ES2210520T3 - Disposicion de circuito para la alimentacion de un circuito de carga electronico. - Google Patents

Abstract

LA INVENCION SE REFIERE A UN CONJUNTO DE CIRCUITOS PARA LA ALIMENTACION DE UN CIRCUITO DE CARGA ELECTRONICO CON UNA ALTA TENSION ELECTRICA, CUYO VALOR ES MAS GRANDE QUE EL VALOR DE UNA TENSION DE ALIMENTACION (VDD) SUMINISTRADA AL CONJUNTO DE CIRCUITOS. EL CONJUNTO DE CIRCUITOS PRESENTA UN CIRCUITO DE BOMBEO (2), CONECTADO ELECTRICAMENTE CON EL CIRCUITO DE CARGA, QUE EN BASE A UNA SEÑAL DE CONEXION INTERNA (3) ENVIA LA ALTA TENSION CON UNA FRECUENCIA DE BOMBEO DEFINIDA AL CIRCUITO DE CARGA DE FORMA QUE LA POTENCIA DE BOMBEO ELECTRICA DEL CIRCUITO DE BOMBEO (2) ABSORBIDA POR EL CIRCUITO DE CARGA DEPENDE BASICAMENTE DEL VALOR DE LA TENSION DE ALIMENTACION (V DD ) Y D EL VALOR DE LA FRECUENCIA DE BOMBEO DE LA SEÑAL DE CONEXION (3) DEL CIRCUITO DE BOMBEO (2). EL CONJUNTO DE CIRCUITOS PRESENTA UN CIRCUITO DE MANDO (4) ELECTRONICO, ASIGNADO AL CIRCUITO DE BOMBEO (2) Y ALIMENTADO POR LO MENOS CON UNA TENSION DERIVADA DE LA TENSION DE ALIMENTACION (V DD ) DEL CIRCUITO DE BOMBEO (2), QUE, EN FUNCIONDE UNA SEÑAL DE MANDO (5) DEPENDIENTE DEL VALOR DE LA TENSION DE ALIMENTACION (VDD), TRASMITE AL CIRCUITO DE BOMBEO (2) UNA SEÑAL DE CONEXION (3) QUE ACTUA SOBRE LA FRECUENCIA DE BOMBEO PARA GENERAR LA ALTA TENSION PRODUCIDA POR EL CIRCUITO DE BOMBEO (2), DE FORMA QUE EL VALOR DE LA FRECUENCIA DE BOMBEO DE LA SEÑAL DE CONEXION (3) ES INVERSAMENTE PROPORCIONAL AL VALOR DE LA TENSION DE ALIMENTACION (VDD).

Description

Disposición de circuito para la alimentación de un circuito de carga electrónico.

La invención se refiere a una disposición de circuito para la alimentación de un circuito de carga electrónico con una alta tensión eléctrica según el preámbulo de la reivindicación 1.

Se conoce por el documento US-A-5 446 697 una disposición de circuito de este tipo.

Se conoce por el documento US-A-5 394 362 otra disposición de circuito para la regulación de la tensión de salida de un multiplicador de tensión.

Para las memorias de semiconductores que se pueden programar y borrar eléctricamente se necesitan para la programación y el borrado tensiones que exceden en cuanto al valor absoluto la tensión de alimentación que es habitual en la mayoría de los casos. Las células de memoria de memorias de semiconductores, que se pueden programar y borrar eléctricamente, están constituidas habitualmente por dos electrodos que pueden ser activados externamente y por un electrodo no ligado a potencial que se encuentra en medio. La programación de tales células de memoria se realiza a través de la aplicación de cargas sobre el electrodo no ligado a potencial a través de la aplicación de una alta tensión entre los dos electrodos que se pueden activar externamente, que es típicamente +18 voltios aproximadamente, siendo realizado el borrado a través de la eliminación de las cargas desde el electrodo no ligado a potencial a través de la aplicación de una alta tensión, que presenta un signo opuesto con respecto a la tensión de programación y que es típicamente -12 voltios aproximadamente. Los campos de aplicación importantes de las memorias de semiconductores que se pueden programar y borrar eléctricamente son, además de las instalaciones electrónicas de procesamiento de datos, especialmente las tarjetas electrónicas, como por ejemplo tarjetas de memoria y tarjetas de microprocesadores. En estos casos se alimenta la tensión de alimentación desde el exterior desde un llamado terminal durante un intercambio de datos entre la tarjeta electrónica y el terminal. En el campo de la tecnología TTL con componentes semiconductores integrados, constituidos por transistores bipolares, la tensión de alimentación es habitualmente 5 voltios \pm 10%, mientras que en el campo de la tecnología CMOS como componentes semiconductores integrados, constituidos por transistores de efecto de campo, son habituales típicamente valores de 3 voltios \pm 10%. Por lo tanto, para los campos de aplicación mencionados de memorias de semiconductores que se pueden programar y borrar eléctricamente es deseable poner a disposición un circuito de generación de alta tensión para tensiones de ambos signos, que funciona tanto con una tensión de alimentación de aproximadamente 3 voltios, como también con una tensión de alimentación de aproximadamente 5 voltios.

