WO1983004123A1 - Electroluminescent display unit - Google Patents

Description

, 明 細 書

発明の名称

エ レク ト 口 ル ミ ネ セ ンス表示装置

技術分野 .

5 この発明は、 エ レク ト ロ ルミネセ ン ス表示装置に関し、 と 1) わけ発光輝度の向上、 および低電圧駆動を可能にする新し 構 造のエ レク ト ロ ル ミ ネ セ ンス表示装置に関する。

背景技術

従来、 エ レク ト ロ ルミネセ ン ス表示装置 （ 以下、 単に E L表 l O 示装置という ） には、 エレク ト ロ ル ミ ネ センス発光体層 （以下、 単に E L発光体層という ）の両面を絶緣体層で挾み、 さらにそ の外側から、 酸化イ ンジウ ム （In₂0₃ )や酸化錫 ( Sn0₂ ) を主体 にした透明電極と、 アル ミ ニゥム .（A1 )等の金属電極とで挾んだ 二重絶緣層タィ ブ.の E L表示装置と、 酸化イ ンジウ ムや酸化錫 5 を主体にした透明電極の上に E L発光体層を直接形成し、 その 上に順次絶縁体層および、 金属電極を設けた片側絶緣層タイブ の E L表示装置がある。 これらの二つのタイ ブの E L表示装置 において、 絶縁体層の合計の厚さ、 および E L発光体層の厚さ を同一に して構成し、 交流電圧やパルス電圧を印加して発光さ 0 せると、 発光しきい値電 Eに関しては片側絶緣層タイ ブの E L 表示装置の方が二重絶縁層タイ ブの E L表示装置に比べて低く、 また発光輝度に関しては二重絶縁層タイ ブの E L表示装置の方 が片側絶縁層タイ プの E L表示装置 比べて高い。 このよ うに 従来の E L表示装 gには一長一短があ 、 そのため、 発光しき5 い値雷圧が低くするわちよ ])低い電圧で駆動が可能であつて、

OMPI 発光輝度の高 E L表示装置が望まれている。

発明の開示

この発明は、 発光活性物質が添加された硫化亜 I&を含むとこ ろの E L発光体層と絶縁体層との積層体に電 E印加手段によつ て情報に ISじて信号電 Eを印加して、 前記情報を画像表示する E L表示装置にお て、 E L発光体層側に配置されて る一方 の電 印加手段を、 II — VI族化合物群から選ばれた少な く とも —つ、 または H — M族化合物群から選ばれた少なく も一つお よび漦化錫を含む半導体層で構成することによって、 発光しき 値電 が低く、 しかも高 発光輝度を得ることのできる E L 表示装置を提供するものである。

電 E印加手段の一方と る半導体層を構成するための δ — ¾ 族化合物と しては、 酸化亜錡 （ZnO )、 セレン化亜銪（ ZnSe )、- テルノレ化亜錯（ZnTe )、 硫化亜鉛 ( ZnS )、 硫化カ ドミ ウム （CdS )、 およびセレ ン化力 ドミ ゥ ム （CdS e ) のうちの少¾ く とも一つが 好ま しく、 と ]?わけ酸化亜鉛がも っとも好ま し 。 また、 前記 化合物のうちの少 く とも一つと酸化錫とで前記半導体層を構 成しても よいことは言うまでもな ことである。

E L発光体層の硫化亜鉛に対する発光活性物質と しては、 こ ..れまでに知られている物質を使用することができ、 希望する発 光色に応じて選択すればよ 。 この発光活性物質を列示すれば · マ ンガン （M n ) ，銅 （Cu )， 銀 ( Ag ) , アルミ - ゥ ム ,テノレ ビゥ ム （ Tb ) ,ジスプロ シウ ム （ Dy ) ,エル ビウ ム （E r ) ,ブラセォ ジゥ ム （ P r ) ，サマ リ ゥ 厶 （ Sm) ,ホル ミ ゥ 厶 （ Ho ) ,ッ リ ゥム（ Tm) 'およびこれらのハロゲン化物をあげることができる。 MPI — δ —

