WO1994009517A1 - Vorrichtung zur absorption infraroter strahlung - Google Patents
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- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 75
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 13
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 abstract description 27
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
Definitions
- FIG. 5 a schematically shows a further exemplary embodiment for the structure according to the invention.
- the various layers of the absorber structure are applied to a silicon membrane 6 as a carrier body.
- the lower layer 1 consists of an aluminum layer with a thickness of approximately 500 nm
- the middle layer 2 consists of an SiO 2 layer with a thickness of approximately 750 nm, which is applied to the silicon membrane 6 in the same way as already described in the first exemplary embodiment were.
- the upper element 3 is composed of an approximately 2 ⁇ m thick aluminum layer 7 and an overlying SiO 2 protective layer (not shown in FIG. 5 a) with a thickness of approximately 750 nm.
- the aluminum layer has a honeycomb structure with continuous depressions 8 (holes) (not shown in FIG. 5 a).
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- Laminated Bodies (AREA)
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Absorption infraroter Strahlung, die mit Materialien und Verfahren der CMOS-Technologie ohne Einschränkung hergestellt werden kann. Die erfindungsgemäße Absorberstruktur besteht aus einer unteren Schicht (1) mit einem geringen Transmissionskoeffizienten, einer mittleren Schicht (2) mit einem hohen Absorptionskoeffizienten und einem oberen, absorbierenden Element (3) mit einem geringen Reflexionskoeffizienten für die von oben einfallende, zu absorbierende Strahlung. Das obere Element kann z.B. aus Vertiefungen in der mittleren Schicht bestehen, deren Wände mit Metall beschichtet sind. Die Absorberstruktur findet Verwendung bei der kostengünstigen Herstellung integrierter thermischer Infrarotdetektoren.
Description
BESCHREIBUNG
VORRICHTUNG ZUR ABSORPTION INFRAROTER STRAHLUNG
Technisches Gebiet:
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Absorption infraroter Strahlung, die mit Materialien und Verfahren der CMOS-Technologie hergestellt werden kann. Thermische Infrarotdetektoren auf der Basis von Thermopiles (Thermosäulen) werden als kostengünstige Detektoren in breitem Umfang produziert und eingesetzt. Die Umwandlung der Strahlungsenergie der Infrarotstrahlung in thermische Energie erfolgt in sogenannten Infrarotabsorbern.
Stand der Technik
Die am häufigsten eingesetzten Infrarotabsorber sind schwarze Metallschichten (z.B. Au, Ag, Pt), die durch Aufdampfen unter einem bestimmten Fremdgas¬ druck hergestellt werden. Die sehr hohe und gleichmäßige Infrarotabsorption wird durch die Porosität der Schichten erreicht. Der Nachteil dieser Absorber¬ schichten liegt in ihrer Empfindlichkeit gegen mechanische und chemische Ein¬ flüsse, so daß die Herstellung einer definierten Geometrie des Absorbers mit Verfahren der CMOS-Technologie nur durch das Aufdampfen über eine Lochmaske möglich ist, was zu Einschränkungen in der Technologie führt. Ein anderes Verfahren zur Herstellung poröser Metallschichten besteht in der elektrolytischen Abscheidung. Die Probleme dieses Verfahrens bestehen unter anderem in ionischen Verunreinigungen des Elektrolyten, in der Spannungsbe¬ lastung des i. a. scheibenförmigen Trägers der Metallschichten (z. B. Siliziumwa- fer) bei der Elektrolyse und darin, daß zur elektrolytischen Schichtabscheidung Hilfsebenen benötigt werden. Dies ist gegenwärtig kein Standard der CMOS- Technologie.
In der Literatur wird die Möglichkeit der Infrarotabsorption durch dünne Metall¬ schichten und λ/4-Schichten beschrieben (z.B. A. Hadni and X. Gerbaux,
Infrared and Millimeter Wave Absorber Structure for Thermal Detectors, Infrared Phys. Vol.30, No.6 (1990), pp. 465-478). Durch dünne Metallfilme kann eine gleichmäßige Absorption für Wellenlängen oberhalb 1 μm erzeugt werden, die jedoch höchstens 50% beträgt. Mit Antireflexschichten (λ/4-Schichten) können die Reflexionsverluste an den Absorberoberflächen verringert werden. Der Ab¬ sorptionsgrad der dünnen Metallschichten hängt jedoch empfindlich von der Schichtdicke ab, so daß für ihre Herstellung eine genaue Schichtdickensteue¬ rung nötig ist.
