UA126750C2 - THE METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTALS OF ARGENTUM(I)STIBIUM(III) HEXASELENOHYPODIPHOSPHATE AgSbP<sub>2</sub>Se<sub>6</sub> BY THE METHOD OF DIRECTED CRYSTALLIZATION FROM THE MEL - Google Patents
THE METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTALS OF ARGENTUM(I)STIBIUM(III) HEXASELENOHYPODIPHOSPHATE AgSbP<sub>2</sub>Se<sub>6</sub> BY THE METHOD OF DIRECTED CRYSTALLIZATION FROM THE MEL Download PDFInfo
- Publication number
- UA126750C2 UA126750C2 UAA202100527A UAA202100527A UA126750C2 UA 126750 C2 UA126750 C2 UA 126750C2 UA A202100527 A UAA202100527 A UA A202100527A UA A202100527 A UAA202100527 A UA A202100527A UA 126750 C2 UA126750 C2 UA 126750C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- sub
- carried out
- crystallization
- growth
- ampoule
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 title claims abstract description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 6
- ZEVFDAOLYNPJLC-UHFFFAOYSA-N P(=[Se])([SeH])([SeH])P(=[Se])([SeH])[SeH] Chemical compound P(=[Se])([SeH])([SeH])P(=[Se])([SeH])[SeH] ZEVFDAOLYNPJLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 5
- 239000003708 ampul Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 6
- 238000005221 zone crystallization Methods 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000007713 directional crystallization Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000004771 selenides Chemical class 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000009862 microstructural analysis Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001757 thermogravimetry curve Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Винахід належить до галузі неорганічної хімії. Спосіб вирощування монокристалів аргентум(І)стибій(III) гексаселеногіподифосфату AgSbP2Se6, який включає нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять попередньо синтезований із елементарних компонентів тетрарний селенід. Як вихідну шихту використовують стехіометричного складу синтезовану безпосередньо у конусоподібній ростовій ампулі, ріст монокристала направленою кристалізацією з розплаву здійснюють у вертикальній двозонній трубчатій печі опору із градієнтом температури у точці кристалізації 6 K/мм, перед формуванням зародка ампулу витримують 24 год. у гарячій зоні при температурі 791 K, формування зародка здійснюють у нижній конусоподібній частині ампули методом збірної рекристалізації протягом 48 год., вирощування монокристала проводять методом спрямованої кристалізації з розплаву при відповідних параметрах. Пропонований спосіб зручний та технологічний.The invention belongs to the field of inorganic chemistry. The method of growing single crystals of argentum(I) stibium(III) hexaselenohypodiphosphate AgSbP2Se6, which includes heating of vacuumed quartz ampoules containing pre-synthesized tetrateral selenide from elementary components. As an initial charge, a stoichiometric composition synthesized directly in a cone-shaped growth ampoule is used, the growth of a single crystal by directional crystallization from a melt is carried out in a vertical two-zone tubular resistance furnace with a temperature gradient at the crystallization point of 6 K/mm, the ampoule is kept for 24 hours before the formation of a nucleus. in the hot zone at a temperature of 791 K, the formation of the nucleus is carried out in the lower cone-shaped part of the ampoule by the method of collective recrystallization for 48 hours, the growth of the single crystal is carried out by the method of directed crystallization from the melt under the appropriate parameters. The proposed method is convenient and technological.
Description
Винахід належить до галузі неорганічної хімії та неорганічного матеріалознавства, зокрема до способів одержання монокристалів складних тетрарних халькогенідів сімейства гексахалькогіподифосфатів, окремі представники яких володіють перспективними нелінійно оптичними, сцинтиляційними та термоелектричними властивостями.The invention belongs to the field of inorganic chemistry and inorganic materials science, in particular to methods of obtaining single crystals of complex tetra chalcogenides of the hexachalcohypodiphosphate family, some of which have promising nonlinear optical, scintillation and thermoelectric properties.
