 6. In the first case, this rate is between 10 and 20 ppm, and is therefore much higher than the rate in the second case, which is less than 1 ppm.
  • the layers obtained in both cases are shown in Figures 3A and 3B. More specifically, these figures represent pictures, using an electron microscope, of a section of the layers obtained.
  • correct epitaxial growth is obtained when the mixture consisting of the reactive gases and the carrier gas has a moisture content of less than 2 ppm, and preferably less than 1 ppm. At higher concentrations, the layer obtained has a “polysilicon” appearance.
  • the invention has in particular been described in the context of the production of layers of composition Si ⁇ _ x Ge x (0 ⁇ x ⁇ 1), from Silane, Germane and Hydrogen.
  • Si ⁇ -x composition layers y Ge x C y (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1), obtained with the reactive gases SiH 4 , GeH, CH 3 SiH 3 , the carrier gas still being Hydrogen.
  • the same conditions apply to the humidity level of the mixture introduced into chamber 6: crystal growth is obtained for a humidity level of less than 2 ppm, and preferably less than 1 ppm, and this for an epitaxial growth temperature preferably between 750 ° C and 400 ° C, for example equal to 450 ° C or 650 ° C or 700 ° C. Again, for this temperature range or these temperatures, the diffusion impurities or dopants in Silicon is reduced.
  • a purifying means will be used, disposed on the path of the gas supply 13, in order to obtain, at the inlet of, or in , chamber 6, a humidity level of less than 1 or 2 ppm.

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Abstract

L'invention concerne un procédé de réalisation de couches épitaxiales de composés de Silicium (Si) et de Germanium (Ge), comportant: l'introduction, dans une chambre d'épitaxie (6), d'un gaz porteur, d'un gaz d'un composé du Silicium et d'un gaz d'un composé du Germanium, le taux d'humidité dans le mélange de ces gaz étant inférieur à 2 ppm; la réalisation de la croissance épitaxiale, à une température inférieure à 750 °C. L'invention s'applique également à la réalisation de couches épitaxiales de composés de Silicium (Si) de Germanium (Ge) et de Carbone.

Description

FORMATION DE COUCHES MINCES DE COMPOSES DE SILICIUM ET DE GERMANIUM
DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTERIEUR L'invention concerne le domaine de la micro-électronique, et en particulier les procédés de formation de composés du Silicium sous la forme de couches minces.
Dans le domaine de la micro-électronique, le Silicium occupe une place essentielle, puisqu'il constitue un matériau utilisé de manière prédominante dans la réalisation de dispositifs aussi différents que les transistors bipolaires et les transistors CMOS.
Il entre dans la composition de composants ayant des applications aussi bien dans le domaine de l'électronique analogique que dans le domaine de l'électronique digitale, notamment par des applications à faible consommation de puissance et à haute fréquence.
Cependant, pendant très longtemps, les composés à base de Silicium n'ont pu être utilisés dans les applications mettant en œuvre des commutations à haute vitesse ainsi que dans le domaine optoélectronique, pour la réalisation d'émetteurs et de récepteurs de lumière, ou de détecteurs de lumière. Pour ces applications, on a utilisé exclusivement les composés lll-V, et en particulier les composés GaAs, du fait des caractéristiques particulières de leurs bandes interdites, et des possibilités de faire varier les largeurs de bande en combinant ou en utilisant des alliages de compositions légèrement différentes l'une de l'autre.
Il est maintenant possible de réaliser des couches minces, par épitaxie, de composés du Silicium et du Germanium. Ainsi, s'ouvrent aux composés du Silicium de nouvelles perspectives d'application, et notamment dans les domaines qui ont été évoqués ci-dessus (opto- électronique en particulier). La qualité des couches de composés du Silicium et du Germanium, obtenues actuellement par épitaxie, peut être très variable et très fluctuante. En particulier, dans certains cas, des couches à croissance non uniforme ont été obtenues. II se pose donc le problème de trouver des conditions opératoires permettant d'obtenir des couches de composés du Silicium, et en particulier des couches de composés du Silicium et du Germanium, de meilleure qualité.
