WO1999018593A1 - Verfahren und vorrichtung zur oberflächenbehandlung von substraten - Google Patents

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WO1999018593A1
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vacuum chamber
gas
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Thomas Jung
Claus-Peter Klages
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Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
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    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/4697—Generating plasma using glow discharges

Definitions

  • the invention relates to a method and a device for the surface treatment of substrates with the aid of a gas discharge.
  • a decisive disadvantage of these methods is that usually only a low plasma density can be generated and the speed of a plasma Cleaning or plasma coating of the substrate surface is therefore low.
  • the plasma density can also be increased by increasing the pressure, the associated decrease in the mean free path length, however, leads to the material transport to and from the substrate surface being severely impeded.
  • the tendency of the discharge to local contraction and instability grows.
  • Another disadvantage of these methods is that there is an undesirable coating of the microwave coupling window or the high-frequency electrode, as a result of which the coupled power decreases significantly over time.
  • a further disadvantage is that large quantities of starting materials are lost in that, in addition to the substrate, all other inner surfaces of the vacuum chamber are also coated. This also requires frequent and, in addition, complex cleaning of the system.
  • the high belt running speed for steel sheets in the order of up to 100 m / min, requires very high stationary coating rates and plasma densities.
  • a stationary coating rate of 10 ⁇ m / min is required at a belt speed of 100 m / min and a coating zone length of 1 m.
  • the highest possible plasma densities should also be sought for effective removal rates of surface contamination (oils, greases, waxes) with the formation of gaseous products on a fast running belt.
  • Ordinary glow discharges generally do not have a sufficient degree of ionization and an insufficient proportion of active species such as oxygen atoms or hydroxyl radicals.
  • the invention has for its object to provide a method and an apparatus for surface treatment of substrates, the In addition to high plasma densities, also ensure a concentration of the high plasma densities in the immediate vicinity of the surface to be treated while reducing parasitic deposits. In addition, it should be possible to coat continuously conveyed, for example belt-shaped, substrates as well as stationary substrates.
  • a concentrated plasma of high plasma density can be realized in the immediate vicinity of the substrate surfaces.
  • the local limitation of the discharge greatly reduces parasitic effects on surfaces that are not to be treated.
  • the discharge is preferably a glow discharge.
  • the discharge area is preferably delimited on at least two, essentially opposite sides and can, for example, in depending on the substrate shape to be coated
  • each opposite substrate surface is approximately 1 mm to 50 cm, preferably 1 cm to 10 cm.
  • the discharge area is limited by the fact that e.g. one or more substrate strips pass through a stationary gas discharge at least in regions at a small mutual distance and thereby limit the discharge region.
  • a stationary gas discharge at least in regions at a small mutual distance and thereby limit the discharge region.
  • two belts can be guided parallel to one another in areas and the stationary gas discharge can be enclosed by one surface of each belt to be treated.
  • the surface of the strip-shaped substrate to be treated passes the discharge zone at least twice, depending on the strip guide.
  • the associated intensified surface treatment advantageously permits an increase in the conveying speed.
  • the electrical discharge is preferably a discharge in the region of the hollow cathode discharge.
  • this also includes understood a discharge in the transition area between hollow cathode discharge and normal discharge.
  • the entire substrate which can be at ground potential, forms the cathode.
  • An anode which is at a positive potential with respect to earth, is located as a counter electrode at a suitably chosen point in the apparatus, preferably at the edge of the gas discharge.
  • a hollow cathode discharge can also form in the case of a discharge activated by microwaves. The plasma then forms a "virtual" anode.
  • a hollow cathode discharge is much more intensive than an ordinary glow discharge between the cathode and anode arranged in parallel. Ionization is increased by orders of magnitude and, accordingly, significantly higher coating or removal rates can also be achieved.
  • the hollow cathode discharge is formed when using a direct or alternating voltage when the substrate surfaces form the discharge region in a cavity-like manner, i.e. on at least two sides, and depending on the substrate geometry or the geometry of the discharge region, suitable process parameters (pressure, distance of the substrate surfaces, voltage, etc.) are selected.
  • a hollow cathode discharge between e.g. two parallel plates manifests itself in a significantly higher discharge current compared to the sum of the currents with a separate discharge on each of the two plates.
  • electrical discharge can also be achieved by coupling microwaves into the discharge region.
  • the discharge area defined by the substrate surface should have a geometry which favors the propagation of the microwaves in certain spatial areas and the creation of a gas discharge by the achievement of high electric fields.
  • the discharge region preferably has a cavity geometry, the cavity dimensions being adapted to the wavelength of the microwave radiation used.
  • an electrical voltage preferably a DC voltage
  • the gas supply and gas discharge is preferably carried out directly in the discharge area or insignificantly spaced therefrom.
  • the discharge can be limited directly to the intended discharge area between the substrate surfaces and parasitic discharges can be greatly reduced.
  • Gas supply and gas discharge are arranged on opposite sides of the discharge area, so that a constant flow can be maintained.
  • FIG. 1 the implementation of the method according to the invention when using a continuously conveyed, band-shaped substrate
  • Figure 2 the implementation of the method according to the invention when using two continuously conveyed, ribbon-shaped substrates
  • Figure 3 the implementation of the method according to the invention when using two stationary substrates
  • FIG. 4 the implementation of the method according to the invention when using a continuously conveyed, band-shaped substrate which is surrounded by a shielding element.
  • the substrates 1 shown in FIGS. 1, 2 and 4 are 0.15 mm thick and 50 cm wide, band-shaped and continuously conveyed aluminum sheet. Other substrates, such as steels or materials with a conductive coating, can also be treated.
  • the substrate 1 shown in FIG. 3 is two stationary, parallel plates.
