UA148126U - METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTALS OF ARGENTUM (I) STYBES (III) HEXASELENE HYPODYPHOSPHATE AgSbP <sub> 2 </sub> Se <sub> 6 </sub> DIRECTLY - Google Patents
METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTALS OF ARGENTUM (I) STYBES (III) HEXASELENE HYPODYPHOSPHATE AgSbP <sub> 2 </sub> Se <sub> 6 </sub> DIRECTLY Download PDFInfo
- Publication number
- UA148126U UA148126U UAU202100526U UAU202100526U UA148126U UA 148126 U UA148126 U UA 148126U UA U202100526 U UAU202100526 U UA U202100526U UA U202100526 U UAU202100526 U UA U202100526U UA 148126 U UA148126 U UA 148126U
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- carried out
- sub
- crystallization
- temperature
- growth
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 6
- 239000003708 ampul Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000007713 directional crystallization Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 claims abstract 2
- ZEVFDAOLYNPJLC-UHFFFAOYSA-N P(=[Se])([SeH])([SeH])P(=[Se])([SeH])[SeH] Chemical compound P(=[Se])([SeH])([SeH])P(=[Se])([SeH])[SeH] ZEVFDAOLYNPJLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005221 zone crystallization Methods 0.000 claims description 2
- 210000001161 mammalian embryo Anatomy 0.000 abstract 2
- -1 antimony (III) hexaselenohypodiphosphate Chemical compound 0.000 abstract 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000004771 selenides Chemical class 0.000 description 2
- VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N Cu+ Chemical compound [Cu+] VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 244000309464 bull Species 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000009862 microstructural analysis Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001757 thermogravimetry curve Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Спосіб вирощування монокристалів аргентум(І)стибій(III) гексаселеногіподифосфату AgSbP2Se6 включає нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять попередньо синтезований із елементарних компонентів тетрарний селенід. При цьому використовують вихідну шихту стехіометричного складу, синтезовану безпосередньо у конусоподібній ростовій ампулі. Ріст монокристалу направленою кристалізацією з розплаву здійснюють у вертикальній двозонній трубчатій печі опору із градієнтом температури у точці кристалізації 6 K/мм. Перед формуванням зародка ампулу витримують 24 год. у гарячій зоні при температурі 791 K. Формування зародка здійснюють у нижній конусоподібній частині ампули методом збірної рекристалізації протягом 48 год. Вирощування монокристалу проводять методом спрямованої кристалізації з розплаву зі швидкістю 0,8-0,9 мм/год., тривалість відпалу у зоні кристалізації проводять протягом 120 год. при температурі 590 K. Після цього охолоджують монокристал до кімнатної температури зі швидкістю 4-5 K/год.A method of growing single crystals of argentum (I) antimony (III) hexaselenohypodiphosphate AgSbP2Se6 involves heating vacuum quartz ampoules containing pre-synthesized from the elementary components of tetrar selenide. The original charge of stoichiometric composition, synthesized directly in a cone-shaped growth ampoule, is used. The growth of the single crystal by directional crystallization from the melt is carried out in a vertical two-zone tubular resistance furnace with a temperature gradient at the crystallization point of 6 K / mm. Before embryo formation, the ampoule is incubated for 24 hours. in the hot zone at a temperature of 791 K. The formation of the embryo is carried out in the lower conical part of the ampoule by the method of collective recrystallization for 48 hours The growth of the single crystal is carried out by the method of directional crystallization from the melt at a rate of 0.8-0.9 mm / h, the duration of annealing in the crystallization zone is carried out for 120 hours. at a temperature of 590 K. After that, cool the single crystal to room temperature at a rate of 4-5 K / h
Description
Корисна модель належить до галузі неорганічної хімії та неорганічного матеріалознавства, зокрема стосується способів одержання монокристалів складних тетрарних халькогенідів сімейства гексахалькогіподифосфатів, окремі представники яких мають перспективні нелінійно оптичні, сцинтиляційні та термоелектричні властивості.A useful model belongs to the field of inorganic chemistry and inorganic materials science, in particular, it concerns methods of obtaining single crystals of complex tetra-chalcogenides of the hexachalcohypodiphosphate family, some of which have promising nonlinear optical, scintillation, and thermoelectric properties.
