Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Завод "Позитрон"filedCriticalЗавод "Позитрон"
Priority to UA4267958ApriorityCriticalpatent/UA11373A1/uk
Publication of UA11373A1publicationCriticalpatent/UA11373A1/uk
Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices
(AREA)
Abstract
Винахід відноситься до напівпровідникових приладів. Спосіб включає осадження на напівпровідникову пластину алюмінію, нанесення шару фоторезисту та формування в ньому конфігурації доріжок міжз’єднання шириною до 4•10-5 м та контактних площадок, створення роздільного окисла пористим анодним окисленням шару алюмінію, формування пасивуючого окисла, видалення фоторезисту з контактних площадок.
UA4267958A1987-06-251987-06-25Спосіб виготовлеhhя металізації hапівпровідhикових приладів та іhтегральhих мікросхем
UA11373A1
(uk)