WO1999021251A1 - Halbleiterlaserchip - Google Patents

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WO1999021251A1
WO1999021251A1 PCT/EP1998/006144 EP9806144W WO9921251A1 WO 1999021251 A1 WO1999021251 A1 WO 1999021251A1 EP 9806144 W EP9806144 W EP 9806144W WO 9921251 A1 WO9921251 A1 WO 9921251A1
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WO
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semiconductor laser
temperature
laser chip
laser
chip
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PCT/EP1998/006144
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Hartwig Richter
Manfred Becker
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Deutsche Telekom Ag
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Priority to US09/529,700 priority patent/US6829263B1/en
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Priority to AT98954288T priority patent/ATE218763T1/de
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    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
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    • H01S5/02415—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element
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    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures

Definitions

  • the invention relates to a semiconductor laser chip according to the preamble of patent claim 1.
  • Semiconductor lasers are generally known, for example from the publication by Dr. Richter, Wegvision 7/93.
  • the temperature of a laser has so far only been measured at one point, namely on its laser carrier, which serves as a heat sink. Errors in the temperature measurement can arise from the heat transfer resistance between the laser chip and heat sink and the finite thermal conductivity of the laser chip material, in addition there are additional heat sources due to path resistances in the path of the pump current. In addition to these stationary temperature measurement errors, there are also large time constants which adversely affect temperature control. With high-power lasers, inhomogeneities in the temperature profile have so far not been recorded at all.
  • DE 19 546 443 and EP 0 779 526 have disclosed an optical and / or electro-optical connection and a method for producing one for two optical and / or electro-optical components. In particular, FIG.
  • the temperature of a laser is usually only measured at one point, namely on its laser carrier serving as a heat sink.
  • the invention has for its object to provide an arrangement of a temperature sensor or a plurality of temperature sensors that enable or enable a more accurate and / or locally resolved measurement of the operating temperature, it also being possible to implement fine temperature adjustment with high temperature setting accuracy and / or location selectivity should.
  • one or more temperature sensors are or are attached directly to the laser chip and in intimate connection with it by welding with Nd-YAG laser light or light with similar properties, a very high level of accuracy is achieved which was previously not possible.
  • the temperature fine adjustment is advantageously carried out by means of Peltier elements, the components of the Peltier elements being applied directly to the laser chip by means of Nd-YAG laser light welding.
  • the wavelength of the laser chip is measured and, if necessary, the wavelength of the laser chip is also set, the message lasers having one measuring point per laser-active zone and the High-power lasers have several measuring points per laser chip along the laser-active zone.
  • 5a shows an arrangement with a sheet resistance as a sensor
  • 5b shows an arrangement with a symmetrical sensor
  • FIG. 7 shows an arrangement for measuring the temperature of individual lasers with sheet resistance sensors
  • 8 shows an arrangement for measuring the temperature inhomogeneity with web resistance sensors
  • thermocouple 9 shows a thermocouple applied to a laser chip
  • thermocouple 10 shows a thermocouple with only one additional wire
  • Fig. 12 shows an arrangement of cascaded thermocouples on a laser chip
  • FIG. 1 shows the structure of a known laser chip as used, for example, in the article "Chips with Future Potential", interim balance of the telecom research project OEIC by Dr. Hartwig Richter inInstitutvision 7/93, pages 41 to 47.
  • the temperature of a laser has so far only been measured at one point, namely on its laser carrier, which serves as a heat sink.
  • a temperature sensor 1 with its supply wires 2 and 3 is attached to the heat sink 6.
  • the semiconductor laser chip 4, also called laser chip for short, with its laser-active zone 5 receives its pump current via the wires 7 and 8 for supplying the pump current.
  • FIG. 2 shows how a known temperature sensor 1 can be applied to the laser chip 4 by means of welding with laser light.
  • the remaining structure of the arrangement according to FIG. 2 corresponds to that of FIG. 1.
  • the melting points 10 formed in this welding method fix the temperature sensor 1 on the laser chip, as shown in FIG. 3.
  • the rest of the structure corresponds to that already described above, but the heat sink 6 of the semiconductor laser 4 is not shown, since only the arrangement of an encapsulated temperature sensor 1 is to be shown here.
  • FIG 4 shows such a temperature sensor 1 in a predrilled hole, here again the laser chip 4 with the wire 8 for the pump current supply and the wires 2 and 3 for the measurement current supply to the temperature sensor 1 is shown. In addition, the wires 2 and 3 for supplying the measuring current to the temperature sensor 1 are shown.
  • Laser light radiation as described in DE 19 546 443, can also be used to create the hole for the temperature sensor 1 in the laser chip 4. It should be noted here that the described manner of arranging one or more temperature sensors and the temperature fine adjustment with high temperature setting accuracy and / or temperature location selectivity are also readily applicable to laser chips made of thermally isotropic material.
  • FIGS. 5a, 5b and 6 make it possible to measure the temperature dependence of the sheet resistance 11 itself.
  • the resistance arises between the two melting points 10, at which the two wires 2 and 3 for the measurement current supply are attached by means of welding or by another method, for example bonding.
  • the lead wires 2 and 3 for the measuring current and the lead wire 8 for the pump current are shown.
  • Melting points 10 is arranged in the laser chip 4.
  • the path resistance 11 is again between the two measuring points 10.
  • the path resistance 11 is arranged parallel to the pump current path, again the heat sink 6 being connected to the laser chip 4 by means of melting points 18 formed during welding.
  • the heat sink 6 is connected to a wire 7 for supplying the pump current and the individual laser 5 is also connected to a wire 8 for supplying the pump current.
  • the wire 3 is connected to the melting point 10 in order to be able to supply the required measuring current.
  • FIG. 7 shows the measurement of the temperature of individual lasers 5 with sheet resistance sensors.
  • the individual path resistances 11 lie between the melting points 10 of the individual lasers 5, which are located on or in a laser chip 4. This has shown that when a plurality of individual lasers 5 are arranged on a laser chip 4, the temperature of each individual laser 5 can be measured. This makes it possible during operation to set the output wavelengths of these individual lasers 5 via their pump currents without explicitly measuring their wavelength.
  • FIG. 8 A similar technique (FIG. 8) enables the temperature distribution along a laser-active zone of an individual laser 5 to be measured on or in the laser chip 4 in the case of high-power lasers.
  • thermocouple there are particular advantages when the temperature sensor 1 is a thermocouple. Then not only can a previously manufactured thermocouple be attached directly to the measurement object by means of laser light welding in close thermal contact with the same, as already described, but it is possible to weld the two individual wires required for the thermocouple into a thermocouple by laser light welding to connect and attach to the measurement object.
  • each thermocouple shown here as measuring point 12 now has a measuring feed wire 2 and a measurement feed wire 3 made of different materials.
  • the second junction of the wires 2 and 3 forms a second thermocouple 13.
  • a voltage dependent on the temperature difference between points 12 and 13 can then be tapped, the measuring instrument at point 14 must be enclosed by wires of the same material.
  • the wires 2 and 3 can also be designed partially or completely as conductor tracks permanently connected to a chip (e.g. the laser chip 4).
  • the temperature reference point 13 can be on the chip 4 itself, on the heat sink 6 of the semiconductor laser 4 or even on the housing surrounding the overall arrangement according to FIG. 1.
  • FIG. 10 shows an embodiment which manages with only one additional wire 3, in which the wire 2 which is otherwise required is the pump current supply wire 8, for example in gold or copper.
  • the other wire 3 for the thermocouple 12 consists for example of constantan.
  • thermocouple according to FIG. 11 is used in reverse as a Peltier element with a current source 17. Similar to the measuring arrangement shown in Figure 9, the wires 19 and 20 between points 15 and 16 are made of different materials. Depending on the direction of the current of the source 17, heat can then flow from point 15 to point 16
  • the Peltier element formed from the wires 19 and 20 between points 15 and 16 is produced using the same technology as the thermocouple pair 2, 3, 12, 13 described in FIG.
  • a fine regulation of the temperature of point 15 can be carried out.
  • point 15 should be close to point 12.
  • a controller (not shown) then controls the current source 17 as a function of the measuring voltage 14 of the thermocouple pair 12 and 13, the measuring point 13 being an external reference point.
  • This reference point 13 or 16 can be a point outside the laser housing (measurement against ambient temperature).
  • the semiconductor laser 4 is a news laser, its output wavelength can be fine-tuned.
  • thermocouple pairs 12 and 13 for example high-power lasers
  • Peltier elements 15 and 16 for very long lasers 4 (for example high-power lasers) it is also possible, as shown in FIG. 12, to cascade both the thermocouple pairs 12 and 13 and the Peltier elements 15 and 16 in order to achieve more homogeneous heat dissipation.
  • FIG. 13 it is shown how, in particular in the case of high-power lasers, the output power limiting devices Temperature inhomogeneities, in particular along the laser-active zone 5, can be reduced.
  • Each measuring voltage 14 of the associated measuring point 12 generates its own actuating current 17 for cooling the associated cooling point 15 in its own controller.
  • the dimensioning of the controller is particularly simple if all reference points 13 and all heat reference points 16 have the same temperature.
  • thermocouples (reference points)