図面の簡単 ¾説明

第 1 図はこの発明にもとつ'く E L表示装置のー洌を示す一部 破断斜視図、 第 2図は第 ¹ 図に示した E L表示装置の印加電圧 —発光輝度特性を従来の片側絶緣層タイ ブの E L表示装置なら びに二重絶緣層タイ ブの E L表示装置の印加電圧一発光輝度特 性と対比して示す図、 第³図はこれら E L表示装置の駆動電王 波形を示す図、 第⁴図は第 ¹ 図に示した E L表示装置を直流パ ルス電圧で駆動したときの印加電 Ε—発光輝度特性を示す図、 第 5図、 第 6図および第⁷図はそれぞれこの発明にも とづく E L表示装置の他の例を示す断面図、 第 8図はさらに他の^!を 示す一部破断斜視図である。

発明を実施するための最良の形態 - 第 1 図はこの発明にもとづく E L表示装置の実施の形態の一 つを示している。 この装置は、 透明絶縁基板たとえばガ ラス基 板 1 の一方の面上に、 複数本のス ト ライブ状の半導体層 2が平 行に設けられて る。 この半導体層 2は酸化亜鉛で構成されて お 、 その厚さは l O O n mである 。 ガ ラス基板¹ の一方の面 上に、 半導体層 2上を含めて、 E L発光体層 3 と絶縁体層 4が 順次形成されてお]?、 さらに絶縁体層⁴上には、 複数本のス ト ラ イ ブ状電極 5が平行に、 かつス ト ライ ブ状電極 ²の方向とは 直角な方向に形成されている。' E L発光体層 ³はマ ンガンで付 活された硫化亜鉛で構成されてお]?、 そのマ ン ガン含有比量は Ο . β原子 で、 その厚さは O. S ;U TO である。 絶緣体/ f ⁴は酸化 イ ッ ト リ ウ ム （Y。Os ) で構成されてお]?、 その厚さは 0.4〃w である。 ス ト ライ ブ状電極 ⁵はア ル ミ 二ゥ ムで構成されている。 半導体層 2は、 ガラス基板¹ を ² x ¹ 0 ^-2 To r r のア ルゴンガ ス中に配置し、 温度を 1 S O °Cに保持して、 高周波スパッタ リ ング法によ つて酸化亜鉛を毎分 1 O の割合で 1 O分間ガラ ス基板 1 に付着させてから、 一般に実施されているフ ォ トェッ チング技術で形成したものである。 E L発光体層 3は、 ガラス 基板 1 を 2 2 O ^eCに保持し、 硫化亜鉛とマンガン とを所定の割 合になるよ う毎分 0。¹ /z mの割合で 5分間同時蒸着してから、 真 空中にお て 5 5 O °Cで 2時間熱処理して形成したものである。 絶縁体層 4は酸化ィ ッ ト リ ゥムを電子ビーム蒸着することによ 形成したものであ]?、 電極 5はア ル ミ -ゥムを.真空蒸着する ことによ 1?形成したものである。

この装置にお て、 電極 2 , 5間に選択的,に交流電 £も しく はパルス電 £を印加すると、 E L ¾光体層 3の、 選択された電 極に挾まれた部分が発光する。 この光は主と してガラス基板 1 を通して外部へ故射される。 '電極 2、 5に表示すべき情報に応 じて信号電 Eを順次印加することによ 、 前記情報-を画像と し て表示することができる。

第 2図は、 この E L表示装置と従来の二つのタイ プの E L表 示装置を、 第 3図（a)に示すパルス幅 2 Oマイクロ秒、 周期 1 O ミ リ秒の交流パルス電圧 （v_A )で駆動したときの電圧（v_A )— 発光輝度特性を示す。 第 2図の曲線 (a)はこの発明にもとづく E L表示装 fiの特性を示し、 同 (b)は前記構造の装置から半導体 層 2に代えて錫添加酸化ィ ンジ ゥムからなる透明電極を用いて 構成した片側絶縁層タイ ブの E L表示装置の待性を示す。 また 第 2図の曲線 (c)は透明電極の上に 0.² _mの厚さの酸化ィ ッ ト リ ゥ ム層 ， O.S/ mの厚さの、 マ ンガンで付活した硫化亜鉛から る E L発光体層、 および o.² wの厚さの酸化ィ ッ ト リ ウム層を 順次形成し、 最後にアル ミ ニゥムの電極を設けた従来の二重絶 縁層タイ プの E L表示装置の特性を示す。 第 2図からわかるよ うに、 この発明にも とづく E L表示装置は、 発光輝度を低下さ せることるく、 駆動電圧のみを低下させることができ、 その駆 動回路の低電圧化を可能にするものである。