  • the treated substrate 1 can be cooled during the surface treatment.
  • the cooling can take place by means of a heat sink through which a liquid or gaseous cooling medium flows and which is in direct mechanical contact with the substrate. Cooling by means of cooling plates is suitable for stationary substrates and cooling rollers for moving substrates.
  • the substrate 1 can be grounded or connected to the ungrounded output of a voltage source.
  • the voltage is preferably between the substrate and one formed due to the electrical discharge
  • Plasma between 1 and 3000 volts, particularly preferably between 100 and 1000 volts.
  • Pulsed direct voltages with a pulse frequency between 10 kHz and 100 kHz are also suitable as direct voltages.
  • the frequency is preferably between 50 and 60 Hz and, in the case of medium-frequency alternating voltages, preferably between 10 and 100 kHz.
  • High-frequency AC voltages preferably have frequencies between 1 and 50 MHz.
  • electrical energy can also be supplied by microwaves.
  • the microwave frequencies are preferably in the GHz range.
  • FIGS. 1 to 4 The entire arrangements shown in FIGS. 1 to 4 are, if appropriate together with the coils for winding and unwinding the tape or tapes, housed in vacuum chambers, not shown.
  • the substrate can also be conveyed to and from the discharge region 2 via coils and vacuum locks arranged outside the vacuum chamber.
  • the discharge preferably takes place at a pressure between 0.01 mbar and 100 mbar, particularly preferably between 0.1 and 5 mbar.
  • Inert gases such as argon, reactive gases or gas mixtures are introduced into the vacuum chamber via the gas feeds 3 (not shown in FIGS. 3 and 4).
  • suitable reactive gases are oxidizing, reducing, carbon-containing or silicon-containing gases such as oxygen, hydrogen, nitrogen, methane, ethyne, silane, hexamethyldisiloxane, tetramethylsilane, etc.
  • layers can be applied, material removed or gas components can be integrated into the surface areas.
  • substrate surfaces can be cleaned of contaminants such as lubricants, anti-corrosion agents or oxide layers or with anti-corrosion layers, adhesive layers for subsequent coatings, sliding layers to improve the forming properties or decorative layers.
  • the gas discharges 4 (not shown in FIGS. 3 and 4) from the vacuum chamber ensure that products capable of deposition or ablation are discharged from the discharge zone without being given the opportunity for parasitic deposition or ablation.
  • shielding elements for example metal sheets
  • These shielding elements which are electrically insulated from the device components and the substrate, are arranged in those areas of the vacuum chamber (chamber walls, flanges, etc.) where, owing to the potential present, parasitic discharges could form or enclose the discharge area and substrate. Such is shown in FIG.
  • Shielding element shown in the form of a sheet metal cage 8.
  • the gas supply 3 takes place through a stainless steel tube of 1 cm diameter provided with 50, 0.7 mm large holes.
  • This stainless steel tube is arranged parallel to the axes of the small rollers 6.
  • the gas discharge 4 takes place through a stainless steel tube also provided with holes below the lower pair of rollers.
  • the stainless steel pipe for gas discharge 4 has 100 holes with a diameter of 2 mm.
  • the gas is pumped out by means of a Roots pump, which has an effective pumping speed of 500 m 3 / h.
  • the sheet metal 1 is electrically isolated from the housing and grounded.
  • the gas feed pipe serves as the counter electrode (anode).
  • Either a DC voltage source (10 to 1000 V) or a medium frequency can be used as the voltage source
  • the incoming sheet 1 is wetted with paraffin oil using a sponge (approximately 0.5 g / m 2 ).
  • the belt speed is 10 m / min and the pressure is 0.5 mbar.
  • Artificial air an oxygen / nitrogen mixture in a ratio of 1: 4 with a volume flow of 4.5 m 3 / h is used as the gas.
  • With a DC voltage of 450 volts an intense discharge forms between the sheets.
  • the sheet on the side 7 to be treated has a surface energy of 55 dynes / cm (determined using test inks). This shows that the oil has been completely removed.
  • Embodiment 2 plasma polymerization
  • the belt speed is 20 m / min and the pressure is also 0.5 mbar.
  • a mixture of argon and HMDSO (hexamethyl disiloxane) in a partial pressure ratio of 10: 1 and at a total volume flow of 70 mbar x 1 / s (4.2 slm) is used as the gas.
  • a medium-frequency voltage 500 volts
  • a hollow cathode discharge is formed between the sheets.
  • a plasma polymer layer 53 nm thick is deposited on the sheet surface 7.
  • the dynamic rate (product of belt speed and layer thickness) of this arrangement is approximately 1060 m ⁇ nm / min. On a sheet at rest, the deposition speed would be about 30 nm / s.
  • Embodiment 3 Silicating Instead of argon in Example 2, artificial air is used at a volume flow of 60 mbar x 1 / s.
  • the belt speed is 30 m / min.
  • a silicon oxide layer 30 nm thick is formed.
  • the dynamic rate is 600 mx nm / min, the static rate 17 nm / s.
  • the composition of the layer (according to EPMA): SiO 1 7 C 0 2 .
  • the surface energy (test inks) is over 58 dym / cm.

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Oberflächenbehandlung von mindestens einem elektrisch leitenden oder leitfähig beschichteten Substrat (1) mit Hilfe eines im Bereich einer elektrischen Entladung (2) angeordneten Gases. Der Entladungsbereich wird durch zu behandelnde Substratoberflächen (7) zumindest auf zwei im wesentlichen gegenüberliegenden Seiten begrenzt. Dieses Verfahren eignet sich insbesondere zur Behandlung von bandförmigen und fortlaufend geförderten Substraten.