Найбільш близьким до запропонованого є спосіб вирощування монокристалу сполуки би;Рбв та твердого розчину (Си:-хАах)7/сез5і методом спрямованої кристалізації з розплаву (1,21.The closest to the proposed method is the method of growing a single crystal of the compound бы;Рбв and a solid solution (Сы:-хАх)7/sez5i by the method of directed crystallization from the melt (1.21.
Задача винаходу полягає в одержанні монокристалу Адо5рРобевє різної кристалічної структури.The task of the invention is to obtain a single crystal of Ado5rRobevie with a different crystal structure.
Поставлена задача вирішується тим, що у способі вирощування монокристалів аргентум(І)стибій(Ш) гексаселеногіподифосфату Ад5рР»бЄє, який включає нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять попередньо синтезований із елементарних компонентів тетрарний селенід, який відрізняється тим, що використовують вихідну шихту стехіометричного складу синтезовану безпосередньо у конусоподібній ростовій ампулі, ріст монокристалу направленою кристалізацією з розплаву здійснюють у вертикальній двозонній трубчатій печі опору із градієнтом температури у точці кристалізації б К/мм, перед формуванням зародку ампулу витримують 24 год. у гарячій зоні при температурі 791 К, формування зародку здійснюють у нижній конусоподібній частині ампули методом збірної рекристалізації протягом 48 год., вирощування монокристалу проводять методом спрямованої кристалізації з розплаву зі швидкістю 0,8-0,9 мм/год., тривалість відпалу у зоні кристалізації проводять протягом 120 год. при температурі 590 К, після чого охолоджують монокристал до кімнатної температури зі швидкістю 4-5 К/год.The problem is solved by the fact that in the method of growing single crystals of argentum(I)stibium(Ш) hexaselenohypodiphosphate Ad5rR»bEe, which includes heating vacuumed quartz ampoules containing tetrarry selenide pre-synthesized from elementary components, which is distinguished by the fact that an initial charge of stoichiometric composition is used synthesized directly in a cone-shaped growth ampoule, the growth of a single crystal by directional crystallization from a melt is carried out in a vertical two-zone resistance tube furnace with a temperature gradient at the crystallization point b K/mm, before the formation of a nucleus, the ampoule is kept for 24 hours. in the hot zone at a temperature of 791 K, the formation of the nucleus is carried out in the lower cone-shaped part of the ampoule by the method of collective recrystallization for 48 hours, the growth of the single crystal is carried out by the method of directed crystallization from the melt at a speed of 0.8-0.9 mm/h, the duration of annealing in the zone crystallization is carried out for 120 hours. at a temperature of 590 K, after which the single crystal is cooled to room temperature at a rate of 4-5 K/h.
Сполука АдеЗрРобеє утворюється у почетверній системі Ад-5Б-Р-5е та плавиться конгруентно при температурі 741 К ІЗ). Структура визначалася методом порошку оскільки якісні монокристали не були отримані. Згідно І4| Ад5БРобевє кристалізується у моноклінній сингонії, просторова група Сг2/т з параметрами решітки: а - 6.20(2) А, 5 - 10.73(3) А, с - 6.99(23А, в - 107.34(9)7, а відповідно до |З) у просторовій групі В-3 з параметрами решітки а - 6.601(1) А, с - 39.742(3) А. Враховуючи конгруентний характер плавлення найбільш припустимим способом вирощування монокристалів є метод спрямованої кристалізації за Бріджменом. Враховуючи, щоThe AdeZrRobeye compound is formed in the quaternary system Ad-5B-P-5e and melts congruently at a temperature of 741 K). The structure was determined by the powder method, since high-quality single crystals were not obtained. According to I4| Ad5BRobévier crystallizes in monoclinic syngonia, space group Cg2/t with lattice parameters: а - 6.20(2) А, 5 - 10.73(3) А, с - 6.99(23А), в - 107.34(9)7, and according to |З ) in space group B-3 with lattice parameters a - 6.601(1) A, c - 39.742(3) A. Taking into account the congruent nature of melting, the most acceptable method of growing single crystals is the method of directional crystallization according to Bridgman. Taking into account that
АдББР2беє згідно розрахунків, підтверджених даними рентгенівської фотоелектронноїAdBBR2 is according to calculations confirmed by X-ray photoelectron data
Зо спектроскопії, є непрямозонним напівпровідником із шириною забороненої зони 0.550 еВ, із широкою смугою поглинання у діапазоні 5-18 еВ та значною анізотропією діелектричної проникності і показника заломлення, є перспективним для застосування в оптоелектронних пристроях (|5)Ї, одержання фазово однорідних монокристалів є важливою практичною проблемою.From spectroscopy, it is an indirect bandgap semiconductor with a band gap of 0.550 eV, with a wide absorption band in the range of 5-18 eV and a significant anisotropy of dielectric constant and refractive index, it is promising for use in optoelectronic devices (|5)І, obtaining phase-homogeneous single crystals is an important practical problem.