第 4図は、 第 3図 (b)に示すよ う ¾パル ス幅 2 0マイク ロ秒、 パルス間隔 1 O ミ リ秒の直流パ ルス電 E ( ν _β )をこの発明にも とづぐ E L表示装置に印加したときの電 Ε ( V_B ) —発光輝度特 性を示し、 曲線 (a)は電極 5が半導体層 2に対して正とるる極性 で、 また、 同 )は半導体層 2が電極 5に対して正となる極性で 電 Eを印加したときの特性を示す。 図からわかる よ うに、 この 発明にもとづく E L表示装置は、 電極 5が半導体層 2に対して 正と ¾る極性をもつ、 デュ ーティ ¾₀₀ の直流パルス電圧で、 9 O n i tの最大輝度で表示することができた。 このように高 輝度が得られるのは、 酸化亜鉛から ¾る半導体層 2 と E L発光 体層 3との接触がよ く、 半導体層 2から E L発光体層³への電 子の注入が容易に行われるためと考えられる。

以上の洌では、 半導体層と して酸化亜鉛を用 て構成した場 合につ て説明したが、 これに代えて、 セ レン化亜鉛 ， テ ルル 化亜錯 ，硫化亜鉛 ，硫化力 ドミ ゥ ム ， も しくはセ レン化力 ドミ ゥ 厶 ， も し.くはこれらの ずれかと酸化錫 . も しくは酸化亜鉛 と酸化鈸 ， も しくは酸化亜鉛と酸化錫、 またはこれらの複数種 を組合わせて構成しても同様の効果が得られた。 この半導体層

O PI WIPO の厚さは、 ³Onm以上で再現性よ く効果的であることが確認さ れた。 発光活性物質と しては Ma 以外に、 Cu , Ag ,Al , Tb , Dy .E r , P r . Sm. Ho . Tm^およびこれ らのノ、ロゲンィ匕物:^ら るグループのるかから選ばれた少¾く とも 1 種を甩 ること によ！）、 種々の発光色の E L表示装置を構成する ことができた。

また上記洌ではガラス基板上に、 複数本のス ト ライ ブ状半導 体層 ， 発光体層 ，絶緣体層 ， および複数本のスト ライプ状電極 をこの順序で積層したが、 ガラス基板上に、 複数本のス ト ライ ブ電極 ，絶緣体層 ， 発光体層、 および複数本のス ト ライ ブ状半 導体層をこの順序で積層しても同様の効果が得られた。

ところで、 第 1 図に示した E L表示装置にお ては、 半導体 層が一方の電極を兼ねて るが、 その抵抗を無視できなく なる 表面積の広 E L表示装置にお ては、 半導体層とともにそれ よ ]) も低抵抗の導電体層を使用すればよ 。

すなわち、 第 5図に示すよ うに、 半導体層 2とガラス基板 1 との間に、 前記半導体層 2に比べて非常に狭 幅の良導電体層 6を配置し、 これら半導体層 2 と良導電体 ¾ 6とで一方の電極 を構成する。 この良導電体層 6はたとえば窒化チタ ン ， 金 ， 白 金 ， モ リ ブデン どの電気抵抗率の低い材料を用いて形成する。

この構造によれば、 良導電体層 6の存在によ って、 半導体層 2と良導電体層 6とから る電極の抵抗が低く ]?、 輝度むら のな 大画面の E L表示装置を実現することができる。

第 6図に示す E L表示装蘆は、 半導体層 2 とガラス基板 1 と の間に透明導電体層 8を介在させたものである。 半導体層 ² と 透明導電体層 8 とで構成される電極において、 その電気伝導性 は主と して透明導電体層 ⁸によるので、 その抵抗が低く、 した がつて大画面の E L表示装置を実現することができる。

第 7図に示す E L表示装置は、 第 6図に示した装置の構造を

—部変形したものである。 するわち、 この装置にお ては、 透 明導電体層 Sが半導体層 ²で覆われてお]?、 またこれら二つの 層 2 , 8の両緣がテーパをなすよ う形成されて る。

半導体層 2が透明導電体層 8を覆っていることによ j?、 透明 導電体層 8の構成材料が半導体層²によ つて E L発光体層³へ 拡散することが阻止され、 透明導電体層 8の構成材科による E L発光体層 3 の特性劣化が効果的に防止される。 す ¾わち、 透明導電体層 8は一般にィ ンジゥ ムと錫の酸化物で構成される が、 その構成材料のイ ンジウ ムが硫化亜銪を主成分とする E L 発光体層 ³に拡散すると、 この E L発光体層³中でキラーと し て働き、 発光特性を劣化させる。 ところが、 H — Μ族化合物を 含む半導体層 2がこれら二つの層 3 , S間に介在していると、 イ ン ジゥ ムの拡散が阻止されるからである。

