WO2000060663A1 - Integrierter schaltkreis mit schutzschicht aus diamantähnlichem amorphem kohlenstoff - Google Patents

Integrierter schaltkreis mit schutzschicht aus diamantähnlichem amorphem kohlenstoff Download PDF

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Achim Neu
Peter Stampka
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Definitions

  • the present invention relates to integrated circuits with a protective layer made of diamond-like carbon and a method for producing the same.
  • chip cards In recent years, the use of so-called chip cards has become widely established. In these, an integrated circuit is embedded in a flat card, usually made of plastic, which can connect to other devices via electrical contact surfaces on the surface of the card. Such chip cards are used e.g. for coinless telephoning, for money transactions in shops (with the new generation of EC cards), for radio telephones, as an electronic key and in the practice of the health insurance company.
  • the integrated circuits can be of very different designs.
  • a microcontroller can be provided which can carry out calculations, but also memory areas which can store predefined or changeable information of various types.
  • Security-related data such as access codes, passwords or personal information are often stored on the integrated circuits. There is therefore a strong interest in keeping this information secret.
  • the integrated circuits often contain innovative circuits, the disclosure of which means an immense economic loss to the manufacturing company can, or implement the circuits to be kept secret
  • Access to the information by "querying" the integrated circuit at the contact areas can be largely ruled out by means of conventional software protection measures.
  • the usual procedure for mechanical access is to first remove the circuit from the plastic card. This is done, for example, using concentrated nitric acid, which only attacks the plastic.
  • the integrated circuit is then available for further analysis. In the following, this can be eroded in layers, for example by oxygen treatment or "sputtering" (sputtering) the surface in a sputtering system. Each newly emerging layer is captured photographically or in some other way, so that a reliable picture of the overall structure of the IC is obtained. Access may only take four to five hours of work. All optically visible or visible
  • Circuit can be removed. These can then be correlated using suitable image analysis programs so that the circuit and memory information of the IC can be determined.
  • the uppermost wafer levels decisively determine the character of the surface of integrated circuits. This character can usefully be described with the quantities of mechanical resistance, chemical resistance and permittivity. Resistance to influences should be high for the reasons outlined above. At the same time, the permittivity should be low in order to achieve a high access performance, e.g. is required for memory modules.
  • Multi-layer hard passivation and, optionally, soft passivation are currently mostly carried out for the sealing of integrated circuits.
  • the aluminum alloys of the contact surfaces are excluded from these passivations.
  • the hard passivation is composed of at least one silicon oxide layer and at least one silicon nitride layer.
  • the silicon oxide layer is located directly on the active structures of the integrated circuit and typically has a permittivity (Epsilon-r) of 4.
  • Soft passivation usually consists of polyimide.
  • these layers from the prior art have the disadvantage that they can be attacked with nitric acid without the active structures being damaged. Access to the conductor track structures is thus possible in a simple manner. It is therefore an object of the present invention to apply a coating to the circuit structure of an integrated circuit which can prevent access to the circuit with sufficient security and / or has a favorable permittivity.
  • the invention is directed to a coated integrated circuit with a conductor track structure, which has a diamond-like carbon layer (DLC layer) on at least part of the conductor track structure.
  • DLC layer diamond-like carbon layer
  • the DLC layer preferably contains a proportion of 10-30. Hydrogen. It can also contain additives selected from nitrogen, silicon, oxygen and fluorine.
  • the layer thickness of the DLC layer is 100 nm to 5 ⁇ m, preferably 100 nm to 2 ⁇ m.
  • the invention is also based on a method for
  • Coating at least one integrated circuit with diamond-like carbon directed which the following
  • Steps comprises:
  • DLC layer diamond-like carbon layer
  • the DLC layer can be deposited on the integrated circuit by means of a chemical plasma coating method or by means of a physical plasma coating method.
