UA54417C2 - Схемний пристрій для живлення електронного кола навантаження - Google Patents

Схемний пристрій для живлення електронного кола навантаження Download PDF

Info

Publication number
UA54417C2
UA54417C2 UA98095072A UA98095072A UA54417C2 UA 54417 C2 UA54417 C2 UA 54417C2 UA 98095072 A UA98095072 A UA 98095072A UA 98095072 A UA98095072 A UA 98095072A UA 54417 C2 UA54417 C2 UA 54417C2
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
circuit
supply voltage
pump
value
control
Prior art date
Application number
UA98095072A
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Inventor
Ганс-Генріх Віманн
Original Assignee
Сіменс Акцієнгезельшафт
Сименс Акциенгезельшафт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=7789786&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=UA54417(C2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Сіменс Акцієнгезельшафт, Сименс Акциенгезельшафт filed Critical Сіменс Акцієнгезельшафт
Publication of UA54417C2 publication Critical patent/UA54417C2/uk

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • H02M3/073Charge pumps of the Schenkel-type
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/0095Hybrid converter topologies, e.g. NPC mixed with flying capacitor, thyristor converter mixed with MMC or charge pump mixed with buck
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Схемний пристрій для живлення електронного кола навантаження електричною високою напругою, значення якої значно більше, ніж значення напруги живлення (Vdd), підведеної до схемного пристрою, причому схемний пристрій містить електрично з'єднану з колом навантаження схему (2) накачки, яка на основі внутрішнього комутаційного сигналу (3), що має попередньо задану частоту накачки, подає високу напругу на коло навантаження таким чином, що електрична потужність, споживана колом навантаження від схеми (2) накачки, в основному залежить як від значення напруги живлення, так і від значення частоти накачки перемикального сигналу (3). Схемний пристрій містить надану схемі (2) накачки електронну схему (4) керування, що живиться напругою, відведеною від напруги живлення (Vdd) схеми накачки, причому схема (4) керування за допомогою керуючого сигналу (5), залежного від значення напруги живлення (Vdd), виробляє перемикальний сигнал (3), що задає частоту накачки для вироблення схемою (2) накачки високої напруги таким чином, що значення частоти накачки перемикального сигналу (3) змінюється обернено пропорційно до зміни напруги живлення (Vdd).

