UA21203U - Direct current amplifier - Google Patents
Direct current amplifier Download PDFInfo
- Publication number
- UA21203U UA21203U UAU200605106U UAU200605106U UA21203U UA 21203 U UA21203 U UA 21203U UA U200605106 U UAU200605106 U UA U200605106U UA U200605106 U UAU200605106 U UA U200605106U UA 21203 U UA21203 U UA 21203U
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- transistor
- type
- collector
- type transistor
- rpr
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 20
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 claims description 7
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 claims description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 14
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
Опис винаходуDescription of the invention
Корисна модель відноситься до імпульсної техніки і може бути використана в аналогово-дифрових 2 перетворювачах і цифрових вимірювальних приладах.The utility model refers to pulse technology and can be used in analog-to-digital 2 converters and digital measuring devices.
Відомо підсилювач постійного струму Деклараційний патент України на корисну модель Мо11189. БюлетеньThe DC amplifier is known. Declaratory patent of Ukraine for utility model Mo11189. Bulletin
Мо12, 2005р.), який містить перший та другий вхідні транзистори відповідно рпр-типу і прпи-типу. Емітери цих транзисторів з'єднано між собою і з вхідною шиною через вхідний резистор. Третій та четвертий транзистори, які мають структуру відповідно другого та першого вхідних транзисторів, колекторами з'єднано з колекторами 70 першого та другого вхідних транзисторів, а емітерами - до шин позитивного і негативного живлення. Перший транзистор рпр-типу в діодному включенні колектором і базою з'єднано з шиною позитивного живлення через перше джерело струму, а емітером - з шиною нульового потенціалу. Другий транзистор прп-типу в діодному включенні колектором і базою з'єднано з шиною негативного живлення через друге джерело струму, а емітером - з шиною нульового потенціалу. Бази першого транзистора та першого вхідного транзистора, а також другого 12 транзистора та другого вхідного транзистора з'єднані між собою. П'ятий транзистор прп-типу в діодному включенні емітером з'єднано з шиною позитивного живлення, а колектором і базою - з базою третього транзистора та колектором шостого транзистора. Восьмий транзистор рпр-типу емітером з'єднано з шиною негативного живлення, а колектором і базою - з базою четвертого транзистора та колектором сьомого транзистора. Шостий і сьомий транзистори відповідно рпр- та прп- типів з'єднано колекторами, їх бази з'єднано з базою і колектором дев'ятого і десятого транзисторів відповідно. Дев'ятий транзистор рпр-типу в діодному включенні базою і колектором з'єднано з колектором дванадцятого транзистора, а емітером - з шиною нульового потенціалу. Десятий транзистор прп-типу в діодному включенні базою і колектором з'єднано з колектором тринадцятого транзистора., а емітером - з шиною нульового потенціалу. Дванадцятий транзистор прпи-типу базою з'єднаний з колекторами третього транзистора і першого вхідного транзистора, а емітером - з колектором 22 одинадцятого транзистора і базою шістнадцятого транзистора. Тринадцятий транзистор рпр-типу базою -о з'єднаний з колекторами четвертого транзистора і другого вхідного транзистора, а емітером - з колектором чотирнадцятого транзистора і базою дев'ятнадцятого транзистора. Одинадцятий транзистор прп-типу емітером з'єднано з шиною позитивного живлення, а базою - з базою і колектором п'ятнадцятого транзистора.Mo12, 2005), which contains the first and second input transistors of rpr-type and prpy-type, respectively. The emitters of these transistors are connected to each other and to the input bus via an input resistor. The third and fourth transistors, which have the structure of the second and first input transistors, respectively, are connected by collectors to the collectors 70 of the first and second input transistors, and by emitters to the positive and negative supply buses. The first rpr-type transistor in the diode connection is connected by the collector and the base to the positive power bus through the first current source, and by the emitter - to the bus of zero potential. The second prp-type transistor in the diode connection is connected by the collector and the base to the negative power bus through the second current source, and the emitter to the bus of zero potential. The bases of the first transistor and the first input transistor, as well as the second 12 transistor and the second input transistor are connected together. The fifth prp-type transistor in the diode connection is connected by the emitter to the positive power bus, and the collector and base - to the base of the third transistor and the collector of the sixth transistor. The eighth rpr-type transistor is connected by the emitter to the negative power bus, and the collector and base - to the base of the fourth transistor and the collector of the seventh transistor. The sixth and seventh transistors of rpr and prp types, respectively, are connected by collectors, their bases are connected to the base and collector of the ninth and tenth transistors, respectively. The ninth rpr-type transistor in the diode connection is connected by the base and collector to the collector of the twelfth transistor, and the emitter to the bus of zero potential. The tenth prp-type transistor in the diode connection is connected by the base and collector to the collector of the thirteenth transistor, and the emitter to the bus of zero potential. The twelfth prpy-type transistor is connected by the base to the collectors of the third transistor and the first input transistor, and the emitter to the collector 22 of the eleventh transistor and the base of the sixteenth transistor. The thirteenth rpr-type transistor is connected by the -o base to the collectors of the fourth transistor and the second input transistor, and the emitter - to the collector of the fourteenth transistor and the base of the nineteenth transistor. The eleventh prp-type transistor is connected by the emitter to the positive power bus, and the base to the base and collector of the fifteenth transistor.