La presente invención tiene el cometido de mejorar la disposición de circuito del tipo mencionado al principio, de tal forma que la potencia de bombeo emitida por el circuito de bombeo puede ser accionada por el circuito de carga de una manera al menos aproximadamente constante.

Este cometido se soluciona por medio de una disposición de circuito según la reivindicación 1.

Está previsto que la disposición de circuito presente un circuito de control electrónico asociado al circuito de bombeo, alimentado con una tensión derivada al menos a partir de la tensión de alimentación del circuito de bombeo que, en función de una señal de control dependiente del valor de la tensión de alimentación, emite una señal de conmutación, que actúa sobre la frecuencia de bombeo para la generación de la alta tensión emitida por el circuito de bombeo, al circuito de bombeo, de tal forma que el valor de la frecuencia de bombeo de la señal de conmutación se comporta de una manera inversa al valor de la tensión de alimentación. La invención se basa en el reconocimiento de aprovechar la dependencia de la potencia de bombeo emitida al circuito de carga del producto de la tensión de alimentación y de la frecuencia de bombeo de tal forma que para la cesión de una potencia de bombeo lo más constante posible, incluso con tensiones de alimentación diferentes, se controla la frecuencia de bombeo de tal forma que se eleva a medida que se reduce la tensión de alimentación. El gasto técnico de circuito según la invención es en este caso relativamente reducido, puesto que solamente es necesaria una única señal de control, correspondiente al valor de la tensión de alimentación, para el control de la frecuencia de bombeo. La frecuencia de bombeo se puede controlar de esta manera exclusivamente en función del valor de la tensión de alimentación. Otras variables como por ejemplo la cesión de potencia del circuito de bombeo o el consumo de potencia del circuito de carga, no poseen ninguna influencia esencial sobre la frecuencia de bombeo, de manera que no son necesarias otras señales para el control de la frecuencia de bombeo, que dependen de variables distintas a la tensión de alimentación.

En una configuración preferida de la disposición de circuito según la invención, puede estar previsto que el circuito de bombeo esté controlado por medio de la señal de control del circuito de control para la cesión de una potencia de bombeo al menos aproximadamente constante al circuito de carga, donde la cesión de la potencia de bombeo del circuito de bombeo es controlada por medio del circuito de control esencialmente proporcional al producto del valor de la tensión de alimentación y de la frecuencia de bombeo. Para mantener la potencia de bombeo del circuito de bombeo en un valor constante, puede estar previsto controlar la frecuencia de bombeo a través del valor de la tensión de alimentación de tal forma que se compense la influencia del valor de la tensión de alimentación sobre la potencia de bombeo.