Description

Опис винаходу
Винахід стосується схемного пристрою для живлення електронного кола навантаження електричною 9 високою напругою, значення якої значно більше, ніж значення напруги живлення, підведеної до схемного пристрою, причому схемний пристрій містить електрично з'єднану з колом навантаження схему накачки, яка на основі внутрішнього комутаційного сигналу, що має попередньо задану частоту накачки, подає високу напругу на коло навантаження таким чином, що електрична потужність, споживана колом навантаження від схеми накачки, в основному залежить як від значення напруги живлення, так і від значення частоти накачки комутаційного 70 сигналу.
Перепрограмовувані напівпровідникові запам'ятовуючі пристрої з електричним стиранням для програмування і стирання потребують напруг, що в більшості випадків значно перевищують звичайні напруги живлення. Комірки пам'яті таких запам'ятовуючих пристроїв складаються зазвичай із двох керованих ззовні електродів і розміщеного між ними потенціальне не зв'язаного з ними електрода. Програмування таких комірок пам'яті 12 здійснюють подачею зарядів на потенціально не зв'язані електроди шляхом прикладення високої напруги, що становить типово близько 4188, між двома керованими ззовні електродами, а стирання здійснюють видаленням зарядів і з потенціально не зв'язаних електродів шляхом подачі високої напруги, що має протилежний знак і становить типово близько -128. Важливою областю застосування напівпровідникових запам'ятовуючих пристроїв з електричним програмуванням і стиранням поряд із пристроями електронної обробки даних є, зокрема, електронні картки, наприклад, картки запам'ятовуючих пристроїв та мікропроцесорні картки. В цих випадках напруга живлення підводиться ззовні від так званого термінала під час обміну даними між електронною карткою і терміналом. В області ТТЛ-технології з напівпровідниковими інтегральними елементами, виконаними на біполярних транзисторах, напруга живлення становить зазвичай 5В «з 1095, тоді як в області КМОН-технології з напівпровідниковими інтегральними елементами, виконаними на польових транзисторах, напруга живлення с 22 становить зазвичай ЗВ ж 1095. Тому для вказаних областей застосування перепрограмовуваних Ге) запам'ятовуючих пристроїв доцільною є наявність пристрою для вироблення високих напруг обох полярностей, який би працював як з напругою живлення ЗВ, так і з напругою живлення 58.
В основі винаходу лежить задача розроблення схемного пристрою вказаного типу, здатного при різних напругах живлення подавати в коло навантаження постійну потужність. -
Поставлена задача вирішена шляхом реалізації схемного пристрою згідно з п. 1 формули винаходу. «-
Згідно з винаходом, передбачено, що схемний пристрій містить придану схемі накачки електронну схему керування, що живиться напругою, відведеною від напруги живлення М 33д схеми накачки, причому схема М керування за допомогою керуючого сигналу, залежного від значення напруги живлення М да, виробляє «І перемикальний сигнал, що задає частоту накачки для вироблення схемою накачки високої напруги, таким чином,
Що значення частоти накачки перемикального сигналу змінюється обернено пропорційно до зміни напруги о живлення М4д. В основі винаходу лежить знання можливості використання залежності віддаваної в ланцюг навантаження потужності накачки від добутку напруги живлення і частоти накачки таким чином, що для видачі можливо постійної потужності накачки при різних напругах живлення частоту накачки слід збільшувати при « зменшені напруги живлення. При цьому схемотехнічні витрати порівняно незначні, оскільки для управління З частотою накачки потрібен лише сигнал керування, залежний від напруги живлення. Таким чином, керування с частотою накачки можна здійснювати лише в залежності від значення напруги живлення. Інші величини, з» наприклад, потужність, що видається схемою накачки, або потужність, споживана колом навантаження, не мають суттєвого впливу на частоту накачки, завдяки чому інші сигнали, залежні від інших величин, крім напруги живлення, для керування частотою накачки не потрібні.