Чотирнадцятий транзистор рпр-типу емітером з'єднано з шиною негативного живлення, а базою - з базою і о колектором двадцятого транзистора. П'ятнадцятий і двадцятий транзистори прп-типу і рпр-типу відповідно Га») з'єднано з шинами позитивного і негативного живлення. Шістнадцятий транзистор прп-типу емітером з'єднано з колектором і базою п'ятнадцятого транзистора, базою - з колектором одинадцятого та емітером дванадцятого с транзисторів, а колектором - з базою першого вихідного транзистора та колектором і базою сімнадцятого «-- транзистора. Дев'ятнадцятий транзистор рпр-типу емітером з'єднано з колектором і базою двадцятогоThe fourteenth rpr-type transistor is connected by the emitter to the negative power bus, and the base to the base and the collector of the twentieth transistor. The fifteenth and twentieth prp-type and rpr-type transistors, respectively, are connected to the positive and negative supply buses. The emitter of the sixteenth prp-type transistor is connected to the collector and base of the fifteenth transistor, the base is connected to the collector of the eleventh and the emitter of the twelfth transistors, and the collector is connected to the base of the first output transistor and the collector and base of the seventeenth transistor. The nineteenth rpr-type transistor is connected by the emitter to the collector and the base of the twentieth
Зо транзистора, базою - з колектором чотирнадцятого та емітером тринадцятого транзисторів, а колектором - з с базою другого вихідного транзистора та колектором і базою вісімнадцятого транзистора. Сімнадцятий і вісімнадцятий транзистори в діодному включенні рпр-типу і прпи-типу відповідно емітерами з'єднано з емітерами першого та другого вхідних транзисторів через коригуючий конденсатор, а базами і колекторами - з колектором «8, шістнадцятого транзистора і базою першого вихідного транзистора та з колектором дев'ятнадцятого транзистора З | базою другого вхідного транзистора відповідно. Перший та другий вихідні транзистори рпр-типу і прп-типу с відповідно емітерами з'єднано з шиною нульового потенціалу через вихідний резистор і з вхідним резистором з» через резистор зворотного зв'язку, а колекторами - відповідно з шинами позитивного і негативного живлення.From the transistor, the base - with the collector of the fourteenth and the emitter of the thirteenth transistor, and the collector - with the base of the second output transistor and the collector and base of the eighteenth transistor. The seventeenth and eighteenth transistors in the rpr-type and prp-type diode connection, respectively, are connected by their emitters to the emitters of the first and second input transistors through the correcting capacitor, and by their bases and collectors - to the collector "8, the sixteenth transistor and the base of the first output transistor and to the collector of the nineteenth transistor Z | the base of the second input transistor, respectively. The first and second output transistors of rpr-type and prp-type with emitters, respectively, are connected to the bus of zero potential through the output resistor and to the input resistor with" through the feedback resistor, and the collectors are connected to the positive and negative supply buses, respectively.
Недоліком пристрою є низький вхідний опір, а також наявність вхідного струму, що призводить до появи похибки зміщення нуля, якщо опір генератора вхідного сигналу має ненульове значення, що обмежує функціональні можливості при роботі з ємнісним джерелом вхідного сигналу, оскільки наявність вхідного струму ді призводить до появи значних динамічних похибок. - За найближчий аналог обрано різницевий підсилювач струму Деклараційний патент України на корисну модель Мо11301. Бюлетень Мо12, 2005р.), який містить перший та другий транзистори відповідно прп-типу і о рпр-типу в діодному вмиканні. Емітери цих транзисторів з'єднано з шинами позитивного і негативного живлення. о 20 Перший транзистор рпр-типу базою і колектором з'єднано з базою третього транзистора рпр-типу і через перший резистор з колектором і базою другого транзистора прп-типу. Другий транзистор прп-типу базою і колектором с» з'єднано з базою четвертого транзистора прп-типу. Третій транзистор прп-типу емітером з'єднано з шиною позитивного живлення і колектором - з базою та колектором п'ятого транзистора прп-типу. Четвертий транзистор рпр-типу емітером з'єднано з шиною негативного живлення, а колектором - з базою і колектором шостого 29 транзистора рпр-типу. П'ятий і шостий транзистори рпр-типу і прпо-типу відповідно в діодному включенні с емітерами з'єднано з шиною нульового потенціалу, а об'єднаними базою і колектором - з базами першого прпи-типу і другого рпр-типу вхідних транзисторів відповідно. Сьомий транзистор прп-типу емітером з'єднано з шиною позитивного живлення, а колектором - з колектором першого вхідного транзистора прп-типу. Восьмий транзистор рпр-типу емітером з'єднано з шиною негативного живлення, а колектором - з колектором другого 60 вхідного транзистора рпр-типу. Перший та другий вхідні транзистори відповідно рпр-типу і прп-типу об'єднані емітерами і з'єднані з вхідною шиною. Дев'ятий транзистор прп-типу в діодному включенні емітером з'єднано з шиною позитивного живлення. Базу і колектор цього транзистора об'єднано і з'єднано з колектором десятого транзистора прп-типу та базою сьомого транзистора прп-типу. Дванадцятий транзистор рпр-типу в діодному включенні емітером з'єднано з шиною негативного живлення. Базу і колектор цього транзистора об'єднано і 62 з'єднано з колектором одинадцятого транзистора рпр-типу та базою восьмого транзистора прп-типу. Десятий і одинадцятий транзистори рпр-типу і прпи-типу відповідно об'єднано колекторами. Тринадцятий транзистор при-типу емітером з'єднано з шиною позитивного живлення. Базу і колектор цього транзистора об'єднано і через другий резистор з'єднано з точкою об'єднання бази і колектора дев'ятого транзистора рпр-типу. Вісімнадцятий транзистор рпр-типу емітером з'єднано з шиною негативного живлення. Базу і колектор цього транзистора об'єднано і через третій резистор з'єднано з точкою об'єднання бази і колектора дванадцятого транзистора при-типу. Чотирнадцятий транзистор прп-типу базою з'єднано з точкою об'єднання колекторів сьомого транзистора рпр-типу і першого вхідного транзистора прп-типу. Емітером цей транзистор з'єднаний з точкою об'єднання бази і колектора тринадцятого транзистора рпр-типу. Сімнадцятий транзистор рпр-типу базою /о З'єднано з точкою об'єднання колекторів восьмого транзистора прп-типу і другого вхідного транзистора рпр-типу. Емітером цей транзистор з'єднаний з точкою об'єднання бази і колектора вісімнадцятого транзистора прп-типу. П'ятнадцятий і