Eine weitere Gruppe von Infrarotabsorbern besteht aus organischen Schichten wie Kohlenwasserstoffrußen und sogenannten Schwarzlacken. Für die Abscheidung und Strukturierung dieser Schichten gibt es gegenwärtig keine CMOS-kompatiblen Technologien.
In H. Saha et al, Influence of Surface Texturization on the Light Trapping and Spectral Response of Silicon Solar Cells, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 39, No.5 (1992), pp. 1100-1106 wird eine Absorberstruktur beschrieben, deren Oberfläche pyramidenförmige Rillen oder Vertiefungen auf¬ weist, die durch anisotropes Ätzen in einkristallinem Silizium gebildet werden. Der Nachteil dieser Struktur liegt darin, daß für ihre Herstellung zunächst eine einkristalline Siliziumschicht aufgebracht werden muß, ein Prozeßschritt, der zu¬ sätzlichen technologischen Aufwand erfordert.
Aus der US 4,620,364 sind Solarzellen bekannt, die eine mittlere monokristalline Schicht (z. B. Silizium-Kristall) sowie eine obere und untere, nicht absorbierende Schicht aufweisen, die beide strukturiert sein können. Durch Mehrfachreflexion der Infrarotstrahlung zwischen oberer und unterer Schicht wird die optische Weglänge der Strahlung in der absorbierenden mittleren Schicht erhöht und somit die Effizienz der Solarzelle verbessert.
Eine solche Anordnung kann nicht in praktikabler Weise auf einem Trägerkörper (z. B. eine Membran) aufgebracht werden, wie es für den Einsatz als thermischer Detektor notwendig wäre. Die Aufbringung einer einkristallinen Schicht, z. B. aus Silizium, ist, wie bereits oben erwähnt, mit erhöhtem technischen Aufwand verbunden.
Darstellung der Erfindung:
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, eine Vorrichtung zur Umwand¬ lung infraroter Strahlung in thermische Energie für thermische Detektoren anzugeben, die eine große Bandbreite und hohe Absorption aufweist, und die auf einfache Weise mit bekannten Technologien herstellbar ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Vorrichtung zur Absorption in¬ fraroter Strahlung, im folgenden auch Absorberstruktur genannt, mit den im An¬ spruch 1 angegebenen Merkmalen gelöst. Die erfindungsgemäße Vorrichtung besteht aus drei Grundelementen. Das untere Element ist eine Schicht mit einem geringen Transmissionskoeffizienten für die zu absorbierende Infrarotstrahlung. Sie absorbiert einen Teil der einfallenden Strahlung und reflektiert den nicht ab¬ sorbierten Anteil zurück in die über ihr liegenden Elemente. Das mittlere Element wird durch eine Schicht mit einem hohen Absorptions- und einem geringen Re¬ flexionskoeffizienten für die zu absorbierende Strahlung gebildet. Sie bewirkt in erster Linie Absorption und dient als Abstandshalter zwischen oberem und unte¬ rem Element. Das obere Element dient der Absorption der von oben auf die Vorrichtung einfallenden und der von den unteren Elementen kommenden Streustrahlung und reflektiert die von den unteren Absorberelementen kommen¬ de, nicht absorbierte Strahlung zurück in die Absorberstruktur. Das obere Element muß so gestaltet sein, daß die von oben auf dieses Element einfallende Strahlung in möglichst geringem Maße reflektiert wird. Bevorzugte Ausgestal¬ tungen des oberen Elements sind in den Ansprüchen 2 und 3 angegeben. Durch Vielfachreflexion der einfallenden Infrarotstrahlung zwischen den einzelnen Elementen der erfindungsgemäßen Vorrichtung erhöht sich in vorteilhafter Weise deren Gesamtabsorptionsgrad. Die erfindungsgemäße Vorrichtung zeigt Absorption über einen großen Wellenlängenbereich.