Teniendo en cuenta la relación proporcional entre la potencia de bombeo, por una parte, y el producto de la tensión de alimentación y la frecuencia de bombeo, por otra parte, puede estar previsto, además, que la cesión de la potencia de bombeo del circuito de bombeo esté controlada por medio del circuito de control en función del valor de la tensión de alimentación de tal forma que la frecuencia de bombeo es indirectamente proporcional al valor de la tensión de alimentación. En un circuito de bombeo con la potencia de bombeo P = c*U*f, donde P representa la potencia de bombeo, c representa un factor idealmente constante, U representa la tensión de alimentación y f representa la frecuencia de bombeo, de forma ideal un circuito de control, que controla la frecuencia de bombeo f según la relación f = d/U, donde d representa una constante ideal, mantendría la potencia de bombeo en un valor constante. Para la dependencia de la frecuencia de bombeo resulta de esta manera entonces: P = C*d. En un circuito de este tipo de la frecuencia de bombeo, que es indirectamente proporcional al valor de la tensión de alimentación, se puede compensar la dependencia de la potencia de bombeo de la tensión de alimentación y de la frecuencia de bombeo. En circuitos reales, las constantes c y d dependen, por ejemplo, de la temperatura o de parámetros específicos de los componentes. Esta influencia, se puede compensar, si se considera necesario, dado el caso a través de medidas técnicas de circuito adecuadas.

Además, con una configuración preferida de la disposición de circuito según la invención puede estar previsto que el circuito de control para la generación y emisión de la señal de circuito presente un circuito de oscilador, cuya frecuencia del oscilador está controlada por la señal de control que se aplica en la salida del circuito de oscilador. En el caso de utilización de la señal generada por el circuito de oscilador como señal de conmutación para el circuito de bombeo, la frecuencia de bombeo es proporcional a la frecuencia del oscilador, con lo que la frecuencia de bombeo es controlada en función de la señal de control.

Para conseguir una relación indirectamente proporcional entre el valor de la tensión de alimentación y la frecuencia de bombeo, puede estar previsto según la invención que la señal de control que se aplica en la entrada del circuito de oscilador esté derivada directamente a partir del valor de la tensión de alimentación. De esta manera, se controla el valor de la frecuencia de bombeo directamente a través del valor de la tensión de alimentación.

En una configuración detallada de la disposición de circuito según la invención, puede estar previsto que el circuito de oscilador presente un circuito de disparo Schmitt. La frecuencia de un circuito de oscilador con un circuito de disparo Schmitt se puede controlar de manera sencilla por una sola tensión, con lo que la disposición de circuito según la invención se puede configurar con un gasto técnico de circuito relativamente reducido.

Para el procesamiento adicional de las señales emitidas por el circuito de oscilador puede estar previsto de una manera ventajosa que el circuito de control asociado al circuito de bombeo presenta un divisor de frecuencia conectado aguas abajo del circuito de oscilador, que conmuta dos señales de pulso de reloj antisimétricas entre sí sobre las dos entradas de bombeo del circuito de bombeo. Para una función perfecta del circuito de bombeo puede estar previsto de forma ventajosa que estén disponibles dos señales de pulso de reloj inversas entre sí, cuyos niveles alto y bajo presentan la misma longitud temporal; tales señales de pulso de reloj se pueden prever de una manera relativamente sencilla por medio del divisor de frecuencia de la disposición de circuito según la invención. El divisor de frecuencia puede estar constituido, por ejemplo, por medio de circuitos de puerta sencillos, que están disponibles en la mayoría de las tecnologías de semiconductores usuales, como por ejemplo en el tipo de construcción TTL o CMOS.

En otra forma de realización preferida de la invención, puede estar previsto que el circuito de bombeo presente un circuito en cascada, que está compuesto por varias etapas con condensadores y con transistores que trabajan como diodos, donde las etapas del circuito en cascada están conectadas en un circuito en serie entre la salida de alta tensión y la tensión de alimentación de tal forma que los transistores que trabajan como diodos están conectados en serie, los condensadores acoplados en los puntos de acoplamiento de los transistores que trabajan como diodos están acoplados de forma alterna, con el lado alejado de los transistores que trabajan como diodos, en las dos entradas de bombeo, y que el circuito de bombeo presente otro transistor reacoplado, que trabaja como diodo, conectado entre la tensión de alimentación y el circuito en serie compuesto por los transistores y que se encuentra con la entrada de control en la tensión de alimentación. A través de la utilización de transistores reacoplados que trabajan como diodos especialmente en la tecnología CMOS se puede mantener reducida la necesidad de superficie sobre el substrato de semiconductores. Un circuito de bombeo de este tipo se puede realizar en la mayoría de las tecnologías de semiconductores habituales, como por ejemplo en el tipo de construcción TTL o CMOS, lo que asegura una posibilidad de integración completa sobre un substrato de semiconductores.

