WO2001045143A1 - Vorrichtung und verfahren zum behandeln von substraten - Google Patents

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WO2001045143A1
WO2001045143A1 PCT/EP2000/012428 EP0012428W WO0145143A1 WO 2001045143 A1 WO2001045143 A1 WO 2001045143A1 EP 0012428 W EP0012428 W EP 0012428W WO 0145143 A1 WO0145143 A1 WO 0145143A1
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treatment
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fluid
distance
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Torsten Radtke
Klaus Wolke
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Steag Microtech Gmbh
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

Definitions

  • the present invention relates to an apparatus and a method for treating substrates in a treatment tank filled with treatment fluid, in which the fluid is introduced into the treatment tank with a diffuser.
  • the substrates can be inserted into the container together with a substrate carrier.
  • the substrates e.g. Semiconductor wafers are inserted into the substrate carrier before the wet treatment.
  • the semiconductor wafers are then inserted together with the substrate carrier into the container containing the treatment fluid.
  • treatment fluid is continuously introduced into the treatment basin via a diffuser arranged below the wafers.
  • the object of the invention is to provide a device and a method for optimizing the flow conditions, in particular homogenizing the flows on the substrates to be treated.
  • this object is achieved in a device of the type mentioned in the introduction in that the distance between the diffuser and the substrates is adjustable.
  • Uniform flow conditions in the pool lead to a more uniform treatment of the substrates, which prevents damage to them.
  • the distance between the diffuser and the substrates is reduced, it is possible to reduce the radiation pressure of the diffuser, as a result of which a more uniform flow is achieved.
  • the diffuser is displaceable in the treatment basin.
  • a distance adjustment between diffuser and substrates can be achieved in a simple and efficient manner.
  • access to the diffuser for maintenance and / or replacement purposes is made considerably easier due to the movability.
  • Such maintenance and / or replacement of the diffuser is necessary, for example, if foreign particles accumulate on the diffuser, which can lead to contamination of the treated substrates.
  • Substrate holding devices can generally be moved in the treatment basin for inserting and removing the substrates from the treatment basin. Their positioning for setting the distance is therefore particularly simple.
  • the device preferably has a control device for controlling the position of the diffuser and / or the substrate holding device, to make a distance adjustment adapted to the process conditions.
  • the diffuser has a diffuser plate which is curved cylindrically to the substrates and has outlet openings, the cylinder axis of which runs perpendicular to the substrate planes.
  • the cylindrical, curved diffuser plate enables the treatment fluid to be introduced into the treatment basin over a wide area.
  • the inlet pressure can be reduced compared to a diffuser with a smaller inlet area, which leads to better uniformity of the flow.
  • the curvature from the diffuser results in individual flows that divide in a fan-like manner. This prevents the currents and eddies from crossing each other, which impair the uniformity of the overall flow.
  • the shape of the diffuser plate is preferably symmetrical to its apex.
  • the outlet openings are preferably also arranged symmetrically to the apex.
  • a baffle plate is preferably provided opposite an inlet of the diffuser.
  • the diffuser has a diffuser plate which is curved cylindrically toward the substrates and has outlet openings whose cylinder axis is perpendicular to the substrate planes.
  • the cylindrical curvature of the diffuser plate enables treatment fluid to be introduced into the treatment basin over a wide area. Beyond that that there are no intersecting currents and thus eddies, which leads to a very even flow.
  • the shape of the diffuser plate is preferably symmetrical to its apex.
  • the exit points are preferably also arranged symmetrically to the apex.
  • a baffle plate that is arranged opposite an inlet of the diffuser is preferably provided.
  • the object on which the invention is based is achieved in a method for treating substrates in a treatment tank filled with treatment fluid, in which the fluid is introduced into the treatment tank with a diffuser, in that the distance between the diffuser and the substrate is dependent on the Process conditions is set.
  • the flow settings within the treatment basin, and thus the treatment successes achieved, are homogenized by the distance settings, with changing process conditions being taken into account.
  • the distance is set depending on the viscosity of the fluid, since this has a great influence on the flow within the treatment basin.