Die vorliegende erfindungsgemäße Vorrichtung läßt sich mit Materialien und Verfahren der CMOS-Technologie ohne Einschränkungen herstellen. Als Beispiel dafür sei auf das Ausführungsbeispiel verwiesen. Damit läßt sich der
Herstellungsprozeß in vorteilhafter Weise ohne zusätzlichen Aufwand in einen CMOS-Zyklus integrieren. Die kostengünstige, durchgängige Produktion von thermischen Infrarotdetektoren in CMOS-Technologie, z. B. auf der Basis von Thermopiles, wird somit ermöglicht.
In Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung besteht das obere Element gemäß Anspruch 2 aus Vertiefungen, die in die mittlere Schicht präpariert sind, und deren Wände mit Metall beschichtet sind. Diese Vertiefungen können z.B. rasterförmig angeordnet sein. Das obere Element wirkt in dieser Ausgestaltung auf die einfallende Strahlung wie eine Anordnung von Hohlräumen. Vielfachreflexion der Strahlung in den Hohlräumen erhöht die Absorption, so daß der Absorptionsgrad des einzelnen Hohlraumes über dem des eingesetzten Wandmaterials (Metallschicht) liegt.
Eine weitere Ausführungsform des oberen Elementes der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist in Anspruch 3 angegeben. Das obere Element wird demgemäß durch eine auf die mittlere Schicht aufgebrachte Aluminiumschicht gebildet, die durchgehende Vertiefungen (Durchgangsöffnungen) aufweist, die in der Tiefe nur durch die darunterliegende mittlere Schicht begrenzt sind. Die Vertiefungen können z. B. rasterförmig oder wabenförmig angeordnet sein. Auf der Aluminiumschicht ist eine dünne Oxid-Schutzschicht abgeschieden, die die Oberflächenstruktur des oberen Elementes nicht verändert.
Eine bevorzugte Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird nach Anspruch 4 durch ausschließliche Verwendung von Materialien und Verfahren der CMOS-Technologie erreicht. Damit lassen sich, wie bereits oben beschrie¬ ben, integrierte thermische Infrarotdetektoren kostengünstig herstellen.
Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird, wie in Anspruch 5 beschrieben, die untere Schicht durch eine Aluminiumschicht mit einer Dicke von 1 μm realisiert. Die mittlere Schicht ist eine Oxidschicht mit einer Dicke zwischen 2 und 8 μm. Das obere Element wird durch ein Raster von Vertiefungen in der mittleren Schicht gebildet, deren Wände (d. h. auch der Bo-
den) mit einer 500 nm dicken Aluminiumschicht bedeckt sind. Die Ränder der Vertiefungen haben rechteckige Querschnitte mit einer Kantenlänge von 2 bis 4 μm und sind in einem gegenseitigen Abstand von 2 bis 10 μm rasterförmig angeordnet.
Anspruch 6 gibt eine vorteilhafte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vor¬ richtung an, bei der die Vertiefungen in der mittleren Schicht mit einem Planarisierungsoxid (z.B. SiO2) aufgefüllt sind. Bei Anwendung der im ersten Ausführungsbeispiel beschriebenen Herstellungsvariante der erfindungsgemä¬ ßen Anordnung, ist diese Ausführungsform technologisch bedingt. Das Vorhandensein des Planarisierungsoxides in den Vertiefungen führt vorteilhaf¬ terweise zur zusätzlichen Dämpfung und somit zur Erhöhung der Absorption der einfallenden Strahlung.
Im folgenden wird die Erfindung anhand zweier Ausführungsbeispiele und der Zeichnungen näher erläutert.
Dabei zeigen: ,
Figur 1 : einen Querschnitt durch die Absorberstruktur eines Ausführungsbei¬ spiels,
Figur 2: eine Draufsicht auf die Absorberstruktur aus Fig. 1 ,
Figur 3: ein gemessenes Absorptionsspektrum der Absorberstruktur des Ausführungsbeispiels,
Figur 4: das Verhältnis der von der Absorberstruktur des Ausführungsbei¬ spiels absorbierten Strahlungsleistung zu der von einem schwarzen Körper absorbierten Strahlungsleistung,
Figur 5 a: einen Querschnitt durch die Absorberstruktur eines weiteren Ausfüh¬ rungsbeispiels, und
Figur 5 b: eine Draufsicht auf das obere Element der Absorberstruktur aus Figur 5 a.