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Abstract

Es werden Halbleiterlaser, insbesondere in Chiptechnik mit Temperaturfühler(n) und -steller(n) (1 bzw. 15) angegeben. Es wird die direkte Anordnung eines oder mehrerer Temperaturfühler (1) auf bzw. in dem Laserchip (4) angegeben, die eine genaue und/oder lokal aufgelöste Messung der Betriebstemperatur des Lasers ermöglicht bzw. ermöglichen. Darüber hinaus erfolgt ein Temperaturfeinabgleich mit hoher Temperatureinstellungsgenauigkeit und/oder Temperaturortsselektivität. Dies wird insbesondere dadurch erreicht, daß ein oder mehrere Temperaturfühler (1) mittels Schweißens, insbesondere mit Nd-YAG-Laserlicht oder Licht mit ähnlichen Eigenschaften direkt auf dem Laserchip (4) bzw. in einem Loch des Laserchips angebracht und befestigt wird bzw. werden. Der Temperaturfeinausgleich wird zum Beispiel mittels Peltierelemente durchgeführt, wobei die Komponenten der Peltierelemente mittels Nd-YAG-Laserlicht-Schweißens direkt auf dem Laserchip (4) aufgebracht werden. Außerdem wird die Messung der Temperatur von Einzellasern (5) über die Messung der Temperaturabhängigkeit der Bahnwiderstände (11) durchgeführt. Eine kaskadierte Anordnung von Thermo- und Peltierelementen auf einem Laserchip ist ebenfalls angegeben.