  • the distance is preferably set by moving the diffuser in the treatment basin.
  • the distance is set by moving a substrate holding device in the treatment basin.
  • the device and the method according to the invention are particularly suitable for the wet treatment of semiconductor wafers, in particular in so-called single treatment tanks or single tank tools, in which different treatment fluids are used within a single tank to treat the wafers.
  • the invention is explained in more detail below on the basis of preferred exemplary embodiments with reference to the figures; show it:
  • Figure 1 is a schematic sectional view through a treatment device according to the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic side view of a diffuser according to the present invention
  • FIG. 3 shows a schematic side view of the diffuser according to FIG. 2 with a viewing angle rotated by 90 degrees
  • Figure 4 is a schematic perspective view of a diffuser according to the present invention.
  • Figure 1 shows a device 1 for treating substrates 2, such as Semiconductor wafers with a treatment basin 3 and an overflow 4 surrounding the treatment basin. A large number of wafers are accommodated one behind the other in the treatment basin in the viewing direction according to FIG.
  • the treatment basin 3 has side walls 6, 7, which expand conically upwards, and a bottom wall 8.
  • a carrier receptacle 10 for accommodating a wafer carrier (not shown in detail) is provided in a lower region of the treatment basin 3.
  • a diffuser unit 12 is also provided in the lower region of the treatment basin 3.
  • the diffuser unit 12 has a diffuser tube 13 extending through the bottom wall 8 and a diffuser head 14 arranged above the bottom wall 8.
  • the diffuser head 14 forms a chamber 16 which is delimited in the direction of the treatment basin by a cylindrically curved diffuser plate 18 with outlet openings 20, which can best be seen in FIGS. 2-4.
  • the cylinder axis of the diffuser plate 18 extends into the sheet plane and thus runs perpendicular to the wafers.
  • the outlet openings 20 are spaced apart from one another in the curvature direction by a 10-degree angular distance. Of course, other angular distances between the openings 20 are also possible.
  • the distance between the outlet openings transverse to the direction of curvature is on the distance of the wafers receivable on the treatment basin is adjusted such that the openings each point into the spaces formed between the wafers in order to provide a targeted flow into these spaces.
  • the diffuser plate 18 has a shape symmetrical to its apex 22 in the direction of curvature and the openings 20 are also arranged symmetrically to the apex 22.
  • the diffuser tube 13 extends essentially perpendicular to the apex 22 of the curved diffuser plate and has an opening 23 pointing thereon.
  • a baffle element 24 is provided in the form of a baffle plate.
  • the baffle plate 14 can be fastened to the curved diffuser plate 18, as shown in FIG. 1, or it can be fastened to the diffuser tube 13 or to a base plate opposite the diffuser plate via suitable fastening and spacing elements 26, as shown in FIGS. 4 is shown.
  • the diffuser tube 13 is longitudinally displaceable through the bottom 8 of the treatment basin 3, as shown by the double arrow 28 in FIG. 1.
  • the diffuser head 14 fixedly attached to it is displaced longitudinally within the treatment basin 3, and the distance between the semiconductor wafers 2 accommodated in the treatment basin 3 and the diffuser plate 18 is changed.
  • the diffuser tube is guided through a suitable screw connection 30 and an O-ring 31 and fastened to the basin 3.
  • a carrier or carrier (not shown in more detail).
  • a treatment fluid such as, for example, diluted TF.ussic acid (DHF)
  • DHF diluted TF.ussic acid
  • the fluid is introduced through the diffuser tube 13 into the chamber 16 of the diffuser head 14.
  • At the Baffle plate 24 deflects the fluic and distributes it evenly in chamber 16. Then es emerges through the openings 20 in the curved diffuser plate 18.
  • a fluid flow diverging in a fan-like manner is generated within the treatment basin 3, as is shown schematically in FIG. 1.
  • the distance between the wafers 2 and the diffuser unit 12 is adjusted by longitudinally displacing the diffuser tube 13.