Para garantizar un tipo de construcción lo más compacto posible puede estar previsto de manera ventajosa que la disposición de circuito esté configurada integrada junto con el circuito de carga sobre un substrato de semiconductores. El circuito de oscilador, el divisor de frecuencia y también el circuito en cascada se pueden realizar en la misma tecnología de semiconductores, de manera que es posible una fabricación de componentes monolíticos del circuito sobre un único substrato de semiconductores.

En una aplicación especialmente preferida del circuito de control según la invención puede estar previsto que el circuito de carga electrónico presente un grupo de células de memoria a programar o borrar de una memoria de semiconductores no volátil, que se puede programar y borrar eléctricamente. En este caso, puede estar previsto de forma ventajosa que el valor de la alta tensión sea aproximadamente 18 voltios o -12 voltios, y que el valor de la tensión de alimentación esté con preferencia entre aproximadamente +3 voltios -10% y +5 voltios + 10%.

Para la reducción del gasto técnico de circuito puede estar previsto, además, que el valor de la señal de control corresponda directamente al valor de la tensión de alimentación. En cambio, un circuito de transformación entre la tensión de alimentación y la señal de control tendría como consecuencia posiblemente una función de transmisión no lineal entre la señal de control y la tensión de alimentación, lo que podría provocar una interferencia de la relación indirectamente proporcional entre la frecuencia de bombeo y la tensión de alimentación.

Otras características, ventajas y regularidades de la invención se deducen a partir de la siguiente descripción de un ejemplo de realización con la ayuda del dibujo. En este caso:

La figura 1 muestra una estructura esquemática de una disposición de circuito según la invención.

La figura 2 muestra una estructura esquemática de un circuito de oscilador de disparo Schmitt; y

La figura 3 muestra la curva de tiempo de algunas tensiones de la disposición de circuito según la invención.