EXPOSE DE L'INVENTION
L'invention a pour objet un procédé de réalisation de couches épitaxiales de composés de Silicium (Si) et de Germanium (Ge), comportant :
- l'introduction, dans une chambre d'épitaxie, d'un gaz porteur, d'un gaz d'un composé du Silicium et d'un gaz d'un composé du Germanium, le taux d'humidité dans le mélange de ces gaz étant inférieur à 2 ppm (en volume),
- la réalisation de la couche épitaxiale à une température inférieure à 750° C, par exemple comprise entre 450°C et 700° C. Un tel procédé permet d'obtenir des couches épitaxiales de composition Siι_xGex (0 < x < 1).
De préférence le taux d'humidité dans le mélange de gaz porteur et de gaz réactifs est inférieur à 1 ppm (en volume).
De telles concentrations permettent d'obtenir une croissance cristalline de la couche épitaxiale, croissance qui n'est pas observée pour des taux d'humidité au-delà de 2 ppm.
Par ailleurs, à moins de 750° C, la diffusion d'impuretés ou de dopants dans le Silicium est réduite par rapport à ce qui se produit pour des températures plus élevées, de l'ordre de 900°C ou 1000°C, et il en résulte, là encore, des couches épitaxiales de meilleure qualité. ••> j
L'invention propose donc de nouvelles conditions opératoires pour la réalisation de composés du Silicium et du Germanium, par croissance épitaxiale.
L'invention s'applique également à un procédé de réalisation de couches épitaxiales de composés de Silicium (Si), de Germanium (Ge) et de Carbone (C), comportant :
- l'introduction, dans une chambre d'épitaxie, d'un gaz porteur, d'un gaz d'un composé du Silicium, d'un gaz d'un composé du Germanium, et d'un gaz d'un composé du Carbone, le taux d'humidité dans le mélange de ces gaz étant inférieur à 2 ppm,
- la réalisation de la couche épitaxiale à une température inférieure à 750° C, par exemple comprise entre 450°C et 700° C.
On peut ainsi réaliser des couches de compositions Siι_χ.yGexCy (0< x < 1 , 0< y <1). Là encore, le choix d'un taux d'humidité inférieur à 2 ppm, et de préférence inférieur à 1 ppm, permet d'obtenir une croissance cristalline de la couche épitaxiale. La limitation de la température à une valeur maximale d'environ 750°C améliore également la qualité de la couche obtenue, puisque la diffusion d'impuretés ou de dopants dans le Silicium est réduite.
L'invention concerne également un dispositif pour la mise en œuvre du procédé selon l'invention. Elle concerne donc un dispositif pour réaliser une couche épitaxiale, comportant :
- une chambre d'épitaxie, - des moyens pour alimenter la chambre d'épitaxie avec un gaz porteur, et, au moins, un composé du Silicium et un composé du Germanium, le taux d'humidité dans le mélange de ces gaz étant inférieur à 2 ppm,
- des moyens pour maintenir la chambre d'épitaxie à une température inférieure à 750° C en cours de croissance épitaxiale. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES
Les caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront mieux à la lumière de la description qui va suivre. Cette description porte sur les exemples de réalisation, donnés à titre explicatif et non limitatif, en se référant à des dessins annexés sur lesquels :
- la figure 1 représente un dispositif permettant de réaliser une croissance épitaxiale selon l'invention;
- les figures 2A et 2B sont des exemples d'évolution de la concentration en humidité, dans une chambre de croissance épitaxiale, en fonction du temps;
- les figures 3A et 3B sont des exemples de couches obtenues, avec des taux d'humidité différents.
EXPOSE DETAILLE DE MODES DE REALISATION DE L'INVENTION Un dispositif pour la mise en œuvre de l'invention va être décrit en liaison avec la Figure 1. Sur cette figure, la référence 2 désigne un sas d'introduction, la référence 4 une chambre de transfert et la référence 6 une chambre à quartz à l'intérieur de laquelle la croissance épitaxiale est réalisée. Une porte 12 sépare la chambre de transfert 4 et la chambre en quartz 6.