Найбільш близьким до запропонованого є спосіб вирощування монокристалу сполуки би?Рбв та твердого розчину (Си-хАах)севз5і методом спрямованої кристалізації з розплаву (1, 21.The closest to the proposed method is the method of growing a single crystal of the compound bi?Pbv and a solid solution (Cy-xAakh)sevz5i by the method of directed crystallization from the melt (1, 21.
Задача корисної моделі полягає в одержанні монокристалу АдОрР»Бев різної кристалічної структури.The task of a useful model is to obtain an AdOrR»Bev single crystal of a different crystal structure.
Поставлена задача вирішується тим, що у способі вирощування монокристалів аргентум(І)стибій(І!) гексаселеногіподифосфату АдоБР2беє, який включає нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять попередньо синтезований із елементарних компонентів тетрарний селенід, згідно з корисною моделлю, використовують вихідну шихту стехіометричного складу, синтезовану безпосередньо у конусоподібній ростовій ампулі, ріст монокристалу направленою кристалізацією з розплаву здійснюють у вертикальній двозонній трубчатій печі опору із градієнтом температури у точці кристалізації б К/мм, перед формуванням зародка ампулу витримують 24 год. у гарячій зоні при температурі 791 К, формування зародка здійснюють у нижній конусоподібній частині ампули методом збірної рекристалізації протягом 48 год., вирощування монокристалу проводять методом спрямованої кристалізації з розплаву зі швидкістю 0,8-0,9 мм/год., тривалість відпалу у зоні кристалізації проводять протягом 120 год. при температурі 590 К, після чого охолоджують монокристал до кімнатної температури зі швидкістю 4-5 К/год.The problem is solved by the fact that in the method of growing single crystals of argentum(I)stibium(I!) hexaselenohypodiphosphate AdoBR2beye, which includes heating vacuumed quartz ampoules containing tetrarry selenide pre-synthesized from elementary components, according to a useful model, an initial charge of stoichiometric composition is used, synthesized directly in a cone-shaped growth ampoule, the growth of a single crystal by directional crystallization from a melt is carried out in a vertical two-zone resistance tube furnace with a temperature gradient at the crystallization point of b K/mm, before the formation of a nucleus, the ampoule is kept for 24 hours. in the hot zone at a temperature of 791 K, the formation of the nucleus is carried out in the lower cone-shaped part of the ampoule by the method of collective recrystallization for 48 hours, the growth of the single crystal is carried out by the method of directed crystallization from the melt at a speed of 0.8-0.9 mm/h, the duration of annealing in the zone crystallization is carried out for 120 hours. at a temperature of 590 K, after which the single crystal is cooled to room temperature at a rate of 4-5 K/h.
