TWM645935U - 轉印滾輪蝕刻製造設備及滾輪蝕刻裝置 - Google Patents

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TWM645935U
TWM645935U TW112201827U TW112201827U TWM645935U TW M645935 U TWM645935 U TW M645935U TW 112201827 U TW112201827 U TW 112201827U TW 112201827 U TW112201827 U TW 112201827U TW M645935 U TWM645935 U TW M645935U
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林劉恭
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光群雷射科技股份有限公司
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Abstract

本創作公開一種轉印滾輪蝕刻製造設備及滾輪蝕刻裝置。其中滾輪蝕刻裝置包括:一旋轉模組,用以將一金屬滾筒設置於一中心軸線上,且能夠驅動金屬滾筒旋轉;以及一蝕刻液噴射模組,具有至少一噴嘴,用以將蝕刻液噴射於金屬滾筒和光阻層上,而能夠對所述金屬滾筒的外表面蝕刻,而於金屬滾筒的外表面形成多個轉印微結構;其中,滾輪蝕刻裝置規劃為在蝕刻液噴射模組噴射蝕刻液的同時,透過旋轉模組帶動金屬滾筒和蝕刻液噴射模組的噴嘴相對旋轉,而使得蝕刻液均勻噴射於金屬滾筒和光阻層的表面上。

Description

轉印滾輪蝕刻製造設備及滾輪蝕刻裝置
本創作涉及一種轉印滾輪生產設備,尤其涉及一種用於製造轉印滾輪的轉印滾輪蝕刻製造設備及滾輪蝕刻裝置。
現有的一種蝕刻式轉印滾輪的製造設備主要為透過一塗佈裝置在一金屬滾筒的外表面塗佈一光阻層,並且透過曝光裝置及顯影裝置,使得光阻層形成多個圖案化的接觸窗口,再透過一蝕刻裝置對所述金屬滾筒的所述外表面蝕刻。所述蝕刻裝置是透過蝕刻液並以所述光阻層為遮罩對所述金屬滾筒的外表面蝕刻而形成多個微結構,進而使得所述滾筒形成具有特定微結構的轉印式滾輪。
由於蝕刻液對金屬滾筒接觸後會和金屬滾筒反應而產生化合物,致使蝕刻液失去蝕刻效果,因此蝕刻液必須保持循環地接觸金屬滾筒,以得新的蝕刻液能夠取代已和金屬滾筒反應過後的舊蝕刻液,方能夠使得蝕刻持續進行。
此外,在蝕刻的過程中,蝕刻液必須通過光阻層的接觸窗口才能夠接觸到金屬滾筒的表面而對金屬滾筒進行蝕刻,然而由於光阻層上的接觸窗口的孔隙尺寸相當微小,因此會使得已反應後的舊蝕刻液因毛細作用被保留在光阻層的接觸窗口中,而阻斷新的蝕刻液無法進入所述接觸窗口內,因而使得接觸於金屬滾筒表面的蝕刻液失去蝕刻作用而無法繼續進行蝕刻。
由於以上因素,使得現有的金屬滾輪蝕刻裝置的蝕刻效率不佳。於是,本創作人認為上述缺陷可改善,乃特潛心研究並配合科學原理的運用,終於提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的本創作。
本創作實施例在於提供一種轉印滾輪蝕刻製造設備及滾輪蝕刻裝置,其能有效地改善現有轉印滾輪的製造裝置所可能產生的缺陷。