そして、 透明導電体層 8 と半導体 ¾ 2の両緣がテーパを し ているため、 第 6図に示'す装置に比べて電極の緣部分での電界 集中に'よる劣化がきわめて効果的に阻止される。

第 8図に示す E L表示装蘆は、 第 6図の E L表示装置におい て半導体層の搆造を変形したものである。 すなわち、 この装置 にお ては、 ガラス基板¹ 、 透明導電体層 ⁸と E L発光体層 ³ との間に半導体層 7を介在させて る。 この装置は、 その製造 において半導体層 7を選択的に形成すると う工程が不要とな 、 容易に製造できるという利点を有する。 ただこの装盧にお

OMPI ては、 半導体層 7によ って透明導電体層⁸間でク ロ ス トーク を生じるおそれがあるので、 半導体層 ⁷中に Π — VI族化合物の 抵抗値を増大させる物質たとえばリ チウム （ L i )を含ませて、 透明導電体層 8間の抵抗を十分に高めておく ことが望ま し 。 この場合、 半導体層 7の厚みは透明導電体層 8同士の間隔に比 ベてきわめて薄く、 そのため前記物質を添加含有させたことに よる半導体層ァの厚 方向の抵抗値増大は無視することができ o

第 6図、 第 7図および第 8図に示した E L表示装置は、 E L 発光体層に対して ずれもガラ ス基板側に半導体層を、 またそ れとは反対側に絶緣体層をそれぞれ設けた構造をして るが、 半導体層と絶緣体層との配置関係をそれらとは反対にしてもよ 。

産業上の利用可能性

以 iに説明したように、 この発明の E L表示装置は、 E L発 光体層の一方の面上に、 II 一 VI族化合物群のうちの少なく とも —種、 またはそれと酸化錫を含む半導体層を設けることによ ]?、 駆動電 が低く、 かつ高輝度の E L表示装置を実現することが できる。 そして、 駆動電 £が低く てすむことは駆動装置を I C 化するにあたって、 その I Cの耐 Eが低くてよ く、 したがって E L表示装匱の価格を低下させることができる。 さらに、 この E L表示装置は ¾流電圧駆動だけでなく、 直流パルス電王駆動 も可能であ ])、 その実用価値は大きい。

OMPI一

Claims

O 83/04123 I'CT/JP請 0146

— 9—

請 求 の 範 囲 ' 1 . 発光活性物質が添加含有されて る硫化亜鉛 （Z n S ) を含 むと ころのエ レク ト ロ ル ミ ネ セ ン ス発光体層と、 前記エレク ト ロ ルミ ネセ ンス発光体層の一方の面上に形成されて る絶縁体

5 層と、 前記エ レク ト 口 ル ミ ネ セ ンス発光体層および前記絶緣体 層の積層体に表示すべき情報に じた信号電圧を印加するため の第 1 の電 ε印加手段および第 2の電 E印加手段とを有し、 前 .記情報を画像表示するエ レク ト 口 ル ミ ネ セ ンス表示装置におい て、 前記第 1 、 第 2の電圧印加手段のうち前記エ レク ト 口ル ミ i o ネセ ンス発光体層側に配置されている前記第 1 の電圧印加手段 が少 く とも半導体層で構成されてお]?、 かつ前記半導体層が 少 く とも ]! 一 VI族化合物群から選択された一つまたは二つ以 上の化合物を含むことを特徵とするエ レク ト D ル ミ ネセンス.表 示装置。

5 2 . 請求の範囲第 1 項にお て、 第 1 の電圧印加手段が半導体 層と、 前記半導体層中に配置された導電体とで構成されてお]?、 かつ前記半導体層がエ レク ト ロ ルミネセ ンス発光体層に接して るこ'とを特徴とするエ レク ト ロ ルミネセ ンス表示装置。

3 - 請求の範囲第 1 項にお て、 第 1 の電圧印加手段が平行0 複数のス ト ライ ブ状の半導体層と、 前記半導体層のそれぞれに 付与された導電体とで構成されてお D、 かつ前記半導体層がェ レク ト 口ルミネセンス発光体層に接していることを特徴とする エ レク ト 口 ル ミ ネ セ ンス表示装 。

