WO1998007191A1 - Kombinations-chipmodul und verfahren zur herstellung eines kombinations-chipmoduls - Google Patents

Kombinations-chipmodul und verfahren zur herstellung eines kombinations-chipmoduls Download PDF

Info

Publication number
WO1998007191A1
WO1998007191A1 PCT/DE1997/001496 DE9701496W WO9807191A1 WO 1998007191 A1 WO1998007191 A1 WO 1998007191A1 DE 9701496 W DE9701496 W DE 9701496W WO 9807191 A1 WO9807191 A1 WO 9807191A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
carrier
chip module
conductor tracks
contact surfaces
combination chip
Prior art date
Application number
PCT/DE1997/001496
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Peter Stampka
Manfred Fries
Michael Huber
Josef Heitzer
Original Assignee
Siemens Aktiengesellschaft
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Aktiengesellschaft filed Critical Siemens Aktiengesellschaft
Publication of WO1998007191A1 publication Critical patent/WO1998007191A1/de

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07749—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
    • G06K19/07766—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card comprising at least a second communication arrangement in addition to a first non-contact communication arrangement
    • G06K19/07769—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card comprising at least a second communication arrangement in addition to a first non-contact communication arrangement the further communication means being a galvanic interface, e.g. hybrid or mixed smart cards having a contact and a non-contact interface
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07743—External electrical contacts
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07749—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07749—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
    • G06K19/0775—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card arrangements for connecting the integrated circuit to the antenna
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49855—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers for flat-cards, e.g. credit cards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5388—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates for flat cards, e.g. credit cards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05647—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H01L2224/49173—Radial fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01083—Bismuth [Bi]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor

Definitions

  • the invention relates to a combination chip module for both contactless and contact-based transmission of electrical signals or data to an external read / write station, with an expandable, electrically insulating carrier, on or in which one or more integrated semiconductor circuits are arranged, via connection connections on the one hand with one or more coupling elements of a separately or in an integrated form in the chip module provided interface circuit, which enables contactless bidirectional data communication between the chip module and the external reader / writer, and on the other hand with on one side provided on the carrier are electrically conductive contact surfaces which enable contact-based bidirectional data communication between the chip module and the external read / write station.
  • the invention further relates to a method for producing such a combination chip module and the use of such combination chip modules in chip cards.
  • chip modules are produced as intermediate products which are completed in terms of production technology and are further processed independently to end products.
  • a chip module is understood to mean an arrangement in which one or more integrated semiconductor circuits in the form of chips or integrated circuits are arranged on or in an electrically insulating carrier, which are connected to a conductor track system provided on one side or on both sides of the carrier via use connections are, the carrier usually being a flexible film on which the actual semiconductor chip is mounted and on which the mostly gold-plated contact surfaces of the chip card are located.
  • a chip card or a combination chip module is understood to be an arrangement which allows both a contactless and a contact-based transmission of electrical signals or data to a reader / writer, and which for this purpose in addition to the contact areas serving for contact-based transmission are equipped with the components required for the contactless transmission of signals, such as transmission coils or capacitor plates.
  • the components required for the contactless transmission of signals such as transmission coils or capacitor plates.
  • the contactless transmission of electrical signals offers the advantage over the contact person that, compared to the former option, the chip card is not necessarily inserted into the reader / writer, but works contactlessly over a distance of up to a few meters.
  • the contactless signal transmission requires complex circuits with coupling elements that enable signal transmission, the capacitive and inductive coupling being the most suitable because of the flat design of the chip card.
  • Most contactless cards are currently being transmitted inductively, which can be used to implement both data and energy transmission.
  • one or more induction coils are integrated in the card body and are suitably contacted with the circuit located on the semiconductor chip.
  • the transmission of electrical signals is based on the principle of the loosely coupled transformer, the carrier frequency being, for example, in the range between 100 and 300 kHz or a few MHz, in particular the industrial frequency of 13.56 MHz.
  • the carrier frequency being, for example, in the range between 100 and 300 kHz or a few MHz, in particular the industrial frequency of 13.56 MHz.
  • induction coils are compared with one
  • base area of the semiconductor chip of around 10 mm 2 of substantially larger coil areas of typically about 30 to 40 cm 2 is required, the induction coil generally having only a few turns and being flat.
  • the combination chip cards or combination chip modules currently available on the market, it is known to provide, on the one hand, etched coils within an inlay film, and on the other hand, wound coils within an inlay film or wound coils within the card body, which by means of suitable connection techniques with the chip module must be electrically connected.
  • the turns of the induction coil are supported directly by the semiconductor chip and connected to it.
  • Common to all currently available combination chip cards or combination chip modules are the high costs due to the relatively complex manufacturing processes, which cannot be borne by all desired application areas.
  • the object of the present invention is to provide a combination chip module, in particular for use in a chip card, for both contactless and contact-based transmission of electrical signals or data to a reader / writer, which is compared to the previous combination chip cards or combination chip card modules can be manufactured much more simply and therefore more cost-effectively.
  • the one or more coupling elements have metallic conductor tracks, which are likewise formed on the side of the carrier assigned to the contact surfaces. According to the principle of the invention, it can be provided here that the conductor tracks of the one or more coupling elements and the metallic contact surfaces Chen arranged in the same plane and are made of the same material or the same materials.
  • the conductor tracks of the coupling element are accordingly shifted to the contact side of the chip card module.
  • a particularly simple and inexpensive arrangement can be obtained if the carrier is provided on one side with a thin, continuous metal coating, from which the conductor tracks of the one or more coupling elements and the contact surfaces are structured by structuring, preferably by means of etching processes using suitable etching masks Work step.
  • the invention also relates to chip module units which consist of a plurality of chip modules arranged one behind the other and / or next to one another at equal intervals and having a common carrier, preferably a strip-shaped carrier; Chip module units of this type are distinguished by particularly simplified handling and advantages in the electrical function test.
  • the invention also extends to corresponding chip cards which contain chip modules or chip module units according to the invention.
  • natural materials for example cardboard, paper or textile materials for the production of the card body, in contrast to the use of plastic materials, the price per chip card can still be significantly reduced.
  • a carrier is used which is used in the form of an endless strip or corresponding strip spacings and from which the chip modules are punched out to the final shape after completion.
  • the carrier can also be used in the form of an arc, in which case the chip modules may also be used in several parallel len rows are provided, from which individual chip modules or chip module units with several chip modules can be cut or punched out in the last manufacturing step.
  • Suitable materials for the carrier are, for example, epoxy resin, polyimide, polyester, polyether sulfone (PES), polyparabanic acid (PPA), polyvinylchloride (PVC), polycarbonate, Kapton and / or acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer (ABS) or the like highly impact-resistant thermoplastic material.
  • PES polyether sulfone
  • PPA polyparabanic acid
  • PVC polyvinylchloride
  • ABS acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer
  • the carrier advantageously has a thickness in the range from approximately 25 ⁇ m to approximately 200 ⁇ m.
  • the carrier is coated on one side with a metal foil, in particular a copper foil, from which the conductor tracks of the coupling element are structured by means of known semiconductor technology processes , as well as the contact surfaces.
  • a metal foil in particular a copper foil
  • This can be done particularly cost-effectively by structured etching of the metal foil using a suitably designed etching mask, advantageously already on the part of the manufacturer of the continuous film carrier tape.
  • the metal coating provided on one side of the carrier can also consist of several different thin metal layers, at least one layer of the coating in particular comprising copper.
  • a preferred layer structure of such a metal coating can, starting from the outer contact side of the chip module to the chip side, for example look like this: a thin, for example 0.1 ⁇ m thick, bondable Au layer, an approximately 3 ⁇ m to 5 ⁇ m thin, as a diffusion barrier against Copper we kende Ni layer, a structure-etched copper tape of the thickness of preferably 15 microns to 70 microns; the actual carrier in the form of a plastic tape with a thickness of, for example, 100 ⁇ m, preferably made of epoxy resin, Kapton and the like; and an approximately 0.1 ⁇ m thin bondable layer in the recesses or bond holes in the plastic carrier layer, for example consisting of Au, AuCo, Ag and the like.
  • At least part of the module contact side can optionally be coated with electrically insulating lacquer by means of suitable manufacturing steps.
  • the conductor tracks of the at least one coupling element are expedient on their
  • Contact areas can be made per se by any known method, in particular by wire bonding (wire bonding), by automated film bonding (TAB, tape automated bonding) or by surface mounting of integrated SMD (surface mounted device) semiconductor circuits.
  • wire bonding wire bonding
  • TAB automated film bonding
  • SMD surface mounted device
  • the one or more coupling elements have an induction coil with a larger coil circumference than the external dimensions of a semiconductor chip carrying the one or more integrated semiconductor circuits, and the conductor tracks of the induction coil in strip form are arranged side by side, free of crossings and adjacent to the contact surfaces. Particularly favorable geometric conditions are present when the ends of the conductor tracks are widened to form contact connections which lie within the base area occupied by the contact areas.
  • FIG. 1 shows a schematic sectional illustration of a combination chip module for use in a combination chip card according to an exemplary embodiment of the invention
  • Figure 2 is an enlarged view of the detail X of Figure 1;
  • Figure 3 is a schematic bottom view of a combination chip module according to the embodiment of the invention.
  • the exemplary embodiment of the invention shown in FIGS. 1 to 3 comprises a combination chip module 1 for both a contactless and a contact-free transmission of electrical signals or data to an external read / write station (not shown in more detail), with an elastic, electrical insulating plastic carrier 2, on which a semiconductor chip 4, preferably made of silicon base material, is attached by means of an adhesive or adhesive layer 3, on the main surface 5 of which at least one integrated semiconductor circuit (not shown in detail) is formed, which is connected via connection terminals 6 in the form of electrically conductive pad surfaces formed on the main surface 5 and bond wires 7 fastened thereon with electrically conductive ones provided on one side of the carrier 2 K ontakt vom 8 are permanently bonded.
  • the dimensions and arrangements of the contact surfaces 8 are designed according to given ISO standard specifications and are used for the contact-based transmission of electrical signals to an external read / write station equipped with contact tips.
  • metallic conductor tracks 9 which represent the turns of an induction coil 10 with a larger coil circumference than the external dimensions of the semiconductor chip 4, the Conductor tracks 9 of the induction coil 10 are arranged in strips next to one another, without intersections and adjacent to the contact surfaces 8, as can be seen in particular from the rear view according to FIG. 3.
  • the ends of the conductor tracks 9 are widened to form contact connections 11 (connection pads of the coils) which lie within the base area claimed by the contact areas 8. Via these contact connections 11, the induction coil 10 is electrically connected to one of the at least one integrated semiconductor circuit formed on the main surface 5 of the semiconductor chip 4, preferably also via bond wires, which, however, are not shown in the figures for the sake of clarity.
  • FIG. 2 shows an enlarged representation of the detail “X” according to FIG. 1 for further details of the layer structure of the carrier 12 and the metal coating consisting of several individual layers Metal layers 12 and 13, a copper foil 14 about 15 ⁇ m to about 70 ⁇ m thick, and about 3 to about 5 ⁇ m thick Ni layers 15 and 16 applied to both sides of the copper foil 14, which act as a diffusion barrier against copper the conductor tracks 9 and, if appropriate, the contact connections 11 of the induction coil on their surface facing away from the carrier 2 with an electrically insulating protective layer 17 coated, for example a plastic layer with favorable tribological properties.
  • a support frame 17 surrounding the semiconductor chip 4 can be provided, which is preferably fastened to the carrier 2 by an adhesive connection, the chip module 1 also being provided with an encapsulation covering the semiconductor chip 4 and the bonding wires 7 can be, which is indicated schematically with the reference numeral 18.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf ein Kombinations-Chipmodul für sowohl eine kontaktlose als auch eine kontaktbehaftete Übertragung von elektrischen Signalen bzw. Daten an eine externe Lese-Schreibstation, mit einem dehnfesten, elektrisch isolierenden Träger (2), auf oder in dem eine oder mehrere integrierte Halbleiterschaltungen angeordnet sind, die über Verbindungsanschlüsse (6) zum einen mit einem oder mehreren Kopelelementen einer separat oder in integrierter Form in dem Chipmodul (1) vorgesehenen Schnittstellenschaltung, welche eine kontaktlose bidirektionale Datenkommunikation zwischen dem Chipmodul (1) und der externen Lese-Schreibstation ermöglicht, und zum anderen mit auf einer Seite des Trägers (2) vorgesehenen elektrisch leitenden Kontaktflächen (8), welche eine kontaktbehaftete bidirektionale Datenkommunikation zwischen dem Chipmodul (1) und der externen Lese-Schreibstation ermöglichen, verbunden sind. Das oder die mehreren Koppelelemente weisen metallische Leiterbahnen auf, die gleichfalls auf der den Kontaktflächen (8) zugewiesenen Seite des Trägers (2) ausgebildet sind.