La figura 1 muestra un ejemplo de realización de la disposición de circuito según la invención para la alimentación de un circuito de carga electrónico, que se encuentra en la salida de alta tensión 1, no representado en detalle en la figura 1, con una alta tensión eléctrica, cuyo valor, en cuanto al valor absoluto, es mayor que el valor de una tensión de alimentación V_{dd} que alimenta la disposición de circuito. El circuito de carga puede representar con preferencia células de memoria de una memoria de semiconductores, que se puede programar y borrar eléctricamente, prevista en una tarjeta de memoria electrónica o tarjeta de microprocesador. La disposición de circuito presenta un circuito de bombeo 2 conectado con el circuito de carga, que emite, sobre la base de una señal de conmutación interna 3, con una frecuencia de bombeo predeterminada, una alta tensión típicamente de +18 voltios sobre la salida de alta tensión 1 al circuito de carga, de tal forma que la potencia eléctrica de bombeo del circuito de bombeo 2, recibida por el circuito de carga, depende esencialmente tanto del valor de la tensión de alimentación V_{dd} como también del valor de la frecuencia de bombeo de la señal de conmutación 3 del circuito de bombeo 2. La disposición de circuito presenta un circuito de control electrónico 4, asociado al circuito de bombeo 2, alimentado con una tensión derivada de la tensión de alimentación V_{dd} del circuito de bombeo 2, que emite, en función de una señal de control 5, dependiente del valor de la tensión de alimentación V_{dd}, la señal de conmutación 3, que actúa sobre la frecuencia de bombeo para la generación de la alta tensión emitida por el circuito de bombeo 2, al circuito de bombeo 2, de tal forma que la frecuencia de bombeo de la señal de conmutación 3 se comporta de forma inversa al valor de la tensión de alimentación V_{dd}. El circuito de control 4 y el circuito de bombeo 2 están acoplados entre sí a través de salidas de control 6, 7 del circuito de control 4 y de entradas de bombeo 8, 9 del circuito de bombeo 2. En el ejemplo de realización según la figura 1, la señal de control 5 del circuito de control 4 representa directamente la tensión de alimentación V_{dd} de la disposición de circuito. El circuito de control 4 presenta un oscilador de disparo Schmitt 10 y un divisor de frecuencia 22, que está constituido por circuitos de puerta 11 a 21 y que está conectado aguas abajo del oscilador de disparo Schmitt 10. Con referencia a la figura 2, el circuito de oscilador 10 posee una primera entrada de tensión de referencia 23 y una segunda entrada de tensión de referencia 24, en las que se encuentran dos tensiones de referencia constantes para el ajuste de la disposición de circuito. El circuito de oscilador 10 presenta, además, un circuito en serie, que está constituido por cuatro transistores 25 a 28, dos transistores de efecto de campo de canal p 25, 26 y dos transistores de efecto de campo de canal n 27, 28, que está conectado entre la tensión de alimentación V_{dd} y la conexión a masa. Paralelamente al mismo está conectado un segundo circuito en serie, que está constituido por cuatro transistores 29 a 32, dos transistores de efecto de campo de canal p 29, 30 y dos transistores de efecto de campo de canal n 31, 32. La entrada de control del transistor 25 está acoplada en la primera entrada de la tensión de referencia 23, y la entrada de control del transistor 28 está acoplada en la segunda entrada de la tensión de referencia 24. Las entradas de control 26, 27 están conectadas entre sí. Las entradas de control de los transistores 29 a 32 están acopladas entre sí y están conectadas con el punto de acoplamiento de los dos electrodos de los transistores 26, 27. En paralelo a los transistores 26, 27 está conectado, además, un condensador 35. En paralelo a los transistores 29 a 31 está conectado un transistor de efecto de campo de canal p 33. En paralelo a los transistores 30 a 32 está conectado un transistor de efecto de campo de canal n 34. Las entradas de control de los transistores 33, 34 están conectadas con el punto de acoplamiento de los electrodos de los transistores 30, 31 y con las entradas de dos puertas NO 36, 37. La salida de la puerta NO 36 está conectada con la conexión de control común de los transistores 26, 27. La salida de la puerta NO 37 corresponde a la salida 38 del circuito de oscilador 10. El circuito de oscilador 10 está acoplado a través de la salida de oscilador 38 con el divisor de frecuencia 22. El divisor de frecuencia 22, que está formado por la puerta 11 a 21, presenta cinco puertas NO 11 a 15, dos puertas O negativas 16, 17 y cuatro puertas O negativas 18 a 21, que están intercaladas con una puerta Y integrada en cada caso, que están conectadas de la manera que se deduce de la figura 1. La primera y la segunda salida de control 6, 7 del circuito de control 4 están acopladas con la primera y la segunda entrada de bombeo 8, 9, respectivamente, para la alimentación de la señal de conmutación 3 al circuito de bombeo 2. El circuito de bombeo 2, que está constituido por catorce condensadores 39, 40 y quince transistores 40, 41, representa un circuito en cascada, que está compuesto por catorce fases con un condensador 39, 40 y con un transistor 41 que trabaja como diodo, que están conectados según la representación de la figura 1. Las fases del circuito en cascada están conectadas en este caso en un circuito en serie entre la salida de alta tensión 1 y la tensión de alimentación V_{dd} de tal forma que los transistores 41 que trabajan como diodos forman un circuito en serie, los condensadores 39, 40 acoplados en las entradas de control de los transistores 41 que trabajan como diodos están acoplados de forma alterna, con el lado alejado de los transistores 41, en las dos entradas de bombeo 8, 9, estando conectados los condensadores 39 de número par en la entrada de bombeo 8, y los condensadores 40 de número impar en la entrada de bombeo 9. El circuito de bombeo 2 presenta otro transistor 42 reacoplado, que trabaja como diodo, conectado entre la tensión de alimentación V_{dd} y el circuito en serie compuesto por los transistores 41 y que se encuentra con la entrada de control en la tensión de alimentación V_{dd}. En la figura 3 se representan cuatro diagramas 43 a 46, que muestran la curva de tiempo de algunas tensiones de la disposición de circuito representada en las figuras 1 y 2. La primera curva 43 muestra la señal de pulso de reloj que se encuentra en la salida 38, generada por el circuito de oscilador 10 con una tensión de alimentación V = que trabaja como diodo, conectado entre la tensión de alimentación (V_{dd}) y el circuito en serie compuesto por los transistores (41) y que se encuentra con la entrada de control en la tensión de alimentación V_{dd} = 5 voltios, y la segunda curva 44 muestra la alta tensión que se encuentra al mismo tiempo en la salida de la alta tensión 1. De una manera similar, las curvas 45 y 46 muestran la señal de pulso de reloj que se encuentra en la salida 38 o bien la alta tensión que se encuentra en la salida de alta tensión 1 con una tensión de alimentación que trabaja como diodo, conectado entre la tensión de alimentación (V_{dd}) y el circuito en serie compuesto por los transistores (41) y que se encuentra con la entrada de control en la tensión de alimentación V_{dd} = 3 voltios.