  • a look-up table can be used, for example, in which various distance values between diffuser plate 18 and wafer 2 are given for different viscosities of the treatment fluid, size and shape of the wafer 2, the wafer carrier and / or the container 3.
  • the distance can also be set depending on other process parameters, such as the treatment fluid pressure, whereby a uniform fluid flow is achieved on the wafer surfaces.
  • the invention has been described above with reference to a preferred exemplary embodiment, but without being restricted to this specific exemplary embodiment.
  • the invention is also not restricted to a device in which the wafers are inserted into the treatment tank with a wafer carrier. Different forms of the diffuser unit and the treatment basin are of course also possible.

Abstract

Für eine Optimierung der Strömungsverhältnisse bei einer Vorrichtung (1) zum Behandeln von Substraten (2) in einem mit Behandlungsfluid gefüllten Behandlungsbecken (3), mit wenigstens einem Diffusor (12) zum Einleiten des Fluids in das Behandlungsbecken (3), ist vorgesehen, dass der Abstand zwischen dem Diffusor (12) und den Substraten (2) einstellbar ist. Ferner ist ein Verfahren zum Einstellen des Abstands angegeben. Als weitere Massnahme zur Verbesserung der Strömungsverhältnisse bei einer Vorrichtung der oben genannten Art ist vorgesehen, dass der Diffusor (12) eine zu den Substraten (2) hin zylindrisch gewölbte Diffusorplatte (18) mit Austrittsöffnungen (20) aufweist, deren Zylinderachse senkrecht zu den Substratebenen verläuft.

Description

Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Suhstr^on
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von Substraten in einem mit Behandlungsfluid gefüllten Be- handlungsbecken, bei dem das Fluid mit einem Diffusor in das Behandlungsbecken eingeleitet wird.
Bei Fertigungsprozessen, insbesondere in der Halbleiterindustrie, ist es notwendig Substrate mit einem Fluid zu behandeln. Ein Beispiel hierfür ist die Naßbehandlung von Substraten bei der Chipfertigung.
Aus der EP-B-0 385 536 und der DE 197 03 646 sind Vorrichtungen zur Naßbehandlung von Substraten in einem ein Behandlungsfluid enthaltenden Behälter bekannt, bei denen die Substrate zusammen mit einem Substratträger in den Behälter einsetzbar sind. Die Substrate, z.B. Halbleiterwafer, werden vor der Naßbehandlung in den Substratträger eingesetzt. Nachfolgend werden die Halbleiterwafer zusammen mit dem Substratträger in den das Behandlungsfluid enthaltenden Behälter eingesetzt. Während der Naßbehandlung der Wafer wird kontinuierlich Behandlungsfluid über einen unterhalb der Wafer angeordneten Diffusor in das Behandlungsbecken eingeleitet.
Dabei ist es für eine gleichförmige Behandlung der Substrate wichtig, auf den Substratoberflächen gleichmäßige Strömungsverhältnisse vorzusehen. Diese hängen jedoch wesentlich von der Viskosität des verwendeten Behandlungs- fluids, der Anordnung der Element im Behandlungsbecken, sowie der Form und Größe der zu behandelnden Substrate ab. Bei den oben beschriebenen Vorrichtungen ist eine Anpassung der Strömungsverhältnisse innerhalb des Behandlungsbeckens aufgrund sich ändernder Prozeßbedingungen, wie beispielsweise der Viskosität des Behandlungsfluids bzw. der Größe und Form der Wafer, nicht möglich, so daß sich verändernde Prozeßbedingungen un- gleichförmige StrömungsverhältnTsse^auf derT Oberflächen^er Substrate zur Folge haben. Ausgehend von den oben genannten Vorrichtungen liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Optimierung der Strömungsverhältnisse, insbesondere eine Homogenisierung der Strömungen auf den zu behandelnden Substraten vorzusehen.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe bei einer Vorrichtung der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß der Abstand zwischen dem Diffusor und den Substraten einstellbar ist. Hierdurch ist eine individuelle Anpassung an die jeweiligen Prozeßbedingungen, wie beispielsweise die Viskosität des Be- handlungsfluids oder die Anordnung der Elemente im Tank, die sich beispielsweise mit unterschiedlichen Substratträgern verändern kann, möglich. Gleichförmige Strömungsverhältnisse im Becken führen zu einer gleichmäßigeren Behandlung der Substrate, wodurch deren Beschädigung vermieden wird. Insbesondere ist es bei einer Abstandsverringerung zwischen Diffusor und Substraten möglich, den Abstrahldruck des Diffusors zu verringern, wodurch eine gleichförmigere Strömung erreicht wird.
Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist der Diffusor im Behandlungsbecken verschiebbar. Hierdurch kann auf einfache und effiziente Weise eine Abstandseinstellung zwischen Diffusor und Substraten erreicht werden. Darüber hinaus wird der Zugriff auf den Diffusor zu Wartungs- und/oder Austauschzwecken durch die Verschiebbarkeit erheblich erleichtert. Eine derartige Wartung und/oder ein Austausch des Diffusors ist beispielsweise notwendig, wenn sich Fremdpartikel auf dem Diffusor sam- mein, die zu Verunreinigungen der behandelten Substrate führen können.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorzugsweise die
Position einer Substrat-Halteeinrichtung im Behandlungsbecken einstellbar.
Substrat-Halteeinrichtungen sind in der Regel in dem Behandlungsbecken zum Einsetzen und Herausheben der Substrate aus dem Behandlungsbecken bewegbar. Daher ist deren Positionierung zur Abstandseinstellung besonders einfach. Vorzugsweise weist die Vorrichtung eine Steuereinrichtung zum Steuern der Position des Diffusors und/oder der Substrat-Halteeinrichtung auf, um eine an die Prozeßbed ngungen angepaßte Abstandseinstellung vorzunehmen.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist der Diffusor eine zu den Substraten zylindrisch gewölbte Diffusorplatte mit Austrittsöffnungen auf, deren Zylinderachse senkrecht zu den Substratebenen verläuft. Durch die zylindrisch gewölbte Diffusorplatte ist ein breitflächiges Einleiten des Behandlungsfluids in das Behandlungsbecken möglich. Hierdurch kann der Einleitdruck gegenüber einem Diffusor mit einer geringeren Einleitfläche verringert werden, was zu einer besseren Gleichförmigkeit der Strömung führt. Darüber hinaus ergeben sich durch die Wölbung vom Diffusor ausgehende, fächerartig auseinanderlaufende Einzelströmungen. Hierdurch werden ein Überkreuzen der Strömungen und Verwirbelungen, die die Gleichförmigkeit der Gesamtströmung beeinträchtigen, verhindert.
Für eine gleichmäßige Strömung innerhalb des Behandlungsbeckens ist die Form der Diffusorplatte vorzugsweise zu ihrem Scheitelpunkt symmetrisch. Vorzugsweise sind auch die Austrittsöffnungen symmetrisch zum Scheitelpunkt angeordnet.
Um eine möglichst gleichmäßige Druckverteilung an allen Austrittsöffnungen zu erreichen, ist vorzugsweise eine gegenüber einem Einlaß des Diffusors angeordnete Prallplatte vorgesehen.
Die oben genannte Aufgabe wird bei einer Vorrichtung der eingangs genannten Art auch dadurch gelöst, daß der Diffusor eine zu den Substraten hin zylindrisch gewölbte Diffusorplatte mit Austrittsöffnungen aufweist, deren Zylin- derachse senkrecht zu den Substratebenen verläuft. Wie schon erwähnt, ermöglicht die zylindrische Wölbung der Diffusorplatte ein breitflächiges Einlei- ten von Behandlungsfluid in das Behandlungsbecken. Darüber hinaus wird
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daß keine sich überkreuzenden Strömungen und somit Verwirbelungen entstehen, was zu einer sehr gleichmäßigen Strömung führt. Für eine möglichst gleichmäßige Strömung innerhalb des Behandlungsbek- kens ist die Form der Diffusorplatte vorzugsweise zu ihrem Scheitelpunkt symmetrisch. Vorzugsweise sind auch die Austrittspunkte symmetrisch zum Scheitelpunkt angeordnet.