Description

Beschreibung
Bezeichnung der Erfindung: Kombinations-Chipmodul und Verfah¬ ren zur Herstellung eines Kombinations-Chipmoduls
Die Erfindung bezieht sich auf ein Kombinations-Chipmodul für sowohl eine kontaktlose als auch eine kontaktbehaftete Übertragung von elektrischen Signalen bzw. Daten an eine externe Lese-Schreibstation, mit einem dehnfesten, elektrisch isolie- renden Träger, auf oder in dem eine oder mehrere integrierte Halbleiterschaltungen angeordnet sind, die über Verbindungs- anschlüsse zum Einen mit einem oder mehreren Koppelelementen einer separat oder in integrierter Form in dem Chipmodul vorgesehenen Schnittstellenschaltung, welche eine kontaktlose bidirektionale Datenkommunikation zwischen dem Chipmodul und der externen Lese-Schreibstation ermöglicht, und zum Anderen mit auf einer Seite des Trägers vorgesehenen elektrisch leitenden Kontaktflächen, welche eine kontaktbehaftete bidirektionale Datenkommunikation zwischen dem Chipmodul und der ex- ternen Lese-Schreibstation ermöglicht, verbunden sind. Die Erfindung bezieht sich ferner auf ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Kombinations-Chipmoduls, sowie die Verwendung derartiger Kombinations-Chipmodule in Chipkarten.
Chipmodule werden bei der Herstellung von Chipkarten als fertigungstechnisch abgeschlossene Zwischenerzeugnisse produziert und unabhängig zu Enderzeugnissen weiter verarbeitet. Unter einem Chipmodul wird hierbei eine Anordnung verstanden, bei der auf oder in einem elektrisch isolierenden Träger eine oder mehrere integrierte Halbleiterschaltungen in Form von Chips oder integrierten Schaltkreisen angeordnet sind, die mit einem auf einer Seite oder auf beiden Seiten des Trägers vorgesehenen Leiterbahnsystem über Verwendungsanschlüsse verbunden sind, wobei der Träger in der Regel einen flexiblen Film darstellt, auf dem der eigentliche Halbleiterchip montiert wird, und auf welchem sich die meist vergoldeten Kontaktflächen der Chipkarte befinden. Unter einer Kombinations- Chipkarte bzw. einem Kombinations-Chipmodul wird eine Anordnung verstanden, welche sowohl für eine kontaktlose als auch eine kontaktbehaftete Übertragung von elektrischen Signalen bzw. Daten an eine Lese-Schreibstation erlaubt, und welche zu diesem Zweck neben den für eine kontaktbehaftete Übertragung dienenden Kontaktflächen darüber hinaus mit den zur kontaktlosen Übertragung von Signalen benötigten Bauelementen wie Übertragungsspulen oder Kondensatorplatten ausgestattet sind. Neben den derzeit typischen Anwendungsfeidern solcher Chip- karten in der Form von Krankenversichertenkarten, Gleitzei- terfassungskarten, Telefonkarten und dergleichen ergeben sich zukünftig insbesondere Anwendungen im öffentlichen Personennahverkehr, Skilift, Freibad, usw., wo in möglichst kurzer Zeit möglichst viel Personen erfasst werden müssen. Bei sol- chen Anwendungen bietet die kontaktlose Übertragung von elektrischen Signalen gegenüber der Kontaktbehafteten den Vorteil, dass gegenüber der ersteren Möglichkeit die Chipkarte nicht unbedingt in die Lese-Schreibstation eingeführt werden uss, sondern berührungslos über eine Entfernung von bis zu einigen Metern funktioniert. Die kontaktlose Signalübertragung erfordert jedoch aufwendige Schaltungen mit Koppelelementen, die eine Signalübertragung ermöglichen, wobei sich wegen der flachen Bauform der Chipkarte am ehesten die kapazitive und die induktive Kopplung eignen. Derzeit erfolgt bei den meisten kontaktlosen Karten die Übertragung auf induktivem Wege, mit dem sich sowohl die Daten wie auch die Energieübertragung realisieren lassen. Hierbei sind im Kartenkörper eine oder mehrere Induktionsspulen integriert ausgebildet, die auf geeignete Weise mit der auf dem Halbleiterchip be- findlichen Schaltung kontaktiert sind. Die Übertragung von elektrischen Signalen erfolgt nach dem Prinzip des lose gekoppelten Transformators, wobei die Trägerfrequenz beispielsweise im Bereich zwischen 100 und 300 kHz oder bei einigen MHz, insbesondere der Industriefrequenz von 13,56 MHz liegt. Hierfür werden Induktionsspulen mit einem gegenüber der
Grundfläche des Halbleiterchips von in der Größenordnung etwa 10 mm2 wesentlich größeren Spulenflächen von typischerweise etwa 30 bis 40 cm2 benötigt, wobei die Induktionsspule in der Regel nur wenige Windungen aufweist und flach ausgebildet ist. Bei den derzeit auf dem Markt verfügbaren Kombinations- Chipkarten bzw. Kombinations-Chipmodulen ist es bekannt, zum Einem geätzte Spulen innerhalb einer Inlettfolie, und zum Anderen gewickelte Spulen innerhalb einer Inlettfolie oder gewickelte Spulen innerhalb des Kartenkörpers vorzusehen, die durch geeignete Verbindungstechniken mit dem Chipmodul elektrisch verbunden werden müssen. Bei einer weiteren bekannten Möglichkeit zur Herstellung einer Kombinations-Chipkarte werden die Windungen der Induktionsspule unmittelbar vom Halbleiterchip abgestützt und mit diesem verbunden. Allen derzeit verfügbaren Kombinations-Chipkarten bzw. Kombinations-Chipmo- dulen gemeinsam sind die auf Grund der relativ komplexen Her- stellungsverfahren hohen Kosten, die nicht von allen gewünschten Anwendungsbereichen getragen werden können.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Kombinations-Chipmodul insbesondere zur Verwendung in einer Chipkarte für sowohl eine kontaktlose als auch eine kontaktbehaftete Übertragung von elektrischen Signalen bzw. Daten an eine Lese-Schreibstation zur Verfügung zu stellen, welche gegenüber den bisherigen Kombinations-Chipkarten bzw. Kombinations-Chipkarten-Modulen wesentlich einfacher und damit ko- stengünstiger hergestellt werden kann.
Diese Aufgabe wird durch ein Kombinations-Chipmodul gemäß Anspruch 1 und ein Verfahren zur Herstellung eines Kombinations-Chipmoduls gemäß Anspruch 13 gelöst.
Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass das oder die mehreren Koppelelemente metallische Leiterbahnen aufweisen, die gleichfalls auf der den Kontaktflächen zugewiesenen Seite des Trägers ausgebildet sind. Dem Prinzip der Erfindung folgend kann hierbei vorgesehen sein, dass die Leiterbahnen des oder der mehreren Koppelelemente und die metallischen Kontaktflä- chen in der gleichen Ebene angeordnet und aus demselben Material bzw. denselben Materialien gefertigt sind.
Durch kostenreduzierendes Gestalten bei Erzielung einer Mul- tifunktionalbauweise werden erfindungsgemäß die Leiterbahnen des Koppelelemen es sonach auf die Kontaktseite des Chipkarten-Moduls verlagert . Eine besonders einfach und kostengünstig herzustellende Anordnung ergibt sich hierbei, wenn der Träger auf seiner einen Seite mit einer dünnen, durchgehenden Metallbeschichtung versehen ist, aus welcher die Leiterbahnen des oder der mehreren Koppelelemente und die Kontaktflächen durch Strukturierung vorzugsweise vermittels Ätzprozessen unter Verwendung geeigneter Ätzmasken in einem Arbeitsgang gefertigt werden.
Die Erfindungskonzeption bringt folgende wesentliche Vorteile gegenüber dem Stand der Technik mit sich:
- durch die Verlagerung der Leiterbahnen des wenigstens einen Koppelelementes auf die Seite der Kontaktflächen des Chipmoduls eröffnet sich die Möglichkeit der gleichzeitigen Fertigung dieser beiden Bestandteile und damit eine erhebliche Einsparung von Herstellkosten;
- es besteht maximale Designfreiheit beim Layout sowohl der metallischen Leiterbahnen, als auch des Kontaktflächenbereiches ;
- auch relativ große Halbleiterchips bzw. integrierte Schaltkreise sind einsetzbar;
- keine wesentlichen Mehrkosten für die Fertigung der Leiter- bahnen für das wenigstens eine Koppelelement , da die zur
Fertigung der Kontaktflächen benötigte Ätzmaske lediglich hinsichtlich des Layout-Designs geändert werden muss;
- mit Ausnahme der beiden Zusatzkontaktierungsschritte für den elektrischen Anschluss der metallischen Leiterbahnen des wenigstens einen Koppelelementes an die wenigstens eine integrierte Halbleiterschaltung sind keine Änderungen beim Ablauf des Fertigungsprozesses erforderlich; - durch die Verlagerung des Koppelelementes an die Außenseite des Chipmoduls kann eine kompakte Anordnung mit minimalster Bauhöhe erzielt werden;
- vor der endgültigen, abschließenden Formgebung ist ein dy- nämischer und statischer Funktionstest möglich, was besonders bei Verwendung von Endlosfilmen als Träger wichtig ist, da zugleich Handling und Aussondern defekter Chipmodule erleichtert wird.
Die Erfindung betrifft ferner auch Chipmodul-Einheiten, die aus mehreren hintereinander und/oder nebeneinander in gleichen Abständen angeordneten Chipmodulen mit gemeinsamen Träger, vorzugsweise einem streifenförmigen Träger, bestehen; derartige Chipmodul -Einheiten zeichnen sich durch besonders erleichtertes Handling und Vorteile beim elektrischen Funktionstest aus.
Die Erfindung erstreckt sich ferner auch auf entsprechende Chipkarten, die erfindungsgemäße Chipmodule bzw. Chipmodul- Einheiten enthalten. Durch Verwendung von natürlichen Werkstoffen, beispielsweise Pappe, Papier oder Textilmaterialien für die Herstellung des Kartenkörpers kann im Gegensatz zur Verwendung von Kunststoffmaterialien der Preis pro Chipkarte weiterhin deutlich reduziert werden.
Für den bevorzugten Anwendungsbereich der erfindungsgemäßen Chipmodule für Chipkarten wird ein Träger verwendet, der in Form eines endlosen Streifens oder entsprechender Streifenab- stände eingesetzt wird und aus dem die Chipmodule nach der Fertigstellung auf die endgültige Form ausgestanzt werden.
Besonders günstig ist hierbei die Verwendung endloser Trägerfilmstreifen, die beiderseits eine Randperforation aufweisen und sich besonders vorteilhaft für die Serienproduktion der Chipmodule eignen, da sie die Positionierung in automatisier- ten Produktionsvorrichtungen erleichtern. Alternativ dazu kann der Träger auch in Bogenform verwendet werden, wobei dann die Chipmodule gegebenenfalls auch in mehreren paralle- len Reihen vorgesehen werden, aus denen im letzten Herstellungsschritt einzelne Chipmodule bzw. auch Chipmoduleinheiten mit mehreren Chipmodulen ausgeschnitten oder ausgestanzt werden können.
Geeignete Materialien für den Träger sind beispielsweise Epoxy-Harz, Polyimid, Polyester, Polyethersulfon (PES) , Po- lyparabansäure (PPA) , Polyvinylclorid (PVC) , Polycarbonat , Kapton und/oder Acrylnitril-Butadien-Styrol-Copolymer (ABS) oder dergleichen hochschlagzähes Thermoplastmaterial. Der
Träger weist, sofern er in Form eines elastischen, flexiblen Trägerfilms eingesetzt wird, günstigerweise eine Dicke im Bereich von etwa 25 μm bis etwa 200 μ auf.
Insbesondere bei der Verwendung von Endlosstreifen (Tapes) für den Träger ist es aus produktionstechnischen Gründen besonders günstig, wenn der Träger auf einer Seite mit einer Metallfolie, insbesondere einer Kupferfolie beschichtet ist, aus welcher durch Strukturierung vermittels an sich bekannter Halbleitertechnologieverfahren sowohl die Leiterbahnen des Koppelelementes, als auch die Kontaktflächen gefertigt werden. Besonders kostengünstig kann dies durch strukturiertes Ätzen der Metallfolie unter Einsatz einer geeignet entworfenen Ätzmaske erfolgen, günstigerweise bereits auf Seiten des Herstellers des Endlosfilm-Trägerbandes.
Aus produktionstechnischen Gründen und im Sinne optimaler elektrischer Eigenschaften sowie möglichst langer Lebensdauer kann die auf der einen Seite des Trägers vorgesehene Metall- beschichtung auch aus mehreren unterschiedlichen dünnen Metalllagen bestehen, wobei wenigstens eine Lage der Beschichtung insbesondere Kupfer aufweist. Ein bevorzugter Schichtaufbau einer solchen Metallbeschichtung kann, ausgehend von der äußeren Kontaktseite des Chipmoduls bis zur Chipseite, beispielsweise folgendermaßen aussehen: eine dünne, beispielsweise 0,1 μm starke, bondfähige Au-Schicht, eine etwa 3 μm bis 5 μm dünne, als Diffusionsbarriere gegen Kupfer wir- kende Ni-Schicht, ein strukturgeätztes Kupfer-Band der Stärke von vorzugsweise 15 μm bis 70 μm; der eigentliche Träger in Form eines Kunststoffbandes der Stärke von beispielsweise 100 μm, vorzugsweise aus Epoxialharz, Kapton und dergleichen; so- wie eine etwa 0,1 μm dünne bondfähige Schicht in den Aussparungen bzw. Bondlöchern der Kunststoff-Trägerschicht , beispielsweise bestehend aus Au, AuCo, Ag und dergleichen.
