WO1996022515A1 - Appareil destine a la detection de la rupture du diaphragme d'un capteur de pression - Google Patents

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Abstract

Transducteur de pression de semi-conducteur qui comprend une puce de silicium ayant une face supérieure et une face inférieure. Ladite puce de silicium possède en outre sur sa face inférieure une cavité formant un diaphragme. Quatre éléments piézorésistifs sons disposés sur la face supérieure de la puce de silicium sur une périphérie du diaphragme et sont connectées via des conducteurs métallisés disposés sur la puce de silicium sous forme d'un pont de Wheatstone. Une pluralité de plots de connexion placés sur la face supérieure de la puce de silicium fournissent un accès externe au circuit à pont de Wheatstone. Un conducteur diagnostic est placé sur la partie supérieure de la puce de silicium de manière à traverser la périphérie du diaphragme, ledit conducteur étant connecté à des plots de connexions correspondants à chacune de ses extrémités. Par conséquent, lorsque le diaphragme se rompt, le conduteur diagnostic se rompt également, fournissant ainsi une indication claire de la rupture du diaphragme grâce au circuit externe dans lequel le conducteur diagnostic est utilisé.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001019133A1 (fr) * 1999-09-06 2001-03-15 Microtronic A/S Transducteur de pression
US6422088B1 (en) 1999-09-24 2002-07-23 Denso Corporation Sensor failure or abnormality detecting system incorporated in a physical or dynamic quantity detecting apparatus
US6518880B2 (en) 2000-06-28 2003-02-11 Denso Corporation Physical-quantity detection sensor
US6732588B1 (en) * 1999-09-07 2004-05-11 Sonionmems A/S Pressure transducer
EP1599067A2 (fr) * 2004-05-21 2005-11-23 Sonion A/S Détection et contrôle de l'affaissement du diaphragme dans un microphone à condensateur
GB2515715A (en) * 2012-11-21 2015-01-07 Continental Automotive Systems Piezoresistive transducer with low thermal noise
GB2521163A (en) * 2013-12-11 2015-06-17 Melexis Technologies Nv Semiconductor pressure sensor
EP3032235A1 (fr) * 2014-12-10 2016-06-15 Melexis Technologies NV Capteur de pression à semi-conducteur
DE102017208048B3 (de) 2017-05-12 2018-09-27 Robert Bosch Gmbh Mikromechanischer Drucksensor
US10317297B2 (en) 2013-12-11 2019-06-11 Melexis Technologies Nv Semiconductor pressure sensor
EP3644009A1 (fr) * 2018-10-24 2020-04-29 Hahn-Schickard-Gesellschaft für angewandte Forschung e.V. Structure de mesure de dilatation dotée d'un support structuré

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2039414A (en) * 1979-01-11 1980-08-06 Nissan Motor Pressure sensor
JPS57197872A (en) * 1981-05-29 1982-12-04 Toshiba Corp Semiconductor pressure detecting element
FR2575289A1 (fr) * 1984-12-24 1986-06-27 Bosch Gmbh Robert Indicateur electrique de pression pouvant etre utilise pour la mesure absolue d'un liquide ou d'un gaz, notamment pour la surveillance de la pression de pneus de vehicules automobiles
WO1986003835A1 (fr) * 1984-12-24 1986-07-03 Robert Bosch Gmbh Capteur de pression electrique muni d'un dispositif indicateur de fuite
JPS61177783A (ja) * 1985-02-04 1986-08-09 Nissan Motor Co Ltd 半導体圧力センサ
EP0545319A2 (fr) * 1991-11-29 1993-06-09 Fuji Electric Co., Ltd. Capteur de pression à sémi-conducteurs comportant une structure avec deux diaphragmes