Description

Verfahren und Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Substraten
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Substraten mit Hilfe einer Gasentladung.
Bei der Oberflächenbehandlung ebener Substrate mit- tels Gasentladungen wie Niederdruck-Glimmentladungen sind Verfahren bekannt, bei denen die Entladung durch eine Mikrowellenantenne, durch eine Hochfrequenz- Elektrode oder durch eine an das Substrat angelegte gepulste oder zeitlich konstante Gleichspannung auf- rechterhalten wird. Substratoberfläche und Gegenelektrode bzw. Mikrowellenantenne sind dabei meist gegenüberliegend angeordnet.
Ein entscheidender Nachteil dieser Verfahren ist, daß in der Regel nur eine geringe Plasmadichte erzeugt werden kann und die Geschwindigkeit einer Plasmarei- nigung oder Plasmabeschichtung der Substratoberfläche daher niedrig ist. Zwar läßt sich durch Druckerhöhung auch die Plasmadichte erhöhen, die damit verbundene Abnahme der mittleren freien Weglänge führt jedoch dazu, daß der Materialtransport zur und von der Substratoberfläche stark behindert wird. Außerdem wächst die Neigung der Entladung zur lokalen Kontraktion und Instabilität. Nachteilig bei diesen Verfahren ist außerdem, daß es zu einer unerwünschten Beschichtung des Mikrowellen-Einkopplungsfensters bzw. der Hochfrequenz-Elektrode kommt, wodurch die eingekoppelte Leistung mit der Zeit deutlich abnimmt.
Nachteilig ist weiterhin, daß große Mengen an Aus- gangsstoffen dadurch verlorengehen, daß außer dem Substrat auch alle anderen inneren Oberflächen der Vakuumkammer beschichtet werden. Dies erfordert zudem eine häufige und daüberhinaus aufwendige Reinigung der Anlage.
Die Oberflächenbehandlung von laufenden Metallbändern, etwa Stahl- oder Aluminiumblech, aktiviert oder unterstützt durch eine elektrische Gasentladung, wirft gegenüber der Behandlung von Substraten im Batch-Verfahren besondere Probleme auf.
Zum einen erfordert die hohe Bandlaufgeschwindigkeit, bei Stahlblechen in der Größenordnung von bis zu 100 m/min, sehr hohe stationäre Beschichtungsraten und Plasmadichten. Um beispielsweise eine Schichtdicke von 100 nm abzuscheiden, ist bei einer Bandgeschwindigkeit von 100 m/min und einer Beschichtungszonen- länge von 1 m eine stationäre Beschichtungsrate von 10 μm/min erforderlich. Dies sind rund 2 Größenord- nungen mehr, als mit gewöhnlichen Gleich- oder Wechselstromglimmentladungen erreichbar sind.
Außer zur Erzielung hoher Abscheideraten sind auch für effektive Abtragsraten von Oberflächenkontamina- tionen (Ölen, Fetten, Wachsen) unter Bildung von gasförmigen Produkten auf einem schnell laufenden Band möglichst hohe Plasmadichten anzustreben. Gewöhnliche Glimmentladungen besitzen im allgemeinen keinen hin- reichenden Ionisationsgrad und einen zu geringen Anteil an aktiven Spezies wie Sauerstoff-Atomen oder Hydroxylradikalen.
Neben der Bereitstellung hoher Plasmadichten wird von derartigen Produktionsanlagen erwartet, daß sie mehrere Tage ohne Wartung betrieben werden können. Voraussetzung hierfür ist, daß die parasitäre Abscheidung von Schichten, d.h. das Aufwachsen von Schichten an anderen Orten als auf dem zu behandelnden Blech, gering gehalten wird. Es ist zu bedenken, daß in 100 Stunden die hypothetische "stationäre" Schichtdicke auf einem ruhenden Blech bei einer Aufwachsrate von 10 μm/min bis zu 6 cm betragen würde. Auch wenn die parasitäre Aufwachsrate auf einer Gegenelektrode oder auf einem Abschirmblech oder der Gehäusewand nur 1% dieses Wertes betragen würde, wären die resultierenden Schichten von 600 μm Schichtdicke unakzeptabel, da sie infolge innerer Spannungen nicht mehr auf ihrer Unterlagen haften und in Form von abgeplatzten Füttern den Beschichtungsprozeß stören würden.
Ausgehend von diesen und weiteren Nachteilen des Standes der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Substraten zu schaffen, die neben hohen Plasmadichten auch eine Konzentration der hohen Plasmadichten in unmittelbarer Nähe der zu behandelnden Oberfläche bei gleichzeitiger Reduzierung parasitärer Abscheidungen gewährleisten. Außerdem soll sowohl eine Beschichtung von fortlaufend geförderten, z.B. bandförmigen, Substraten als auch von stationären Substraten möglich sein.
Diese Aufgabe wird in verfahrenstechnischer Hinsicht durch Anspruch 1 und, was eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens angeht, durch Anspruch 16 gelöst. Die jeweiligen Unteransprüche geben vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung an.
Indem die zu behandelnden Oberflächen eines oder mehrerer, elektrisch leitender oder leitfähig beschichteter Substrate auf wenigstens zwei Seiten die elektrische Gasentladung räumlich begrenzen, läßt sich in unmittelbarer Nähe der Substratoberflächen ein konzentriertes Plasma hoher Plasmadichte realisieren. Durch die lokale Begrenzung der Entladung werden parasitäre Effekte an nicht zu behandelnden Oberflächen stark reduziert. Bei der Entladung han- delt es sich bevorzugt um eine Glimmentladung.