Des lampes 8, 10 disposées de part et d'autre de la chambre en quartz permettent de chauffer la plaque (le "wafer" en terminologie anglo- saxonne) sur laquelle la croissance est réalisée, et d'atteindre la température voulue lors de la croissance épitaxiale. Cette température est de préférence comprise entre 750° C et 400° C, elle est par exemple égale à 450° C ou à 650° C ou à 700° C. A ces températures, la diffusion d'impuretés ou de dopants dans le Silicium est réduite. De plus, le procédé de croissance épitaxiale de composés du Silicium, du Germanium, et éventuellement du carbone, est plus facile à mettre en œuvre qu'à des températures de l'ordre de 900°C ou 1000°C En sortie, la chambre en quartz 6 est reliée à un conduit d'évacuation 22. Une pompe 26 permet d'évacuer les gaz de la chambre.
L'injection d'un mélange de gaz porteur et de gaz réactifs a lieu à l'aide d'un conduit d'injection 13, situé du côté de la chambre 6 où se trouve la porte 12. La référence 15 désigne un ensemble de bouteilles de gaz (gaz porteur et gaz réactifs) ainsi que l'appareillage pour leur régulation de pression et de débit.
Afin de pouvoir déterminer les différentes sources de contamination, et en particulier le degré d'humidité pendant la croissance du composé SiGe, un hygromètre 16 est installé en sortie de la chambre 6.
La calibration de l'hygromètre est obtenue à l'aide d'échantillons à concentration ou teneur connue en humidité. Cette calibration est réalisée dans les mêmes conditions de température et de pression que celles de l'analyse.
Un procédé de croissance d'une couche SiGe (ou Siι_x Gex) est réalisé à basse pression (par exemple : 30 Torr) et à température dans la gamme indiquée ci-dessus, par exemple égale à environ 650°C.
Préalablement à la croissance elle-même, les étapes préliminaires suivantes peuvent être mises en œuvre :
- nettoyage de la chambre 6 (à pression atmosphérique, et à une température supérieure à 1000° C, par exemple environ 1200° C).
- chargement du substrat (à pression atmosphérique, et à environ 650° C)
- dégazage ("flash") du substrat (à environ 30 Torr, et 1050° C). Après croissance de la couche mince de SiGe, la chambre 6 est purgée avec de l'hydrogène et le substrat est sorti de la chambre. Ces étapes ont lieu à pression atmosphérique, à environ 650° C.
L'étape préliminaire de nettoyage est réalisée avec du gaz HCI, à pression atmosphérique. A haute température (supérieure à 1000° C), le HCI élimine toutes les couches pouvant être déposées sur la surface intérieure de la chambre. Ainsi, on élimine toute contamination ultérieure du substrat par des particules provenant d'une couche déposée antérieurement. Cette étape de nettoyage dépend de la propreté de la chambre, et elle a une durée de l'ordre de quelques minutes qui dépend de l'épaisseur de la couche à nettoyer. La concentration de HCI dans le H2 est quant à elle comprise entre 20 % et 100 %.
Après l'étape de nettoyage, la température est diminuée à la valeur qu'elle aura au cours du procédé de croissance (à 650° C, dans l'exemple donné ci-dessus). La chambre est purgée par de l'hydrogène, à pression atmosphérique. Puis un substrat est chargé dans le sas de charge 2, et transféré à la chambre 6 via la chambre de transfert 4. Le sas et la chambre de transfert 4 sont purgés avec de l'azote à la pression atmosphérique. La porte 12 est ouverte seulement lorsque la chambre 6 est à pression atmosphérique, sous atmosphère d'hydrogène. Une fois que le substrat est chargé dans la chambre 6, la pression dans cette dernière est réduite à environ 30 Torr, par pompage.
Le substrat est protégé par une couche mince native de SiO2, formée à sa surface par réaction à l'air. Avant de démarrer l'étape de croissance épitaxiale, cette couche est éliminée par un chauffage du substrat, à une température comprise entre environ 1200° C et 1000° C, sous flux d'hydrogène. Cette étape de dégazage dure environ quelques minutes, sa durée exacte dépendant de l'épaisseur de la couche d'oxide natif.
Après dépôt ou croissance de la couche SiGe, la pression dans la chambre est ramenée à la pression atmosphérique. Le substrat peut ensuite être de nouveau transféré dans la chambre 4, puis dans le sas 2.
L'étape de croissance du film SiGe met en œuvre une réaction, dans la chambre 6, entre des gaz réactifs mélangés à un gaz porteur.