В переважному варіанті втілення винайденого схемного пристрою може бути передбачено, що для видачі в і-й ланцюг навантаження принаймні приблизно постійної потужності накачки здійснюється керування схемою «їз» накачки, причому сигнал керування в основному пропорційний добутку напруги живлення і частоти накачки. Для підтримання постійного значення потужності накачки може бути передбачене керування частотою накачки з боку е напруги живлення, при якому компенсується вплив напруги живлення на потужність накачки. -к 70 З урахуванням пропорційного зв'язку між потужністю накачки з одного боку і добутком напруги живлення і частоти накачки з іншого боку може бути передбачене також таке керування видачею потужності накачки в т залежності від напруги живлення, при якому частота накачки обернено пропорційна напрузі живлення. Для схеми накачки з потужністю накачки Р - с.Ш, де Р - потужність накачки, с - в ідеальному випадку постійний коефіцієнт, Ю - напруга живлення, а ї - частота накачки, для підтримання постійного значення потужності 99 накачки ідеальною була б схема керування, яка здійснювала б керування частотою накачки ї за такою
ГФ) формулою: ї - д/), причому а означає ідеальну константу. Тоді для потужності накачки дійсним буде вираз: Р юю -с.а. При такому керуванні частотою накачки, яка обернено пропорційна значенню напруги живлення, залежність потужності накачки від напруги живлення і частоти накачки може компенсуватись. В реальних схемах константи с і й залежать, наприклад, від температури або конструктивних параметрів. Ці впливи при 60 необхідності можуть бути компенсовані підхожими схемотехнічними рішеннями.
В іншій переважній формі втілення винайденого схемного пристрою може бути передбачено, що схема керування, що виробляє сигнал перемикання, містить генератор, частота коливань якого залежить від керуючого сигналу, поданого на вхід генератора. При використанні сигналу, виробленого генератором, в якості перемикального сигналу для схеми накачки частота накачки пропорційна частоті генератора, тобто керування 69 дастотою накачки здійснюється в залежності від керуючого сигналу.
Для досягнення обернено пропорційного зв'язку між напругою живлення і частотою накачки може бути передбачено, що прикладений до входу генератора керуючий сигнал формується безпосередньо із напруги живлення. Завдяки цьому, керування частотою накачки здійснюється безпосередньо значенням напруги
Живлення.
В більш детальному викладенні винайденого схемного пристрою може бути передбачено, що генератор виконано на тригері Шмітта. Керування частотою генератора на тригері Шмітта можна здійснювати за допомогою лише однієї напруги, завдяки чому схемний пристрій згідно з винаходом може бути реалізований з порівняно невеликими схемотехнічними витратами. 70 Для подальшої обробки сигналу, виробленого генератором, може бути доцільним використання в схемі управління ввімкненого після генератора подільника частоти, який подає на входи схеми накачки два асиметричні тактові сигнали. Для бездоганної роботи схеми накачки тактові сигнали можуть бути протифазними прямокутними сигналами, що мають однакову тривалість високих і низьких рівнів; такі тактові сигнали можуть бути просто сформовані за допомогою подільника частоти винайденого схемного пристрою.
Подільник частоти може бути виконаний на простих логічних елементах, що зазвичай використовуються у напівпровідникових ТТЛ- чи КМОН-технологіях.
В переважній формі втілення винаходу може бути передбачено, що схема накачки містить каскадну схему із кількох каскадів, що складаються із конденсаторів і транзисторів в режимі діода, причому каскади каскадної схеми таким чином ввімкнені в послідовну схему між високовольтним виходом і напругою живлення, що 2о транзистори з'єднані послідовно, а конденсатори, з'єднані з точками з'єднання транзисторів, протилежними обкладками почергово з'єднані з обома входами накачки; крім того, схема накачки містить ще один транзистор в режимі діода, ввімкнений між напругою живлення і послідовно з'єднаними транзисторами, керуючий вхід якого з'єднаний з напругою живлення. Завдяки використанню транзисторів в режимі діодів, особливо при
КМОН-технології, може бути забезпечена незначна потреба в площі на напівпровідниковій підкладці. Така схема сч ов накачки може бути реалізована за більшістю використовуваних напівпровідникових технологій, наприклад, ТТЛ або КМОН, що забезпечує цілковиту можливість інтеграції на одній напівпровідниковій підкладці. і)