Die Begrenzung des Entladungsbereiches findet bevorzugt auf mindestens zwei, im wesentlichen gegenüberliegenden Seiten statt und kann in Abhängigkeit von der zu beschichtenden Substratform zum Beispiel in
Form eines Zylinders mit runder oder mehreckiger Grundfläche ausgestaltet sein. Besonders geeignet ist auch ein Einschluß durch zwei parallel zueinander angeordnete, ebene Substrate. Unabhängig von der Form des Einschlusses sollte der Abstand von jeweils ge- genüberliegenden Substratoberflächen ungefähr 1 mm bis 50 cm, bevorzugt 1 cm bis 10 cm, betragen.
Neben einer Oberflächenbehandlung stationärer Sub- strate im Batch-Verfahren ist das erfindungsgemäße
Verfahren besonders geeignet zur Behandlung kontinuierlich geförderter Substrate, beispielweise bandförmiger Materialien. Dabei wird der Entladungsbereich dadurch begrenzt, daß z.B. ein oder mehrere Substrat- bänder zumindest bereichsweise in geringem gegenseitigen Abstand eine stationäre Gasentladung passieren und dadurch den Entladungsbereich begrenzen. So können beispielsweise zwei Bänder bereichsweise parallel zueinander geführt werden und die stationäre Gasent- ladung von jeweils einer zu behandelnden Oberfläche jedes Bandes eingeschlossen werden.
Besonders bevorzugt ist die Oberflächenbehandlung von einem oder mehreren bandförmigen Substraten, welche unter Änderung ihrer Förderrichtung mindestens einmal umgelenkt werden und den Entladungsbereich zumindest zum einen durch einen Oberflächenbereich, der in Bandlaufrichtung vor der Umlenkung liegt, und zum anderen durch einen Oberflächenbereich, der in Band- laufrichtung nach der Umlenkung liegt, begrenzen. Auf diese Weise passiert die zu behandelnde Oberfläche des bandförmigen Substrates die Entladungszone je nach Bandführung mindestens zweimal . Die damit einhergehende intensivierte Oberflächenbehandlung ge- stattet vorteilhafterweise eine Erhöhung der Fόrder- geschwindigkeit .
Bei der elektrischen Entladung handelt es sich bevorzugt um eine Entladung im Bereich der Hohlkathoden- entladung. Darunter wird erfindungsgemäß auch noch eine Entladung im Übergangsbereich zwischen Hohlka- thodenentladung und normaler Entladung verstanden. Das gesamte Substrat, das auf Erdpotential liegen kann, bildet dabei die Kathode. Eine Anode, die ge- genüber Erde auf einem positiven Potential liegt, befindet sich als Gegenelektrode an einer geeignet gewählten Stelle in der Apparatur, vorzugsweise am Rand der Gasentladung. Auch bei einer durch Mikrowellen aktivierten Entladung kann sich eine Hohlkatho- denentladung ausbilden. Das Plasma bildet dann eine "virtuelle" Anode.
Eine Hohlkathodenentladung ist wesentlich intensiver als eine gewöhnliche Glimmentladung zwischen parallel angeordneter Kathode und Anode. Es wird eine um Größenordnungen höhere Ionisation erreicht und dementsprechend lassen sich auch wesentlich höhere Be- schichtungs- bzw. Abtragsraten erzielen. Die Hohlka- thodenentladung bildet sich bei Verwendung einer Gleich- oder WechselSpannung dann aus, wenn die Substratoberflächen den Entladungsbereich hohlraumför- mig, d.h. auf mindestens zwei Seiten, eingrenzen und in Abhängigkeit von der Substratgeometrie bzw. der Geometrie des Entladungsbereiches geeignete Verfa- hensparameter (Druck, Abstand der Substratoberflächen, Spannung, usw.) gewählt werden. Eine Hohlkatho- denentladung zwischen z.B. zwei parallelen Platten manifestiert sich in einem deutlich höherem Entladungsstrom im Vergleich zur Summe der Ströme bei je einer getrennten Entladung an jeder der beiden Platten.
Eine elektrische Entladung läßt sich außer durch eine Gleich- oder WechselSpannung auch durch Einkopplung von Mikrowellen in den Entladungsbereich realisieren. Dazu sollte der durch die Substratoberfläche definierte Entladungsbereich eine Geometrie aufweisen, welche die Ausbreitung der Mikrowellen in bestimmten Raumbereichen und die Entstehung einer Gasentladung durch die Erzielung hoher elektrischer Felder begünstigt . Bevorzugt weist der Entladungsbereich dazu eine Hohlraumgeometrie auf, wobei die Hohlraumdimen- sionen der Wellenlänge der verwendeten Mikrowellenstrahlung angepaßt sind. Als Weiterbildung ist denk- bar, in den Entladungsbereich gleichzeitig Mikrowellen und eine elektrische Spannung, bevorzugt eine Gleichspannung, einzuspeisen.
Die Gaszu- und Gasabführung erfolgt bevorzugt direkt im Entladungsbereich oder unwesentlich davon beabstandet. Durch geeignete Anordnung der Gaszu- und Gasabführung läßt sich die Entladung unmittelbar auf den vorgesehenen Entladungsbereich zwischen den Substratoberflächen beschränken und parasitäre Entladun- gen stark reduzieren. Bevorzugt sind die Mittel zur
Gaszu- und Gasabführung auf gegenüberliegenden Seiten des Entladungsbereiches angeordnet, so daß eine ständige Strömung aufrechterhalten werden kann.