Description

B E S C HR E I B UN G
HALBLEITERLASERCHIP
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterlaserchip nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Halbleiterlaser sind grundsätzlich bekannt, wie zum Beispiel aus der hinten angegebenen und diskutierten Veröffentlichung von Dr. Richter, Telekomvision 7/93, hervorgeht.
Der Einsatz eines solchen Lasers ist in der Veröffentlichung von K. H. Park u.a. "Fabrication and transmission experiments of distributed feedback laser modules for 2.5 Gb/s optical transmission Systems" erschienen in Optical and Quantum Electronics 27 (1995), 547-552 ausführlich dargestellt. Zur weiteren Kapazitätssteigerung werden zunehmend optische Trägerfrequenztechniken, auch Wellenlängenmultiplexsysteme genannt, eingesetzt. Die Ausgangswellenlänge der in diesen Systemen eingesetzten Halbleiterlaser muß in einem sehr engen Bereich eingestellt und nachgeführt werden können. Als Stellgrößen hierzu dienen die von außen eingestellte Temperatur des Laserträgers und der Pumpstrom des Lasers.
Bei konstantem Pumpstrom führt eine fehlerhafte Bestimmung der Temperatur des Laserchips zu Abweichungen der Ausgangswellenlänge, insbesondere, wenn aus betrieblichen Gründen der Pumpstrom verändert werden muß. Solche Gründe können ungewollt, wie zum Beispiel Alterungseffekte des Lasers oder auch gewollt, wie zum Beispiel Änderungen der Ausgangsleistung des Lasers bei Änderung der Streckendämpfung oder nach einer Netzneukonfiguration in geschalteten Netzen (Routing, Leitungsersatzschaltung) sein. Während bei Nachrichtenlasern Einwelligkeit und geringe Linienbreite sowie eine schnelle Modulierbarkeit im Vordergrund stehen, ist für Zwecke wie Materialbearbeitung eine hohe Ausgangsleistung des Halbleiterlasers wichtig. Diese Hochleistungslaser sind oft im Vergleich zu Nachrichtenlasern sehr lang (bis zu 2 Millimeter) . Unvermeidliche Fertigungsinhomogenitäten entlang der laseraktiven Zone führen zu lokalen Temperaturspitzen, besonders im Betrieb mit höchsten Ausgangsleistungen. Diese inhomogene Temperaturverteilung führt zu einer Abnahme der Ausgangsleistung und im Extremfall zur irreversiblen Degradation des Lasers.
Die Temperatur eines Lasers wird bisher nur an einer Stelle gemessen, nämlich an seinem als Wärmesenke dienenden Laserträger. Fehler bei der Temperaturmessung können entstehen durch den Wärmeübergangswiderstand zwischen Laserchip und Wärmesenke sowie durch die endliche Wärmeleitfähigkeit des Laserchipmaterials, hinzu kommen weitere Wärmequellen durch Bahnwiderstände im Pfad des Pumpstromes . Neben diesen stationären Meßfehlern der Temperatur ergeben sich auch große Zeitkonstanten, die eine Temperaturregelung nachteilig beeinflussen. Bei Hochleistungslasern werden bisher Inhomogenitäten des Temperaturverlaufs überhaupt nicht erfaßt. In der DE 19 546 443 und in der EP 0 779 526 ist eine optische und/oder elektrooptische Verbindung und ein Verfahren zur Herstellung einer solchen für zwei optische und/oder elektrooptische Komponenten bekanntgeworden. Insbesondere in Fig. 7 dieser Schrift ist die Befestigung eines Pumpstromzuführungsdrahtes in einem Halbleiterlaser gezeigt und in der zugehörigen Beschreibung offenbart. Außerdem ist beschrieben, wie ein Loch mit Laserschweißlicht in ein Laserchip gebohrt werden kann. Weitere Laserchips bzw. Halbleiterlasermodule sind grundsätzlich in der DE 42 32 326 und in der DE 42 32 327 beschrieben.
Wie bereits ausgeführt wurde, wird üblicherweise die Temperatur eines Lasers nur an einer Stelle gemessen, nämlich an seinem als Wärmesenke dienenden Laserträger.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung eines Temperaturfühlers oder mehrerer Temperaturfühler, die eine genauere und/oder lokal aufgelöste Messung der Betriebstemperatur ermöglicht bzw. ermöglichen, zu schaffen, wobei auch ein Temperaturfeinabgleich mit hoher Temperatureinstellungsgenauigkeit und/oder -ortsselek- tivität realisierbar sein soll.
Die erfindungsgemäße Lösung ist im Kennzeichen des Patentanspruchs 1 charakterisiert.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung bzw. Lösungsmerkmale sind in den Patentansprüchen 2 bis 15 charakterisiert.