Um elektrische Kurzschlüsse beim Auflegen des Chipmoduls auf leitende Oberflächen, beispielsweise Kontaktspitzen der externen Lese-Schreibstation zu vermeiden, kann optional wenigstens ein Teil der Modulkontaktseite mit elektrisch isolierenden Lack durch geeignete Fertigungsschritte überzogen werden. Zweckmäßigerweise sind hierbei insbesondere die Leiter- bahnen des wenigstens einen Koppelelementes auf ihrer dem
Träger abgewandten Oberfläche mit einer elektrisch isolierenden Schutzschicht überzogen.
Der elektrische Anschluss der integrierten Halbleiterschal- tungen an die Leiterbahnen des Koppelelementes und/oder der
Kontaktflächen kann an sich nach beliebigen, bekannten Verfahren erfolgen, insbesondere durch Drahtbonden (Wire-Bon- ding) , durch automatisiertes Filmbonden (TAB, Tape Automated Bonding) oder durch Oberflächenbefestigung von integrierten SMD-(Surface Mounted Device) -Halbleiterschaltungen. Im Sinne einer möglichst kostengünstigen Herstellung wird einer Kon- taktierung vermittels Bonddrähten mit den Verbindungsan- schlüssen der integrierten Halbleiterschaltungen der Vorzug gegeben, wobei in diesem Falle im Träger Bondlöcher ausgebil- det sind, durch welche die Bonddrähte geführt sind.
Bei einer besonders bevorzugten Ausbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass das oder die mehreren Koppelelemente eine Induktionsspule mit einem gegenüber den äußeren Abmessungen eines die eine oder mehreren integrierten Halbleiterschaltungen tragenden Halbleiterchips größeren Spulenumfang aufweisen, und die Leiterbahnen der Induktionsspule streifenförmig nebeneinander liegend, kreuzungsfrei und benachbart zu den Kontaktflächen angeordnet sind. Besonders günstige geometrische Verhältnisse liegen hierbei vor, wenn die Enden der Leiterbahnen zu Kontaktanschlüssen verbreitert sind, welche in- nerhalb der von den Kontaktflächen beanspruchten Grundfläche liegen.
Weitere Merkmale, Vorteile und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausfüh- rungsbeispieles der Erfindung anhand der Zeichnung. Es zeigt:
Figur 1 eine schematische Schnittdarstellung eines Kombinations-Chipmoduls zur Verwendung in einer Kombinations- Chipkarte gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfin- düng;
Figur 2 eine vergrößerte Darstellung der Einzelheit X aus Figur 1 ; und
Figur 3 eine schematische Unteransicht eines Kombinations- Chipmoduls nach dem Ausführungsbeispiel der Erfindung .
Das in den Figuren 1 bis 3 dargestellte Ausführungsbeispiel der Erfindung umfasst ein Kombinations-Chipmodul 1 für sowohl eine kontaktlose als auch eine kontaktbehaf ete Übertragung von elektrischen Signalen bzw. Daten an eine (nicht näher dargestellte) externe Lese-Schreibstation, mit einem dehnfesten, elektrisch isolierenden Kunststoffträger 2, auf dem vermittels einer Klebe- bzw. Haftschicht 3 ein vorzugsweise aus Silizium-Grundmaterial bestehender Halbleiterchip 4 befestigt ist, auf dessen Hauptoberfläche 5 wenigstens eine (nicht näher dargestellte) integrierte Halbleiterschaltung ausgebildet ist, die über Verbindungsanschlüsse 6 in der Form von auf der Hauptoberfläche 5 ausgebildeter elektrisch leitender Padflächen und daran befestigter Bonddrähte 7 mit auf einer Seite des Trägers 2 vorgesehenen elektrisch leitenden Kontaktflächen 8 dauerhaft verbunden sind. Die Kontaktflächen 8 sind in ihren Abmessungen und Anordnungen nach vorgegebenen ISO-Standardvorgaben ausgebildet und dienen zur kontaktbehafteten Übertragung von elektrischen Signalen an eine mit Kon- taktspitzen ausgestattete externe Lese-Schreibstation. Ebenfalls auf der den Kontaktflächen 8 zugewiesenen Seite des Trägers 2 und in der gleichen Ebene angeordnet und aus demselben Material gefertigt sind metallische Leiterbahnen 9, die die Windungen einer Induktionsspule 10 mit einem gegen- über den äußeren Abmessungen des Halbleiterchips 4 größeren Spulenumfang darstellen, wobei die Leiterbahnen 9 der Induktionsspule 10 streifenförmig nebeneinander liegend, kreuzungsfrei und benachbart zu den Kontaktflächen 8 angeordnet sind, wie dies insbesondere aus der Rückansicht gemäß Figur 3 ersichtlich ist. Die Enden der Leiterbahnen 9 sind zu Kontaktanschlüssen 11 (Anschlußpads der Spulen) verbreitert, welche innerhalb der von den Kontaktflächen 8 beanspruchten Grundfläche liegen. Über diese Kontaktanschlüsse 11 ist die Induktionsspule 10 elektrisch mit einer der wenigstens einen auf der Hauptoberfläche 5 des Halbleiterchips 4 ausgebildeten integrierten Halbleiterschaltung verbunden, vorzugsweise ebenfalls über Bonddrähte, welche in den Figuren der Übersichtlichkeit halber allerdings nicht näher dargestellt sind.
Die Figur 2 zeigt in einer vergrößerten Darstellung die Einzelheit „X" gemäß Figur 1 nähere Einzelheiten des Schichtaufbaues von dem Träger 12 und der aus mehreren Einzellagen bestehenden Metallbeschichtung. Diese umfasst etwa 0,1 μm starke Au-, AuCo-, Ag- oder dergleichen Metalllagen 12 und 13, eine etwa 15 μm bis etwa 70 μm starke Kupferfolie 14, sowie zu beiden Seiten der Kupferfolie 14 aufgebrachte, jeweils etwa 3 bis etwa 5 μm starke Ni-Schichten 15 und 16, welche als Diffusionsbarriere gegen Kupfer wirken. Zusätzlich sind die Leiterbahnen 9 sowie gegebenenfalls die Kontaktanschlüsse 11 der Induktionsspule auf ihrer dem Träger 2 abgewandten Oberfläche mit einer elektrisch isolierenden Schutzschicht 17 überzogen, beispielsweise einer KunststoffSchicht mit günstigen tribologischen Eigenschaften.
Zum Schutz des mechanisch empfindlichen Halbleiterchips 4 kann ein den Halbleiterchip 4 umgebender Stützrahmen 17 vorgesehen sein,, der vorzugsweise durch Klebeverbindung mit dem Träger 2 befestigt ist, wobei das Chipmodul l des Weiteren mit einer den Halbleiterchip 4 und die Bonddrähte 7 überdek- kende Verkapselung vorgesehen sein kann, welche schematisch mit dem Bezugszeichen 18 angedeutet ist.