Dans le cas du SiGe, les gaz réactifs sont respectivement du Silane
(SiH4) et du Germane (GeH ) dans de l'hydrogène. La réaction a lieu à une température comprise entre 750° C et 400° C, par exemple à environ 650° C, et à une pression d'environ 30 Torr. Le rapport des concentrations de SiH4 et de GeH4 est ajusté pour obtenir la concentration désirée de Ge dans SiGe. Les débits de
Germane et de Silane sont de l'ordre de la centaine de cm3 standard/minute, dans un gaz porteur hydrogène au débit compris entre 20 et 50 litres standard/minute.
L'étape de croissance dure en général quelques minutes. Dans l'exemple ci-dessus, elle dure environ 5 minutes. A titre indicatif, les couches obtenues ont une épaisseur comprise entre par exemple quelques nanomètres et quelques centaines de nanomètres. Les figures 2A et 2B représentent toutes deux l'évolution temporelle de la concentration en humidité, dans la chambre 6, avant, pendant, et après l'étape de croissance cristalline.
Le taux d'humidité des gaz utilisés a pu être testé. Ainsi, l'azote utilisé pour purger le sas 2 et la chambre de transfert 4 a été contrôlé à moins de 20 ppb d'humidité.
Dans les deux cas, on a pris soin de s'assurer que les taux d'humidité dans les gaz N2 et HCI utilisés étaient inférieurs à 1 ppm (en volume). De même, il a été vérifié qu'aucune humidité n'est introduite, lorsque la porte 12 est ouverte, la chambre 6 étant sous atmosphère d'hydrogène, et ceci qu'un substrat soit introduit, ou pas, dans la chambre 6.
Enfin, il a été vérifié que les concentrations en CH4, CO, CO2, CnHm de l'hydrogène utilisé sont toutes très faibles, entre quelques ppb et 150 ppb (en volume). La seule quantité variable est donc la teneur en humidité du mélange constitué par le gaz porteur (H2) et les gaz réactifs (SiH4 et GeH4).
Plus précisément, sur chacune des figures 2A et 2B, une première partie de la courbe (Ai, A2) correspond à la concentration d'humidité dans le gaz porteur, lorsque celui-ci est présent dans la chambre, à pression atmosphérique. Dans le premier cas (Fig. 2A) la concentration d'humidité est comprise entre 10 et 20 ppm (en volume). Elle est inférieure à 1 ppm (en volume) dans le second cas.
Les pics B1 et B2 correspondent à l'établissement d'une faible pression (à quelques dizaines de Torr) dans la chambre 6 : des traces d'humidité, adsorbées sur les parois de la chambre, sont encore présentes, mais ne sont plus diluées dans l'atmosphère de gaz porteur, ce qui explique leur plus grande importance relative.
Les zones C1 et C2 correspondent à l'étape de croissance épitaxiale. Les gaz réactifs, mélangés au gaz porteur, sont introduits dans la chambre 6, ce qui diminue la concentration totale d'humidité dans cette dernière.
Enfin, dans les zones D1 et D2 la pression dans la chambre est ramenée à la pression atmosphérique, ce qui diminue là encore la concentration des impuretés dans l'ensemble de la chambre 6. Chacune de ces deux courbes correspond à un certain taux d'humidité dans le gaz porteur, ou plus précisément dans le mélange de gaz porteur et de gaz réactif(s) introduit dans la chambre 6. Dans le premier cas, ce taux est compris entre 10 et 20 ppm, et est donc nettement supérieur au taux du second cas, qui est, lui, inférieur à 1 ppm. Les couches obtenues dans les deux cas sont représentées en figures 3A et 3B. Plus précisément, ces figures représentent des clichés, au microscope électronique, d'une coupe des couches obtenues.
Dans le premier cas (Fig. 3A) on voit clairement que la croissance réalisée n'est pas une croissance cristalline, au contraire du deuxième cas (Fig. 3B).
D'une manière générale, une croissance épitaxiale correcte (croissance cristalline) est obtenue lorsque le mélange constitué des gaz réactifs et du gaz porteur a une teneur en humidité inférieure à 2 ppm, et de préférence inférieure à 1 ppm. A des concentrations plus élevées, la couche obtenue a un aspect de type "polysilicium". L'invention a notamment été décrite dans le cadre de la réalisation de couches de composition Siι_xGex (0 < x < 1), à partir de Silane, de Germane et d'Hydrogène.