本創作實施例提供一種轉印滾輪蝕刻製造設備,其包括:一光阻塗佈裝置,用以在一金屬滾筒的外表面塗佈圍繞360度的光阻層;其中,所述金屬滾筒的長度介於1.5公尺至1.7公尺之間,而所述金屬滾筒是一鉻金屬滾輪;一曝光裝置,用以產生一圖案化光源照射於所述光阻層,而使得所述光阻層曝光;一顯影裝置,用以使得曝光後的所述光阻層顯影而形成多個接觸窗口,並且使得所述金屬滾筒的所述外表面從多個所述接觸窗口暴露出來;及一滾輪蝕刻裝置,包括:一旋轉模組,用以將所述金屬滾筒設置於所述滾輪蝕刻裝置的一中心軸線上,且能夠驅動所述金屬滾筒以所述中心軸線旋轉;以及一蝕刻液噴射模組,所述蝕刻液噴射模組具有至少一噴嘴,用以將蝕刻液噴射於所述金屬滾筒和所述光阻層上,而能夠以所述光阻層為遮罩對所述金屬滾筒的所述外表面蝕刻,而於所述金屬滾筒的所述外表面形成多個轉印微結構;其中,所述滾輪蝕刻裝置規劃為能夠透過所述旋轉模組帶動所述金屬滾筒和所述蝕刻液噴射模組的至少一所述噴嘴相對旋轉,而使得至少一所述噴嘴能夠將所述蝕刻液均勻噴射於所述金屬滾筒和所述光阻層的表面上。
本創作實施例還提供一種滾輪蝕刻裝置,用以在一金屬滾筒的外表面蝕刻形成多個轉印微結構,並且所述金屬滾筒的長度介於1.5公尺至1.7公尺之間,而所述金屬滾筒是一鉻金屬滾輪,所述金屬滾筒滾輪蝕刻裝置包括:一旋轉模組,用以將所述金屬滾筒設置於所述滾輪蝕刻裝置的一中心軸線上,且能夠驅動所述金屬滾筒以所述中心軸線旋轉;以及一蝕刻液噴射模組,所述蝕刻液噴射模組具有至少一噴嘴,用以噴射蝕刻液於所述金屬滾筒和位於所述金屬滾筒的外表面的一光阻層;所述光阻層具有多個接觸窗口,所述蝕刻液通過多個所述接觸窗口而對所述金屬滾筒的所述外表面蝕刻,而形成位於所述金屬滾筒的所述外表面的多個轉印微結構;其中,所述滾輪蝕刻裝置被規劃為能夠以一蝕刻模式和一離心旋轉模式運轉,當所述滾輪蝕刻裝置以所述蝕刻模式運轉時,所述蝕刻液噴射模組的至少一所述噴嘴噴射所述蝕刻液於所述金屬滾筒的所述外表面,且所述旋轉模組帶動所述金屬滾筒和至少一所述噴嘴相對旋轉;當所述滾輪蝕刻裝置以所述離心旋轉模式運轉時,所述蝕刻液噴射模組停止噴射蝕刻液,並且所述旋轉模組帶動所述金屬滾筒以一離心轉速旋轉,而使得所述金屬滾筒的所述外表面和所述光阻層上殘留的所述蝕刻液因離心力作用而被甩離。
本創作的其中一有益效果在於,本創作的所述滾輪蝕刻裝置,能夠透過所述蝕刻液噴射模組和所述旋轉模組相配合,而於所述蝕刻液噴射模組噴射蝕刻液於所述金屬滾筒和所述光阻層上時,透過所述旋轉模組帶動所述金屬滾筒和所述蝕刻液噴射模組的至少一所述噴嘴相對旋轉的手段,而使得所述蝕刻液能夠均勻噴射於所述金屬滾筒和所述光阻層的表面上,而於所述金屬滾筒的所述外表面蝕刻出多個所述轉印微結構。
更進一步說,本創作的所述滾輪蝕刻裝置能夠透過以所述蝕刻模式和所述離心旋轉模式交替進行的手段,使得所述滾輪蝕刻裝置能夠在每一次的所述蝕刻模式結束後,透過所述旋轉模組帶動所述金屬滾筒以所述離心轉速旋轉,而使得多個所述接觸窗口內舊的蝕刻液被甩離,而使得新的蝕刻液能夠進入到多個所述接觸窗口內對所述金屬滾筒進行蝕刻,因而能夠使得多個所述接觸窗口內的蝕刻液不斷地更新,進而達到提高蝕刻效率的功效。
為使能更進一步瞭解本創作的特徵及技術內容,請參閱以下有關本創作的詳細說明與圖式,然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明,並非用來對本創作加以限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本創作所公開有關“轉印滾輪蝕刻製造設備及滾輪蝕刻裝置”的實施方式,本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本創作的優點與效果。