Спосіб здійснювали наступним чином.The method was carried out as follows.
Синтез тетрарного селеніду Ад5БР»Зеб для одержання монокристалів проводили із стехіометричого співвідношення елементарних компонентів високої чистоти: срібла (99.999 9б), стибію (99.999 95), фосфору (99.9999 95), селену (99.9999 95) у вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампулах, використовуючи прямий однотемпературний метод в горизонтальній печі опору. З метою запобігання додаткового забруднення при перевантаженні ростової шихти із синтезованої у ростову ампулу, синтез шихти здійснювали безпосередньо у ростових ампулах у горизонтальній печі опору. У зв'язку із високою в'язкістю розплаву Ад5БР»беє використовували конусоподібні ростові ампули. Режим синтезу включав у себе нагрів шихти стехіометричного складу зі швидкістю 50 К/год. до 791 К, що на 50 К вище температури плавлення кінцевого продукту, з наступною витримкою протягом 24 год. Остаточна гомогенізація шихти досягалася відпалом при 573 К протягом 100 год. Охолодження до температури відпалу 573 К здійснювали із швидкістю ЗО К/год. Охолодження до кімнатної температури здійснювали в режимі виключеної печі.The synthesis of tetrar selenide Ad5BR»Zeb to obtain single crystals was carried out from the stoichiometric ratio of elementary components of high purity: silver (99.999 9b), stibium (99.999 95), phosphorus (99.9999 95), selenium (99.9999 95) in quartz ampoules vacuumed to 0.13 Pa , using the direct one-temperature method in a horizontal resistance furnace. In order to prevent additional pollution when overloading the growth charge from the synthesized growth ampoule, the synthesis of the charge was carried out directly in the growth ampoules in a horizontal resistance furnace. In connection with the high viscosity of the Ad5BR»beye melt, cone-shaped growth ampoules were used. The synthesis mode included heating the charge of stoichiometric composition at a rate of 50 K/h. to 791 K, which is 50 K higher than the melting temperature of the final product, followed by exposure for 24 hours. The final homogenization of the charge was achieved by annealing at 573 K for 100 h. Cooling to the annealing temperature of 573 K was carried out at a rate of 30 K/h. Cooling to room temperature was carried out with the furnace turned off.
Ріст монокристалів проводили у вертикальній двозонній трубчатій печі опору (температура зони розплаву 791 К, зони відпалу - 590 К). Попередньо проводилась 24 годинна витримка ампули у гарячій зоні. На першому етапі росту проводилося формування зародку в нижній конусоподібній частині контейнера методом збірної рекристалізації протягом 48 год. В подальшому відбувалося нарощування кристалу на сформованій затравці шляхом переміщення фронту кристалізації зі швидкістю 0,8-0,9 мм/год. Температура, час відпалу у зоні кристалізації та швидкість охолодження до кімнатної температури становили 590 К, 120 год., 5 К/год., відповідно.The growth of single crystals was carried out in a vertical two-zone tubular resistance furnace (melt zone temperature 791 K, annealing zone - 590 K). Preliminarily, the ampoule was kept in a hot zone for 24 hours. At the first stage of growth, seed formation was carried out in the lower cone-shaped part of the container by the collective recrystallization method for 48 hours. Subsequently, crystal growth on the formed seed occurred by moving the crystallization front at a speed of 0.8-0.9 mm/h. The temperature, annealing time in the crystallization zone, and cooling rate to room temperature were 590 K, 120 h, and 5 K/h, respectively.