Dadurch, daß ein oder mehrere Temperaturfühler mittels Schweißens mit Nd-YAG-Laserlicht oder Licht mit ähnlichen Eigenschaften direkt auf dem Laserchip und in inniger Verbindung mit demselben befestigt wird oder werden, wird eine sehr hohe Genauigkeit erreicht, die bisher nicht möglich war. Der Temperaturfeinabgleich wird vorteilhafterweise mittels Peltierelementen durchgeführt, wobei die Komponenten der Peltierelemente mittels Nd-YAG- Laserlicht-Schweißens direkt auf dem Laserchip aufgebracht werden. Erfindungsgemäß wird die Wellenlänge des Laserchips gemessen und wenn es erforderlich ist, wird die Wellenlänge des Laserchips auch eingestellt, wobei die Nachrichtenlaser einen Meßpunkt pro laseraktiver Zone und die Hochleistungslaser mehrere Meßpunkte pro Laserchip entlang der laseraktiven Zone aufweisen.
Weitere Vorteile, Merkmale und Anwendungsmöglichkeiten der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen sowie aus der nachfolgenden Beschreibung in Verbindung mit den Zeichnungen. In der Beschreibung, in den Patentansprüchen, in der Zusammenfassung und in den Figuren werden die in der hinten anhängenden Liste der Bezugszeichen verwendeten Begriffe und Bezugszeichen verwendet.
Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsbeispielen näher erklärt. In der Zeichnung bedeuten:
Fig. 1 einen Halbleiterlaserchip nach dem Stand der Technik;
Fig. 2 eine Anordnung und Aufbringung eines bekannten Fühlers auf dem Laserchip;
Fig. 3 einen in Glas eingekapselten Fühler;
Fig. 4 ein Halbleiterlaserchip mit gebohrtem Loch mittels Laserschweißlicht;
Fig. 5a eine Anordnung mit Bahnwiderstand als Fühler;
Fig. 5b eine Anordnung mit symmetrischem Fühler;
Fig. 6 eine Darstellung des Bahnwiderstandes parallel zum Pumpstrompfad;
Fig. 7 eine Anordnung zur Messung der Temperatur von Einzellasern mit Bahnwiderstandsfühlern; Fig. 8 eine Anordnung zur Messung der Temperaturinhomogenität mit Bahnwiderstandsfühlern;
Fig. 9 ein auf einem Laserchip aufgebrachtes Thermoelement;
Fig. 10 ein Thermoelement mit nur einem zusätzlichen Draht,
Fig. 11 eine Anordnung zur Temperaturregelung mit Thermo- und Peltierelement,
Fig. 12 eine Anordnung kaskadierter Thermoelemente auf einem Laserchip und
Fig. 13 eine Anordnung zur ortsselektiven Temperaturregelung.
Die Fig. 1 zeigt den Aufbau eines bekannten Laserchips wie er zum Beispiel in dem Aufsatz "Chips mit Zukunftspotential", Zwischenbilanz des Telekom Forschungsprojektes OEIC von Dr. Hartwig Richter in Telekomvision 7/93, Seiten 41 bis 47 beschrieben ist. Die Temperatur eines Lasers wurde bisher nur an einer Stelle, nämlich an seinem als Wärmesenke dienenden Laserträger gemessen. Dabei ist an der Wärmesenke 6 ein Temperaturfühler 1 mit seinen Zuführungsdrähten 2 und 3 angebracht. Der Halbleiterlaserchip 4, auch kurz Laserchip genannt, mit seiner laseraktiven Zone 5 erhält seinen Pumpstrom über die Drähte 7 und 8 für die Zuführung des Pumpstromes. Wie bereits weiter vorne beschrieben, hat eine derartige Anordnung folgende Nachteile: Die Differenz zwischen der Temperatur des Halbleiterlaserchips 4, die für die Ausgangswellenlänge des Lasers bestimmend ist, und der von außen eingestellten Temperatur der Wärmesenke 6, wird nicht erfaßt. Die Ursachen für die Temperaturdifferenz sind die Wärmeübergangswiderstände zwischen Laserchip 4 und -träger bzw. Wärmesenke 6 sowie die endliche Wärmeleitfähigkeit des Laserchipmaterials. Außerdem kommen weitere Wärmequellen durch Bahnwiderstände im Pumpstrompfad hinzu. Daraus ergeben sich neben den stationären Meßfehlern der Temperatur auch noch große Zeitkonstanten, die eine Temperaturregelung nachteilig beeinflussen.
In Fig. 2 ist dargestellt, wie ein schon bekannter Temperaturfühler 1 mittels Schweißens mit Laserlicht auf dem Laserchip 4 aufgebracht werden kann. Der übrige Aufbau der Anordnung nach Fig. 2 entspricht dem der Fig. 1. Die bei dieser Schweißmethode gebildeten Schmelzpunkte 10 befestigen den Temperaturfühler 1 auf dem Laserchip , wie in Fig. 3 dargestellt. Nach den jeweiligen Erfordernissen kann es nötig und/oder auch vorteilhaft sein, den Temperaturfühler 1 vor dem Aufbringen auf dem Laserchip 4 in ein wärmeleitendes, gut schweißbares Material 9, zum Beispiel Glas, einzukapseln, wie in Fig. 3 gezeigt ist. Der übrige Aufbau entspricht wieder dem bereits vorher beschriebenen, jedoch ist die Wärmesenke 6 des Halbleiterlasers 4 nicht dargestellt, da hier lediglich die Anordnung eines eingekapselten Temperaturfühlers 1 gezeigt werden soll .