本創作可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用,本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用,在不悖離本創作的構思下進行各種修改與變更。另外,本創作的附圖僅為簡單示意說明,並非依實際尺寸的描繪,事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本創作的相關技術內容,但所公開的內容並非用以限制本創作的保護範圍。
應當可以理解的是,雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件或者信號,但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件,或者一信號與另一信號。另外,本文中所使用的術語“或”,應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[第一實施例]
請參考圖1所示,本創作所述轉印滾輪生產設備包括:一光阻光阻塗佈裝置100、一曝光裝置200、一顯影裝置300、和一滾輪蝕刻裝置400。
如圖2所示,所述光阻塗佈裝置100包括:一塗佈機構110、相對設置於所述塗佈機構110下方的一旋轉模組120、一直線驅動模組130、以及相對設置於所述旋轉模組120下方的一承載台140。
其中,所述旋轉模組120能夠定義出一中心軸線121,且所述旋轉模組120能夠設置一金屬滾筒510,透過所述旋轉模組120帶動所述金屬滾筒510繞著所述中心軸線121旋轉,所述塗佈機構110設置於所述直線驅動模組130上,透過所述直線驅動模組130能夠帶動所述塗佈機構110沿著和所述金屬滾筒510的所述中心軸線121平行的方向往復位移。當所述金屬滾筒510受到所述旋轉模組120驅動旋轉時,所述塗佈機構110同時受到所述直線驅動模組130驅動而直線位移,而將光阻材料塗佈於所述金屬滾筒510的外表面,形成360度圍繞所述金屬滾筒510的所述外表面的一光阻層520。本實施例中,所述光阻層520的厚度介於1微米(μm)~20微米的範圍之間。
所述金屬滾筒510於本實施例中較佳是一鉻金屬滾輪,並且所述金屬滾筒510的長度介於1.5公尺至1.7公尺之間。
如圖3所示,所述曝光裝置200為透過一圖案化光源230照射於所述光阻層520,並使得所述圖案化光源230相對於所述光阻層520的表面位移,而使得所述光阻層520受到所述圖案化光源230照射後感光,而形成多個曝光區域和未曝光區域。
如圖3所示,本實施例中,所述曝光裝置200具有一光源裝置210和一光罩220,所述光源裝置210產生的光線穿透過所述光罩220而形成所述圖案化光源230。其中所述光源裝置210可以是包含有能夠發出能夠使得所述光阻層520感光的光線的至少一個發光二極體晶片。所述光罩220具有一透光基板,以及設置於所述透光基板上的多個光罩圖案,而使得所述光源裝置210產生的光線穿透過所述光罩220後能夠形成所述圖案化光源230。但本創作並不以此為限,舉例來說,所述圖案化光源230也能夠是由雷射光源或紫外光LED通過微菱鏡聚焦所形成的圖案化光源。
如圖4所示,所述顯影裝置300為透過和所述光阻層520相對應的顯影劑使得所述光阻層520顯影,而使得所述光阻層520的部分材料被移除,而形成多個接觸窗口521,並且使得所述金屬滾筒510的所述外表面512能夠從多個所述接觸窗口521暴露出來。