  • hydrocarbon or at least a pure one is preferably used as the starting material
  • the hydrocarbon can be, for example, ethyne (acethylene).
  • additives can be added to the coating, which are selected from nitrogen, silicon, oxygen and fluorine.
  • a plurality of integrated circuits arranged on a carrier can be coated with a common DLC layer.
  • FIG. 1 shows an integrated circuit according to the invention in cross section.
  • DLC diamond like carbon
  • DLC surfaces are produced by depositing carbon under certain conditions, which forms a layer with locally diamond-like binding structures as a result of the deposition process. It can be observed here that this layer has properties which are found in diamonds, in particular hardness and chemical resistance.
  • the DLC layers are deposited by means of "chemical vapor deposition” (CVD) or “physical vapor deposition” (PVD). Methods familiar to the person skilled in the art are used here. In order to enable inexpensive production, e.g. quasi-continuous inline systems with lock system can be used.
  • CVD chemical vapor deposition
  • PVD physical vapor deposition
  • the composition of the layers can be varied by using different carbon sources and other additives.
  • hydrocarbons such as e.g. Acetylene (ethyne), or pure carbon compounds that do not contain hydrogen can be used. at
  • hydrocarbons creates layers that have a hydrogen content of 10-30% and a hardness of 2000-4000 HV. When carbon is deposited without hydrogen content, hardnesses of up to 6000 HV are achieved. Other additives can also be added Material properties are influenced, such as the
  • Preferred additives are nitrogen, silicon, oxygen and
  • the excellent tribological properties of the DLC and its high hardness are largely preserved.
  • the additives can be added when coating in a manner familiar to those skilled in the art, e.g. by sputtering a metal target.
  • the coating temperature should not be too high.
  • the temperature can be below 200 ° C.
  • Temperatures at which the temperature load for the substrate is up to 100 ° C. are preferred.
  • the thickness of the coating in the integrated circuits according to the invention can be 100 nm to 10 ⁇ m, a thickness of 100 nm to 2 ⁇ m being preferred. Only small residual stresses occur in thin layers. With a modulus of elasticity of 200-250 GPa, the elasticity is higher than with silicon dioxide, which makes it clear that these thicknesses are preferred.
  • the permittivity is less than 3 (in the case of fluorocarbon layers).
  • the electrical resistance is on the order of 10 10 to 10 16 ohms x meters.
  • the Reference numeral 1 denotes a silicon layer in the circuit
  • 2 is a layer of thermal silicon oxide
  • 3 is a layer of silicon nitride which has been deposited by means of CVD.
  • the protective layer of DLC according to the invention is identified by 4. In the shown
  • Embodiment does not cover the entire integrated circuit, but leaves at least one area 5, which e.g. is a contact surface like an aluminum alloy pad or a bump.
  • the DLC layer can be 1-6 ⁇ m thick.
  • the hard passivation layers are omitted in the example above.
  • the layers formed as described above are opaque anthracite in color and thus meet the criterion of preventing the optical inspection of the surface of the integrated circuit. They are characterized by high hardness and high elasticity. They are chemically resistant to basic and acid-reducing media such as nitric acid, hydrofluoric acid, orthophosphoric acid, sodium hydroxide solution and chloroform and have good adhesion to nitrided surfaces. Removal without simultaneous destruction of the conductor track structures can be reliably ruled out in this way.
  • the thermal length change of the DLC layers corresponds to that of the materials from which the integrated circuits are made. Therefore, cracks cannot occur in the protective layer of the integrated circuits according to the invention, neither during manufacture nor during later operation.
  • the wetting properties of the DLC surface can be adjusted so that adhesive assembly methods (flip chip) can also be used.
  • Another area of application of the present invention is the passivation of high-performance circuits and components.
  • the DLC layer is applied directly to the active structures of the component. The low permittivity enables high access performance and thus a higher access readout speed than with conventional hard passivation.