Таким чином одержано монокристали стехіометричного складу без тріщин та інших неоднорідностей (Фіг.1). Максимальна довжина кристалів складала 45 мм, діаметр 8-10 мм.In this way, single crystals of stoichiometric composition without cracks and other inhomogeneities were obtained (Fig. 1). The maximum length of the crystals was 45 mm, diameter 8-10 mm.
Одержані зразки монокристалів аргентум(І)стибій(І) гексаселеногіподифосфату Ад5рР2Бев бо досліджували методом рентгенівського фазового (РФА), дифрактометр ДРОН-4.07, СиКа-The obtained samples of single crystals of argentum(I) stibium(I) hexaselenohypodiphosphate Ad5rR2Bev were studied by X-ray phase diffraction (XRF), DRON-4.07 diffractometer, SiKa-
випромінювання, Мі-фільтр та диференційного термічного (ДТА) аналізів. Експериментальна дифрактограма Аде5БР»2Бев (Фіг.2), ідентична до розрахованої згідно літературних даних |З ромбоедричної модифікації АдОБРобевє, а на термограмі (Фіг.3) наявний один ендотермічний ефект при температурі, що відповідає температурі плавлення АдЗБР2бевє, яка наведена у літературі ІЗЇ. Однофазність монокристалів також доведена результатами мікроструктурного аналізу (Фіг.4)radiation, Mi-filter and differential thermal (DTA) analyses. The experimental diffractogram of Ade5BR»2Bev (Fig. 2) is identical to the one calculated according to the literature data of the rhombohedral modification of AdOBRobevie, and on the thermogram (Fig. 3) there is one endothermic effect at a temperature that corresponds to the melting temperature of AdZBR2bevie, which is given in the literature of IZI. Single-phase single crystals are also proven by the results of microstructural analysis (Fig. 4)
Винахід може бути використаний при одержанні патентозахищеного оптоелектричного матеріалу.The invention can be used in the production of a patent-protected optoelectric material.
Джерела інформації: 1. Патент України на винахід Ме109136 "Спосіб вирощування монокристалів купрум (1) гексатіофосфату Си?Р5є методом спрямованої кристалізації з розплаву" МПК СЗОВ 11/04 - Мо а201215055; заявл. 10.12.12.; опубл. 27.07.15., Бюл. Ме14. // Погодін А.І., Кохан О.П., СеврюковSources of information: 1. Patent of Ukraine for the invention Me109136 "Method of growing single crystals of cuprum (1) hexathiophosphate Cy?P5e by the method of directed crystallization from the melt" IPC SZOV 11/04 - Mo a201215055; statement 10.12.12.; published 27.07.15., Bul. Me14. // Pogodin A.I., Kokhan O.P., Sevryukov
Д.В., Студеняк І.П.- Аналог. 2. МР. Бішаепуак, А.І. Родоадіп, О.Р. КокКпап, У. Камаїїйке, Т. Заїкив, А. Келіопів, А.Е. Опіка».D.V., I.P. Studenyak - Analog. 2. MR. Bishaepuak, A.I. Rodoadip, O.R. KokKpap, U. Kamaiiike, T. Zaikiv, A. Keliopiv, A.E. Ward".