Um eine möglichst gleichmäßige Druckverteilung an allen Austrittsöffnungen der Diffusorplatte vorzusehen, ist vorzugsweise eine gegenüber einem Einlaß des Diffusors angeordnete Prallplatte vorgesehen.
Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe wird bei einem Verfahren zum Behandeln von Substraten in einem mit Behandlungsfluid gefülltem Behandlungsbecken, bei dem das Fluid mit einem Diffusor in das Behandlungsbecken eingeleitet wird, dadurch gelöst, daß der Anstand zwischen Diffusor und Sub- strat in Abhängigkeit von den Prozeßbedingungen eingestellt wird. Durch die Abstandseinstellungen werden die Strömungsbedingungen innerhalb des Behandlungsbeckens, und somit die erzielten Behandlungserfolge homogenisiert, wobei auf sich ändernde Prozeßbedingungen eingegangen wird.
Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird der Abstand in Abhängigkeit von der Viskosität des Fluids eingestellt, da diese einen großen Einfluß auf die Strömung innerhalb des Behandlungsbeckens besitzt. Vorzugsweise wird der Abstand durch Verschieben des Diffusors im Behandlungsbecken eingestellt. Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfin- dung wird der Abstand durch Verschieben einer Substrat-Halteeinrichtung im Behandlungsbecken eingestellt.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung und das erfindungsgemäße Verfahren eignen sich insbesondere für die Naßbehandlung von Halbleiterwafern, insbe- sondere in sogenannten Einzelbehandlungsbecken bzw. Single-Tank-Tools, in denen unterschiedliche Behandlungsfluide innerhalb eines einzelnen Beckens zur Behandlung der Wafer eingesetzt werden. Die Erfindung wird nachfolgend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die Figuren näher erläutert; es zeigen:
Figur 1 eine schematische Schnittdarstellung durch eine Behandlungs- Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;
Figur 2 eine schematische Seitenansicht eines Diffusors gemäß der vorliegenden Erfindung; Figur 3 eine schematische Seitenansicht des Diffusors gemäß Figur 2 mit einem um 90 Grad gedrehten Blickwinkel; Figur 4 eine schematische, perspektivische Ansicht eines Diffusors gemäß der vorliegenden Erfindung.
Figur 1 zeigt eine Vorrichtung 1 zum Behandeln von Substraten 2, wie z.B. Halbleiterwafem mit einem Behandlungsbecken 3 und einem das Behand- lungsbecken umgebenden Überlauf 4. Eine Vielzahl von Wafern ist in Blickrichtung gemäß Figur 1 hintereinanderliegend in dem Behandlungsbecken aufgenommen. Das Behandlungsbecken 3 weist sich konisch nach oben erweiternde Seitenwände 6,7, sowie eine Bodenwand 8 auf. Eine Carrierauf- nahme 10 zur Aufnahme eines nicht näher dargestellten Wafercarriers ist in einem unterem Bereich des Behandlungsbeckens 3 vorgesehen.
Eine Diffusoreinheit 12 ist ebenfalls im unteren Bereich des Behandlungsbek- kens 3 vorgesehen. Die Diffusoreinheit 12 weist ein sich durch die Bodenwand 8 erstreckendes Diffusorrohr 13 und einen oberhalb der Bodenwand 8 angeordneten Diffusorkopf 14 auf. Der Diffusorkopf 14 bildet eine Kammer 16, die in Richtung des Behandlungsbeckens durch eine zylindrisch gewölbte Diffusorplatte 18 mit Auslaßöffnungen 20 begrenzt ist, die am besten in den Figuren 2-4 zu sehen sind. Die Zylinderachse der Diffusorplatte 18 erstreckt sich gemäß Figur 1 in die Blattebene hinein und verläuft somit senkrecht zu den Wafern. Wie in Figur 2 zu erkennen ist, sind die Auslaßöffnungen 20 in Wölbungsrichtung mit einem 10-Grad-Winkelabstand voneinander beabstandet. Natürlich sind auch andere Winkelabstände zwischen den Öffnungen 20 möglich. Der Abstand der Auslaßöffnungen quer zur Wölbungsrichtung ist an den Abstand der an dem Behandlungsbecken aufnehmbaren Wafer derart angepaßt, daß die Öffnungen jeweils in die zwischen den Wafern gebildeten Zwischenräume weisen, um eine gezielte Strömung in diese Zwischenräume vorzusehen. Die Diffusorplatte 18 besitzt in Wölbungsrichtung eine zu ihrem Scheitelpunkt 22 symmetrische Form und die Öffnungen 20 sind ebenfalls symmetrisch zum Scheitelpunkt 22 angeordnet.