Ausfύhrunosbeispiele:
Ein Ausführungsbeispiel für die erfindungsgemäße Anordnung zur Absorption infraroter Strahlung ist in Figur 1 im Querschnitt dargestellt. Das untere Element wird hier durch eine Aluminiumschicht 1 mit einer Dicke von 1 μm realisiert. Die mittlere Schicht 2 ist eine Oxid- oder Nitridschicht mit einer Dicke zwischen 2 und 8 μm. Das obere Element 3 besteht aus Vertiefungen (mit einer Tiefe im μm- Bereich), deren Wände mit einer 500 nm dicken Aluminiumschicht bedeckt sind. Die Ränder der Vertiefungen haben rechteckige Querschnitte, wie in Figur 2 in Draufsicht gezeigt, mit einer Kantenlänge von 2 bis 4 μm und sind in einem gegenseitigen Abstand von 4,8 bis 8,8 μm rasterförmig angeordnet. In den Vertiefungen befindet sich ein Planarisierungsoxid 4, welches technologisch be¬ dingt ist. In Figur 2 ist außerdem der Rand 5 der unteren Aluminiumschicht zu sehen.
Die Technologie zur Herstellung der Absorberstruktur dieses Ausführungsbei¬ spieles sei im folgenden kurz erläutert.
Auf einen Siliziumwafer wird die 1 μm dicke Aluminiumschicht gesputtert, auf welche durch einen CVD-Prozeß die 2 bis 8 μm dicke Oxidschicht (Si02) abgeschieden wird. In das Oxid werden in einem Plasma-Ätzprozeß Vertiefungen über eine Lackmaske geätzt. Dies entspricht einer Kontaktfenstertechnologie. Nach der Restlackentfernung wird ein 500 nm dicker Aluminiumfilm auf die Struktur gesputtert. Anschließend erfolgt die Abscheidung eines Planarisierungsoxides (z.B. Si02), welches plasmachemisch zurückgeätzt wird, so daß das Planarisierungsoxid nur noch in den Vertiefungen vorhanden ist. Das Planarisierungsoxid bedeckt die Aluminiumschicht in den Vertiefungen, während sie zwischen den Vertiefungen freigelegt ist. Das Planarisierungsoxid bildet auf diese Weise die Ätzmaske für den abschließenden Aluminium- Ätzprozeß, nach dessen Durchführung das Aluminium des oberen Elementes nur noch an den Wänden der Vertiefungen vorhanden ist.
Ein Absorptionsspektrum der Absorberstruktur des Ausführungsbeispiels ist in Figur 3 dargestellt. In dieser Figur ist der Absorptionsgrad der Absorberstruktur in Abhängigkeit von der Wellenlänge der einfallenden Strahlung aufgetragen. Die Abbildung zeigt, daß die Herstellung eines Infrarotabsorbers mit einer großen Absorptionsbandbreite mit der erfindungsgemäßen Absorberstruktur ohne Einschränkungen in CMOS-Technologie möglich ist.
In Figur 4 ist das Verhältnis der von der Absorberstruktur des Ausführungsbei¬ spiels absorbierten Infrarotstrahlungsleistung zu der von einem schwarzen Strahler absorbierten Strahlungsleistung in Abhängigkeit von der Temperatur eines Senders mit dem Emissionskoeffizienten = 1 aufgetragen. Der Wirkungs¬ grad der erfindungsgemäßen Absorberstruktur ist somit weitgehend unabhängig von der Sendertemperatur.
Figur 5 a zeigt schematisch ein weiteres Ausführungsbeispiel für die erfindungs¬ gemäße Struktur. Die verschiedenen Schichten der Absorberstruktur sind auf einer Siliziummembran 6 als Trägerkörper aufgebracht. Die untere Schicht 1 besteht aus einer Aluminiumschicht mit einer Dicke von etwa 500 nm, die mittlere Schicht 2 aus einer Si02-Schicht mit einer Dicke von etwa 750 nm, die in der gleichen Weise wie bereits im ersten Ausführungsbeispiel beschrieben auf die Siliziummembran 6 aufgebracht wurden. Das obere Element 3 setzt sich aus einer etwa 2 μm dicken Aluminiumschicht 7 und einer darüberliegenden Si02- Schutzschicht (in Figur 5 a nicht gezeigt) mit einer Dicke von ca. 750 nm zusammen. Die Aluminiumschicht weist eine wabenförmige Struktur mit durchgehenden Vertiefungen 8 (Löchern) auf (in Figur 5 a nicht gezeigt). Die wabenförmige Struktur der Aluminiumschicht 7 ist in Figur 5 b mit den durchge¬ henden Vertiefungen 8 dargestellt. Das Aufbringen der Aluminiumschicht des oberen Elementes auf die mittlere Schicht erfolgt durch Sputtern. Die Schicht wird zur Erzeugung der wabenförmigen Struktur mit herkömmlichen Verfahren maskiert und RIE-strukturiert. Die abschließende Si02-Schutzschicht wird mittels CVD abgeschieden.