Claims

Patentansprüche
1. Kombinations-Chipmodul für sowohl eine kontaktlose als auch eine kontaktbehaftete Übertragung von elektrischen Si- gnalen bzw. Daten an eine externe Lese-Schreibstation, mit einem dehnfesten, elektrisch isolierenden Träger (2) , auf oder in dem eine oder mehrere integrierte Halbleiterschaltungen angeordnet sind, die über Verbindungsanschlüsse (6) zum Einen mit einem oder mehreren Koppelelementen einer separat oder in integrierter Form in dem Chipmodul (1) vorgesehenen Schnittstellenschaltung, welche eine kontaktlose bidirektionale Datenkommunikation zwischen dem Chipmodul (1) und der externen Lese-Schreibstation ermöglicht, und zum Anderen mit auf einer Seite des Trägers (2) vorgesehenen elektrisch lei- tenden Kontaktflächen (8) , welche eine kontaktbehaftete bidirektionale Datenkommunikation zwischen dem Chipmodul (1) und der externen Lese-Schreibstation ermöglicht, verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass das oder die mehreren Koppelelemente metallische Leiterbahnen aufweisen, die gleichfalls auf der den Kontaktflächen (8) zugewiesenen Seite des Trägers (2) ausgebildet sind.
2. Kombinations-Chipmodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterbahnen (9) des oder der mehreren Koppelelemente und die metallischen Kontaktflächen (8) in der gleichen Ebene angeordnet und aus demselben Material bzw. denselben Materialien gefertigt sind.
3. Kombinations-Chipmodul nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge- kennzeichnet, dass der Träger (2) auf seiner einen Seite mit einer dünnen, durchgehenden Metallbeschichtung versehen ist, aus welcher die Leiterbahnen (9) des oder der mehreren Koppelelemente und die Kontaktflächen (8) durch Strukturierung gefertigt sind.
4. Kombinations-Chipmodul nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der auf seiner einen Seite mit der Metallbe- Schichtung versehene Träger (2) als Trägerfilm in Form eines endlosen Streifens oder eines entsprechenden Streifenabschnitts ausgebildet ist.
5. Kombinations-Chipmodul nach einem der Ansprüche 1 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger (2) aus Epoxy-Harz, Polyimid, Polyester, Polyethersulfon (PES) , Polyparabansäure (PPA) , Polyvinylclorid (PVC) , Polycarbonat , Kapton und/oder Acrylnitril-Butadien-Styrol-Copolymer (ABS) oder dergleichen hochschlagzähes Thermoplastmaterial besteht und gegebenenfalls mit einem Verstärkungsmaterial, insbesondere bestehend aus Glasfasern verstärkt ist.
6. Kombinations-Chipmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger (2) eine Stärke von etwa 25 μm bis etwa 200 μm besitzt.
7. Kombinations-Chipmodul nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die auf der einen Seite des Trä- gers (2) angeordnete Metallbeschichtung Kupfer aufweist.
8. Kombinations-Chipmodul nach einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die auf der einen Seite des Trägers (2) vorgesehene Metallbeschichtung aus mehreren dünnen Metalllagen (12, 13) besteht.
9. Kombinations-Chipmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterbahnen (9) des oder der mehreren Koppelelemente auf ihrer dem Träger (2) abge- wandten Oberfläche mit einer elektrisch isolierenden Schutzschicht (17) überzogen sind.
10. Kombinations-Chipmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitenden Kon- taktflächen (8) und/oder die Leiterbahnen (9) des oder der mehreren Koppelelemente vermittels Bonddrähten mit den Verbindungsanschlüssen (6) der einen oder mehreren integrierten Halbleiterschaltungen kontaktiert sind, wobei im Träger Bondlöcher ausgebildet sind, durch welche die Bonddrähte geführt sind.
11. Kombinations-Chipmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das oder die mehreren Koppelelemente eine Induktionsspule mit einem gegenüber den äußeren Abmessungen eines die eine oder mehreren integrierten Halbleiterschaltungen tragenden Halbleiterchips (4) größeren Spu- lenumfang aufweist, und die Leiterbahnen (9) der Induktionsspule streifenförmig nebeneinander liegend, kreuzungsfrei und benachbart zu den Kontaktflächen (8) angeordnet sind.
12. Kombinations-Chipmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Enden der Leiterbahnen (9) zu Kontaktanschlüssen (11) verbreitert sind, welche innerhalb der von den Kontaktflächen (8) beanspruchten Grundfläche liegen.
13. Verfahren zur Herstellung eines Kombinations-Chipmoduls für sowohl eine kontaktlose als auch eine kontaktbehaftete Übertragung von elektrischen Signalen bzw. Daten an eine externe Lese-Schreibstation, mit den Schritten:
- Bestücken eines dehnfesten, elektrisch isolierenden Trägers (2) , auf dem auf einer Seite elektrisch leitende Kontaktflächen (8) vorgesehen sind, mit einer oder mehreren integrierten Halbleiterschaltungen,
- Ausbilden bzw. Anordnen wenigstens eines Koppelelementes einer separat oder in integrierter Form in dem Chipmodul (1) vorgesehenen Schnittstellenschaltung, welche eine kontaktlose bidirektionale Datenkommunikation zwischen dem Chipmodul (1) und der externen Lese-Schreibstation ermöglicht,
- elektrisches Verbinden der wenigstens einen integrierten Halbleiterschaltung an die elektrisch leitenden Kontaktflächen (8) und des wenigstens einen Koppelelementes über Verbindungsanschlüsse (6) , dadurch gekennzeichnet, daß das oder die mehreren Koppelelemente als metallische Leiterbahnen (9) auf der den Kontaktflächen (8) zugewiesenen Seite des Trägers (2) ausgebildet werden.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterbahnen (9) des wenigstens einen Koppelelementes und die metallischen Kontaktflächen (8) in der gleichen Ebene angeordnet und aus demselben Material bzw. denselben Materiali- en gefertigt werden.
15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger (2) auf seiner einen Seite mit einer dünnen, durchgehenden Metallbeschichtung versehen wird, aus welcher die Leiterbahnen (9) des wenigstens einen Koppelelementes und die Kontaktflächen (8) durch Strukturierung gefertigt werden.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch ge- kennzeichnet, dass der auf seiner einen Seite mit der Metallbeschichtung versehene Träger (2) als Trägerfilm in Form eines endlosen Streifens oder eines entsprechenden Streifenabschnitts ausgebildet wird.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger (2) aus Epoxy-Harz, Polyimid, Polyester, Polyethersulfon (PES) , Polyparabansäure (PPA) , Po- lyvinylclorid (PVC) , Polycarbonat , Kapton und/oder Acrylni- tril-Butadien-Styrol-Copolymer (ABS) oder dergleichen hoch- schlagzähes Thermoplastmaterial gefertigt und gegebenenfalls mit einem Verstärkungsmaterial, insbesondere bestehend aus Glasfasern verstärkt wird.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 17, dadurch ge- kennzeichnet, dass der Träger (2) eine Stärke von etwa 25 μm bis etwa 200 μm besitzt.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die auf der einen Seite des Trägers (2) angeordnete Metallbeschichtung Kupfer aufweist.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die auf der einen Seite des Trägers (2) vorgesehene Metallbeschichtung aus mehreren dünnen Metalllagen besteht .
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterbahnen (9) des wenigstens einen Koppelelementes auf der dem Träger (2) abgewandten Oberfläche mit einer elektrisch isolierenden Schutzschicht überzogen werden.
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitenden Kontaktflächen (8) und/oder die Leiterbahnen (9) des wenigstens einen Koppelelementes vermittels Bonddrähten mit den Verbindungsan- Schlüssen (6) der einen oder mehreren integrierten Halbleiterschaltungen kontaktiert werden, wobei im Träger (2) Bondlöcher ausgebildet werden, durch welche die Bonddrähte (7) geführt werden.
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass das wenigstens eine Koppelelement eine Induktionsspule (10) mit einem gegenüber den äußeren Abmessungen eines die eine oder mehreren integrierten Halbleiterschaltungen tragenden Halbleiterchipε (4) größeren Spulenum- fang aufweist, und die Leiterbahnen (9) der Induktionsspule (10) streifenförmig nebeneinander liegend, kreuzungsfrei und benachbart zu den Kontaktflächen (8) angeordnet werden.
24. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 23, dadurch ge- kennzeichnet, dass die Enden der Leiterbahnen (9) zu Kontaktanschlüssen (11) verbreitert werden, welche innerhalb der von den Kontaktflächen (8) beanspruchten Grundfläche liegen.
25. Kombinations-Chipmodul-Einheit, gekennzeichnet durch mehrere hintereinander angeordnete Kombinations-Chipmodule (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 12 mit gemeinsamem, einstücki- gern Träger (2) .
26. Verwendung der Kombinations-Chipmodule (l) nach einem der Ansprüche 1 bis 12 sowie der Kombinations-Chipmodul-Einheiten nach Anspruch 25 zur Herstellung von Chipkarten oder ähnli- chen Datenträgern.
27. Chipkarte, gekennzeichnet durch mindestens ein Kombinations-Chipmodul (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 12 oder mindestens eine Kombinations-Chipmodul-Einheit nach Anspruch 25.
PCT/DE1997/001496 1996-08-08 1997-07-15 Kombinations-chipmodul und verfahren zur herstellung eines kombinations-chipmoduls WO1998007191A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19632115.8 1996-08-08
DE19632115A DE19632115C1 (de) 1996-08-08 1996-08-08 Kombinations-Chipmodul und Verfahren zur Herstellung eines Kombinations-Chipmoduls