Das Diffusorrohr 13 erstreckt sich im wesentlichen senkrecht zum Scheitelpunkt 22 der gewölbten Diffusorplatte und besitzt eine darauf weisende Öff- nung 23. Um eine möglichst gleichmäßige Druckverteilung eines durch das Diffusorrohr 13 in den Diffusorkopf 14 eingeleiteten Behandlungsfluid an allen Austrittsöffnungen 20 zu erreichen, ist zwischen der gewölbten Diffusorplatte und der Öffnung 23 des Diffusorrohrs 13 ein Prallelement 24 in der Form einer Prallplatte vorgesehen. Die Prallplatte 14 kann an der gewölbten Diffusor- platte 18 befestigt sein, wie in Figur 1 dargestellt ist, oder sie kann über geeignete Befestigungs- und Abstandselemente 26 am Diffusorrohr 13 bzw. einer der Diffusorplatte gegenüberliegenden Bodenplatte befestigt sein, wie in den Figuren 2-4 dargestellt ist.
Das Diffusorrohr 13 ist durch den Boden 8 des Behandlungsbeckens 3 längs verschiebbar, wie durch den Doppelpfeil 28 in Figur 1 dargestellt ist. Durch eine Längsverschiebung des Diffusorrohrs wird der fest daran angebrachte Diffusorkopf 14 längs innerhalb des Behandlungsbeckens 3 verschoben, und der Abstand zwischen den in dem Behandlungsbecken 3 aufgenommenen Halbleiterwafern 2 und der Diffusorplatte 18 verändert.
Das Diffusorrohr ist durch eine geeignete Verschraubung 30 und einen O-Ring 31 , geführt und am Becken 3 befestigt. Für eine Behandlung der Halbleiterwafer 2 werden diese mit einem nicht näher dargestellten Träger bzw. Carrier in das Behandlungsbecken 3 eingesetzt. Anschließend wird ein Behandlungs- fluid, wie beispielsweise verdünnt TF.ußsäure (DHF) durch die Diffusoreinheit 12 in das Behandlungsbecken 3 eingeleitet. Dabei wird das Fluid durch das Diffusorrohr 13 in die Kammer 16 des Diffusorkopfes 14 eingeleitet. An der Prallplatte 24 wird das Fluic umgelenkt und gleichmäßig in der Kammer 16 verteilt. Anschließend tritt eε durch die Öffnungen 20 in der gewölbten Diffusorplatte 18 aus. Dabei wirc eine fächerartig auseinanderlaufende Fluidströ- mung innerhalb des Behandlungsbeckens 3 erzeugt, wie schematisch in Figur 1 dargestellt ist. In Abhängigkeit von der Viskosität des verwendeten Be- handlungsfluids, der Form und Größe der zu behandelnden Halbleiterwafer 2, der Form des Trägers und/oder des Behandlungsbeckens 3 wird der Abstand zwischen den Wafern 2 und der Diffusoreinheit 12 durch Längsverschiebung des Diffusorrohrs 13 eingestellt. Für die Einstellung kann beispielsweise auf eine Nachschautabelle zurückgegriffen werden, in der verschiedenen Abstandswerte zwischen Diffusorplatte 18 und Wafer 2 für unterschiedliche Viskositäten des Behandlungsfluids, Größe und Formen der Wafer 2, des Wafer- carriers und/oder des Behälters 3 angegeben sind. Natürlich kann der Abstand auch in Abhängigkeit von anderen Prozeßparametern, wie zum Beispiel dem Behandlungsfluid-Druck eingestellt werden, wodurch eine gleichförmige Fluidströmung auf den Waferoberflächen erreicht wird.