Для забезпечення компактності може бути доцільним виконання схемного пристрою разом із колом навантаження на одній напівпровідниковій підкладці. Генератор, подільник частоти і каскадна схема можуть бути виконані за однаковою технологією, завдяки чому можливе виготовлення монолітних складових пристрою на ї- зо одній напівпровідниковій підкладці.
В особливо переважній формі застосування винайденого схемного пристрою може бути передбачено, що - електронне коло навантаження являє собою групу комірок пам'яті енергонезалежного напівпровідникового «Е перепрограмовуваного запам'ятовуючого пристрою з електричним стиранням. В цьому випадку значення високої напруги може становити переважно «188 або -12В, а значення напруги живлення від «ЗВ -1095 до ї5В 10905. -
Крім того, для зменшення схемотехнічних витрат може бути передбачено, що значення керуючого сигналу ю безпосередньо залежить від значення напруги живлення.
Наслідком застосування схеми трансформування між напругою живлення і керуючим сигналом могла б стати нелінійна передавальна функція між керуючим сигналом і напругою живлення, що може зумовити порушення обернено пропорційного зв'язку між частотою накачки і напругою живлення. «
Інші переваги, ознаки і доцільні рішення винаходу випливають з наведеного далі опису прикладу втілення з с винаходу з використанням креслень. На них зображено: Фіг.1 схема пристрою згідно з винаходом; Фіг.2 схема . генератора на тригері Шмітта; Фіг.3 часова діаграма деяких напруг схемного пристрою згідно з винаходом. а На фіг1 зображений приклад винайденого схемного пристрою для живлення приєднаного до високовольтного виходу 1, на фіг.1 докладніше не зображеного, кола навантаження високою напругою, значення
ЯКОЇ Значно більше, ніж значення напруги живлення М 44, від якої живиться схемний пристрій. Коло навантаження с може представляти собою комірки пам'яті електрично перепрограмовуваного запам'ятовуючого пристрою, призначеного для електронних запам'ятовуючих карток або мікропроцесорних карток. Схемний пристрій містить о з'єднаний з колом навантаження схему 2 накачки, яка на основі внутрішнього перемикального сигналу З з їх наперед заданою частотою накачки виробляє високу напругу 4188 і через високовольтний вихід 1 подає її на
Коло навантаження таким чином, що споживана ланцюгом навантаження електрична потужність накачки схеми 2 - накачки в основному залежить як від значення напруги живлення М ду, так і від частоти накачки перемикального "М сигналу З схеми 2 накачки. Схемний пристрій містить придану схемі 2 накачки електронну схему 4 керування, що живиться напругою, відведеною від напруги живлення М дд схеми накачки, причому схема 4 керування за допомогою керуючого сигналу 5, залежного від значення напруги живлення М4д, виробляє перемикальний сигнал
Б З, що задає частоту накачки для вироблення схемою 2 накачки високої напруги, таким чином, що значення частоти накачки перемикального сигналу З змінюється обернено пропорційно до зміни напруги живлення М ду.
Ф) Схема 4 керування і схема 2 накачки безпосередньо зв'язані між собою через керуючі виходи 6, 7 схеми 4 ка керування і входи 8, 9 схеми 2 накачки. В прикладі втілення винаходу згідно з фіг.1 керуючий сигнал 5 схеми 4 керування представляє собою безпосередньо напругу живлення схемного пристрою. Схема 4 керування містить во виконаний на тригері Шмітта генератор 10 і ввімкнений послідовно з ним, виконаний на ключових елементах 11 - 21 подільник частоти 22. З посиланням на фіг.2, генератор 10 має перший вхід 23 опорної напруги і другий вхід 24 опорної напруги, на які подаються дві постійні опорні напруги для юстування схемного пристрою. Крім того, генератор 10 містить ввімкнену між напругою живлення М 4дд і масою послідовну схему із чотирьох послідовно з'єднаних транзисторів 25 - 28 - двох р-канальних польових транзисторів 25, 26 і двох п-канальних польових 65 транзисторів 27, 28. Паралельно їй ввімкнена друга послідовна схема із чотирьох транзисторів 29 - 32 - двох р-канальних польових транзисторів 29, 30 і двох п-канальних польових транзисторів 31, 32. Керуючий вхід транзистора 25 з'єднаний з першим входом 23 опорної напруги, а керуючий вхід транзистора 28 з'єднаний з другим входом 24 опорної напруги. Керуючі входи транзисторів 26, 27 з'єднані між собою. Керуючі входи транзисторів 29 - 32 з'єднані між собою і з точкою з'єднання електродів