特別說明,本創作實施例中,所述光阻層520能夠為正光阻,也能夠為負光阻,當所述光阻層520為正光阻時,在所述顯影裝置對所述光阻層520進行顯影程序時,所述光阻層520的多個所述曝光區域的材料能夠被所述顯影劑溶解,而形成多個所述接觸窗口521。而當所述光阻層520為負光阻層時,則在所述顯影裝置對所述光阻層520進行顯影程序時,所述光阻層520的多個未曝光區域的材料能夠被所述顯影劑溶解,而形成多個所述接觸窗口521。
如圖5至圖7所示,本實施例中,所述滾輪蝕刻裝置400包括:旋轉模組420、和一相對設置於所述旋轉模組420上方的一蝕刻液噴射模組410、和相對設置於所述旋轉模組420下方的一支架440。
其中所述旋轉模組420用以將所述金屬滾筒510設置於所述滾輪蝕刻裝置400的一中心軸線421上,且能夠驅動所述金屬滾筒510以所述中心軸線421旋轉。
本實施例中,所述蝕刻液噴射模組410具有至少一噴嘴411,至少一所述噴嘴411能夠以水柱方式將蝕刻液噴射於所述光阻層520和所述金屬滾筒510,而能夠透過所述蝕刻液並以所述光阻層520為遮罩對所述金屬滾筒510的所述外表面512蝕刻,而於所述金屬滾筒510的所述外表面512形成多個轉印微結構530。
如圖5所示,本實施例中,所述蝕刻液噴射模組410的至少一所述噴嘴411是安裝於一直線移動模組430上,透過所述直線移動模組430能夠帶動所述噴嘴411沿著和所述中心軸線421平行的方向往復位移。所述滾輪蝕刻裝置400能夠規劃為以蝕刻模式和離心旋轉模式操作。如圖5及圖6所示,當所述滾輪蝕刻裝置400以所述蝕刻模式操作時,所述蝕刻液噴射模組410的所述噴嘴411能夠將蝕刻液噴射於所述金屬滾筒510和所述光阻層520的表面,且透過所述直線移動模組430帶動所述噴嘴411沿著所述中心軸線421的方向往復位移,並且所述旋轉模組420能夠帶動所述金屬滾筒510以所述中心軸線421為中心而旋轉,而使得所述金屬滾筒510和所述噴嘴411相對旋轉,因而使得所述噴嘴411能夠均勻地將蝕刻液噴射於所述光阻層520和所述金屬滾筒510上。
如圖6所示,所述蝕刻液噴射模組410所噴射的蝕刻液能夠進入所述光阻層520的多個所述接觸窗口521而接觸到所述金屬滾筒510的所述外表面512,而能夠透過所述蝕刻液在所述金屬滾筒510的所述外表面512蝕刻出對應多個所述接觸窗口521的多個所述轉印微結構530。
如圖7及圖8所示,當所述滾輪蝕刻裝置400以所述離心旋轉模式操作時,所述蝕刻液噴射模組410停止噴射蝕刻液,並且所述旋轉模組420帶動所述金屬滾筒510以一離心轉速旋轉,而使得所述光阻層520表面以及多個所述接觸窗口521內殘留的所述蝕刻液因離心力作用而被甩離。
特別說明,本實施例中,所述旋轉模組420在所述離心旋轉模式中的所述離心轉速高於在所述蝕刻模式時的旋轉速度。並且所述旋轉模組420在以所述離心轉速旋轉時能夠產生大於600G以上的離心力。較佳地,所述旋轉模組420在所述離心轉速旋轉時能夠產生大於800G以上的離心力,用以產生足夠的離心力,而使得所述光阻層520的表面和多個所述接觸窗口521內的蝕刻液能夠因離心力作用而離開多個所述接觸窗口521。
更詳細地說,所述旋轉模組420帶動所述金屬滾筒510旋轉所能夠產生的離心力能夠以下列公式計算:
RCF(G)=11.18×(RPM/1000) 2×R
其中,RCF=離心力(G);RPM=轉速(回轉速/分鐘);R=離心半徑(公分)。因此,透過上述公式計算,假設所述金屬滾筒510的直徑為10公分(亦即離心半徑R=5公分)的條件下,所述旋轉模組420在所述離心旋轉模式的轉速達到3800RPM時,即能夠產生807G的離心力,而能夠符合前述離心力大於800G的要件。