Сполука Аа5БР2беє утворюється у почетверній системі Ад-5Б-Р-5е6 та плавиться конгруентно при температурі 741 К ІЗ). Структура визначалася методом порошку, оскільки якісні монокристали не були отримані. Згідно з (4 Ад5рБРобев кристалізується у моноклінній сингонії, просторова група С2/т з параметрами решітки: а-6.20(2) А, р-10.73(3) А, с-6.90(2). А,The compound Aa5BR2bee is formed in the quaternary system Ad-5B-P-5e6 and melts congruently at a temperature of 741 K). The structure was determined by the powder method, since high-quality single crystals were not obtained. According to (4) Ad5rBRobev crystallizes in monoclinic syngonia, space group C2/t with lattice parameters: а-6.20(2) А, р-10.73(3) А, с-6.90(2). А,
В-107.34(9)", а відповідно до |З) у просторовій групі В-3 з параметрами решітки а-6.601(1) А, с-39.742(3) А. Враховуючи конгруентний характер плавлення, найбільш припустимим способом вирощування монокристалів є метод спрямованої кристалізації за Бріджменом. Враховуючи, щоB-107.34(9)", and according to |З) in space group B-3 with lattice parameters а-6.601(1) А, с-39.742(3) А. Taking into account the congruent nature of melting, the most acceptable method of growing single crystals is Bridgman method of directional crystallization Given that
АдБрР2Беє згідно з розрахунками, підтвердженими даними рентгенівської фотоелектронноїAdBrR2Bee according to calculations confirmed by X-ray photoelectron data
Зо спектроскопії, є непрямозонним напівпровідником із шириною забороненої зони 0.550 еВ, із широкою смугою поглинання у діапазоні 5-18 еВ та значною анізотропією діелектричної проникності і показника заломлення, є перспективним для застосування в оптоелектронних пристроях (|5)Ї, одержання фазово однорідних монокристалів є важливою практичною проблемою.According to spectroscopy, it is an indirect bandgap semiconductor with a band gap of 0.550 eV, with a wide absorption band in the range of 5-18 eV and a significant anisotropy of dielectric constant and refractive index, it is promising for use in optoelectronic devices (|5)Y, obtaining phase-homogeneous single crystals is an important practical problem.
Спосіб здійснювали наступним чином.The method was carried out as follows.
Синтез тетрарного селеніду АдОБР»беє для одержання монокристалів проводили із стехіометричного співвідношення елементарних компонентів високої чистоти: срібла (99,999 Об), стибію (99.999 95), фосфору (99,9999 95), селену (99,9999 95) у вакуумованих до 0.13 Па кварцових ампулах, використовуючи прямий однотемпературний метод в горизонтальній печі опору. З метою запобігання додаткового забруднення при перевантаженні ростової шихти із синтезованої у ростову ампулу, синтез шихти здійснювали безпосередньо у ростових ампулах у горизонтальній печі опору. У зв'язку із високою в'язкістю розплаву АдОрБР»Беє використовували конусоподібні ростові ампули. Режим синтезу включав у себе нагрів шихти стехіометричного складу зі швидкістю 50 К/год. до 791 К, що на 50 К вище температури плавлення кінцевого продукту, з наступною витримкою протягом 24 год. Остаточна гомогенізація шихти досягалася відпалом при 573 К протягом 100 год. Охолодження до температури відпалу 573 К здійснювали із швидкістю ЗО К/год. Охолодження до кімнатної температури здійснювали в режимі виключеної печі.The synthesis of the tetrad selenide AdOBR»beye to obtain single crystals was carried out from the stoichiometric ratio of high-purity elemental components: silver (99.999 Ob), stibium (99.999 95), phosphorus (99.9999 95), selenium (99.9999 95) in vacuumed to 0.13 Pa quartz ampoules using the direct one-temperature method in a horizontal resistance furnace. In order to prevent additional contamination when overloading the growth charge from the synthesized growth ampoule, the synthesis of the charge was carried out directly in the growth ampoules in a horizontal resistance furnace. Due to the high viscosity of the AdOrBR»Beye melt, cone-shaped growth ampoules were used. The synthesis mode included the heating of a charge of stoichiometric composition at a rate of 50 K/h. to 791 K, which is 50 K higher than the melting temperature of the final product, followed by holding for 24 hours. The final homogenization of the charge was achieved by annealing at 573 K for 100 h. Cooling to the annealing temperature of 573 K was carried out at a rate of 30 K/h. Cooling to room temperature was carried out with the furnace turned off.