транзисторів 26, 27. Крім того, паралельно транзисторам 26, 27 ввімкнений конденсатор 35. Паралельно транзисторам 29 - 31 ввімкнений р-канальний польовий транзистор 33. Паралельно транзисторам 30 - 32 ввімкнений п-канальний польовий транзистор 34. Керуючі входи транзисторів 33, 34 з'єднані з точкою з'єднання електродів транзисторів ЗО, З1 і з входами двох інверторів 36, 37. Вихід інвертора 36 з'єднаний з керуючими входами транзисторів 26, 27. Вихід інвертора 37 відповідає виходу 38 генератора 10. Генератор 10 через вихід 38 з'єднаний з подільником 22 /о0 частоти. Виконаний на елементах 11 - 21 подільник 22 частоти містить п'ять інверторів 11 - 15, два логічні елементи 16, 17 АБО-НЕ і чотири логічних елементи 18 - 21 АБО-НЕ, схема ввімкнення яких показана на фіг.1.
Перший і другий керуючі виходи 6, 7 схеми 4 керування для подачі перемикального сигналу З на схему 2 накачки з'єднані з першим і другим входами 8, 9 накачки. Схема 2 накачки, виконана на чотирнадцяти конденсаторах 39, і п'ятнадцяти транзисторах 41, 42, представляє собою каскадну схему, кожен із чотирнадцяти каскадів якої 7/5 Містить конденсатори 39, 40 і транзистор 41 в діодному режимі. При цьому каскади каскадної схеми з'єднані в послідовну схему між високовольтним виходом 1 і напругою живлення Мудд таким чином, що працюючі як діоди транзистори 41 утворюють послідовну схему, в якій управляючі входи транзисторів 41 почергово через конденсатори 39, 40 з'єднані з входами 8, 9 накачки, причому, парні конденсатори 39 приєднані до входу 8, а непарні конденсатори 39 приєднані до входу 9. Схема 2 накачки містить ще один транзистор 42, ввімкнений між 2о напругою живлення М ду і послідовною схемою, виконаною на транзисторах 41; його управляючий електрод з'єднаний з напругою живлення М 4д, він охоплений негативним зворотним зв'язком і також працює в режимі діода. На фіг.3 зображено чотири діаграми 43 - 46, які відображають зміну в часі деяких напруг схемного пристрою, наведеного на фіг.1 і 2. Перша крива 43 відображає тактовий сигнал на виході 38, вироблений генератором 10 при напрузі живлення Мад - 5В, а друга крива 44 відображає одночасно одержувану напругу на сч ов ВИСОКОВОЛЬТНОМУ виході 1. Аналогічно до цього, криві 45 і 46 відображають тактовий сигнал на виході 38 і високу напругу на виході 1 при напрузі живлення Мад - ЗВ. і)
Принцип роботи схемного пристрою, зображеного на фіг.1 і 2, нижче детальніше пояснюється з використанням зображених на фіг.З діаграм. Виконаний на тригері Шмітта генератор 10 виробляє на виході 38 прямокутний сигнал 45, частота якого обернено пропорційно задається керуючим сигналом 5, ідентичним зі ї- зо значенням напруги живлення Му схемного пристрою. Завдяки прикладеним до входів 23, 24 опорним напругам, зображена на фіг.2 послідовна схема, виконана на транзисторах 25 - 28, працює як джерело струму, струм якого (-Є7 пропорційний напрузі живлення М да. Послідовно з'єднані транзистори 29 - 31 і конденсатор З5, охоплені «г зворотним зв'язком за допомогою інвертора 36, утворюють коливальний контур і виробляють коливання, які інвертором 37 формуються в прямокутні сигнали і через вихід 38 подаються на подільник 22 частоти. Порівняння « зв Кривих 43 і 45, які відображають тактові сигнали на виході 38 при напругах живлення 5В і ЗВ, дає приблизно ю обернено пропорційний зв'язок між напругою живлення М 3дд і тактовою частотою на виході 38. Ввімкнений послідовно з генератором 10 подільник 22 частоти обробляє сигнал на виході 38 таким чином, що перемикальний сигнал З складається із двох інверсних один по відношенню до іншого прямокутних сигналів на керуючих виходах 6, 7 і, відповідно, на входах накачки 8, 9. Схема 2 накачки перетворює поданий на входи 8, 9 « 40 перемикальний сигнал З у високу напругу, прикладену до високовольтного виходу 1. Криві 43 і 46б ілюструють в) с здійснювані схемою 2 накачки з частотою, рівною половині частоти тактового сигналу генератора, пакетні підвищення високої напруги на виході 1, початковими значеннями якої є відповідні значення напруги живлення ;» 5В і ЗВ. В обох випадках значення напруги на виході 1 через 2мкс збільшується вдвічі порівняно з напругою живлення М 4дд, а через наступні 2мкс - втричі порівняно з напругою живлення М дд, що означає потужність накачки, майже незалежну від напруги живлення Му. 1 ї»