Elle s'applique également à la réalisation de couches de composition Siι-x.yGexCy (0 < x < 1 , 0< y <1), obtenues avec les gaz réactifs SiH4, GeH , CH3 SiH3, le gaz porteur étant encore de l'Hydrogène. Dans ce cas, les mêmes conditions s'appliquent sur le taux d'humidité du mélange introduit dans la chambre 6 : une croissance cristalline est obtenue pour un taux d'humidité inférieur à 2 ppm, et de préférence inférieur à 1 ppm, et ceci pour une température de croissance épitaxiale de préférence comprise entre 750° C et 400° C, par exemple égale à 450° C ou à 650° C ou à 700° C. Là encore, pour cette gamme de température ou ces températures, la diffusion d'impuretés ou de dopants dans le Silicium est réduite. Si le mélange des gaz utilisés contient un taux d'humidité supérieur à 1 ou 2 ppm, on utilisera un moyen purificateur, disposé sur le trajet de l'alimentation 13 en gaz, afin d'obtenir, à l'entrée de, ou dans, la chambre 6, un taux d'humidité inférieur à 1 ou 2 ppm.

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé de réalisation de couches épitaxiales de composés de Silicium (Si) et de Germanium (Ge), comportant : - l'introduction, dans une chambre d'épitaxie (6), d'un gaz porteur, d'un gaz d'un composé du Silicium et d'un gaz d'un composé du Germanium, le taux d'humidité dans le mélange de ces gaz étant inférieur à 2 ppm,
- la réalisation de la croissance épitaxiale, à une température inférieure à 750° C, caractérisé en ce que le taux d'humidité dans le mélange de gaz porteur et des gaz de composés du Silicium et du Germanium étant inférieur à 1 ppm.
2. Procédé selon l'une des revendications 1 , la couche épitaxiale étant de composition Si1-xGex (0 < x < 1).
3. Procédé de réalisation de couches épitaxiales de composés de
Silicium (Si), de Germanium (Ge) et de Carbone (C), comportant
- l'introduction, dans une chambre d'épitaxie (6), d'un gaz porteur, d'un gaz d'un composé du Silicium, d'un gaz d'un composé du Germanium, et d'un gaz d'un composé du Carbone, le taux d'humidité dans le mélange de ces gaz étant inférieur à 2 ppm,
- la réalisation de la croissance épitaxiale, à une température inférieure à 750° C. caractérisé en ce que le taux d'humidité du mélange de gaz porteur, et des gaz de composés du Silicium, du Germanium et du Carbone étant inférieur à 1 ppm.
4. Procédé selon l'une des revendications 3, la couche épitaxiale étant de composition Siι-x_yGexCy (0 < x < 1 , 0< y <1).
5. Procédé selon l'une des revendications 3 ou 4, dans lequel le gaz d'un composé du Carbone étant de composition CH3 SiH3.
6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, la température de réalisation de la couche épitaxiale étant comprise entre 700° C et 450° C.
7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, le gaz d'un composé du Silicium étant du Silane (SiH4).
8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, le gaz d'un composé du Germanium étant du Germane (GeH4).
9. Dispositif pour réaliser une couche épitaxiale, comportant :
- une chambre d'épitaxie (6),
- des moyens (13, 15) pour alimenter la chambre d'épitaxie (6) avec un gaz porteur, et, au moins, un composé du Silicium et un composé du Germanium, le taux d'humidité dans le mélange de ces gaz étant inférieur à 2 ppm,
- des moyens (8, 10) pour maintenir la chambre d'épitaxie (6) à une température inférieure à 750° C en cours de croissance épitaxiale, caractérisé en ce que le taux d'humidité dans le mélange de gaz est inférieur à 1 ppm.
10. Dispositif selon la revendication 9, la chambre d'épitaxie étant également alimentée avec un composé de Silicium et de Carbone.
11. Dispositif selon la revendication 10, le composé du Silicium et du Carbone étant du CH3SiH3.
12. Dispositif selon l'une des revendications 9 à 11 , le gaz d'un composé du Silicium étant du Silane (SiH4).
13. Dispositif selon l'une des revendications 9 à 12, le gaz d'un composé du Germanium étant du Germane (GeH4).
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