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft integrierte Schaltkreise mit einer Schutzschicht aus diamantähnlichem Kohlenstoff und ein Verfahren zur Herstellung derselben. Auf integrierten Schaltkreisen werden häufig sicherheitsrelevante Daten gespeichert, wie Zugangscodes, Paßwörter, personenbezogene Angaben oder Algorithmen. Es besteht daher ein starkes Interesse daran, diese Informationen geheimzuhalten. Derzeit ist keine Möglichkeit bekannt, einen mechanischen Zugriff auf den integrierten Schaltkreis mit ausreichender Sicherheit zu verhindern. Daher stellt die vorliegende Erfindung einen beschichteten integrierten Schaltkreis mit einer Leiterbahnenstruktur bereit, der eine diamantähnliche Kohlenstoffschicht (DLC-Schicht) auf zumindest einem Teil der Leiterbahnenstruktur aufweist. Die DLC-Schicht kann einen Anteil von 10-30 % Wasserstoff sowie Zusätze enthalten, die ausgewählt sind aus Stickstoff, Silizium, Sauerstoff und Fluor.

Description

Beschreibung
INTEGRIERTER SCHALTKREIS MIT SCHUTZSCHICHT AUS DIAMANTÄHNLICHEM AMORPHEM KOHLENSTOFF
Die vorliegende Erfindung betrifft integrierte Schaltkreise mit einer Schutzschicht aus diamantähnlichem Kohlenstoff und ein Verfahren zur Herstellung derselben.
In den letzten Jahren hat sich die Verwendung von sogenannten Chipkarten auf breiter Front etabliert. Bei diesen ist ein integrierter Schaltkreis in eine flache Karte, zumeist aus Kunststoff, eingebettet, der über elektrische Kontaktflächen an der Oberfläche der Karte mit anderen Geräten in Verbindung treten kann. Verwendung finden solche Chipkarten z.B. beim münzlosen Telephonieren, bei Geldtransaktionen in Geschäften (mit der neuen Generation von EC-Karten) , bei Funktelephonen, als elektronischer Schlüssel und in der kassenärztlichen Praxis .
Die integrierten Schaltkreise können dabei von sehr unterschiedlicher Gestaltung sein. So können ein Mikrocontroller vorgesehen sein, der Berechnungen durchführen kann, aber auch Speicherbereiche, die fest vorgegebene oder veränderliche Informationen unterschiedlichster Art speichern können.
Auf den integrierten Schaltkreisen werden häufig sicherheitsrelevante Daten gespeichert, wie Zugangscodes, Paßwörter oder personenbezogene Angaben. Es besteht daher ein starkes Interesse daran, diese Informationen geheimzuhalten.
Weiterhin enthalten die integrierten Schaltkreise häufig innovative Schaltungen, deren Bekanntwerden einen immensen wirtschaftlichen Verlust des Herstellerunternehmens bedeuten kann, oder die Schaltkreise implementieren geheimzuhaltende
Algorithmen.
Insgesamt sollte daher gewährleistet werden können, daß die in den integrierten Schaltkreisen enthaltenen Informationen unterschiedlicher Art nicht Unbefugten zugänglich werden. Solche verwenden teils großen Aufwand daran, die Informationen zu gewinnen.
Ein Zugang zu den Informationen über ein "Abfragen" des integrierten Schaltkreises an den Kontaktflächen kann durch übliche softwaretechnische Schutzmaßnahmen weitgehend ausgeschlossen werden.