Claims (13)

Формула винаходу о . с
1. Схемний пристрій для живлення електронного кола навантаження електричною високою напругою, - значення якої значно більше, ніж значення напруги живлення (М дд), підведеної до схемного пристрою, причому «М схемний пристрій містить електрично з'єднану з колом навантаження схему (2) накачки, яка на основі внутрішнього перемикального сигналу (3), що має попередньо задану частоту накачки, подає високу напругу на коло навантаження таким чином, що електрична потужність, споживана колом навантаження від схеми (2) 5в накачки, в основному залежить як від значення напруги живлення, так і від значення частоти накачки перемикального сигналу (3), який відрізняється тим, що схемний пристрій містить надану схемі (2) накачки (Ф) електронну схему (4) керування, що живиться напругою, відведеною від напруги живлення (М44д) схеми накачки, ГІ причому схема (4) керування за допомогою керуючого сигналу (5), залежного від значення напруги живлення (Маа), виробляє перемикальний сигнал (3), що задає частоту накачки для вироблення схемою (2) накачки високої бо напруги таким чином, що значення частоти накачки перемикального сигналу (3) змінюється обернено пропорційно до зміни напруги живлення (Мад).
2. Схемний пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що керування схемою (2) накачки здійснюється за допомогою керуючого сигналу (5) схеми (4) керування для подачі в коло навантаження принаймні приблизно постійної потужності накачки. 65
3. Схемний пристрій за п. 1 або 2, який відрізняється тим, що керування потужністю накачки за допомогою схеми (4) керування здійснюється в основному пропорційно добутку напруги живлення (Мад) і частоти накачки.
4. Схемний пристрій за будь-яким з пп. 1-3, який відрізняється тим, що керування потужністю накачки за допомогою схеми (4) керування в залежності від напруги живлення (М ду) здійснюється таким чином, що частота накачки обернено пропорційна напрузі живлення (М ад).
5. Схемний пристрій за будь-яким з пп. 1-4, який відрізняється тим, що схема (4) керування для формування перемикального сигналу (3) містить генератор (10), керування частотою якого здійснюється керуючим сигналом (5), поданим на вхід генератора (10).
6. Схемний пристрій за п. 5, який відрізняється тим, що керуючий сигнал (5), поданий на вхід генератора (10), безпосередньо відведений від напруги живлення (М ад). 70
7. Схемний пристрій за п. 5 або 6, який відрізняється тим, що генератор (10) виконаний на тригері Шмітта.
8. Схемний пристрій за будь-яким з пп. 5-7, який відрізняється тим, що надана схемі (2) накачки схема (4) керування містить подільник (22) частоти, який подає на входи (8, 9) накачки схеми (2) накачки протифазні тактові сигнали.
9. Схемний пристрій за будь-яким з пп. 1-8, який відрізняється тим, що схема (2) накачки містить каскадну /5 бхему з кількох каскадів, що складаються з конденсаторів (39, 40) і транзисторів (41) в діодному режимі, причому каскади каскадної схеми таким чином з'єднані в послідовну схему між високовольтним виходом (1) і входом напруги живлення (М да), що транзистори (41) з'єднані послідовно, приєднані до точок з'єднання транзисторів (41) конденсатори (39, 40) протилежними обкладками почергово з'єднані з обома входами (8, 9) накачки, а схема 2 накачки містить ще один ввімкнений між напругою живлення (М 44) І послідовною схемою, 2о Виконаною на транзисторах (41), транзистор (42) в діодному режимі, керуючий електрод якого з'єднаний з входом напруги живлення (М да).
10. Схемний пристрій за будь-яким з пп. 1-9, який відрізняється тим, що схемний пристрій разом з колом навантаження інтегрований на одній напівпровідниковій підкладці.
11. Схемний пристрій за будь-яким з пп. 1-10, який відрізняється тим, що електронне коло навантаження сч об Містить групу комірок пам'яті енергонезалежного перепрограмовуваного запам'ятовуючого пристрою з електричним стиранням. і)
12. Схемний пристрій за будь-яким з пп. 1-11, який відрізняється тим, що значення керуючого сигналу (5) відповідає значенню напруги живлення (Мад).
13. Схемний пристрій за будь-яким з пп. 1-12, який відрізняється тим, що значення високої напруги становить ч- зо переважно к18 В або -12 В, а значення напруги живлення (Мад) становить переважно від 43 В ж 10 95 до 5 В ж
Фо. - « « І в)
- . и? 1 щ» щ» - 70 що іме) 60 б5
UA98095072A 1996-03-28 1997-03-27 Схемний пристрій для живлення електронного кола навантаження UA54417C2 (uk)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19612443A DE19612443C2 (de) 1996-03-28 1996-03-28 Schaltungsanordnung zur Versorgung eines elektronischen Lastkreises
PCT/DE1997/000625 WO1997037424A1 (de) 1996-03-28 1997-03-27 Schaltungsanordnung zur versorgung eines elektronischen lastkreises