本創作的所述滾輪蝕刻裝置400是規劃為能夠以所述蝕刻模式和所述離心旋轉模式反覆交替進行的方式進行蝕刻,因此所述滾輪蝕刻裝置400能夠在每一次蝕刻模式結束後,隨即以所述離心模式操作,而使得多個所述接觸窗口521內的蝕刻液因離心力作用而被甩離,接著再進行下一次的所述蝕刻模式操作時,新的蝕刻液能夠重新進入到多個所述接觸窗口521內而對所述金屬滾筒510進行蝕刻,直到所述金屬滾筒510的所述外表面512的多個所述轉印微結構530達到預定的深度後,才停止所述蝕刻模式和所述離心旋轉模式的操作。因此,本創作的滾輪蝕刻裝置400透過以所述蝕刻模式和所述離心旋轉模式反覆交替進行的手段,能夠使得進入到多個所述接觸窗口521內的蝕刻液不斷地更新以避免蝕刻液蝕刻效率下降,進而達到提高蝕刻效率的目的。
如圖9所示,所述金屬滾筒510蝕刻完成後,將所述光阻層520從所述金屬滾筒510的所述外表面512移除,而使得所述金屬滾筒510構成一轉印滾輪500。本實施例中,所述金屬滾筒510的所述外表面512的任一個所述轉印微結構530的深度d介於0.2微米至0.6微米之間,任一個所述轉印微結構530的寬度w介於0.3微米至2微米之間,並且相鄰的任兩個所述轉印微結構530的間距p介於0.6微米至4微米之間。
如圖10及圖11所示,為將所述轉印滾輪500用以製造一轉印膜片600的應用實施例。本實施例中,所述轉印膜片600是由一膜片基材610和設置於所述膜片基材610表面上的底漆層620所構成。其中所述膜片基材610可以為聚對苯二甲酸乙二酯(PET),或定向拉伸聚丙烯薄膜(Oriented Polypropylene,OPP)材料所製成的透明薄膜,所述底漆層620可以為紫外光固化樹脂材料所製成。
所述轉印滾輪500能夠持續滾壓於所述底漆層620的表面,而在所述底漆層620的表面形成有形狀互補於多個所述轉印微結構530的多個光學微結構630。當所述轉印滾輪500在所述底漆層620滾壓出所述光學微結構630以後,能夠透過一紫外光源700照射紫外光於所述底漆層620,而使得所述底漆層620固化,而和所述膜片基材610共同構成所述轉印膜片600。
[第二實施例]
如圖12所示,為本創作第二實施例,需先說明的是,本實施例類似於上述實施例一,所以兩個實施例的相同處則不再加以贅述。
如圖12所示,本實施例中,所述滾輪蝕刻裝置400的所述蝕刻液噴射模組410的所述噴嘴411的數量限定為多個,並且多個所述噴嘴411沿著和所述中心軸線421平行的方向排列設置於所述金屬滾筒510的上方。
本實施例的所述蝕刻液噴射模組410是透過多個所述噴嘴411同時噴射蝕刻液於所述金屬滾筒510和所述光阻層520上,因此多個所述噴嘴不需要位移,便能夠將蝕刻液均勻噴射於所述金屬滾筒510的表面上,因而使得本實施例的所述滾輪蝕刻裝置400的構造得以簡化,並且能夠於相同單位時間內噴射出更多的蝕刻液於所述金屬滾筒510和所述光阻層520上,因而能夠提高蝕刻效率。
[本創作實施例的有益效果]
本創作的其中一有益效果在於,本創作的所述滾輪蝕刻裝置,能夠透過所述蝕刻液噴射模組和所述旋轉模組相配合,而於所述蝕刻液噴射模組噴射蝕刻液於所述金屬滾筒和所述光阻層上時,透過所述旋轉模組帶動所述金屬滾筒和所述蝕刻液噴射模組的至少一所述噴嘴相對旋轉的手段,而使得所述蝕刻液能夠均勻噴射於所述金屬滾筒和所述光阻層的表面上,而於所述金屬滾筒的所述外表面蝕刻出多個所述轉印微結構。