Ріст монокристалів проводили у вертикальній двозонній трубчатій печі опору (температура зони розплаву 791 К, зони відпалу - 590 К). Попередньо проводилась 24-годинна витримка ампули у гарячій зоні. На першому етапі росту проводилося формування зародка в нижній конусоподібній частині контейнера методом збірної рекристалізації протягом 48 год. В подальшому відбувалося нарощування кристалу на сформованій затравці шляхом переміщення фронту кристалізації зі швидкістю 0,8-0,9 мм/год. Температура, час відпалу у зоні кристалізації та швидкість охолодження до кімнатної температури становили 590 К, 120 год., 5 К/год., відповідно.The growth of single crystals was carried out in a vertical two-zone tubular resistance furnace (melt zone temperature 791 K, annealing zone - 590 K). The ampoule was previously kept in a hot zone for 24 hours. At the first stage of growth, the formation of the nucleus in the lower cone-shaped part of the container was carried out by the collective recrystallization method for 48 hours. Subsequently, crystal growth on the formed seed occurred by moving the crystallization front at a speed of 0.8-0.9 mm/h. The temperature, annealing time in the crystallization zone, and cooling rate to room temperature were 590 K, 120 h, and 5 K/h, respectively.
Таким чином одержано монокристали стехіометричного складу без тріщин та інших неоднорідностей (Фіг. 1). Максимальна довжина кристалів складала 45 мм, діаметр - 8-10 мм.In this way, single crystals of stoichiometric composition without cracks and other inhomogeneities were obtained (Fig. 1). The maximum length of the crystals was 45 mm, the diameter - 8-10 mm.
Одержані зразки монокристалів аргентум(І)стибій(І!) гексаселеногіподифосфату АдОрБР»2Бев бо досліджували методом рентгенівського фазового аналізу (РФА), дифрактометр ДРОН-4.07,The obtained samples of single crystals of argentum(I) stibium(I!) hexaselenohypodiphosphate AdOrBR»2Bev were studied by the method of X-ray phase analysis (XRF), diffractometer DRON-4.07,
СиКо-випромінювання, Мі-фільтр та диференційного термічного (ДТА) аналізів.SiCo-radiation, Mi-filter and differential thermal (DTA) analyses.
Експериментальна дифрактограма АдорРобБевє (Фіг. 2) ідентична до розрахованої згідно з літературними даними |З| ромбоєедричної модифікації АдОБР2беє, а на термограмі (Фіг. 3) наявний один ендотермічний ефект при температурі, що відповідає температурі плавлення Ад9О5рР2беє, яка наведена у літературі ІЗЇ. Однофазність монокристалів також доведена результатами мікроструктурного аналізу (Фіг. 4).The experimental diffractogram of AdorRobBevier (Fig. 2) is identical to the one calculated according to literature data |З| rhombohedral modification of AdOBR2beye, and on the thermogram (Fig. 3) there is one endothermic effect at a temperature corresponding to the melting temperature of Ad9O5rP2beye, which is given in the literature of IZI. Single-phase single crystals are also proven by the results of microstructural analysis (Fig. 4).
Корисна модель може бути використана при одержанні патентозахищеного оптоелектричного матеріалу.A useful model can be used in the production of patent-protected optoelectric material.
Джерела інформації: 1. Патент України на винахід Мо 109136 "Спосіб вирощування монокристалів купрум (І) гексатіофосфату Си?7Р5є методом спрямованої кристалізації з розплаву" МПК СЗОВ 11/04 - Ме а 201215055; заявл. 10.12.12.; опубл. 27.07.15., бюл. Мо 14. //Погодін А.І., Кохан О.П., СеврюковSources of information: 1. Patent of Ukraine for the invention Mo 109136 "Method of growing single crystals of copper (I) hexathiophosphate Si?7P5e by the method of directional crystallization from the melt" IPC SZOV 11/04 - Me a 201215055; statement 10.12.12.; published 27.07.15, Bull. Mo 14. //Pogodin A.I., Kokhan O.P., Sevryukov
Д.В., Студеняк І.П. - Найближчий аналог. 2. І1,Р. Зшадепуак, А.І. Рододіп, О.Р. Кокпап, У. Камаїїике, Т. Заїкив, А. Келопів, А.Р. Опійкав.D.V., Studeniak I.P. - The closest analogue. 2. I1, R. Zshadepuak, A.I. Rododip, O.R. Kokpap, U. Kamaiike, T. Zaikiv, A. Kelopiv, A.R. Burned
Стгуваї атом, зігисішга! апа еїІесінса! ргорепієз ої (Сцт-хАах)/севзві зирегіопіс зоїїа во! шіопв //5оїїаCry atom, zigisishga! apa eiIesinsa! rgorepiez oi (Стт-хАах)/sevzvi ziregiopis zoіia vo! shiopv //5oiiia
Зіаїє Іопісв, 329 (2019), 119-123.Ziaiye Iopisv, 329 (2019), 119-123.