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1998007191A1 true WO1998007191A1 (de) 1998-02-19

Family

ID=7802186

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE1997/001496 WO1998007191A1 (de) 1996-08-08 1997-07-15 Kombinations-chipmodul und verfahren zur herstellung eines kombinations-chipmoduls

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE19632115C1 (de)
WO (1) WO1998007191A1 (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6991470B2 (en) 2002-02-08 2006-01-31 Infineon Technoloies, Ag Circuit carrier and production thereof
US7038128B2 (en) 2001-03-01 2006-05-02 Giesecke & Devrient Gmbh Method of producing a module
WO2009127279A1 (de) * 2008-04-14 2009-10-22 T-Mobile International Ag Chipkarte mit sende- und empfangseinrichtung sowie antenne für funkübertragungen
CN104995642A (zh) * 2012-10-15 2015-10-21 智能包装技术公司 具有双通信接口的用于芯片卡的简化的电子模块
EP2867831B1 (de) 2012-07-02 2020-07-15 WISeKey Semiconductors Verfahren zur herstellung eines kontaktlosen mikrochips

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2765010B1 (fr) * 1997-06-20 1999-07-16 Inside Technologies Micromodule electronique, notamment pour carte a puce
WO2000038109A1 (en) * 1998-12-18 2000-06-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Data carrier module with integrated circuit and transmission coil
FR2788646B1 (fr) * 1999-01-19 2007-02-09 Bull Cp8 Carte a puce munie d'une antenne en boucle, et micromodule associe
FR2798225B1 (fr) * 1999-09-03 2001-10-12 Gemplus Card Int Micromodule electronique et procede de fabrication et d'integration de tels micromodules pour la realisation de dispositifs portatifs
FR2801707B1 (fr) * 1999-11-29 2002-02-15 A S K Procede de fabrication d'une carte a puce hybride contact- sans contact avec un support d'antenne en materiau fibreux
FR2802001B1 (fr) * 1999-12-06 2002-01-18 Gemplus Card Int Corps support d'information comprenant un element de securite comportant une puce de circuit integre
DE102004025911B4 (de) * 2004-05-27 2008-07-31 Infineon Technologies Ag Kontaktbehaftete Chipkarte, Verfahren zur Herstellung einer solchen
FR2890212B1 (fr) 2005-08-30 2009-08-21 Smart Packaging Solutions Sps Module electronique a double interface de communication, notamment pour carte a puce
US7999383B2 (en) 2006-07-21 2011-08-16 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. High speed, high density, low power die interconnect system
WO2008081224A1 (en) * 2006-12-28 2008-07-10 Fci Flat substrates for identification cards and manufacturing methods of the same
FR2915010B1 (fr) * 2007-04-16 2009-06-05 Smart Packaging Solutions Sps Module microelectronique a double interface de communication notamment pour carte a puce.
US9112272B2 (en) 2010-08-12 2015-08-18 Feinics Amatech Teoranta Antenna modules for dual interface smart cards, booster antenna configurations, and methods
US8789762B2 (en) 2010-08-12 2014-07-29 Feinics Amatech Teoranta RFID antenna modules and methods of making
US8991712B2 (en) 2010-08-12 2015-03-31 Féinics Amatech Teoranta Coupling in and to RFID smart cards
US9798968B2 (en) 2013-01-18 2017-10-24 Féinics Amatech Teoranta Smartcard with coupling frame and method of increasing activation distance of a transponder chip module
US9634391B2 (en) 2011-08-08 2017-04-25 Féinics Amatech Teoranta RFID transponder chip modules
US9622359B2 (en) 2011-08-08 2017-04-11 Féinics Amatech Teoranta RFID transponder chip modules
US9697459B2 (en) 2014-08-10 2017-07-04 Féinics Amatech Teoranta Passive smart cards, metal cards, payment objects and smart jewelry
US10518518B2 (en) 2013-01-18 2019-12-31 Féinics Amatech Teoranta Smart cards with metal layer(s) and methods of manufacture
US10733494B2 (en) 2014-08-10 2020-08-04 Féinics Amatech Teoranta Contactless metal card constructions
US9812782B2 (en) 2011-08-08 2017-11-07 Féinics Amatech Teoranta Coupling frames for RFID devices
US9489613B2 (en) 2011-08-08 2016-11-08 Féinics Amatech Teoranta RFID transponder chip modules with a band of the antenna extending inward
US9836684B2 (en) 2014-08-10 2017-12-05 Féinics Amatech Teoranta Smart cards, payment objects and methods
US9475086B2 (en) 2013-01-18 2016-10-25 Féinics Amatech Teoranta Smartcard with coupling frame and method of increasing activation distance of a transponder chip module
DE102011056329A1 (de) * 2011-12-13 2013-06-13 Infineon Technologies Ag Chipkartenmodul
US10552722B2 (en) 2014-08-10 2020-02-04 Féinics Amatech Teoranta Smartcard with coupling frame antenna
US10824931B2 (en) 2012-08-30 2020-11-03 Féinics Amatech Teoranta Contactless smartcards with multiple coupling frames
FR2998395B1 (fr) * 2012-11-21 2016-01-01 Smart Packaging Solutions Sps Module electronique simple face pour carte a puce a double interface de communication
US11354558B2 (en) 2013-01-18 2022-06-07 Amatech Group Limited Contactless smartcards with coupling frames
US11551051B2 (en) 2013-01-18 2023-01-10 Amatech Group Limiied Coupling frames for smartcards with various module opening shapes
US10977542B2 (en) 2013-01-18 2021-04-13 Amtech Group Limited Industrial Estate Smart cards with metal layer(s) and methods of manufacture
US10248902B1 (en) 2017-11-06 2019-04-02 Féinics Amatech Teoranta Coupling frames for RFID devices
US11354560B2 (en) 2013-01-18 2022-06-07 Amatech Group Limited Smartcards with multiple coupling frames
US10599972B2 (en) 2013-01-18 2020-03-24 Féinics Amatech Teoranta Smartcard constructions and methods
WO2014191123A1 (en) * 2013-05-28 2014-12-04 Féinics Amatech Teoranta Antenna modules for dual interface smartcards, booster antenna configurations, and methods
WO2015128188A2 (en) * 2014-02-27 2015-09-03 Féinics Amatech Teoranta Rfid transponder chip modules
FR3018132B1 (fr) * 2014-03-03 2017-06-09 Smart Packaging Solutions Module electronique simplifie pour carte a puce interface de communication
US10839282B2 (en) 2014-03-08 2020-11-17 Féinics Amatech Teoranta RFID transponder chip modules, elements thereof, and methods
USD943024S1 (en) 2020-07-30 2022-02-08 Federal Card Services, LLC Asymmetrical arrangement of contact pads and connection bridges of a transponder chip module
USD942538S1 (en) 2020-07-30 2022-02-01 Federal Card Services, LLC Asymmetrical arrangement of contact pads and connection bridges of a transponder chip module