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2039414A (en) * 1979-01-11 1980-08-06 Nissan Motor Pressure sensor
JPS57197872A (en) * 1981-05-29 1982-12-04 Toshiba Corp Semiconductor pressure detecting element
FR2575289A1 (fr) * 1984-12-24 1986-06-27 Bosch Gmbh Robert Indicateur electrique de pression pouvant etre utilise pour la mesure absolue d'un liquide ou d'un gaz, notamment pour la surveillance de la pression de pneus de vehicules automobiles
WO1986003835A1 (fr) * 1984-12-24 1986-07-03 Robert Bosch Gmbh Capteur de pression electrique muni d'un dispositif indicateur de fuite
JPS61177783A (ja) * 1985-02-04 1986-08-09 Nissan Motor Co Ltd 半導体圧力センサ
EP0545319A2 (fr) * 1991-11-29 1993-06-09 Fuji Electric Co., Ltd. Capteur de pression à sémi-conducteurs comportant une structure avec deux diaphragmes

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 10, no. 386 (E - 467) 24 December 1986 (1986-12-24) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 7, no. 49 (E - 161) 25 February 1983 (1983-02-25) *

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001019133A1 (fr) * 1999-09-06 2001-03-15 Microtronic A/S Transducteur de pression
US6732588B1 (en) * 1999-09-07 2004-05-11 Sonionmems A/S Pressure transducer
US6422088B1 (en) 1999-09-24 2002-07-23 Denso Corporation Sensor failure or abnormality detecting system incorporated in a physical or dynamic quantity detecting apparatus
US6518880B2 (en) 2000-06-28 2003-02-11 Denso Corporation Physical-quantity detection sensor
DE10131229B4 (de) * 2000-06-28 2009-05-14 Denso Corp., Kariya-shi Eine physikalische Größe erfassender Sensor
EP1599067A2 (fr) * 2004-05-21 2005-11-23 Sonion A/S Détection et contrôle de l'affaissement du diaphragme dans un microphone à condensateur
EP1599067A3 (fr) * 2004-05-21 2006-01-18 Sonion A/S Détection et contrôle de l'affaissement du diaphragme dans un microphone à condensateur
US7548626B2 (en) 2004-05-21 2009-06-16 Sonion A/S Detection and control of diaphragm collapse in condenser microphones
GB2515715A (en) * 2012-11-21 2015-01-07 Continental Automotive Systems Piezoresistive transducer with low thermal noise
US9395259B2 (en) 2012-11-21 2016-07-19 Continental Automotive Systems, Inc. Piezoresistive transducer with low thermal noise
WO2015086680A1 (fr) * 2013-12-11 2015-06-18 Melexis Technologies Nv Capteur de pression à semi-conducteurs
GB2521163A (en) * 2013-12-11 2015-06-17 Melexis Technologies Nv Semiconductor pressure sensor
CN105829849A (zh) * 2013-12-11 2016-08-03 迈来芯科技有限公司 半导体压力传感器
JP2017500545A (ja) * 2013-12-11 2017-01-05 メレクシス・テクノロジーズ・ナムローゼフェンノートシャップ 半導体圧力センサ
US9689767B2 (en) 2013-12-11 2017-06-27 Melexis Technologies Nv Semiconductor pressure sensor
US10317297B2 (en) 2013-12-11 2019-06-11 Melexis Technologies Nv Semiconductor pressure sensor
EP3032235A1 (fr) * 2014-12-10 2016-06-15 Melexis Technologies NV Capteur de pression à semi-conducteur
WO2016091896A1 (fr) * 2014-12-10 2016-06-16 Melexis Technologies Nv Capteur de pression à semi-conducteur
CN107003198A (zh) * 2014-12-10 2017-08-01 迈来芯科技有限公司 半导体压力传感器
CN107003198B (zh) * 2014-12-10 2020-06-26 迈来芯科技有限公司 半导体压力传感器
DE102017208048B3 (de) 2017-05-12 2018-09-27 Robert Bosch Gmbh Mikromechanischer Drucksensor
EP3644009A1 (fr) * 2018-10-24 2020-04-29 Hahn-Schickard-Gesellschaft für angewandte Forschung e.V. Structure de mesure de dilatation dotée d'un support structuré
WO2020084043A1 (fr) * 2018-10-24 2020-04-30 Hahn-Schickard-Gesellschaft Für Angewandte Forschung E. V. Structure de mesure d'extensibilité comprenant un support structuré

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