Anders sieht es jedoch aus, wenn direkt auf die
Leiterbahnenstruktur des integrierten Schaltkreis zugegriffen werden soll. Derzeit ist keine Möglichkeit bekannt, einen solchen mechanischen Zugriff auf den integrierten Schaltkreis mit ausreichender Sicherheit zu verhindern. ■
Die übliche Vorgehensweise bei einem mechanischen Zugriff besteht darin, zunächst den Schaltkreis aus der Kunststoffkarte herauszulösen. Dies geschieht z.B. mittels konzentrierter Salpetersäure, welche nur den Kunststoff angreift. Danach steht der integrierte Schaltkreis zur weiteren Analyse zur Verfügung. Dieser kann im folgenden schichtweise erodiert werden, z.B. durch Sauerstoffbehandlung oder "Sputtern" (Zerstäuben) der Oberfläche in einer Zerstäubungsanlage. Jede neu zutage tretende Schicht wird dabei photographisch oder in sonstiger Weise erfasst, so daß man ein zuverlässiges Bild vom Gesamtaufbau des IC erhält. Der Zugriff erfordert unter Umständen nur vier bis fünf Std. Arbeitszeit. Sämtliche optisch sichtbaren oder sichtbar zu machenden
Informationen können auf diese Weise dem integrierten
Schaltkreis entnommen werden. Diese lassen sich dann über geeignete Bildanalyseprogramme so korrelieren, daß man die Schaltung und Speicherinformationen des IC ermitteln kann.
Während der hier zu leistende Aufwand sicherlich nicht gering ist, kann sich eine solche Spionage doch leicht bezahlt machen.
Die obersten Wafer-Ebenen, die sogenannten Hart- und Soft- Passivierungsschichten, bestimmen entscheidend den Cahrakter der Oberfläche integrierter Schaltkreise. Dieser Charakter kann sinnvollerweise mit den Größen der mechanischen Resistenz, der chemischen Resistenz und der Permittivität beschrieben werden. Die Resistenz gegenüber Einflüssen sollte hierbei aus den oben skizzierten Gründen hoch liegen. Zugleich sollte die Permittivität niedrig sein, um eine hohe Zugriffsperfomance erzielen zu können, wie sie z.B. bei Speicherbausteinen benötigt wird.
Derzeit werden für die Versiegelung von integrierten Schaltkreisen zumeist mehrschichtige Hartpassivierung und optional eine Softpassivierung durchgeführt. Von diesen Passivierungen sind die Aluminiumlegierungen der Kontaktflächen ausgenommen. Die Hartpassivierung setzt sich aus zumindest einer Siliziumoxidschicht und zumindest einer Siliziumnittridschicht zusammen. Die Siliziumoxidschicht befindet sich dabei direkt auf den aktiven Strukturen des integrierten Schaltkreises und weist typischerweise eine Permittivität (Epsilon-r) von 4 auf. Die Softpassivierung besteht üblicherweise aus Polyimid. Diese Schichten aus dem Stand der Technik weisen jedoch den Nachteil auf, daß sie mit Salpetersäure angegriffen werden können, ohne das die aktiven Strukturen beschädigt würden. Damit ist ein Zugriff auf die Leiterbahnenstrukturen in einfacher Weise möglich. Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Beschichtung auf die Schaltkreisstruktur eines integrierten Schaltkreises aufzubringen, der einen Zugriff auf den Schaltkreis mit hinreichender Sicherheit zu verhindern vermag und/oder eine günstige Permittivität aufweist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch den beschichteten Schaltkreis gemäß dem unabhängigen Patentanspruch 1 sowie durch das Verfahren zu seiner
Herstellung gemäß dem unabhängigen Patentanspruch 8. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den abhängigen Patentansprüchen, der Beschreibung und der beigefügten Zeichnung.
Die Erfindung ist gerichtet auf einen beschichteten integrierten Schaltkreis mit einer Leiterbahnenstruktur, der eine diamantähnliche KohlenstoffSchicht (DLC-Schicht) auf zumindest einem Teil der Leiterbahnenstruktur aufweist.
Vorzugsweise enthält die DLC-Schicht einen Anteil von 10-30 . Wasserstoff. Sie kann weiterhin Zusätze enthalten, die ausgewählt sind aus Stickstoff, Silizium, Sauerstoff und Fluor.