шістнадцятий транзистори відповідно прп-типу і рпр-типу об'єднано емітерами.The disadvantage of the device is a low input resistance, as well as the presence of an input current that leads to the appearance of a zero offset error if the resistance of the input signal generator has a non-zero value, which limits the functionality when working with a capacitive input signal source, since the presence of an input current leads to the appearance of significant dynamic errors. - As the closest analogue, the differential current amplifier declared by the Ukrainian utility model Mo11301 was chosen. Bulletin Mo12, 2005), which contains the first and second transistors of the prp-type and o-rpr-type, respectively, in diode switching. The emitters of these transistors are connected to the positive and negative supply buses. o 20 The first rpr-type transistor is connected by the base and collector to the base of the third rpr-type transistor and through the first resistor to the collector and the base of the second rpr-type transistor. The second prp-type transistor is connected to the base of the fourth prp-type transistor by the base and collector c». The emitter of the third prp-type transistor is connected to the positive power bus and the collector is connected to the base and collector of the fifth prp-type transistor. The fourth rpr-type transistor is connected to the negative power bus by the emitter, and the collector is connected to the base and collector of the sixth rpr-type transistor 29. The fifth and sixth rpr-type and prpo-type transistors, respectively, in diode connection with emitters are connected to the bus of zero potential, and the combined base and collector - to the bases of the first prpy-type and second rpr-type input transistors, respectively. The seventh prp-type transistor is connected by the emitter to the positive power bus, and the collector is connected to the collector of the first prp-type input transistor. The eighth rpr-type transistor is connected by the emitter to the negative power bus, and the collector is connected to the collector of the second 60 rpr-type input transistor. The first and second input transistors of rpr-type and prp-type, respectively, are combined by emitters and connected to the input bus. The ninth prp-type transistor in the diode circuit is connected by the emitter to the positive power supply bus. The base and collector of this transistor are combined and connected to the collector of the tenth prp-type transistor and the base of the seventh prp-type transistor. The twelfth rpr-type transistor in the diode circuit is connected by the emitter to the negative power bus. The base and collector of this transistor are combined and 62 is connected to the collector of the eleventh prp-type transistor and the base of the eighth prp-type transistor. The tenth and eleventh rpr-type and prpy-type transistors, respectively, are connected by collectors. The thirteenth P-type emitter is connected to the positive power bus. The base and collector of this transistor are combined and connected through the second resistor to the point of connection of the base and collector of the ninth RPR-type transistor. The eighteenth rpr-type transistor is connected to the negative power bus by the emitter. The base and collector of this transistor are combined and connected through the third resistor to the point of connection of the base and collector of the twelfth transistor of the type. The fourteenth prp-type transistor is connected by the base to the junction point of the collectors of the seventh prp-type transistor and the first prp-type input transistor. The emitter of this transistor is connected to the junction point of the base and the collector of the thirteenth rpr-type transistor. The seventeenth rpr-type transistor with a /o base is connected to the junction point of the collectors of the eighth rpr-type transistor and the second rpr-type input transistor. The emitter of this transistor is connected to the junction point of the base and the collector of the eighteenth prp-type transistor. The fifteenth and sixteenth transistors of the prp-type and rpr-type, respectively, are connected by emitters.
Об'єднані база і колектор п'ятнадцятого транзистора прп-типу з'єднані з базою десятого транзистора прп-типу і з колектором чотирнадцятого транзистора рпр-типу, а об'єднані база і колектор шістнадцятого транзистора 7/5 рпр-типу з'єднані з базою одинадцятого транзистора рпр-типу і колектором сімнадцятого транзистора прп-типу.The combined base and collector of the fifteenth prp-type transistor are connected to the base of the tenth prp-type transistor and to the collector of the fourteenth rpr-type transistor, and the combined base and collector of the sixteenth transistor 7/5 rpr-type are connected with the base of the eleventh rpr-type transistor and the collector of the seventeenth rpr-type transistor.
Перший, другий та третій вихідні транзистори прп-типу колекторами з'єднано з шиною позитивного живлення, а базами - з точкою з'єднання колекторів чотирнадцятого і п'ятнадцятого транзисторів рпр-типу і прп-типу відповідно. Четвертий, п'ятий та шостий вихідні транзистори рпр-типу колекторами з'єднано з шиною негативного живлення, а базами - з точкою з'єднання колекторів шістнадцятого і сімнадцятого транзисторів рпр-типу і при-типу відповідно. Перший, другий, третій, четвертий, п'ятий та шостий вихідні транзистори об'єднано емітерами, точка їх об'єднання через резистор навантаження з'єднана з шиною нульового потенціалу, через коригуючий конденсатор - з точкою об'єднання емітерів першого та другого вхідних транзисторів прп-типу і рпр-типу відповідно, а через резистор зворотного зв'язку - з вхідною шиною.The first, second, and third output transistors of the prp-type are connected to the positive power bus by the collectors, and the bases are connected to the point of connection of the collectors of the fourteenth and fifteenth transistors of the prp-type and prp-type, respectively. The fourth, fifth, and sixth RPR-type output transistors are connected to the negative power bus by their collectors, and the bases are connected to the point of connection of the collectors of the sixteenth and seventeenth RPR-type and pri-type transistors, respectively. The first, second, third, fourth, fifth and sixth output transistors are connected by emitters, the point of their connection through the load resistor is connected to the bus of zero potential, through the correcting capacitor - to the point of connection of the emitters of the first and second input prp-type and rpr-type transistors, respectively, and through the feedback resistor - with the input bus.