更進一步說,本創作的所述滾輪蝕刻裝置能夠透過以所述蝕刻模式和所述離心旋轉模式交替進行的手段,使得所述滾輪蝕刻裝置能夠在每一次的所述蝕刻模式結束後,透過所述旋轉模組帶動所述金屬滾筒以所述離心轉速旋轉,而使得多個所述接觸窗口內舊的蝕刻液被甩離,而使得新的蝕刻液能夠進入到多個所述接觸窗口內對所述金屬滾筒進行蝕刻,因而能夠使得多個所述接觸窗口內的蝕刻液不斷地更新,進而達到提高蝕刻效率的功效。
以上所公開的內容僅為本創作的優選可行實施例,並非因此侷限本創作的申請專利範圍,所以凡是運用本創作說明書及圖式內容所做的等效技術變化,均包含於本創作的申請專利範圍內。
100:光阻塗佈裝置 110:塗佈機構 120:旋轉模組 121:中心軸線 130:直線驅動模組 140:承載台 200:曝光裝置 210:光源裝置 220:光罩 230:圖案化光源 300:顯影裝置 400:滾輪蝕刻裝置 410:蝕刻液噴射模組 411:噴嘴 420:旋轉模組 421:中心軸線 430:直線移動模組 440:支架 500:轉印滾輪 510:金屬滾筒 512:外表面 520:光阻層 521:接觸窗口 530:轉印微結構 600:轉印膜片 610:膜片基材 620:底漆層 630:光學微結構 700:紫外光源 w:寬度 p:間距 d:深度
圖1為本創作轉印滾輪蝕刻製造設備的方塊示意圖。
圖2為本創作所使用的光阻塗佈裝置的示意圖。
圖3為本創作所使用的曝光裝置的示意圖。
圖4為本創作經由顯影設備顯影完成後的光阻層和金屬滾筒的局部放大剖面示意圖。
圖5為本創作第一實施例的滾輪蝕刻裝置示意圖。
圖6為本創作的滾輪蝕刻裝置於蝕刻模式操作狀態下的動作示意圖。
圖7及圖8為本創作的滾輪蝕刻裝置於離心旋轉模式操作狀態下的動作示意圖。
圖9為本創作蝕刻完成的轉印滾輪的局部放大剖面示意圖。
圖10及圖11為使用本創作的轉印滾輪製造一轉印膜片的操作方法示意圖。
圖12為為本創作第二實施例的滾輪蝕刻裝置示意圖。
400:滾輪蝕刻裝置
410:蝕刻液噴射模組
411:噴嘴
420:旋轉模組
421:中心軸線
430:直線移動模組
440:支架
510:金屬滾筒
520:光阻層

Claims (10)

  1. 一種轉印滾輪蝕刻製造設備,其包括:一光阻塗佈裝置,用以在一金屬滾筒的外表面塗佈圍繞360度的光阻層;其中,所述金屬滾筒的長度介於1.5公尺至1.7公尺之間,並且所述金屬滾筒是一鉻金屬滾輪;一曝光裝置,所述曝光裝置接續所述光阻塗佈裝置,用以產生一圖案化光源照射於所述金屬滾筒的所述外表面的所述光阻層,而使得所述光阻層曝光;一顯影裝置,所述顯影裝置接續所述曝光裝置,用以使得所述金屬滾筒上已曝光後的所述光阻層顯影而形成多個接觸窗口,並且使得所述金屬滾筒的所述外表面從多個所述接觸窗口暴露出來;及一滾輪蝕刻裝置,所述滾輪蝕刻裝置接續所述顯影裝置,用來蝕刻所述金屬滾筒,所述滾輪蝕刻裝置包括:一旋轉模組,用以將所述金屬滾筒設置於所述滾輪蝕刻裝置的一中心軸線上,且能夠驅動所述金屬滾筒以所述中心軸線旋轉;以及一蝕刻液噴射模組,設置於所述旋轉模組的上方,所述蝕刻液噴射模組具有至少一噴嘴,用以將蝕刻液噴射於所述金屬滾筒和所述光阻層上,而能夠以所述光阻層為遮罩對所述金屬滾筒的所述外表面蝕刻,而於所述金屬滾筒的所述外表面形成多個轉印微結構;其中,所述滾輪蝕刻裝置規劃為能夠透過所述旋轉模組帶動所述金屬滾筒和所述蝕刻液噴射模組的至少一所述噴嘴相對旋轉,而使得至少一所述噴嘴能夠將所述蝕刻液均勻噴射於所述金屬滾筒和所述光阻層的表面上。