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA54417C2 true UA54417C2 (uk) 2003-03-17

Family

ID=7789786

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UA98095072A UA54417C2 (uk) 1996-03-28 1997-03-27 Схемний пристрій для живлення електронного кола навантаження

Country Status (13)

Country Link
US (1) US6026002A (uk)
EP (1) EP0890215B1 (uk)
JP (1) JPH11508120A (uk)
KR (1) KR20000004953A (uk)
CN (1) CN1066292C (uk)
AT (1) ATE252781T1 (uk)
BR (1) BR9708371A (uk)
DE (2) DE19612443C2 (uk)
ES (1) ES2210520T3 (uk)
IN (1) IN191735B (uk)
RU (1) RU2182742C2 (uk)
UA (1) UA54417C2 (uk)
WO (1) WO1997037424A1 (uk)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000236657A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Nec Kyushu Ltd 昇圧回路
US20030184360A1 (en) * 2002-03-29 2003-10-02 Yi-Ti Wang Charge pump for flash memory with serially connected capacitors for preventing breakdown
CN1883105B (zh) * 2003-10-21 2011-07-27 意法爱立信有限公司 电荷泵
FR2900290B1 (fr) 2006-04-19 2008-11-21 Atmel Corp Procede et systeme pour fournir une pompe de charge pour les applications basse tension
US8044705B2 (en) * 2007-08-28 2011-10-25 Sandisk Technologies Inc. Bottom plate regulation of charge pumps
US7586362B2 (en) * 2007-12-12 2009-09-08 Sandisk Corporation Low voltage charge pump with regulation
US7586363B2 (en) * 2007-12-12 2009-09-08 Sandisk Corporation Diode connected regulation of charge pumps
US20090302930A1 (en) * 2008-06-09 2009-12-10 Feng Pan Charge Pump with Vt Cancellation Through Parallel Structure
US7969235B2 (en) 2008-06-09 2011-06-28 Sandisk Corporation Self-adaptive multi-stage charge pump
US8710907B2 (en) * 2008-06-24 2014-04-29 Sandisk Technologies Inc. Clock generator circuit for a charge pump
US7683700B2 (en) 2008-06-25 2010-03-23 Sandisk Corporation Techniques of ripple reduction for charge pumps
US7795952B2 (en) * 2008-12-17 2010-09-14 Sandisk Corporation Regulation of recovery rates in charge pumps
US7973592B2 (en) * 2009-07-21 2011-07-05 Sandisk Corporation Charge pump with current based regulation
US8339183B2 (en) * 2009-07-24 2012-12-25 Sandisk Technologies Inc. Charge pump with reduced energy consumption through charge sharing and clock boosting suitable for high voltage word line in flash memories
US20110133820A1 (en) * 2009-12-09 2011-06-09 Feng Pan Multi-Stage Charge Pump with Variable Number of Boosting Stages
US20110148509A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Feng Pan Techniques to Reduce Charge Pump Overshoot
US8339185B2 (en) 2010-12-20 2012-12-25 Sandisk 3D Llc Charge pump system that dynamically selects number of active stages
US8294509B2 (en) 2010-12-20 2012-10-23 Sandisk Technologies Inc. Charge pump systems with reduction in inefficiencies due to charge sharing between capacitances
US8699247B2 (en) 2011-09-09 2014-04-15 Sandisk Technologies Inc. Charge pump system dynamically reconfigurable for read and program
US8400212B1 (en) 2011-09-22 2013-03-19 Sandisk Technologies Inc. High voltage charge pump regulation system with fine step adjustment
US8514628B2 (en) 2011-09-22 2013-08-20 Sandisk Technologies Inc. Dynamic switching approach to reduce area and power consumption of high voltage charge pumps
US8710909B2 (en) 2012-09-14 2014-04-29 Sandisk Technologies Inc. Circuits for prevention of reverse leakage in Vth-cancellation charge pumps
US8836412B2 (en) 2013-02-11 2014-09-16 Sandisk 3D Llc Charge pump with a power-controlled clock buffer to reduce power consumption and output voltage ripple
US8981835B2 (en) 2013-06-18 2015-03-17 Sandisk Technologies Inc. Efficient voltage doubler
US9024680B2 (en) 2013-06-24 2015-05-05 Sandisk Technologies Inc. Efficiency for charge pumps with low supply voltages
US9077238B2 (en) 2013-06-25 2015-07-07 SanDisk Technologies, Inc. Capacitive regulation of charge pumps without refresh operation interruption
US9007046B2 (en) 2013-06-27 2015-04-14 Sandisk Technologies Inc. Efficient high voltage bias regulation circuit
EP2827483A1 (en) * 2013-07-15 2015-01-21 Infineon Technologies AG Circuitry, multi-branch charge pump, method for controlling a charge pump and system
US9083231B2 (en) 2013-09-30 2015-07-14 Sandisk Technologies Inc. Amplitude modulation for pass gate to improve charge pump efficiency
US9154027B2 (en) 2013-12-09 2015-10-06 Sandisk Technologies Inc. Dynamic load matching charge pump for reduced current consumption
US9917507B2 (en) 2015-05-28 2018-03-13 Sandisk Technologies Llc Dynamic clock period modulation scheme for variable charge pump load currents
US9647536B2 (en) 2015-07-28 2017-05-09 Sandisk Technologies Llc High voltage generation using low voltage devices
US9520776B1 (en) 2015-09-18 2016-12-13 Sandisk Technologies Llc Selective body bias for charge pump transfer switches