Die Schichtdicke der DLC-Schicht beträgt in bevorzugten Ausführungsformen 100 nm bis 5 μm, vorzugsweise 100 nm bis 2μm.
Kontaktflächen des integrierten Schaltkreises müssen nicht von der DLC-Schicht bedeckt sein, während andererseits mehrere auf einem Träger angeordnete integrierte Schaltkreise eine durchgängige, gemeinsame DLC-Schicht aufweisen können. Die Erfindung ist ebenfalls auf ein Verfahren zur
Beschichtung zumindest eines integrierten Schaltkreises mit diamantähnlichem Kohlenstoff gerichtet, welches die folgenden
Schritte aufweist:
1) Bereitstellen zumindest eines integrierten Schaltkreises
2) Beschichten des zumindest einen integrierten Schaltkreises zur Bildung einer diamantähnlichen Kohlenstoffschicht (DLC-Schicht) .
Die DLC-Schicht kann dabei mittels eines chemischen Plas abeschichtungsverfahrens oder mittels eines physikalischen Plasmabeschichtungsverfahrens auf dem integrierten Schaltkreis abgeschieden werden.
Zur Beschichtung wird vorzugsweise als Ausgangsmaterial Kohlenwasserstoff oder zumindest eine reine
KohlenstoffVerbindung verwendet. Der Kohlenwasserstoff kann beispielsweise Ethin (Acethylen) sein. Weiterhin können bei der Beschichtung Zusätze zugegeben werden, die ausgewählt sind aus Stickstoff, Silizium, Sauerstoff und Fluor. In einer bevorzugten Ausführungsform können mehrere auf einem Träger angeordnete integrierte Schaltkreise mit einer gemeinsamen DLC-Schicht beschichtet werden.
Im folgenden wird die Erfindung in Einzelnen unter Bezugnahme auf Fig. 1 beschrieben, die einen erfindungsgemäßen integrierten Schaltkreis im Querschnitt zeigt.
Unter dem Begriff DLC (Diamond like carbon; diamantähnlicher Kohlenstoff) werden Schichten verstanden, die seit einigen Jahren zur Oberflächenbeschichtung eingesetzt werden. Sie dienen zum Beispiel dem Verschleißschutz der Oberfläche von Stahlteilen oder werden als Schutzschicht vor Chemikalien bei medizinischen Geräten und Apparaten eingesetzt. Es wurde nunmehr gefunden, daß man auch Silizium und andere Materialien, die in integrierten Schaltkreisen Verwendung finden, mit DLC beschichten kann. Eine solche Beschichtung erwies sich als wirksamer Schutz vor dem Zugriff auf die in dem integrierten Schaltkreis enthaltenen Informationen.
Oberflächen aus DLC werden hergestellt, indem unter bestimmten Bedingungen Kohlenstoff abgeschieden wird, der durch den Abscheidungsvorgang eine Schicht mit lokal diamantähnlichen Bindungsstrukturen bildet. Hierbei ist zu beobachten, daß diese Schicht Eigenschaften aufweist, die man bei Diamanten findet, insbesondere Härte und chemische Beständigkeit .
Die DLC Schichten werden mittel "chemical vapor deposition" (CVD) oder "physical vapor deposition" (PVD) abgeschieden. Hierbei kommen dem Fachmann geläufige Verfahren zum Einsatz. Um eine kostengünstige Herstellung zu ermöglichen, können z.B. quasikontinuierliche Inline-Anlagen mit Schleusensystem verwendet werden.
Bei den erfindungsgemäßen integrierten Schaltkreisen kann die Zusammensetzung der Schichten variiert werden, indem verschiedene Kohlenstoffquellen und weitere Zusätze verwendet werden.