Weitere Vorteile und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Figuren und den nachfolgend beschriebenen Ausführungsbeispielen. Es zeigen:
Figur 1 : die Durchführung des erfindungsgemäßen Ver- fahrens bei Verwendung eines fortlaufend geförderten, bandförmigen Substrates;
Figur 2 : die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens bei Verwendung zweier fortlaufend geförderter, bandförmiger Substrate; Figur 3 : die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens bei Verwendung zweier stationärer Substrate; und
Figur 4 : die Durchführung des erfindungsgemäßen Ver- fahrens bei Verwendung eines fortlaufend geförderten, bandförmigen Substrates, das von einem Abschirmelement umgeben ist.
Bei dem in den Figuren 1, 2 und 4 dargestellten Sub- straten 1 handelt es sich um 0,15 mm starkes und 50 Zentimeter breites, bandförmiges und kontinuierlich gefördertes Aluminiumblech. Andere Substrate, beispielsweise Stähle oder leitfähig beschichte Materialien, lassen sich ebenso behandeln. Bei dem in Figur 3 dargestellten Substrat 1 handelt es sich um zwei stationäre, parallele Platten.
Bei zu starker Aufheizung kann das behandelte Substrat 1 während der Oberflächenbehandlung gekühlt werden. Die Kühlung kann durch einen Kühlkörper, der von einem flüssigen oder gasförmigen Kühlmedium durchströmt wird und in direktem mechanischen Kontakt zum Substrat steht, erfolgen. Bei stationären Substraten bietet sich die Kühlung mittels Kühlplatten und bei bewegten Substraten mittels Kühlwalzen an.
Das Substrat 1 kann geerdet oder mit dem nicht geerdeten Ausgang einer Spannungsquelle verbunden sein. Bevorzugt liegt die Spannung zwischen Substrat und einem aufgrund der elektrischen Entladung gebildeten
Plasma zwischen 1 und 3000 Volt, besonders bevorzugt zwischen 100 und 1000 Volt. Als Gleichspannungen kommen auch gepulste Gleichspannungen mit einer Pulsfrequenz zwischen 10 kHz und 100 kHz in Frage. Bei Verwendung von niederfrequenten Wechselspannungen liegt die Frequenz bevorzugt zwischen 50 und 60 Hz und bei mittelfrequenten WechselSpannungen bevorzugt zwischen 10 und 100 kHz. Hochfrequente Wechselspannungen weisen bevorzugt Frequenzen zwischen 1 und 50 MHz auf. Anstatt oder zusätzlich zur Einspeisung mit einer Spannungsquelle läßt sich elektrische Energie auch durch Mikrowellen einspeisen. Die Mikro- wellenfrequenzen liegen bevorzugt im GHz-Bereich.
Die gesamten in den Figuren 1 bis 4 dargestellten Anordnungen sind, ggf. zusammen mit den Spulen zur Auf- und Abwicklung des Bandes bzw. der Bänder, in nicht dargestellten Vakuumkammern untergebracht. Bei Verwendung von bandförmigen Substraten kann das Sub- strat auch über außerhalb der Vakuumkammer angeordnete Spulen und Vakuumschleusen zum und aus dem Entladungsbereich 2 gefördert werden. Die Entladung läuft bevorzugt bei einem Druck zwischen 0,01 mbar und 100 mbar, besonders bevorzugt zwischen 0,1 und 5 mbar, ab.
Über die GasZuführungen 3 (in Figur 3 und 4 nicht dargestellt) werden Inertgase wie Argon, reaktive Gase oder auch Gasgemische in die Vakuumkammer einge- führt. Als reaktive Gase kommen zum Beispiel oxidie- rende, reduzierende, kohlenstoffhaltige oder siliziumhaltige Gase wie Sauerstoff, Wasserstoff, Stickstoff, Methan, Ethin, Silan, Hexamethyldisiloxan, Tetramethylsilan, usw. in Frage. Mit Hilfe der reak- tiven Gase können zum Beispiel Schichten aufgetragen, Material abgetragen oder in die Oberflächenbereiche Gasbestandteile integriert werden. So lassen sich Substratoberflächen von Verunreinigungen wie Schmierstoffen, Korrosionsschutzmitteln oder Oxydschichten reinigen oder mit Korrosionsschutzschichten, Haft- schichten für nachfolgende Beschichtungen, Gleitschichten zur Verbesserung der Umformeigenschaften oder dekorativen Schichten versehen.
Die Gasabführungen 4 (in Figur 3 und 4 nicht dargestellt) aus der Vakuumkammer gewährleisten, daß depo- sitionsfähige oder abtragungsfähige Produkte aus der Entladungszone abgeführt werden, ohne Gelegenheit zur parasitären Ablagerung oder Abtragung zu bekommen.
Eine weitere Möglichkeit zur Reduzierung der parasitären Effekte besteht in der Anordnung von Abschirmelementen, beispielsweise Blechen, in der Vakuumkammer. Diese Abschirmelemente sind, von den Vorrich- tungskomponenten und dem Substrat elektrisch isoliert, in denjenigen Bereichen der Vakuumkammer (Kammerwänden, Flansche, etc.) angeordnet, wo sich aufgrund des vorhandenen Potentials parasitäre Entladungen ausbilden könnten oder umschließen Entladungsbe- reich und Substrat. In Figur 4 ist ein derartiges
Abschirmelement in Form eines Blechkäfiges 8 dargestellt.