З. Звідітауег 5іеїап. ЗМиКішспетівзспе Опіегзиспипдеп ап НехаспаІКодепопуродірпозрнаїеп ипа меглапаїеп Мегбіпаипдеп. різзепаїйоп. - 2009. - З01 р. 4. Саідате? А., Мапгідне? У., Казапема 9., Аміїа В.Е. 5упіпевзів, спагасієгігайноп апа еїесігіса! роорепієз ої диаіетагу 5еіІєподірпозрнаїез: АМРобевє м/п А-Си, Ад апа М-ВІі, 55. Маїег. Вез.Z. Zviditaueg 5ieiap. ZMyKishspetivzspe Opiegzyspipdep ap NehaspaIKodepopurodirpozrnaiep ipa meglapayep Megbipaipdep. rizzepaiyop - 2009. - Z01 4. Saidate? A., Maphidne? U., Kazapema 9., Amiia V.E. 5upipevziv, spagasiegigaynop apa eiesegisa! Roorepiez oi diaietagu 5eiIepodirpozrnaiez: AMRobevye m/p A-Sy, Ad apa M-VIi, 55. Maieg. Transportation
Виїї. 2003, 38, 1063-1072. 5. Тцап У. Ми, І амгепіуєм А. А., СабгеїЇап В.М., Оаї 0. Мо, забом М.І., Заром М. Ми., ВагеНіуWow 2003, 38, 1063-1072. 5. Tsap U. My, I amgepiyuem A. A., Sabgeyiap V. M., Oai 0. Mo, Zabom M. I., Zarom M. My., VageNiu
ІМЕ., Ріазескі М., Кну2лип О.М. Ніаніу апізоїгоріс Іауєтед зеієпорпозрпайє АдерРобевє: Те еІесігопіс вігисіште апа оріїса!І ргорепіез Бу ехрегітепіаї теазигетепів апа Пві-ргіпсіріе5 саісшацйопв. /СПетісаї! РНувзісв. - 2020. - Мої. 536. - 110813.IME., Riazeski M., Knu2lip O.M. Nianiu apizoigoris Iauyued zeieporpozrpaye AderRobevie: Te eIesigopis vigysishte apa oriisa!I rgorepiez Bu ehregitepiai teazigetepiv apa Pvi-rgipsirie5 saisshacyopv. /SPetisai! RNuvizv. - 2020. - Mine. 536. - 110813.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UAU202100526U UA148126U (en) | 2021-02-09 | 2021-02-09 | METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTALS OF ARGENTUM (I) STYBES (III) HEXASELENE HYPODYPHOSPHATE AgSbP <sub> 2 </sub> Se <sub> 6 </sub> DIRECTLY |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UAU202100526U UA148126U (en) | 2021-02-09 | 2021-02-09 | METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTALS OF ARGENTUM (I) STYBES (III) HEXASELENE HYPODYPHOSPHATE AgSbP <sub> 2 </sub> Se <sub> 6 </sub> DIRECTLY |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA148126U true UA148126U (en) | 2021-07-07 |
Family
ID=76689876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UAU202100526U UA148126U (en) | 2021-02-09 | 2021-02-09 | METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTALS OF ARGENTUM (I) STYBES (III) HEXASELENE HYPODYPHOSPHATE AgSbP <sub> 2 </sub> Se <sub> 6 </sub> DIRECTLY |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| UA (1) | UA148126U (en) |
-
2021
- 2021-02-09 UA UAU202100526U patent/UA148126U/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Koohpayeh | Single crystal growth by the traveling solvent technique: A review | |
| CN102011187B (en) | Bismuth silicate-germanate mixed crystal and preparation method thereof | |
| Marcano et al. | Crystal growth and structure of the semiconductor Cu2SnSe3 | |
| Wang et al. | Modified Bridgman growth and properties of mid-infrared LiInSe2 crystal | |