Als Kohlenstoffquellen können Kohlenwasserstoffe wie z.B. Acetylen (Ethin) , oder Verbindungen aus reinem Kohlenstoff, die keinen Wasserstoff enthalten, verwendet werden. Bei
Verwendung von Kohlenwasserstoffen entstehen Schichten, die einen Wasserstoffanteil von 10-30 % aufweisen und eine Härte von 2000-4000 HV haben. Bei Abscheiden von Kohlenstoff ohne Wasserstoffanteil werden Härten bis 6000 HV erreicht. Über die Zugabe weiterer Zusätze können auch andere Materialeigenschaften beeinflusst werden, wie z.B. die
Oberflächenspannung und das dieelektrische Verhalten.
Bevorzugte Zusätze sind Stickstoff, Silizium, Sauerstoff und
Fluor. Die hervorragenden tribologischen Eigenschaften des DLC sowie seine hohe Härte bleiben dabei weitestgehend erhalten. Bei der Auswahl der Zusätze ist jedenfalls darauf zu achten, daß die resultierende DLC-Schicht nicht leitfähig ist, da dies die Funktion des beschichteten Schaltkreises beeinflussen könnte. Die Zusätze können bei der Beschichtung in einer Fachleuten geläufigen Weise zugesetzt werden, z.B. durch Zerstäuben eines Metalltargets.
Um eine Zerstörung des zu beschichtenden integrierten Schaltkreises zu vermeiden, sollte die Beschichtungstemperatur nicht zu hoch sein. Beispielsweise kann die Temperatur bei unter 200°C liegen. Bevorzugt werden Temperaturen, bei denen die Temperaturbelastung für das Substrat bei bis zu 100°C liegt.
Die Dicke der Beschichtung bei den erfindungsgemäßen integrierten Schaltkreisen kann 100 nm bis 10 μ betragen, wobei eine Dicke von 100 nm bis 2 μm bevorzugt wird. In dünnen Schichten treten nur geringe Eigenspannungen auf. Bei einem E-Modul von 200-250 GPa liegt die Elastizität höher als bei Siliziumdioxid, wodurch klar wird, daß diese Dicken zu bevorzugen sind.
Die Permittivität liegt je nach verwendeter Schicht bei unter 3 (im Falle von Fluor-Kohlenstoffschichten) . Der elektrische Widerstand liegt in der Größenordnung von 1010 bis 1016 Ohm x Meter .
Fig. 1 zeigt einen erfindungsgemäßen, beschichteten integrierten Schaltkreis, bei dem eine DLC-Schicht als Schutzschicht über der Hartpassivierung liegt. Das Bezugszeichen 1 kennzeichnet dabei eine Siliziumschicht im Schaltkreis, 2 ist eine Schicht von thermischem Siliziumoxid und 3 eine Schicht aus Siliziumnitrid, die mittels CVD abgeschieden worden ist. Die erfindungsgemäße Schutzschicht aus DLC ist mit 4 gekennzeichnet. Im gezeigten
Ausführungsbeispiel überdeckt sie nicht den gesamten integrierten Schaltkreis, sondern läßt zumindest einen Bereich 5 frei, der z.B. eine Kontaktfläche wie ein Alu- Legierung-Pad oder ein Bump ist. Im Beispiel kann die DLC- Schicht 1-6 μm dick sein.
Soll die vorliegende Erfindung als Ersatz konventioneller Hartpassivierungen verwendet werden, entfallen die Hasrtpassivierungsschichten im obigen Beispiel.