Claims
1. Vorrichtung zur Umwandlung infraroter Strahlung in thermische Energie für thermische Detektoren, bestehend aus einem Trägerkörper (6), auf dem vom Trägerkörper her eine untere Schicht (1), eine auf der unteren Schicht (1) angeordnete mittlere Schicht (2) und ein auf der mittleren Schicht (2) angeordnetes, der einfallenden Strahlung zugewandtes oberes Element (3) aufgebracht sind, wobei
- die untere Schicht (1) den vom oberen Element (3) und der mittleren Schicht (2) durchgelassenen Teil der umzuwandelnden Strahlung absor¬ biert und den restlichen Anteil in die darüber angeordnete mittlere Schicht (2) reflektiert,
- die mittlere Schicht (2) einen hohen Absorptionskoeffizienten für die um¬ zuwandelnde Strahlung aufweist und
- das obere Element (3)
- der Absorption sowohl der von oben einfallenden umzuwandelnden Strahlung als auch der von den unteren Schichten kommenden Streustrahlung dient,
- die von den unteren Schichten reflektierte und im oberen Element (3) nicht absorbierte Streustrahlung in die unteren Schichten zurückre¬ flektiert und
- eine geringe Reflexion für die von oben einfallende umzuwandelnde Strahlung aufweist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß das obere Element (3) aus Vertiefungen in der mittleren Schicht besteht, wobei die Wände der Vertiefungen mit Metall beschichtet sind.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das obere Element (3) aus einer Aluminiumschicht (7) mit durchgehen¬ den Vertiefungen (8) und einer darauf abgeschiedenen dünnen Oxid- Schutzschicht besteht.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß für ihre Herstellung Materialien und Verfahren der CMOS-Technologie eingesetzt werden.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 , 2 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die untere Schicht (1) aus einer Aluminiumschicht mit einer Dicke von 1 μm, die mittlere Schicht (2) aus einer Oxidschicht mit einer Dicke von 2 bis 8 μm und das obere Element (3) aus einem Raster von Vertiefungen in der mittleren Schicht, deren Wände mit einer 500 nm dicken Aluminiumschicht bedeckt sind, bestehen, wobei die Ränder der Vertiefungen rechteckige Querschnitte mit einer Kantenlänge von 2 bis 4 μm aufweisen und in einem gegenseitigen Abstand von 2 bis 10 μm angeordnet sind.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2, 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Vertiefungen des oberen Elementes mit einem Planarisierungsoxid (4) aufgefüllt sind.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/416,754 US5578858A (en) | 1992-10-13 | 1993-10-07 | Infrared radiation absorption device |
| EP93921805A EP0664926B1 (de) | 1992-10-13 | 1993-10-07 | Vorrichtung zur absorption infraroter strahlung |
| DE59305465T DE59305465D1 (de) | 1992-10-13 | 1993-10-07 | Vorrichtung zur absorption infraroter strahlung |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEP4234471.9 | 1992-10-13 | ||
| DE4234471A DE4234471C1 (de) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | Vorrichtung zur Absorption infraroter Strahlung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO1994009517A1 true WO1994009517A1 (de) | 1994-04-28 |
Family
ID=6470343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/DE1993/000954 WO1994009517A1 (de) | 1992-10-13 | 1993-10-07 | Vorrichtung zur absorption infraroter strahlung |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5578858A (de) |
| EP (1) | EP0664926B1 (de) |
| AT (1) | ATE148961T1 (de) |
| DE (2) | DE4234471C1 (de) |
| WO (1) | WO1994009517A1 (de) |
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| AL | Designated countries for regional patents |
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|
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|
| WWG | Wipo information: grant in national office |
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