Стгувіа! агоули, зігисіига! апа еєїесігіса! ргорепієв ої (Сиі-хАдх);/слезвьі вирепопіс зоїїід воішіоп5 // зЗоїїа єіаїе Іопісв, 329 (2019), 119 - 123. - Найближчий аналог.Stguvia! agouli, zigisiiga! apa eeeyesigisa! rgorepiev oi (Sii-khAdh);/slezvyi vyrepopis zoiiid voishiop5 // zZoiia eiaie Iopisv, 329 (2019), 119 - 123. - The closest analogue.
З. Звідітауег Зіеїап. ЗМиКІшспетізспе Опіегзиспипдеп ап НехаспаІКодепопуродірпозрнаїеп па меглапаїеп Мегбіпаипдеп. різзепаїйоп, 2009, ЗО1р. 4. Саідате? А., Мапгідне? У., Казапема 9., Аміїа В.Е. 5упіпевів, спагасієгігайноп апа еїесігіса! роорепієз ої диаіетагу 5еіІєподірпозрНнаїез: АМРобевє м/йп А-Си, Ад апа М-ВІі, 55. Маїег. Вез.Z. Zviditaweg Zieiap. ZMyKIshspetizspe Opiegzyspipdep ap NehaspaIKodepopodirpozrnaiep pa meglapayep Megbipaipdep. Rizzepaiop, 2009, ZO1r. 4. Saidate? A., Maphidne? U., Kazapema 9., Amiia V.E. 5upipeviv, spagasiegigaynop apa eiesegisa! Roorepiez oi diaietagu 5eiIepodirpozrNnaiez: AMRobevye m/yp A-Sy, Ad apa M-VIi, 55. Maieg. Transportation
Виїї. 2003, 38, 1063-1072. 5. Тиап М.Ми, І амгепіуєм А.А., СабгеїЇап В.У., баї О.Мо, Заром У.І., Забом М.Ми., ВагенНіу І.Е.,Wow 2003, 38, 1063-1072. 5. Tyap M.My, I amgepiyuem A.A., SabgeiYap V.U., Bai O.Mo, Zarom U.I., Zabom M.My., WagenNiu I.E.,
Ріазескі М., Кнугпип О.У. Нідніу апізооріс Іауегед зеіепорпозрпаїє АдорР2Беб: Те еїІесігопіс вігисіште апа оріїса! ргорепіє5 ру ехрегітепіа! теазигетепів апа іг5іІ-ргіпсіріє5 саІсшаїйопв5. //Riazeski M., Knugpip O.U. Nidniu apizooris Iaueged zeieporpozrpaie AdorR2Beb: Te eiIesigopis vigisishte apa oriisa! rgorepije5 ru ehregitepia! teazigetepiv apa ig5iI-rgipsirie5 saIsshaiiopv5. //
Спнетіса! Рнузісв. - 2020. - Мо!І. 536, 110813. - Р. 1-10.Spnetisa! Rnuzisv. - 2020. - Mo!I. 536, 110813. - R. 1-10.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UAA202100527A UA126750C2 (en) | 2021-02-09 | 2021-02-09 | THE METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTALS OF ARGENTUM(I)STIBIUM(III) HEXASELENOHYPODIPHOSPHATE AgSbP<sub>2</sub>Se<sub>6</sub> BY THE METHOD OF DIRECTED CRYSTALLIZATION FROM THE MEL |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UAA202100527A UA126750C2 (en) | 2021-02-09 | 2021-02-09 | THE METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTALS OF ARGENTUM(I)STIBIUM(III) HEXASELENOHYPODIPHOSPHATE AgSbP<sub>2</sub>Se<sub>6</sub> BY THE METHOD OF DIRECTED CRYSTALLIZATION FROM THE MEL |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA126750C2 true UA126750C2 (en) | 2023-01-18 |
Family
ID=88731990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UAA202100527A UA126750C2 (en) | 2021-02-09 | 2021-02-09 | THE METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTALS OF ARGENTUM(I)STIBIUM(III) HEXASELENOHYPODIPHOSPHATE AgSbP<sub>2</sub>Se<sub>6</sub> BY THE METHOD OF DIRECTED CRYSTALLIZATION FROM THE MEL |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| UA (1) | UA126750C2 (en) |
-
2021
- 2021-02-09 UA UAA202100527A patent/UA126750C2/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Shekhovtsov et al. | Structure and growth of pure and Ce3+-doped Li6Gd (BO3) 3 single crystals | |