  2. 如請求項1所述的轉印滾輪蝕刻製造設備,其中,所述滾輪蝕刻裝置被規劃為能夠以蝕刻模式和離心旋轉模式操作,當所述滾輪蝕刻裝置以所述蝕刻模式操作時,所述蝕刻液噴射模組的至少一所述噴嘴將蝕刻液噴射於所述金屬滾筒和所述光阻層上,且所述旋轉模組帶動所述金屬滾筒和至少一所述噴嘴相對旋轉;當所述滾輪蝕刻裝置以所述離心旋轉模式操作時,所述蝕刻液噴射模組停止噴射蝕刻液,並且所述旋轉模組帶動所述金屬滾筒以一離心轉速旋轉,而使得所述金屬滾筒的所述外表面和所述光阻層上殘留的所述蝕刻液因離心力作用而被甩離。
  3. 如請求項2所述的轉印滾輪蝕刻製造設備,其中,所述滾輪蝕刻裝置帶動所述金屬滾筒以所述離心轉速旋轉時產生的離心力大於800G以上。
  4. 如請求項1所述的轉印滾輪蝕刻製造設備,其中,所述蝕刻液噴射模組的所述噴嘴限定為一個,所述蝕刻液噴射模組還具有一直線移動模組,所述噴嘴設置於所述直線移動模組上,且透過所述直線移動模組帶動所述噴嘴沿著和所述中心軸線平行的方向往復位移。
  5. 如請求項1所述的轉印滾輪蝕刻製造設備,其中,所述蝕刻液噴射模組的所述噴嘴數量限定為多個,多個所述噴嘴沿著和所述中心軸線平行的方向排列設置於所述金屬滾筒的上方。
  6. 如請求項1所述的轉印滾輪蝕刻製造設備,其中,所述滾輪蝕刻裝置在所述金屬滾筒的所述外表面形成的任一個所述轉 印微結構的深度介於0.2微米(μm)至0.6微米之間,任一個所述轉印微結構的寬度介於0.3微米至2微米之間,任兩個相鄰的所述轉印微結構的間距介於0.6微米至4微米之間。
  7. 一種滾輪蝕刻裝置,用以在一金屬滾筒的外表面蝕刻形成多個轉印微結構,並且所述金屬滾筒的長度介於1.5公尺至1.7公尺之間,而所述金屬滾筒是一鉻金屬滾輪,所述金屬滾筒滾輪蝕刻裝置包括:一旋轉模組,用以將所述金屬滾筒設置於所述滾輪蝕刻裝置的一中心軸線上,且能夠驅動所述金屬滾筒以所述中心軸線旋轉;以及一蝕刻液噴射模組,設置於所述旋轉模組的上方,所述蝕刻液噴射模組具有至少一噴嘴,用以噴射蝕刻液於所述金屬滾筒和位於所述金屬滾筒的外表面的一光阻層;所述光阻層具有多個接觸窗口,所述蝕刻液通過多個所述接觸窗口而對所述金屬滾筒的所述外表面蝕刻,而形成位於所述金屬滾筒的所述外表面的多個轉印微結構;其中,所述滾輪蝕刻裝置被規劃為能夠以一蝕刻模式和一離心旋轉模式運轉,當所述滾輪蝕刻裝置以所述蝕刻模式運轉時,所述蝕刻液噴射模組的至少一所述噴嘴噴射所述蝕刻液於所述金屬滾筒的所述外表面,且所述旋轉模組帶動所述金屬滾筒和至少一所述噴嘴相對旋轉;當所述滾輪蝕刻裝置以所述離心旋轉模式運轉時,所述蝕刻液噴射模組停止噴射蝕刻液,並且所述旋轉模組帶動所述金屬滾筒以一離心轉速旋轉,而使得所述金屬滾筒的所述外表面和所述光阻層上殘留的所述蝕刻液因離心力作用而被甩離。
  8. 如請求項7所述的滾輪蝕刻裝置,其中,所述滾輪蝕刻裝置以所述離心旋轉模式時,帶動所述金屬滾筒以所述離心轉速旋轉時產生的離心力大於800G以上。
  9. 如請求項7所述的滾輪蝕刻裝置,其中,所述蝕刻液噴射模組的所述噴嘴限定為一個,所述蝕刻液噴射模組還具有一直線移動模組,所述噴嘴設置於所述直線移動模組上,且透過所述直線移動模組帶動所述噴嘴沿著和所述中心軸線平行的方向往復位移。
  10. 如請求項7所述的滾輪蝕刻裝置,其中,所述蝕刻液噴射模組的所述噴嘴數量限定為多個,多個所述噴嘴沿著和所述中心軸線平行的方向排列設置於所述金屬滾筒的上方。
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