In Fig. 4 ist ein solcher Temperaturfühler 1 in einem vorgebohrtem Loch zu sehen, hier ist wieder der Laserchip 4 mit dem Draht 8 für die Pumpstromzuführung sowie die Drähte 2 und 3 für die Meßstromzuführung an den Temperaturfühler 1 dargestellt. Außerdem sind die Drähte 2 und 3 zur Meßstromzuführung an den Temperaturfühler 1 dargestellt.
Zur Erzeugung des Loches für den Temperaturfühler 1 im Laserchip 4 kann ebenfalls Laserlichtstrahlung verwendet werden, wie es in der DE 19 546 443 beschrieben ist. Es soll hier bemerkt werden, daß die beschriebene Art und Weise der Anordnung eines oder mehrerer Temperaturfühler sowie der Temperaturfeinabgleich mit hoher Temperatureinstellungsgenauigkeit und/oder Temperaturortsselektivitat auch für Laserchips aus thermisch isotropen Material ohne weiteres anwendbar sind.
Durch die Anordnungen gemäß der Figuren 5a, 5b und 6 ist es möglich, die Temperaturabhängigkeit des Bahnwiderstands 11 selbst zu messen. Der Widerstand ergibt sich zwischen den beiden Schmelzpunkten 10, an denen die beiden Drähte 2 und 3 für die Meßstromzuführung mittels Schweißens oder nach einem anderen Verfahren, zum Beispiel Bonden angebracht sind. Außerdem sind die Zuführungsdrähte 2 und 3 für den Meßstrom und der Zuführungsdraht 8 für den Pumpstrom dargestellt.
In Fig. 5b ist eine Anordnung mit symmetrischem Fühler gezeigt, wobei der Einzellaser 5 symmetrisch zwischen den
Schmelzpunkten 10 im Laserchip 4 angeordnet ist. Der
Bahnwiderstand 11 liegt hier wieder zwischen den beiden Meßpunkten 10.
In Fig. 6 ist dargestellt, daß der Bahnwiderstand 11 parallel zum Pumpstrompfad angeordnet ist, wobei hier wieder die Wärmesenke 6 mit dem Laserchip 4 mittels beim Schweißen gebildeter Schmelzpunkte 18 verbunden ist. Die Wärmesenke 6 ist mit einem Draht 7 zur Zuführung des Pumpstromes verbunden und der Einzellaser 5 ist ebenfalls mit einem Draht 8 zur Zuführung des Pumpstromes verbunden. Der Draht 3 ist mit dem Schmelzpunkt 10 verbunden, um den erforderlichen Meßstrom zuführen zu können.
Der zweite Schmelzpunkt 10 für den Draht 2 entfällt hier, statt dessen kann der Draht 7 oder der Draht 8 mitbenutzt werden. In Fig. 7 ist das Messen der Temperatur von Einzellasern 5 mit Bahnwiderstandsfühlern gezeigt. Die einzelnen Bahnwiderstände 11 liegen zwischen den Schmelzpunkten 10 der Einzellaser 5, die sich auf oder in einem Laserchip 4 befinden. Dadurch ist aufgezeigt worden, daß bei der Anordnung von mehreren Einzellasern 5 auf einem Laserchip 4 die Temperatur jedes Einzellasers 5 gemessen werden kann. Dadurch ist es während des Betriebes möglich, die Ausgangswellenlängen dieser Einzellaser 5 über deren Pumpströme einzustellen, ohne explizit ihre Wellenlänge zu messen.
Eine ähnliche Technik (Fig. 8) ermöglicht bei Hochleistungslasern die Messung der Temperaturverteilung entlang einer laseraktiven Zone eines Einzellasers 5 auf oder in dem Laserchip 4.
Besondere Vorteile ergeben sich, wenn der Temperaturfühler 1 ein Thermoelement ist. Dann kann nicht nur ein vorher gefertigtes Thermoelement mittels Laserlicht-Schweißens direkt auf dem Meßobjekt im engen thermischen Kontakt mit demselben befestigt werden wie bereits beschrieben, sondern es ist möglich, in einem Arbeitsschritt die beiden für das Thermoelement notwendigen Einzeldrähte mittels Laserlicht- Schweißens zu einem Thermoelement zu verbinden und auf dem Meßobjekt zu befestigen.
Wie aus der Anordnung eines Thermoelements auf einem Laserchip 4 aus Fig. 9 hervorgeht, hat jetzt jedes Thermoelement, hier gezeigt als Meßpunkt 12, je einen Meßzuführungsdraht 2 und einen Meßzuführungsdraht 3 aus unterschiedlichem Material.
Besonders vorteilhaft ist, vor dem Zusammenführen der Drähte 2 und 3 auf dem Laserchip 4 eine Kontaktfläche 21 auf dem Halbleiterlaser 4 aufzudampfen oder sonst geeignet anzubringen, wobei diese Fläche 21 entweder aus dem Material des Drahtes 2 oder dem Material des Drahtes 3 besteht (Fig. 9).