Основними недоліками найближчого аналога є низький вхідний опір і наявність вхідного струму, що г призводить до появи похибки зміщення нуля, якщо опір генератора вхідного сигналу має ненульове значення, що обмежує функціональні можливості при роботі з ємнісним джерелом вхідного сигналу, оскільки наявність т вхідного струму призводить до появи значних динамічних похибок.The main disadvantages of the closest analogue are low input resistance and the presence of an input current, which leads to the appearance of a zero offset error if the resistance of the input signal generator has a non-zero value, which limits the functionality when working with a capacitive input signal source, since the presence of t input current leads to appearance of significant dynamic errors.
В основу корисної моделі поставлено задачу створення підсилювача постійного струму, в якому за рахунок введення нових елементів та зв'язків між ними підвищується вхідний опір, з'являється можливість поширення с зо галузі використання приладу, що приводить до економії шляхом використання приладу в різноманітних пристроях імпульсної та обчислювальної техніки, автоматики тощо. оThe basis of a useful model is the task of creating a direct current amplifier, in which, due to the introduction of new elements and connections between them, the input resistance increases, the possibility of spreading the device in the field of use appears, which leads to savings through the use of the device in various impulse devices and computer equipment, automation, etc. at
Поставлена задача досягається тим, що в підсилювач постійного струму, який містить шину нульового с потенціалу, шини позитивного та негативного живлення, вихідну шину, резистор зворотного зв'язку, коригуючий конденсатор, шістнадцять біполярних транзисторів, причому перший транзистор рпр-типу емітером з'єднано з --The task is achieved by adding sixteen bipolar transistors to the DC amplifier, which contains a bus of zero potential, positive and negative power buses, an output bus, a feedback resistor, a correction capacitor, and the first rpr-type transistor is connected to the emitter with --
Зз5 Шиною позитивного живлення, другий транзистор прп-типу в діодному включенні точкою об'єднання бази та с колектора з'єднано є базою шостого транзистора прп-типу, третій транзистор рпр-типу в діодному включенні точкою об'єднання бази і колектора з'єднано з базою сьомого транзистора рпр-типу, четвертий транзистор при-типу емітером з'єднано з шиною негативного живлення, п'ятий транзистор рпр-типу колектором з'єднано з шиною позитивного живлення, а колектором - з колектором шостого транзистора прп-типу, восьмий транзистор « при-типу емітером з'єднано з шиною негативного живлення, а колектором - з колектором сьомого транзистора /- с рпр-типу, дев'ятий транзистор рпр-типу в діодному включенні емітером з'єднано з шиною позитивного живлення,Зз5 By the positive power bus, the second transistor of the prp-type in the diode connection by the point of union of the base and the collector is connected to the base of the sixth transistor of the prp-type, the third transistor of the rpr-type in the diode connection by the point of union of the base and the collector is connected with the base of the seventh rpr-type transistor, the fourth pri-type transistor is connected to the negative supply bus by the emitter, the fifth rpr-type transistor is connected to the positive supply bus by the collector, and the collector is connected to the collector of the sixth prp-type transistor, the eighth the emitter of the p-type transistor is connected to the negative power bus, and the collector is connected to the collector of the seventh transistor /- with rpr-type, the ninth rpr-type transistor in diode connection is connected by the emitter to the positive power bus,
Й а точкою об'єднання колектора і бази - з колектором десятого транзистора рпр-типу, десятий транзистор а рпр-типу колектором з'єднано з точкою об'єднання бази та колектора одинадцятого транзистора прп-типу та з базою п'ятнадцятого транзистора прп-типу, одинадцятий транзистор прп-типу емітером з'єднано з емітером дванадцятого транзистора рпр-типу, дванадцятий транзистор рпр-типу в діодному включенні точкою об'єднанняAnd the junction point of the collector and the base is with the collector of the tenth RPR-type transistor, the tenth RPR-type transistor is connected by the collector to the junction point of the base and collector of the eleventh PRP-type transistor and with the base of the fifteenth PRP-type transistor type, the eleventh prp-type transistor is connected by the emitter to the emitter of the twelfth rpr-type transistor, the twelfth rpr-type transistor is diode connected by the junction point
ГІ колектора і бази з'єднано з колектором тринадцятого транзистора прп-типу та з базою шістнадцятого а транзистора рпр-типу, тринадцятий транзистор при-типу емітером з'єднано з точкою об'єднання колектора і бази чотирнадцятого транзистора прп-типу, чотирнадцятий транзистор прп-типу емітером з'єднано з шиноюThe GI of the collector and the base is connected to the collector of the thirteenth prp-type transistor and to the base of the sixteenth a prp-type transistor, the thirteenth pri-type transistor is connected by the emitter to the junction point of the collector and the base of the fourteenth prp-type transistor, the fourteenth prp transistor -type emitter connected to the bus
ГІ негативного живлення, п'ятнадцятий транзистор прп-типу колектором з'єднано з шиною позитивного живлення, а емітером - з емітером шістнадцятого транзистора рпр-типу та вихідною шиною, шістнадцятий транзистор о рпр-типу колектором з'єднано з шиною негативного живлення, введено чотири польових транзистори, два сю джерела струму та вхідний резистор, причому перший транзистор рпр-типу в діодному включенні емітером з'єднано з шиною позитивного живлення, точкою об'єднання колектора і бази через перше джерело живлення - з точкою об'єднання бази та колектора другого транзистора прп-типу, а також з базою п'ятого транзистора в рпр-типу та точкою об'єднання бази та колектора дев'ятого транзистора рпр-типу, другий транзистор прп-типу в діодному включенні базю з'єднано з базою шостого транзистора прп-типу, а емітером - з точкою об'єднання с витоку та підкладки першого польового транзистора з каналом р-типу, перший польовий транзистор з каналом р-типу затвором і стоком об'єднано з затвором і стоком другого польового транзистора з каналом п-типу відповідно і з'єднано з шиною нульового потенціалу, другий польовий транзистор з каналом п-типу витоком і бо підкладкою з'єднано з емітером третього транзистора рпр-типу, третій транзистор рпр-типу в діодному включенні точкою