UA5386A1 - Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту - Google Patents

Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту

Info

Publication number
UA5386A1
UA5386A1 UA4922227A UA4922227A UA5386A1 UA 5386 A1 UA5386 A1 UA 5386A1 UA 4922227 A UA4922227 A UA 4922227A UA 4922227 A UA4922227 A UA 4922227A UA 5386 A1 UA5386 A1 UA 5386A1
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
monocrystals
bismuth germanate
growing
tepidly
eulitin
Prior art date
Application number
UA4922227A
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Inventor
Станіслав Феліксович Бурачас
Станислав Феликсович Бурачас
Валерій Павлович Мартинов
Валерий Павлович Мартынов
Вадим Іванович Кривошеін
Вадим Иванович Кривошеин
Валерій Григорович Бондар
Валерий Григорьевич Бондар
Станіслав Костянтинович Бондаренко
Станислав Константинович Бондаренко
Євген Миколайович Пирогов
Евгений Николаевич Пирогов
Original Assignee
Науково-Виробниче Об'Єднання "Монокристалреактив"
Научно-Производственное Объединение "Монокристаллреактив"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Науково-Виробниче Об'Єднання "Монокристалреактив", Научно-Производственное Объединение "Монокристаллреактив" filed Critical Науково-Виробниче Об'Єднання "Монокристалреактив"
Priority to UA4922227A priority Critical patent/UA5386A1/uk
Publication of UA5386A1 publication Critical patent/UA5386A1/uk

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

Винахід належить до технології одержання монокристалів германату вісмуту зі структурою евлітіна і може бути використано у промисловому виробництві кристалів, що знаходять більш широке використання у фізиці високих енергій при швидко попиту, який швидко росте, на світовому ринку. Спосіб включає затравлення на обертаючу затравку, розрощування верхньої конусної частини монокристала з заданим тілесним кутом і витягання циліндричної частини, відділення кристалу від розплаву і його охолодження.
UA4922227A 1991-03-28 1991-03-28 Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту UA5386A1 (uk)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UA4922227A UA5386A1 (uk) 1991-03-28 1991-03-28 Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UA4922227A UA5386A1 (uk) 1991-03-28 1991-03-28 Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA5386A1 true UA5386A1 (uk) 1994-12-28

Family

ID=74493399

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UA4922227A UA5386A1 (uk) 1991-03-28 1991-03-28 Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA5386A1 (uk)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0864669A3 (en) Single crystal growth method
EP2336400A3 (en) CdTe single crystal and CdTe polycrystal, and method for producing the same
ATE222613T1 (de) Einkristallpulver- und monokornmembranherstellung
EP0570957A3 (en) Rare-earth metal-nickel hydrogen occlusive alloy ingot and method for production thereof
EP1201793A4 (en) PROCESS AND APPARATUS FOR MANUFACTURING HIGH QUALITY MONOCRYSTALS
AU1110097A (en) Crystalline 1-kestose and process for preparing the same
UA5386A1 (uk) Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту
CN1443879A (zh) 熔盐提拉法生长bbo晶体
JPH01122998A (ja) ＣｄＺｎＴｅ混晶半導体の製造方法
Treser et al. Crystal growth of AgGaS2 by the Bridgman-Stockbarger technique using shaped crucibles
KR920014956A (ko) 결정 성장방법 및 장치
CN1422989A (zh) 多晶硅融化掺氮生长微氮硅单晶的方法
JPS57129896A (en) Liquid phase epitaxial growing apparatus
CN1190529C (zh) 氮气氛生长氮浓度可控微氮直拉硅单晶的方法
JPH0269387A (ja) ２−６族化合物半導体結晶の液相成長法
Fomin et al. Thermal conditions for producing dislocation-free copper single crystals.
JPS6461381A (en) Method for growing single crystal
JPS5435898A (en) Growing method for rare earth element gallium garnet single crystal
JPS6437486A (en) Crucible for crystal growth
JPS55140792A (en) Manufacture of 3-5 group compound semiconductor single crystal
JPS5738397A (en) Apparatus and method for growing crystal
JPS6414193A (en) Method for growing single crystal of iii-v compound semiconductor
JPS55126596A (en) Production of single crystal
CISZEK Method of synthesizing and growing copper-indium-diselenide(CuInSe 2) crystals(Patent Application)
Nause et al. NEW APPROACH TO GROWTH OF BULK ZnO CRYSTALS BY MELT SOLIDIFICATION