| Simonova et al. | Growth of bulk β-BaB2O4 crystals from solution in LiF-Li2O melt and study of phase equilibria | |
| UA148126U (en) | METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTALS OF ARGENTUM (I) STYBES (III) HEXASELENE HYPODYPHOSPHATE AgSbP <sub> 2 </sub> Se <sub> 6 </sub> DIRECTLY | |
| UA126750C2 (en) | THE METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTALS OF ARGENTUM(I)STIBIUM(III) HEXASELENOHYPODIPHOSPHATE AgSbP<sub>2</sub>Se<sub>6</sub> BY THE METHOD OF DIRECTED CRYSTALLIZATION FROM THE MEL | |
| Karunagaran et al. | Investigation on synthesis, growth, structure and physical properties of AgGa0. 5In0. 5S2 single crystals for Mid-IR application | |
| Chen et al. | Growth of lead molybdate crystals by vertical Bridgman method | |
| Post et al. | Crystal growth of AgGaS2 by the Bridgman-Stockbarger and travelling heater methods | |
| Simonova et al. | Phase equilibria in BaB2O4–LiF system and β–BaB2O4 bulk crystals growth | |
| UA150871U (en) | Method of growing single crystals of heptaargentum(i) hexaselenium phosphate ag7pse6 by directed crystallization from the melt | |
| Simonova et al. | Phase equilibria in the ternary reciprocal system Li, Ba//BO2, F and growth of bulk β-BaB2O4 crystals | |
| UA119942C2 (en) | METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTAL SINGLE CRYSTALS OF COMPOSITION (Cu <sub> 1-X </sub> Ag <sub> X </sub>) <sub> 7 </sub> SiS <sub> 5 </sub> I METHOD MELT-SOLUTION | |
| Chen et al. | Subsolidus phase relationships in the system ZnO–V2O5–WO3 research on suitable flux for ZnO crystal growth | |
| UA132997U (en) | METHOD OF GROWING TETRATALIUM (I) TRISTOSTATATE (II) (TH4SnS3) MONOCYSTALS CRYSTALIZATION BY MELT-SOLUTION DIRECT CRYSTALIZATION | |
| Zawilski et al. | Glass formation and optical properties of CdGeAs2 alloys | |
| UA147879U (en) | METHOD OF OBTAINING SINGLE CRYSTALS TlInGe <sub> 2 </sub> Se <sub> 6 </sub> | |
| UA147971U (en) | METHOD OF OBTAINING SINGLE CRYSTALS Tl <sub> 1-x </sub> In <sub> 1-x </sub> Ge <sub> x </sub> (Si <sub> x </sub>) Se <sub> 2 </sub> (x = 0.1, 0.2) | |
| CN115535972B (en) | Alkaline earth metal zinc gallium tin chalcogenides, alkaline earth metal zinc gallium tin chalcogenides nonlinear optical crystals, preparation method and application thereof | |
| Conner et al. | Floating zone crystal growth and structural distortion of Pb2V3O9 | |
| JP3870258B2 (en) | Manufacturing method of oxide semiconductor single crystal | |
| RU2542313C2 (en) | Method for rubidium-bismuth molybdate monocrystal growing | |
| UA123346C2 (en) | METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTAL SINGLE CRYSTALS (Cu <sub> 1-X </sub> Ag <sub> X </sub>) <sub> 7 </sub> GeSe <sub> 5 </sub> METHOD OF METHOD MELT-SOLUTION | |
| UA148594U (en) | METHOD OF GROWING SOLID SOLUTION Ag <sub> 7 </sub> Si <sub> 0.4 </sub> Ge <sub> 0.6 </sub> S <sub> 5 </sub> I BY METHOD OF DIRECTED CRYSTALLIZATION OF ROS |