4 . 請求の範囲第¹ 項において、 第 ¹ の電圧印加手段が平行な5 複教のス ト ライ ブ状の半導体層と、 前記半導体/ のそれぞれに

O PI WIPO 付与された透明な導電体層とで構成されてお])、 かつ前記半導 体層がエレク ト ロ ルミネセンス発光体層に接していることを特 徵とするエ レク ト 口 ル ミ ネ センス表示装置。

S . 請求の範囲第 1 項にお て、 第 1の電圧印加手段が平行 ¾ 複数のス ト ラ イ ブ状の導電体層と、 前記導電体層を覆う半導体 層とで構成されてお ]3、 かつ前記半導体層がェレク ト ロ ルミネ セ ンス発光体層に接して ることを特徵とするェレク ト 口 ル ミ ネセ ンス表示装置 o

6. 請求の範囲第 1 項にお て、 第 1 の電 印加手段が平行な 複数のス ト ラ イ ブ状の透明導電体層と、 前記透明導電体層を覆 う半導体層とで構成されて γ>、 かつ前記半導体層がエ レクト ロ ル ミ ネ セ ンス発光体層に接して ることを特徵とするエレク ト Π ル ミ ネ センス表示装置。

ァ . 請求の範囲第¹ 項から第 7項までの ずれかにおいて、 半 導体層の緣がテーパを有してお]?、 かつ、 前記半導体層の、 ェ レク ト 口 ミネセ ンス発光体層側の面の面積が他方の面の面積 よ ])狭いことを特徵とするエ レク ト 口ル ミ ネセ ンス表示装置。

S . 請求の範囲第 1 項から第 7項までの ずれかにおいて、 半 導 層が n — VT族化合物群から選択された少¾く とも一つの化 合物と酸化錫 ( Sn0₂ )とを含むことを特徵とするエ レク ト ロル ミ ネ セ ンス表示装置。

9. 請求の範囲第 1 項から第ァ項までのいずれかにおいて、 半 導体層が酸化翠鉛（ ΖηΟ) 、 セ レン化亜鉛（ZnS e )、 テルル化 亜鉛 ( ΖηΤ β )、硫化亜鉛 ( ZnS J 、 硫化力 ドミ ゥム （CdS ) お よびテルル化力 ド ミ ゥ ム （ CdTe ) からなる化合物群から選択

WIPO された少なく と も一つの化合物を含むことを特徴とするエ レク ト 口 ル ミ ネ セ ンス表示装置。

10. 請求の範囲第¹ 項から第ァ項までのいずれかにお て、 半 導体層が酸化亜鉛 （ ZnO)、 セレン化亜釾（ ZnSe )、 テルル化亜 鉛（ZnTe )、硫化亜 & ( ZnS )、硫化力 ドミ ゥ ム （CdS ) および テルル化力 ドミ ゥム （ CdTe ) からなる化合物群から選択され た少な く と も一つの化合物と酸化錫 ( Sn0₂ ) とを含むことを 特徵とするエ レク ト ロ ル ミ ネ センス表示装置。

11. 請求の範囲第 1 項から第 7項までの ずれかにお て、 第

2の電 BE印加手段が導電体層であって、 絶縁体層上に設けられ て ることを特徵とするエ レク ト 口 ルミネセ ンス表示装置。

12. 請求の範囲第¹ 項から第ァ項までの ずれかにお て、 半 導体層の厚さが少な く とも 3 0 nni であることを特徵とするェ レク ト 口 ノレ ミ ネ センス表示装置。

1S. 少なく と も、 第¹ の電極、 発光活性物質が添加含有されて る硫化亜鉛（ZnS ) を含み、 かつ前記第 ¹ の電極に接するェ レク ト 口 ル ミ ネ セ ンス発光体層、 前記エ レク ト ロ ル ミ ネ.セ ンス 発光体層に接す、る絶緣体層および前記絶緣 層に接する第 2の 電極からなる積層体と、 一方の主面上にて前記積層体を支持す る支持基板とを有し、 前記第 1 の電極と前記第 2の電極と間に 表示すべき情報に じた信号電圧を印加して、 前記情報を画像 表示するエレク ト 口ル ミ ネ セ ンス表示装蘆にお て、 前記第¹ の電極が少 く とも半導体層で搆成されてお 、 かつ前記半導 体層が少な く とも D — VI族化合物群から選択された一つまたは 二つ以上の化合物を含むことを待徵とするエ レク ト 口ル ミ ネ セ ンス表示装置 0