| CN102011187B (en) | Bismuth silicate-germanate mixed crystal and preparation method thereof | |
| Wang et al. | Modified Bridgman growth and properties of mid-infrared LiInSe2 crystal | |
| UA126750C2 (en) | THE METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTALS OF ARGENTUM(I)STIBIUM(III) HEXASELENOHYPODIPHOSPHATE AgSbP<sub>2</sub>Se<sub>6</sub> BY THE METHOD OF DIRECTED CRYSTALLIZATION FROM THE MEL | |
| Simonova et al. | Growth of bulk β-BaB2O4 crystals from solution in LiF-Li2O melt and study of phase equilibria | |
| Teshima et al. | Selective growth of calcium molybdate whiskers by rapid cooling of a sodium chloride flux | |
| UA148126U (en) | METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTALS OF ARGENTUM (I) STYBES (III) HEXASELENE HYPODYPHOSPHATE AgSbP <sub> 2 </sub> Se <sub> 6 </sub> DIRECTLY | |
| CN103949655B (en) | A kind of raw material of stoichiometric proportion and sol-gal process prepare the method for bismuth silicate powder | |
| Svoboda et al. | Crystallization behavior of (GeTe4) x (GaTe3) 100-x glasses for far-infrared optics applications | |
| Karunagaran et al. | Investigation on synthesis, growth, structure and physical properties of AgGa0. 5In0. 5S2 single crystals for Mid-IR application | |
| Carvalho et al. | Crystal growth of Bi2TeO5 by a double crucible Czochralski method | |
| Gattermann et al. | Large single crystal growth of MnWO4-type materials from high-temperature solutions | |
| Xiao et al. | Bridgman growth of CdWO4 single crystals | |
| Simonova et al. | Phase equilibria in BaB2O4–LiF system and β–BaB2O4 bulk crystals growth | |
| UA128507C2 (en) | METHOD OF GROWTH OF HEPTAARGENTUM(I) HEXASELENE PHOSPHATE Ag7PSe6 MONOCOLORES BY DIRECTED MELT Crystallization | |
| UA150871U (en) | Method of growing single crystals of heptaargentum(i) hexaselenium phosphate ag7pse6 by directed crystallization from the melt | |
| UA119942C2 (en) | METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTAL SINGLE CRYSTALS OF COMPOSITION (Cu <sub> 1-X </sub> Ag <sub> X </sub>) <sub> 7 </sub> SiS <sub> 5 </sub> I METHOD MELT-SOLUTION | |
| UA132997U (en) | METHOD OF GROWING TETRATALIUM (I) TRISTOSTATATE (II) (TH4SnS3) MONOCYSTALS CRYSTALIZATION BY MELT-SOLUTION DIRECT CRYSTALIZATION | |
| Simonova et al. | Phase equilibria in the ternary reciprocal system Li, Ba//BO2, F and growth of bulk β-BaB2O4 crystals | |
| Ivashchenko et al. | Physical properties of AgAs3Se5, Ag2SnAs6Se12 (co-doped with Er3+, Nd3+) single crystals formed in the quasi-ternary system Ag2Se–SnSe2–As2Se3 | |
| RU2542313C2 (en) | Method for rubidium-bismuth molybdate monocrystal growing | |
| RU2262556C1 (en) | Method of growing large perfect crystals of lithium triborate | |
| Chen et al. | Bridgman growth of lead molybdate crystals | |
| Chen et al. | Bridgman growth of LaCl3: Ce3+ crystal in non-vacuum atmosphere | |
| Wang et al. | Study on the growth and characterization of Sr3TaGa3Si2O14 single crystals |