A continuación se explica en detalle el modo de funcionamiento de la disposición de circuito representada en las figuras 1 y 2 con la ayuda de las curvas de la tensión mostradas en la figura 3. El oscilador de disparo Schmitt 10 genera en su salida 38 una señal rectangular 45, 46, cuya frecuencia está controlada indirectamente proporcional a la señal de control 5, que es idéntica al valor de la tensión de alimentación V_{dd} de la disposición de circuito. Debido a las tensiones de referencia, que se encuentran en las entradas de la tensión de referencia 23, 24, el circuito en serie representado en la figura 2, que está constituido por los transistores 25 a 28, trabaja como fuente de corriente, cuya corriente es proporcional a la tensión de alimentación V_{dd}. El circuito en serie, reacoplado a través de la puerta NO 36, de los transistores 29 a 31 y el condensador 35 forman un circuito oscilante y generan oscilaciones, que se transforman en señales rectangulares a través de la puerta NO 37 y se alimentan al divisor de frecuencia 22 a través de la salida 38. Una comparación de las curvas 43 y 45, que representan las señales de pulso de reloj en la salida del oscilador 38 con las tensiones de alimentación V_{dd} de 5 voltios y 3 voltios, respectivamente, muestra la relación aproximadamente indirectamente proporcional entre la tensión de alimentación V_{dd} y la frecuencia de pulso de reloj en la salida del oscilador 38. El divisor de frecuencia 22 conectado aguas abajo del oscilador de disparo Schmitt 10 procesa la señal que se encuentra en la salida 38 de tal forma que la señal de conmutación 3 está constituida por dos señales rectangulares siempre inversas entre sí, que se encuentran en las salidas de control 6, 7 y, por lo tanto, en las entradas de bombeo 8, 9. El circuito de bombeo 2 procesa la señal de conmutación 3, que se encuentra en las entradas de bombeo 8, 9, para obtener una alta tensión que se encuentra en la salida de alta tensión 1. Las curvas 44 y 46 ilustran las elevaciones de la alta tensión que se encuentra en la salida de alta tensión 1, realizadas por paquetes por el circuito de bombeo 2 con la mitad de la frecuencia de la señal de pulso de reloj correspondiente, que se encuentra en la salida 38 del oscilador, cuyos valores iniciales de alta tensión son las tensiones de alimentación V_{dd} respectivas de 5 voltios y 3 voltios. En ambos casos, se eleva el valor de las altas tensiones, que se encuentran en la salida de alta tensión 1, después de 2 \mus, aproximadamente a tres veces el valor de la tensión de alimentación V_{dd} respectiva, lo que significa una potencia de bombeo casi independiente de la tensión de alimentación V_{dd}.

Claims (11)

1. Disposición de circuito para la alimentación de un circuito de carga electrónico con una alta tensión eléctrica, cuyo valor es, en cuanto al valor absoluto, mayor que el valor de una tensión de alimentación (V_{dd}) que alimenta la disposición de circuito, cuya disposición de circuito presenta un circuito de bombeo (2), conectado eléctricamente con el circuito de carga que, sobre la base de una señal de conmutación interna (3) con una frecuencia de bombeo predeterminada, emite la alta tensión al circuito de carga de tal forma que la potencia de bombeo eléctrica del circuito de bombeo (2) recibida por el circuito de carga depende esencialmente tanto del valor de la tensión de alimentación (V_{dd}) como también del valor de la frecuencia de bombeo de la señal de conmutación (3) del circuito de bombeo (2), donde la disposición de circuito presenta un circuito de control electrónico (4) asociado al circuito de bombeo (2), alimentado con una tensión derivada al menos a partir de la tensión de alimentación (V_{dd}) del circuito de bombeo, cuyo circuito electrónico emite en función de una señal de control (5) dependiente del valor de la tensión de alimentación (V_{dd}) una señal de conmutación (3), que actúa sobre la frecuencia de bombeo para la generación de la alta tensión emitida por el circuito de bombeo (2), al circuito de bombeo (2), de tal forma que el valor de la frecuencia de bombeo de la señal de conmutación (3) se comporta de forma inversa al valor de la tensión de alimentación (V_{dd}), presentando el circuito de control (4) para la generación y emisión de la señal de conmutación (3) un circuito de oscilador (10), cuya frecuencia de oscilador está controlada por la señal de control (5), que se aplica en la entrada del circuito de oscilador (10), que es necesaria como única señal de control para el control de la frecuencia de bombeo, caracterizada porque la señal de control (5) que se encuentra en la entrada del circuito de oscilador 10 está derivada directamente del valor de la tensión de alimentación (V_{dd}).