14. 請求の範囲第 ¹ 3項にお て、 第¹ の電極および第²の電 極のうちの ずれか一方が支持基板の面上に設けられて るこ とを特徵とするエレク ト ロ ル ミ ネ センス表示装置。

5 15. 請求の範囲第 ¹ 3項にお て、 第¹ の電極が半導体層と前 記半導体層中に配置された導電体とで搆成されてお ]3、 かつ前 記半導体層がェ レク ト 口 ル ミ ネ セ ンス発光体層に接して る.こ とを特徵とするェ'レク ト ルミネセンス表示装置。

16. 請求の範囲第 1 3項にお て、 第 1 の電極が平行な複数の ス ト

i o ライブ状の半導体層と、 前記半導体層のそれぞれに付与さ れた導電体とで構成されてお！）、 かつ前記半導体層がエレク ト 口 ル ミ ネ セ ンス発光体層に接していることを特徵とするエ レク ト 口 ル ミ .ネ センス表示装置。

1 Τ. 請求の範囲第 1 3項にお て、 第 1 の電極が平行な複数の

I S ス ト ライ ブ状の半導体層と、 前記半導体 Sのそれぞれに付与さ れた透明 ¾導電体層とで構成されてお]?、 かつ前記半導体層が エ レク ト 口 ル ミ ネ セ ンス発光体層に接して ることを特徵とす るエレク ト 口 ノレ ミ ネ セ ンス表示装置。

18. 請求の範囲第 1 3項にお て、 第 1 の電極が平行な複数の 0 ス トライブ状の導電体層と、前記導電侔層を覆う半導体層とで搆 成されてお 、 かつ前記半導体層がエ レク ト ロ ル ミ ネ センス発 光体層に接して ることを特徵とするエレク ト 口 ル ミ ネセンス 3¾ 7Κ ¾ Η。

19. 請求の範囲第 1 3項において、 第 1 の電極が平行な複数の 5 ス ト ライ ブ状の透明導電体層と、 前記導電体層を ¾ う半導体層

OMPI とで構成されてお !o、 かつ前記半導体層がェレク ト 口 ル ミ ネセ ノス発光体層に接して ることを特徵とするエ レク ト 口ル ミ ネ セ ン ス表示装置 o

20. 請求の範囲第 ^{1 3}項から第 ^{1 9}項までの ずれかにおいて、 半導体層の緣がテーパを有してお]?、 かつ、 前記半導体層の、 エ レク ト 口 ル ミ ネ セ ンス発光体層側の面の面積が他方の面の面 積よ！）狭 ことを特徵とするエ レク ト α ル ミ ネ セ ンス表示装置。

2Λ. 請求の範囲第 ^{1 3}項から第 ^{1 9}項までのいずれかにお て、 半導体層が Π — Μ族化合物群から選択された少 く とも一つと 酸化錫 ( Sn0₂ } とを含むことを特徵とするエレク ト ロ ルミネ セ ンス表示装置。 '

²². 請求の範囲第 1 ³項から第 ^{1 9}項までのい^ I·かにお て、 半導体層が酸化亜鉛（ZnO)、 セ レ ン化亜鉛 （ ZiiSe )、 テルル 化亜鉛 （ ZnTe )、 硫化亜鉛 （ZnS)、 硫化力 ドミ ゥム （CdS ) およびテルル化カ ドミ ウ ム （ CdTe )からなる化合物群から選 択された少なぐ とも一つの化合物を含むことを特徵とするェレ ク ト ロ ル ミ ネ セ ンス表示装置。

²³. 請求の範囲第 1 ³項から第 ¹ 9項までの ずれかにお て、 半導体層が酸化亜鉛 （ ZnS )、セレ ン化亜鉛 { ZnSe )_¼ テルル化 亜鉛 ( ZnTe )_¾硫化亜鉛 （ ZnS )、硫化力 ドミ ゥ ム （CdS ) およ びテルル化力 ドミ ゥム （ CdTe ) からなる化合物群から選択さ れた少なく と.も一つと酸化錫 （ Sn0₂ ) とを含むことを特徴と するエ レク ト ロ ルミネセ ン ス表示装盧。

24. 請求の範囲第 ^{1 3}項から第 ^{1 9}項までのいずれかにお て、 半導体層の厚さが少なく と も ³ O nm であることを特徵とする

O PI

; IPO エ レク ト ロ ルミ ネセ ンス表示装置