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US541614A (en) * 1895-06-25 charles w
US4236199A (en) * 1978-11-28 1980-11-25 Rca Corporation Regulated high voltage power supply
IT1225608B (it) * 1988-07-06 1990-11-22 Sgs Thomson Microelectronics Regolazione della tensione prodotta da un moltiplicatore di tensione.
JPH04222455A (ja) * 1990-12-20 1992-08-12 Nec Corp インタフェース回路
NL9200056A (nl) * 1992-01-14 1993-08-02 Sierra Semiconductor Bv Hoogspanningsgenerator met uitgangsstroomregeling.
US5301097A (en) * 1992-06-10 1994-04-05 Intel Corporation Multi-staged charge-pump with staggered clock phases for providing high current capability
JP2639325B2 (ja) * 1993-11-30 1997-08-13 日本電気株式会社 定電圧発生回路
US5550728A (en) * 1994-04-18 1996-08-27 Analog Devices, Inc. Charge pump converter structure
US5414614A (en) * 1994-06-06 1995-05-09 Motorola, Inc. Dynamically configurable switched capacitor power supply and method
FR2724468B1 (fr) * 1994-09-14 1996-11-15 Suisse Electronique Microtech Dispositif electronique comportant un multiplicateur de tension
US5543668A (en) * 1994-09-16 1996-08-06 Catalyst Semiconductor, Inc. Charge stacking on-chip high-voltage generator and method
US5694308A (en) * 1995-07-03 1997-12-02 Motorola, Inc. Method and apparatus for regulated low voltage charge pump
US5760637A (en) * 1995-12-11 1998-06-02 Sipex Corporation Programmable charge pump
US5625544A (en) * 1996-04-25 1997-04-29 Programmable Microelectronics Corp. Charge pump
US5886887A (en) * 1997-03-27 1999-03-23 Integrated Memory Technologies, Inc. Voltage multiplier with low threshold voltage sensitivity

Also Published As

Publication number Publication date
BR9708371A (pt) 1999-08-03
DE59710890D1 (de) 2003-11-27
JPH11508120A (ja) 1999-07-13
CN1214810A (zh) 1999-04-21
EP0890215A1 (de) 1999-01-13
IN191735B (uk) 2003-12-20
ATE252781T1 (de) 2003-11-15
WO1997037424A1 (de) 1997-10-09
ES2210520T3 (es) 2004-07-01
CN1066292C (zh) 2001-05-23
DE19612443A1 (de) 1997-10-02
US6026002A (en) 2000-02-15
RU2182742C2 (ru) 2002-05-20
DE19612443C2 (de) 1998-02-05
KR20000004953A (ko) 2000-01-25
EP0890215B1 (de) 2003-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
UA54417C2 (uk) Схемний пристрій для живлення електронного кола навантаження
US5532653A (en) Supply voltage compensated charge pump oscillator
EP0558339B1 (en) Charge pump circuit
US7133038B2 (en) Highly efficient LCD driving voltage generating circuit and method thereof
EP1569061A1 (en) Constant-voltage generation circuit, semiconductor device, electronic equipment and timepiece
US4164666A (en) Electronic apparatus using complementary MOS transistor dynamic clocked logic circuits
KR830006722A (ko) 저소비 전력 전자 회로(低消費電力電子回路)
JP2001338756A (ja) 容量性負荷の駆動回路および容量性負荷の駆動用集積回路
US20080303586A1 (en) Negative voltage generating circuit
US6833745B2 (en) Signal generator for charge pump in an integrated circuit
KR950020697A (ko) 반도체 기억장치(a semiconductor memory device)
EP0721250A2 (en) Low power oscillator
USRE39329E1 (en) Oscillation circuit, electronic circuit using the same, and semiconductor device, electronic equipment, and timepiece using the same
US5010307A (en) Oscillator having periodically pulsed crystal
EP0398087B1 (en) Circuit arrangement for generating a control signal in dependence upon the occurrence of an extreme value of a sinusoidal oscillation and use of such a circuit arrangement
KR200150912Y1 (ko) 전력 모스 전계 효과 트랜지스터의 제어회로
KR950013871B1 (ko) 안정화 펄스발생회로
JPS63224665A (ja) 基板電圧発生回路
KR100244463B1 (ko) 반도체 소자의 기판전원 발생회로
US11206021B2 (en) Quasi-adiabatic logic circuits
KR100516051B1 (ko) 직류-직류 변환 장치 및 그 변환 방법
US6590464B1 (en) Resistor-capacitor oscillator circuit
KR950004604B1 (ko) 전자식 안정기
US5247266A (en) Oscillation inducing cicuit
KR0170279B1 (ko) 반도체 장치의 고전압 발생장치