Die zweite Zusammenführung der Drähte 2 und 3 bildet ein zweites Thermoelement 13. Im Punkt 14 kann dann eine von der Temperaturdifferenz zwischen den Punkten 12 und 13 abhängige Spannung abgegriffen werden, dabei muß das Meßinstrument am Punkt 14 von Drähten gleichen Materials eingeschlossen sein. Selbstverständlich können die Drähte 2 und 3 auch teilweise oder vollständig als fest mit einem Chip (z.B. dem Laserchip 4) verbundene Leiterbahnen ausgeführt werden. Dabei kann der Temperatur-Referenzpunkt 13 auf dem Chip 4 selbst, auf der Wärmesenke 6 des Halbleiterlasers 4 oder sogar auf dem die Gesamtanordnung entsprechend Fig. 1 umgebenden Gehäuse sein.
In Fig. 10 ist eine Ausführung dargestellt, die mit nur einem zusätzlichen Draht 3 auskommt, in dem der sonst erforderliche Draht 2 der Pumpstromzuführungsdraht 8 ist, zum Beispiel in Gold oder Kupfer ausgeführt. Der andere Draht 3 für das Thermoelement 12 besteht zum Beispiel aus Konstantan.
Ein weiterer Vorteil ergibt sich, wenn ein Thermoelement nach Fig. 11 umgekehrt als Peltierelement mit einer Stromquelle 17 eingesetzt wird. Ähnlich wie in der Meßanordnung nach Bild 9 bestehen auch hier die Drähte 19 und 20 zwischen den Punkten 15 und 16 aus verschiedenen Materialien. Je nach Richtung des Stromes der Quelle 17 kann dann Wärme vom Punkt 15 zum Punkt 16
(Hauptanwendungsfall: der Halbleiterlaser 4 wird entwärmt) oder vom Punkt 16 zum Punkt 15 (der Halbleiterlaser 4 wird zusätzlich aufgeheizt) transportiert werden. Die Herstellung des aus den Drähten 19 und 20 zwischen den Punkten 15 und 16 gebildeten Peltierelementes erfolgt mit derselben Technologie wie das in Fig. 9 beschriebene Thermoelementpaar 2,3,12,13.
Mit einem als Temperaturfühler eingesetztem Thermoelementpaar entsprechen Fig. 9 und einem als Temperatursteller betriebenen Peltierelement 15, 16, 19,20 kann eine Feinregelung der Temperatur des Punktes 15 durchgeführt werden. Zur Verringerung von Regelfehlern sollte der Punkt 15 nah am Punkt 12 sein. Ein nicht gezeigter Regler steuert dann die Stromquelle 17 als Funktion der Meßspannung 14 des Thermoelementpaares 12 und 13, wobei der Meßpunkt 13 ein externer Referenzpunkt ist. Bei dieser Regelung ist es vorteilhaft, wenn der Referenzpunkt 13 und der Wärmereferenzpunkt 16 (im Hauptanwendungsfall Wärmesenke) des Peltierelementes die gleiche Temperatur haben. Dieser Bezugsort 13 bzw. 16 kann ein Punkt außerhalb des Lasergehäuses sein (Messung gegen Umgebungstemperatur) . Es ist aber auch möglich, den Bezugsort auf der Wärmesenke 6 des Halbleiterlasers 4 anzubringen (Messung der Differenztemperatur zur Wärmesenke 6 des Halbleiterlasers 4, gegebenenfalls mit Entwärung ebenfalls zur Wärmesenke 6 des Halbleiterlasers 4).
Ist der Halbleiterlaser 4 ein Nachrichtenlaser, kann so seine Ausgangswellenlänge sehr fein abgestimmt werden.
Für sehr lange Laser 4 (zum Beispiel Hochleistungslaser) ist es - wie in Fig. 12 dargestellt - auch möglich, sowohl die Thermoelementpaare 12 und 13 als auch die Peltierelemente 15 und 16 zu kaskadieren, um so eine homogenere Entwärmung zu erreichen.
In Fig. 13 ist gezeigt, wie insbesondere bei Hochleistungslasern die ausgangsleistungsbegrenzenden Temperaturinhomogenitäten, insbesondere entlang der laseraktiven Zone 5, verringert werden können. Jede Meßspannung 14 des zugehörigen Meßpunktes 12 erzeugt in einem eigenen Regler einen eigenen Stellstrom 17 zur Entwärmung des zugehörigen Entwärmungspunktes 15. Die Dimensionierung der Regler ist besonders einfach, wenn alle Bezugspunkte 13 und alle Wärmereferenzpunkte 16 die gleiche Temperatur haben.
Mit dieser ortsselektiven Temperaturregelung ist es z. B. möglich, besonders heiße Punkte stärker zu entwärmen als weniger heiße und so einen gleichmäßigen Temperaturverlauf entlang der laseraktiven Zone 5 des Laserchips 4 zu erreichen.
Weitere Ausgestaltungen, bzw. Anordnungen, die sich je nach Erfordernis aus dem jeweiligen Laserchip und dessen Einsatzgebiet ergeben, sind ohne weiteres in der hier angegebenen Technik möglich.
Liste der Bezugszeichen
I Temperaturfühler
2,3 Drähte (zur Meßstromzuführung)
4 Laserchip oder Halbleiterlaserchip
5 Einzellaser
6 Wärmesenke bzw. Laserträger 7,8 Drähte (für Pumpstromzuführung)
9 schweißbares Material (Glas)
10 Meßpunkte oder Schmelzpunkte
II Bahnwiderstände
12 Meßpunkt oder Thermoelement
13 Thermoelemente (Referenzpunkte)
14 Meßspannung 15,16 Peltierelement
17 Stromquelle (für Temperaturänderungsstrom)
18 Schmelzpunkte
19,20 Drähte (zur Stellstromzuführung)
21 Kontaktfläche

