UA18649A - Пристрій для вирощуваhhя плоских хвилеводів hа осhові сполук a2b6 - Google Patents

Пристрій для вирощуваhhя плоских хвилеводів hа осhові сполук a2b6

Info

Publication number
UA18649A
UA18649A UA4703823A UA4703823A UA18649A UA 18649 A UA18649 A UA 18649A UA 4703823 A UA4703823 A UA 4703823A UA 4703823 A UA4703823 A UA 4703823A UA 18649 A UA18649 A UA 18649A
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
compounds
wave conductor
growing
flat wave
basis
Prior art date
Application number
UA4703823A
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Inventor
Олеся Сергіївна Шевчук
Олеся Сергеевна Шевчук
Людмила Іванівна Конопальцева
Людмила Ивановна Конопальцева
Ельвіна Дмитрівна Іщенко
Эльвина Дмитриевна Ищенко
Вадим Вадимович Hепорожній
Юрій Васильович Шевчук
Юрий Васильевич Шевчук
Original Assignee
Київський Автомобільно-Дорожний Інститут Ім.60-Річчя Великої Жовтневої Соціалістичної Революції
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Київський Автомобільно-Дорожний Інститут Ім.60-Річчя Великої Жовтневої Соціалістичної Революції filed Critical Київський Автомобільно-Дорожний Інститут Ім.60-Річчя Великої Жовтневої Соціалістичної Революції
Priority to UA4703823A priority Critical patent/UA18649A/uk
Publication of UA18649A publication Critical patent/UA18649A/uk

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Пристрій для вирощування плоских хвилеводів на основі A2B6 сполук методом епітаксії в паровій фазі забезпечений жолобом, що має отвір і розміщений в одній з труб з можливістю горизонтального переміщення, і додатковим випарником, розміщеним на жолобі. Винахід належить до хімії напівпровідникових сполук і технології виготовлення плоских хвилеводів, що застосовуються в оптичній, квантовій і акустичній техніці та в мікроелектроніці.
UA4703823A 1989-06-02 1989-06-02 Пристрій для вирощуваhhя плоских хвилеводів hа осhові сполук a2b6 UA18649A (uk)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UA4703823A UA18649A (uk) 1989-06-02 1989-06-02 Пристрій для вирощуваhhя плоских хвилеводів hа осhові сполук a2b6

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UA4703823A UA18649A (uk) 1989-06-02 1989-06-02 Пристрій для вирощуваhhя плоских хвилеводів hа осhові сполук a2b6

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA18649A true UA18649A (uk) 1997-12-25

Family

ID=74538758

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UA4703823A UA18649A (uk) 1989-06-02 1989-06-02 Пристрій для вирощуваhhя плоских хвилеводів hа осhові сполук a2b6

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA18649A (uk)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0622858A3 (en) III-V compound semiconductor device comprising gallium nitride-based compounds and manufacturing process.
EP0253611A3 (en) Method of epitaxially growing gallium arsenide on silicon
UA18649A (uk) Пристрій для вирощуваhhя плоских хвилеводів hа осhові сполук a2b6
GB2202371B (en) Semiconductor device
JPS5434756A (en) Vapor-phase growth method for semiconductor
JPS5389367A (en) Substrate crystal for semiconductor epitaxial growth
JPS5434676A (en) Vapor growth method and apparatus for high-purity semiconductor layer
JPS538374A (en) Growing method for single crystal of semiconductor
JPS5326663A (en) Manu facture of semiconductor device
JPS534778A (en) Crystal growth method with molecular beam
JPS53104162A (en) Forming method for epitaxial layer on semiconductor wafer
DE3218974A1 (de) Leiterverbindungsschicht fuer halbleitervorrichtungen und verfahren zu ihrer herstellung
JPS53130981A (en) Manufacture for semiconductor device
ES2004276A6 (es) Un dispositivo semiconducir que incluye una capa epitaxial sobre un sustrato monocristalino de red desequilibrada
JPS51126048A (en) Hetero epitaxial growth method of iii-v group semi-conductors
JPS5293277A (en) Semiconductor device and its manufacture
JPS5345171A (en) Molecular beam epitaxial growth method
CA2008946A1 (en) Vapor-phase epitaxial growth method
JPS526086A (en) Production method of semiconductor device
JPS5328374A (en) Wafer production
JPS6439713A (en) Epitaxial crystal growing method
UA8682A1 (uk) СПОСІБ ОДЕРЖАHHЯ HІТРИДУ КРЕМHІЮ З ПЕРЕВАЖHИМ ВМІСТОМ alРha-ФАЗИ
JPS5240983A (en) Process for production of semiconductor device
JPS5363875A (en) Field effect semiconductor device
TW332347B (en) Process for vapor epitaxy of compound semiconductor