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5296692A (en) * 1988-10-24 1994-03-22 Sharp Kabushiki Kaisha IC card adapter for use in memory card slot with or without superimposed memory card
JPH07239922A (ja) * 1994-02-25 1995-09-12 Dainippon Printing Co Ltd Ｉｃカード用ｉｃモジュール
EP0676716A1 (de) * 1994-03-07 1995-10-11 Eric Bauer Tragbarer Digitalinformationsträger
JPH08180160A (ja) * 1994-12-22 1996-07-12 Sony Corp Ｉｃカード

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4437721A1 (de) * 1994-10-21 1996-04-25 Giesecke & Devrient Gmbh Kontaktloses elektronisches Modul

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5296692A (en) * 1988-10-24 1994-03-22 Sharp Kabushiki Kaisha IC card adapter for use in memory card slot with or without superimposed memory card
JPH07239922A (ja) * 1994-02-25 1995-09-12 Dainippon Printing Co Ltd Ｉｃカード用ｉｃモジュール
EP0676716A1 (de) * 1994-03-07 1995-10-11 Eric Bauer Tragbarer Digitalinformationsträger
JPH08180160A (ja) * 1994-12-22 1996-07-12 Sony Corp Ｉｃカード

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 096, no. 001 31 January 1996 (1996-01-31) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 096, no. 011 29 November 1996 (1996-11-29) *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7038128B2 (en) 2001-03-01 2006-05-02 Giesecke & Devrient Gmbh Method of producing a module
US6991470B2 (en) 2002-02-08 2006-01-31 Infineon Technoloies, Ag Circuit carrier and production thereof
US7153143B2 (en) 2002-02-08 2006-12-26 Infineon Technologies A.G. Circuit carrier and production thereof
WO2009127279A1 (de) * 2008-04-14 2009-10-22 T-Mobile International Ag Chipkarte mit sende- und empfangseinrichtung sowie antenne für funkübertragungen
EP2867831B1 (de) 2012-07-02 2020-07-15 WISeKey Semiconductors Verfahren zur herstellung eines kontaktlosen mikrochips
CN104995642A (zh) * 2012-10-15 2015-10-21 智能包装技术公司 具有双通信接口的用于芯片卡的简化的电子模块

Also Published As

Publication number Publication date
DE19632115C1 (de) 1997-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19632115C1 (de) Kombinations-Chipmodul und Verfahren zur Herstellung eines Kombinations-Chipmoduls
EP1271399B1 (de) Datenträger mit integriertem Schaltkreis
EP0919041B1 (de) Verfahren zur herstellung eines chipkarten-moduls für eine kombi-chipkarte
DE3824870C2 (de) System zur kontaktlosen Informationsübertragung zwischen einer IC-Karte und einem Kartenlese-/-schreibgerät sowie IC-Karte hierfür
DE69631235T2 (de) Radiofrequenz-Indentifikationstransponder und Verfahren zu seiner Herstellung
DE69730362T2 (de) Kontaktloser elektronischer Modul für eine Karte oder ein Etikett
DE60019080T2 (de) Ic-karte
EP0886834B1 (de) Chipkarte und verfahren zur herstellung einer chipkarte
DE4337921C2 (de) Kontaktlose Chipkarte mit Antennenspule
EP0902973B1 (de) Trägerelement für einen halbleiterchip
EP0891603B1 (de) Nicht-leitendes, ein band oder einen nutzen bildendes substrat, auf dem eine vielzahl von trägerelementen ausgebildet ist
DE102009005570B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Antenne auf einem Substrat
WO1996007982A1 (de) Schaltungsanordnung mit einem chipkartenmodul und einer damit verbundenen spule
EP2338207A1 (de) Rfid-transponderantenne
EP1267303A1 (de) Transponder
DE102008046407B4 (de) Datenträger für kontaktlose Datenübertragung und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Datenträgers
EP1527413B1 (de) Datenträger mit transponderspule
DE3809005A1 (de) Chipmodul und seine herstellung und verwendung
DE102013103365B4 (de) Datenträger zur kontaktlosen Datenübertragung und Verfahren zur Herstellung eines solchen Datenträgers
DE4345473B4 (de) Kontaktlose Chipkarte mit Antennenspule
EP2158566B1 (de) Transpondersystem
DE19543426C1 (de) Kontaktlose Chipkarte und Verfahren zur Herstellung derselben
EP0708414A2 (de) Kontaktloser Datenträger und Verfahren zu seiner Herstellung
DE8803653U1 (de) Chipmodul
EP1162480A2 (de) Kontaktloser Transponder

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BR CN JP KR MX RU UA US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP

Ref document number: 1998509275

Format of ref document f/p: F

122 Ep: pct application non-entry in european phase