Die Erfindung wurde zuvor anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels beschrieben, ohne jedoch auf dieses spezielles Ausführungsbeispiel be- schränkt zu sein. Beispielsweise wäre es möglich den Abstand zwischen Diffusor und Wafer durch unterschiedliche Höhenpositionierung des Wafercarri- ers oder eines sonstigen Wafer-Halteelements vorzunehmen. Insbesondere ist die Erfindung auch nicht auf eine Vorrichtung beschränkt, bei der die Wafer mit einem Wafercarrier in das Behandlungsbecken eingesetzt werden. Natür- lieh sind auch unterschiedliche Formen der Diffusoreinheit sowie des Behandlungsbeckens möglich.

Claims

Patentansprüche
1. Vorrichtung (1 ) zum Behandeln von Substraten (2) in einem mit Behandlungsfluid gefüllten Behandlungsbecken (3), mit wenigstens einem Diffusor (12) zum Einleiten des Fluids in das Behandlungsbecken (3), dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen dem Diffusor (12) und den Substraten (2) einstellbar ist.
2. Vorrichtung (1 ) nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß der Dif- fusor (12) im Behandlungsbecken (3) verschiebbar ist.
3. Vorrichtung (1 ) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Position einer Substrat-Halteeinrichtung im Behandlungsbecken (3) einstellbar ist.
4. Vorrichtung (1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Steuereinrichtung zum Steuern der Position des Diffusors (12) und/oder der Substrat-Halteeinrichtung.
5. Vorrichtung (1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Diffusor (12) eine zu den Substraten (2) hin zylindrisch gewölbte Diffusorplatte (18) mit Austrittsöffnungen (20) aufweist, deren Zylinderachse senkrecht zu den Substratebenen verläuft.
6. Vorrichtung (1 ) nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Form der Diffusorplatte (18) zu ihrem Scheitelpunkt (22) symmetrisch ist.
7. Vorrichtung (1 ) nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Austrittsöffnungen (20) symmetrisch zum Scheitelpunkt (22) angeordnet sind.
8. Vorrichtung (1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine gegenüber einem Einlaß des Diffusors angeordnete Prallplatte (24).
9. Vorrichtung (1 ) zum Behandeln von Substraten (2) in einem mit Behandlungsfluid gefüllten Behandlungsbecken (3), mit einem Diffusor (12) zum Einleiten des Fluids in das Behandlungsbecken (3), dadurch gekennzeichnet, daß der Diffusor (12) eine zu den Substraten (2) hin zylindrisch gewölbte Diffusorplatte (18) mit Austrittsöffnungen (20) aufweist, deren Zylinderachse senkrecht zu den Substratebenen verläuft.
10. Vorrichtung (1 ) nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Form der Diffusorplatte (18) zu ihrem Scheitelpunkt (22) symmetrisch ist.
1 1. Vorrichtung (1 ) nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die
Austrittsöffnungen (20) symmetrisch zum Scheitelpunkt (22) angeordnet sind.
12. Vorrichtung (1 ) nach einem der Ansprüche 9 bis 11 , gekennzeichnet durch eine gegenüber einem Einlaß des Diffusors angeordnete Prall- platte (24).
13. Verfahren zum Behandeln von Substraten in einem mit Behandlungsfluid gefüllten Behandlungsbecken, bei dem das Fluid mit einem Diffusor in das Behandlungsbecken eingeleitet wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen Diffusor und Substrat in Abhängigkeit von den Prozeßbedingungen eingestellt wird.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand in Abhängigkeit von der Viskosität des Fluids eingestellt wird.
15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand durch Verschieben des Diffusors im Behandlungsbecken eingestellt wird.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand durch Verschieben einer Substrat-Halteeinrichtung im Behandlungsbecken eingestellt wird.
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