2. Disposición de circuito según la reivindicación 1, caracterizada porque el circuito de bombeo (2) está controlado por medio de la señal de control (5) del circuito de control (4) para la emisión de una potencia de bombeo al menos aproximadamente constante al circuito de carga.

3. Disposición de circuito según la reivindicación 1 y 2, caracterizada porque la cesión de la potencia de bombeo del circuito de bombeo (2) es controlada por medio del circuito de control (4) esencialmente proporcional al producto del valor de la tensión de alimentación (V_{dd}) y de la frecuencia de bombeo.

4. Disposición de circuito según las reivindicaciones 1 a 3, caracterizada porque la cesión de la potencia de bombeo del circuito de bombeo (2) es controlada por medio del circuito de control (4) en función del valor de la tensión de alimentación (V_{dd}), de tal forma que la frecuencia de bombeo es indirectamente proporcional al valor de la tensión de alimentación (V_{dd}).

5. Disposición de circuito según las reivindicaciones 1 a 3, caracterizada porque el circuito de oscilador (10) presenta un circuito de disparo Schmitt.

6. Disposición de circuito según las reivindicaciones 1 a 4, caracterizada porque el circuito de control (4) asociado al circuito de bombeo (2) presenta un divisor de frecuencia (22) conectado aguas abajo del circuito de oscilador (10), que conmuta dos señales de pulso de reloj antisimétricas entre sí sobre las dos entradas de bombeo (8, 9) el circuito de bombeo (2).

7. Disposición de circuito según las reivindicaciones 1 a 7, caracterizado porque el circuito de bombeo (2) presenta un circuito en cascada, que está compuesto por varias etapas con condensadores (41) en un circuito en serie entre la salida de alta tensión (1) y la tensión de alimentación (V_{dd}), de tal forma que los transistores (41) que trabajan como diodos forman una serie, los condensadores (39, 40) acoplados en los puntos de acoplamiento de los transistores (41) que trabajan como diodos están acoplados de forma alterna, con el lado alejado de los transistores (41) que trabajan como diodos, en las dos entradas de bombeo (8, 9), y porque el circuito de bombeo presenta otro transistor (42) reacoplado, que trabaja como diodo, conectado entre la tensión de alimentación (V_{dd}) y el circuito en serie compuesto por los transistores (41) y que se encuentra con la entrada de control en la tensión de alimentación (V_{dd}).

8. Disposición de circuito según las reivindicaciones 1 a 7, caracterizada porque está configurado integrado en un substrato de semiconductores.

9. Disposición de circuito según las reivindicaciones 1 a 8, caracterizada porque el circuito de carga electrónico presenta un grupo de células de memoria a programar o a borrar de una memoria de semiconductores no volátil, que se puede programar y borrar eléctricamente.

10. Disposición de circuito según las reivindicaciones 1 a 9, caracterizada porque el valor de la señal de control (5) corresponde al valor de la tensión de alimentación (V_{dd}).

11. Disposición de circuito según las reivindicaciones 1 a 10, caracterizada porque el valor de la alta tensión es con preferencia aproximadamente +18 voltios o -12 voltios, y el valor de la tensión de alimentación (V_{dd}) está con preferencia entre aproximadamente +3 voltios \pm 10% y +5 voltios \pm 10%.