Claims

P AT E N T AN S P RÜ C H E
1. Halbleiterlaser mit einer Anordnung zur Messung der Betriebstemperatur, dadurch gekennzeichnet,
daß mindestens ein Temperaturfühler (1) direkt auf dem Halbleiterlaserchip (4) befestigt bzw. integriert ist.
2. Halbleiterlaser nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1, dadurch gekennzeichnet,
daß mindestens ein Temperaturfühler (1) mittels Schweißens direkt auf dem bzw. im Halbleiterlaserchip (4) befestigt ist, wobei die zum Schweißen erforderliche Energie aus einer Lichtquelle, insbesondere einer Nd-Glas-Quelle oder einer NdYAG- Quelle oder einer Quelle mit ähnlicher räumlicher und ähnlicher spektraler Verteilung, kommt.
3. Halbleiterlaser nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 oder nach Patentanspruch 2, dadurch gekennzeichnet ,
daß der Temperaturfühler (1) vor dem eigentlichen Schweißvorgang in ein elektrisch hochisolierendes Glas eingeschmolzen wird.
4. Halbleiterlaser nach einem der Patentansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der Temperaturfühler (1) in einem in den Laserchip (4) angebrachten, insbesondere mittels Lichtschweißens eingebrannten Loch, angeordnet und befestigt ist.
5. Halbleiterlaser nach einem der Patentansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet. daß der Laserchip (4) selbst als Temperaturfühler (1) ausgebildet ist, in dem zusätzliche Drähte (zum Beispiel 2 und 3 ) zur elektrischen Widerstandsmessung durch den Halbleiterlaserchip (4) (Bahnwiderstand 11; Fig. 5a,b) auf demselben angebracht sind.
6. Halbleiterlaser nach Patentanspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß nur ein zusätzlicher Draht (3) auf dem Halbleiterlaserchip (4) angebracht ist, der zusammen mit einem Pumpstromzuführungsdraht (8) als zweite Fühlerzuleitung zur elektrischen Widerstandsmessung dient.
7. Halbleiterlaser nach einem der Patentansprüche 1 bis
6, dadurch gekennzeichnet,
daß der/die Temperaturfühler (1) als Thermoelement ausgeführt sind.
8. Halbleiterlaser nach einem der Patentansprüche 1 bis
7 , dadurch gekennzeichnet,
daß der Temperaturfühler (1) als Thermoelement aus zwei Drähten ausgebildet ist, die mittels Laserlicht- Schweißens zusammengeführt und in demselben Arbeitsschritt auf dem Halbleiterlaserchip (4) befestigt werden.
9. Halbleiterlaser nach Patentanspruch 8, dadurch gekennzeichnet,
daß vor dem Zusammenführen der beiden Drähte eine Kontaktfläche aus dem Material des einen oder des anderen Drahtes auf dem Halbleiterlaser aufgebracht wird.
10. Halbleiterlaser nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs l, dadurch gekennzeichnet,
daß zur Messung der Betriebstemperatur eines Halbleiterlaserarrays die Temperatur der Einzellaser (5) gemessen wird und
daß ihre Ausgangswellenlängen über ihre Pumpströme abgeglichen werden.
11. Halbleiterlaser nach einem der Patentansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet,
daß zur ortsselektiven Temperatureinstellung die auf dem Halbleiterlaserchip angeordneten Thermoelemente im Umkehrbetrieb als Peltierelemente mit Stromquelle betrieben werden.
12. Halbleiterlaser nach Patentanspruch 11, dadurch gekennzeichnet,
daß die Wellenlänge des Halbleiterlaserchips (4) gemessen und gegebenenfalls auch die Wellenlänge des Laserchips eingestellt wird, wobei Nachrichtenlaser einen Meßpunkt pro laseraktiver Zone und Hochleistungslaser mehrere Meßpunkte pro Laserchip entlang der laseraktiven Zone aufweisen.
13. Halbleiterlaser nach Patentanspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet,
daß die Thermoelemente und/oder Peltierelemente in Kaskade betrieben und angeordnet sind.
14. Halbleiterlaser nach einem der Patentansprüche 1 bis
13, dadurch gekennzeichnet,
daß die gemessene Temperatur in einem Regelkreis mit Steller (15) zur Einstellung der Temperatur verwendet wird.
15. Halbleiterlaser nach einem der Patentansprüche 1 bis
14, dadurch gekennzeichnet,
daß mehrere Temperaturfühler und Temperatursteller mit je einem eignen Temperaturregler auf dem Halbleiterlaser angeordnet sind.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1265379A2 (de) * 2001-06-07 2002-12-11 The Furukawa Electric Co., Ltd. Wellenlängenstabilisierter optischer Sender für WDM Übertragungssysteme