Schließlich gestatten weitere, von Vorrichtungskom- ponenten und Substraten elektrisch isolierte Abschirmelemente auch ein Verschließen derjenigen Seiten des Entladungsbereiches, welche nicht durch Substratoberflächen begrenzt sind. Verbleibende Spalte zwischen diesen Abschirmelementen und den Substraten können mit einem isolierenden Stoff (Oxidkeramik, wärmebeständiger Kunststoff) verschlossen werden. Hierdurch wird gewährleistet, daß nur noch eine geringe Anzahl an Ladungsträgern aus dem Hohlraum des Entladungsbereiches entweichen kann. Nachfolgend werden die geometrischen Dimensionen der in den Figuren 1, 2 und 4 dargestellten Vorrichtung erläutert. Der Durchmesser der oberen dicken Umlenkrolle 5 (Figuren 1 und 4) beträgt 50 cm und der Durchmesser der vier unteren, im Rechteck angeordneten Rollen 6 beträgt 16 cm. Der horizontale Abstand der Achsen der unteren Rollen 6 beträgt 19 cm und der vertikale Abstand der Achsen der unteren Rollen 6 beträgt 30 cm. Es entsteht ein für die Ausbildung einer Hohlkathoden-Glimmentladung besonders günstiges Volumen von etwa 30 x 50 x 3 cm zwischen Teilen des Aluminiumbleches .
Die Gaszufuhr 3 erfolgt gemäß Figur 1 und 2 durch ein mit 50, je 0,7 mm großen Löchern versehenes Edelstahlrohr von 1 cm Durchmesser. Dieses Edelstahlrohr ist parallel zu den Achsen der kleinen Rollen 6 angeordnet . Die Gasabführung 4 erfolgt durch ein ebenfalls mit Löchern versehenes Edelstahlrohr unterhalb des unteren Rollenpaares. Das Edelstahlrohr für die Gasabführung 4 weist 100 Löcher mit 2 mm Durchmesser auf. Das Abpumpen des Gases geschieht mittels einer Roots-Pumpe, die ein effektives Saugvermögen von 500 m3/h aufweist.
In den Figuren 1, 2 und 4 ist das geförderte Blech 1 elektrisch vom Gehäuse isoliert und geerdet. Als Gegenelektrode (Anode) dient das Gaszuführungsrohr . Als Spannungsquelle kann entweder eine Gleichspannungs- quelle (10 bis 1000 V) oder eine mittelfrequente
Spannungsquelle (35 kHz, 500 V Spitzenspannung) verwendet werden. In Figur 3 wird eine Hohlkathodenent- ladung durch die Einspeisung von Mikrowellen 9 aktiviert. Ausführungsbeispiel 1: Reinigung
Das einlaufende Blech 1 wird über einen Schwamm mit Paraffinδl benetzt (ungefähr 0,5 g/m2) . Die Bandlauf- geschwindigkeit beträgt 10 m/min und der Druck 0,5 mbar. Als Gas wird künstliche Luft (ein Sauerstoff/Stickstoffgemisch im Verhältnis 1:4) mit einem Volumenstrom von 4,5 m3/h verwendet. Bei einer Gleichspannung von 450 Volt bildet sich zwischen den Blechen eine intensive Entladung aus. Nach dem Durch- gang durch die Entladungszone besitzt das Blech auf der zu behandelnden Seite 7 eine Oberflächenenergie von 55 dyn/cm (Bestimmung mit Testtinten) . Dies belegt, daß das Öl vollständig abgetragen wurde.
Ausführungsbeispiel 2: Plasmapolymerisation
Bei diesem Beispiel beträgt die Bandlaufgeschwindigkeit 20 m/min und der Druck ebenfalls 0,5 mbar. Als Gas wird ein Gemisch aus Argon und HMDSO (Hexamethyl- disiloxan) im Partialdruckverhältnis 10:1 und bei einem Gesamtvolumenstrom von 70 mbar x 1 /s (4,2 slm) verwendet. Bei Anlegen einer mittelfrequenten Spannung (500 Volt) bildet sich zwischen den Blechen eine Hohlkathodenentladung aus . Auf der Blechoberfläche 7 wird eine Plasmapolymerschicht von 53 nm Dicke abge- schieden. Die dynamische Rate (Produkt von Bandgeschwindigkeit und Schichtdicke) dieser Anordnung beträgt ungefähr 1060 m x nm / min. Auf einem ruhenden Blech würde die Depositionsgeschwindigkeit damit etwa 30 nm/s betragen.
Ausführungsbeispiel 3 : Silikatisierung Anstelle von Argon im Beispiel 2 wird künstliche Luft bei einem Volumenstrom von 60 mbar x 1/s verwendet. Die Bandgeschwindigkeit beträgt 30 m/min. Es bildet sich eine Siliziumoxydschicht von 30 nm Dicke aus. Die dynamische Rate beträgt 600 m x nm/min, die statische Rate 17 nm/s. Die Zusammensetzung der Schicht (lt. EPMA) : SiO1 7C0 2. Die Oberflächenenergie (Testtinten) beträgt über 58 dym/cm.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Oberflächenbehandlung von mindestens einem, elektrisch leitenden oder leitfähig beschichteten Substrat mit Hilfe eines im Bereich einer elektrischen Entladung angeordneten Gases,
dadurch g e k e n n z e i c h n e t ,
daß der Entladungsbereich (2) durch zu behandelnde Substratoberflächen (7) zumindest auf zwei im wesentlichen gegenüberliegenden Seiten begrenzt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein oder mehrere, fortlaufend geförderte Substrate (1) zumindest bereichsweise den Entladungsbereich (2) begren- zend geführt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2 , dadurch gekennzeichnet, daß bandförmige Substrate behandelt werden.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3 , dadurch gekennzeichnet, daß das mindestens eine geförderte Substrat (1) zur Änderung der Förderrichtung mindestens einmal umgelenkt wird und der Entladungsbereich (2) auf mindestens einer
Seite durch in Förderrichtung vor der mindestens einen Umlenkung (5) und auf mindestens einer weiteren Seite durch in Förderrichtung nach der mindestens einen Umlenkung (5) liegende Sub- stratbereiche begrenzt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das mindestens eine Substrat (1) als Kathode fungiert.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Substratoberflächen (7) durch eine Hohlkathodenentladung behandelt werden.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Entladungsbereich (2) auf zwei Seiten durch Substratoberflächen (7) , welche einen Abstand von 1 mm bis 50 cm aufweisen, begrenzt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrische Entladung bei einem Druck zwischen 0,01 mbar bis 100 mbar abläuft.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das mindestens eine Substrat (1) geerdet wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß an das mindestens eine Substrat (1) eine Spannung angelegt wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannung zwischen dem mindestens einen Substrat (1) und einem aufgrund der elektrische Entladung ausgebildeten Plasma 1 bis 3000 V beträgt.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Entladung durch Mikrowellen aktiviert oder unterstützt wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Entladung durch eine Gleichspannung, eine gepulste Gleichspannung oder durch eine nieder-, mittel- oder hochfrequente WechselSpannung aktiviert oder unter- stützt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Zuführung des Gases im Entladungsbereich (2) oder unmittelbar außerhalb davon erfolgt.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Abführung des Gases im Entladungsbereich (2) oder unmittelbar außerhalb davon erfolgt.
16. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 15 mit: mindestens einem Substrat (1) , das einen auf mindestens zwei Seiten von Substratoberflächen
(7) umschlossenen Entladungsbereich (2) definiert, einer Vorrichtung zur Einspeisung elektrischer Energie in den Entladungsbereich, einer den Entladungsbereich umgebende Vakuumkammer, einer Gaszuführung (3 ) in die Vakuumkammer un- deiner Gasabführung (4 ) aus der Vakuumkammer .
17. Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß im Bereich des Substrates (1) eine Anode angeordnet ist und das Substrat (1) eine Kathode bildet.
18. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (1) eine Hohlkathode bildet.
19. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß eine Substratkühlung vorgesehen ist.
20. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß die GasZuführung (3) im Entladungsbereich (2) oder unmittelbar außerhalb davon angeordnet ist.
21. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Gasabführung (4) im Entladungsbereich (2) oder unmittelbar außerhalb davon angeordnet ist .
22. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß das mindestens eine
Substrat (1) ein fortlaufend gefördertes Band ist, das von einer ersten Spule abwickelbar und von einer zweiten Spule aufwickelbar ist.
23. Vorrichtung nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Spulen außerhalb der Vakuumkammer angeordnet sind und das Band über Vakuumschleusen in die Vakuumkammer einführbar und ausführbar ist .
24. Vorrichtung nach Anspruch 22 , dadurch gekennzeichnet, daß die Spulen innerhalb der Vakuumkammer angeordnet sind.
25. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 24, dadurch gekennzeichnet, daß in der Vakuumkammer im Bereich der nicht von Substratoberflächen (7) begrenzten Seiten des Entladungsbereichs (2) Abschirmelemente angeordnet sind und diese Ab- schirmelemente von den Vorrichtungskomponenten und dem mindestens einen Substrat (1) elektrisch isoliert sind.
26. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 25, dadurch gekennzeichnet, daß in der Vakuumkammer in Bereichen von Vorrichtungskomponenten, in denen sich aufgrund ihres Potentiales parasitäre Entladungen ausbilden können, oder um Substrat (1) und Entladungsbereich (2) Abschirmelemente angeordnet sind und diese Abschirmelemente von den Vorrichtungskomponenten und dem Substrat (1) elektrisch isoliert sind.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1575078A1 (de) * 2004-03-08 2005-09-14 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Substraten

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4710211B2 (ja) 1999-08-20 2011-06-29 ソニー株式会社 情報記録装置、情報再生装置、情報記録再生装置、情報記録方法、情報再生方法、情報記録再生方法並びに記録媒体
EP1209252A3 (de) * 2000-09-15 2002-11-27 Shipley Co. L.L.C. Vorrichtung zum kontinuierlichen Beschichten
EP1339895B1 (de) * 2000-11-02 2009-06-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und vorrichtung zur oberflächenbehandlung elektrisch isolierender substrate
WO2009096951A1 (en) * 2008-01-30 2009-08-06 Applied Materials, Inc. System and method for pre-ionization of surface wave launched plasma discharge sources
GB2471271A (en) * 2009-06-19 2010-12-29 Univ Dublin City Method of coating the channels of a microfluidic device
DE102016106679A1 (de) 2016-04-12 2017-10-12 Thyssenkrupp Ag Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines korrosionsgeschützten Stahlprodukts
US10962483B2 (en) * 2017-10-03 2021-03-30 Innotech Alberta Inc. Reduction of molecular background emission and sample matrix management in a solution cathode glow discharge
US10269574B1 (en) 2017-10-03 2019-04-23 Mattson Technology, Inc. Surface treatment of carbon containing films using organic radicals
US11387111B2 (en) 2018-04-13 2022-07-12 Mattson Technology, Inc. Processing of workpieces with reactive species generated using alkyl halide
US11164725B2 (en) 2018-06-11 2021-11-02 Beijing E-town Semiconductor Technology Co., Ltd. Generation of hydrogen reactive species for processing of workpieces
CN112313777A (zh) 2018-10-15 2021-02-02 玛特森技术公司 用于选择性亲水表面处理的臭氧
CN112335017A (zh) 2018-11-16 2021-02-05 玛特森技术公司 腔室上光以通过减少化学成分改善刻蚀均匀性
US10403492B1 (en) 2018-12-11 2019-09-03 Mattson Technology, Inc. Integration of materials removal and surface treatment in semiconductor device fabrication
TW202111144A (zh) 2019-04-30 2021-03-16 美商得昇科技股份有限公司 使用甲基化處理的選擇性沉積
EP3771747B1 (de) 2019-08-01 2022-11-30 Vereinigung zur Förderung des Instituts für Kunststoffverarbeitung in Industrie und Handwerk An der Rhein.- Westf. Technischen Hochschule Verfahren und anlage zur kontinuierlichen vakuumbasierten behandlung von bahnware
DE102019124489B3 (de) * 2019-09-12 2020-11-12 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Vakuumanordnungen, Verfahren und Verwendung einer Elektrode im Vakuum