об'єднання бази і колектора з'єднано з базою сьомого транзистора рпр-типу і через друге джерело струму - з точкою об'єднання бази і колектора четвертого транзистора прп-типу, четвертий транзистор при-типу в діодному включенні емітером з'єднано з шиною негативного живлення, п'ятий транзистор рпр-типу емітером з'єднано з шиною позитивного живлення, а колектором - з базою десятого транзистора рпр-типу та колектором 65 /Шостого транзистора прп-типу, шостий транзистор прп-типу емітером з'єднано з витоком та підкладкою третього польового транзистора з каналом р-типу, третій польовий транзистор з каналом р-типу стоком об'єднано зі стоком четвертого польового транзистора п-типу і з'єднано з шиною нульового потенціалу, а затвором об'єднано з затвором четвертого польового транзистора з каналом п-типу і з'єднано через вхідний резистор з вхідною шиною і через паралельно увімкнені резистор зворотного зв'язку та коригуючий конденсатор - з вихідною шиною,GI of negative supply, the fifteenth prp-type transistor is connected to the positive supply bus by the collector, and the emitter is connected to the emitter of the sixteenth rpr-type transistor and the output bus, the sixteenth o rpr-type transistor is connected by the collector to the negative supply bus, introduced four field-effect transistors, two syu current sources and an input resistor, and the first rpr-type transistor in the diode connection is connected by the emitter to the positive power bus, the point of connection of the collector and the base through the first power source - to the point of connection of the base and the collector of the second prp-type transistor, as well as with the base of the fifth prp-type transistor and the junction point of the base and the collector of the ninth prp-type transistor, the second prp-type transistor in the diode connection of the base is connected to the base of the sixth transistor prp-type, and the emitter - with the point of connection with the drain and the substrate of the first field-effect transistor with a p-type channel, the first field-effect transistor with a p-type channel with a gate and a drain is combined with a gate and a drain m of the second field-effect transistor with an n-type channel, respectively, and is connected to the bus of zero potential, the second field-effect transistor with an n-type channel is connected to the emitter of the third rpr-type transistor by the drain and bo substrate, the third rpr-type transistor in diode connection the base and collector junction point is connected to the base of the seventh rpr-type transistor and through the second current source - to the junction point of the base and collector of the fourth prp-type transistor, the fourth p-type transistor in diode-connected emitter is connected to negative supply bus, the emitter of the fifth rpr-type transistor is connected to the positive supply bus, and the collector is connected to the base of the tenth rpr-type transistor and the collector 65 / of the sixth rpr-type transistor, the sixth rpr-type transistor is connected to the emitter of drain and substrate of the third field-effect transistor with a p-type channel, the third field-effect transistor with a p-type channel is connected by the drain to the drain of the fourth p-type field-effect transistor and connected to the bus of zero potential, and the thief is combined with the gate of the fourth field-effect transistor with an n-type channel and is connected through the input resistor to the input bus and through the parallel connected feedback resistor and the correction capacitor - to the output bus,
Четвертий польовий транзистор з каналом п-типу витоком і підкладкою з'єднано з емітером сьомого транзистора рпр-типу, сьомий транзистор рпр-типу колектором з'єднано з колектором восьмого транзистора прп-типу та базою тринадцятого транзистора прп-типу, восьмий транзистор прп-типу емітером з'єднано з шиною негативного живлення, дев'ятий транзистор рпр-типу в діодному включенні емітером з'єднано з шиною позитивного живлення, а точкою об'єднання і та колектора - з емітером десятого транзистора рпр-типу, десятий транзистор 7/0 Впр-типу колектором з'єднано з точкою об'єднання колектора і бази одинадцятого транзистора прп-типу та з базою п'ятнадцятого транзистора прп-типу, одинадцятий транзистор прп-типу емітером з'єднано з емітером дванадцятого транзистора рпр-типу, дванадцятий транзистор рпр-типу в діодному включенні точкою об'єднання колектора і бази з'єднано з колектором тринадцятого транзистора прп-типу та базою шістнадцятого транзистора рпр-типу, тринадцятий транзистор прп-типу емітером з'єднано з точкою об'єднання колектора і бази 7/5 Чотирнадцятого транзистора прп-типу, чотирнадцятий транзистор при-типу емітером з'єднано з шиною негативного живлення, п'ятнадцятий транзистор колектором з'єднано з шиною позитивного живлення, а емітером - з емітером шістнадцятого транзистора рпр-типу та з вихідною шиною, шістнадцятий транзистор рпр-типу колектором з'єднано з шиною негативного живлення.The fourth field-effect transistor with an n-type channel is connected to the emitter of the seventh rpr-type transistor by the drain and substrate, the seventh rpr-type transistor is connected by the collector to the collector of the eighth prp-type transistor and the base of the thirteenth rpr-type transistor, the eighth rpr-type transistor type, the emitter is connected to the negative power bus, the ninth rpr-type transistor in the diode connection is connected by the emitter to the positive power bus, and the point of union of both and the collector is connected to the emitter of the tenth rpr-type transistor, the tenth transistor 7/ 0 Vpr-type collector is connected to the junction point of the collector and the base of the eleventh prp-type transistor and to the base of the fifteenth prp-type transistor, the eleventh prp-type transistor is connected by the emitter to the emitter of the twelfth rpr-type transistor, the twelfth the rpr-type transistor in the diode connection is connected to the collector of the thirteenth rpr-type transistor and the base of the sixteenth rpr-type transistor by the junction point of the collector and the base, the thirteenth rpr-type transistor is the emitter connected to the junction point of the collector and the base 7/5 of the fourteenth prp-type transistor, the fourteenth pri-type transistor is connected to the negative power bus by the emitter, the fifteenth transistor is connected to the positive power bus by the collector, and the emitter - with the emitter of the sixteenth rpr-type transistor and the output bus, the sixteenth rpr-type transistor is connected to the negative supply bus by the collector.