Die wie vorstehend beschrieben gebildeten Schichten sind undurchsichtig anthrazitfarben und erfüllen somit das Kriterium, die optische Einsicht in die Oberfläche des integrierten Schaltkreises zu verhindern. Sie zeichnen sich durch hohe Härte bei gleichzeitig hoher Elastizität aus. Sie sind chemisch beständig gegen basische und sauer reduzierende Medien wie Salpetersäure, Flußsäure, Orthophosphorsäure, Natronlauge und Chloroform und weisen eine gute Haftung auf nitrierten Oberflächen auf. Eine Entfernung ohne gleichzeitige Zerstörung der Leiterbahnstrukturen kann auf diese Weise zuverlässig ausgeschlossen werden. Die thermische Längenänderung der DLC-Schichten entspricht derjenigen der Materialien, aus denen die integrierten Schaltungen bestehen. Weder bei der Herstellung noch beim späteren Betrieb können daher Risse in der Schutzschicht der erfindungsgemäßen integrierten Schaltkreise auftreten. Schließlich können die Benetzungseigenschaften der DLC- Oberfläche so angepaßt werden, daß auch klebende Verfahren der Montage (Flip-Chip) angewandt werden können. Ein weiteres Einsatzgebiet der vorliegenden Erfindung ist die Passivierung von Hochleistungs-Schaltkreisen und - Bauelementen. Hierbei wir die DLC-Schicht direkt auf die aktiven Strukturen des Bauelements aufgebracht. Die niedrige Permittivität ermöglicht eine hohe Zugriffsperformance und damit eine höhere Zugriffs-Auslesegeschwindigkeit als bei konventioneller Hartpassivierung.

Claims

Patentansprüche
1. Beschichteter integrierter Schaltkreis mit einer Leiterbahnenstruktur, gekennzeichnet durch eine diamantähnliche KohlenstoffSchicht (DLC-Schicht) auf zumindest einem Teil der Leiterbahnenstruktur.
2. Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die DLC-Schicht einen Anteil von 10-30 % Wasserstoff enthält.
3. Schaltkreis nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die DLC-Schicht Zusätze enthält, die ausgewählt sind aus Stickstoff, Silizium, Sauerstoff und Fluor.
4. Schaltkreis nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichtdicke der DLC-Schicht 100 nm bis 5 μm beträgt.
5. Schaltkreis nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichtdicke 100 nm bis 2μm beträgt.
6. Schaltkreis nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Kontaktflächen des integrierten
Schaltkreises nicht von der DLC-Schicht bedeckt sind.
7. Schaltkreis nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere auf einem Träger angeordnete integrierte Schaltkreise eine durchgängige, gemeinsame DLC-Schicht aufweisen.
8. Verfahren zur Beschichtung zumindest eines integrierten Schaltkreises mit diamantähnlichem Kohlenstoff, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: 1) Bereitstellen zumindest eines integrierten Schaltkreises
2) Beschichten des zumindest einen integrierten Schaltkreises zur Bildung einer diamandähnlichen Kohlenstoffschicht (DLC-Schicht) .
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die DLC-Schicht mittels eines chemischen Plasmabeschichtungsverfahrens auf dem integrierten Schaltkreis abgeschieden wird.
10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die DLC-Schicht mittels eines physikalischen Plasmabeschichtungsverfahrens auf dem integrierten Schaltkreis abgeschieden wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß zur Beschichtung als Ausgangsmaterial Kohlenwasserstoff verwendet wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Kohlenwasserstoff Ethin (Acethylen) ist.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß zur Beschichtung als Ausgangsmaterial zumindest eine reine Kohlenstoffverbindung verwendet wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Beschichtung des zumindest einen integrierten Schaltkreises Zusätze zugegeben werden, die ausgewählt sind aus Stickstoff, Silizium, Sauerstoff und Fluor.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere auf einem Träger angeordnete integrierte Schaltkreise mit einer gemeinsamen DLC-Schicht beschichtet werden.
16. Verwendung einer DLC-Schicht auf einem integrierten Schaltkreis als Schutzschicht gegen einen Zugriff auf die SchaltkreisStrukturen.
17. Verwendung einer DLC-Schicht auf einem integrierten Schaltkreis als Hartpassivierung des Schaltkreises.
PCT/DE2000/000978 1999-04-01 2000-03-31 Integrierter schaltkreis mit schutzschicht aus diamantähnlichem amorphem kohlenstoff WO2000060663A1 (de)

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