NL2031257B1 (en) * 2022-03-11 2023-09-20 Leydenjar Tech B V Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03183782A (ja) * 1989-12-13 1991-08-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜製造装置
US5595792A (en) * 1994-08-24 1997-01-21 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method and apparatus for producing magnetic recording medium

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3068510A (en) * 1959-12-14 1962-12-18 Radiation Res Corp Polymerizing method and apparatus
US3627663A (en) * 1968-03-25 1971-12-14 Ibm Method and apparatus for coating a substrate by utilizing the hollow cathode effect with rf sputtering
US3999094A (en) * 1975-06-27 1976-12-21 Zenith Radio Corporation Cathodoluminescent gas discharge device with improved modulation characteristics
US4301765A (en) * 1979-01-10 1981-11-24 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus for generating layers on a carrier foil
JPS57186321A (en) * 1981-05-12 1982-11-16 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd Producing method for amorphous silicon film
US4737379A (en) * 1982-09-24 1988-04-12 Energy Conversion Devices, Inc. Plasma deposited coatings, and low temperature plasma method of making same
US4508053A (en) * 1983-01-05 1985-04-02 Xis, Incorporated Vacuum deposition apparatus for manufacturing selenium photoreceptors
JPH0719748B2 (ja) 1984-02-17 1995-03-06 鐘淵化学工業株式会社 製膜装置
JPS61244081A (ja) * 1985-04-23 1986-10-30 Koito Mfg Co Ltd 金属イオンレ−ザ−
US4637853A (en) * 1985-07-29 1987-01-20 International Business Machines Corporation Hollow cathode enhanced plasma for high rate reactive ion etching and deposition
JPS6326373A (ja) 1986-07-18 1988-02-03 Kobe Steel Ltd プラズマｃｖｄによる管内面のコ−テイング方法
US4894546A (en) * 1987-03-11 1990-01-16 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Hollow cathode ion sources
US4824544A (en) * 1987-10-29 1989-04-25 International Business Machines Corporation Large area cathode lift-off sputter deposition device
JP2787148B2 (ja) * 1988-11-15 1998-08-13 キヤノン株式会社 マイクロ波プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置
US5114770A (en) * 1989-06-28 1992-05-19 Canon Kabushiki Kaisha Method for continuously forming functional deposited films with a large area by a microwave plasma cvd method
DE3931713C1 (de) 1989-09-22 1991-03-14 Balzers Ag, Balzers, Li
DD294511A5 (de) * 1990-05-17 1991-10-02 Adw Zentralinstitut Fuer Elektronenphysik,De Verfahren und vorrichtung zum reaktiven gasflusssputtern
JP2652292B2 (ja) * 1991-11-22 1997-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマ処理装置
US5482611A (en) * 1991-09-30 1996-01-09 Helmer; John C. Physical vapor deposition employing ion extraction from a plasma
US5286534A (en) * 1991-12-23 1994-02-15 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for plasma deposition of a carbon rich coating
JPH0644836A (ja) 1992-07-22 1994-02-18 Tonen Corp 透明導電薄膜の製造方法および装置
DE4235953C2 (de) * 1992-10-23 1998-07-02 Fraunhofer Ges Forschung Sputterquelle mit einer linearen Hohlkathode zum reaktiven Beschichten von Substraten
CA2146369C (en) * 1992-11-13 1999-06-15 Masatsugu Izu Microwave apparatus for depositing thin films
US5803976A (en) * 1993-11-09 1998-09-08 Imperial Chemical Industries Plc Vacuum web coating
US5716480A (en) * 1995-07-13 1998-02-10 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic device and method of manufacturing the same
US6027663A (en) * 1995-08-28 2000-02-22 Georgia Tech Research Corporation Method and apparatus for low energy electron enhanced etching of substrates
JPH0996794A (ja) * 1995-09-28 1997-04-08 Nec Corp 液晶表示装置
DE19608158C1 (de) 1996-03-04 1997-08-28 Dresden Vakuumtech Gmbh Verfahren und Einrichtung zur Hochfrequenz-Plasmapolymerisation
JP3555797B2 (ja) * 1996-03-11 2004-08-18 富士写真フイルム株式会社 成膜装置および成膜方法
US5900342A (en) * 1996-04-26 1999-05-04 Eastman Kodak Company Photoconductive element having an outermost layer of a fluorinated diamond-like carbon and method of making the same
BE1010913A3 (fr) * 1997-02-11 1999-03-02 Cockerill Rech & Dev Procede de recuit d'un substrat metallique au defile.

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03183782A (ja) * 1989-12-13 1991-08-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜製造装置
US5595792A (en) * 1994-08-24 1997-01-21 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method and apparatus for producing magnetic recording medium

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 015, no. 436 (C - 0882) 7 November 1991 (1991-11-07) *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1575078A1 (de) * 2004-03-08 2005-09-14 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Substraten

Also Published As

Publication number Publication date
US6855379B2 (en) 2005-02-15
EP1019945B1 (de) 2005-04-06
US20030134051A1 (en) 2003-07-17
EP1019945A1 (de) 2000-07-19
DE59812719D1 (de) 2005-05-12
ATE292842T1 (de) 2005-04-15
DE19744060A1 (de) 1999-04-22
DE19744060C2 (de) 1999-08-12

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