На кресленні представлено принципову схему підсилювача постійного струму.The drawing shows the schematic diagram of the DC amplifier.
Транзистори 4 та 5 (з каналами п-типу та р-типу відповідно) об'єднано стоками та затворами і з'єднано з шиною нульового потенціалу. Підкладки і витоки цих транзисторів об'єднано і з'єднано з емітером транзистора З прп-типу та транзистора 6 рпр-типу відповідно. Транзистор З прп-типу в діодному включенні об'єднано базою і колектором, точку об'єднання з'єднано з базою транзистора 10 прп-типу та через джерело струму 2 - з точкою об'єднання бази і колектора транзистора 1 рпр-типу. Транзистор 6 рпр-типу в діодному включенні об'єднано ов базою і колектором, точку об'єднання з'єднано з базою транзистора 13 рпр-типу та через джерело струму 7-3 точкою об'єднання бази і колектора транзистора 8 прп-типу. Транзистор 1 рпр-типу в діодному включені т колектором з'єднано з шиною позитивного живлення 24, а точка об'єднання його бази і колектора з'єднана з базою транзистора 9 рпр-типу. Транзистор 8 прп-типу в діодному включенні емітером з'єднаний з шиною негативного живлення 25, а точка об'єднання його бази і колектора з'єднана з базою транзистора 14 прп-типу. с зо Транзистор 9 рпр-типу емітером з'єднано з шиною позитивного живлення 24, колектором - з базою транзистора 16 рпр-типу і з колектором транзистора 10 прп-типу, а базою - з точками об'єднання бази і колектора 15 і 1 о транзисторів рпр-типу. Транзистор 14 прп-типу емітером з'єднано з шиною негативного живлення 25, колектором су - з базою транзистора 19 прп-типу і з колектором транзистора 13 рпр-типу, а базою - з точками об'єднання бази і колектора 20 і 8 біполярних транзисторів прп-типу. Транзистор 10 прп-типу емітером з'єднано з витоком і -- підкладкою транзистора 11 з каналом р-типу. Транзистор 13 рпр-типу емітером з'єднано з витоком і підкладкою с транзистора 12 з каналом п-типу. Транзистори 11 та 12 з каналами р-типу та п-типу відповідно об'єднано стоками і точкою об'єднання з'єднано з шиною нульового потенціалу. Затвори цих транзисторів об'єднано і через вхідний резистор 27 їх з'єднано з вхідною шиною 28. Транзистор 15 рпр-типу в діодному включенні емітером з'єднано з шиною позитивного живлення 24, точка об'єднання його колектора і бази з'єднана з емітером « транзистора 16 рпр-типу. Транзистор 20 прп-типу в діодному включенні емітером з'єднано з шиною негативного Ше) с живлення 25, точкою об'єднання його колектора і бази з'єднано з емітером транзистора 19 прп-типу. Транзистор 16 рпр-типу колектором з'єднано з базою транзистора 21 прп-типу і з точкою об'єднання колектора та бази ;» транзистора 17 прп-типу. Транзистор 19 прп-типу колектором з'єднано з базою транзистора 22 рпр-типу і з точкою об'єднання колектора та бази транзистора 18 рпр-типу. 17 та 18 транзистори в діодному включенні при-типу та рпр-типу відповідно об'єднано емітерами. 21 та 22 транзистори прп-типу та рпр-типу об'єднано ко емітерами, точка об'єднання є виходом підсилювача 23, вона ж через коригуючий конденсатор 29 з'єднана з точкою об'єднання затворів транзисторів 11 та 12 (з каналами р-типу та п-типу відповідно). Вихідна шина 23 - через резистор зворотного зв'язку 28 з'єднана з точкою об'єднання затворів транзисторів 11 та 12 (з каналами ко р-типу та п-типу відповідно). Транзистор 21 прпи-типу колектором з'єднано з шиною позитивного живлення 24, а 5ор транзистор 22 рпр-типу колектором з'єднано з шиною негативного живлення 25. о Пристрій працює таким чином. 4) При подачі на вхід схеми 26 додатної напруги Ову, вона через вхідний резистор 27 поступає на затвори транзисторів 11 та 12. Транзистор 12 привідкривається, струм через перехід стік-витік цього транзистора збільшується і поступає в емітер транзистора 13. Колекторний струм транзистора 13 теж збільшується. Це ов призводить до збільшення базового струму транзистора 19, відповідно збільшується і його колекторний струм.Transistors 4 and 5 (with n-type and p-type channels, respectively) are connected by drains and gates and connected to a bus of zero potential. The bases and drains of these transistors are combined and connected to the emitter of the C prp-type transistor and the prp-type transistor 6, respectively. Transistor Z prp-type in the diode connection is connected by the base and collector, the point of connection is connected to the base of transistor 10 prp-type and through current source 2 - to the point of connection of the base and collector of transistor 1 prp-type. Transistor 6 rpr-type in diode connection is combined with the base and collector, the junction point is connected to the base of transistor 13 rpr-type and through the current source 7-3 to the point of union of the base and collector of transistor 8 prp-type. Transistor 1 rpr-type in the diode connected t collector is connected to the positive power bus 24, and the point of union of its base and collector is connected to the base of the transistor 9 rpr-type. Transistor 8 of the prp-type in diode switching is connected by the emitter to the negative power bus 25, and the point of union of its base and the collector is connected to the base of the transistor 14 of the prp-type. с зо Transistor 9 rpr-type is connected by the emitter to the positive power bus 24, the collector is connected to the base of the transistor 16 rpr-type and to the collector of the transistor 10 prp-type, and the base is connected to the connection points of the base and the collector 15 and 1 o rpr-type transistors. The prp-type transistor 14 is connected by the emitter to the negative power bus 25, the su collector is connected to the base of the prp-type transistor 