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6301279B1 (en) * 1999-04-16 2001-10-09 Princeton Lightwave Inc. Semiconductor diode lasers with thermal sensor control of the active region temperature
EP1217701A1 (de) 2000-12-20 2002-06-26 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Lichtmodulation
DE10113943B4 (de) 2001-03-21 2009-01-22 Jenoptik Laserdiode Gmbh Diodenlaserbauelement
DE102007024789B3 (de) 2007-05-26 2008-10-23 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg Verfahren zum Erkennen von Fehlern an einer Schweißnaht während eines Laser-Schweißprozesses
DE102008058187A1 (de) * 2008-11-20 2010-06-10 Benteler Automobiltechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur zerstörungsfreien Qualitätsbestimmung einer Schweißnaht und Schweißvorrichtung
DE102013211841A1 (de) * 2013-06-21 2015-01-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Bestimmen einer Temperatur eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronisches Bauelement
US20230122836A1 (en) * 2020-04-16 2023-04-20 Sergey GULAK Temperature regulating device assembly for a semiconductor laser
WO2021214131A1 (de) * 2020-04-22 2021-10-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender halbleiterlaser und verfahren zum betreiben eines strahlungsemittierenden halbleiterlasers
RU2744397C1 (ru) * 2020-08-21 2021-03-09 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук Способ отбраковки квантово-каскадных лазеров

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57149784A (en) * 1981-03-11 1982-09-16 Nec Corp Laser diode
JPS6015987A (ja) * 1983-07-08 1985-01-26 Hitachi Ltd 発光素子
JPS61247083A (ja) * 1985-04-24 1986-11-04 Nec Corp 半導体レ−ザ
JPS6437893A (en) * 1987-08-03 1989-02-08 Nec Corp Laser diode
JPH01216586A (ja) * 1988-02-25 1989-08-30 Seiko Epson Corp レーザダイオードの自動出力制御回路
JPH01245585A (ja) * 1988-03-26 1989-09-29 Nec Corp 半導体レーザ装置
FR2656093A1 (fr) * 1989-12-20 1991-06-21 United Technologies Corp Procede et dispositif de mesure de la temperature d'une source de lumiere en materiau semi-conducteur.
US5140605A (en) * 1991-06-27 1992-08-18 Xerox Corporation Thermally stabilized diode laser structure
DE19546443A1 (de) * 1995-12-13 1997-06-19 Deutsche Telekom Ag Optische und/oder elektrooptische Verbindung und Verfahren zur Herstellung einer solchen

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4232327A1 (de) 1992-09-26 1994-03-31 Sel Alcatel Ag Halbleiter-Lasermodul
DE4232326A1 (de) 1992-09-26 1994-03-31 Sel Alcatel Ag Koppelanordnung für die Kopplung einer optischen Faser an ein optoelektronisches Modul
DE4235768A1 (de) * 1992-10-24 1994-05-19 Cho Ok Kyung Modifizierte Halbleiterlaserdiode mit integriertem Temperaturregelungsteil

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57149784A (en) * 1981-03-11 1982-09-16 Nec Corp Laser diode
JPS6015987A (ja) * 1983-07-08 1985-01-26 Hitachi Ltd 発光素子
JPS61247083A (ja) * 1985-04-24 1986-11-04 Nec Corp 半導体レ−ザ
JPS6437893A (en) * 1987-08-03 1989-02-08 Nec Corp Laser diode
JPH01216586A (ja) * 1988-02-25 1989-08-30 Seiko Epson Corp レーザダイオードの自動出力制御回路
JPH01245585A (ja) * 1988-03-26 1989-09-29 Nec Corp 半導体レーザ装置
FR2656093A1 (fr) * 1989-12-20 1991-06-21 United Technologies Corp Procede et dispositif de mesure de la temperature d'une source de lumiere en materiau semi-conducteur.
US5140605A (en) * 1991-06-27 1992-08-18 Xerox Corporation Thermally stabilized diode laser structure
DE19546443A1 (de) * 1995-12-13 1997-06-19 Deutsche Telekom Ag Optische und/oder elektrooptische Verbindung und Verfahren zur Herstellung einer solchen

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 006, no. 251 (E - 147) 10 December 1982 (1982-12-10) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 009, no. 131 (E - 319) 6 June 1985 (1985-06-06) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 011, no. 095 (E - 492) 25 March 1987 (1987-03-25) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 013, no. 232 (E - 765) 29 May 1989 (1989-05-29) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 013, no. 531 (E - 851) 28 November 1989 (1989-11-28) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 013, no. 581 (E - 865) 21 December 1989 (1989-12-21) *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1265379A2 (de) * 2001-06-07 2002-12-11 The Furukawa Electric Co., Ltd. Wellenlängenstabilisierter optischer Sender für WDM Übertragungssysteme
EP1265379A3 (de) * 2001-06-07 2005-08-17 The Furukawa Electric Co., Ltd. Wellenlängenstabilisierter optischer Sender für WDM Übertragungssysteme

Also Published As

Publication number Publication date
DE19746204A1 (de) 1999-04-29
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EP1023749B1 (de) 2002-06-05
DE59804354D1 (de) 2002-07-11
US6829263B1 (en) 2004-12-07

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