19 and to the collector of the rpr-type transistor 13, and the base is connected to the points of connection of the base and the collector 20 and 8 bipolar transistors prp-type The prp-type transistor 10 is connected by the emitter to the drain and substrate of the p-type channel transistor 11. The rpr-type transistor 13 is connected by the emitter to the drain and substrate of transistor 12 with an n-type channel. Transistors 11 and 12 with p-type and p-type channels, respectively, are connected by drains and connected to the zero-potential bus by the connection point. The gates of these transistors are combined and through the input resistor 27 they are connected to the input bus 28. The rpr-type transistor 15 in the diode connection by the emitter is connected to the positive power supply bus 24, the point of connection of its collector and base is connected to the emitter of the 16 rpr-type transistor. Transistor 20 of the prp-type in diode switching is connected by the emitter to the bus of negative She) with power supply 25, the point of union of its collector and base is connected to the emitter of the transistor 19 of the prp-type. The rpr-type transistor 16 is connected by the collector to the base of the rpr-type transistor 21 and to the junction point of the collector and the base; transistor 17 prp-type. The prp-type transistor 19 is connected by the collector to the rpr-type transistor base 22 and to the junction point of the collector and the prp-type transistor base 18. 17 and 18 transistors in diode connection of pri-type and rpr-type, respectively, are combined by emitters. 21 and 22 prp-type and rpr-type transistors are combined with emitters, the joining point is the output of the amplifier 23, it is also connected through the correcting capacitor 29 to the joining point of the gates of transistors 11 and 12 (with p-channels type and n-type, respectively). The output bus 23 is connected through the feedback resistor 28 to the junction point of the gates of the transistors 11 and 12 (with cor p-type and p-type channels, respectively). The prpy-type transistor 21 is connected by the collector to the positive power supply bus 24, and the 5or transistor 22 rpr-type is connected by the collector to the negative power supply bus 25. o The device works as follows. 4) When a positive voltage Ovu is applied to the input of circuit 26, it flows through input resistor 27 to the gates of transistors 11 and 12. Transistor 12 opens, the current through the drain-drain transition of this transistor increases and flows into the emitter of transistor 13. The collector current of transistor 13 also increases This leads to an increase in the base current of the transistor 19, and its collector current increases accordingly.
Це призводить до збільшення базового струму транзистора 22. Транзистор 22 привідкривається. Канал с транзистора 11 призакривається, тому зменшується струм емітера транзистора 10. Транзистор 10 призакривається. Це призводить до зменшення струму колектора транзистора 10, що викликає зменшення базового струму транзистора 16. Транзистор 16 призакривається, його емітерний струм зменшується, що бо призводить до зменшення базового струму транзистора 21. Транзистор 21 призакривається. Зменшення колекторного струму транзистора 21 призводить до зменшення базового струму транзистора 21 і збільшення базового струму транзистора 22. Транзистор 21 призакривається, транзистор 22 привідкривається. Це призводить до зменшення потенціалу виходу схеми 23 і наближення його до значення від'ємного потенціалу живлення. При подачі на вхід схеми 26 від'ємної напруги О ву, вона через вхідний резистор 27 поступає на 65 Затвори транзисторів 11 та 12. Транзистор 12 призакривається, струм Через перехід стік-витік цього транзистора зменшується і поступає в емітер транзистора 13. Колекторний струм транзистора 13 теж зменшується. Це призводить до зменшення базового струму транзистора 19, відповідно зменшується і його колекторний струм. Це призводить до зменшення базового струму транзистора 22. Транзистор 22 призакривається. Канал транзистора 11 привідкривається, тому збільшується струм емітера транзистора 10.This leads to an increase in the base current of transistor 22. Transistor 22 opens. Channel c of transistor 11 closes, therefore the emitter current of transistor 10 decreases. Transistor 10 closes. This leads to a decrease in the collector current of transistor 10, which causes a decrease in the base current of transistor 16. Transistor 16 closes, its emitter current decreases, which leads to a decrease in the base current of transistor 21. Transistor 21 closes. A decrease in the collector current of transistor 21 leads to a decrease in the base current of transistor 21 and an increase in the base current of transistor 22. Transistor 21 closes, transistor 22 opens. This leads to a decrease in the output potential of circuit 23 and its approach to the value of the negative supply potential. When a negative voltage O is applied to the input of circuit 26, it flows through input resistor 27 to 65 Closes transistors 11 and 12. Transistor 12 closes, the current through the drain-leakage transition of this transistor decreases and flows into the emitter of transistor 13. The collector current of the transistor 13 also decreases. This leads to a decrease in the base current of the transistor 19, correspondingly, its collector current also decreases. This leads to a decrease in the base current of transistor 22. Transistor 22 closes. The channel of the transistor 11 opens, so the emitter current of the transistor 10 increases.
Транзистор 10 привідкривається. Це призводить до збільшення струму колектора транзистора 10, що викликає збільшення базового струму транзистора 16. Транзистор 16 привідкривається, його емітерний струм збільшується, що призводить до збільшення базового струму транзистора 21. Транзистор 21 привідкривається.Transistor 10 opens. This leads to an increase in the collector current of transistor 10, which causes an increase in the base current of transistor 16. Transistor 16 opens, its emitter current increases, which leads to an increase in the base current of transistor 21. Transistor 21 opens.
Збільшення колекторного струму транзистора 21 призводить до збільшення базового струму транзистора 21 і зменшення базового струму транзистора 22. Транзистор 21 привід привідкривається, транзистор 22 /о призакривається. Це призводить до збільшення потенціалу виходу схеми 23 і наближення його до значення додатного потенціалу живлення. Транзистори 3, 4, 5, 6, включені по схемі діода, слугують для завдання робочої точки транзисторів 10, 11, 12, 13. Значення струму робочої точки задається рівнями струмів генераторів струмів 2 і 7. Транзистори 1 і 8, включені по схемі діода є складовими частинами відбивачів струму на транзисторах 1, 9, 15 та 8, 14, 20. Транзистори 17 і 18, включені по схемі діодів, забезпечують режим по постійному струму транзисторів 21 та 22. Резистор зворотного зв'язку 28 слугує для завдання відповідного значення коефіцієнта підсилення. Коригуючий конденсатор 29 призначений для забезпечення стійкості роботи схеми.An increase in the collector current of the transistor 21 leads to an increase in the base current of the transistor 21 and a decrease in the base current of the transistor 22. The transistor 21 is driven to open, and the transistor 22 is closed. This leads to an increase in the output potential of circuit 23 and bringing it closer to the value of the positive supply potential. Transistors 3, 4, 5, 6, connected according to the diode circuit, are used to set the operating point of transistors 10, 11, 12, 13. The current value of the operating point is set by the current levels of current generators 2 and 7. Transistors 1 and 8, connected according to the diode circuit are components of the current reflectors on transistors 1, 9, 15 and 8, 14, 20. Transistors 17 and 18, connected according to the diode scheme, provide the direct current mode of transistors 21 and 22. The feedback resistor 28 serves to set the appropriate value amplification factor. The correction capacitor 29 is designed to ensure the stability of the circuit.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UAU200605106U UA21203U (en) | 2006-05-10 | 2006-05-10 | Direct current amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UAU200605106U UA21203U (en) | 2006-05-10 | 2006-05-10 | Direct current amplifier |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA21203U true UA21203U (en) | 2007-03-15 |
Family
ID=37952234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UAU200605106U UA21203U (en) | 2006-05-10 | 2006-05-10 | Direct current amplifier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| UA (1) | UA21203U (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2451384C1 (en) * | 2011-04-13 | 2012-05-20 | Олег Фёдорович Меньших | Transformerless dc power supply source |
| RU2513185C1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-04-20 | Андрей Викторович Чухнов | Transformerless voltage converter |
-
2006
- 2006-05-10 UA UAU200605106U patent/UA21203U/en unknown
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2451384C1 (en) * | 2011-04-13 | 2012-05-20 | Олег Фёдорович Меньших | Transformerless dc power supply source |
| RU2513185C1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-04-20 | Андрей Викторович Чухнов | Transformerless voltage converter |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103092239A (en) | Constant current circuit and reference voltage circuit | |
| CN103414441A (en) | Open loop amplifier with stable output common-mode voltage | |
| CN103399612A (en) | Resistance-less bandgap reference source | |
| UA21203U (en) | Direct current amplifier | |
| JP6165929B2 (en) | Power circuit | |
| CN203643886U (en) | Band-gap reference source circuit and band-gap reference source | |
| CN103744463B (en) | The variable reference power supply of dutycycle can be detected | |
| CN116860052A (en) | Negative feedback voltage stabilizing circuit and front-end voltage stabilizing circuit | |
| CN203965060U (en) | A kind of temperature sensor circuit based on reference source | |
| CN201035440Y (en) | Current mirror | |
| JP2017005609A (en) | Overvoltage detection circuit | |
| CN210377197U (en) | Low-temperature floating band gap reference voltage source circuit | |
| CN104198066A (en) | Temperature sensor circuit based on reference source | |
| CN102710130B (en) | A kind of high-precision A C/DC converter current-limiting circuits | |
| JP3644156B2 (en) | Current limit circuit | |
| CN203366178U (en) | Resistance-free band-gap reference source | |
| CN107390759A (en) | A kind of reference voltage source | |
| UA21954U (en) | Buffer element | |
| UA127217U (en) | Dual-stroke DC amplifier | |
| UA16968U (en) | Buffer element | |
| SU644034A1 (en) | Comparator | |
| UA26533U (en) | Direct current amplifier | |
| UA142255U (en) | TWO-STOCK DC AMPLIFIER | |
| UA126402U (en) | AMPLIFIER CONTINUOUS CURRENT | |
| UA127387U (en) | Dual-stroke DC amplifier |